CN112289938A - 一种量子点发光二极管及其制备方法 - Google Patents

一种量子点发光二极管及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112289938A
CN112289938A CN201910678263.0A CN201910678263A CN112289938A CN 112289938 A CN112289938 A CN 112289938A CN 201910678263 A CN201910678263 A CN 201910678263A CN 112289938 A CN112289938 A CN 112289938A
Authority
CN
China
Prior art keywords
quantum dot
modifier
dot light
layer
emitting layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910678263.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112289938B (zh
Inventor
程陆玲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL Research America Inc
Original Assignee
TCL Research America Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TCL Research America Inc filed Critical TCL Research America Inc
Priority to CN201910678263.0A priority Critical patent/CN112289938B/zh
Publication of CN112289938A publication Critical patent/CN112289938A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112289938B publication Critical patent/CN112289938B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

本发明公开了一种量子点发光二极管及其制备方法，其中，所述量子点发光二极管包括设置在阴极和阳极之间的量子点发光层以及电子传输层，所述量子点发光层和电子传输层相互接触的表面分别结合有第一修饰剂和第二修饰剂，第一修饰剂为巯基胺类化合物，第二修饰剂为巯基酸类化合物；或者，第一修饰剂为巯基酸类化合物，第二修饰剂为巯基胺类化合物。所述第一修饰剂和第二修饰剂的结合使得量子点发光层与电子传输层之间形成交联界面，所述交联界面能够给电荷传输提供传输通道，从而有效降低量子点发光层和电子传输层之间的界面电阻，进而提升量子点发光二极管的器件效率及其使用寿命。

Description

一种量子点发光二极管及其制备方法
技术领域
本发明涉及量子点领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。
背景技术
在新型显示技术领域，量子点显示被誉为下一代显示技术的重要方向。目前针对量子点发光二极管器件的研究已经有了大量的科技成果，然而距离量子点显示真正能够应用到工业生产商还有一定的距离。
基于量子点发光二极管技术中依然有很多问题需要解决，诸如寿命、效率、稳定性等问题；在量子点发光二极管中，无论是哪一种问题都会涉及到量子点发光器件中膜与膜之间的界面问题。量子点发光器件中不同界面之间会产生界面电阻，尤其是发光量子点与电荷传输层之间会产生界面电阻进而影响器件效率以及器件寿命。
因此，现有技术还有待于改进。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决由于现有量子点发光二极管由于存在界面电阻而导致量子点发光二极管的器件效率较低以及寿命较短的问题。
本发明的技术方案如下：
一种量子点发光二极管，包括阴极、阳极以及设置在所述阴极和阳极之间的叠层，所述叠层包括量子点发光层以及电子传输层，所述量子点发光层靠近阳极设置，所述电子传输层靠近阴极设置，其中，所述量子点发光层和电子传输层相互接触的表面分别结合有第一修饰剂和第二修饰剂，所述第一修饰剂为巯基胺类化合物，所述第二修饰剂为巯基酸类化合物；或者，所述第一修饰剂为巯基酸类化合物，所述第二修饰剂为巯基胺类化合物。
一种量子点发光二极管的制备方法，其中，包括步骤：
在阳极基板上制备量子点发光层；
采用第一修饰剂对所述量子点发光层进行修饰处理，所述第一修饰剂为巯基胺类化合物或巯基酸类化合物；
