CN112187180B - 集成电路装置、振荡器、电子设备以及移动体 - Google Patents

集成电路装置、振荡器、电子设备以及移动体 Download PDF

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Abstract

提供集成电路装置、振荡器、电子设备以及移动体，能够实现兼顾缓和由来自发热源电路的热带来的不良影响和小面积化。集成电路装置包含：温度传感器；作为发热源的发热源电路；外部连接用的连接盘；以及MIM结构的电容器，该电容器的一个电极与外部连接用的连接盘电连接。而且，在与形成有电路元件的基板垂直的俯视时，MIM结构的电容器和温度传感器重叠。

Description

集成电路装置、振荡器、电子设备以及移动体
技术领域
本发明涉及集成电路装置、振荡器、电子设备以及移动体等。
背景技术
作为搭载有温度传感器的集成电路装置的现有技术，存在专利文献1所公开的技术。在专利文献1中，通过在俯视时重叠配置与作为发热源电路的输出电路连接的布线和温度传感器，来准确地检测输出电路附近的温度，实现输出频率的稳定化。
专利文献1：日本特开2016-134888号公报
在专利文献1那样的具有温度传感器和发热源电路的集成电路装置中，优选来自发热源电路的热对温度传感器的影响不会过大。另外，为了实现搭载集成电路装置的设备的小型化、低成本化，要求集成电路装置的小面积化。
发明内容
本公开的一个方式涉及一种集成电路装置，其包含：温度传感器；作为发热源的发热源电路；外部连接用的连接盘；以及MIM结构的电容器，该电容器的一个电极与所述外部连接用的连接盘电连接，在与形成有电路元件的基板垂直的俯视时，所述MIM结构的电容器和所述温度传感器重叠。
附图说明
图1是集成电路装置的配置例。
图2是集成电路装置的剖面结构的例子。
图3是集成电路装置的详细的第1配置例。
图4是第1配置例中的集成电路装置的剖面结构的例子。
图5是集成电路装置的剖面结构的另一例。
图6是集成电路装置的剖面结构的另一例。
图7是集成电路装置的剖面结构的另一例。
图8是集成电路装置的详细的第2配置例。
图9是第2配置例中的集成电路装置的剖面结构的例子。
图10是第2配置例中的集成电路装置的剖面结构的另一例。
图11是温度传感器、发热源电路的布局配置例。
图12是温度传感器、发热源电路的布局配置例。
图13是集成电路装置以及振荡器的结构例。
图14是集成电路装置的布局配置例。
图15是温度传感器的第1结构例。
图16是温度传感器的第2结构例。
图17是输出电路的结构例。
图18是调节器的结构例。
图19是基准电压生成电路的结构例。
图20是振荡器的第1结构例。
图21是振荡器的第2结构例。
图22是电子设备的结构例。
图23是移动体的结构例。
标号说明
CMIM：MIM结构的电容器；PDE：外部连接用的连接盘；LE：连接线；SD1、SD2、SD3、SD4：边；DR1、DR2、DR3、DR4：方向；AL1、AL2、AL3：金属层；ALM：MIM金属层；PSB：基板；EL1、EL2：电极；PG1～PG9：插头；PGND：地连接盘；PVDD：电源连接盘；LGND：地线；LVDD：电源线；VDD：电源电压；VREG：调节电压；VREF：基准电压；PWL、NWL：阱；CMA、CMB：MIM结构的电容器；EL1A、EL1B、EL2A、EL2B：电极；CN1、CN2：角部；PD1、PD2、PD3、PD4、PD5、PD6：连接盘；L1、L2：连接布线；TE3、TE4、TE5：外部端子；OSC：振荡信号；CK、CKX：时钟信号；LGND1、LGND2：地线；LVDD1、LVDD2：电源线；IST、IST1、IST2：电流源；BPT、BPT1、BPT2：双极晶体管；RT1、RT2、RT3、RT4：电阻；RA1、RA2、RA3：电阻；OPA：运算放大器；CA：电容器；TA1：晶体管；BP1、BP2、BP3：双极晶体管；RD1、RD2、RD3：电阻；TD1、TD2、TD3：晶体管；4：振荡器；5：封装；6：基座；7：盖；8、9：外部端子；10：振子；12：电路部件；14：振荡器；15：封装；16：基座；17：盖；18、19：外部端子；20、21：集成电路装置；22：温度传感器；24：发热源电路；30：振荡电路；40：输出电路；42：缓冲电路；43：波形整形电路；44：分频器；45：电平移位器&预驱动器；46：输出驱动器；50：控制电路；60：温度补偿电路；80：电源电路；81：调节器；90：基准电压生成电路；206：汽车；207：车体；208：控制装置；209：车轮；220：处理装置；500：电子设备；510：通信接口；520：处理装置；530：操作界面；540：显示部；550：存储器。
具体实施方式
以下，对本实施方式进行说明。另外，以下说明的本实施方式并非不合理地限定权利要求书所记载的内容。另外，在本实施方式中说明的结构并不全部都是必需的构成要件。
1.集成电路装置
图1示出本实施方式的集成电路装置20的配置例。本实施方式的集成电路装置20包含温度传感器22、发热源电路24、外部连接用的连接盘PDE、以及MIM(Metal-Insulator-Metal：金属-绝缘体-金属)结构的电容器CMIM。
集成电路装置20具有边SD1、SD2、SD3、SD4。边SD1、SD2、SD3、SD4分别是第1边、第2边、第3边、第4边。边SD1、SD2、SD3、SD4与作为集成电路装置20的矩形的半导体芯片的边对应。例如，边SD1、SD2、SD3、SD4是半导体芯片的基板的边。半导体芯片也被称为硅片。边SD2是与边SD1交叉的边。这里，交叉例如是指垂直。边SD3是边SD1的对边。边SD4是边SD2的对边。边SD1和边SD3与边SD2和边SD4交叉。这里，设从边SD1朝向边SD3的方向为DR1，从边SD2朝向边SD4的方向为DR2。另外，设方向DR1的相反方向为方向DR3，方向DR2的相反方向为方向DR4。方向DR1、DR2、DR3、DR4分别是第1方向、第2方向、第3方向、第4方向。
温度传感器22是检测温度的传感器电路。具体而言，如后述图15、图16中说明的那样，温度传感器22将根据环境温度而变化的温度依赖电压作为温度检测电压VTMP输出。例如，温度传感器22利用具有温度依赖性的电路元件来生成温度检测电压VTMP。具体而言，温度传感器22通过使用PN结的正向电压所具有的温度依赖性，输出电压值依赖于温度而变化的温度检测电压VTMP。作为PN结的正向电压，例如可以使用双极晶体管的基极-发射极间电压等。
发热源电路24是成为发热源的电路，是通过电路动作产生热的电路。发热源电路24是集成电路装置20所具有的多个电路块中的、成为主要的发热源的电路，例如是发热量最大的电路、发热量仅次于该电路的电路等。
外部连接用的连接盘PDE是用于与集成电路装置20的外部设备、外部布线电连接的连接盘。连接盘是集成电路装置20的端子。例如，在连接盘区域中，从作为绝缘层的钝化膜露出金属层，例如，通过该露出的金属层构成连接盘。
MIM结构的电容器CMIM是由两个金属电极夹着绝缘层的结构的电容器。MIM结构的电容器CMIM是能够以小的面积得到大的电容的薄膜的电容器，能够实现高的电容密度。在图1中，MIM结构的电容器CMIM的一个电极与外部连接用的连接盘PDE电连接。具体而言，电容器CMIM和外部连接用的连接盘PDE经由连接线LE电连接。在外部连接用的连接盘PDE是地连接盘的情况下，连接线LE是地线，在外部连接用的连接盘PDE是电源连接盘的情况下，连接线LE是电源线。
并且，在本实施方式中，如图1所示，在与形成有电路元件的基板垂直的俯视时，MIM结构的电容器CMIM与温度传感器22重叠。形成有电路元件的基板是集成电路装置20的基板，例如是半导体基板。
晶体管等有源元件、电阻、电容器等无源元件作为电路元件形成于集成电路装置20的基板。在以与该集成电路装置20的基板垂直的方向为视线方向的俯视时，MIM结构的电容器CMIM以与温度传感器22重叠的方式配置。例如，MIM结构的电容器CMIM配置成至少一部分与温度传感器22重叠。例如以电容器CMIM的整体面积的至少一半以上与温度传感器22重叠的方式配置。与基板垂直的方向即俯视的方向是与方向DR1以及方向DR2垂直的方向。
图2示出集成电路装置20的剖面结构例。金属层AL1是金属层AL2的上层的金属层。金属层AL3是金属层AL2的上层的金属层，也称为用于形成连接盘或连接盘布线的连接盘金属层。金属层AL1例如隔着绝缘层形成在P型的基板PSB的上方，金属层AL2隔着绝缘层形成在金属层AL1的上方，金属层AL3隔着绝缘层形成在金属层AL2的上方。在此，上方是从基板PSB朝向基板PSB上的电路元件的方向。金属层AL1、AL2、AL3例如由铝或铝合金等形成。另外，在本实施方式中，主要以多层的金属层是3层的金属层的情况为例进行说明，但也可以为4层以上的金属层。
由金属层AL3形成的外部连接用的连接盘PDE经由作为介层插头(via plug)的金属插头PG1、PG2与连接线LE电连接。连接线LE例如由最下层的金属层AL1形成。作为介层插头的金属插头PG1、PG2是形成在用于将金属层间电连接的通孔中的插头。
如图2所示，在温度传感器22的上方配置有MIM结构的电容器CMIM。通过这样配置MIM结构的电容器CMIM，如图1所示，在与基板PSB垂直的方向的俯视时，电容器CMIM和温度传感器22重叠配置。另一方面，发热源电路24在与基板PSB平行的方向上配置在离开温度传感器22的位置。例如在电容器CMIM的下方配置温度传感器22，但发热源电路24配置在与电容器CMIM的下方不同的位置。
