TWI823496B - 基板處理設備 - Google Patents

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TWI823496B
TWI823496B TW111128008A TW111128008A TWI823496B TW I823496 B TWI823496 B TW I823496B TW 111128008 A TW111128008 A TW 111128008A TW 111128008 A TW111128008 A TW 111128008A TW I823496 B TWI823496 B TW I823496B
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吳承勳
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金基峰
李暎熏
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南韓商細美事有限公司
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Abstract

本發明概念提供一種基板處理設備。基板處理設備包括主體；流體供應單元，用於將處理流體供應至主體內的處理空間；及流體排出管線，用於自處理空間排出處理流體，且其中主體包括：第一主體；第二主體，相對於第一主體相對移動；及抗摩擦構件，用於防止第一主體與第二主體之間的摩擦，且其中抗摩擦構件組態為連續覆蓋第一主體及第二主體的表面中之至少兩個表面。

Description

基板處理設備 [相關申請案之交互參照]
本發明根據專利法主張2021年7月29日向韓國智慧財產局申請之韓國專利申請案第10-2021-0099854號的優先權，其全部內容以引用之方式併入本文中。
本發明係關於一種基板處理設備。
為了製造半導體裝置，經由基板上的各種製程，諸如光學微影術製程、蝕刻製程、灰化製程、離子植入製程、及薄膜沉積製程，在諸如晶圓的基板上形成所需圖案。各個製程使用各種處理流體及處理氣體，且製程期間會產生顆粒及製程副產品。為了自基板移除這些顆粒及製程副產品，在各個製程前後執行清洗製程。
習知清洗製程用化學品及沖洗液來處理基板。接著，執行乾燥處理。乾燥處理的實施例包括旋轉乾燥製程，其中基板以高速旋轉以移除殘留於基板上的沖洗液。然而，有一個問題為，這一旋轉乾燥方法可能會破壞形成於基板上的圖案。
因此，新近使用超臨界乾燥製程將諸如異丙醇(IPA)的有機溶劑供應至基板上，以用具有低表面張力的有機溶劑替換殘留於基板上的沖洗液，且接著將超臨界狀態下的處理流體(例如，二氧化碳)供應至基板上，以移除殘留於基板上的有機溶劑。在超臨界乾燥製程中，將乾燥氣體供應至內部密封的製程腔室，並對乾燥氣體進行加熱及加壓。乾燥氣體的溫度及壓力均上升至臨界點之上，且乾燥氣相改變為超臨界狀態。
在用於執行超臨界乾燥製程的基板處理設備中，如圖1中所示，頂部主體1與底部主體2彼此組合以形成內部空間，諸如晶圓的基板W由支撐構件4支撐，並將乾燥氣體供應至內部空間。為了使乾燥氣體保持超臨界狀態，將內部空間的壓力保持在高壓非常重要。內部空間由諸如O形圈的密封構件3密封。此外，為了最小化諸如頂部主體1與底部主體2彼此接觸的區域中顆粒的雜質之產生，接觸膜5安裝於底部主體2的接合表面上。
同時，當基板W由乾燥氣體乾燥時，在頂部主體1與底部主體2處因內部空間的壓力而產生各個方向上的振動。此類振動在各個方向上不規則地發生，諸如X-Y-Z方向、在X方向上旋轉的方向、在Y方向上旋轉的方向、在Z方向上旋轉的方向、及類似者。在這一情況下，如圖2中所示，接觸膜5中可能發生變形現象及推動現象。
本發明概念之實施例提供一種基板處理設備，用於有效處理基板。
本發明概念之實施例提供一種基板處理設備，用於最小化主體之間提供的抗摩擦構件中推動現象或變形現象之發生。
本發明概念之實施例提供一種基板處理設備，用於在高壓製程期間最小化主體之精細振動。
本發明概念之實施例提供一種基板處理設備，用於增加抗摩擦構件的更換週期。
本發明概念的技術目標不限於上述目標，其他未提及之技術目標將自以下描述而對熟習此項技術者係顯而易見的。
本發明概念提供一種基板處理設備。基板處理設備包括主體；流體供應單元，用於將處理流體供應至主體內的處理空間；及流體排出管線，用於自處理空間排出處理流體，其中主體包括：第一主體；第二主體，相對於第 一主體相對移動；及抗摩擦構件，用於防止第一主體與第二主體之間的摩擦，其中抗摩擦構件組態為連續覆蓋第一主體及第二主體的表面中之至少兩個表面。
在實施例中，第一主體及第二主體的表面包括：第一表面；及第二表面，自第一表面延伸，其中抗摩擦構件包括：第一部分，組態為覆蓋第一表面；及第二部分，在自第一部分延伸的方向的交叉方向上延伸並組態為覆蓋第二表面。
在實施例中，第二部分以複數提供。
在實施例中，一些第二部分自第一部分在向上方向上延伸，而其他第二部分在向下方向上延伸。
在實施例中，一些第二部分自第一部分在向上及傾斜方向上延伸，而其他第二部分在向下及傾斜方向上延伸。
在實施例中，抗摩擦構件具有其中第一部分與第二部分整體形成一形式。
在實施例中，第二部分彼此間隔開，且空間為15mm至20mm。
在實施例中，第一主體及第二主體的表面包括第三表面，自第一表面及第二表面延伸，且抗摩擦構件進一步包括自第一部分延伸的第三部分。
在實施例中，第一主體係界定處理空間的腔室主體，而第二主體係用於夾持腔室主體的夾持主體。
在實施例中，第一主體及第二主體中之每一個係彼此組合以界定處理空間的第一腔室主體及第二腔室主體。
在實施例中，第一主體或第二主體中之任何一個可在側方向上移動。
在實施例中，第一主體或第二主體中之任何一個可在上/下方向上移動。
