CN110391157A - 一种晶圆后处理系统和方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及化学机械抛光后处理技术领域，公开了一种晶圆后处理系统和方法，系统包括：清洗槽，用于容纳清洗晶圆的清洗液；晶圆提升装置，用于从清洗液中提升浸没于清洗液的晶圆；晶圆提升装置包括：第一移动机构，用于固定晶圆的位于清洗液中的下侧位置进行提升；第二移动机构，用于在第一移动机构将晶圆提升至预设位置时，固定晶圆的位于清洗液液面以上的已经被清洗干燥的上侧位置继续提升直至晶圆脱离清洗液。
Description
技术领域
本发明涉及化学机械抛光后处理技术领域，尤其涉及一种晶圆后处理系统 和方法。
背景技术
化学机械抛光(Chemical Mechanical Planarization,CMP)是集成电路(IC) 制造中获得全局平坦化的一种超精密表面加工工艺。随着集成电路制造技术的 发展，对晶圆表面缺陷的控制越来越严格。在晶圆制造过程中，晶圆表面会吸 附颗粒或有机物等污染物而产生大量缺陷，需要后处理工艺去除这些缺陷。
特别是在化学机械抛光中大量使用的化学试剂和研磨剂会造成晶圆表面的 污染，所以在抛光之后需要引入后处理工艺以去除晶圆表面的污染物，后处理 工艺一般由清洗和干燥组成，以提供光滑洁净的晶圆表面。抛光后清洗的目的 是去除晶圆表面颗粒和各种化学物质，并在清洗过程中避免对表面和内部结构 的腐蚀和破坏，目前常见的湿法清洗是在溶液环境下清洗晶圆，比如清洗剂浸 泡、机械擦洗、湿法化学清洗等。晶圆经过清洗后，需要对晶圆表面进行干燥 处理，以除去残留液体。
在晶圆的后处理过程中，为了固定晶圆一般采用夹具对晶圆进行夹持固定， 但是在晶圆与夹具的接触位置会由于无法清洗或干燥而产生缺陷，最终影响晶 圆整体的处理效果。
发明内容
本发明实施例提供了一种晶圆后处理系统和方法，旨在至少解决现有技术 中存在的技术问题之一。
本发明实施例的第一方面提供了一种晶圆后处理系统，包括：
清洗槽，用于容纳清洗晶圆的清洗液；
晶圆提升装置，用于从清洗液中提升浸没于清洗液的晶圆；
晶圆提升装置包括：
第一移动机构，用于固定晶圆的位于清洗液中的下侧位置进行提升；
第二移动机构，用于在第一移动机构将晶圆提升至预设位置时，固定晶圆 的位于清洗液液面以上的已经被清洗干燥的上侧位置继续提升直至晶圆脱离清 洗液。
在一个实施例中，晶圆后处理系统还包括与晶圆提升装置连接的控制器；
在第二移动机构与晶圆固定之后，控制器控制第一移动机构松开晶圆。
在一个实施例中，第一移动机构设有用于检测晶圆是否在位的在位检测模 块。
在一个实施例中，第一移动机构包括一容纳晶圆下侧的凹槽以及与凹槽连 接的第一驱动件。
在一个实施例中，第二移动机构设有用于检测是否夹紧晶圆的夹紧检测模 块。
在一个实施例中，第二移动机构包括第一夹持件、第二夹持件和第二驱动 件，第二驱动件分别与第一夹持件和第二夹持件连接以同步驱动第一夹持件和 第二夹持件相向或背向运动，第一夹持件和第二夹持件相对设置以用于夹持晶 圆
在一个实施例中，晶圆后处理系统还包括：
气体喷射装置，用于在晶圆从清洗液中提升的过程中，向晶圆表面喷射干 燥气体，以干燥晶圆。
在一个实施例中，气体喷射装置包括：
第一喷射机构，用于向晶圆的第一表面喷射干燥气体；
第二喷射机构，用于向晶圆的第二表面喷射干燥气体；
其中，第一表面和第二表面分别为晶圆的两个相对面。
在一个实施例中，第一喷射机构和第二喷射机构均包括依次连接的气体喷 射组件、旋转驱动模块和控制模块；
控制模块通过旋转驱动模块控制气体喷射组件旋转以将其喷射的干燥气体 对准清洗液液面。
本发明实施例的第二方面提供了一种晶圆后处理方法，包括：
从清洗液中提升浸没于清洗液的晶圆；
利用第一移动机构固定晶圆的位于清洗液中的下侧位置进行提升；
在第一移动机构将晶圆提升至预设位置时，利用第二移动机构固定晶圆的 位于清洗液液面以上的已经被清洗干燥的上侧位置继续提升直至晶圆脱离清洗 液。
