CN112151414B - 支承单元和包括该支承单元的基板处理装置 - Google Patents

支承单元和包括该支承单元的基板处理装置 Download PDF

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Abstract

本发明涉及支承单元和包括该支承单元的基板处理装置。设置支承单元以支承基板。所述支承单元包括：支承板，所述支承板包括形成在所述支承板内部的减压流体通道；和凸缘部，所述凸缘部设置在形成于所述支承板的顶表面中的槽中。所述凸缘部的下区域在所述槽中连接到所述减压流体通道，并且所述凸缘部经由通过所述减压流体通道施加的减压而上下移动。

Description

支承单元和包括该支承单元的基板处理装置
相关申请的交叉引用
本发明要求2019年6月27日提交韩国知识产权局的第10-2019-0076897号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用整体并入本文。
技术领域
本发明构思的实施方案涉及支承单元和基板处理装置。
背景技术
通常，为了制造半导体设备，执行诸如清洁工艺、沉积工艺、光刻工艺、蚀刻工艺和离子注入工艺的各种工艺。被执行以形成图案的光刻工艺对于实现高度集成的半导体设备很重要。
执行光刻工艺以在基板上形成图案。在光刻工艺中，顺序地执行涂覆工艺、曝光工艺和显影工艺，并且各工艺包括多个基板处理步骤。基板处理步骤经受临时存储基板的过程，使得在执行一个处理步骤之后执行下一步骤。在临时存储基板的过程中，由于已被完全处理的基板通常被保持在高温状态。因此，执行冷却基板的工艺，使得基板被冷却。因此，对于基板执行光刻工艺的典型基板处理装置包括冷却板，以在临时存储基板的过程期间冷却基板。
图1是示出了典型冷却板的立体图。参照图1，冷却板5000通常具有形成在其中的流体通道5100，以允许冷却流体流动。此外，当基板被安置在冷却板5000上时，设置支承突起5200以防止基板直接与冷却板5000接触。然而，当考虑冷却板5000与基板之间的热传递时，在增加支承突起5200的高度方面存在限制。因此，冷却板5000的顶表面设置成靠近放置在冷却板5000上方的基板。当基板由冷却板5000冷却时，在基板的上区域和下区域之间产生压力差。因此，当通过提升销将基板从冷却板5000提升时，基板接收向下施加的力的现象即所谓的挤压效应。因此，当从冷却板5000提升基板时，基板反弹并因此破裂。因此，需要一种在消除挤压效应的情况下减小基板与冷却板5000之间距离的装置。
发明内容
本发明构思的实施方案提供了一种支承单元和包括该支承单元的基板处理装置，该基板处理装置能够有效地处理基板。
本发明构思的实施方案提供了一种在对基板执行热处理时能够减小基板与支承板之间的距离的支承单元，以及包括该支承单元的基板处理装置。
本发明构思的实施方案提供了一种能够使在对基板执行热处理时产生的挤压效应最小化的支承单元，以及包括该支承单元的基板处理装置。
本发明构思的实施方案提供了一种基板处理方法和基板处理装置，其能够通过将基板适当地安置在运送单元(carrying unit)的手中来使基板与手的偏差或基板的振动最小化。
在本发明构思中要实现的目的不限于上述，但是本领域技术人员将明显地理解未提及的其他目的。
根据示例性实施方案，提供了一种用于处理基板的装置。用于处理基板的装置可以包括：壳体，在所述壳体内部具有空间；以及支承单元，所述支承单元在所述空间中支承所述基板。所述支承单元可以包括：支承板，所述支承板具有形成在所述支承板内部的减压流体通道；温度调节构件，所述温度调节构件调节所述支承板的温度；和凸缘部(flanger)，所述凸缘部设置在形成于所述支承板的顶表面中的槽中。所述凸缘部的下区域可以在所述槽中连接到所述减压流体通道，并且所述凸缘部可以经由通过所述减压流体通道施加的减压(reduced pressure)而上下移动。
根据一实施方案，所述凸缘部可以具有穿过所述凸缘部的上部和下部的通孔，并且所述通孔可以与所述减压流体通道连通。
根据一实施方案，所述凸缘部可以包括：第一主体；和第二主体，所述第二主体从所述第一主体向上延伸，并且具有小于所述第一主体的直径的直径。
根据一实施方案，所述槽可以具有锁定台阶，所述锁定台阶在所述槽的横向方向上成阶梯状，并且锁定构件可以设置在所述第一主体的顶表面与所述锁定台阶之间。
根据一实施方案，所述装置还可以包括：设置在所述第一主体的底表面上的弹性构件。
根据一实施方案，所述第一主体可以包括从所述第一主体的底表面向上凹入的插入端部，所述插入端部可以与所述通孔连通，并且所述弹性构件可以插入所述插入端部中。
根据一实施方案，所述第二主体的上端可以具有圆形形状。
根据一实施方案，所述装置还可以包括：控制所述支承单元的控制器，并且所述控制器可以控制所述支承单元，从而当调节支承到所述支承单元的所述基板的温度时，通过使所述凸缘部随着通过所述减压流体通道施加所述减压而向下移动，来减小所述支承板与所述基板之间的距离。
根据一实施方案，销可以设置在所述支承板上，并且所述支承板的顶表面与所述销的上端之间的距离被设置成第一距离。
根据一实施方案，在所述凸缘部中，当不通过所述减压流体通道施加所述减压时，所述支承板的所述顶表面与所述销的所述上端之间的所述距离可以被设置成第二距离。当通过所述减压流体通道施加所述减压时，所述支承板的所述顶表面与所述销的所述上端之间的距离可以被设置为第三距离。所述第二距离可以大于所述第一距离，并且第三距离可以小于或等于所述第一距离。