MIM结构的电容器CMIM由以下部分构成：电极EL1，其由金属层AL1形成；电极EL2，其由MIM金属层ALM形成；以及绝缘层，其设置在这些电极EL1和电极EL2之间。电极EL1是电容器CMIM的一个电极，电极EL2是电容器CMIM的另一个电极。MIM金属层ALM是为了构成MIM结构的电容器CMIM的电极而在两个金属层AL1、AL2之间形成的金属层，例如由铝或铝合金等形成。而且，作为电容器CMIM的一个电极的电极EL1与外部连接用的连接盘PDE电连接。另一方面，如后所述，对电容器CMIM的另一个电极即电极EL2供给电源电压VDD、调节电压VREG、基准电压VREF或温度传感器22的温度检测电压VTMP等。例如VDD、VREG、VREF或VTMP的电压被提供给由金属层AL2形成的布线，该布线经由金属插头PG3、PG4与电容器CMIM的电极EL2电连接，由此该电压被提供给电极EL2。
图3示出集成电路装置20的详细的第1配置例，图4示出第1配置例中的集成电路装置20的剖面结构例。在图3、图4中，作为外部连接用的连接盘PDE而设置有地连接盘PGND。然后，来自地连接盘PGND的地电压经由地线LGND提供给MIM结构的电容器CMIM的一个电极EL1。例如，来自地连接盘PGND的地电压经由金属插头PG1、PG2、地线LGND提供给电容器CMIM的一个电极EL1。另外，VDD、VREG、VREF或VTMP的电压经由由金属层AL2形成的布线以及金属插头PG3、PG4供给到电容器CMIM的另一个电极EL2。
另外，在图3、图4中，地线LGND经由作为接触插头的金属插头PG5与基板PSB电连接。作为接触插头的金属插头PG5是形成在用于将金属层与扩散层或基板电连接的接触孔中的插头。例如，在P型的基板PSB上形成P型的阱PWL，在阱PWL上形成作为P型的杂质区域的P+的扩散区域。地线LGND经由金属插头PG5、P+的扩散区域和P型的阱PWL与P型的基板PSB电连接。由此，基板PSB被设定为地电压。
而且，在图3、图4中，向电容器CMIM的一个电极EL1供给地电压，向另一个电极EL2供给VDD、VREG、VREF或VTMP的电压。由此，能够将MIM结构的电容器CMIM用作VDD、VREG、VREF或VTMP的电压的稳定化电容。
另外，如后述的图16所示，温度传感器22能够包含双极晶体管BPT1、BPT2和电阻RT1、RT2、RT3、RT4。在该情况下，如图3、图4所示，MIM结构的电容器CMIM至少与双极晶体管BPT1、BPT2在俯视时重叠。例如，关于电阻RT1、RT2、RT3、RT4，也可以配置成俯视时不与电容器CMIM重叠。例如，当来自发热源电路24的热传递到双极晶体管BPT1、BPT2时，产生温度检测电压VTMP变动等不良影响。关于这一点，如果电容器CMIM和双极晶体管BPT1、BPT2配置成在俯视时重叠，则能够抑制来自发热源电路24的热向双极晶体管BPT1、BPT2的传递，能够抑制热对温度检测电压VTMP的不良影响。另外，在图15的结构的温度传感器22中也是，MIM结构的电容器CMIM至少与双极晶体管BPT在俯视时重叠即可。
图5、图6、图7示出集成电路装置的剖面结构的其他例子。在上述图4中，被供给有地电压的电容器CMIM的一个电极EL1成为由下层的金属层AL1形成的下部电极，被供给有VDD、VREG、VREF或VTMP的电压的另一个电极EL2成为由上层的MIM金属层ALM形成的上部电极。与此相对，在图5中，电容器CMIM的一个电极EL1成为由上层的MIM金属层ALM形成的上部电极，另一个电极EL2成为由下层的金属层AL1形成的下部电极。并且，对作为上部电极的电极EL1供给来自地连接盘PGND的地电压，对作为下部电极的电极EL2供给VDD、VREG、VREF或VTMP的电压。
在图6中，作为电容器CMIM，使用MIM的堆叠结构的电容器。即，电容器CMIM成为下方侧的电容器CMA和上方侧的电容器CMB堆叠的结构。而且，对作为电容器CMA的下部电极的电极EL1A和作为电容器CMB的上部电极的电极EL1B供给来自地连接盘PGND的地电压。例如从地线LGND经由电源插头PG6、PG7、由金属层AL3形成的布线、电源插头PG8、PG9向电容器CMB的电极EL1B供给地电压。另外，对作为电容器CMA的上部电极的电极EL2A和作为电容器CMB的下部电极的电极EL2B供给VDD、VREG、VREF或VTMP的电压。通过使用这样的MIM的堆叠结构，能够以相同的面积得到2倍的电容，能够实现更高的电容密度。
图7是外部连接用的连接盘PDE为电源连接盘PVDD时的剖面结构的例子。来自电源连接盘PVDD的电源电压VDD经由金属插头PG1、PG2提供给电源线LVDD。由此，向MIM结构的电容器CMIM的电极EL1供给电源电压VDD。另一方面，向电容器CMIM的电极EL2供给地电压等。另外，在图7中，在P型的基板PSB上形成有N型的阱NWL，在阱NWL上形成有作为N型的杂质层的N+的扩散层。然后，将来自电源连接盘PVDD的电源电压VDD经由电源线LVDD提供给N+的扩散层，由此将N型的阱NWL的基板电位设定为电源电压VDD。
如上所述，如图1、图2所示，本实施方式的集成电路装置20包含温度传感器22、发热源电路24、外部连接用的连接盘PDE、以及MIM结构的电容器CMIM。而且，在与基板PSB垂直的俯视时，电容器CMIM和温度传感器22重叠。这样，通过将电容器CMIM配置成在俯视时与温度传感器22重叠，能够抑制来自发热源电路24的热传递到温度传感器22。
例如，如果来自发热源电路24的热传递到温度传感器22，则温度检测电压VTMP变动，有可能对集成电路装置20的动作带来不良影响。如果以振荡器用的集成电路装置20为例，则会导致在振荡频率的温度补偿中产生偏移、启动时产生振荡频率的漂移、电源接通后到振荡频率稳定为止需要时间等问题。
关于这一点，在本实施方式中，在俯视时电容器CMIM与温度传感器22重叠，在温度传感器22的上方配置电容器CMIM。因此，能够缓和来自发热源电路24的热传递的不良影响，抑制对集成电路装置20的动作产生不良影响。如果以振荡器用的集成电路装置20为例，则能够缓和温度补偿的偏移或启动时的漂移。
例如，形成金属层的铝的热传导率为250W/mk左右，比硅的热传导率即149W/mk大。另外，如图1、图2所示，电容器CMIM的一个电极EL1与外部连接用的连接盘PDE电连接，连接盘PDE与外部连接，因此连接盘PDE侧的热容量大。因此，来自发热源电路24的热的大部分从电容器CMIM的一个电极EL1经由金属层的连接线LE以及外部连接用的连接盘PDE向较大的热容量的外部散热。由此，能够抑制来自发热源电路24的热传递到温度传感器22，能够缓和温度检测电压VTMP变动而对集成电路装置20的动作产生不良影响。
另外，在集成电路装置20中，为了电压的稳定化、模拟电路的处理，需要很多电容器。在这种情况下，如果使用例如基于多晶硅或栅极电容的电容器，则不能在电容器的形成区域形成晶体管等电路元件，从而因电容器的形成区域而导致集成电路装置20的小面积化变得困难。关于这一点，在本实施方式中，将MIM的电容器CMIM配置在温度传感器22的形成区域。因此，由于能够利用温度传感器22的形成区域来配置电容器CMIM，因此能够抑制因电容器CMIM的形成区域而导致集成电路装置20大规模化。特别是在温度传感器22的电路中，由于不需要那么多层的金属层，因此温度传感器22的上方的区域作为MIM结构的电容器CMIM的形成区域是有利的。
这样，根据本实施方式的集成电路装置20，由于将MIM结构的电容器CMIM配置成在俯视时与温度传感器22重叠，因此能够实现兼顾缓和来自发热源电路24的热所导致的不良影响和集成电路装置20的小面积化。
另外，如图3、图4、图7等所示，在本实施方式中，外部连接用的连接盘PDE是地连接盘PGND或电源连接盘PVDD。例如，在外部连接用的连接盘PDE是地连接盘PGND的情况下，向电容器CMIM的一个电极EL1供给地电压。另外，在外部连接用的连接盘PDE是电源连接盘PVDD的情况下，向电容器CMIM的一个电极EL1供给电源电压VDD。这样，能够有效利用温度传感器22的配置区域，配置向一个电极供给地电压或电源电压VDD的电容器CMIM，能够在抑制面积的大规模化的同时实现集成电路装置20所需的电容器。
另外，如图3、图4等所示，在本实施方式中，外部连接用的连接盘PDE是地连接盘PGND，从地连接盘向MIM结构的电容器CMIM的一个电极EL1供给地电压。然后，向电容器CMIM的另一个电极EL2供给来自电源连接盘PVDD的电源电压VDD、根据电源电压VDD生成的电压、或者温度传感器22的温度检测电压VTMP。在此，根据电源电压VDD生成的电压如后述的图18中说明的那样，是被供给电源电压VDD的调节器81所生成的调节电压VREG。或者，根据电源电压VDD生成的电压如后述的图19中说明的那样，是被供给电源电压VDD的基准电压生成电路90所生成的基准电压VREF。
