CN112133670A - 晶圆清洗设备及其晶圆清洗方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种晶圆清洗设备及其晶圆清洗方法，所述晶圆清洗设备包括清洗槽、支撑组件、夹持组件、第一驱动机构和第二驱动机构，所述清洗槽用于盛放清洗介质；所述支撑组件可移动地设置于所述清洗槽内，用于承载晶圆，并带动所述晶圆在所述清洗槽内移动；所述夹持组件设置于所述清洗槽内，用于夹持承载在所述支撑组件上的晶圆；所述第一驱动机构与所述支撑组件相连，并驱动所述支撑组件移动；所述第二驱动机构与所述夹持组件相连，并驱动所述夹持组件夹持所述晶圆。上述方案能够解决目前的晶圆清洗设备导致晶圆利用率较低的问题。

Description

晶圆清洗设备及其晶圆清洗方法
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆清洗设备及其晶圆清洗方法。
背景技术
在半导体器件的制备过程中，通常需要对晶圆进行清洗以去除晶圆表面的杂质，进而避免晶圆被污染。目前，现有的晶圆清洗设备均是将晶圆放置在承载结构上，由于晶圆始终会存在局部与承载结构接触，因此会导致晶圆的接触部位不能有效清洗，且在干燥步骤中，接触部位还易产生水印和杂质聚集。上述情况都会导致晶圆的接触部位不能被使用，而存在晶圆利用率较低的问题。
发明内容
本发明公开一种晶圆清洗设备及其晶圆清洗方法，以解决目前的晶圆清洗设备导致晶圆利用率较低的问题。
为了解决上述问题，本发明采用下述技术方案：
第一方面，本发明提供一种晶圆清洗设备，所述晶圆清洗设备包括：
清洗槽，用于盛放清洗介质；
支撑组件，可移动地设置于所述清洗槽内，用于承载晶圆，并带动所述晶圆在所述清洗槽内移动；
夹持组件，设置于所述清洗槽内，用于夹持承载在所述支撑组件上的晶圆；
第一驱动机构，所述第一驱动机构与所述支撑组件相连，并驱动所述支撑组件移动；
第二驱动机构，所述第二驱动机构与所述夹持组件相连，并驱动所述夹持组件夹持所述晶圆。
第二方面，本发明提供一种晶圆清洗方法，其采用了前述的晶圆清洗设备来清洗晶圆。所述清洗方法包括如下步骤：
向所述清洗槽中注入清洗介质，移动所述支撑组件至装载位置，装载所述晶圆至所述支撑组件上；
移动所述支撑组件至工作位置，使所述晶圆浸没于所述清洗介质中，并维持浸没状态第一预设时间；
排放所述清洗介质，同时向所述清洗槽内通入第一干燥气体；
当所述清洗介质下降到第一排空位置，控制所述夹持组件夹持所述晶圆，且所述支撑组件移动至初始位置；其中，所述第一排空位置为所述夹持组件完全外露于所述清洗介质且所述支撑组件完全浸没于所述清洗介质的液位；
当所述清洗介质排空后，停止通入所述第一干燥空气，并向所述清洗槽内通入第二干燥空气，维持通入所述第二干燥空气第二预设时间；
移动所述支撑组件至工作位置，控制所述夹持组件与所述晶圆脱离，再移动所述支撑组件至装载位置，并将所述晶圆从清洗槽内传出；
其中，所述装载位置、所述工作位置和所述初始位置沿所述清洗槽的高度方向从上向下依次排布。
本发明采用的技术方案能够达到以下有益效果：
在本发明公开的晶圆清洗设备和晶圆清洗方法中，通过支撑组件和夹持组件可分别在晶圆的不同部位起到支持作用，因此能够对晶圆的整个表面进行彻底清洗。
相较于现有技术，本发明公开的晶圆清洗设备不仅能够彻底清洗晶圆，还能够有效避免在晶圆上产生水印和杂质聚集，无疑具备更优的清洗效果，进而大幅提升了晶圆的表面利用率。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1～图9为本发明实施例公开的晶圆清洗设备的工作流程图；
图10为本发明实施例公开的支撑组件的工作原理示意图；
图11和图12为本发明实施例公开的夹持组件不同视角下的结构示意图；
图13为关于图12中A处的局部放大图；