本發明概念提供一種基板處理設備。基板處理設備包括界定用於處理基板的處理空間的腔室主體，腔室主體包括第一腔室主體、及相對於第一腔室主體相對移動的第二腔室主體；用於夾持第一腔室主體及第二腔室主體的夾持主體，前提係第一腔室主體與第二腔室主體在閉合位置下緊密接觸；及用於防止夾持主體與腔腔室主體之間的摩擦的抗摩擦構件。
在實施例中，抗摩擦構件組態為連續覆蓋夾持主體或腔室主體中之任何一個的表面中之至少兩個表面。
在實施例中，抗摩擦構件以複數提供並彼此間隔開。
在實施例中，當自之上看時，一些抗摩擦構件在圓周方向上配置並彼此間隔開。
在實施例中，夾持主體或腔室主體中之任何一者的表面包括：第一表面；第二表面，自第一表面延伸；及第三表面，自第一表面及第二表面延伸，其中抗摩擦構件包括：第一部分，組態為覆蓋第一表面；第二部分，在自第一部分延伸的方向的交叉方向上延伸並組態為覆蓋第二表面；及第三部分，自第一部分延伸。
在實施例中，抗摩擦構件係聚醯亞胺膜。
本發明概念提供一種基板處理設備，用於藉由使用超臨界狀態下的處理流體來處理基板。基板處理設備包括主體；流體供應單元，用於將處理流體供應至主體內的處理空間；及流體排出管線，用於自處理空間排出處理流體，其中主體包括：腔室主體，界定用於處理基板的處理空間，腔室主體包括第一腔室主體及相對於第一腔室主體相對移動的第二腔室主體；用於夾持第一腔室主體及第二腔室主體的夾持主體，前提係第一腔室主體與第二腔室主體在閉合位置下緊密接觸；及抗摩擦構件，用於防止夾持主體與腔室主體之間的摩擦，且其中抗摩擦構件安裝於夾持主體處並組態為連續覆蓋夾持主體的表面中之至少兩個表面。
在實施例中，夾持主體的表面包括：第一表面，平行於地面；第二表面，相對於第一表面交叉延伸；及第三表面，相對於第一表面及第二表面交叉延伸，第三表面係一表面，其中第一夾持主體與第二夾持主體彼此面對，且其中抗摩擦構件包括：第一部分，組態為覆蓋第一表面；第二部分，自第一部分延伸並組態為覆蓋第二表面；及第三部分，自第一部分延伸並組態以覆蓋第三表面。
本發明概念提供一種基板處理設備，用於藉由使用超臨界狀態下的處理流體來處理基板。基板處理設備包括第一主體；第二主體，與第一主體組合以界定用於處理基板的處理空間；及抗摩擦構件，安裝於接合表面上，接合表面係第一主體或第二主體的一表面，第一主體與第二主體在該表面處接合，且其中抗摩擦構件以複數提供。
在實施例中，抗摩擦構件彼此間隔開並安裝於接合表面處。
在實施例中，基板處理設備進一步包括移動單元，用於使第一主體或第二主體中之任何一個相對於第一主體及第二主體中之另一個移動，且若第一主體或第二主體中之任何一個移動並處於閉合位置以界定處理空間，則抗摩擦構件之間的空間為允許抗摩擦構件中之任何一個與另一相鄰抗摩擦構件間隔開的空間。
根據本發明概念之實施例，可有效地處理基板。
根據本發明概念之實施例，可最小化主體之間提供的抗摩擦構件中的推動現象或變形現象之發生。
根據本發明概念之實施例，可最小化高壓製程期間主體的精細振動之發生。
根據本發明概念之實施例，可增加抗摩擦構件的更換週期。
本發明概念的效果不限於上述效果，其他未提及之效果將自以下描述而對熟習此項技術者係顯而易見的。
1:頂部主體
2:底部主體
3:密封構件
4:支撐構件
5:接觸膜
10:分度模組
12:裝載埠
14:分度框
20:處理模組
30:控制器
120:分度機器人
122:手
124:導軌
200:緩衝單元
220:緩衝器
300:轉移腔室
320:轉移機器人
322:手
324:導軌
400:液體處理腔室
410:殼體
420:杯
422:(第一)重新收集容器
422a:第一入口
424:(第二)重新收集容器
424a:第二入口
426:第三重新收集容器
426a:第三入口
440:支撐單元
442:支撐板
442a:支撐銷
442b:卡盤銷
444:驅動軸
446:驅動器
460:液體供應單元
462:噴嘴
480:提升/降低單元
500:乾燥腔室
510:腔室主體
510a:第一表面
510b:第二表面
511:處理空間
512:頂部主體
512a:第一供應通道
514:底部主體
514a:第二供應通道
514b:排出通道
516:密封構件
520:夾持主體
520a:第一表面
520b、520c:第二表面
520d:第三表面
522:第一夾持主體
524:第二夾持主體
530:流體供應單元
531:流體供應源
533:第一供應管線
535:第一供應閥
537:第二供應管線
539:第二供應閥
540:流體排出管線
550:支撐構件
560:第一移動單元
562:提升/降低驅動器
564:提升/降低板
570:第二移動單元
572:第一主體
574:第二主體
576:第三主體
578:移動軌道
580:抗摩擦構件
580a~580g:抗摩擦構件
581:第一部分
581a:580a的第一部分
581b:580b的第一部分
582:第二部分
582b:第二部分
583:第二部分
584:第三部分
600:乾燥腔室
611:處理空間
612:基座主體
614:門主體
616:支撐架
633:第一供應管線
637:第二供應管線
651:排出管線
700:乾燥腔室
712:基座主體
714:門主體
716:支撐架
733:供應管線
761:排出管線
800:乾燥腔室
810:主體
812:頂部主體
812a:頂部通道
814:底部主體
814a:供應通道
814b:底部通道
814c:排出通道
816:密封構件
820:提升/降低構件
830:支撐構件
900:乾燥腔室
910:腔室主體
912:第一腔室主體
914:第二腔室主體
920:夾持主體
922:第一夾持主體
922a~922b:突出物
924:第二夾持主體
924a~924b:突出物
9122:凹槽
9124:凹槽
9142:凹槽
9144:凹槽
B:固定外壁
C:容器
G:乾燥流體
V1~V3:振動
W:基板
X:第一方向
Y:第二方向
Z:第三方向
上述及其他標的物及特徵將自以下參考諸圖的描述中變得明顯，其中除非另有規定，否則類似參考符號係指各圖中的類似部分。