根据一实施方案，所述减压流体通道可以包括：主流体通道；从所述主流体通道分支的第一流体通道；在一点处从所述主流体通道分支的第二流体通道，所述点不同于所述第一流体通道分支的点。所述第一流体通道可以连接到所述槽，并且所述第二流体通道可以延伸到所述支承板的所述顶表面。
根据一实施方案，所述支承板可以包括传热流体通道，由所述温度调节构件供应的流体流过所述传热流体通道。
根据一示例性实施方案，提供一种支承基板的支承单元。所述支承单元可以包括：支承板，所述支承板包括形成在所述支承板内部的减压流体通道；和凸缘部，所述凸缘部设置在形成于所述支承板的顶表面中的槽中，所述凸缘部的下区域可以在所述槽中连接到所述减压流体通道，并且所述凸缘部可以经由通过所述减压流体通道施加的减压而上下移动。
根据一实施方案，所述凸缘部可以具有穿过所述凸缘部的上部和下部的通孔，并且所述通孔可以与所述减压流体通道连通。
根据一实施方案，所述凸缘部可以包括：第一主体；和第二主体，所述第二主体从所述第一主体的顶表面向上延伸，并且具有小于所述第一主体的直径的直径。
根据一实施方案，所述槽可以具有锁定台阶，所述锁定台阶在所述槽的横向方向上成阶梯状，并且锁定构件可以介于所述第一主体的顶表面与所述锁定台阶之间。
根据一实施方案，所述装置还可以包括：设置在所述第一主体的底表面上的弹性构件。
根据一实施方案，所述第一主体可以包括从所述第一主体的底表面向上凹入的插入端部，所述插入端部可以与所述通孔连通，并且所述弹性构件可以插入所述插入端部中。
根据一实施方案，所述弹性构件可以是弹簧。
根据一实施方案，所述第二主体的上端可以具有圆形形状。
根据一实施方案，所述减压流体通道可以包括：主流体通道；从所述主流体通道分支的第一流体通道；在一点处从所述主流体通道分支的第二流体通道，所述点不同于所述第一流体通道分支的点。所述第一流体通道可以连接到所述槽，并且所述第二流体通道可以延伸到所述支承板的所述顶表面。
根据一实施方案，所述凸缘部可以包括包含合成树脂或陶瓷的材料。
根据一实施方案，温度调节构件可以进一步设置成调节所述支承板的温度。
附图说明
参照以下附图，上述和其他目的及特征将从以下描述中变得显而易见，其中，除非另有说明，否则贯穿各个附图，相同的附图标记指代相同的部件，且其中：
图1是示出了典型冷却板的立体图；
图2是示意性地示出了本发明构思的基板处理装置的立体图；
图3是基板处理装置的截面图，其示出了图2的涂覆块或显影块；
图4是图2的基板处理装置的平面图；
图5是示出了图4的运送单元的手的视图；
图6是示意性地示出了图4的热处理腔室的平面截面图；
图7是示出了图6的热处理腔室的前视截面图；
图8是示意性地示出了图4的热处理腔室的截面图；
图9是示出了图8的支承单元、缓冲板和支承轴的立体图；
图10是示出了根据本发明构思的实施方案的支承单元的平面图；
图11是示出了图10的支承单元的一部分的截面图；
图12和图13是示出了当支承单元安装在基板上时凸缘部的运动的截面图；
图14是示出了根据本发明构思的实施方案的支承单元的一部分的截面图；
图15是示出了根据本发明构思的另一实施方案的支承单元的一部分的截面图；以及
图16是示出了根据本发明构思的实施方案的支承单元的一部分的截面图。
具体实施方式
下文中，将参照附图详细描述本发明构思的实施方案，以允许本领域技术人员容易地复制本发明构思。然而，本发明构思可以以各种形式来实施，且不限于本文描述的实施方案。此外，在本发明构思的以下描述中，为了避免不必要地使本发明构思的主旨模糊，将省略对公知技术或功能的详细描述。此外，贯穿附图，执行相似功能和相似操作的部件将被指定为相同的附图标记。
当某部件“包括”某组件时，该某部件不排除其他组件，但如果存在特定的相反描述，则可能还包括其他组件。具体地，还应当理解的是，术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包含(includes)”或“包含(including)”、或“具有(having)”指定了所述的特征、数量、步骤、操作、组件、部件或其组合的存在，但不排除存在或添加一种或多种其他特征、数量、步骤、操作、组件、部件、和/或其结合。
除非上下文另有明确指示，否则单数形式旨在包括复数形式。此外，将放大附图中的元件形状和尺寸以用于更明显的描述。
图2是示意性地示出了本发明构思的基板处理装置的立体图；图3是基板处理装置的截面图，其示出了图2的涂覆块或显影块；图4是图2的基板处理装置的平面图。
参照图2到图4，用于处理基板的装置(基板处理装置)1包括索引模块20、处理模块30和接口模块40。根据一实施方案，索引模块20、处理模块30和接口模块40彼此顺序地对齐成直线。下文中，布置索引模块20、处理模块30和接口模块40的方向将被称为X轴方向12，当从上面观察时垂直于X轴方向12的方向将被称为Y轴方向14，以及垂直于X轴方向12和Y轴方向14的方向将被称为Z轴方向16。
索引模块20将基板“W”从容器10运送到处理模块30，以接收基板“W”，并且完全处理的基板“W”被接收到容器10中。索引模块20的长度方向设置在Y轴方向14上。索引模块20具有装载端口22和索引框架24。基于索引框架24，装载端口22被定位在处理模块30的相对侧处。具有基板“W”的容器10被放置在装载端口22中。可以设置多个装载端口22，并且多个装载端口22可以布置在Y轴方向14上。