本申请所述的晶圆后处理系统和方法，其有益效果包括：能够保证晶圆整 体表面均被清洗和干燥，提高了晶圆后处理效果。
附图说明
通过结合以下附图所作的详细描述，本发明的优点将变得更清楚和更容易 理解，但这些附图只是示意性的，并不限制本发明的保护范围，其中：
图1为本发明一实施例提供的晶圆后处理系统的主视图；
图2为本发明一实施例提供的晶圆后处理系统的右视图；
图3a为本发明一实施例提供的第一移动机构的示意图；
图3b为本发明另一实施例提供的第一移动机构的示意图；
图4为本发明另一实施例提供的晶圆后处理系统的右视图；
图5为本发明又一实施例提供的晶圆后处理的原理示意图；
图6为本发明又一实施例提供的晶圆后处理系统的结构示意图；
图7为本发明一实施例提供的气体喷射装置的结构示意图；
图8a和8b为本发明一实施例提供的喷射机构的结构示意图；
图9a和9b为本发明另一实施例提供的喷射机构的结构示意图；
附图标记说明：
w、晶圆；
10、晶圆提升装置；11、第一移动机构；111、凹槽；112、第一连接件； 113、第一滑块；114、第一导轨；115、第一伺服电缸；12、第二移动机构；121、 第一夹持件；122、第二夹持件；123、第二驱动件；124、竖直移动机构；125、 水平移动机构；
20、气体喷射装置；21、第一喷射机构；22、第二喷射机构；23、气体喷 射组件；231、喷杆；232、喷气孔；233、细长狭缝；24、旋转驱动模块；25、 控制模块；
30、清洗槽。
具体实施方式
下面结合具体实施例及其附图，对本发明所述技术方案进行详细说明。在 此记载的实施例为本发明的特定的具体实施方式，用于说明本发明的构思；这 些说明均是解释性和示例性的，不应理解为对本发明实施方式及本发明保护范 围的限制。除在此记载的实施例外，本领域技术人员还能够基于本申请权利要 求书及其说明书所公开的内容采用显而易见的其它技术方案，这些技术方案包 括采用对在此记载的实施例的做出任何显而易见的替换和修改的技术方案。应 当理解的是，除非特别予以说明，为了便于理解，以下对本发明具体实施方式 的描述都是建立在相关设备、装置、部件等处于原始静止的未给与外界控制信 号和驱动力的自然状态下描述的。
如图1和图2所示，本发明实施例所提供的一种晶圆后处理系统，包括：
清洗槽30，用于容纳清洗晶圆w的清洗液；
晶圆提升装置10，用于从清洗液中提升浸没于清洗液的晶圆w；
晶圆提升装置10包括：
第一移动机构11，用于固定晶圆w的位于清洗液中的下侧位置进行提升；
第二移动机构12，用于在第一移动机构11将晶圆w提升至预设位置时， 固定晶圆w的位于清洗液液面以上的已经被清洗干燥的上侧位置继续提升直至 晶圆w脱离清洗液。
本实施例中，在第二移动机构12与晶圆w固定之后，第一移动机构11松 开该晶圆w。
第二移动机构12表面保持清洁干燥，并且第二移动机构12与晶圆w接触 的位置也为已经完成清洗和干燥的位置，避免了接触位置的二次污染，解决了 夹具与晶圆接触区域无法完全清洗干燥的问题。
第一移动机构11和第二移动机构12的与晶圆接触部位的表面均设有疏水 涂层。
第一移动机构11的用于固定晶圆w的固定部置于清洗槽30中且位于晶圆 w下方。当晶圆w完全浸没于清洗液中并完成清洗后，置于清洗槽30中的第 一移动机构11从晶圆w下方向上移动，以使第一移动机构11固定晶圆w的下 侧位置并从晶圆w下方提升晶圆w。该下侧位置位于清洗液中，如图1所示， 作为一种可实施方式，第一移动机构11的上端与晶圆接触的该下侧位置位于晶 圆圆心的下方，且距晶圆圆心的竖直距离大于晶圆半径的三分之一。
第一移动机构11带动晶圆w向上移动，在第一移动机构11将晶圆w提升 至预设位置时，第一移动机构11停止移动，此时部分晶圆w露出清洗液液面， 第二移动机构12从晶圆w上方向下移动以固定晶圆w的位于清洗液液面以上 的上侧位置，在第二移动机构12稳定固定晶圆w后，第二移动机构12带动晶 圆w继续向上移动以继续提升晶圆w直至晶圆w脱离清洗液。如图1所示， 作为一种可实施方式，预设位置为晶圆圆心脱离清洗液面的位置。预设位置高 于第一移动机构11固定的晶圆w下侧位置并且低于第二移动机构12固定的晶 圆w上侧位置。具体地，第一移动机构11将晶圆提升至预设位置为使晶圆顶 点距液面的距离在1.2倍至1.5倍晶圆半径。第二移动机构12与晶圆接触的上 侧位置可以为晶圆水平直径的端点，也可以为该端点偏下一定距离的边缘点， 例如偏下10mm。