圖1圖示習知基板處理設備。
圖2圖示在圖1的接觸膜上發生變形現象或推動現象的狀態。
圖3圖示根據本發明概念之實施例的基板處理設備。
圖4示意性地圖示圖3的液體處理腔室之實施例。
圖5示意性地圖示圖3的乾燥腔室之實施例。
圖6圖示圖5的頂部主體及底部主體以閉合位置定位的狀態。
圖7圖示圖5的第一夾持主體及第二夾持主體以夾持位置定位的狀態。
圖8A係圖示圖5的夾持主體中之任何一者的透視圖。
圖8B係圖示圖5的夾持主體中之另一者的透視圖。
圖9係圖示圖5的腔室主體及夾持主體的一部分之放大視圖。
圖10、圖11、及圖12圖示腔室主體的振動，這些振動可傳遞至夾持主體。
圖13圖示根據本發明概念的另一實施例的抗摩擦構件。
圖14及圖15圖示根據本發明概念的另一實施例的抗摩擦構件。
圖16示意性地圖示本發明概念的抗摩擦構件的另一實施例。
圖17至圖22圖示根據本發明概念的另一實施例的乾燥腔室及抗摩擦構件。
本發明概念可經各種修改並可具有各種形式，且其特定實施例將在圖式中說明並詳細描述。然而，根據本發明概念之概念的實施例並不旨在限制特定之揭示形式，且應理解，本發明概念包括本發明概念之精神及技術範疇 中包括的所有變換、等同物、及替換。在本發明概念的描述中，當對相關已知技術的詳細描述可能使本發明概念的實質不明確時，可予以省略。
本文使用的術語僅用於描述特定實施例而並不意欲為限制本發明概念。如本文所用，除非上下文另有明確指示，否則單數形式「一(a)」、「一(an)」及「該(the)」亦旨在包括複數形式。應進一步理解，當在本說明書中使用術語「包含(comprises)」、「包含(comprising)」、「包括(includes)」、及/或「包括(includes)」時，規定所述特徵、整數、步驟、操作、元件、及/或組件之存在，但不排除一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、組件、及/或其群組之存在或添加。如本文所用，術語「及/或」包括相關列出項目中之一或多者的任何及所有組合。此外，術語「實例」意指實例或說明。
應理解，儘管本文中可使用術語「第一」、「第二」、「第三」等來描述各種元件、組件、區域、層及/或部分，但這些元件、組件、區域、層及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於區分一個元件、組件、區域、層或部分與另一區域、層或部分。因此，下文討論的第一元件、組件、區域、層或部分可稱為第二元件、組件、區域、層或部分，而不偏離本發明概念之教導。
應理解，當元件或層稱為「在」另一元件或層「上」、「連接至」、「耦接至」、或「覆蓋」另一元件或層時，其可直接在另一元件或層上、連接至、耦接至、或覆蓋另一元件或層，或可存在中介元件或層。相反，當元件稱為「直接在......上」、「直接連接至」、或「直接耦接至」另一元件或層時，不存在中介元件或層。其他術語，諸如「在......之間」、「相鄰」、「附近」或類似者亦應以同樣的方式解譯。
除非另有定義，否則本文中使用的所有術語，包括技術或科學術語，具有與熟習本發明概念所屬領域技術者通常理解的含義相同的含義。除非在本申請案中明確定義，否則常用詞典中定義的術語應解譯為與相關技術的上 下文一致，而不會理想化或過於正式。
下文中，將參考圖3至圖22描述本發明概念之實施例。
圖3係圖示根據本發明概念之實施例的基板處理設備之平面圖。
參考圖3，基板處理設備包括分度模組10、處理模組20、及控制器30。分度模組10及處理模組20在一個方向上設置。下文中，分度模組10及處理模組20的設置方向將稱為第一方向X，垂直於第一方向X的方向稱為第二方向Y，且垂直於第一方向X及第二方向Y兩者的方向稱為第三方向Z。
分度模組10將基板W自其中儲存基板W的容器C轉移至處理模組20，並將處理模組20處已完成處理的基板W儲存於容器C中。分度模組10的縱向方向在第二方向Y上提供。分度模組10具有裝載埠12及分度框14。分度框14位於裝載埠12與處理模組20之間。儲存基板W的容器C置放於裝載埠12上。可提供複數個裝載埠12，且複數個裝載埠12可沿第二方向Y設置。
針對容器C，可使用密封容器，諸如前開式統一吊艙(front open unified pod；FOUP)。容器C可藉由諸如高架轉機、高架輸送機、或自動導引車輛的轉移機構(未圖示)或藉由操作員置放於裝載埠12上。
分度框14提供有分度機器人120。在分度框14中，可提供其縱向方向在第二方向Y上的導軌124，並可提供分度機器人120，使其可沿導軌124移動。分度機器人120可包括其上置放基板W的手122，且手122可向前及向後移動、可繞第三方向Z旋轉，並可沿第三方向Z移動。提供複數個手122，使其在上/下方向上間隔開，且手122可彼此獨立地向前及向後移動。
控制器30可控制基板處理設備。控制器可包括製程控制器，例如，執行基板處理設備之控制的微處理器(電腦)；使用者介面，例如，操作員執行命令輸入操作的鍵盤及類似者以便管理基板處理設備、用於可視化及顯示基板處理設備的操作情況的顯示器、及類似者；及儲存單元，儲存用於在製程控制器的控制下執行在基板處理設備中執行的製程的控制程式、用於根據處理條 件在各個組件中執行各種製程的各種資料及程式(即，處理配方)。此外，使用者介面及儲存單元可連接至製程控制器。處理配方可儲存於儲存單元中的儲存媒體中，且儲存媒體可為硬碟，亦可為諸如CD-ROM或DVD的可攜式磁碟，或諸如快閃記憶體的半導體記憶體。
處理模組20包括緩衝單元200、轉移腔室300、液體處理腔室400、及乾燥腔室500。緩衝單元200提供一個空間，其中基板W攜帶至處理模組20中，且自處理模組20攜帶出的基板W暫時停留其中。液體處理腔室400將液體供應至基板W上，以執行對基板W進行液體處理的液體處理製程。乾燥腔室500執行移除殘留於基板W上的液體的乾燥製程。轉移腔室300在緩衝單元200、液體處理腔室400、及乾燥腔室500之間轉移基板W。