在经过修饰处理的量子点发光层表面沉积第一复合溶液，制得电子传输层，所述第一复合溶液由第二修饰剂与金属氧化物混合在极性溶剂中制得，当所述第一修饰剂为巯基胺类化合物时，所述第二修饰剂为巯基酸类化合物，当所述第一修饰剂为巯基酸类化合物时，所述第二修饰剂为巯基胺类化合物；
在所述电子传输层上制备阴极，制得所述量子点发光二极管；
或者，在阴极基板上制备电子传输层；
采用第一修饰剂对所述电子传输层进行修饰处理，所述第一修饰剂为巯基胺类化合物或巯基酸类化合物；
在经过修饰处理的电子传输层表面沉积第二复合溶液，制得量子点发光层，所述第二复合溶液由第二修饰剂与量子点混合在非极性溶剂中制得，当所述第一修饰剂为巯基胺类化合物时，所述第二修饰剂为巯基酸类化合物，当所述第一修饰剂为巯基酸类化合物时，所述第二修饰剂为巯基胺类化合物；
在所述量子点发光层上制备阳极，制得所述量子点发光二极管。
有益效果：本发明提供的量子点发光二极管中，所述量子点发光层和电子传输层相互接触的表面分别结合有第一修饰剂和第二修饰剂，所述第一修饰剂中的游离基团和第二修饰剂中的游离基团通过静电作用结合在一起，所述第一修饰剂和第二修饰剂的结合使得量子点发光层与电子传输层之间形成交联界面，所述交联界面能够给电荷传输提供传输通道(桥梁)，从而有效降低量子点发光层和电子传输层之间的界面电阻，进而提升量子点发光二极管的器件效率及其使用寿命。
附图说明
图1为本发明实施方式中一种正型结构量子点发光二极管的结构示意图。
图2为本发明实施一些方式中正型结构量子点发光二极管制备方法的流程图。
图3为本发明实施一些方式中反型结构量子点发光二极管制备方法的流程图。
具体实施方式
本发明提供一种量子点发光二极管及其制备方法的制备方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明的一些实施方式，提供一种量子点发光二极管，包括阴极、阳极以及设置在所述阴极和阳极之间的叠层，所述叠层包括量子点发光层以及电子传输层，所述量子点发光层靠近阳极设置，所述电子传输层靠近阴极设置，其中，所述量子点发光层和电子传输层相互接触的表面分别结合有第一修饰剂和第二修饰剂，所述第一修饰剂为巯基胺类化合物，所述第二修饰剂为巯基酸类化合物；或者，所述第一修饰剂为巯基酸类化合物，所述第二修饰剂为巯基胺类化合物。
本实施例量子点发光二极管中的量子点发光层和电子传输层通过第一修饰剂和第二修饰剂的基团作用交联在一起，可有效降低量子点发光层和电子传输层之间的界面电阻，进而提升量子点发光二极管的器件效率并提升其使用寿命。实现上述效果的机理具体如下：
在一些实施方式中，所述第一修饰剂为巯基胺类化合物，所述巯基胺类聚合物可通过巯基与量子点发光层中量子点表面的金属原子共价结合，所述第二修饰剂为巯基酸类化合物，所述巯基酸类化合物可通过巯基与电子传输层中金属氧化物表面的金属原子共价结合，此时第二修饰剂中游离的羧基容易失去质子而带负电荷，而第一修饰剂中游离的氨基则容易获取质子而带正电荷，带负电荷的羧基与带正电荷的氨基可通过静电相互作用结合在一起，所述第一修饰剂和第二修饰剂中的游离基团结合使得量子点发光层与电子传输层之间形成交联界面，所述交联界面能够给电荷传输提供传输通道(桥梁)，从而有效降低量子点发光层和电子传输层之间的界面电阻，进而提升量子点发光二极管的器件效率及其使用寿命。
在另一些实施方式中，所述第一修饰剂为巯基酸类化合物，所述巯基酸类化合物可通过巯基与量子点发光层中的量子点表面结合，所述第二修饰剂为巯基胺类化合物，所述巯基胺类化合物可通过巯基与电子传输层中的金属氧化物表面结合，此时第一修饰剂中游离的羧基可与第二修饰剂中游离的氨基通过静电相互作用结合在一起，所述第一修饰剂和第二修饰剂中的游离基团结合使得量子点发光层与电子传输层之间形成交联界面，所述交联界面能够给电荷传输提供传输通道(桥梁)，从而有效降低量子点发光层和电子传输层之间的界面电阻，进而提升量子点发光二极管的器件效率及其使用寿命。
在一些实施方式中，所述巯基胺类化合物的分子式为HS-(CH2)n-NH2，其中n的取值为1-10。若n的取值大于10，则所述巯基胺类化合物在与巯基酸类化合物静电结合后，会增加量子点发光层和电子传输层之间的界面电阻，从而导致电荷传输效率降低。作为举例，所述巯基胺类化合物选自巯基乙胺、巯基丙胺、巯基丁胺、巯基戊胺和巯基辛胺中的一种或多种，但不限于此。
在一些实施方式中，所述巯基酸类化合物的分子式为HS-(CH2)n-COOH，其中n的取值为1-10。若n的取值大于10，则所述巯基酸类化合物在与巯基胺类化合物静电结合后，会增加量子点发光层和电子传输层之间的界面电阻，从而导致电荷传输效率降低。作为举例，所述巯基酸类化合物选自巯基乙酸、巯基丙酸、巯基丁酸、巯基戊酸和巯基辛酸中的一种或多种，但不限于此。