这样，能够将形成于温度传感器22的配置区域的MIM结构的电容器CMIM用作电源电压VDD、由电源电压VDD生成的电压或温度检测电压VTMP的电位的稳定化用的电容器。例如通过电源电压VDD的电位的稳定化，实现使用了适当的电源电压VDD的集成电路装置20的稳定的电路动作、电路处理性能的提高。另外，通过作为根据电源电压VDD生成的电压的调节电压VREG的电位的稳定化，实现例如将调节电压VREG作为电源电压进行动作的电路的稳定的动作、该电路的高性能化。另外，通过作为根据电源电压VDD生成的电压的基准电压VREF的电位的稳定化，实现使用基准电压VREF进行动作的模拟电路的稳定的动作、该模拟电路的高性能化。另外，通过温度检测电压VTMP的电位的稳定化，实现基于温度检测电压VTMP进行动作的温度补偿电路等模拟电路的高性能化。
另外，如图3、图4等所示，外部连接用的连接盘PDE是地连接盘PGND，MIM结构的电容器CMIM的一个电极EL1经由地线LGND与地连接盘PGND电连接。而且，地线LGND经由金属插头PG5与基板PSB电连接。由此，能够将基板PSB的电位设定为地电压。此外，在俯视时，金属插头PG5配置在温度传感器22和发热源电路24之间。例如，在图3中，包含金属插头PG5的多个金属插头配置在温度传感器22和发热源电路24之间。例如，多个金属插头沿着温度传感器22的长度方向排列配置。这些多个金属插头是用于将基板PSB的电位设定为地电压的接触插头。这样，来自发热源电路24的热经由在温度传感器22和发热源电路24之间排列的多个金属插头传递到地线LGND，并经由地连接盘PGND向外部散热。由此，不仅对于来自温度传感器22的上方向的热，对于在与基板PSB平行的方向传递的热，也能够经由地线LGND以及地连接盘PGND向外部散热，能够缓和来自发热源电路24的热对集成电路装置20的动作带来的不良影响。
2.发热源电路和MIM结构的电容器
以上，说明了将MIM结构的电容器CMIM配置成在俯视时与温度传感器22重叠的情况的例子，但本实施方式并不限定于此。例如在图8、图9中，集成电路装置20包含温度传感器22、发热源电路24、作为地连接盘PGND或电源连接盘PVDD的外部连接用的连接盘PDE、以及MIM结构的电容器CMIM。而且，在与基板PSB垂直的俯视时，MIM结构的电容器CMIM与发热源电路24重叠。即，在图1～图7中，在温度传感器22的配置区域设置有电容器CMIM，但在图8、图9中，在发热源电路24的配置区域设置有MIM结构的电容器CMIM。
这样，来自发热源电路24的热被设置在发热源电路24的配置区域的电容器CMIM隔断，抑制该热向温度传感器22传递。例如，来自发热源电路24的热经由电容器CMIM的电极EL1、作为连接线LE的地线LGND、以及地连接盘PGND向外部散热。由此，能够缓和来自发热源电路24的热对温度传感器22的温度检测结果、集成电路装置20的动作带来的不良影响。
另外，在图8、图9中，电容器CMIM的一个电极EL1经由地线LGND与地连接盘PGND电连接，地线LGND经由金属插头PG5与基板PSB电连接。而且，在俯视时，金属插头PG5配置在温度传感器22和发热源电路24之间。具体而言，如图8所示，包含金属插头PG5的多个金属插头配置在发热源电路24与温度传感器22之间。例如，多个金属插头沿着发热源电路24的长度方向排列配置。这些多个金属插头是用于将基板PSB的电位设定为地电压的接触插头。这样，来自发热源电路24的热经由这些多个金属插头传递到地线LGND，并经由地连接盘PGND向外部散热。由此，不仅对于从发热源电路24向上方向的热，对于在与基板PSB平行的方向传递的热，也能够经由地线LGND以及地连接盘PGND向外部散热，能够缓和来自发热源电路24的热对温度传感器22的温度检测结果、集成电路装置20的动作带来的不良影响。
图10是外部连接用的连接盘PDE为电源连接盘PVDD时的剖面结构的例子。来自电源连接盘PVDD的电源电压VDD经由金属插头PG1、PG2提供给电源线LVDD。由此，向MIM结构的电容器CMIM的电极EL1供给电源电压VDD。另一方面，向电容器CMIM的电极EL2供给地电压等。另外，在图10中，来自电源连接盘PVDD的电源电压VDD经由电源线LVDD被供给到形成于N型的阱NWL的N+的扩散层，由此，N型的阱NWL的基板电位被设定为电源电压VDD。
另外，在电容器CMIM和发热源电路24配置成俯视时重叠的情况下，也能够进行如图5所示那样向作为上部电极的电极EL1供给地电压、或如图6所示那样使用MIM的堆叠结构的电容器等的各种变形实施。
另外，MIM结构的电容器CMIM只要配置成至少一部分与发热源电路24重叠即可，作为一例，只要配置成电容器CMIM的整体面积的至少一半以上与发热源电路24重叠即可。例如，在后述的图17所示的输出电路40是发热源电路24的情况下，只要配置成至少电容器CMIM和输出驱动器46在俯视时重叠即可。
3.布局放置
接着，对温度传感器22、发热源电路24的布局配置进行说明。在图11中，CN1是边SD1和边SD4交叉的角部，CN2是边SD2和边SD3交叉的角部。角部CN1、CN2是相互对置的角部。在这种情况下，在图11中，温度传感器22配置在集成电路装置20的两个边SD1、SD4交叉的角部CN1。例如以温度传感器22的第1边沿着集成电路装置20的边SD1并且温度传感器22的第2边沿着集成电路装置20的边SD4的方式配置温度传感器22。即，以温度传感器22的第1边和第2边交叉的角部的位置成为集成电路装置20的角部CN1的位置的方式配置温度传感器22。例如，在这种情况下，温度传感器22是最接近角部CN1的电路元件。换言之，在俯视时，在CN1与温度传感器22之间没有设置其他电路元件。
如果这样将温度传感器22配置于角部CN1，则能够使配置于集成电路装置20的发热源电路24与温度传感器22的距离远。因此，能够抑制来自发热源电路24的热对温度传感器22的温度检测结果产生不良影响，从而集成电路装置20的电路性能劣化的情况。
另外，在图11中，温度传感器22沿着作为集成电路装置20的第1边的边SD1配置。例如以温度传感器22的第1边沿着集成电路装置20的边SD1的方式配置。另外，在图11中，将温度传感器22配置在角部CN1，但也可以将温度传感器22配置在靠近边SD1的中央部侧的位置。另外，发热源电路24沿着与集成电路装置20的边SD1交叉的作为第2边的边SD2配置。例如，作为发热源电路24的长边的第1边沿着集成电路装置20的边SD2配置。这里，电路沿着集成电路装置20的边配置是指例如以在电路与边之间不存在其他电路的方式配置电路。例如，在距离边规定宽度的区域内配置该电路。另外，在其他电路位于与朝向边的方向相反的方向的情况下，在其他电路与边之间配置该电路。
这样，通过沿着集成电路装置20的边SD1配置温度传感器22，沿着边SD2配置发热源电路24，能够使温度传感器22与发热源电路24的距离远。因此，能够抑制来自发热源电路24的热对温度传感器22的温度检测结果产生不良影响。
另外，如图12所示，优选将温度传感器22配置在集成电路装置20的角部CN1，将发热源电路24配置在集成电路装置20的与角部CN1对置的角部CN2。例如，以发热源电路24的第1边沿着集成电路装置20的边SD2，并且发热源电路24的第2边沿着集成电路装置20的边SD3的方式配置发热源电路24。这样，能够使温度传感器22与发热源电路24的距离最大限度地大，能够更有效地抑制来自发热源电路24的热对温度传感器22的温度检测结果造成不良影响。
4.详细结构例
图13示出集成电路装置20的详细结构例。图13是设置于振荡器4的集成电路装置20的结构例。在图13中，例如输出电路40成为发热源电路24。
另外，例如电源电路80、控制电路50也可以成为发热源电路24。另外，以下，主要以振荡电路用的集成电路装置20为例进行说明，但本实施方式并不限定于此。本实施方式的方法能够应用于陀螺仪传感器用的集成电路装置、时间数字转换用的集成电路装置、液晶面板等显示面板的驱动用的集成电路装置、或者LED等光源电路的驱动用的集成电路装置等内置温度传感器的各种结构的集成电路装置。在陀螺仪传感器用的集成电路装置中，陀螺仪元件的驱动电路、检测电路等成为发热源电路24。在时间数字转换用的集成电路装置中，时间数字转换电路等成为发热源电路24。在显示面板的驱动用的集成电路装置、光源电路的驱动用的集成电路装置中，驱动显示面板、光源电路的驱动电路等成为发热源电路24。另外，在这些集成电路装置具有用于传输差动信号的高速串行接口电路、生成高速的时钟信号的PLL电路等时钟信号生成电路的情况下，这些高速串行接口电路、时钟信号生成电路成为发热源电路24。
如图13所示，集成电路装置20包含温度传感器22、振荡电路30和输出电路40。另外，本实施方式的振荡器4包含振子10和集成电路装置20。振子10与集成电路装置20电连接。例如使用收纳振子10和集成电路装置20的封装的内部布线、接合线或金属凸块等将振子10与集成电路装置20电连接。
振子10是通过电信号产生机械振动的元件。振子10例如能够通过石英振动片等振动片来实现。例如，振子10能够通过切角为AT切或SC切等的进行厚度剪切振动的石英振动片等实现。例如振子10也可以是内置在不具有恒温槽的温度补偿型石英振荡器(TCXO)中的振子，还可以是内置在具有恒温槽的恒温槽型石英振荡器(OCXO)中的振子。另外，本实施方式的振子10例如能够通过厚度剪切振动型以外的振动片、由石英以外的材料形成的压电振动片等各种振动片实现。例如，作为振子10，可以采用SAW(Surface Acoustic Wave：表面声波)谐振器、使用硅基板形成的作为硅制振子的MEMS(Micro Electro MechanicalSystems：微机电系统)振子等。