轉移腔室300的縱向方向可在第一方向X上提供。緩衝單元200可設置於分度模組10與轉移腔室300之間。液體處理腔室400及乾燥腔室500可設置於轉移腔室300的一側上。液體處理腔室400與轉移腔室300可沿第二方向Y設置。乾燥腔室500與轉移腔室300可沿第二方向Y設置。緩衝單元200可位於轉移腔室300的一個末端處。
根據實施例，液體處理腔室400可設置於轉移腔室300的兩側上，乾燥腔室500可設置於轉移腔室300的兩側上，且液體處理腔室400可比乾燥腔室500更靠近緩衝單元200地設置。在一些實施例中，在轉移腔室300的一側及/或兩側上，可沿第一方向X及第三方向Z以AXB(A及B係大於1的自然數或1)陣列提供液體處理腔室400。在一些實施例中，在轉移腔室300的一側及/或兩側處，乾燥腔室500可沿第一方向X及第三方向Z以CXD(C及D係大於1的自然數或1)陣列提供。在一些實施例中，可在轉移腔室300的一個側處僅提供液體處理腔室400，且可在轉移腔室300的另一側處僅提供乾燥腔室500。
轉移腔室300具有轉移機器人320。在轉移腔室300中，可提供具有設置於第一方向X上的縱向方向的導軌324，並可提供可在導軌324上移動的轉 移機器人320。轉移機器人320可包括其上置放基板W的手322，且手322可向前及向後移動、可繞第三方向Z作為軸旋轉，並可沿第三方向Z移動。複數個手322在上/下方向上間隔開，且手322可彼此獨立地向前及向後移動。
緩衝單元200包括複數個緩衝器220，基板W置放於其上。緩衝器220可設置成在第三方向Z上彼此間隔開。緩衝單元200的正面及背面為打開的。正面係面對分度模組10的表面，而背面係面對轉移腔室300的表面。分度機器人120可經由正面存取緩衝單元200，而轉移機器人320可經由背面存取緩衝單元200。
圖4示意性地圖示圖3的液體處理腔室之實施例。參考圖4，液體處理腔室400包括殼體410、杯420、支撐單元440、液體供應單元460、及提升/降低單元480。
殼體410可具有在其中處理基板W的內部空間。殼體410可具有大致六面體形狀。舉例而言，殼體410可具有矩形平行六面體形狀。此外，可在殼體410中形成經由其帶入或取出基板W的開口(未顯示)。此外，用於選擇性地打開及關閉開口的門(未顯示)可安裝於殼體410處。
杯420可具有帶有開放頂部的容器形狀。杯420可具有處理空間，且基板W可在處理空間中進行液體處理。支撐單元440在處理空間中支撐基板W。液體供應單元460將處理流體供應至由支撐單元440支撐的基板W上。處理流體可以複數種類型提供，並可順序地供應至基板W上。提升/降低單元480調整杯420與支撐單元440之間的相對高度。
在實施例中，杯420具有複數個重新收集容器422、424、及426。重新收集容器422、424、及426中之每一個具有用於重新收集用於基板處理的液體的重新收集空間。重新收集容器422、424、及426中之每一個以圍繞支撐單元440的環形形狀設置。在液體處理製程期間，藉由基板W的旋轉分散的處理流體經由各個個別重新收集容器422、424、及426的入口(422a、424a、及426a)引 入重新收集空間中。根據實施例，杯420具有(第一)重新收集容器422、(第二)重新收集容器424、及(第三)重新收集容器426。(第一)重新收集容器422設置成圍繞支撐單元440，(第二)重新收集容器424設置成圍繞(第一)重新收集容器422，且(第三)重新收集容器426設置成圍繞(第二)重新收集容器424。將液體引入(第二)重新收集容器424的第二入口424a可位於將液體引入(第一)重新收集容器422的第一入口422a之上，且將液體引入(第三)重新收集容器426的第三入口426a可位於第二入口424a之上。
支撐單元440具有支撐板442及驅動軸444。支撐板442的頂表面以基本圓形形狀提供，並可具有大於基板W之直徑的直徑。支撐銷442a在支撐板442的中心部分處提供，以支撐基板W的底表面，且支撐銷442a用於自支撐板442伸出，使得基板W與支撐板442藉由預定距離間隔開。卡盤銷442b在支撐板442的邊緣處提供。卡盤銷442b用於自支撐板442向上突出，並支撐基板W的一側，使得當基板W旋轉時，基板W由支撐單元440穩定地保持。驅動軸444由驅動器446驅動，連接至基板W底表面的中心，並基於其中心軸旋轉支撐板442。
根據實施例，液體供應單元460可包括噴嘴462。噴嘴462可將處理流體供應至基板W。處理流體可為化學品、沖洗液、或有機溶劑。化學品可為具有強酸性質或強鹼性質的化學品。此外，沖洗液可為去離子水。此外，有機溶劑可為異丙醇(IPA)。此外，液體供應單元460可包括複數個噴嘴462，且各個噴嘴462可供應不同類型之處理流體。舉例而言，噴嘴462中之一者可供應化學品，噴嘴462中之另一者可供應沖洗液，而噴嘴462中之又另一者可供應有機溶劑。此外，控制器30可控制液體供應單元460在自另一噴嘴462供應沖洗液至基板W之後，自又另一噴嘴462供應有機溶劑至基板W。因此，供應至基板W上的沖洗液可用具有小表面張力的有機溶劑取代。
提升/降低單元480在上/下方向上移動杯420。杯420與基板W之間的相對高度藉由杯420的上/下移動而改變。結果，用於重新收集處理流體的重新 收集容器422、424、426根據供應至基板W的液體之類型而改變，從而液體可分開地重新收集。不同於上述描述，杯420固定地安裝，且提升/降低單元480可在上/下方向上移動支撐單元440。
圖5示意性地圖示圖3的乾燥腔室之實施例。
參考圖5，根據本發明概念之實施例的乾燥腔室500可藉由使用超臨界狀態下的乾燥流體來移除殘留於基板W上的處理流體。舉例而言，乾燥腔室500可執行使用超臨界狀態下的二氧化碳CO2來移除殘留於基板W上的有機溶劑的乾燥製程。
乾燥腔室500可包括腔室主體510(例示性第一主體)、夾持主體520(例示性第二主體)、流體供應單元530、流體排出管線540、支撐構件550、第一移動單元560、第二移動單元570、及抗摩擦構件580。腔室主體510與夾持主體520可統稱為主體。
