CN112185819A - 散热组件的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种散热组件的制造方法。提供衬底。衬底具有外表面。形成图案化干膜在外表面上。图案化干膜由多个微孔图案所构成。形成导热层在外表面的多个微孔图案以外的区域上。移除所述图案化干膜,以形成多个微孔。导热层围绕多个微孔。

Description

散热组件的制造方法
技术领域
本发明涉及到一种散热组件的制造方法,且特别涉及到一种具有微孔(Micromesh)的散热组件的制造方法。
背景技术
近年来,为因应对电子产品日益轻、薄、短、小的趋势,对电子产品中各组件的要求也日益增加。举例而言,散热组件中需具有较小孔径(如小于25微米)的多个微孔,以利于提升散热面积增加散热效率。
然而,目前制造微孔的方法中通常无法达到上述较小孔径的要求,且形成的微孔中常具有孔径大小不一且上下孔径尺寸不同的问题。因此如何制造出较小孔径、上下孔径尺寸相同且孔径大小一致的多个微孔实为亟欲解决的重要课题。
发明内容
本发明提供一种散热组件的制造方法,其可以制造出较小孔径且孔径大小一致的多个微孔,其中每一微孔上孔径的尺寸与下孔径的尺寸基本上相同。
本发明提供一种散热组件的制造方法,其至少包括以下步骤。提供衬底。衬底具有外表面。形成图案化干膜在外表面上。图案化干膜由多个微孔图案所构成。形成导热层在外表面的多个微孔图案以外的区域上。移除所述图案化干膜,以形成多个微孔。导热层围绕多个微孔。
基于上述,本发明由于图案化干膜由多个微孔图案构成,因此在多个微孔图案以外的区域上形成导热层时,可以制造出较小孔径、且孔径基本上相同的多个微孔,其中每一微孔上孔径的尺寸与下孔径的尺寸基本上相同。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特别列举实施例,并结合附图作详细说明如下。
附图说明
图1A至图7A与图1B至图7B分别是依照本发明的一实施例的散热组件在不同阶段的制造过程中的部分俯视图与部分剖视图。在这些图中,会先呈现一部分俯视图,其后将呈现沿部分俯视图中的线A-A’的部分剖视图。举例来说,图1A是散热组件在一个阶段的制造过程中的部分俯视图。图1B是沿图1A中的线A-A’的部分剖视图。
图8至图10是接续图7B的部分剖视图。
具体实施方式
本文所使用的方向用语(例如,上、下、右、左、前、后、顶部、底部)仅作为参看附图而使用,并非意味着绝对定向。
除非另有明确说明,否则本文所述任何方法绝不意味着要求按特定顺序执行其步骤。
参照本实施例的附图以更全面地阐述本发明。然而,本发明亦可以各种不同的形式体现,而不应限于本文中所述的实施例。附图中的层或区域的厚度、尺寸或大小会为了清楚起见而放大。相同或相似的参考号码表示相同或相似的组件,以下段落将不再一一赘述。
图1A至图7A与图1B至图7B分别是依照本发明的一实施例的散热组件在不同阶段的制造过程中的部分俯视图与部分剖视图。图8至图10是接着图7B的部分剖视图。
在本实施例中,散热组件100的制造方法可以包括以下步骤。
请先参照图1A及图1B。提供衬底110。衬底110具有外表面110a,其中外表面110a可以包括上表面1101a与下表面1102a。
应说明的是,在本文中描述形成在外表面110a上的膜层代表形成在上表面1101a及下表面1102a上,但本发明不限于此。在未绘示的实施例中,描述形成在外表面110a上的膜层可以代表仅形成在上表面1101a或下表面1102a上。
在本实施例中,衬底110可以包括核心层112以及导电层114,其中导电层114形成在核心层112上。核心层112可以是多层结构。举例而言,核心层112可以由金属层(材料例如是铜)、绝缘层(材料例如是如聚丙烯)以及金属层(材料例如是铜)依序堆叠而成,但本发明不限于此,核心层112的层数与各层的排列方式都可以视实际需求而定。在一实施例中,上述金属层的厚度可以是18微米(micrometer,μm),但本发明不限于此。
核心层112具有上表面112a及下表面112b,其中导电层114可以形成在上表面112a及下表面112b上。导电层114具有第一表面114a以及相对于第一表面114a的第二表面114b,且第一表面114a可以构成衬底110的外表面110a。换句话说,导电层114的第一表面114a构成衬底110的上表面1101a及下表面1102a。导电层114的材料例如是铜。
在一实施例中,导电层114的厚度114h范围例如是2微米至5微米。在一实施例中,导电层114的厚度114h例如是3微米。在一实施例中,在进行后续工艺前可以进一步移除部分导电层114,减薄导电层114的厚度,以利于后续工艺的进行。举例而言,后续工艺中可以较容易地对导电层114进行刻蚀。