集成电路装置20是被称为IC(Integrated Circuit：集成电路)的电路装置。例如，集成电路装置20是通过半导体工艺制造的IC，是在半导体基板上形成有电路元件的半导体芯片。
集成电路装置20除了温度传感器22、振荡电路30、输出电路40之外，还可以包含控制电路50、温度补偿电路60、电源电路80、基准电压生成电路90、以及连接盘PD1、PD2、PD3、PD4、PD5。
连接盘PD1与振子10的一端电连接，连接盘PD2与振子10的另一端电连接。例如使用收纳振子10和集成电路装置20的封装的内部布线、接合线或金属凸块等将振子10与集成电路装置20的连接盘PD1、PD2电连接。连接盘PD1是第1连接盘，连接盘PD2是第2连接盘。连接盘PD1、PD2经由信号线L1、L2而与振荡电路30电连接。信号线L1、L2是将连接盘PD1、PD2与振荡电路30连接的布线。
连接盘PD3是被供给电源电压VDD的电源连接盘。例如从外部的电源供给设备向连接盘PD3供给电源电压VDD。连接盘PD4是被供给作为地电压的GND的地连接盘。GND也可以称为VSS，地电压例如是接地电位。在本实施方式中，将“地”适当地记载为GND。连接盘PD5是输出基于振荡电路30的振荡信号OSC生成的时钟信号CK的时钟连接盘。时钟信号CK是单端的CMOS或限幅正弦波的信号形式的信号。另外，输出电路40也可以输出差动的时钟信号CK、CKX。此时，时钟信号CK、CKX成为构成差动时钟信号的第1时钟信号、第2时钟信号。
连接盘PD3、连接盘PD4、连接盘PD5分别与振荡器4的外部连接用的外部端子TE3、TE4、TE5电连接。例如使用封装的内部布线、接合线或金属凸块等进行电连接。而且，振荡器4的外部端子TE3、TE4、TE5与外部设备电连接。
振荡电路30是使振子10进行振荡的电路。例如，振荡电路30与连接盘PD1和连接盘PD2电连接，通过使振子10进行振荡而生成振荡信号OSC。例如，振荡电路30经由与连接盘PD1、PD2连接的信号线L1和信号线L2而对振子10进行驱动，使振子10进行振荡。例如，振荡电路30包含设置在连接盘PD1、PD2之间的振荡用的驱动电路等。例如，振荡电路30可以由实现驱动电路的双极晶体管等晶体管、以及电容器或电阻等无源元件实现。驱动电路是振荡电路30的核心电路，驱动电路通过对振子10进行电流驱动或电压驱动而使振子10进行振荡。作为振荡电路30，例如可以使用皮尔斯型、考毕兹型、反相器型或哈特利型等各种类型的振荡电路。另外，也可以在振荡电路30设置可变电容电路，通过该可变电容电路的电容调整，能够对振荡频率进行调整。可变电容电路可以由变容二极管等可变电容元件实现。可变电容电路例如与连接连接盘PD1的信号线L1电连接。振荡电路30也可以具有：第1可变电容电路，其与连接连接盘PD1的信号线L1电连接；以及第2可变电容电路，其与连接连接盘PD2的信号线L2电连接。另外，本实施方式中的连接是电连接。电连接是指以能够传递电信号的方式连接，是能够通过电信号来传递信息的连接。电连接也可以是经由有源元件等的连接。
输出电路40根据来自振荡电路30的振荡信号OSC来输出时钟信号CK。例如，输出电路40对来自振荡电路30的振荡信号OSC进行缓冲而输出时钟信号CK。例如，输出电路40也可以进行振荡信号OSC的波形整形、电压电平的电平移位等。另外，也可以是，输出电路40例如能够以LVDS(Low Voltage Differential Signaling：低电压差分信号)、PECL(PositiveEmitter Coupled Logic：正射极耦合逻辑)、HCSL(High Speed Current Steering Logic：高速电流驱动逻辑)或差动的CMOS(Complementary MOS：互补金属氧化物半导体)等信号形式输出时钟信号。
控制电路50进行各种控制处理。例如，控制电路50进行集成电路装置20的整体控制。例如，对集成电路装置20的动作顺序进行控制。另外，控制电路50进行用于控制振荡电路30的各种处理。另外，控制电路50也可以进行输出电路40、电源电路80的控制。控制电路50例如可以通过基于门阵列等自动配置布线的ASIC(Application Specific IntegratedCircuit：专用集成电路)电路来实现。
温度补偿电路60进行振荡电路30的振荡频率的温度补偿。例如，温度补偿电路60根据来自温度传感器22的温度检测电压VTMP来生成温度补偿电压VCP，并将温度补偿电压VCP输出到振荡电路30，由此进行振荡电路30的振荡频率的温度补偿。例如，温度补偿电路60对振荡电路30所具有的可变电容电路输出作为该可变电容电路的电容控制电压的温度补偿电压VCP，从而进行温度补偿。温度补偿是抑制由温度变动引起的振荡频率变动而进行补偿的处理。例如，温度补偿电路60进行基于多项式近似的模拟方式的温度补偿。例如，在通过多项式来近似对振子10的频率温度特性进行补偿的温度补偿电压VCP的情况下，温度补偿电路60根据该多项式的系数信息来进行模拟方式的温度补偿。模拟方式的温度补偿例如是由作为模拟信号的电流信号、电压信号的加法处理等实现的温度补偿。
电源电路80被供给来自连接盘PD3的电源电压VDD而将集成电路装置20的内部电路用的各种电源电压供给到内部电路。例如供给电源电压VDD本身、或者供给作为对来自外部的电源电压VDD进行调节后的电压的调节电压VREG。调节电压VREG由设置在电源电路80中的调节器81生成。另外，集成电路装置20也可以不具有温度补偿功能。
在该情况下，振荡器4是SPXO(Simple Packaged Crystal Oscillator：简单封装晶体振荡器)振荡器。
基准电压生成电路90根据电源电压VDD来生成基准电压VREF。例如生成在存在电源电压变动、温度变动的情况下仍为恒定电压的基准电压VREF。基准电压生成电路90例如可以由基于带隙电压来生成基准电压VREF的带隙基准电路等实现。
另外，集成电路装置20可以包含存储温度补偿用的系数数据、电压设定用的数据等各种数据的存储部。该存储部能够通过非易失性存储器实现。作为非易失性存储器，可以使用例如能够电擦除数据的EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-OnlyMemory：电可擦可编程只读存储器)、使用了FAMOS(Floating gate Avalanche injectionMOS：浮栅雪崩注入MOS)等的OTP(One Time Programmable：一次性可编程)存储器等。
图14示出图13的集成电路装置20的布局配置例。在图14的布局配置例中，示出了集成电路装置20的各电路的电路配置区域。电路配置区域是配置有构成电路的电路元件、将电路元件之间连接起来的布线的区域。电路元件是晶体管等有源元件、电阻、电容器等无源元件。另外，在图14的布局配置例中，示出了在与集成电路装置20的形成有电路元件的基板垂直的方向上俯视观察时的配置例。
如图14所示，本实施方式的集成电路装置20包含温度传感器22、通过使振子10振荡来生成振荡信号OSC的振荡电路30、以及缓冲来自振荡电路30的振荡信号OSC而输出时钟信号CK的输出电路40。在这种情况下，集成电路装置20中的发热源电路24为输出电路40。例如，输出电路40输出高频率的时钟信号CK，因此产生较大热量的热。
关于这一点，在本实施方式中，以在俯视时与温度传感器22重叠的方式设置MIM结构的电容器CMIM，因此能够抑制来自作为发热源电路24的输出电路40的热对温度传感器22的温度检测结果造成不良影响。由此，能够缓和以温度检测电压VTMP的变动等为原因的温度补偿的偏移、启动时的漂移。另外，连接盘PD6是用于输入例如输出使能(output enable)信号或待机信号等外部信号的连接盘。
另外，集成电路装置20包含与振子10的一端电连接的连接盘PD1和与振子10的另一端电连接的连接盘PD2。在连接盘PD1上连接有振荡电路30的例如输出侧的端子XO，在连接盘PD2上连接有振荡电路30的例如输入侧的端子XI。并且，如图14所示，温度传感器22与连接盘PD1的距离比温度传感器22与输出电路40的距离近。例如，温度传感器22设置在振荡电路30和边SD4之间。具体而言，温度传感器22以在振荡电路30的方向DR2侧与振荡电路30相邻的方式配置，温度传感器22以与振荡电路30内的连接盘PD1相邻的方式配置。
这样，能够使连接盘PD1与温度传感器22的距离接近，例如能够以与连接盘PD1相邻的方式配置温度传感器22。另外，连接盘PD2与温度传感器22的距离也能够接近。例如，优选温度传感器22在理想的情况下检测振子10的温度本身。但是，温度传感器22内置在集成电路装置20中，因为无法在紧邻振子10的位置直接检测振子10的温度。关于该点，使用封装的内部布线、接合线或金属凸块等将连接盘PD1与振子10电连接，内部布线、接合线、金属凸块由金属形成。
因此，振子10的温度通过该金属进行热传导而传递到连接盘PD1。因此，通过在连接盘PD1的附近配置温度传感器22，能够使用温度传感器22来更适当地检测振子10的温度。由此，能够提高温度检测的精度，因此也能够提高温度补偿的精度，能够实现时钟频率的高精度化等。