具体的，量子点发光二极管分正型结构和反型结构。正型结构包括层叠设置的阳极、阴极和设置在阳极和阴极之间的量子点发光层，正型结构的阳极设置在衬底上，在阳极和量子点发光层之间还可以设置空穴传输层、空穴注入层和电子阻挡层等空穴功能层，在阴极和量子点发光层之间还可以设置电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层等电子功能层。进一步的，在一些实施方式中，所述量子点发光二极管包括设置在阳极表面的所述空穴注入层、设置在所述空穴注入层表面的空穴传输层和设置在所述空穴传输层表面的量子点发光层。如图1所示的一些正型结构器件的实施方式中，所述正型结构器件包括衬底、设置在衬底表面的阳极、设置在阳极表面空穴传输层、设置在空穴传输层表面的量子点发光层，设置在所述量子点发光层表面的电子传输层和设置在电子传输层表面的阴极，所述量子点发光层和电子传输层相互接触的表面分别结合有第一修饰剂和第二修饰剂，所述第一修饰剂的基团和第二修饰剂的基团通过静电作用交联在一起，所述第一修饰剂为巯基胺类化合物，所述第二修饰剂为巯基酸类化合物。
反型结构包括层叠设置的阳极、阴极和设置在阳极和阴极之间的量子点发光层，反型结构的阴极设置在衬底上，在阳极和量子点发光层之间还可以设置空穴传输层、空穴注入层和电子阻挡层等空穴功能层，在阴极和量子点发光层之间还可以设置电子传输层、电子注入层和空穴阻挡层等电子功能层。在本发明的一些反型结构器件的实施方式中，所述反型结构器件包括衬底、设置在衬底表面的阴极、设置在阴极表面的电子传输层、设置在电子传输层表面的量子点发光层、设置在量子点发光层表面的空穴传输层和设置在空穴传输层表面的阳极，所述量子点发光层和电子传输层相互接触的表面分别结合有第一修饰剂和第二修饰剂，所述第一修饰剂的基团和第二修饰剂的基团通过静电作用交联在一起，所述第一修饰剂为巯基胺类化合物，所述第二修饰剂为巯基酸类化合物。
在本发明的各实施方式中，所述各功能层材料为本领域常见的材料，例如：
在一些实施方式中，所述衬底可以为钢性衬底或柔性衬底。
在一些实施方式中，所述阳极可以为ITO、FTO或ZTO。
在一些实施方式中，空穴传输层材料可以是小分子有机物，也可以是高分子导电聚合物，包括TFB、PVK、Poly-TBP、Poly-TPD、NPB、TCTA、TAPC、CBP、PEODT：PSS、MoO3、WoO3、NiO、CuO、V2O5、CuS等。
在一些实施方式中，量子点发光层中的量子点选自CdS、CdSe、CdTe、InP、AgS、PbS、PbSe、HgS、ZnXCd1-XS、CuXIn1-XS、ZnXCd1-XSe、ZnXSe1-XS、ZnXCd1-XTe、PbSeXS1-X、ZnXCd1-XS/ZnSe、CuXIn1-XS/ZnS、ZnXCd1-XSe/ZnS、CuInSeS、ZnXCd1-XTe/ZnS和PbSeXS1-X/ZnS等中的一种或多种，但不限于此。在一些实施方式中，所述量子点表面的配体为油酸(OA)、油胺(OAm)、辛胺，三辛基磷(TOP)、三辛基氧磷(TOPO),十八烷基磷酸(ODPA)和十四烷基磷酸(TDPA)中的一种或多种，但不限于此。
在一些实施方式中，所述电子传输层中的金属氧化物选自ZnO、TiO、NiO、W2O3、Mo2O3、TiO2、SnO、ZrO2和Ta2O3中的一种或多种，但不限于此。在一些实施方式中，所述电子传输层材料选自掺杂有金属单质的ZnO、TiO、NiO、W2O3、Mo2O3、TiO2、SnO、ZrO2和Ta2O3，所述金属单质为Mg、Mn、Al、Cu、Fe、Ag、Au中的一种或多种，但不限于此。
在一些实施方式中，阴极可以为Au、Ag、Al、Cu、Mo或它们的合金。
在一些实施方式中，所述底电极的厚度为20-120nm。
在一些实施方式中，所述空穴传输层的厚度为30-120nm。
在一些实施方式中，所述量子点发光层的厚度为10-200nm。
在一些实施方式中，所述电子传输层的厚度为5-100nm；所述顶电极的厚度为60-120nm。
本发明的一些实施方式，如图2所示，提供一种正型结构量子点发光二极管的制备方法，其中，包括如下步骤：
S10、在阳极基板上制备量子点发光层；
S20、采用第一修饰剂对所述量子点发光层进行修饰处理，所述第一修饰剂为巯基胺类化合物或巯基酸类化合物；
S30、在经过修饰处理的量子点发光层表面沉积第一复合溶液，制得电子传输层，所述第一复合溶液由第二修饰剂与金属氧化物混合在极性溶剂中制得，当所述第一修饰剂为巯基胺类化合物时，所述第二修饰剂为巯基酸类化合物，当所述第一修饰剂为巯基酸类化合物时，所述第二修饰剂为巯基胺类化合物；
S40、在所述电子传输层上制备阴极，制得所述量子点发光二极管。
在一些实施方式中，所述在阳极基板制备量子点发光层的步骤包括：预先将量子点分散在非极性溶剂中，制得浓度为10-100mg/ml的量子点溶液；将所述量子点溶液沉积在所述阳极基板上，即可制得量子点发光层。本实施例中，所述非极性溶剂选自甲苯、氯仿、正己烷、辛烷和四氯化碳中的一种或多种。所述量子点选自CdS、CdSe、CdTe、InP、AgS、PbS、PbSe、HgS、ZnXCd1-XS、CuXIn1-XS、ZnXCd1-XSe、ZnXSe1-XS、ZnXCd1-XTe、PbSeXS1-X、ZnXCd1-XS/ZnSe、CuXIn1-XS/ZnS、ZnXCd1-XSe/ZnS、CuInSeS、ZnXCd1-XTe/ZnS和PbSeXS1-X/ZnS等中的一种或多种，但不限于此。在一些实施方式中，所述量子点表面的配体为油酸(OA)、油胺(OAm)、辛胺，三辛基磷(TOP)、三辛基氧磷(TOPO),十八烷基磷酸(ODPA)和十四烷基磷酸(TDPA)中的一种或多种，但不限于此。