腔室主體510可包括頂部主體512(另一例示性第一主體)、及底部主體514(另一例示性第二主體)。頂部主體512與底部主體514可彼此組合以形成處理空間511。頂部主體512及底部主體514中之任何一個可組態為可相對於另一個相對移動。舉例而言，頂部主體512及底部主體514中之任何一個可由第一移動單元560移動。第一移動單元560可包括提升/降低驅動器562及提升/降低板564。可提供複數個提升/降低驅動器562，並將其連接至提升/降低板564。提升/降低板564可耦接至底部主體514。當提升/降低驅動器562提升及降低提升/降低板564時，底部主體514亦可與提升/降低板564一起提升及降低。用於加熱供應至處理空間511的乾燥流體的加熱器可埋入腔室主體510中。此外，當頂部主體512與底部主體514處於閉合位置時，可在底部主體514處形成凹槽以增加處理空間511的氣密性，且可將作為密封構件的O形圈516插入凹槽中。
頂部主體512的位置可固定，並可藉由第一移動單元560在第三方向Z上提升及降低底部主體514。下文中，底部主體514上升並接觸頂部主體512 以形成處理空間511的位置稱為閉合位置，而底部主體514下降並與頂部主體512間隔開的位置稱為打開位置。
夾持主體520可包括第一夾持主體522及第二夾持主體524。第一夾持主體522及第二夾持主體524可在相對位置處夾持腔室主體510。第一夾持主體522及第二夾持主體524的內表面可具有基本對應於處於閉合位置的腔室主體510的外表面的形狀。第一夾持主體522及第二夾持主體524可由第二移動單元570移動。可提供複數個第二移動單元570。第二移動單元570中之任何一個可連接至頂部主體512及第一夾持主體522，而第二移動單元570中之另一個可連接至頂部主體512及第二夾持主體524。
第二移動單元570可包括耦接至頂部主體512的第一主體572、耦接至夾持主體520並沿移動軌道578移動的第二主體574、及耦接至固定外壁B的第三主體576。第二主體574可在第一方向X上移動的同時在朝向腔室主體510的方向上移動夾持主體520。
流體供應單元530可供應乾燥流體至處理空間511。由流體供應單元530供應的乾燥流體可包括二氧化碳CO2。流體供應單元530可包括流體供應源531、第一供應管線533、第一供應閥535、第二供應管線537、及第二供應閥539。
流體供應源531可將供應至處理空間511的乾燥流體進行儲存及/或供應。流體供應源531可將乾燥流體供應至第一供應管線533及/或第二供應管線537。舉例而言，第一供應閥535可安裝於第一供應管線533處。此外，第一供應管線533可連接至形成於頂部主體512處的第一供應通道512a。此外，第二供應閥539可安裝於第二供應管線537處。此外，第二供應管線537可連接至形成於底部主體514處的第二供應通道514a。第一供應閥535及第二供應閥539可為開啟/關閉閥。取決於第一供應閥535及第二供應閥539的開啟/關閉，乾燥流體可選擇性地在第一供應管線533或第二供應管線537中流動。
在上述實例中，第一供應管線533及第二供應管線537連接至一個 流體供應源531，但不限於此。舉例而言，可提供複數個流體供應源531，第一供應管線533可連接至複數個流體供應源531中之任何一者，而第二供應管線537可連接至流體供應源531中之另一者。
此外，第一供應管線533可為自處理空間511之上供應乾燥氣體的頂部供應管線。舉例而言，第一供應管線533可在由上而下的方向上供應乾燥氣體至處理空間511。此外，第二供應管線537可為自處理空間511之下供應乾燥氣體的底部供應管線。舉例而言，第二供應管線537可在由下而上的方向上供應乾燥氣體至處理空間511。
流體排出管線540可自處理空間511排出乾燥流體。流體排出管線540可連接至為處理空間提供減壓的減壓構件(未顯示)。此外，流體排出管線540可連接至形成於底部主體514處的排出通道514b。減壓構件可為泵。然而，本發明概念並不限於此，減壓構件可經各種修改成能夠為處理空間提供減壓的已知裝置。
支撐構件550可在處理空間511處支撐基板W。支撐構件550可在處理空間511中支撐基板W的邊緣區域。支撐構件550可支撐基板W的邊緣區域的底表面。支撐構件550可安裝於頂部主體512處。
抗摩擦構件580可安裝於夾持主體520處。抗摩擦構件580可安裝於夾持主體520的內表面上。抗摩擦構件580可安裝於一區域中，其中夾持主體520與腔室主體510可彼此接觸，亦即，係接合表面。抗摩擦構件580可稱為抗摩擦薄膜。可提供複數個抗摩擦構件580。抗摩擦構件580中之一些可安裝於夾持主體520的內表面的底部部分處，而其他抗摩擦構件580可安裝於夾持主體520的內表面的頂部部分處。
抗摩擦構件580可安裝於第一夾持主體522及第二夾持主體524中之每一個處。兩個抗摩擦構件580可安裝於第一夾持主體522的內表面的底部部分處，且兩個抗摩擦構件580可安裝於第一夾持主體522的內表面的頂部部分 處。類似地，兩個抗摩擦構件580可安裝於第二夾持主體524的內表面的底部部分處，且兩個抗摩擦構件580可安裝於第二夾持主體524的內表面的頂部部分處。亦即，抗摩擦構件580可安裝於八個點處。稍後將描述抗摩擦構件580的安裝位置及特定形狀。
圖6圖示圖5的頂部主體及底部主體以閉合位置定位，而圖7圖示圖5的第一夾持主體及第二夾持主體以夾持位置定位。
參考圖6及圖7，當基板W的乾燥製程開始時，舉例而言，使用超臨界乾燥流體對基板W進行乾燥的高壓乾燥製程，第一移動單元560可將頂部主體512及底部主體514中之任何一者自彼此間隔開的打開位置移動至閉合位置(見圖6)。此後，為了限制高壓乾燥製程期間頂部主體512及底部主體514的移動，第一夾持主體522及第二夾持主體524可自釋放頂部主體512及底部主體514之移動限制的釋放位置(見圖7)移動至限制頂部主體512及底部主體514之移動的夾持位置。