图14为本发明实施例公开的夹持组件在一种视角下的工作原理示意图；
图15和图16为本发明实施例公开的夹持组件在另一种视角下非工作状态和工作状态下的工作原理示意图；
附图标记说明：
100-晶圆、
200-清洗槽、210-内槽、220-外槽、
300-支撑组件、
400-第一夹爪、410-第一承载体、420-第一卡块、430-第一夹持空间、
500-第二夹爪、510-第二承载体、520-第二卡块、530-第二夹持空间、
610-驱动模组、620-第一转动体、630-第二转动体、640-弹性件、650-第一传动杆、660-第二传动杆。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明具体实施例及相应的附图对本发明技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
以下结合附图，详细说明本发明各个实施例公开的技术方案。
请参考图1～图16，本发明实施例公开一种晶圆清洗设备，其适用于清洗晶圆100。在半导体的制备过程中，晶圆100需要经过多道工序处理，在本实施例中，未限制该晶圆清洗设备的前道工艺，举例来说，可以是CVD(即化学气相沉积)、PVD(即物理气象沉积)、刻蚀、光刻等各种半导体工艺。
需要说明的是，随着半导体技术的不断发展，如今对晶圆100表面的洁净度和表面态的要求也越来越高。即便晶圆100的表面仅仅是存在微量污染，也会导致半导体器件失效，因此在半导体器件的生产过程中，晶圆100必须要经过严格清洗。晶圆100表面的杂质成分较为复杂，这些杂质既包括有机物杂质，也包括无机物杂质，有的以原子状态或粒子状态存在，有的以薄膜形式或颗粒形式存在，因此对晶圆100表面的清洗方法也较为复杂。在本实施例中，基于该晶圆晶圆清洗设备就可以较为方便地对晶圆100进行清洗。
本实施例所公开的晶圆清洗设备包括清洗槽200、支撑组件200、夹持组件、第一驱动机构和第二驱动机构。
其中，清洗槽200是晶圆清洗设备的基础构件，其不仅为其他的构件提供了安装支撑基础，还用于盛放清洗介质，也即清洗介质提供了容纳空间。具体地，清洗槽200具有开口，开口与槽内连通，清洗介质通过开口进入到槽内，晶圆100也可以通过开口进行取放。
清洗槽200可以包括内槽210和外槽220，内槽210用于盛放清洗介质，而清洗介质在溢出内槽210时可进入到外槽220中，避免浪费或造成设备污染。
支撑组件300为晶圆清洗设备的支持构件之一，其可以从下侧对晶圆100进行支撑；夹持组件也为晶圆清洗设备的支持构件之一，其可以从晶圆100的两侧对晶圆进行夹持。通过交替使用支撑组件300和夹持组件，即可交替对晶圆100的接触部位进行清洗，进而实现彻底清洗。
第一驱动机构和第二驱动机构均为晶圆清洗设备的动力构件，并分别为支撑组件300和夹持组件输出动力。
具体地，支撑组件300可移动地设置于清洗槽200内。具体地，支撑组件300可在装载位置a、工作位置b和初始位置c三个位置进行移动切换。同时，装载位置a、工作位置b和初始位置c可以沿清洗槽200的高度方向从上向下依次排布，应理解的是，装载位置a即是装载晶圆100时支撑组件300的工位，装载位置a可以更邻近开口设置，工作位置b即是进行清洗时的工位，而初始位置c可以更邻近清洗槽200的底部设置。
支撑组件300可包括多个支撑爪，在支撑晶圆100时，支撑爪可沿晶圆100的边缘间隔分布，而达到均衡支撑的效果。当然，本实施例未限制支撑爪的具体数量，其可以两个、三个等，最外侧的两个支撑爪在支撑晶圆100时与晶圆100的最大圆心角小于180°。
如图10所示，第一驱动机构可通过连接结构与支撑组件300相连，并驱动支撑组件300移动，在移动过程中，支撑组件300即可在装载位置、工作位置和初始位置之间进行切换。第一驱动机构具体可选用气压伸缩件、液压伸缩件或丝杠机构等。