在一些实施方式中，所述采用第一修饰剂对所述量子点发光层进行修饰处理的步骤包括：将第一修饰剂分散在极性溶剂中形成交联溶液；将所述交联溶液沉积在所述量子点发光层上并静置预定时间，使所述第一修饰剂结合在所述量子点发光层表面；采用旋涂的方式对所述量子点发光层表面进行干燥处理。所述采用交联修饰剂对量子点发光层进行修饰处理的方式包括滴涂、旋涂、浸泡和涂布等多种方式，本实施例优选滴涂加旋涂的处理方式，采用滴涂加旋涂的方式能够有效避免交联修饰剂与量子点发光层反应的不充分而造成的后续的交联不充分。进一步的，所述的滴涂加旋涂的具体方式为先利用滴涂的方式将交联修饰滴涂在量子点发光层上1-30min，然后在利用旋涂的方式使得多余的交联修饰剂甩出量子点发光层，并对量子点发光层也起到一个干燥的作用。
在一些实施方式中，所述交联溶液的浓度为0.01-5mol/ml。
在一些实施方式中，所述极性溶剂选自乙醇、甲醇、异丙醇、乙腈和四氢呋喃中的一种或多种，但不限于此。
在一些实施方式中，所述在经过修饰处理的量子点发光层表面沉积第一复合溶液，制得电子传输层的步骤具体包括：预先将第二修饰剂和金属氧化物按照摩尔浓度与质量比为0.01-10mmol/ml：100mg分散在极性溶剂中，使得第二修饰剂通过巯基结合在所述金属氧化物表面，制得第一复合溶液；将所述第一复合溶液沉积在经过修饰处理的量子点发光层表面，即制得电子传输层；此时结合在金属氧化物表面的第二修饰剂可通过其游离基团与结合在量子点发光层表面的第一修饰剂的游离基团通过静电相互作用结合，从而在量子点发光层与电子传输层之间形成交联界面，所述交联界面能够给电荷传输提供传输通道(桥梁)，从而有效降低量子点发光层和电子传输层之间的界面电阻，进而提升量子点发光二极管的器件效率及其使用寿命。
在一些实施方式中，所述金属氧化物选自ZnO、TiO、NiO、W2O3、Mo2O3、TiO2、SnO、ZrO2和Ta2O3中的一种或多种，但不限于此。在一些实施方式中，所述电子传输层材料选自掺杂有金属单质的ZnO、TiO、NiO、W2O3、Mo2O3、TiO2、SnO、ZrO2和Ta2O3，所述金属单质为Mg、Mn、Al、Cu、Fe、Ag、Au中的一种或多种，但不限于此。
本发明各实施例中，各层制备方法可以是化学法或物理法，其中化学法包括但不限于化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法中的一种或多种；物理法包括但不限于溶液法(如旋涂法、印刷法、刮涂法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法或条状涂布法等)、蒸镀法(如热蒸镀法、电子束蒸镀法、磁控溅射法或多弧离子镀膜法等)、沉积法(如物理气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法等)中的一种或多种。
本发明的一些实施方式中，如图3所示，提供一种反型结构量子点发光二极管的制备方法，其中，包括如下步骤：
S100、在阴极基板上制备电子传输层；
S200、采用第一修饰剂对所述电子传输层进行修饰处理，所述第一修饰剂为巯基胺类化合物或巯基酸类化合物；
S300、在经过修饰处理的电子传输层表面沉积第二复合溶液，制得量子点发光层，所述第二复合溶液由第二修饰剂与量子点混合在非极性溶剂中制得，当所述第一修饰剂为巯基胺类化合物时，所述第二修饰剂为巯基酸类化合物，当所述第一修饰剂为巯基酸类化合物时，所述第二修饰剂为巯基胺类化合物；
S400、在所述量子点发光层上制备阳极，制得所述量子点发光二极管。
在一些实施方式中，所述采用第一修饰剂对所述电子传输层进行修饰处理的步骤包括：将第一修饰剂分散在极性溶剂中形成交联溶液；将所述交联溶液沉积在所述电子传输层上并静置预定时间，使所述第一修饰剂结合在所述电子传输层表面；采用旋涂的方式对所述电子传输层表面进行干燥处理。所述采用交联修饰剂对电子传输层进行修饰处理的方式包括滴涂、旋涂、浸泡和涂布等多种方式，本实施例优选滴涂加旋涂的处理方式，采用滴涂加旋涂的方式能够有效避免交联修饰剂与电子传输层反应的不充分而造成的后续的交联不充分。进一步的，所述的滴涂加旋涂的具体方式为先利用滴涂的方式将交联修饰滴涂在电子传输层上1-30min，然后在利用旋涂的方式使得多余的交联修饰剂甩出电子传输层，并对电子传输层也起到一个干燥的作用。
在一些实施方式中，所述交联溶液的浓度为0.01-5mol/ml。
在一些实施方式中，所述极性溶剂选自乙醇、甲醇、异丙醇、乙腈和四氢呋喃中的一种或多种，但不限于此。