圖8A係圖示圖5的夾持主體中之任何一者之透視圖，圖8B係圖示圖5的其他夾持主體之透視圖，且圖9係圖5的腔室主體及夾持主體的一部分之放大視圖。
參考圖8A、圖8B、及圖9，當頂部主體512與底部主體514處於彼此緊密接觸的閉合位置時，腔室主體510的外表面可具有對應於夾持主體520之內表面的形狀。舉例而言，當頂部主體512與底部主體514處於閉合位置時，腔室主體510的外表面的一部分可由第一夾持主體522的內表面夾持，而腔室主體520的外表面的另一部分可由第二夾持主體524的內表面夾持。
抗摩擦構件580可安裝於第一夾持主體522的內表面上。抗摩擦構件580可安裝於第二夾持主體524的內表面上。抗摩擦構件580可藉由黏附劑或類似者附接至第一夾持主體522及第二夾持主體524的內表面。然而，本發明不限於此，並可藉由諸如螺栓/螺釘的耦接裝置將抗摩擦構件580耦接並安裝於夾持主 體520的內表面上。
複數個抗摩擦構件580可安裝於第一夾持主體522的內表面處。安裝於第一夾持主體522的內表面上的抗摩擦構件580可彼此間隔地安裝。當第一夾持主體522處於夾持位置時，可對抗摩擦構件580加壓，且即使在對抗摩擦構件580加壓時，抗摩擦構件580之間的空間亦可彼此不重疊地以一間隔設置。此外，複數個抗摩擦構件580(例如，兩個抗摩擦構件580)可安裝於第一夾持主體522的內表面的底部部分處，以彼此間隔開。此外，複數個抗摩擦構件580(例如，兩個抗摩擦構件850)可安裝於第一夾持主體522的內表面的頂部部分處，以彼此間隔開。當自之上看時，抗摩擦構件580可安裝成在圓周方向上彼此間隔開。舉例而言，當自之上看時，設置於第一夾持主體522的內表面的頂部部分處的兩個抗摩擦構件580可安裝成沿圓周方向彼此間隔開。此外，當自之上看時，設置於第一夾持主體522的內表面的底部部分處的兩個抗摩擦構件580可沿圓周方向彼此間隔開。安裝於第二夾持主體524處的抗摩擦構件580的配置與安裝於第一夾持主體522處的抗摩擦構件580的配置對稱，因此將省略其重複描述。
此外，第一夾持主體522及第二夾持主體524的內表面可各個包括第一表面520a、第二表面520b及520c、及第三表面520d。第一表面520a可為平行於地面的表面。第二表面520b及520c可為自第一表面520a延伸的表面。第二表面520b及520c可為在第一表面520a延伸的方向的交叉方向上延伸的表面。舉例而言，第二表面520b及520c可為在垂直於第一表面520a延伸的方向的方向上延伸的表面。第三表面520d可為自第一表面520a及第二表面520c延伸的表面。第三表面520d可為在垂直於第一表面520a延伸的方向的方向、及在垂直於第二表面520c延伸的方向的方向上延伸的表面。
抗摩擦構件580可組態為連續覆蓋夾持主體520的內表面中之至少兩個表面。舉例而言，抗摩擦構件580可包括第一部分581、第二部分582及583、以及第三部分584。第一部分581可組態為覆蓋夾持主體520的第一表面 520a。當自之上看時，第一部分581可具有弧形形狀。
第二部分582及583可自第一部分581延伸。第二部分582及583可在第一部分581延伸的方向的交叉方向上延伸。舉例而言，第二部分582及583可在垂直於第一部分581延伸的方向的方向上延伸。第二部分582及583可組態為覆蓋第二表面520b及520c。第二部分582及583的一部分可向上延伸，而第二部分582及583的另一部分可向下延伸。此外，可提供複數個第二部分582及583，且第二部分582與583可提供為彼此間隔開。第二部分582與583之間的間隔可為約15mm至約20mm。此外，抗摩擦構件580可進一步包括組態為覆蓋第三表面520d的第三部分584。第三部分584可自第一部分581延伸。
此外，抗摩擦構件580的第一部分581、第二部分582、583、以及第三部分584可整體提供。亦即，抗摩擦構件580可具有一形狀，其中幾個薄膜經整體處理，使得第一部分581、第二部分582、與第三部分584具有一個主體，而非各個附接至夾持主體520的內表面。這係因為當幾個薄膜重疊以形成抗摩擦構件580以具有第一部分581、第二部分582及583、以及第三部分584時，抗摩擦構件580極有可能由處理空間511的壓力產生之振動損壞。
本申請案的抗摩擦構件580係作為三維薄膜結構提供的，而非簡單地附接至一平面的形式。此外，安裝抗摩擦構件580以承受由腔室主體510傳遞的垂直、水平、及前後力。
具體地，如圖10中所示，腔室主體510可將上下方向(例如，第三方向Z)上抖動的振動V1傳遞至夾持主體520。在這種情況下，即使在第三方向Z上抖動的振動V1傳遞至夾持主體520，由抗摩擦構件580的第一部分581接收的力在朝向夾持主體520的第一表面520a的方向上傳遞，且因此在抗摩擦構件580處幾乎不發生變形現象或推壓現象。
此外，如圖11中所示，腔室主體510可將前後方向(例如，第一方向X)上的振動V2傳遞至夾持主體520。在這種情況下，即使第一方向X上的振動 V2抖動傳遞至抗摩擦構件580，藉由第三部分584及第二部分583限制推動現象之發生亦係可能的。
此外，如圖12中所示，腔室主體510可將在第三方向Z上重複旋轉的旋轉振動V3傳輸至夾持主體520。在這種情況下，即使在第三方向Z上重複旋轉的旋轉振動V3傳遞至抗摩擦構件580，推動現象之發生可藉由抗摩擦構件580的第三部分584來限制。
上述振動僅係實例，且除上述振動以外，各種類型之振動可傳遞至抗摩擦構件580。因為抗摩擦構件580具有抗摩擦構件580在其中彎曲的反曲點，所以根據本發明概念之實施例的抗摩擦構件580在各個方向上具有支撐力，且因此不容易發生變形現象或推動現象。亦即，由於抗摩擦構件580具有平面結構，過去由於振動而容易產生變形現象或推動現象，但根據本發明概念之實施例的抗摩擦構件580具有三維結構，從而使上述問題最小化。