本发明实施例中使用两个移动机构分别提升晶圆w，第一移动机构11在清 洗液液面以下与晶圆w接触并提升晶圆w，晶圆w露出液面后，第二移动机构 12固定晶圆w的已经完成清洗干燥的位置并继续提升晶圆w直至晶圆w完成 脱离液面，整个过程不存在无法清洗或干燥的部位，能够保证晶圆w整体表面 均被清洗和干燥，提高了晶圆w后处理效果。
在本发明的一个实施例中，晶圆后处理系统还包括与晶圆提升装置10连接 的控制器，控制器控制第一移动机构11和第二移动机构12执行上述动作。在 第二移动机构12与晶圆w固定之后，控制器控制第一移动机构11松开晶圆w。
如图1和图2所示，第一移动机构11包括一容纳晶圆w下侧的凹槽111 以及与凹槽111连接的第一驱动件，第一驱动件用于驱动凹槽111上下移动。 晶圆w置于清洗液中时，第一移动机构11移动至使晶圆w下侧放置在凹槽111 中。
在一个实施例中，第一移动机构11设有用于检测晶圆w是否在位的在位 检测模块。
在位检测模块可以为压力传感器，压力传感器设于凹槽111与晶圆w接触 的表面，当凹槽111承托晶圆w时，压力传感器检测到压力变化从而判断晶圆 w在位。
如图3a所示，作为一种可实施方式，凹槽111中设有贯穿上表面与底面的 镂空孔116，用于避免凹槽111与晶圆w接触的表面沉积杂质。
如图3b所示，作为另一种可实施方式，第一移动机构11包括第一支撑件 117和第二支撑件118，第一支撑件117和第二支撑件118可以为两支柱用于支 撑晶圆的下部。
如图1所示，第二移动机构12包括第一夹持件121、第二夹持件122和第 二驱动件123，其中，第二驱动件123分别与第一夹持件121和第二夹持件122 连接以同步驱动第一夹持件121和第二夹持件122相向或背向运动，第一夹持 件121和第二夹持件122相对设置以用于夹持晶圆w。可选的，第二驱动件123 可以由电机或气缸实现。
可以理解的是，当第二驱动件123同步驱动第一夹持件121和第二夹持件 122相向运动时，第一夹持件121和第二夹持件122彼此靠近，第一夹持件121 的底部和第二夹持件122的底部可夹紧晶圆w。当第二驱动件123同步驱动第 一夹持件121和第二夹持件122背向运动时，第一夹持件121和第二夹持件122 彼此远离，第一夹持件121的底部和第二夹持件122的底部可松开晶圆w。
在一个实施例中，第二移动机构12设有用于检测是否夹紧晶圆w的夹紧 检测模块。
夹紧检测模块可以包括第一传感器，第一传感器安装在第二驱动件123上， 而且第一传感器用于检测第一夹持件121和第二夹持件122夹紧晶圆w的第一 夹紧位置。第一传感器通过检测第二驱动件123的移动距离来判断第一夹持件 121和第二夹持件122是否夹紧晶圆w，或者第一传感器通过检测第二驱动件 123分别与第一夹持件121和第二夹持件122连接的两部分之间的距离来判断 是否夹紧晶圆w，或者第一传感器还可以通过检测第二驱动件123的带载大小 来判断是否夹紧晶圆w。
通过第一传感器，可以准确判断第二移动机构12是否已经夹持住晶圆w 或松开晶圆w，从而确认是否可以下一步操作。
如图4所示，在一个实施例中，第一移动机构11的第一驱动件包括第一连 接件112、第一滑块113、第一导轨114和第一伺服电缸115。第一连接件112 的一端与凹槽111连接，另一端与第一滑块113连接。第一滑块113可移动的 设置在第一导轨114上，第一导轨114沿竖直方向延伸设置，以使第一滑块113 上下移动。第一伺服电缸115用于控制第一滑块113在第一导轨114上的移动 方向和移动距离等。第一移动机构11的工作原理为：第一伺服电缸115控制第 一滑块113在第一导轨114上移动以使第一滑块113通过第一连接件112带动 凹槽111上下移动。