另外，在图14中，温度传感器22与输出电路40的距离比温度传感器22与连接盘PD1的距离远，在远离温度传感器22的距离的位置配置有输出电路40。这样，能够延长来自输出电路40的热的传递路径的距离。由此，能够抑制来自输出电路40的热对温度传感器22的温度检测结果带来不良影响而使温度补偿的精度劣化，能够实现时钟频率的高精度化等。
另外，在图14中，温度传感器22、连接盘PD1以及连接盘PD2沿着集成电路装置20的边SD1配置，输出电路40沿着集成电路装置20的边SD2配置。具体来说，连接盘PD1、PD2在俯视时沿着边SD1配置在振荡电路30内。例如在与形成有电路元件的基板垂直的方向上俯视观察时，在振荡电路30的电路配置区域内配置有连接盘PD1、PD2。例如，在振荡电路30的电路配置区域内，在靠近边SD1的位置沿着方向DR2配置有连接盘PD1、PD2。例如，连接盘沿着集成电路装置20的边配置是指例如以在连接盘与边之间不存在其他连接盘的方式配置连接盘。例如，在距离边规定宽度的区域内配置连接盘。
而且，输出电路40沿着集成电路装置20的与边SD1交叉的边SD2配置。例如，以输出电路40的边SD2侧的边沿着集成电路装置20的边SD2的方式配置输出电路40。例如，以输出电路40的沿着长边方向的边沿着边SD2的方式配置。换言之，振荡电路30配置在靠近边SD1的区域，输出电路40配置在靠近边SD2的区域。
如图13所示，振子连接用的连接盘PD1、PD2经由信号线L1、L2而与振荡电路30连接。因此，当连接盘PD1、PD2间的距离变远时，将连接盘PD1、PD2与振荡电路30连接起来的信号线L1、L2的布线长度变长。而且，当信号线L1、L2的布线长度这样变长时，信号线L1、L2的寄生电阻、寄生电容增大，产生振子10的振荡特性劣化等问题。例如会产生负电阻的劣化、振荡振幅的减小等问题。
关于这一点，在图14中，温度传感器22、振荡电路30沿着边SD1配置，连接盘PD1、PD2也沿着边SD1配置。即，温度传感器22、振荡电路30、连接盘PD1、PD2均配置在靠近边SD1的位置，温度传感器22和连接盘PD1、PD2也配置在靠近的位置。更具体来说，连接盘PD1、PD2配置在振荡电路30的电路配置区域内。因此，能够以短路径将连接盘PD1、PD2与振荡电路30连接，能够缩短信号线L1、L2的布线长度。
通过这样用短路径连接连接盘PD1、PD2和振荡电路30，能够缩短信号线L1、L2的布线长度，从而能够减小信号线L1、L2的寄生电阻、寄生电容。因此，能够防止因信号线L1、L2的布线长度变长而导致的振荡特性的劣化。另外，如果将连接盘PD1、PD2配置在振荡电路30内，则无需另外设置连接盘PD1、PD2用的连接盘配置区域，能够有效利用振荡电路30的电路配置区域来配置连接盘PD1、PD2，因此能够实现高效的布局配置。另外，通过沿着边SD1配置温度传感器22和连接盘PD1、PD2，也能够使温度传感器22和连接盘PD1、PD2的距离靠近。这样，通过在连接盘PD1、PD2的附近配置温度传感器22，能够使用温度传感器22更适当地检测振子10的温度。
另外，在图14中，将向温度传感器22供给地电压的地线LGND1和向作为发热源电路24的输出电路40供给地电压的地线LGND2分离地布线。例如，地线LGND1和地线LGND2从作为地连接盘的连接盘PD4的位置分支，并布线到温度传感器22、输出电路40。同样地，向温度传感器22供给电源电压VDD的电源线LVDD1和向输出电路40供给电源电压VDD的电源线LVDD2也被分离地布线。这样，能够抑制在输出电路40中产生的热经由地线LGND2、LGND1的金属层传递到温度传感器22。即，通过将地线LGND2、LGND1分离地布线，能够延长通过这些地线LGND2、LGND1的热传递的路径，因此能够抑制在输出电路40中产生的热经由该路径传递到温度传感器22。同样，也能够抑制在输出电路40产生的热经由电源线LVDD2、LVDD1的金属层传递到温度传感器22。
另外，在图14中，振荡电路30沿着边SD1配置，输出电路40沿着与边SD1交叉的边SD2配置。因此，能够使振荡电路30与输出电路40的距离变近，能够进行缩短了高频信号路径的信号传播。
例如在使振子10以100MHz以上的高振荡频率进行振荡的情况下，由振荡电路30输出的振荡信号OSC的频率、时钟信号CK的频率也变高。而且，当作为高频率的信号的高频信号通过布线长度较长的信号线进行传播时，会从信号线产生较大的放射噪声。另外，布线长度较长的信号线也有可能对振荡信号OSC的特性带来不良影响。
关于该点，在图14中，通过将振荡电路30沿着边SD1配置，将输出电路40沿着边SD2配置，能够以短路径将振荡电路30与输出电路40连接。因此，能够缩短传播高频信号的信号线的布线长度，能够降低从该信号线产生的放射噪声。另外，通过缩短传播高频信号的信号线的布线长度，也能够降低该信号线的寄生电阻、寄生电容对振荡信号的特性带来的不良影响。
另外，通过将振荡电路30配置在边SD1的附近，将输出电路40配置在边SD2的附近，能够将振荡电路30的方向DR1侧且输出电路40的方向DR2侧的区域用作例如温度补偿电路60、电源电路80、控制电路50的配置区域。因此，能够实现集成电路装置20的电路块的高效的布局配置，能够缩小电路面积，因此能够实现集成电路装置20的小规模化。
另外，由于输出电路40进行针对高频信号的缓冲、驱动，所以成为产生较大噪声的噪声源，并且成为产生高温的热源。在图14中，作为这样的噪声源和热源的输出电路40沿着边SD2配置。因此，由于能够将输出电路40配置成靠近边SD2的附近，所以能够将例如想要远离噪声源或热源的电路配置在例如作为边SD2的对边的边SD4。例如，通过将温度传感器22配置在输出电路40所配置的边SD2的对边即边SD4侧，能够降低来自输出电路40的热对温度传感器22的温度检测所造成的不良影响。由此，能够实现温度补偿电路60的温度补偿的高精度化等。另外，通过将基准电压生成电路90配置在边SD4侧，能够降低来自输出电路40的噪声对基准电压生成电路90中的基准电压VREF的生成所造成的不良影响。例如，当在基准电压生成电路90中生成的基准电压VREF由于来自输出电路40的噪声而发生变动时，对温度补偿电路60的温度补偿、振荡电路30的振荡动作带来不良影响，产生相位噪声增加等问题。通过将输出电路40沿着边SD2配置，能够拉开输出电路40与基准电压生成电路90的距离，能够防止产生这样的问题。
另外，集成电路装置20包含温度补偿电路60，该温度补偿电路60根据来自温度传感器22的温度检测电压VTMP来进行振荡电路30的振荡频率的温度补偿。而且，在设从边SD1朝向边SD3的方向为DR1、从边SD2朝向边SD4的方向为DR2时，温度补偿电路60配置在振荡电路30的方向DR1且输出电路40的方向DR2上。即，在振荡电路30的方向DR1侧的电路配置区域且输出电路40的方向DR2侧的电路配置区域中配置温度补偿电路60。
这样，能够灵活运用位于振荡电路30的方向DR1且输出电路40的方向DR2的空间来配置温度补偿电路60。例如，温度补偿电路60是进行基于多项式近似的模拟方式的温度补偿的电路，因此电路面积增大。关于该点，由于沿着边SD1配置的振荡电路30的方向DR1侧且沿着边SD2配置的输出电路40的方向DR2侧的区域是空闲空间，所以通过在该空间内配置电路面积大的温度补偿电路60，能够实现高效的布局配置。由此，能够实现集成电路装置20的小面积化。另外，通过在振荡电路30的方向DR1上配置温度补偿电路60，能够以短路径将来自温度补偿电路60的温度补偿电压VCP输入到振荡电路30，从而对振荡频率进行控制。
另外，集成电路装置20包含对温度补偿电路60进行控制的控制电路50。而且，控制电路50配置在温度补偿电路60的方向DR2上。换言之，温度补偿电路60配置在输出电路40与控制电路50之间。而且，控制电路50例如沿着边SD4配置。例如，输出电路40配置在温度补偿电路60与边SD2之间，控制电路50配置在温度补偿电路60与边SD4之间。另外，振荡电路30配置在温度补偿电路60与边SD1之间。即，以温度补偿电路60为中心，在边SD1的方向上配置振荡电路30，在边SD2的方向上配置输出电路40，在边SD4的方向上配置控制电路50。
如果这样配置控制电路50，则能够在温度补偿电路60的方向DR2上，例如以与温度补偿电路60相邻的方式配置对温度补偿电路60进行控制的控制电路50。因此，能够以短路径将来自控制电路50的控制信号输入到温度补偿电路60。另外，在沿着边SD1配置振荡电路30、沿着边SD2配置输出电路40的情况下，能够有效地灵活运用沿着边SD4的空间而例如通过自动配置布线来配置控制电路50，能够实现高效的布局配置。由此，可实现集成电路装置20的小规模化。
5.温度传感器、输出电路、调节器、基准电压生成电路
图15示出温度传感器22的第1结构例。温度传感器22包含串联设置在VDD的电源节点和GND节点之间的电流源IST、双极晶体管BPT。双极晶体管BPT的集电极节点和基极节点连接，成为二极管连接。由此，从温度传感器22的输出节点NCQ输出具有温度依赖性的温度检测电压VTMP。例如，输出根据基极-发射极间电压的温度依赖性而产生的负温度特性的温度检测电压VTMP。