容器10可以包括用于密封的容器10，诸如前开式晶圆盒(front open unifiedpod,FOUP)。容器10可以通过诸如高架传送器、高架输送机、或自动引导车辆的传送单元(未示出)而被放置在装载端口22上。
索引机械手2200设置在索引框架24内部。导轨2300设置在索引框架24中，导轨2300具有设置在Y轴方向14上的纵向方向，并且索引机械手2200可以设置成在导轨2300上可移动。索引机械手2200可以包括手2220，基板“W”被定位在该手中，并且手2220可以设置成向前和向后可移动、围绕Z轴方向16可旋转、以及在Z轴方向16上可移动。
处理模块30对基板“W”执行涂覆工艺和显影工艺。处理模块30具有涂覆块30a和显影块30b。涂覆块30a对基板“W”执行涂覆工艺，并且显影块30b对基板“W”执行显影工艺。设置多个涂覆块30a，并且多个涂覆块30a相互堆叠。设置多个显影块30b，并且多个显影块30b相互堆叠。根据图3的实施方案，设置两个涂覆块30a，并且设置两个显影块30b。涂覆块30a可以设置在显影块30b的下方。根据一实施例，两个涂覆块30a可以经历相同工艺并且可以以相同结构设置。此外，两个显影块30b可以经历相同工艺并且可以以相同结构设置。
参照图4，涂覆块30a具有热处理腔室3200、运送腔室3400、液体处理腔室3600和缓冲腔室3800。热处理腔室3200在基板“W”上执行热处理工艺。热处理工艺可以包括冷却工艺和加热工艺。液体处理腔室3600将液体供应到基板“W”上，以形成液膜。液膜可以是光刻胶膜或者增透膜(anti-reflection film)。运送腔室3400在涂覆块30a内部的热处理腔室3200和液体处理腔室3600之间运送基板“W”。
运送腔室3400具有平行于X轴方向12的纵向方向。运送单元3420设置在运送腔室3400中。运送单元3420在热处理腔室3200、液体处理腔室3600和缓冲腔室3800之间运送基板“W”。根据一实施例，运送单元3420可以包括手“A”，基板“W”被定位在该手“A”中，且手“A”可以设置为向前和向后可移动、围绕Z轴方向16可旋转、以及在Z轴方向16上可移动。导轨3300设置在运送腔室3400中，导轨3300具有与X轴方向12平行的纵向方向，并且运送单元3420可以设置成在导轨3300上可移动。
图5是示出了图4的运送单元的手的视图。参照图5，手“A”具有基部3428和支承突起3429。基部3428可以具有环形状，其中圆周的一部分是弯曲的。基部3428具有大于基板“W”的直径的内径。支承突起3429从基部3428向内延伸。多个支承突起3429设置成支承基板“W”的边缘区域。根据一实施例，可以以相等的距离设置四个支承突起3429。
返回参照图3和图4，设置多个热处理腔室3200。热处理腔室3200在X轴方向12上并排布置。热处理腔室3200被定位在运送腔室3400的一侧处。
图6是示意性地示出了图4的热处理腔室的平面截面图，并且图7是示出了图6的热处理腔室的前视截面图。热处理腔室3200包括处理容器3201、冷却单元3220和加热单元3230。
处理容器3201具有内部空间3202。处理容器3201具有大致矩形平行六面体的形状。处理容器3201在其侧壁中形成有入口(未示出)，以引入或撤回基板“W”。此外，门(未示出)可以被设置成选择性地打开或关闭入口。入口可以选择性地维持在打开状态。入口可以在邻近冷却单元3220的区域中形成。冷却单元3220和加热单元3230设置在处理容器3201的内部空间3202中。冷却单元3220和加热单元3230在Y轴方向14上并排设置。排出管线3210可以连接到处理容器3201。排出管线3210可以将由风扇单元供应的气体从处理容器3201中排出。排出管线3210可以连接到处理容器3201的下部。然而，本发明构思并不限于此，而是排出管线3210可以连接到处理容器3201的侧部。
冷却单元3220具有冷却板3222。基板“W”可以安置在冷却板3222上。当从上方观察时，冷却板3222可以具有大致圆形的形状。冷却构件(未示出)设置在冷却板3222中。根据一实施方案，冷却构件可以形成在冷却板3222的内部中，以用作冷却流体流过的流体通道。因此，冷却板3222可以冷却基板“W”。冷却板3222可以具有与基板“W”的直径相对应的直径。凹口(notch)可以形成在冷却板3222的边缘中。凹口可以具有与在上述手“A”中形成的支承突起3429相对应的形状。此外，凹口的数量可以设置成与在手“A”中形成的支承突起3429的数量相对应，并且凹口可以在与支承突起3429相对应的位置处形成。当改变手“A”和冷却板3222的竖直位置时，基板“W”在手“A”与冷却板3222之间传送。在冷却板3222中以缝的形状设置多个引导槽3224。引导槽3224从冷却板3222的端部延伸到冷却板3222的内部。引导槽3224的纵向方向设置在Y轴方向14上，并且引导槽3224被定位成在X轴方向12上彼此间隔开。当基板“W”在冷却板3222与加热单元3230之间传送时，引导槽3224防止冷却板3222干扰提升销3236。
冷却板3222可以由支承构件3237支承。支承构件3237可以包括杆形状的第一支承构件，以及耦接到第一支承构件的中间部的第二支承构件。第一支承构件的一端和相对端耦接到驱动器3226。驱动器3226安装在导轨3229上。导轨3229可以具有设置在Y轴方向14上的纵向方向，并且当从上方观察时，导轨3229可以设置在处理容器3201的相对侧处。冷却板3222可以通过安装在导轨3229上的驱动器3226在Y轴方向14上移动。