夹持组件设置于清洗槽200内，且位于装载位置和工作位置之间，应理解的是，当支撑组件300处于工作位置时，夹持组件位于支撑组件300之上。
第二驱动机构与夹持组件相连，并驱动夹持组件夹持晶圆100，具体而言，第二驱动机构可控制夹持组件对晶圆100进行夹持，而使得支撑组件300可以与晶圆100分离，进而达到交替支持晶圆100的目的。
本发明实施例公开一种晶圆清洗方法，其采用了上述的晶圆清洗设备来清洗晶圆100。请参照图1～图9，该清洗方法可以包括如下步骤：
步骤S100、向清洗槽200中注入清洗介质，移动支撑组件300至装载位置a，装载晶圆100至支撑组件300上。
在本实施例中，清洗介质的具体类型可以有多种，通常可选用超纯水，当然，也可以选用其他的清洗介质，例如去离子水、纳米气泡水、清洗气液混合体等。通常情况下，清洗之前支撑组件300处于初始位置c，因此通过第一驱动机构控制支撑组件300移动至装载位置a；在清洗槽200的开口处，可通过机械手将晶圆100放置在支撑组件300上；如图1所示。若清洗槽200包括槽盖，此时需要打开槽盖，在晶圆100装载完成后，可盖上槽盖，以进行封闭。
步骤S200、移动支撑组件300至工作位置b，使晶圆100浸没于清洗介质中，并维持浸没状态第一预设时间。
如图2所示，由于晶圆100完全浸没在清洗介质中，此时清洗介质已开始对晶圆100表面的杂质进行清洗；第一预设时间通常由工艺需求确定。
步骤S300、排放清洗介质，同时向清洗槽200内通入第一干燥气体。
如图3所示，在经过表面清洗之后，需要对晶圆100进行干燥，以清理掉晶圆100表面的带有杂质的清洗介质。在排放清洗介质的过程中，清洗槽200内的液面会下降，晶圆100会逐渐露出液面，第一干燥气体可在晶圆100表面进行干燥。
结合前述，在清洗介质为超纯水的情况下，第一干燥气体可选用气态异丙醇，基于马拉高尼效应原理，气态异丙醇可置换掉晶圆100表面的超纯水，而实现干燥；当然，针对其他的清洗介质，需要选用对应的第一干燥气体类型。
步骤S400、当清洗介质下降到第一排空位置d，控制夹持组件夹持晶圆100，且支撑组件300移动至初始位置c；其中，第一排空位置d为夹持组件完全外露于清洗介质且支撑组件300完全浸没于清洗介质的液位。
如图4所示，当夹持组件完全外露于清洗介质时，夹持组件表面的清洗介质会快速被第一干燥气体干燥处理掉，因此夹持组件在夹持晶圆100时已被彻底清理，且具备高洁净度，不会在晶圆100表面产生水痕或颗粒聚集；同时，支撑组件300依旧浸没于清洗介质中，在支撑组件300与晶圆100分离后，其与晶圆100的接触部位会露出，清洗介质可即时对接触部位进行清洗，去除杂质。在步骤S400中，支撑组件300与夹持组件完成第一次对晶圆100的交替支持。
步骤S500、当清洗介质排空后，移动支撑组件300至工作位置b，控制夹持组件与晶圆100脱离，再移动支撑组件300至装载位置a，并将晶圆100从清洗槽200内传出。
如图6～图9所示，在清洗介质逐渐排空的过程中，之前由支撑组件300支持的接触部位也经过了干燥处理，如此整个晶圆100的表面均经过了干燥处理；在步骤S500中，支撑组件300与夹持组件完成了第二次对晶圆100的交替支持，同时，支撑组件300也被干燥处理完成，因此支撑组件300再次支持晶圆100时也不会在晶圆100表面产生水痕或颗粒聚集的问题。支撑组件300将晶圆100送至装载位置a，可通过机械手将清洗干燥后的晶圆100传出清洗槽200。
当然，本实施例不限制上述步骤的具体次序，其中的步骤次序可以更换。
由上述说明可知，在本发明实施例公开的晶圆清洗设备和清洗方法中，通过支撑组件300和夹持组件可分别在晶圆100的不同部位起到支持作用，因此能够对晶圆100的整个表面进行彻底清洗；同时，在晶圆的干燥过程中，夹持组件可以外露于清洗介质并完全干燥之后再对晶圆进行夹持，因此夹持组件就不会将清洗介质带至晶圆100上，进而避免在晶圆100上产生水印和杂质聚集。