图16示出温度传感器22的第2结构例。温度传感器22包含电流源IST1、IST2、双极晶体管BPT1、BPT2、电阻RT1、RT2、RT3、RT4。电阻RT2、RT4是电阻值可变的可变电阻。电流源IST1设置在VDD的电源节点和连接有双极晶体管BPT1的基极的节点NT2之间。电阻RT1设置在节点NT2和成为双极晶体管BPT1的集电极节点的节点NT1之间。电阻RT2设置在双极晶体管BPT1的发射极节点和GND节点之间。电流源IST2设置在VDD的电源节点和连接有双极晶体管BPT2的基极的节点NT3之间。电阻RT3设置在节点NT3和成为双极晶体管BPT1的集电极节点的输出节点NCQ之间。电阻RT4设置在双极晶体管BPT2的发射极节点和节点NT1之间。而且，从输出节点NCQ输出温度检测电压VTMP。
在图16中，将流过电流源IST1、IS2的电流的电流值设为I，将双极晶体管BPT1、BPT2的基极-发射极间电压设为VBE1、VBE2，将电阻RT1、RT2、RT3、RT4的电阻值设为R1、R2、R3、R4，将从节点NT1输出的电压设为VOUT。在这种情况下，如下式(1)、(2)那样求出VOUT、VTMP。
VOUT＝VBE1+2×I×R2-I×R1 (1)
VTMP＝VBE2+I×R4+VOUT-I×R3
＝VBE1+VBE2+I×(2×R2+R4-R1-R3) (2)
如上式(2)所示，通过调整作为可变电阻的电阻RT2、RT4的电阻值R2、R4，能够进行温度补偿中的0次调整。即能够进行温度检测电压VTMP的偏移调整。另外，根据图16的结构，由于使用两个基极-发射极间电压VBE1、VBE2生成温度检测电压VTMP，因此能够提高温度检测的灵敏度。
另外，温度传感器22的温度检测电压VTMP基于双极晶体管BPT1、BPT2的基极-发射极间电压VBE1、VBE2而生成。因此，如在图3、图4中说明的那样，通过将MIM结构的电容器CMIM和双极晶体管BPT1、BPT2配置成俯视时重叠，能够抑制基极-发射极间电压VBE1、VBE2因来自发热源电路24的热而变动，能够抑制温度检测电压VTMP的变动。
另外，温度传感器22并不限定于图15、图16的结构。例如，温度传感器22也可以是与将双极晶体管的基极-发射极间电压用作温度依赖电压的图15、图16不同的其他结构的电路。或者，温度传感器22也可以是将二极管的正向电压用作温度依赖电压的电路、利用电阻的电阻值的温度依赖性的电路、组合了双极晶体管、二极管、电阻而得的电路、利用振荡频率的温度依赖性的电路等。
图17示出输出电路40的结构例。输出电路40包含：缓冲电路42，其进行振荡信号OSC的缓冲等；以及输出驱动器46，其进行基于振荡信号OSC的时钟信号CK、CKX的输出和驱动。另外，图17是输出差动的时钟信号CK、CKX的输出电路40的例子，但输出电路40也可以输出单端的时钟信号CK。
缓冲电路42例如可以包含波形整形电路43、分频器44、电平移位器&预驱动器45。波形整形电路43是进行振荡信号OSC的波形整形而输出与振荡信号OSC对应的矩形波信号的电路，包含反相器IVB和设置在反相器IVB的输出端子与输入端子之间的反馈用的电阻RQ。分频器44是进行时钟分频的电路，通过设置分频器44，能够输出对振荡信号OSC的频率进行分频而得的频率的时钟信号CK、CKX。电平移位器&预驱动器45是进行从VREG的电源电压电平到VDD的电源电压电平的电平移位、对输出驱动器46进行驱动的预驱动的电路。例如，向缓冲电路42的波形整形电路43和分频器44供给调节电压VREG，向电平移位器&预驱动器45供给调节电压VREG和电源电压VDD。另一方面，向输出驱动器46供给电源电压VDD。
输出驱动器46可以包含LVDS的驱动器电路、PECL的驱动器电路、HCSL的驱动器电路、差动或单端的CMOS的驱动器电路、以及差动或单端的限幅正弦输出的驱动器电路中的至少一个驱动器电路。另外，在将该多个驱动器电路设置于输出驱动器46的情况下，也可以在多个驱动器电路之间共用构成多个驱动器电路的晶体管的一部分。
图18示出调节器81的结构例。调节器81包含运算放大器OPA以及串联设置在VDD节点与GND节点之间的驱动用的N型晶体管TA1和电阻RA1、RA2。另外，调节器81可以包含设置在运算放大器OPA的输出端子侧的电阻RA3和电容器CA。向运算放大器OPA的同相输入端子输入基准电压VREF，向反相输入端子输入通过电阻RA1、RA2对调节电压VREG进行电压分割而得的电压VDA。而且，运算放大器OPA的输出端子经由电阻RA3与晶体管TA1的栅极连接，并从晶体管TA1的漏极节点输出调节电压VREG。另外，在图18中，作为驱动用的晶体管TA1而使用了N型的晶体管，但也可以使用P型的晶体管。
图19示出基准电压生成电路90的结构例。基准电压生成电路90包含设置在VDD节点与GND节点之间的N型晶体管TD1、电阻RD1、RD2、RD3、双极晶体管BP1、BP2。另外，基准电压生成电路90包含：P型的晶体管TD1、TD2，它们的栅极被输入偏置电压VB；以及双极晶体管BP3，其设置在晶体管TD2的漏极节点与GND节点之间。基准电压生成电路90是带隙基准电路，生成基于带隙电压的基准电压VREF并输出。例如，将PNP型的双极晶体管BP1、BP2的基极-发射极间电压设为VBEA、VBEB，则ΔVBE＝VBEA－VBEB。基准电压生成电路90输出例如VREF＝K×ΔVBE+VBEB的基准电压VREF。K是根据电阻RD1、RD2的电阻值来设定的。例如，VBEB具有负的温度特性，ΔVBE具有正的温度特性，因此通过对电阻RD1、RD2的电阻值进行调整，能够生成无温度依赖性的恒定电压的基准电压VREF。另外，基准电压生成电路90并不限定于图19的结构，例如可以使用利用晶体管的功函数差电压来生成基准电压VREF的电路等各种结构的电路。
6.振荡器
接着，对本实施方式的振荡器4的构造例进行说明。图20示出振荡器4的第1构造例。振荡器4具有振子10、集成电路装置20以及收纳振子10和集成电路装置20的封装15。封装15例如由陶瓷等形成，在其内侧具有收纳空间，在该收纳空间中收纳有振子10和集成电路装置20。收纳空间被气密密封，优选成为接近真空的状态即减压状态。通过封装15，能够适当地保护振子10和集成电路装置20不受冲击、尘埃、热、湿气等的影响。
封装15具有基座16和盖17。具体而言，封装15由基座16和盖17构成，该基座16支承振子10和集成电路装置20，该盖17以在盖17与基座16之间形成收纳空间的方式与基座16的上表面接合。并且，振子10经由端子电极而被支承于设置在基座16的内侧的台阶部。另外，集成电路装置20配置在基座16的内侧底面。具体而言，集成电路装置20以有源面朝向基座16的内侧底面的方式配置。有源面是集成电路装置20的形成有电路元件的面。另外，在集成电路装置20的连接盘上形成有凸块BMP。而且，集成电路装置20经由导电性的凸块BMP支承于基座16的内侧底面。导电性的凸块BMP例如是金属凸块，经由该凸块BMP、封装15的内部布线、端子电极等将振子10与集成电路装置20电连接。另外，集成电路装置20经由凸块BMP、封装15的内部布线而与振荡器4的外部端子18、19电连接。外部端子18、19形成在封装15的外侧底面上。外部端子18、19经由外部布线而与外部设备连接。外部布线例如是在安装有外部设备的电路基板上形成的布线等。由此，能够对外部设备输出时钟信号等。
另外，在图20中，以集成电路装置20的有源面朝向下方的方式倒装安装集成电路装置20，但本实施方式并不限定于这样的安装。例如，可以以集成电路装置20的有源面朝向上方的方式安装集成电路装置20。即，以有源面与振子10相对的方式安装集成电路装置20。
图21示出振荡器4的第2构造例。图21的振荡器4包含振子10、集成电路装置20以及集成电路装置21。另外，振荡器4包含收纳振子10和集成电路装置20的封装15、以及收纳封装15和集成电路装置21的封装5。封装15、封装5分别是第1封装、第2封装。第1封装、第2封装也可以称为第1容器、第2容器。
并且，在本实施方式中，收纳在封装15中的集成电路装置20进行第1温度补偿处理，收纳在封装5中的集成电路装置21进行第2温度补偿处理。例如，通过将振子10和集成电路装置20收纳在封装15中，例如构成了进行模拟方式的第1温度补偿处理的温度补偿型的振荡器14。而且，通过将进行模拟方式的第1温度补偿处理的振荡器14和进行数字方式的第2温度补偿处理的集成电路装置21收纳在封装5中，构成了生成高精度的时钟信号的振荡器4。集成电路装置21也可以称为以数字方式进行微调的第2温度补偿处理的校正IC。
具体而言，封装5例如由陶瓷等形成，在其内侧具有收纳空间。在该收纳空间中收纳有振荡器14和集成电路装置21，该振荡器14在封装15中收纳有振子10和集成电路装置20。收纳空间被气密密封，优选成为接近真空的状态即减压状态。通过封装5，能够适当地保护集成电路装置21和振荡器14不受冲击、尘埃、热、湿气等的影响。
封装5具有基座6和盖7。具体而言，封装5由基座6和盖7构成，该基座6支承振荡器14和集成电路装置21，该盖7以在盖7与基座6之间形成收纳空间的方式与基座6的上表面接合。基座6在其内侧具有在上表面开口的第1凹部和在第1凹部的底面开口的第2凹部。集成电路装置21支承在第1凹部的底面上。例如，集成电路装置21经由端子电极而支承在底面的台阶部上。另外，振荡器14支承在第2凹部的底面上。例如，振荡器14经由端子电极而支承在底面的台阶部上。另外，基座6具有在第2凹部的底面开口的第3凹部，在该第3凹部中配置电路部件12。作为配置的电路部件12，例如可以想到电容器、温度传感器等。