在上述實例中，抗摩擦構件580具有第一部分581、第二部分582、583、以及第三部分584，但不限於此。舉例而言，如圖13中所示，抗摩擦構件580可組態為僅覆蓋第一表面520a。
在上述實例中，第二部分582及583自第一部分581在上/下方向上延伸，但不限於此。舉例而言，如圖14及圖15中所示，第二部分582及583可自第一部分581在向上及向下方向上延伸，並可在傾斜方向上延伸。
在上述實例中，作為實例，抗摩擦構件580安裝於夾持主體520的內表面上，但不限於此。舉例而言，如圖16中所示，抗摩擦構件580a可安裝於頂部主體512或底部主體514的接合表面上。舉例而言，抗摩擦構件580a可安裝於底部主體514的接合表面上，並可組態為連續覆蓋底部主體514的第一表面510a及第二表面510b。舉例而言，抗摩擦構件580a可包括覆蓋第一表面510a的第一部分581a及覆蓋第二表面510b的第二部分582b。此外，抗摩擦構件580a可安裝於密封構件516的外部。這係為了最小化由抗摩擦構件580a的摩擦產生的顆粒流 入處理空間511中。
圖17示意性地圖示根據本發明概念之另一實施例的乾燥腔室。用於使用超臨界流體乾燥基板W的乾燥腔室600可包括基座主體612及門主體614。基座主體612與門主體614可彼此組合以形成處理空間611。基座主體612可具有帶有開放側的圓柱形狀，且門主體614可在側方向上移動以選擇性地打開及閉合處理空間611。支撐基板W的支撐架616可耦接至門主體614。
用於供應乾燥流體G的第一供應管線633可將乾燥流體G供應至由支撐架616支撐的基板W的一側。用於供應乾燥流體的第二供應管線637可自支撐架616向下供應乾燥流體。
用於排出乾燥流體G的排出管線651可在向下方向上排出處理空間611。
抗摩擦構件580b可附接至門主體614。抗摩擦構件580b可包括第一部分581b，覆蓋面對基座主體612的門主體614的第一表面，及第二部分582b，覆蓋不平行於第一表面的門主體614的第二表面。當自橫截面觀察時，抗摩擦構件580b通常可具有「L」形及倒「L」形。在一些情況下，如圖18中所示，抗摩擦構件580c可具有旋轉「U」形。
圖19示意性地圖示根據本發明概念之另一實施例的乾燥腔室。用於使用超臨界流體乾燥基板W的乾燥腔室700可包括基座主體712及門主體714。基座主體712與門主體714可彼此組合以形成處理空間。基座主體712可具有帶有開放側的圓柱形狀，且門主體714可在側方向上移動以選擇性地打開及閉合處理空間。支撐基板W的支撐架716可耦接至門主體714。
由供應管線733供應的乾燥流體G可沿由支撐架716與基座主體712形成的乾燥流體G之流體通道流動。乾燥流體G之流體通道可形成為沿基板W的頂表面流動。
排出乾燥流體G的排出管線761可在向上方向上排出處理空間 611。
抗摩擦構件580d可附接至門主體714。抗摩擦構件580d可包括第一部分，覆蓋面對基座主體712的門主體714的第一表面；及第二部分，覆蓋不平行於第一表面的門主體714的第二表面。當自橫截面觀察時，抗摩擦構件580d通常可具有「L」形及倒「L」形。
圖20示意性地圖示根據本發明概念之另一實施例的乾燥腔室。用於使用超臨界流體乾燥基板W的乾燥腔室800可包括主體810及提升/降低構件820。主體810可包括頂部主體812及底部主體814。頂部主體812與底部主體814可彼此組合以形成處理基板W的處理空間。此外，乾燥腔室800可包括用於在處理空間中支撐基板W的支撐構件830。此外，乾燥腔室800可進一步包括能夠保持由頂部主體812及底部主體814形成的處理空間的氣密性的密封構件816。
此外，可在頂部主體812處形成用於供應乾燥流體G的頂部通道812a。此外，可在底部主體814處形成能夠執行乾燥流體G的供應及排出的底部通道814b。底部通道814b可與供應乾燥流體G的供應通道814a及排出乾燥流體G的排出通道814c流體連通。
可在頂部主體812與底部主體814接觸的接合表面處提供抗摩擦構件580e。抗摩擦構件580e可安裝於底部主體814處。抗摩擦構件580e可包括第一部分，覆蓋彼此面對的頂部主體812及底部主體814的表面；及第二部分，覆蓋垂直於第一表面的第二表面。當自橫截面觀察時，抗摩擦構件580e通常可具有倒「L」形。
圖21示意性地圖示根據本發明概念之另一實施例的乾燥腔室。用於使用超臨界流體乾燥基板W的乾燥腔室900可包括腔室主體910及夾持主體920。腔室主體910可包括第一腔室主體912及第二腔室主體914。第二腔室主體914可提供為可相對於第一腔室主體912相對移動。兩個主體可彼此組合以形成處理空間，在處理空間中，基板藉由乾燥流體經處理。此外，當基板藉由超臨 界狀態下的乾燥流體來處理時，第一腔室主體912與第二腔室主體914的閉合位置可藉由壓力釋放。
因此，當基板在乾燥腔室900處經處理時，夾持主體920可夾持腔室主體910。
夾持主體920可包括第一夾持主體922及第二夾持主體924。第一夾持主體922的突出物922a及922b可分別插入形成於第一腔室主體912中的凹槽9122及形成於第二腔室主體914中的凹槽9142中。此外，第二夾持主體924的突出物924a及924b可分別插入形成於第二腔室主體914中的凹槽9124及形成於第二腔室主體914中的凹槽9144中。
此外，抗摩擦構件580f可安裝於夾持主體920與腔室主體910接合的接合表面上。舉例而言，抗摩擦構件580f可組態為覆蓋夾持主體920的突出物922a、922b、924a、及924b。此外，抗摩擦構件580f可組態為覆蓋突出物922a、922b、924a、及924b中之每一個的至少兩個表面。