相较于现有技术，本发明实施例公开的晶圆清洗设备不仅能够彻底清洗晶圆100，还能够有效避免在晶圆100上产生水印和杂质聚集，无疑具备更优的清洗效果，进而大幅提升了晶圆100的表面利用率。
请参照图11～图16：
在本实施例中，夹持组件的类型可以有多种，例如可以为设置在晶圆100一侧的夹持机械手，夹持机械手可在工作位置b对晶圆100的侧边缘进行夹持。
在另一个具体的实施方式中，夹持组件可以包括第一夹爪400和第二夹爪500，第一夹爪400和第二夹爪500分别设置于支撑组件300的移动路径的相对两侧，第二驱动机构可驱动第一夹爪400和第二夹爪500相向靠近，以夹持晶圆100。
应理解的是，如此设置下，第一夹爪500和第二夹爪500可分别在晶圆100的相对两侧的侧边缘进行夹持，因此夹持组件整体施加的晶圆100的夹持作用分布更为均匀，避免了对晶圆100造成损伤，提升了安全性，同时无疑也能够提升夹持稳定性和可靠性。
更为具体地，第一夹爪400可以包括第一承载体410和至少两个第一卡块420，第一卡块420在第一承载体410上成排设置，相邻两个第一卡块420之间具有第一夹持空间430；第二夹爪500包括第二承载体510和至少两个第二卡块520，第二卡块520在第二承载体510上成排设置，相邻两个第二卡块520之间具有第二夹持空间530。
具体而言，本实施例未限制第一卡块420和第二卡块520的具体数量，在第一卡块420和第二卡块520均为两个的情况下，第一夹持空间430和第二夹持空间530均为一个，二者配合可夹持一个晶圆100；以第一卡块420和第二卡块520均为61个为例，第一夹持空间430和第二夹持空间530均为60个，则夹持组件可同时夹持60个晶圆100，也即可在清洗槽200内进行晶圆100的大批量清洗操作。
进一步地，第一卡块420的第一端与第一承载体410相连，第一卡块420的第二端为自由端；相邻的两个第一卡块420中，其中一个在其第二端设置有第一导向斜面，另一个在其第二端设置有第二导向斜面，第一导向斜面与第二导向斜面相对设置，且均背离第一夹持空间430倾斜；第二卡块520的第一端与第二承载体510相连，第二卡块520的第二端为自由端；相邻的两个第二卡块520中，其中一个在其第二端设置有第三导向斜面，另一个在其第二端设置有第四导向斜面，第三导向斜面与第四导向斜面相对设置，且均背离第二夹持空间530倾斜。
应理解的是，如图13所示，如此设置下，基于第一导向斜面和第二导向斜面在第一夹持空间430内的设置方式，以及第三导向斜面和第四导向斜面在第二夹持空间530内的设置方式，使得第一夹持空间430和第二夹持空间530均呈Y形。在第一夹持空间430和第二夹持空间530的开口区域，由于口径较大，能够便于晶圆100进入到第一夹持空间430和第二夹持空间530内，而在第一夹持空间430和第二夹持空间530的底部，其口径缩小，大体与晶圆100的厚度相匹配，如此使得第一夹持空间430和第二夹持空间530给晶圆100提供稳定可靠的夹持作用。通常情况下，第一夹持空间430和第二夹持空间530的底部空间的尺寸相较晶圆100的厚度大50～100微米即可。
当然，本实施例未限制第一夹持空间430和第二夹持空间530的具体形状，其也可以形成为V形等形状。
为了优化清洗槽200内部的结构布局，在可选的方案中，支撑组件300设置于清洗槽200的中轴线上，夹持组件可以邻近清洗槽200的内侧壁设置。应理解的是，如此设置下，当支撑组件300以及晶圆100在清洗槽200内移动时，能够避免夹持组件对它们产生干涉；同时，在清洗过程中，支撑组件300始终位于晶圆100的下侧空间，夹持组件邻近清洗槽200的内侧壁设置，不仅能够提升清洗槽200内的空间利用率，也能够避免与支撑组件300邻近设置而导致拥挤。需要说明的是，由于晶圆100的尺寸较小，因此晶圆清洗设备内部构件出现较小的结构布局冲突都会产生严重影响，本实施实施能够优化结构布局，无疑能够确保清洗工作的正常运行，以及提升清洗效率。