在一些实施方式中，所述在经过修饰处理的电子传输层表面沉积第二复合溶液，制得量子点发光层的步骤具体包括：预先将第二修饰剂和量子点按照摩尔浓度与质量比为1-10mmol/ml：100mg分散在非极性溶剂中，使得第二修饰剂通过巯基结合在所述量子点表面，制得第二复合溶液；将所述第二复合溶液沉积在经过修饰处理的电子传输层表面，即制得量子点发光层；此时结合在量子点表面的第二修饰剂可通过其游离基团与结合在电子传输层表面的第一修饰剂的游离基团通过静电相互作用结合，从而在量子点发光层与电子传输层之间形成交联界面，所述交联界面能够给电荷传输提供传输通道(桥梁)，从而有效降低量子点发光层和电子传输层之间的界面电阻，进而提升量子点发光二极管的器件效率及其使用寿命。
本发明各实施例中，各层制备方法可以是化学法或物理法，其中化学法包括但不限于化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法中的一种或多种；物理法包括但不限于溶液法(如旋涂法、印刷法、刮涂法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法或条状涂布法等)、蒸镀法(如热蒸镀法、电子束蒸镀法、磁控溅射法或多弧离子镀膜法等)、沉积法(如物理气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法等)中的一种或多种。
下面通过实施例对本发明进行详细说明：
实施例1
1、交联溶液的配置方法：
在室温下取0.1mmol的巯基乙酸分散到2ml的乙醇当中备用，即制得所述交联溶液。
2、一种量子点发光二极管的制备方法，具体步骤如下：
利用移液枪抽取100ul的CdSe/ZnS(30mg/ml)红色量子点溶液，然后采用旋涂的方式以2000rpm/30s的转速在含有ITO和空穴传输层的衬底上制备旋涂CdSe/ZnS红色量子点溶液，制得量子点固态膜；
利用移液枪抽取100ul的交联溶液滴涂到量子点固态膜上铺展5min，然后在利用2000rpm/30s的转速对衬底进行空转进行干燥；
先称取60mg的ZnO纳米颗粒分散在2ml的乙醇溶液当中，均匀分散后，然后在向分散后的ZnO纳米颗粒溶液中添加0.05mmol的巯基乙胺试剂混合均匀使其充分反应后，再利用移液枪抽取100ul的ZnO纳米颗粒溶液在进行交联过的CdSe/ZnS红色量子点固态膜上采用旋涂的方式制备一层电子传输层；
在所述电子传输层上制备阴极，即制得所述量子点发光二极管。
综上所述，本发明提供的量子点发光二极管中，所述量子点发光层和电子传输层相互接触的表面分别结合有第一修饰剂和第二修饰剂，所述第一修饰剂中的游离基团和第二修饰剂中的游离基团通过静电作用结合在一起，所述第一修饰剂和第二修饰剂的结合使得量子点发光层与电子传输层之间形成交联界面，所述交联界面能够给电荷传输提供传输通道(桥梁)，从而有效降低量子点发光层和电子传输层之间的界面电阻，进而提升量子点发光二极管的器件效率及其使用寿命。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种量子点发光二极管，包括阴极、阳极以及设置在所述阴极和阳极之间的叠层，所述叠层包括量子点发光层以及电子传输层，所述量子点发光层靠近阳极设置，所述电子传输层靠近阴极设置，其特征在于，所述量子点发光层和电子传输层相互接触的表面分别结合有第一修饰剂和第二修饰剂，所述第一修饰剂为巯基胺类化合物，所述第二修饰剂为巯基酸类化合物；或者，所述第一修饰剂为巯基酸类化合物，所述第二修饰剂为巯基胺类化合物。
2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述巯基胺类化合物的分子式为HS-(CH2)n-NH2，其中n的取值为1-10。
3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述巯基酸类化合物的分子式为HS-(CH2)n-COOH，其中n的取值为1-10。
4.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：
在阳极基板上制备量子点发光层；
采用第一修饰剂对所述量子点发光层进行修饰处理，所述第一修饰剂为巯基胺类化合物或巯基酸类化合物；
在经过修饰处理的量子点发光层表面沉积第一复合溶液，制得电子传输层，所述第一复合溶液由第二修饰剂与金属氧化物混合在极性溶剂中制得，当所述第一修饰剂为巯基胺类化合物时，所述第二修饰剂为巯基酸类化合物，当所述第一修饰剂为巯基酸类化合物时，所述第二修饰剂为巯基胺类化合物；
在所述电子传输层上制备阴极，制得所述量子点发光二极管；
或者，在阴极基板上制备电子传输层；
采用第一修饰剂对所述电子传输层进行修饰处理，所述第一修饰剂为巯基胺类化合物或巯基酸类化合物；
在经过修饰处理的电子传输层表面沉积第二复合溶液，制得量子点发光层，所述第二复合溶液由第二修饰剂与量子点混合在非极性溶剂中制得，当所述第一修饰剂为巯基胺类化合物时，所述第二修饰剂为巯基酸类化合物，当所述第一修饰剂为巯基酸类化合物时，所述第二修饰剂为巯基胺类化合物；
在所述量子点发光层上制备阳极，制得所述量子点发光二极管。