加热单元3230可以包括壳体3232、加热板3234、加热器3235、提升销3236和驱动构件3238。壳体3232可以包括主体和盖。主体可以设置在盖下方。主体可以具有敞开的上部的形状。主体可以具有圆柱体的形状，该圆柱体具有敞开的上部。盖可以覆盖主体的上部。盖可以具有圆柱体的形状，该圆柱体具有敞开的下部。替代地，盖可以具有板的形状，以覆盖主体的上部。主体和盖彼此结合以形成处理空间3233。此外，盖可以耦接到驱动构件3238以使盖在竖直方向上移动。因此，盖可以上下移动以打开或关闭处理空间3233。例如，当基板“W”被引入处理空间3233中或者从处理空间3233撤回时，盖被提升以打开处理空间3233。此外，当基板“W”在处理空间3233中进行处理时，盖向下移动以关闭处理空间3233。
加热板3234可以在处理空间3233中支承基板“W”。基板“W”可以安置在加热板3234上。当从上方观察时，加热板3234可以具有大致圆形的形状。加热板3234可以具有大于基板“W”的直径的直径。加热器3235放置在加热板3234中。加热器3235可以以电流被施加到的加热电阻器的形式提供。因此，加热板3234可以加热基板“W”。提升销3236设置在加热板3234上，以沿Z轴方向16在竖直方向上被驱动。提升销3236从加热单元3230外部的输送单元接收基板“W”、以将基板“W”放置在加热板3234上，或从加热板3234提升基板“W”、以将基板“W”传输到加热单元3230外部的运送单元。根据一实施方案，可以设置三个提升销3236。
返回参照图3和图4，设置多个缓冲腔室3800。缓冲腔室3800中的一些介于索引模块20和运送腔室3400之间。在下文中，这些缓冲腔室被称为前缓冲区。多个前缓冲区3802在竖直方向上设置并且彼此相互堆叠。其他缓冲腔室介于运送腔室3400和接口模块40之间。这些缓冲腔室被称为后缓冲区3804。多个后缓冲区3804在竖直方向上设置并且彼此相互堆叠。前缓冲区3802和后缓冲区3804临时存储多个基板“W”。存储在前缓冲区3802中的基板“W”由索引机械手2200和运送机械手3420引入和撤回。存储在后缓冲区3804中的基板“W”由运送单元3420和第一机械手4602引入和撤回。
图8是示意性地示出了图4的缓冲腔室的立体图。参照图8，缓冲腔室3800可以包括壳体3810、缓冲板3820和支承单元4000。
壳体3810在其中具有空间。壳体3810的内部空间可以用作临时存储基板的空间。壳体3810具有大致矩形平行六面体的形状。壳体3810具有敞开的相对侧部。例如，壳体3810的敞开的相对侧部彼此相对地定位，并且敞开的相对侧部之一被设置成朝向索引模块20。壳体3810的敞开的相对侧部用作入口，以引入或撤回基板“W”。
基部3812设置在壳体3810内部。基部3812可以以矩形板的形式来设置。可以设置多个基部3812。基部3812在竖直方向上彼此间隔开。因此，在竖直方向上基部3812的内部空间被划分。例如，设置了三个基部3812。替代地，可以设置两个或更少、或四个或更多的基部3812。
图9是示出了图8的支承单元、缓冲板和支承轴的立体图。参照图9，缓冲板3820和支承单元4000被定位在壳体3810的划分的内部空间中。缓冲板3820和支承单元4000被定位，且在竖直方向上彼此间隔开。缓冲板3820和支承单元4000顺序地向下布置。根据一实施例，设置多个支承单元4000，并且可以顺序地布置缓冲板3820和支承单元4000。替代地，可以设置多个缓冲板3820。缓冲板3820和支承单元4000可以具有圆板形状。
多个支承单元4000介于基部3812与缓冲板3820之间。多个支承单元4000被定位，且在竖直方向上彼此间隔开。多个支承单元4000彼此相互堆叠，且彼此相邻。基板“W”可以安置在支承单元4000上。
支承轴3850支承缓冲板3820和支承单元4000。支承轴3850可以包括多个支承块3850a、3850b、3850c、3850d和3850e。支承块3850a、3850b、3850c、3850d和3850e被布置，且彼此相互堆叠。支承块3850a、3850b、3850c、3850d和3850e以矩形平行六面体形状进行设置。支承块3850a、3850b、3850c、3850d和3850e分别支承支承单元4000。
图10是示出了根据本发明构思的实施方案的支承单元的平面图。参照图10，支承单元4000可以包括支承板4100、减压构件4200、温度调节构件4300、凸缘部4400、销4500和控制器。
当从上方观察时，冷却板4100可以具有大致圆形的形状。支承板4100可以在其外圆周部中形成有凹口。可以形成多个凹口。
支承板4100可以具有减压流体通道4110。减压流体通道4110可以形成在支承板4100内部。当从上方观察时，减压流体通道4110可以形成在支承板4100的中心区域与边缘区域之间。当从上方观察时，减压流体通道4110具有连接到减压构件4200的一端、和分成多个部分的相对端。分成多个部分的减压流体通道4110可以形成在支承板4100内部，以形成围绕支承板4100的中心的同心圆。此外，分成多个部分的减压流体通道4110可以彼此连通。
减压构件4200可以减小减压流体通道4110中的压力。减压构件4200可以连接到减压流体通道4110的一端。减压构件4200可以是泵。然而，本发明构思不限于此，而是减压构件4200可以被修改为公知的设备以减小减压流体通道4110中的压力。