集成电路装置21例如经由接合线BW、形成于台阶部的端子电极、封装5的内部布线而与振荡器14的端子电连接。由此，能够将来自振荡器14的时钟信号、温度检测信号输入到集成电路装置21。另外，集成电路装置21经由接合线BW、形成于台阶部的端子电极、封装5的内部布线而与振荡器4的外部端子8、9电连接。外部端子8、9形成在封装5的外侧底面上。外部端子8、9经由外部布线而与外部设备连接。外部布线例如是在安装有外部设备的电路基板上形成的布线等。由此，能够对外部设备输出时钟信号等。另外，也可以将振荡器14的端子与外部端子8、9电连接。
另外，在图21中，在振荡器14的上方配置集成电路装置21，但也可以在振荡器14的下方配置集成电路装置21。这里，上方是从封装5的底面朝向盖7的方向，下方是其相反方向。另外，也可以在振荡器14的侧方设置集成电路装置21。即，在振荡器4的俯视观察时振荡器14和集成电路装置21以并排的方式配置。
接着，对集成电路装置21进行说明。集成电路装置21包含时钟信号生成电路，该时钟信号生成电路输入由振荡器14生成的时钟信号即第1时钟信号作为基准时钟信号。然后，将由时钟信号生成电路生成的时钟信号作为振荡器4的输出时钟信号输出到外部。例如，集成电路装置21的时钟信号生成电路由分数-N型的PLL电路构成，该PLL电路输入来自振荡器14的第1时钟信号作为基准时钟信号。该PLL电路对作为第1时钟信号的基准时钟信号、和通过分频电路对PLL电路的输出时钟信号进行分频而得到的反馈时钟信号进行相位比较。然后，使用Δ-Σ调制电路来设定小数的分频比，由此实现分数-N型的PLL电路。另外，集成电路装置21所包含的控制电路基于温度补偿数据来进行在PLL电路中设定的分频比数据的校正处理，由此实现第2温度补偿处理。另外，在振荡器14中进行的第1温度补偿处理例如是通过多项式近似的温度补偿处理来实现的。另外，时钟信号生成电路也可以由直接数字合成器构成。在这种情况下，对以第1时钟信号为基准时钟信号来进行动作的直接数字合成器输入利用温度补偿数据校正后的频率控制数据，由此实现第2温度补偿处理。
根据图21的振荡器4，使振子10进行振荡的集成电路装置20进行第1温度补偿处理，从而能够减小从作为第1集成电路装置的集成电路装置20输出的第1时钟信号的基于频率温度特性的频率变动量。并且，作为第2集成电路装置的集成电路装置21在基于来自集成电路装置20的第1时钟信号生成时钟信号时，进行第2温度补偿处理。这样，在由集成电路装置20进行了第1温度补偿处理之后，由集成电路装置21进行第2温度补偿处理，由此，能够减小由于温度计测结果的波动等而导致的频率的微跳等，能够实现振荡器4的时钟频率的高精度化等。另外，在图21的振荡器4中，也可以使用设置于集成电路装置20的温度传感器来进行第1温度补偿处理，并且该温度传感器的温度检测信号从集成电路装置20输出并输入到集成电路装置21。然后，集成电路装置21可以根据输入的温度检测信号来进行第2温度补偿处理。这样，由于能够根据来自相同温度传感器的温度检测信号来进行集成电路装置20中的第1温度补偿处理和集成电路装置21中的第2温度补偿处理，所以能够实现更适当的温度补偿处理。在该情况下，内置于集成电路装置20的温度传感器与振子10之间的距离比该温度传感器与集成电路装置21之间的距离短。因此，能够拉开由于进行数字方式的温度补偿处理而发热量多的集成电路装置21与振子10之间的距离，能够降低集成电路装置21的发热对温度传感器的温度检测结果带来的不良影响。因此，能够使用内置于集成电路装置20的温度传感器来更准确地计测振子10的温度。
7.电子设备、移动体
图22示出包含本实施方式的集成电路装置20的电子设备500的结构例。电子设备500包含本实施方式的集成电路装置20和根据集成电路装置20的输出信号进行处理的处理装置520。这里，输出信号例如是集成电路装置20根据振荡电路30的振荡信号生成的时钟信号。具体而言，电子设备500包含具有本实施方式的集成电路装置20的振荡器4，处理装置520基于来自振荡器4的时钟信号来进行动作，从而进行各种处理。另外，电子设备500还能够包含天线ANT、通信接口510、操作界面530、显示部540以及存储器550。另外，电子设备500不限于图22的结构，能够实施省略它们的一部分结构要素、或追加其他结构要素等各种变形。
电子设备500例如可以是基站或路由器等网络相关设备、测量距离、时间、流速或流量等物理量的高精度的测量设备、测量生物体信息的生物体信息测量设备或车载设备等。生物体信息测量设备例如是超声波测量装置、脉搏计或血压测量装置等。车载设备是自动驾驶用的设备等。并且，电子设备500也可以是头部佩戴型显示装置或时钟相关设备等可穿戴设备、机器人、打印装置、投影装置、智能手机等便携信息终端、发布内容的内容提供设备、或者数码照相机或摄像机等影像设备等。
另外，作为电子设备500，存在用于5G等下一代移动通信系统的设备。例如，可以在下一代移动通信系统的基站、射频拉远头(RRH：Remote Radio Head)或便携通信终端等各种设备中使用本实施方式的集成电路装置20。在下一代移动通信系统中，为了时刻同步等而要求高精度的时钟频率，适合作为能够生成高精度的时钟信号的本实施方式的集成电路装置20的应用例。
通信接口510进行经由天线ANT从外部接收数据或向外部发送数据的处理。作为处理器的处理装置520进行电子设备500的控制处理、经由通信接口510收发的数据的各种数字处理等。处理装置520的功能例如能够通过微型计算机等处理器实现。操作界面530用于供用户进行输入操作，能够通过操作按钮或触摸板显示器等实现。显示部540显示各种信息，能够通过液晶或有机EL等显示器实现。存储器550存储数据，其功能能够通过RAM或ROM等半导体存储器实现。
图23示出包含本实施方式的集成电路装置20的移动体的例子。移动体包含本实施方式的集成电路装置20和根据集成电路装置20的输出信号进行处理的处理装置220。这里，输出信号例如是集成电路装置20根据振荡电路30的振荡信号生成的时钟信号。具体而言，移动体包含具有本实施方式的集成电路装置20的振荡器4，处理装置220根据来自振荡器4的时钟信号来进行动作，从而进行各种处理。本实施方式的集成电路装置20例如能够组装到车、飞机、摩托车、自行车或船舶等各种移动体中。移动体例如是具有发动机或电动机等驱动机构、方向盘或舵等转向机构、各种电子设备并在地面上、天空或海上移动的设备/装置。图23概略地示出作为移动体的具体例的汽车206。在汽车206中组装有本实施方式的集成电路装置20。具体而言，作为移动体的汽车206包含控制装置208，控制装置208包含：振荡器4，其包含本实施方式的集成电路装置20；以及处理装置220，其根据由振荡器4生成的时钟信号来进行动作。控制装置208例如根据车体207的姿态对悬架的软硬进行控制、或者对各个车轮209的制动进行控制。例如，可以利用控制装置208实现汽车206的自动驾驶。另外，组装有本实施方式的集成电路装置20的设备并不限于这样的控制装置208，也能够组装到在汽车206等移动体中设置的仪表面板设备或导航设备等各种车载设备中。
如上所述，本实施方式的集成电路装置包含：温度传感器；作为发热源的发热源电路；外部连接用的连接盘；以及MIM结构的电容器，该电容器的一个电极与外部连接用的连接盘电连接。而且，在与形成有电路元件的基板垂直的俯视时，MIM结构的电容器和温度传感器重叠。
根据本实施方式，MIM结构的电容器被配置成在与集成电路装置的基板垂直的俯视时与温度传感器重叠。并且，该MIM结构的电容器的一个电极与外部连接用的连接盘电连接。这样，通过以在俯视时与温度传感器重叠的方式配置MIM结构的电容器，能够抑制来自发热源电路的热传递到温度传感器。而且，由于能够将来自发热源电路的热经由外部连接用的连接盘向外部散热，因此能够缓和由来自发热源电路的热传递带来的不良影响。另外，由于能够有效地活用温度传感器的配置区域来配置MIM结构的电容器，因此能够实现集成电路装置的小面积化。因此，能够提供能够实现兼顾缓和由来自发热源电路的热带来的不良影响和小面积化的集成电路装置。
另外，在本实施方式的集成电路装置中，可以是，温度传感器配置在集成电路装置的两条边交叉的角部。
通过这样将温度传感器配置在角部，能够使配置在集成电路装置中的发热源电路与温度传感器的距离远，能够抑制来自发热源电路的热对温度传感器的温度检测结果造成不良影响。
另外，在本实施方式的集成电路装置中，可以是，温度传感器沿着集成电路装置的第1边配置，发热源电路沿着集成电路装置的与第1边交叉的第2边配置。
如果像这样沿着集成电路装置的第1边配置温度传感器，沿着第2边配置发热源电路，则能够使温度传感器与发热源电路的距离远，能够抑制来自发热源电路的热对温度检测结果造成不良影响。
另外，在本实施方式的集成电路装置中，可以是，外部连接用的连接盘是地连接盘或电源连接盘。
这样，能够有效地活用温度传感器的配置区域，来配置向一个电极供给地电压或电源电压的MIM结构的电容器。
另外，在本实施方式的集成电路装置中，可以是，外部连接用的连接盘是地连接盘，从地连接盘向MIM结构的电容器的一个电极供给地电压，向MIM结构的电容器的另一个电极供给来自电源连接盘的电源电压、根据电源电压生成的电压、或温度传感器的温度检测电压。
这样，能够将形成于温度传感器的配置区域的MIM结构的电容器用作电源电压、由电源电压生成的电压、或者温度检测电压的电位稳定化用的电容器。