5.根据权利要求4所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述采用第一修饰剂对所述量子点发光层进行修饰处理的步骤包括：
将第一修饰剂分散在极性溶剂中形成交联溶液；
将所述交联溶液沉积在所述量子点发光层上并静置预定时间，使第一修饰剂结合在量子点发光层表面；
采用旋涂的方式对所述量子点发光层表面进行干燥处理；
或者，所述采用第一修饰剂对所述电子传输层进行修饰处理的步骤包括：
将第一修饰剂分散在极性溶剂中形成交联溶液；
将所述交联溶液沉积在所述电子传输层上并静置预定时间，使第一修饰剂结合在电子传输层表面；
采用旋涂的方式对所述电子传输层表面进行干燥处理。
6.根据权利要求5所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，
所述将所述交联溶液沉积在所述量子点发光层上并静置预定时间，使第一修饰剂结合在量子点发光层表面的步骤包括：
将所述交联溶液滴涂在所述量子点发光层上并静置1-30min，使交联溶液中的第一修饰剂通过巯基与量子点发光层中的量子点表面结合；
或者，所述将所述交联溶液沉积在所述电子传输层上并静置预定时间，使第一修饰剂结合在电子传输层表面的步骤包括：
将所述交联溶液沉积在所述电子传输层上并静置1-30min，使交联溶液中的第一修饰剂通过巯基与电子传输层中的金属氧化物表面结合。
7.根据权利要求5所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述极性溶剂选自乙醇、甲醇、异丙醇、乙腈和四氢呋喃中的一种或多种。
8.根据权利要求5所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述交联溶液的浓度为0.01-5mol/ml。
9.根据权利要求4所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物选自ZnO、TiO、NiO、W2O3、Mo2O3、TiO2、SnO、ZrO2和Ta2O3中的一种或多种；或者，所述电子传输层材料选自掺杂有金属单质的ZnO、TiO、NiO、W2O3、Mo2O3、TiO2、SnO、ZrO2和Ta2O3，所述金属单质为Mg、Mn、Al、Cu、Fe、Ag、Au中的一种或多种。
10.根据权利要求4所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述量子点选自CdS、CdSe、CdTe、InP、AgS、PbS、PbSe、HgS、ZnXCd1-XS、CuXIn1-XS、ZnXCd1-XSe、ZnXSe1-XS、ZnXCd1- XTe、PbSeXS1-X、ZnXCd1-XS/ZnSe、CuXIn1-XS/ZnS、ZnXCd1-XSe/ZnS、CuInSeS、ZnXCd1-XTe/ZnS和PbSeXS1-X/ZnS等中的一种或多种。
CN201910678263.0A 2019-07-25 2019-07-25 一种量子点发光二极管及其制备方法 Active CN112289938B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910678263.0A CN112289938B (zh) 2019-07-25 2019-07-25 一种量子点发光二极管及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910678263.0A CN112289938B (zh) 2019-07-25 2019-07-25 一种量子点发光二极管及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112289938A true CN112289938A (zh) 2021-01-29
CN112289938B CN112289938B (zh) 2022-05-03

Family

ID=74419254

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910678263.0A Active CN112289938B (zh) 2019-07-25 2019-07-25 一种量子点发光二极管及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112289938B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024088181A1 (zh) * 2022-10-26 2024-05-02 Tcl科技集团股份有限公司 发光器件及其制备方法及显示装置

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105070849A (zh) * 2015-07-14 2015-11-18 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光层排布致密的发光器件及其制备方法