传热流体通道4160可以形成在支承板4100中。传热流体通道4160可以形成在支承板4100中。当从上方观察时，传热流体通道4160可以形成在支承板4100的中心区域、中间区域和边缘区域之间。传热流体通道4160可以连接至温度调节构件4300。
温度调节构件4300可以调节支承板4100的温度。温度调节构件4300可以包括冷却剂供应源4310、冷却剂供应管线4312和排放管线4314。冷却剂供应源4310可以存储冷却流体。冷却剂供应源4310可以连接到冷却剂供应管线4312。冷却剂供应源4310可以将冷却流体供应到冷却剂供应管线4312。冷却剂供应管线4312可以连接到传热流体通道4160的一端。排放管线4314可以连接到传热流体通道4160的相对端。换句话说，当冷却剂供应源4310供应冷却流体时，冷却流体可以通过冷却剂供应管线4312被传送到传热流体通道4160，使得冷却流体流过传热流体通道4160。因此，支承板4100可以被冷却。流过传热流体通道4160的冷却流体可以通过排放管线4314被排放到外部。
此外，支承板4100可以包括凸缘部4400和销4500。凸缘部4400和销4500可以支承基板“W”。凸缘部4400可以经由通过减压流体通道4110施加的减压而上下移动。销4500的高度可以是固定的。
控制器可以控制基板处理装置1。控制器可以控制支承单元4000。控制器可以控制减压构件4200和温度调节构件4300。控制器可以通过控制减压构件4200来减小减压流体通道4110中的压力，或者可以停止减小压力。控制器可以调节减压流体通道4110中要减小的压力的大小。控制器可以通过控制减压构件4200在竖直方向上移动凸缘部4400。控制器可以通过控制温度调节构件4300来将冷却流体供应到传热流体通道4160或停止冷却流体的供应。控制器可以通过调节温度调节构件4300来调节每单位时间供应到传热流体通道4160的冷却流体的量。控制器可以通过控制温度调节构件4300来改变支承板4100的温度。
图11是示出了图10的支承单元的一部分的截面图。参照图11，减压流体通道4110可以形成在支承板4100中。减压流体通道4110可以包括主流体通道4112、第一流体通道4114和第二流体通道4116。主流体通道4112可以连接至上述的冷却剂供应管线4312。第一流体通道4114可以从主流体通道4112分支。第二流体通道4116可以从主流体通道4112分支。第二流体通道4116可以在与第一流体通道4114分支的点不同的点处从主流体通道4112分支。
此外，可以在支承板4100中形成槽。支承板4100可以具有第一槽4120和第二槽4130。第一槽4120和第二槽4130可以被形成为从支承板4100的顶表面向下凹入。第一槽4120比第二槽4130更深地凹入。第一槽4120可以具有在第一槽4120的横向方向上成阶梯状的第一锁定台阶4122。第二槽4130可以具有在第二槽4130的横向方向上成阶梯状的第二锁定台阶4132。
此外，支承板4100可以具有形成在其中的真空孔4140。真空孔4140可以形成在支承板4100的顶表面中。当从上方观察时，真空孔4140可以具有圆形形状。
上述的减压流体通道4110的第一流体通道4114可以连接到第一槽4120。减压流体通道4110的第二流体通道4116可以延伸到支承板4100的顶表面以形成真空孔4140。
凸缘部4400可以设置在第一槽4120中。凸缘部4400的一部分可以设置在第一槽4120中，并且凸缘部4400的另一部分可以设置在第一槽4120的外部。凸缘部4400可以具有通孔4403。通孔4403可以穿过凸缘部4400的上部和下部。通孔4403可以与减压流体通道4110连通。通孔4403可以与第一流体通道4114连通。第一槽4120中的凸缘部4400的下区域可以连接至减压流体通道4110。凸缘部4400的下区域可以连接到第一流体通道4114。
凸缘部4400可以包括第一主体4401和第二主体4402。第一主体4401可以具有圆柱体的形状，该圆柱体具有敞开的上部和下部。第二主体4402可以具有圆柱体的形状，该圆柱体具有敞开的上部和下部。第二主体4402的直径可以小于第一主体4401的直径。第二主体4402可以从第一主体4401的顶表面向上延伸。第二主体4402的上端可以具有圆形形状。因此，当安置基板“W”时，可以防止基板“W”的底表面被刮擦。
凸缘部4400可以由包含合成树脂或陶瓷(AlO3)的材料形成。合成树脂可以是聚醚醚酮(Peek)树脂。合成树脂可以是聚苯并咪唑(PBI)树脂。
第一锁定构件4410可以介于第一主体4401的顶表面与第一锁定台阶4122之间。第一锁定构件4410可以具有环形形状。第一锁定构件4410可以具有带有敞开的一侧的环形形状。第一锁定构件4410可以是C形环。第一锁定构件4410可以介于第一锁定台阶4122与第一主体4401的顶表面之间，以防止当凸缘部4400上下移动时凸缘部4400发生偏离。当连续使用凸缘部4400时需要更换凸缘部4400时，第一锁定构件4410被移除，并且凸缘部4400可以与第一槽4120分离。