在本实施例中，第二驱动机构对夹持组件的驱动方式有多种，例如第二驱动机构可在晶圆100的两侧分别驱动第一夹爪400和第二夹爪500相向直线运动，第一夹爪400和第二夹爪500靠近之后可将晶圆100夹持在中间。
在另一种具体的实施方式中，第二驱动机构可以包括驱动模组610和传动组件，传动组件包括第一转动体620、第二转动体630、第一传动杆650和第二传动杆660，第一转动体620和第二转动体630均设置于清洗槽200之外，第一传动杆650穿设于清洗槽200，且与第一转动体620和第一夹爪400相连，第二传动杆660穿设于清洗槽200，且与第二转动体630和第二夹爪500相连。
如此情况下，当第一转动体620转动时，第一传动杆650会随之并带动第一夹爪400转动；第二转动体630转动时，第二传动杆660会随之并带动第二夹爪500转动。
驱动模组610驱动第一转动体620和第二转动体630转动，且第一转动体620和第二转动体630的转动方向相反。结合前述，第一夹爪400和第二夹爪500能够相向靠近，并结合图14～图16说明二者的工作原理。
在图15中，夹持组件为非工作状态，第一夹爪400和第二夹爪500与晶圆100分离，在夹持组件切换为工作状态的过程中，第一夹爪400被第一转动体620带动而逆时针转动，第二夹爪500被第二转动体630带动而顺时针转动，直到第一夹爪400和第二夹爪500分别与晶圆100的侧边缘相抵，如图16所示。
本实施例未限制第二驱动机构的具体类型，其可以包括两个驱动电机，且两个驱动电机分别驱动第一转动体620和第二转动体630。在另一种具体的实施方式中，第一转动体620可以为第一转动块，第一传动杆650与第一转动块相连，第二转动体630为第二转动块，第二传动杆660与第二转动块相连；驱动模组610可以为伸缩模组，伸缩模组的两端分别与第一转动块和第二转动块相连。
具体而言，由于第一转动块和第二转动块均具有一定的尺寸，而伸缩模组的两端分别与第一转动块和第二转动块相连，因此当伸缩模组进行伸缩移动时，就可以带动第一转动块和第二转动块相向转动或相背转动，而第一传动杆650会随着第一转动块转动、第二传动杆660会随着第二转动块转动，如此便可以实现夹持组件对晶圆100的夹持以及与晶圆100的分离。
通常情况下，伸缩模组可选用气缸，当然也可以为其他的伸缩结构。
由于伸缩模组的驱动作用不可控，可能会带动第一夹爪400和第二夹爪500产生较大幅度的转动，特别是在夹持晶圆100的过程中会对晶圆100造成损坏。基于此，在可选的方案中，第一转动块与第二转动块之间还可以通过弹性件640连接。
应理解的是，如此设置下，当伸缩模组收缩时，第一转动块和第二转动块相向转动，此时弹性件640也会被压缩，基于弹性件640的弹性特性，弹性件640在其两端会施加给第一转动块和第二转动块一个回弹作用，进而能够减缓第一转动块和第二转动块的转速，而使得第一夹爪400和第二夹爪500以合适的速度与晶圆100相抵。
当伸缩模组伸展时，第一转动块和第二转动块相离转动，此时弹性件640会被张紧，基于弹性件640的弹性特性，弹性件640在其两端会施加给第一转动块和第二转动块一个反向拉力，进而能够减缓第一转动块和第二转动块的转速，而使得第一夹爪400和第二夹爪500以合适的速度与晶圆100分离。
在前述的清洗方法中，在排放清洗介质时，当清洗介质与晶圆100脱离后，可以提高排放清洗介质的速度，以提高工艺效率。优选地，步骤S300具体可以为：以第一排放速率排放清洗介质，同时向清洗槽200内通入第一干燥气体。
步骤S500具体可以包括：