另外，在本实施方式的集成电路装置中，可以是，对MIM结构的电容器的另一个电极施加根据电源电压生成的电压，根据电源电压生成的电压是被供给电源电压的调节器生成的调节电压、或者被供给电源电压的基准电压生成电路生成的基准电压。
这样，能够将形成于温度传感器的配置区域的MIM结构的电容器用作调节电压或基准电压的电位稳定化用的电容器。
另外，在本实施方式的集成电路装置中，可以是，外部连接用的连接盘是地连接盘，MIM结构的电容器的一个电极经由地线与地连接盘电连接，地线经由金属插头与基板电连接，金属插头在俯视时配置在温度传感器和发热源电路之间。
这样，来自发热源电路的热经由在温度传感器和发热源电路之间排列的金属插头传递到地线，并经由地连接盘向外部散热。
另外，在本实施方式的集成电路装置中，可以是，温度传感器包含双极晶体管和电阻，MIM结构的电容器和双极晶体管在俯视时重叠。
这样，能够抑制来自发热源电路的热向双极晶体管传递，能够抑制热对温度传感器的温度检测电压的不良影响。
另外，在本实施方式的集成电路装置中，可以是，该集成电路装置包含：振荡电路，其通过使振子振荡来生成振荡信号；以及输出电路，其对来自振荡电路的振荡信号进行缓冲而输出时钟信号，发热源电路是输出电路。。
这样，能够防止来自作为发热源电路的输出电路的热对温度传感器的温度检测结果带来不良影响，能够缓和以温度检测电压的变动等为原因的时钟信号的性能劣化。
另外，在本实施方式的集成电路装置中，可以是，该集成电路装置包含：第1连接盘，其与振子的一端电连接；以及第2连接盘，其与振子的另一端电连接，温度传感器与第1连接盘之间的距离比温度传感器与输出电路之间的距离近。
这样，能够使与振子的一端电连接的第1连接盘与温度传感器的距离接近，能够使用温度传感器更适当地检测振子的温度。另外，通过使温度传感器与输出电路的距离变远，能够抑制来自输出电路的热对温度传感器的温度检测结果带来不良影响。
另外，在本实施方式的集成电路装置中，可以是，该集成电路装置包含：振荡电路，其通过使振子振荡来生成振荡信号；输出电路，其对来自振荡电路的振荡信号进行缓冲而输出时钟信号；第1连接盘，其与振子的一端电连接；以及第2连接盘，其与振子的另一端电连接，发热源电路是输出电路，温度传感器、第1连接盘以及第2连接盘沿着集成电路装置的第1边配置，输出电路沿着集成电路装置的与第1边交叉的第2边配置。
这样，通过沿着集成电路装置的第1边配置温度传感器、第1连接盘以及第2连接盘，能够使温度传感器与第1连接盘以及第2连接盘的距离接近，能够使用温度传感器更适当地检测振子的温度。另外，通过沿着集成电路装置的第2边配置输出电路，能够使温度传感器与输出电路的距离变远，能够抑制来自输出电路的热对温度传感器的温度检测结果带来不良影响。
另外，本实施方式的集成电路装置包含：温度传感器；作为发热源的发热源电路；作为地连接盘或电源连接盘的外部连接用的连接盘；以及MIM结构的电容器，该电容器的一个电极与外部连接用的连接盘电连接。而且，在与形成有电路元件的基板垂直的俯视时，MIM结构的电容器和发热源电路重叠。
根据本实施方式，MIM结构的电容器被配置成在与集成电路装置的基板垂直的俯视时与发热源电路重叠。并且，该MIM结构的电容器的一个电极与作为外部连接用的连接盘的地连接盘或电源连接盘电连接。这样，通过以在俯视时与发热源电路重叠的方式配置MIM结构的电容器，来自发热源电路的热被设置在发热源电路的配置区域的MIM结构的电容器隔断，抑制该热向温度传感器传递。而且，由于能够将来自发热源电路的热经由作为外部连接用的连接盘的地连接盘或电源连接盘向外部散热，因此能够缓和由来自发热源电路的热传递带来的不良影响。另外，由于能够有效活用发热源电路的配置区域来配置MIM结构的电容器，因此能够实现集成电路装置的小面积化。因此，能够提供能够实现兼顾缓和由来自发热源电路的热带来的不良影响和小面积化的集成电路装置。
另外，本实施方式涉及振荡器，该振荡器包含：上述记载的集成电路装置；以及振子。
另外，本实施方式涉及电子设备，该电子设备包含：上述记载的集成电路装置；以及处理装置，其基于来自集成电路装置的输出信号进行处理。
另外，本实施方式涉及移动体，该移动体包含：上述记载的集成电路装置；以及处理装置，其基于来自集成电路装置的输出信号进行处理。
另外，如上述那样对本实施方式进行了详细说明，但本领域技术人员可以容易地理解，能够实现实质上不脱离本公开的新事项和效果的多种变形。因此，所有这样的变形例都包含在本公开的范围内。例如，在说明书或附图中至少一次与更广义或同义的不同用语一起记载的用语在说明书或附图的任何位置处都可置换为该不同的用语。另外，本实施方式和变形例的全部组合也包含在本公开的范围内。另外，集成电路装置、振荡器、电子设备、移动体的结构、动作等也不限于在本实施方式中说明的结构、动作等，能够实施各种变形。

Claims (15)

1.一种集成电路装置，其特征在于，包含：
温度传感器；
作为发热源的发热源电路；
外部连接用的连接盘；以及
金属-绝缘体-金属即MIM结构的电容器，该电容器的一个电极与所述外部连接用的连接盘电连接，
在与形成有电路元件的基板垂直的俯视时，所述MIM结构的电容器和所述温度传感器重叠。
2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，
所述温度传感器配置在集成电路装置的两条边交叉的角部。
3.根据权利要求1或2所述的集成电路装置，其特征在于，
所述温度传感器沿着集成电路装置的第1边配置，
所述发热源电路沿着集成电路装置的与所述第1边交叉的第2边配置。
4.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，
所述外部连接用的连接盘是地连接盘或电源连接盘。
5.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，
所述外部连接用的连接盘是地连接盘，
从所述地连接盘向所述MIM结构的电容器的所述一个电极供给地电压，
向所述MIM结构的电容器的另一个电极供给来自电源连接盘的电源电压、根据所述电源电压生成的电压、或所述温度传感器的温度检测电压。
6.根据权利要求5所述的集成电路装置，其特征在于，
对所述MIM结构的电容器的所述另一个电极施加根据所述电源电压生成的电压，
根据所述电源电压生成的电压是被供给所述电源电压的调节器所生成的调节电压、或者被供给所述电源电压的基准电压生成电路所生成的基准电压。
7.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，
所述外部连接用的连接盘是地连接盘，
所述MIM结构的电容器的所述一个电极经由地线与所述地连接盘电连接，
所述地线经由金属插头与所述基板电连接，
所述金属插头在所述俯视时配置在所述温度传感器和所述发热源电路之间。
8.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，
所述温度传感器包含双极晶体管和电阻，
所述MIM结构的电容器和所述双极晶体管在所述俯视时重叠。
9.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，
该集成电路装置包含：
振荡电路，其通过使振子振荡来生成振荡信号；以及
输出电路，其对来自所述振荡电路的所述振荡信号进行缓冲而输出时钟信号，
所述发热源电路是所述输出电路。
10.根据权利要求9所述的集成电路装置，其特征在于，
该集成电路装置包含：
第1连接盘，其与所述振子的一端电连接；以及
第2连接盘，其与所述振子的另一端电连接，
所述温度传感器与所述第1连接盘之间的距离比所述温度传感器与所述输出电路之间的距离近。
11.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，
该集成电路装置包含：
振荡电路，其通过使振子振荡来生成振荡信号；
输出电路，其对来自所述振荡电路的所述振荡信号进行缓冲而输出时钟信号；
第1连接盘，其与所述振子的一端电连接；以及
第2连接盘，其与所述振子的另一端电连接，
所述发热源电路是所述输出电路，
所述温度传感器、所述第1连接盘以及所述第2连接盘沿着集成电路装置的第1边配置，
所述输出电路沿着所述集成电路装置的与所述第1边交叉的第2边配置。
12.一种集成电路装置，其特征在于，包含：
温度传感器；
作为发热源的发热源电路；
作为地连接盘或电源连接盘的外部连接用的连接盘；以及
金属-绝缘体-金属即MIM结构的电容器，该电容器的一个电极与所述外部连接用的连接盘电连接，
在与形成有电路元件的基板垂直的俯视时，所述MIM结构的电容器和所述发热源电路重叠。
13.一种振荡器，其特征在于，包含：
权利要求9至11中的任意一项所述的集成电路装置；以及
所述振子。
14.一种电子设备，其特征在于，包含：
权利要求1至12中的任意一项所述的集成电路装置；以及
处理装置，其基于来自所述集成电路装置的输出信号进行处理。
15.一种移动体，其特征在于，包含：
权利要求1至12中的任意一项所述的集成电路装置；以及
处理装置，其基于来自所述集成电路装置的输出信号进行处理。
CN202010610584.XA 2019-07-02 2020-06-30 集成电路装置、振荡器、电子设备以及移动体 Active CN112187180B (zh)

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