弹性构件4420可以设置在第一主体4401的底表面上。弹性构件4420可以设置在第一槽4120中。弹性构件4420可以是弹簧。弹性构件4420的上端可以与第一主体4401的底表面接触。弹性构件4420的下端可以与第一槽4120的底表面接触。弹性构件4420可以使凸缘部4400在竖直方向上移动。例如，当减压流体通道4110中的压力减小时，在连接到减压流体通道4110的第一槽4120中的压力减小。此外，凸缘部4400可以经由通过减压流体通道4110施加的减压而向下移动。此外，减压流体通道4110中的压力减小停止，即使在连接到减压流体通道4110的第一槽4120中，也可以停止压力的减小。此外，由于弹性构件4420的弹力，凸缘部4400可以向上移动。
销4500可以设置在第二槽4130中。销4500的一部分可以设置在第二槽4130中，而销4500的另一部分可以设置在第二槽4130的外部。销4500可以是Proximiti销。支承板4100的顶表面与销4500的上端之间的距离可以是固定的。换句话说，销4500的高度可以是固定的。销4500可以由设置在第二槽4130的第二锁定台阶4132的第二锁定构件4510固定。可以通过设置到第二锁定台阶4132的第二锁定构件4510来防止销4500的偏离。
第二锁定构件4510可以具有环形形状。第二锁定构件4510可以具有带有敞开的一侧的环形形状。第二锁定构件4510可以是C形环。当由于连续使用销4500而需要更换销4500时，第二锁定构件4510被移除并且销4500可以与第二槽4130分离。此外，可以在支承板4100中形成分离孔4150，以容易地将销4500从第二槽4130移除。分离孔4150可以从支承板4100的底表面延伸到第二槽4130。
图12和图13是示出了当基板安置在支承单元上时凸缘部的运动的视图。参照图12，当基板“W”安置在支承单元4000上时，支承板4100的顶表面与销4500的上端之间的距离可以设置为第一距离“D1”。此外，当基板“W”安置在支承单元4000上时，支承突起3429的顶表面与凸缘部4400的上端之间的距离可以设置为第二距离“D2”。换句话说，当减压流体通道4110中的压力没有减小时，支承板4100的顶表面与凸缘部4400的上端之间的距离可以设置为第二距离“D2”。第二距离“D2”可以大于第一距离“D1”。
参照图13，当调节由支承单元4000支承的基板“W”的温度时，减压流体通道4110中的压力减小。在减压流体通道4110中减小的压力被传递到第一槽4120。因此，凸缘部4400向下移动，因此支承板4100与基板“W”之间的距离变窄。当凸缘部4400向下移动时，支承板4100的顶表面与凸缘部4400的上端之间的距离可以是第三距离“D3”。换句话说，当减压流体通道4110中的压力减小时，支承板4100的顶表面与凸缘部4400的上端之间的距离可以设置为第三距离“D3”。第三距离“D3”可以小于第一距离“D1”。第三距离“D3”可以等于第一距离“D1”。此外，当调节基板“W”的温度时，在减压流体通道4110中减小的压力甚至被传递到凸缘部4400的通孔4403。因此，基板“W”可以被抽吸到通孔4403。此外，在减压流体通道4110中减小的压力甚至被传递到真空孔4140。因此，基板“W”可以被稳定地安置在支承单元4000上。
当通过支承板4100传递的热量已经完全调节了基板“W”的温度时，可以停止减压流体通道4110中的压力的减小。因此，凸缘部4400可以类似地被改变成图2中所示的状态。换句话说，当减压流体通道4110中的压力的减小停止时，凸缘部4400可以通过弹性构件4420的弹力而向上移动。因此，由凸缘部4400支承的基板“W”可以向上移动。
当在典型冷却板上冷却基板时，在基板的上部和下部之间产生压力差。此外，当从冷却板提升基板时，基板接收沿冷却板的方向施加的力，因此引起挤压效应。因此，当提升基板时，基板被弹起。因此，基板破裂。
然而，根据本发明构思的实施方案，当基板“W”的温度已经被完全调节时，减压流体通道4110中的压力的减小停止。因此，凸缘部4400向上移动。当凸缘部4400向上移动时，基板“W”可以与支承板4100间隔开。在这种情况下，通过凸缘部4400向上施加到基板“W”的底表面的力通过弹性构件4420的弹力产生。换句话讲，凸缘部4400由于基板“W”的上部与下部之间的压力差而向上移动。例如，当基板“W”的上部与下部之间的压力差增加时，凸缘部4400可以缓慢地向上移动。因此，可以消除上述的挤压效应。
此外，根据本发明构思的实施方案，基板“W”与支承板4100的顶表面之间的距离是在基板“W”安置于支承单元4000上的时间点时的第二距离“D2”。此外，在调节基板“W”的温度的情况下，基板“W”与支承板之间的距离是第一距离“D1”。第一距离“D1”小于第二距离“D2”。换句话说，当调节基板“W”的温度时，基板“W”与支承板4100之间的距离可以被最小化。因此，可以增强处理基板“W”的效率。
此外，当在凸缘部4400中未形成通孔4403时，第二流体通道4116和真空孔4140应当形成在与凸缘部4400相邻的区域中。否则，压力减小的点与支承凸缘部4400的点之间的距离增加。在这种情况下，基板“W”会由于施加到真空孔4140的压力而弯曲。此外，载荷可以被施加到凸缘部4400。然而，根据本发明构思的实施方案，在凸缘部4400中形成通孔4403。因此，凸缘部4400可以抽吸基板“W”的底表面。换句话说，由于凸缘部4400可以抽吸基板“W”，第二流体通道4116的位置可以自由地改变，如图14中所示。