CN105098075A (zh) * 2015-07-14 2015-11-25 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光层排布致密的发光器件及其制备方法
CN106601924A (zh) * 2016-12-21 2017-04-26 浙江大学 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN106601925A (zh) * 2016-12-22 2017-04-26 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光层、量子点发光二极管及其制备方法
CN106848079A (zh) * 2017-02-20 2017-06-13 纳晶科技股份有限公司 发光‑电荷传输复合物、含有其的墨水、其制备方法及qled器件
CN108075043A (zh) * 2016-11-15 2018-05-25 乐金显示有限公司 量子点发光二极管和使用该二极管的发光显示装置
US20180294419A1 (en) * 2017-04-06 2018-10-11 Samsung Display Co., Ltd. Light emission material and organic electroluminescence device including the same
CN109935661A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 正型qled器件及其制备方法
CN109935724A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 量子点发光层及其制备方法和应用
CN109935708A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 发光二极管器件及其制备方法
CN110010782A (zh) * 2019-02-28 2019-07-12 纳晶科技股份有限公司 一种量子点发光层及其制备方法、量子点器件

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105070849A (zh) * 2015-07-14 2015-11-18 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光层排布致密的发光器件及其制备方法
CN105098075A (zh) * 2015-07-14 2015-11-25 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光层排布致密的发光器件及其制备方法
CN108075043A (zh) * 2016-11-15 2018-05-25 乐金显示有限公司 量子点发光二极管和使用该二极管的发光显示装置
CN106601924A (zh) * 2016-12-21 2017-04-26 浙江大学 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN106601925A (zh) * 2016-12-22 2017-04-26 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光层、量子点发光二极管及其制备方法
CN106848079A (zh) * 2017-02-20 2017-06-13 纳晶科技股份有限公司 发光‑电荷传输复合物、含有其的墨水、其制备方法及qled器件
US20180294419A1 (en) * 2017-04-06 2018-10-11 Samsung Display Co., Ltd. Light emission material and organic electroluminescence device including the same
CN109935661A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 正型qled器件及其制备方法
CN109935724A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 量子点发光层及其制备方法和应用
CN109935708A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 发光二极管器件及其制备方法
CN110010782A (zh) * 2019-02-28 2019-07-12 纳晶科技股份有限公司 一种量子点发光层及其制备方法、量子点器件