移除部分导电层114的方法例如是微蚀工艺(Micro etching)。在一实施例中,导电层114的厚度114h例如是从3微米减薄至2微米。
请同时参照图2A与图2B,在提供衬底110后,在外表面110a上形成干膜1201。干膜1201可以是覆盖导电层114的部分第一表面114a。
请同时参照图3A与图3B,在形成干膜1201后,对干膜1201进行曝光工艺,其中干膜1201中具有曝光部分1202以及未曝光部分形成的多个微孔图案1203。
请同时参照图4A与图4B,对干膜1201进行曝光工艺后,对干膜1201进行显影工艺,以形成图案化干膜120。在本实施例中,干膜1201的材料可以是正光阻,因此曝光部分1202可被显影液溶解而移除,而未被移除的多个微孔图案1203构成图案化干膜120。
在本实施例中,多个微孔图案1203可以暴露出部分导电层114的区域B。多个微孔图案1203可以是以阵列方式排列在衬底110上。
请同时参照图4A、图4B、图5A与图5B,在形成图案化干膜120后,在外表面110a上的多个微孔图案1203以外的区域B上形成导热层130。在一实施例中,导热层130的高度可以略低于微孔图案1203的高度,但本发明不限于此。形成导热层130的方法包括电镀工艺(Plating)。
在一实施例中,导热层130的导热率的范围例如是大于237Wm-1K-1。在一实施例中,导热层130的导热率的范围例如是237Wm-1K-1至401Wm-1K-1。导热层130的材料可以包括铜、银、金、铝。导热层130的厚度范围例如是2微米至25微米。然而,本发明不限于此,导热层130的材料与厚度可视实际需求而定。
请同时参照图6A与图6B,在形成导热层130后,移除图案化干膜120,以形成多个微孔140。如图6A所示,导热层130围绕多个微孔140,且导热层130构成多个微孔140的侧壁140s。在一实施例中,多个微孔140可以构成网状结构。
在本实施例中,多个微孔140可以具有较小的孔径R,且每一微孔140的孔径R基本上相同。每一微孔140的孔径R范围例如是17微米至23微米。在一实施例中,每一微孔140的孔径R例如是20微米。应说明的是,本发明不限制每一微孔140的孔径R,可视实际需求而定。
在本实施例中,每一微孔140具有远离导电层114的上孔径以及接近导电层114的下孔径,其中上孔径的尺寸与下孔径的尺寸基本上相同。
在本实施例中,由于图案化干膜120由多个微孔图案1203构成,因此在多个微孔图案1203以外的区域B上形成导热层130时,可以制造出较小孔径R,且孔径R基本上相同的多个微孔140,其中每一微孔140上孔径的尺寸与下孔径的尺寸基本上相同。
请同时参照图7A与图7B,在形成多个微孔140后,可以移除被多个微孔140所暴露出的导电层114,以暴露出核心层112。移除被多个微孔140所暴露出的导电层114的方法例如是刻蚀工艺。
请参照图8,在移除被多个微孔140所暴露出的导电层114后,可以形成绝缘膜150在衬底110上,其中绝缘膜150覆盖导热层130与多个微孔140。在一实施例中,绝缘膜150、导热层130、导电层114可以使微孔140形成如空穴(cavity)的结构。绝缘膜150的材料例如是聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。
请同时参照图8至图10,在形成绝缘膜150后,可以移除核心层112,以暴露出导电层114的第二表面114b。在一实施例中,如图10所示,可视实际需求剥除绝缘膜150,以利于后续进一步加工。经过上述工艺后即可大致上完成本实施例的散热组件100的制作。
综上所述,本发明由于图案化干膜由多个微孔图案构成,因此在多个微孔图案以外的区域上形成导热层时,可以制造出较小孔径,且孔径基本上相同的多个微孔,其中每一微孔上孔径的尺寸与下孔径的尺寸基本上相同。
虽然本发明已通过实施例的方式公开如上,然而其并非用于限定本发明,任何所属技术领域中具有公知常识的人,在不脱离本发明的精神和范围内,应当可以作出些许的更动与润饰,因此本发明的保护范围应当以权利要求所界定的范围为准。
符号说明
100:散热组件
110:衬底
110a、1101a、1102a、112a、112b、114a、114b:表面
112:核心层
114:导电层
114h:厚度
120:图案化干膜
1201:干膜
1202:曝光部分
1203:微孔图案
130:导热层
140:微孔
140s:侧壁
150:绝缘膜
B:区域
R:孔径