如图4所示，在一个实施例中，第二移动机构12的第二驱动件123与竖直 移动机构124和水平移动机构125连接，以使第一移动机构11在竖直方向和水 平方向上均可自由移动。其中，竖直移动机构124和水平移动机构125的实现 原理与第一驱动件类似，在此不再赘述。
如图5所示，在本发明的一个实施例中，晶圆后处理系统还包括：气体喷 射装置20，用于在晶圆w从清洗液中提升的过程中，向晶圆w表面喷射干燥 气体，以干燥晶圆w。
在一个实施例中，气体喷射装置20可绕一旋转轴旋转，以使喷射的气体跟 随弯液面移动。气体喷射装置20的气体喷出位置绕旋转轴的旋转角度范围为与 水平面夹角在10°至50°之间。
进一步地，气体喷射装置20向晶圆w表面喷射第一温度的干燥气体，以 使晶圆w表面的附着物按照与提升方向相反的方向从晶圆w表面剥离。
其中，气体喷射装置20喷射的气体可以为氮气，气体的温度即第一温度高 于清洗液的温度且低于60℃。
如图5所示，利用气体喷射装置20实现晶圆后处理的原理为：在晶圆w 以恒定速度V从清洗液中提拉出的同时，向晶圆w表面附着的清洗液的弯液面 区域喷射热的干燥气体，致使该区域的液体温度升高，形成温度梯度，温度梯 度诱发表面张力梯度而使清洗液沿弯液面向下流动，马兰戈尼效应产生的强烈 的界面流动不仅可以随着晶圆w的提拉而将吸附在晶圆w表面的液体剥离还可 以将晶圆w表面附着的污染物冲洗掉，从而同时实现晶圆w的清洗和干燥。
在图5中，由于液体的浸润作用致使液体沿晶圆w表面上升，在液体表面 张力的作用下，在气体(干燥气体)、液体(清洗液)和固体(晶圆)三相交界 处的接触液面呈现凹月面形的一弯曲液面，即弯液面。
氮气的温度高于清洗液的温度使得弯液面区域的温度分布发生变化，由于 界面的表面张力取决于温度分布时会发生马兰戈尼对流，也就是在本实施例中 使用热的干燥气体喷射液体和固体的交界面时，基于热马兰戈尼效应，清洗液 带着晶圆表面的附着物向下剥离，从而实现晶圆w的清洗和干燥，减少了液体 残留，提高了晶圆干燥效果。
氮气的温度低于60℃，可以避免因晶圆w过热引起大量液体蒸发而导致的 干燥缺陷。
本实施例通过使用绿色环保的氮气取代可燃、可爆且有毒的有机蒸汽进行 马兰戈尼干燥，无需配备安全保护装置，简化了气体供给系统，提升了晶圆后 处理系统的安全性。此外，本发明实施例的基于马兰戈尼效应的晶圆后处理系 统对蓝宝石衬底、氮化镓衬底等热导率较低的衬底具有显著的干燥效果。
结合图1至图5，本发明提供的晶圆后处理系统的工作过程包括：
第一步，第一移动机构11带动晶圆w向上移动(即向清洗液之外的方向 移动)，当晶圆w开始露出清洗液的液面时，气体喷射装置20开始向晶圆w表 面附着的清洗液的弯液面区域喷射热的干燥气体，以对晶圆露出液面的部分进 行干燥。
第二步，在第一移动机构11将晶圆w提升至预设位置时，例如多于一半 的晶圆w露出液面后，第一移动机构11停止移动，此时，第二移动机构12固 定晶圆的已经被干燥过的上侧位置然后继续提升晶圆w直至晶圆完全脱离清洗 液，从而实现了晶圆w表面的整体清洗和干燥。
如图6所示，气体喷射装置20包括：
第一喷射机构21，用于向晶圆的第一表面喷射干燥气体。
第二喷射机构22，用于向晶圆的第二表面喷射干燥气体。
其中，第一表面和第二表面分别为晶圆w的两个相对面。
第一喷射机构21和第二喷射机构22位于晶圆的对称两侧。
本实施例中，第一喷射机构21和第二喷射机构22同时工作，以在晶圆w 从清洗液中提升的过程中，同时向晶圆w两个相对的表面附着的清洗液的弯液 面区域喷射第一温度的干燥气体，从而使晶圆w两个表面的附着物按照与所述 提升方向相反的方向从晶圆w表面剥离。本实施例通过第一喷射机构21和第 二喷射机构22实现了在晶圆w提拉的过程中同时干燥晶圆w的两个相对表面。
如图7所示，以晶圆w的一侧为例，第一喷射机构21和第二喷射机构22 均包括依次连接的气体喷射组件23、旋转驱动模块24和控制模块25；