此外，当弯曲的基板“W”被安置在支承单元4000上时，仅通过凸缘部4400可能难以适当地安置基板“W”。第二流体通道4116和真空孔4140可以减小施加到基板“W”的底表面的压力，使得弯曲的基板“W”被适当地安置。换句话说，第二流体通道4116和真空孔4140可以补充凸缘部4400对基板“W”的抽吸。
返回参照图2到图4，显影块30b具有热处理腔室3200、运送腔室3400和液体处理腔室3600。显影块30b中的热处理腔室3200、运送腔室3400和液体处理腔室3600具有与涂覆块30a中的热处理腔室3200、运送腔室3400和液体处理腔室3600基本相似的结构和布置，因此将省略其细节。然而，显影块30b中的所有液体处理腔室3600供应相同的显影液体，使得基板“W”经受显影处理。
接口模块40将处理模块30与外部曝光设备50连接。接口模块40具有接口框架4100、附加工艺腔室4200、接口缓冲区4800和运送构件4600。
风扇过滤器单元可以设置在接口框架4100的上端上，以在接口框架4100中形成下降的气流。附加工艺腔室4200、接口缓冲区4800和运送构件4600设置在接口框架4100内部。在涂覆块30a中经受工艺的基板“W”在被引入到曝光设备50中之前可以在附加工艺腔室4200中经受预定的附加工艺。替代地，在曝光装置50中经受工艺的基板“W”在被引入显影块30b中之前可以在附加工艺腔室4200中经受预定的附加工艺。根据一实施方案，附加工艺可以是用于使基板“W”的边缘区域曝光的边缘曝光工艺、用于清洁基板“W”的顶表面的顶表面清洁工艺、或用于清洁基板“W”的底表面的底表面清洁工艺。可以设置多个附加工艺腔室4200，并且多个附加工艺腔室4200可以设置为彼此堆叠。所有的附加工艺腔室4200可以被设置成执行相同的工艺。替代地，一些附加工艺腔室4200可以被设置成执行相互不同的工艺。
接口缓冲区4800提供用于暂时安放基板“W”的空间，该基板“W”在接口缓冲区4800、涂覆块30a、附加工艺腔室4200、曝光设备50和显影块30b之间运送。设置多个接口缓冲区4800，并且多个接口缓冲区4800可以被设置为彼此堆叠。
根据一实施方案，当基于沿运送腔室3400的纵向方向延伸的线观察时，附加工艺腔室4200可以设置在一侧处，并且接口缓冲区4800可以设置在相对侧处。
运送构件4600在涂覆块30a、附加工艺腔室4200、曝光设备50和显影块30b之间运送基板“W”。运送构件4600可以设置有一个或多个机械手。根据一实施方案，运送构件4600具有第一机械手4602和第二机械手4606。第一机械手4602可以设置成在涂覆块30a、附加工艺腔室4200和接口缓冲区4800之间运送基板“W”，并且接口机械手4606可以设置成在接口缓冲区4800和曝光设备50之间运送基板“W”，并且第二机械手4604可以设置成在接口缓冲区4800和显影块30b之间运送基板“W”。
第一机械手4602和第二机械手4606可以包括手，基板“W”放置在该手中，并且手可以设置成向前和向后可移动、围绕Z轴方向16可旋转、以及在Z轴方向16上可移动。
尽管已经描述了上述实施方案，其中弹性构件4420设置在第一主体4401的底表面上，但是本发明构思不限于此。例如，如图15中所示，插入端部4405可以形成在第一主体4401中。插入端部4405可以从第一主体4401的底表面向上凹入。插入端部4405可以与通孔4403连通。弹性构件4420的上部可以被插入到插入端部4405中。根据本发明构思的另一实施方案，由于弹性构件4420被插入到插入端部4405中，所以可以防止弹性构件4420摇动或偏离其位置。
尽管已经描述了上述实施方案，其中弹性构件4420设置在第一槽4120中，但是本发明构思不限于此。例如，如图16中所示，第一槽4120可以穿过减压流体通道4110，并且可以从减压流体通道4110向下凹入。此外，弹性构件4420的下端可以设置在第一槽4120中，该第一槽4120位于比减压流体通道4110低的位置。弹性构件4420的中间端可以设置在减压流体通道4110中。此外，弹性构件4420的上端可以设置在第一槽4120中，该第一槽4120位于比减压流体通道4110高的位置。
如上所述，根据本发明构思的实施方案，可以有效地处理基板。
另外，根据本发明构思的实施方案，当对基板进行热处理时，可以减小基板与支承板之间的距离。
此外，根据本发明构思的实施方案，可以使当基板被热处理时引起的挤压效应最小化。
本发明构思的效果不限于上述效果，且本领域技术人员可从本说明书和附图中清楚地理解除了以上效果外的效果。
出于说明性目的进行了以上描述。此外，上述内容描述了本发明构思的示例性实施方案，并且本发明构思可以用于各种其他的组合、变化和环境中。也就是说，在不脱离本说明书中公开的本发明构思的范围、书面公开的等同范围、和/或本领域技术人员的技术或知识范围的情况下，可以对本发明构思进行修改和修正。书面实施方案描述了实现本发明构思的技术精神的最佳状态，且可以进行本发明构思的详细应用领域和目的所需的各种改变。此外，应该解释的是，所附权利要求包括其他实施方案。
尽管已经参考示例性实施方案描述了本发明构思，但是对于本领域技术人员将显而易见的是，在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下，可以进行各种改变和修改。因此，应当理解，以上实施例不是限制性的，而是说明性的。

Claims (17)

1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
壳体，在所述壳体内部具有空间；和