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024088181A1 (zh) * 2022-10-26 2024-05-02 Tcl科技集团股份有限公司 发光器件及其制备方法及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN112289938B (zh) 2022-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8093109B2 (en) Method for forming semiconductor thin film and method for manufacturing electronic device
CN106601925B (zh) 一种量子点发光层、量子点发光二极管及其制备方法
US9425411B2 (en) Organic electroluminescent element
US7504049B2 (en) Electrode device for organic device, electronic device having electrode device for organic device, and method of forming electrode device for organic device
JP4487010B2 (ja) 有機発光デバイスの製造方法
US8222077B2 (en) Metal-insulator-metal (MIM) devices and their methods of fabrication
EP2080227A2 (en) Metal-insulator-metal (mim) devices and their methods of fabrication
US6949403B2 (en) Non-vacuum methods for the fabrication of organic semiconductor devices
CN110998891B (zh) 量子点发光二极管、显示装置和制造量子点发光二极管的方法
CN112289938B (zh) 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN109216567B (zh) 复合发光层、qled器件及其制备方法
CN112289937B (zh) 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN112289960B (zh) 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN112310290B (zh) 一种量子点发光二极管及其制备方法
US8610113B2 (en) Material for a hole transport layer with p-dopant
CN112310289A (zh) 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN112310291A (zh) 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN112289936B (zh) 一种量子点发光二极管及其制备方法
WO2006093193A1 (ja) 金属パターン及び有機電子デバイスとその製造方法
CN111886303A (zh) 半氧化溶胶-凝胶印刷方法及相应的油墨制剂
WO2023062839A1 (ja) 発光素子
WO2023062840A1 (ja) 発光素子
US20240090251A1 (en) Light-emitting element
WO2023062838A1 (ja) 発光素子、インク、表示装置および発光素子の製造方法
CN117356178A (zh) 组合物和使用了其的电子器件的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: 516006 TCL science and technology building, No. 17, Huifeng Third Road, Zhongkai high tech Zone, Huizhou City, Guangdong Province

Applicant after: TCL Technology Group Co.,Ltd.

Address before: 516006 Guangdong province Huizhou Zhongkai hi tech Development Zone No. nineteen District

Applicant before: TCL Corp.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant