CN112233961A - 基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种基板处理装置，更详细地涉及一种在具备RPS(远程等离子体源，Remote Plasma Source)的基板处理装置中能够缓解等离子体引起的温度上升并防止温度上升引起的损伤及破损的基板处理装置。基板处理装置具备：腔室，对基板执行处理工艺；气体供应部，朝向所述基板供应气体或等离子体；等离子体产生部，设置于所述腔室的棚顶上表面并产生等离子体；气体供应管，与所述等离子体产生部连接并将所述等离子体向所述气体供应部供应；以及第一滑动引导部，将所述等离子体产生部以能够相对移动的方式连接于所述腔室。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置，更详细地涉及一种在具备RPS(远程等离子体源，Remote Plasma Source)的基板处理装置中能够缓解等离子体引起的温度上升并防止温度上升引起的损伤及破损的基板处理装置。
背景技术
一般来说，基板处理装置在内部收纳基板，朝向基板供应各种气体而能够执行蒸镀、蚀刻或者清洁的工艺。在此情况下，为了更有效地进行工艺，可以供应等离子体。
图1是示出以往技术的基板处理装置10的侧截面图，图2是示出图1中位于腔室100的棚顶110上表面的等离子体产生部400和气体供应管410的图。
如图1以及图2所示，在腔室100的内侧下方设置支承基板W的基板支承部300，设置成基板支承部300通过支承杆310能够上下移动。
另一方面，在腔室100的内侧上方设置朝向基板W供应各种工艺气体或等离子体的气体供应部200，通过气体连接部210与在腔室100的棚顶110上表面设置的等离子体产生部400连接。
等离子体产生部400例如可以由RPS(远程等离子体源，Remote Plasma Source)构成。在此情况下，前述的气体供应管410可以由波导管(waveguide)构成，并可以由陶瓷等材质构成。
另外，气体供应管410通过第一结合部412和第二结合部414连接等离子体产生部400和气体连接部210之间。此时，第一结合部412和第二结合部414可以由铝等金属材质制造。
在前述的结构中，为了清洁腔室100内部，可以通过等离子体产生部400向腔室100内部供应等离子体。在此情况下，当从等离子体产生部400向气体供应管410供应等离子体时，气体供应管410的温度会上升。这是因为，当清洁气体变换为自由基(radical)时温度上升。另外，为了缩减腔室100内部的清洁工艺所需的时间，需要提高被供应的等离子体密度，然而若为了使等离子体密度上升，提高向等离子体产生部400供应的施加电压，则气体供应管410的温度会上升。
如前面所述，若气体供应管410的温度上升，则前述的第一结合部412以及第二结合部414的温度也会上升。在此情况下，气体供应管410与第一结合部412以及第二结合部414的材质不同，因此热膨胀系数会不同。即，气体供应管410与第一结合部412以及第二结合部414在热膨胀时膨胀程度会彼此不同。
在此情况下，与陶瓷材质的气体供应管410相比，金属材质的第一结合部412以及第二结合部414的膨胀程度会相对更大。
因此，若如以往技术那样，等离子体产生部400在腔室100的棚顶110上表面上的位置固定而等离子体产生部400和气体连接部210之间的距离固定成恒定，则在第一结合部412以及第二结合部414的膨胀下，气体供应管410在两端部受力而可能诱发变形及损伤。
尤其，在第一结合部412以及第二结合部414的内侧，为了防止气体泄露而设置O型环(O-ring)等，然而若气体供应管410与第一结合部412以及第二结合部414的膨胀及收缩重复，则可能诱发所述O型环的损伤。如此，若在构成要件产生损伤或破损，则增加构成要件更换带来的基板处理装置10的停止运行时间(downtime)，使设备可靠性降低。
进而，最近，随着显示器逐渐大型化的趋势，基板被大型化及大面积化，由此基板处理装置的尺寸、体积等逐渐变大。如此，若基板处理装置的尺寸及体积等变大，则前述的等离子体产生部的数量会增加，由此前述的基板处理装置的损伤、破损带来的停止运行时间增加可能更成问题。
发明内容
本发明为了解决如上问题，其目的在于提供当在具备RPS的基板处理装置中供应等离子体时能够防止热膨胀引起的构成部件的损伤及破损的基板处理装置。
尤其，本发明的目的在于提供当在处理大面积基板等的基板处理装置中通过RPS供应等离子体时能够防止停止运行时间增加并防止损伤及破损的基板处理装置。
如上述那样的本发明的目的通过一种基板处理装置实现，该基板处理装置具备：腔室，对基板执行处理工艺；气体供应部，朝向所述基板供应气体或等离子体；等离子体产生部，设置于所述腔室的棚顶上表面并产生等离子体；气体供应管，与所述等离子体产生部连接并将所述等离子体向所述气体供应部供应；以及第一滑动引导部，将所述等离子体产生部以能够相对移动的方式连接于所述腔室。
在此情况下，可以是，所述第一滑动引导部具备：第一导杆，引导所述等离子体产生部的移动；以及第一弹性部，沿着所述第一导杆向所述等离子体产生部提供弹力。
另外，可以是，所述基板处理装置还具备：等离子体供应管，连接所述等离子体产生部和所述气体供应管；以及冷却部，冷却所述等离子体供应管。
进而，可以是，所述基板处理装置还具备：第二滑动引导部，将所述冷却部以能够相对移动的方式连接于所述腔室。
在此情况下，可以是，所述第二滑动引导部具备：第二导杆，引导所述冷却部的移动；以及第二弹性部，沿着所述第二导杆向所述冷却部提供弹力。
另一方面，可以是，所述冷却部通过绝缘部与所述第二滑动引导部绝缘。
根据具有前述结构的本发明，当在具备RPS的基板处理装置中供应等离子体时，能够防止输送等离子体的气体供应管因热膨胀而损伤及破损。
尤其，根据本发明，当在处理大面积基板等的基板处理装置中通过RPS供应等离子体时，能够防止停止运行时间增加并防止损伤及破损。
附图说明
图1是以往技术的基板处理装置的侧视图，
图2是示出图1中腔室上方的等离子体产生部和气体供应管的局部放大图，
图3是本发明的一实施例的基板处理装置的侧视图，
图4是示出图3中腔室上方的等离子体产生部和气体供应管的局部放大图，
图5是示出本发明的另一实施例的基板处理装置中腔室上方的等离子体产生部、冷却部和气体供应管的局部放大图，
图6是示出本发明的又另一实施例的基板处理装置中腔室上方的等离子体产生部和气体供应管的局部放大图，
图7是示出本发明的又另一实施例的基板处理装置中腔室上方的等离子体产生部和气体供应管的局部放大图。
(附图标记说明)
100：腔室；110：棚顶；120：处理空间；200：气体供应部；210：气体连接部；300：基板支承部；310：支承杆；400：等离子体产生部；410：气体供应管；500：第一滑动引导部；600：冷却部；630：绝缘部；700：第二滑动引导部；1000：基板处理装置。
具体实施方式
以下，参照附图，详细观察本发明的实施例的基板处理装置。
图3是本发明的一实施例的基板处理装置1000的侧视图，图4是示出图3中腔室100的棚顶110上方的等离子体产生部400和气体供应管410的局部放大图。
参照图3以及图4，所述基板处理装置1000可以具备：腔室100，对基板W执行处理工艺；气体供应部200，朝向所述基板W供应气体或等离子体；等离子体产生部400，设于所述腔室100外部的上表面并产生等离子体；气体供应管410，与所述等离子体产生部400连接并向所述气体供应部200供应所述等离子体；以及第一滑动引导部500，将所述等离子体产生部400以能够相对移动的方式连接于所述腔室100。
所述腔室100在内部提供将基板W收纳并处理的处理空间120。在所述腔室100的内侧下方可以设置支承所述基板W的基板支承部300。在此情况下，所述基板支承部300可以以通过支承杆310能够上下移动的方式设置。
另一方面，在所述腔室100的内侧上方可以设置对所述基板W提供工艺气体或等离子体的气体供应部200。所述气体供应部200例如可以以喷头(showerhead)形式提供。
所述气体供应部200例如可以供应用于蒸镀的蒸镀用气体、用于蚀刻的蚀刻用气体或者用于清洁的清洁用气体等。另外，所述气体供应部200也可以在进行所述腔室100的内部清洁等时供应等离子体。
在此情况下，所述气体供应部200可以与贯通所述腔室100上表面的贯通的气体连接部210连接，并通过所述气体连接部210供应前述的工艺气体和等离子体。
当通过所述气体供应部200供应等离子体时，可以具备设置于所述腔室100外部的上表面并产生等离子体的等离子体产生部400、以及与所述等离子体产生部400连接而将所述等离子体向所述气体供应部200供应的气体供应管410。
所述等离子体产生部400例如可以由RPS(远程等离子体源，Remote PlasmaSource)构成。所述等离子体产生部400可以将清洁气体等转换为等离子体并通过所述气体供应管410向所述气体供应部200供应等离子体。通过所述气体供应部200向所述腔室100内部供应等离子体，从而能够更有效地执行所述腔室100内部的清洁。
另一方面，前述的气体供应管410的一端部连接于所述等离子体产生部400，另一端部连接于所述气体连接部210。
在此情况下，所述气体供应管410可以由波导管(waveguide)构成，并可以由陶瓷等材质构成。
由于通过所述气体供应管410供应等离子体，为了防止气体泄露等，所述气体供应管410的一端部通过第一结合部412与所述等离子体产生部400连接，所述气体供应管410的另一端部通过第二结合部414与所述气体连接部210连接。所述第一结合部412和第二结合部414可以由铝等金属材质制造。
另一方面，当从所述等离子体产生部400向所述气体供应管410供应等离子体时，所述气体供应管410的温度会上升。这是因为，当清洁气体变换为自由基(radical)时温度上升。
另外，为了缩减所述腔室100内部的清洁工艺所需的时间，需要提高被供应的等离子体密度。在此情况下，若为了使所述等离子体密度上升，提高向所述等离子体产生部400供应的施加电压，则所述气体供应管410的温度会上升。即，所述等离子体密度和所述气体供应管410的温度会成为比例关系。
另一方面，若如前面所述那样所述气体供应管410的温度上升，则前述的第一结合部412以及第二结合部414的温度也会上升。
在此情况下，所述气体供应管410与第一结合部412以及第二结合部414的材质不同，因此热膨胀系数不同。即，所述气体供应管410与第一结合部412以及第二结合部414在热膨胀时膨胀程度会彼此不同。在此情况下，与陶瓷材质的所述气体供应管410相比，金属材质的第一结合部412以及第二结合部414的膨胀程度会相对更大。
因此，若以往技术那样，所述等离子体产生部400在所述腔室100的棚顶110上表面位置固定而所述等离子体产生部400和所述气体连接部210之间的距离恒定，则在所述第一结合部412以及第二结合部414的膨胀下，所述气体供应管410在两端部受力而可能诱发变形及损伤。
尤其，在所述第一结合部412以及第二结合部414的内侧，为了防止气体泄露而设置O型环(O-ring)等，然而若所述气体供应管410与第一结合部412以及第二结合部414的膨胀及收缩重复，则可能诱发所述O型环的损伤。如此，若在构成要件产生损伤或破损，则增加构成要件更换带来的基板处理装置1000的停止运行时间(downtime)，使设备可靠性降低。
进而，最近，随着显示器逐渐大型化的趋势，基板被大型化及大面积化，由此基板处理装置的尺寸、体积等逐渐变大。如此，若基板处理装置的尺寸及体积等变大，则前述的等离子体产生部400的数量会增加，由此前述的基板处理装置的损伤、破损带来的停止运行时间增加可能更成问题。
在本发明的基板处理装置1000中，为了解决前述的问题，具备将所述等离子体产生部400以能够相对移动的方式连接于所述腔室100的第一滑动引导部500。
所述等离子体产生部400不固定于所述腔室100的上表面，通过所述第一滑动引导部500以能够相对滑动的方式配置于所述腔室100的上表面。因此，当所述气体供应管410与第一结合部412以及第二结合部414热膨胀时，所述等离子体产生部400在所述腔室100上表面滑动而能够防止装置的损伤及破损。
所述第一滑动引导部500可以具备：第一导杆510，引导所述等离子体产生部400的移动；以及第一弹性部514A、514B，沿着所述第一导杆510向所述等离子体产生部400提供弹力。
例如，可以是，在所述腔室100的外部上表面固定第一底盘518，在所述第一底盘518隔开预先确定的距离来配置第1-1固定部516A和第1-2固定部516B。
在所述第1-1固定部516A和第1-2固定部516B之间可以设置前述的第一导杆510。在此情况下，所述第一弹性部514A、514B可以沿着所述第一导杆510配置。
另一方面，可以是，所述等离子体产生部400固定于第一支承盘519的上表面，在所述第一支承盘519的下表面设置供所述第一导杆510贯通的第一连杆512A、512B。