Claims (10)

1.一种散热组件的制造方法,包括:
提供衬底,所述衬底具有外表面;
形成图案化干膜在所述外表面上,其中所述图案化干膜由多个微孔图案所构成;
形成导热层在所述外表面的所述多个微孔图案以外的区域上;以及
移除所述图案化干膜,以形成多个微孔,其中所述导热层围绕所述多个微孔。
2.根据权利要求1所述的散热组件的制造方法,其特征在于,形成所述导热层的方法包括电镀工艺。
3.根据权利要求1所述的散热组件的制造方法,其特征在于,所述衬底包括:
核心层;
导电层,形成在所述核心层上,其中所述导电层具有第一表面与相对于所述第一表面的第二表面,且所述第一表面构成所述外表面。
4.根据权利要求3所述的散热组件的制造方法,其特征在于,所述导电层的厚度范围为2微米至5微米。
5.根据权利要求3所述的散热组件的制造方法,其特征在于,提供所述衬底与形成所述图案化干膜之间进一步包括:
移除部分所述导电层。
6.根据权利要求3所述的散热组件的制造方法,其特征在于,移除被所述多个微孔所暴露出的所述导电层之后进一步包括:
形成绝缘膜在所述衬底上,其中所述绝缘膜覆盖所述导热层与所述多个微孔;以及
移除所述核心层,以暴露出所述导电层的所述第二表面。
7.根据权利要求1所述的散热组件的制造方法,其特征在于,所述多个微孔的孔径基本上相同。
8.根据权利要求1所述的散热组件的制造方法,其特征在于,每一所述多个微孔具有上孔径以及下孔径,所述上孔径的尺寸与所述下孔径的尺寸基本上相同。
9.根据权利要求1所述的散热组件的制造方法,其特征在于,所述导热层构成所述多个微孔的侧壁。
10.根据权利要求1所述的散热组件的制造方法,其特征在于,所述多个微孔图案以阵列方式排列于所述衬底上。
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Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1540609A (zh) * 2003-04-25 2004-10-27 三星Sdi株式会社 电磁波屏蔽滤波器及其制造方法
JP2007103440A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 配線基板の製造方法および配線基板
TW200835411A (en) * 2007-02-15 2008-08-16 Unimicron Technology Corp Circuit structure and process thereof
US20090127716A1 (en) * 2005-07-15 2009-05-21 Ryo Takatsuki Integrated circuit chip component, multi-chip module, their integration structure, and their fabrication method
US20110124196A1 (en) * 2009-11-20 2011-05-26 Hynix Semiconductor Inc. Method for forming fine pattern in semiconductor device
CN102142487A (zh) * 2010-12-31 2011-08-03 东莞市中镓半导体科技有限公司 图形化GaN衬底的制备方法
CN104582332A (zh) * 2015-01-21 2015-04-29 广州兴森快捷电路科技有限公司 一种精细线路封装基板及其制备方法
CN106298463A (zh) * 2015-06-23 2017-01-04 南亚科技股份有限公司 形成图案的方法
US20170030654A1 (en) * 2009-03-06 2017-02-02 Kelvin Thermal Technologies, Inc. Thermal ground plane

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1540609A (zh) * 2003-04-25 2004-10-27 三星Sdi株式会社 电磁波屏蔽滤波器及其制造方法
US20090127716A1 (en) * 2005-07-15 2009-05-21 Ryo Takatsuki Integrated circuit chip component, multi-chip module, their integration structure, and their fabrication method
JP2007103440A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 配線基板の製造方法および配線基板
TW200835411A (en) * 2007-02-15 2008-08-16 Unimicron Technology Corp Circuit structure and process thereof
US20170030654A1 (en) * 2009-03-06 2017-02-02 Kelvin Thermal Technologies, Inc. Thermal ground plane
US20110124196A1 (en) * 2009-11-20 2011-05-26 Hynix Semiconductor Inc. Method for forming fine pattern in semiconductor device
CN102142487A (zh) * 2010-12-31 2011-08-03 东莞市中镓半导体科技有限公司 图形化GaN衬底的制备方法
CN104582332A (zh) * 2015-01-21 2015-04-29 广州兴森快捷电路科技有限公司 一种精细线路封装基板及其制备方法
CN106298463A (zh) * 2015-06-23 2017-01-04 南亚科技股份有限公司 形成图案的方法

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