支承单元，所述支承单元在所述空间中支承所述基板，
其中，所述支承单元包括：
支承板，所述支承板具有形成在所述支承板内部的减压流体通道；
温度调节构件，所述温度调节构件配置为调节所述支承板的温度；和
凸缘部，所述凸缘部设置在形成于所述支承板的顶表面中的槽中，其中，所述凸缘部的下区域在所述槽中连接到所述减压流体通道，并且
其中，所述凸缘部经由通过所述减压流体通道施加的减压而上下移动；
其中，所述装置还包括控制器，所述控制器配置为控制所述支承单元，并且其中，所述控制器配置为：控制所述支承单元，从而当调节支承到所述支承单元的所述基板的温度时，通过使所述凸缘部随着通过所述减压流体通道施加所述减压而向下移动来减小所述支承板与所述基板之间的距离；
其中，销设置在所述支承板上，并且所述支承板的顶表面与所述销的上端之间的距离被设置成第一距离；
其中，在所述凸缘部中，当不通过所述减压流体通道施加所述减压时，所述支承板的所述顶表面与所述销的所述上端之间的所述距离被设置成第二距离，当通过所述减压流体通道施加所述减压时，所述支承板的所述顶表面与所述销的所述上端之间的所述距离被设置成第三距离，
其中，所述第二距离大于所述第一距离，并且所述第三距离小于或等于所述第一距离。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述凸缘部具有穿过所述凸缘部的上部和下部的通孔，并且
其中，所述通孔与所述减压流体通道连通。
3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述凸缘部包括：
第一主体；和
第二主体，所述第二主体从所述第一主体向上延伸，并且具有小于所述第一主体的直径的直径。
4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述槽具有锁定台阶，所述锁定台阶在所述槽的横向方向上成阶梯状，并且
其中，锁定构件设置在所述第一主体的顶表面与所述锁定台阶之间。
5.根据权利要求3所述的装置，所述装置还包括：
设置在所述第一主体的底表面上的弹性构件。
6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述第一主体包括从所述第一主体的底表面向上凹入的插入端部，
其中，所述插入端部与所述通孔连通，并且
其中，所述弹性构件插入所述插入端部中。
7.根据权利要求3所述的装置，其中，所述第二主体的上端具有圆形形状。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的装置，其中，所述减压流体通道包括：
主流体通道；
从所述主流体通道分支的第一流体通道；
在一点处从所述主流体通道分支的第二流体通道，所述点不同于所述第一流体通道分支的点，
其中，所述第一流体通道连接到所述槽，并且
其中，所述第二流体通道延伸到所述支承板的所述顶表面。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的装置，其中，所述支承板包括传热流体通道，由所述温度调节构件供应的流体流过所述传热流体通道。
10.一种支承基板的支承单元，所述支承单元包括：
支承板，所述支承板包括形成在所述支承板内部的减压流体通道；
凸缘部，所述凸缘部设置在形成于所述支承板的顶表面中的槽中；和
控制器，所述控制器配置为控制所述支承单元，
其中，所述凸缘部的下区域在所述槽中连接到所述减压流体通道，并且
其中，所述凸缘部经由通过所述减压流体通道施加的减压而上下移动；
其中，所述控制器配置为：控制所述支承单元，从而当调节支承到所述支承单元的所述基板的温度时，通过使所述凸缘部随着通过所述减压流体通道施加所述减压而向下移动来减小所述支承板与所述基板之间的距离；
其中，销设置在所述支承板上，并且所述支承板的顶表面与所述销的上端之间的距离被设置成第一距离；
其中，在所述凸缘部中，当不通过所述减压流体通道施加所述减压时，所述支承板的所述顶表面与所述销的所述上端之间的所述距离被设置成第二距离，当通过所述减压流体通道施加所述减压时，所述支承板的所述顶表面与所述销的所述上端之间的所述距离被设置成第三距离，
其中，所述第二距离大于所述第一距离，并且所述第三距离小于或等于所述第一距离。
11.根据权利要求10所述的装置，其中，所述凸缘部具有穿过所述凸缘部的上部和下部的通孔，并且
其中，所述通孔与所述减压流体通道连通。
12.根据权利要求11所述的装置，其中，所述凸缘部包括：
第一主体；和
第二主体，所述第二主体从所述第一主体的顶表面向上延伸，并且具有小于所述第一主体的直径的直径。
13.根据权利要求12所述的装置，其中，所述槽具有锁定台阶，所述锁定台阶在所述槽的横向方向上成阶梯状，并且
其中，锁定构件介于所述第一主体的顶表面与所述锁定台阶之间。
14.根据权利要求12所述的装置，所述装置还包括：
设置在所述第一主体的底表面上的弹性构件。
15.根据权利要求14所述的装置，其中，所述第一主体包括从所述第一主体的底表面向上凹入的插入端部，
其中，所述插入端部与所述通孔连通，并且
其中，所述弹性构件插入所述插入端部中。
16.根据权利要求14或15所述的装置，其中，所述弹性构件是弹簧。
17.根据权利要求12所述的装置，其中，所述第二主体的上端具有圆形形状。
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