如图4所示，当设置第1-1连杆512A和第1-2连杆512B时，前述的第一弹性部514A、514B也可以设置一对。例如，可以是，第1-1弹性部514A配置于所述第1-1连杆512A和所述第1-1固定部516A之间，第1-2弹性部514B配置于所述第1-2连杆512B和所述第1-2固定部516B之间。
在此情况下，前述的第1-1弹性部514A和第1-2弹性部514B会向所述等离子体产生部400施加弹力，具体地所述第1-1弹性部514A和第1-2弹性部514B会向所述第1-1连杆512A和第1-2连杆512B分别施加弹力。
例如，若从所述等离子体产生部400供应等离子体而所述气体供应管410与第一结合部412以及第二结合部414热膨胀，则所述等离子体产生部400会在初始位置沿着通过所述第一连杆512A、512B连接的所述第一导杆510向远离所述气体连接部210的方向移动预定距离。
另外，若通过所述等离子体产生部400供应等离子体的工艺结束，所述气体供应管410与第一结合部412以及第二结合部414冷却而收缩，则所述等离子体产生部400会沿着通过所述第一连杆512A、512B连接的所述第一导杆510向朝所述气体连接部210靠近的方向移动到初始位置。
在此情况下，所述弹力的方向会朝向所述气体供应管410与第一结合部412以及第二结合部414冷却而收缩的方向施加弹力。即，所述第1-1弹性部514A和第1-2弹性部514B会朝向所述气体连接部210将弹力施加于所述等离子体产生部400。在此情况下，所述第1-1弹性部514A能够向所述第1-1连杆512A施加拉伸弹力，所述第1-2弹性部514B能够向所述第1-2连杆512B施加压缩弹力。
因此，若从所述等离子体产生部400供应等离子体而所述气体供应管410与第一结合部412以及第二结合部414热膨胀，则克服所述第一弹性部514A、514B的弹力，所述等离子体产生部400会在所述气体供应管410与第一结合部412以及第二结合部414的热膨胀力下从初始位置滑移。
另一方面，若通过所述等离子体产生部400供应等离子体的工艺结束，所述气体供应管410与第一结合部412以及第二结合部414冷却而收缩，则所述等离子体产生部400会滑动而朝向所述气体连接部210移动到初始位置。此时，所述等离子体产生部400通过所述第一弹性部514A、514B的弹力得到辅助而能够更顺畅地滑移。
另一方面，图5是示出本发明的另一实施例的基板处理装置中腔室100上方的等离子体产生部400、冷却部600和气体供应管410的局部放大图。在图5中，对与前述的实施例相同的构成要件使用相同的附图标记。
参照图5，本实施例的基板处理装置可以还具备：等离子体供应管610，连接所述等离子体产生部400和所述气体供应管410；以及冷却部600，冷却所述等离子体供应管610。
如前面所述，当提高向所述腔室100供应的等离子体的密度时，所述气体供应管410的温度会上升。为了防止所述气体供应管410的温度上升到预先设定的临界温度以上，设置前述的冷却部600。
例如，所述冷却部600在内部具备供热交换流体流动的冷却流路(未图示)，通过所述热交换流体的热交换来降低温度。在此情况下，为了提高所述热交换流体的热交换效率，具备所述冷却部600的前述的等离子体供应管610可以由如铝等那样导热性高的金属材质制造。
在此情况下，所述等离子体供应管610在一端部通过第三结合部614与前述的气体供应管410的第一结合部412连接。另外，所述等离子体供应管610的另一端部通过第四结合部612与所述等离子体产生部400连接。为了防止气体泄露，所述第三结合部614和第四结合部612可以由金属等材质制造，可以在内部具备O型环等泄露防止构件。
所述等离子体供应管610可以贯通所述冷却部600来配置，通过第一连接部620和第二连接部622在所述等离子体供应管610固定所述冷却部600的位置，在所述冷却部600内部持续保持冷却流路和所述等离子体供应管610的接触，从而能够提高热交换效率。
在所述等离子体产生部400生成的等离子体经由所述等离子体供应管610以及所述气体供应管410向所述气体供应部200供应。另外，在所述冷却部600的内侧，通过热交换流体会冷却所述等离子体供应管610的温度。