步骤S510、当清洗介质下降到第二排空位置e，则控制以第二排放速率排放清洗介质；其中，第二排放速率大于第一排放速率，第二排空位置e为晶圆100完全外露于清洗介质的液位。
具体而言，如图5所示，在实际操作中，第一排放速率可对应清洗槽200的慢排阀，第二排放速率对应清洗槽200的快排阀，也即在步骤S300中，可通过打开慢排阀排放清洗介质，而在步骤S510中，当清洗介质下降到第二排空位置e，则打开快排阀来排放清洗介质。当然，也可以通过打开两个阀门来实现快排的效果。
应理解的是，由于以过快的排放速率排放清洗介质，会导致清洗介质在晶圆100的表面留下痕迹，影响晶圆100表面的洁净度，因此在清洗介质的液位位于第二排空位置e之上时，需要以较慢的排放速率来排放清洗介质；而在清洗介质的液位下降到第二排空位置e，则能以较快的排放速率来排放清洗介质。当然，本实施例未限制第一排放速率和第二排放速率的具体数值，其可由工艺需求确定。
步骤S520、当清洗介质排空后，停止通入第一干燥空气，并向清洗槽200内通入第二干燥空气，维持通入第二干燥空气第二预设时间。
结合前述，第一干燥空气主要用于干燥置换清洗介质，而在清洗介质排空之后则额可以停止通入第一干燥气体。此时，可通过通入第二干燥气体来进一步地优化清洗槽200内的干燥效果，以使得晶圆100表面被彻底干燥处理。通常情况下，第二干燥气体可选用热氮气，当然，本实施例不限制第二干燥气体的具体类型；第二预设时间可根据工艺需求来确定。
步骤S530、移动支撑组件300至工作位置b，控制夹持组件与晶圆100脱离，维持通入第二干燥空气第三预设时间。
在步骤S530中完成支撑组件300和夹持组件的第二次交替，且再次通入第二干燥气体用于更进一步地优化晶圆100表面的干燥处理效果；第三预设时间可根据工艺需求来确定。
步骤S540、移动支撑组件300至装载位置a，并将晶圆100从清洗槽200内传出。
在工作位置b处，由支撑组件300替换夹持组件来支持晶圆100后，晶圆100才能随支撑组件300移动至清洗槽200的开口区域，而被机械手从清洗槽200内取走。
本发明上文实施例中重点描述的是各个实施例之间的不同，各个实施例之间不同的优化特征只要不矛盾，均可以组合形成更优的实施例，考虑到行文简洁，在此则不再赘述。
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的权利要求范围之内。

Claims (10)

1.一种晶圆清洗设备，其特征在于，包括：
清洗槽(200)，用于盛放清洗介质；
支撑组件(300)，可移动地设置于所述清洗槽(200)内，用于承载晶圆(100)，并带动所述晶圆(100)在所述清洗槽内移动；
夹持组件，设置于所述清洗槽(200)内，用于夹持承载在所述支撑组件(300)上的晶圆(100)；
第一驱动机构，所述第一驱动机构与所述支撑组件(300)相连，并驱动所述支撑组件(300)移动；
第二驱动机构，所述第二驱动机构与所述夹持组件相连，并驱动所述夹持组件夹持所述晶圆(100)。
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗设备，其特征在于，所述夹持组件包括第一夹爪(400)和第二夹爪(500)，所述第一夹爪(400)和所述第二夹爪(500)分别设置于所述支撑组件(300)的移动路径的相对两侧，所述第二驱动机构可驱动所述第一夹爪(400)和所述第二夹爪(500)相向靠近，以夹持所述晶圆(100)。
3.根据权利要求2所述的晶圆清洗设备，其特征在于，所述第一夹爪(400)包括第一承载体(410)和至少两个第一卡块(420)，所述第一卡块(420)在所述第一承载体(410)上成排设置，相邻两个所述第一卡块(420)之间具有第一夹持空间(430)；
所述第二夹爪(500)包括第二承载体(510)和至少两个第二卡块(520)，所述第二卡块(520)在所述第二承载体(510)上成排设置，相邻两个所述第二卡块(520)之间具有第二夹持空间(530)。