控制模块25通过旋转驱动模块24控制气体喷射组件23旋转以将其喷射的 干燥气体对准所述弯液面区域。
作为一种可实施方式，控制模块25控制气体喷射组件23以预设角速度旋 转，以使气体喷射组件23喷射的干燥气体对准所述弯液面区域。
作为另一种可实施方式，控制模块25还通过控制器与晶圆提升装置10连 接，控制模块25通过控制器获取晶圆提升装置10提拉晶圆的提升速度，并计 算相应的气体喷射组件23的旋转角速度，以使气体喷射组件23与晶圆提升装 置10配合动作，随着晶圆上升使干燥气体的喷射角度相应旋转。
旋转驱动模块24能够驱动气体喷射组件23旋转，以使气体喷射组件23喷 射的气体角度随着晶圆w提拉产生的固体与液体界面的变化而同时变化。
在一个实施例中，旋转驱动模块24包括旋转电机和电机驱动器。旋转电机 与气体喷射组件23固定连接以带动气体喷射组件23旋转，电机驱动器与旋转 电机和控制模块25分别连接，控制模块25通过电机驱动器驱动旋转电机的运 行。
如图7所示，喷射机构喷射干燥气体的范围大于晶圆的直径，以使干燥气 体能够喷射至第二移动机构12与晶圆的夹持位置，从而避免夹持位置的二次污 染。
在本发明的一个实施例中，晶圆后处理系统还包括用于提供所述第一温度 的干燥气体的气体供给源，所述气体供给源与气体喷射装置20之间通过管路连 接。
在一个实施例中，所述管路上设置有用于控制管路通断的控制阀和用于控 制所述干燥气体流量的流量计。
如图8a所示，为本发明一实施例提供的气体喷射组件23的示意图，气体 喷射组件23包括中空的喷杆231，喷杆231与提供干燥气体的气体供给源通过 管路连接，干燥气体通过喷杆231的进气口流入喷杆231的中空部分。喷杆231 上间隔设置有多个与中空部分连通的喷气孔232，干燥气体通过喷气孔232向 外喷射。多个喷气孔232同时喷射所述第一温度的干燥气体时形成一层风幕， 以通过所述风幕喷射所述弯液面区域从而对晶圆w进行干燥。
具体地，喷杆231的直径为12mm，喷杆231的底端距液面的垂直距离为5 至15mm，距晶圆最近的端点与晶圆的水平距离为5至10mm。喷气孔232与 水平面的夹角范围为10°至50°。通入喷杆231的气体流量为15至50L/min。
如图8b所示，为图8a中具有多个喷气孔232的喷杆231的局部结构示意 图，图8a中的局部结构E经放大后如图8b所示，喷杆231上水平间隔设置有 多个喷气孔232，其中，喷气孔232可以采用直径d1为0.1至0.5mm的圆孔， 优选为0.1mm。相邻两个喷气孔232之间的距离为2至5mm，优选为3mm。
如图9a所示，为本发明另一实施例提供的气体喷射组件23的示意图，气 体喷射组件23包括中空的喷杆231，喷杆231与提供干燥气体的气体供给源通 过管路连接，干燥气体通过喷杆231的进气口流入喷杆231的中空部分。喷杆 231上设有与中空部分连通的细长狭缝233，干燥气体通过细长狭缝233向外喷 射。细长狭缝233喷射所述第一温度的干燥气体时形成一层风幕，以通过所述 风幕喷射所述弯液面区域从而对晶圆w进行干燥。
如图9b所示，为图9a中具有细长狭缝233的喷杆231的局部结构示意图， 图9a中的局部结构I经放大后如图9b所示，细长狭缝233沿水平方向延伸， 其长度与晶圆w的直径相匹配，宽度d2可以为0.1至0.5mm，优选为0.1mm。
在一个实施例中，喷杆231的长度大于晶圆的直径。
在一个实施例中，控制器用于控制晶圆提升装置10、气体喷射装置20和 气体供给源同步运行。
本发明还公开了一种晶圆后处理方法，该晶圆后处理方法包括以下步骤：
步骤S1，从所述清洗液中提升浸没于所述清洗液的晶圆；
步骤S2，利用第一移动机构固定所述晶圆的位于所述清洗液中的下侧位置 进行提升；
步骤S3，在所述第一移动机构将所述晶圆提升至预设位置时，利用第二移 动机构固定所述晶圆的位于所述清洗液液面以上的上侧位置继续提升直至所述 晶圆脱离所述清洗液。
在一个实施例中，在第二移动机构与晶圆固定之后，第一移动机构松开该 晶圆。