另一方面，在通过所述冷却部600冷却所述等离子体供应管610的情况下，所述等离子体供应管610以及气体供应管410也可能会通过热膨胀而膨胀。在此情况下，所述等离子体供应管610以及气体供应管410的材质不同，因此热膨胀系数会彼此不同。与前述的实施例相比，还包括金属材质的等离子体供应管610，因此热膨胀引起的变形程度更严重。
因此，若所述等离子体产生部400和所述冷却部600在所述腔室100的上表面上位置固定，则在所述等离子体供应管610、所述第一结合部412至第四结合部612的膨胀下，所述气体供应管410在两端部受力而可能诱发变形及损伤。尤其，在所述第一结合部412至第四结合部612的内侧，为了防止气体泄露而包括O型环(O-ring)等，然而若所述气体供应管410、等离子体供应管610、第一结合部412至第四结合部612的膨胀及收缩重复，则可能诱发所述O型环的损伤。
因此，在本实施例的情况下，可以具备：第一滑动引导部500，将所述等离子体产生部400以能够相对移动的方式连接于所述腔室100；以及第二滑动引导部700，将所述冷却部600以能够相对移动的方式连接于所述腔室100。
针对所述第一滑动引导部500的说明与前述的图4的说明相同，因此省略重复性说明。
另一方面，所述第二滑动引导部700可以具备：第二导杆710，引导所述冷却部600的移动；以及第二弹性部714A、714B，沿着所述第二导杆710向所述冷却部600提供弹力。
例如，可以是，在所述腔室100的外部上表面固定第二底盘718，在所述第二底盘718隔开预先确定的距离配置一对第2-1固定部716A和第2-2固定部716B。
在所述第2-1固定部716A和第2-2固定部716B之间可以设置前述的第二导杆710。在此情况下，所述第二弹性部714A、714B可以沿着所述第二导杆710配置。
另一方面，可以是，所述冷却部600固定于第二支承盘719的上表面，在所述第二支承盘719的下表面设置供所述第二导杆710贯通的第二连杆712A、712B。
如图5所示，在具备第2-1连杆712A和第2-2连杆712B时，前述的第二弹性部714A、714B也可以具备一对。例如，可以是，第2-1弹性部714A配置于所述第2-1连杆712A和所述第2-1固定部716A之间，第2-2弹性部714B配置于所述第2-2连杆712B和所述第2-2固定部716B之间。
在此情况下，前述的第2-1弹性部714A和第2-2弹性部714B向所述冷却部600施加弹力，具体地所述第二弹性部714A、714B会向所述第2-1连杆712A和第2-2连杆712B分别施加弹力。在此情况下，所述弹力的方向会朝向所述等离子体供应管610以及气体供应管410冷却而收缩的方向施加弹力。
即，所述第2-1弹性部714A和第2-2弹性部714B会朝所述气体连接部210向所述冷却部600施加弹力。在此情况下，所述第2-1弹性部714A能够向所述第2-1连杆712A施加拉伸弹力，所述第2-2弹性部714B能够向所述第2-2连杆712B施加压缩弹力。
因此，在所述第二滑动引导部700具有前述结构的情况下，若所述等离子体供应管610热膨胀，则所述冷却部600会沿着通过所述第二连杆712A、712B连接的所述第二导杆710从初始位置向远离所述气体连接部210的方向移动预定距离。在此情况下，克服所述第二弹性部714A、714B的弹力，所述冷却部600会在所述等离子体供应管610的热膨胀力下滑移。
另一方面，若所述等离子体供应管610冷却而收缩，则所述冷却部600会沿着通过所述第二连杆712A、712B连接的所述第二导杆710朝向所述气体连接部210移动到初始位置。此时，所述冷却部600通过所述第二弹性部714A、714B的弹力得到辅助而能够更顺畅地滑移。
另一方面，图6是示出本发明的又另一实施例的基板处理装置中腔室100上方的等离子体产生部400、冷却部600和气体供应管410的局部放大图。在图6中，对与前述的实施例相同的构成要件使用相同的附图标记。
当所述等离子体产生部400驱动时，在所述等离子体产生部400的内侧激发等离子体而生成火花状的等离子体炬(plasma torch)。然而，所述等离子体炬具有朝向接地部激发的性质。
另一方面，前述的冷却部600在配置于所述腔室100的棚顶110上表面的所述第二滑动引导部700设置，所述棚顶110与腔室100一起接地。因此，所述冷却部600也处于与所述第二滑动引导部700一起接地的状态。在此情况下，在所述等离子体产生部400的内部生成的等离子体炬可以朝向接地的冷却部600激发并延伸。若所述等离子体炬朝向所述冷却部600激发，则所述等离子体炬向所述等离子体供应管610的内部延伸，将所述等离子体供应管610加热而使温度急剧上升。