4.根据权利要求3所述的晶圆清洗设备，其特征在于，所述第一卡块(420)的第一端与所述第一承载体(410)相连，所述第一卡块(420)的第二端为自由端；相邻的两个所述第一卡块(420)中，其中一个在其第二端设置有第一导向斜面，另一个在其第二端设置有第二导向斜面，所述第一导向斜面与所述第二导向斜面相对设置，且均背离所述第一夹持空间(430)倾斜；
所述第二卡块(520)的第一端与所述第二承载体(510)相连，所述第二卡块(520)的第二端为自由端；相邻的两个所述第二卡块(520)中，其中一个在其第二端设置有第三导向斜面，另一个在其第二端设置有第四导向斜面，所述第三导向斜面与所述第四导向斜面相对设置，且均背离所述第二夹持空间(530)倾斜。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的晶圆清洗设备，其特征在于，所述支撑组件(300)设置于所述清洗槽(200)的中轴线上，所述夹持组件邻近所述清洗槽(200)的内侧壁设置。
6.根据权利要求2至4任一项所述的晶圆清洗设备，其特征在于，所述第二驱动机构包括驱动模组(610)和传动组件，所述传动组件包括第一转动体(620)、第二转动体(630)、第一传动杆(650)和第二传动杆(660)，所述第一转动体(620)和所述第二转动体(630)均设置于所述清洗槽(200)之外，所述第一传动杆(650)穿设于所述清洗槽(200)，且与所述第一转动体(620)和所述第一夹爪(400)相连，所述第二传动杆(660)穿设于所述清洗槽(200)，且与所述第二转动体(630)和所述第二夹爪(500)相连；
所述驱动模组(610)驱动所述第一转动体(620)和所述第二转动体(630)转动，且所述第一转动体(620)和所述第二转动体(630)的转动方向相反。
7.根据权利要求6所述的晶圆清洗设备，其特征在于，所述第一转动体(620)为第一转动块，所述第一传动杆(650)与所述第一转动块的相连，所述第二转动体(630)为第二转动块，所述第二传动杆(660)与所述第二转动块的相连；所述驱动模组(610)为伸缩模组，所述伸缩模组的两端分别与所述第一转动块和所述第二转块相连。
8.根据权利要求7所述的晶圆清洗设备，其特征在于，所述第一转动块与所述第二转动块还通过弹性件(640)连接。
9.一种晶圆清洗方法，其特征在于，采用权利要求1至8中任一项所述的晶圆清洗设备来清洗晶圆(100)，所述清洗方法包括如下步骤：
向所述清洗槽(200)中注入清洗介质，移动所述支撑组件(300)至装载位置，装载所述晶圆(100)至所述支撑组件(300)上；
移动所述支撑组件(300)至工作位置，使所述晶圆(100)浸没于所述清洗介质中，并维持浸没状态第一预设时间；
排放所述清洗介质，同时向所述清洗槽(200)内通入第一干燥气体；
当所述清洗介质下降到第一排空位置，控制所述夹持组件夹持所述晶圆(100)，且所述支撑组件(300)移动至初始位置；其中，所述第一排空位置为所述夹持组件完全外露于所述清洗介质且所述支撑组件(300)完全浸没于所述清洗介质的液位；
当所述清洗介质排空后，移动所述支撑组件(300)至工作位置，控制所述夹持组件与所述晶圆(100)脱离，再移动所述支撑组件(300)至装载位置，并将所述晶圆(100)从清洗槽(200)内传出；
其中，所述装载位置、所述工作位置和所述初始位置沿所述清洗槽(200)的高度方向从上向下依次排布。
10.根据权利要求9所述的晶圆清洗方法，其特征在于，在排放所述清洗介质时，当所述清洗介质与所述晶圆(100)脱离后，提高排放所述清洗介质的速度。
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