本说明书的附图为示意图，辅助说明本发明的构思，示意性地表示各部分 的形状及其相互关系。应当理解的是，为了便于清楚地表现出本发明实施例的 各部件的结构，各附图之间并未按照相同的比例绘制，相同的参考标记用于表 示附图中相同的部分。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性 实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或 示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或 示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例 或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多 个实施例或示例中以合适的方式结合。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，本领域的普通技术人员可以理解： 在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、 替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。
Claims (10)
1.一种晶圆后处理系统，包括：
清洗槽，用于容纳清洗晶圆的清洗液；
晶圆提升装置，用于从所述清洗液中提升浸没于所述清洗液的晶圆；
所述晶圆提升装置包括：
第一移动机构，用于固定所述晶圆的位于所述清洗液中的下侧位置进行提升；
第二移动机构，用于在所述第一移动机构将所述晶圆提升至预设位置时，固定所述晶圆的位于所述清洗液液面以上的已经被清洗干燥的上侧位置继续提升直至所述晶圆脱离所述清洗液。
2.如权利要求1所述的晶圆后处理系统，其特征在于，还包括与所述晶圆提升装置连接的控制器；
在所述第二移动机构与所述晶圆固定之后，所述控制器控制所述第一移动机构松开所述晶圆。
3.如权利要求1所述的晶圆后处理系统，其特征在于，所述第一移动机构设有用于检测晶圆是否在位的在位检测模块。
4.如权利要求1所述的晶圆后处理系统，其特征在于，所述第一移动机构包括一容纳晶圆下侧的凹槽以及与所述凹槽连接的第一驱动件。
5.如权利要求1所述的晶圆后处理系统，其特征在于，所述第二移动机构设有用于检测是否夹紧晶圆的夹紧检测模块。
6.如权利要求1所述的晶圆后处理系统，其特征在于，所述第二移动机构包括第一夹持件、第二夹持件和第二驱动件，所述第二驱动件分别与所述第一夹持件和所述第二夹持件连接以同步驱动所述第一夹持件和所述第二夹持件相向或背向运动，所述第一夹持件和所述第二夹持件相对设置以用于夹持所述晶圆。
7.如权利要求1所述的晶圆后处理系统，其特征在于，还包括：
气体喷射装置，用于在所述晶圆从所述清洗液中提升的过程中，向所述晶圆表面喷射干燥气体，以干燥所述晶圆。
8.如权利要求7所述的晶圆后处理系统，其特征在于，所述气体喷射装置包括：
第一喷射机构，用于向所述晶圆的第一表面喷射所述干燥气体；
第二喷射机构，用于向所述晶圆的第二表面喷射所述干燥气体；
其中，所述第一表面和所述第二表面分别为所述晶圆的两个相对面。
9.如权利要求8所述的晶圆后处理系统，其特征在于，所述第一喷射机构和所述第二喷射机构均包括依次连接的气体喷射组件、旋转驱动模块和控制模块；
所述控制模块通过所述旋转驱动模块控制所述气体喷射组件旋转以将其喷射的所述干燥气体对准所述清洗液液面。
10.一种晶圆后处理方法，包括：
从所述清洗液中提升浸没于所述清洗液的晶圆；
利用第一移动机构固定所述晶圆的位于所述清洗液中的下侧位置进行提升；
在所述第一移动机构将所述晶圆提升至预设位置时，利用第二移动机构固定所述晶圆的位于所述清洗液液面以上的已经被清洗干燥的上侧位置继续提升直至所述晶圆脱离所述清洗液。
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