在本实施例的情况下，为了解决前述的问题，可以具备使所述冷却部600与所述棚顶110绝缘的结构。例如，所述冷却部600可以具备绝缘部630。
所述绝缘部630可以配置于使所述冷却部600绝缘的适当位置。例如，所述绝缘部630可以配置于所述冷却部600和所述第二滑动引导部700之间而使所述冷却部600和所述第二滑动引导部700绝缘。
在此情况下，所述绝缘部630由绝缘材质制造而设置于所述第二底盘718的上表面，在所述绝缘部630的上表面配置所述冷却部600。
因此，所述冷却部600与接地的所述第二滑动引导部700绝缘，在所述等离子体产生部400的内侧生成的等离子体炬不会朝向所述冷却部600激发。
另一方面，如前面所述，前述的气体供应管410和等离子体供应管610的温度会与所述气体供应管410和等离子体供应管610内部的等离子体密度成比例。
因此，若降低所述气体供应管410和等离子体供应管610内部的等离子体密度，则同样也会能够降低所述气体供应管410和等离子体供应管610的温度。
图7是示出本发明的又另一实施例的基板处理装置中腔室100上方的等离子体产生部400、冷却部600和气体供应管410的局部放大图。在图7中，对与前述的实施例相同的构成要件使用了相同的附图标记。
参照图7，在本实施例的情况下，为了降低所述气体供应管410'和等离子体供应管610'内部的等离子体密度，可以制造成所述气体供应管410'和等离子体供应管610'的截面面积与以往相比更大。
例如，所述气体供应管410'和等离子体供应管610'可以以内部直径朝向所述气体连接部210逐渐变大的扩管形式提供。
在此情况下，所述气体供应管410'和等离子体供应管610'以扩管形式提供而使内部截面面积与以往相比大，从而降低等离子体密度来能够降低温度。
在所述气体供应管410和等离子体供应管610提供为内部直径与以往技术相比更大的情况下，会降低所述气体供应管410和等离子体供应管610内部的等离子体密度，能够降低所述气体供应管410和等离子体供应管610的温度。
以上，参照本发明的优选实施例进行了说明，但是本技术领域的技术人员能够在不脱离所附权利要求书中记载的本发明的构思及领域的范围内对本发明实施各种修改及变更。因而，变形的实施若基本包括本发明的权利要求书的构成要件，则应视为都包含在本发明的技术范畴中。

Claims (6)

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
腔室，对基板执行处理工艺；
气体供应部，朝向所述基板供应气体或等离子体；
等离子体产生部，设置于所述腔室的棚顶上表面并产生等离子体；
气体供应管，与所述等离子体产生部连接并将所述等离子体向所述气体供应部供应；以及
第一滑动引导部，将所述等离子体产生部以能够相对移动的方式连接于所述腔室。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第一滑动引导部具备：第一导杆，引导所述等离子体产生部的移动；以及第一弹性部，沿着所述第一导杆向所述等离子体产生部提供弹力。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板处理装置还具备：等离子体供应管，连接所述等离子体产生部和所述气体供应管；以及冷却部，冷却所述等离子体供应管。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板处理装置还具备：第二滑动引导部，将所述冷却部以能够相对移动的方式连接于所述腔室。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第二滑动引导部具备：第二导杆，引导所述冷却部的移动；以及第二弹性部，沿着所述第二导杆向所述冷却部提供弹力。
6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
所述冷却部通过绝缘部与所述第二滑动引导部绝缘。
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