圖22圖示可安裝於圖17中所示的乾燥腔室600中的抗摩擦構件580g之另一實施例。可提供複數個抗摩擦構件580g。抗摩擦構件580g可安裝於基座主體612與門主體614彼此接合的接合表面上。具體地，複數個抗摩擦構件580g可安裝於門主體614的接合表面上，彼此間隔開。此外，如上所述，門主體614用於可藉由移動單元相對於基座主體612相對移動。當門主體614處於界定處理空間的閉合位置時，抗摩擦構件580g之間的空間亦可為允許抗摩擦構件580g與另一相鄰抗摩擦構件580g間隔開的空間。
本發明概念的效果不限於上述效果，本發明概念所屬領域的技術人員可自本說明書及隨附圖式中清楚地理解未提及之效果。
儘管到目前為止已說明及描述本發明概念的較佳實施例，但本發明概念不限於上述具體實施例，且應注意，一般技藝人士可在不脫離申請專利範圍主張的發明概念的本質的情況下以各種方式執行本發明概念，且不應將這 些修改與本發明概念的技術精神或前景分開解譯。
10:分度模組
12:裝載埠
14:分度框
20:處理模組
30:控制器
120:分度機器人
122:手
124:導軌
200:緩衝單元
220:緩衝器
300:轉移腔室
320:轉移機器人
322:手
324:導軌
400:液體處理腔室
500:乾燥腔室
C:容器
X:第一方向
Y:第二方向
Z:第三方向

Claims (23)

  1. 一種基板處理設備，其包含：主體；流體供應單元，用於將處理流體供應至前述主體內的處理空間；及流體排出管線，用於自前述處理空間排出前述處理流體，其中前述主體包含：第一主體；第二主體，相對於前述第一主體相對移動，且在前述第一主體和前述第二主體處於閉合位置下緊密接觸時，前述第二主體夾持前述第一主體；及抗摩擦構件，用於防止前述第一主體與前述第二主體之間的摩擦，且其中前述抗摩擦構件組態為連續覆蓋前述第一主體及前述第二主體的表面中之至少兩個表面。
  2. 如請求項1所述之基板處理設備，其中前述第一主體及前述第二主體的前述表面包含：第一表面；及第二表面，自前述第一表面延伸，且其中前述抗摩擦構件包括：第一部分，組態以覆蓋前述第一表面；及第二部分，在自前述第一部分延伸的方向的交叉方向上延伸並組態以覆蓋前述第二表面。
  3. 如請求項2所述之基板處理設備，其中前述第二部分以複數提供。
  4. 如請求項3所述之基板處理設備，其中一些前述第二部分自前述第一部分在向上方向上延伸，而其他前述第二部分在向下方向上延伸。
  5. 如請求項4所述之基板處理設備，其中一些前述第二部分自前述 第一部分在向上及傾斜方向上延伸，而其他前述第二部分在向下及傾斜方向上延伸。
  6. 如請求項2所述之基板處理設備，其中前述抗摩擦構件具有其中前述第一部分與前述第二部分整體形成的一形式。
  7. 如請求項3所述之基板處理設備，其中前述第二部分彼此間隔開，且空間為15毫米至20毫米。
  8. 如請求項2所述之基板處理設備，其中前述第一主體及前述第二主體的前述表面包括自前述第一表面及前述第二表面延伸的第三表面，且前述抗摩擦構件進一步包括自前述第一部分延伸的第三部分。
  9. 如請求項1至8中任一項所述之基板處理設備，其中前述第一主體係界定前述處理空間的腔室主體，且前述第二主體係用於夾持前述腔室主體的夾持主體。
  10. 如請求項1至8中任一項所述之基板處理設備，其中前述第一主體及前述第二主體中之每一個係彼此組合以界定前述處理空間的第一腔室主體與第二腔室主體。
  11. 如請求項10所述之基板處理設備，其中前述第一主體或前述第二主體中之任何一個可在側方向上移動。
  12. 如請求項10所述之基板處理設備，其中前述第一主體或前述第二主體中之任何一個可在上/下方向上移動。
  13. 一種基板處理設備，其包含：腔室主體，界定用於處理基板的處理空間，前述腔室主體包括第一腔室主體、及相對於前述第一腔室主體相對移動的第二腔室主體；夾持主體，若前述第一腔室主體與前述第二腔室主體在閉合位置下緊密接觸，前述夾持主體用於夾持前述第一腔室主體及前述第二腔室主體；及抗摩擦構件，用於防止前述夾持主體與前述腔室主體之間的摩擦。
  14. 如請求項13所述之基板處理設備，其中前述抗摩擦構件組態以連續覆蓋前述夾持主體或前述腔室主體中之任何一個的表面中之至少兩個表面。
  15. 如請求項14所述之基板處理設備，其中前述抗摩擦構件以複數提供並彼此間隔開。
  16. 如請求項15所述之基板處理設備，其中當自之上看時，一些前述抗摩擦構件在圓周方向上配置並彼此間隔開。
  17. 如請求項16所述之基板處理設備，其中前述夾持主體或前述腔室主體中之任何一個的前述表面包含：第一表面；第二表面，自前述第一表面延伸；及第三表面，自前述第一表面及前述第二表面延伸，且其中前述抗摩擦構件包括：第一部分，組態以覆蓋前述第一表面；第二部分，在自前述第一部分延伸的方向的交叉方向上延伸並組態以覆蓋前述第二表面；及第三部分，自前述第一部分延伸。
  18. 如請求項13至17中任一項所述之基板處理設備，其中前述抗摩擦構件為聚醯亞胺膜。
  19. 一種用於藉由使用超臨界狀態下的處理流體來處理基板的基板處理設備，前述基板處理設備包含：主體；流體供應單元，用於將前述處理流體供應至前述主體內的處理空間；及流體排出管線，用於自前述處理空間排出前述處理流體，其中前述主體包含： 腔室主體，界定用於處理前述基板的前述處理空間，前述腔室主體包括第一腔室主體、及相對於前述第一腔室主體相對移動的第二腔室主體；夾持主體，若前述第一腔室主體與前述第二腔室主體在閉合位置下緊密接觸，前述夾持主體用於夾持前述第一腔室主體及前述第二腔室主體；及抗摩擦構件，用於防止前述夾持主體與前述腔室主體之間的摩擦，且其中前述抗摩擦構件安裝於前述夾持主體處並組態以連續覆蓋前述夾持主體的表面中之至少兩個表面。
  20. 如請求項19所述之基板處理設備，其中前述夾持主體的前述表面包含：第一表面，平行於地面；第二表面，相對於前述第一表面交叉延伸；及第三表面，相對於前述第一表面及前述第二表面交叉延伸，前述第三表面係其中第一夾持主體與第二夾持主體彼此面對的表面，且其中前述抗摩擦構件包含：第一部分，組態以覆蓋前述第一表面；第二部分，自前述第一部分延伸並組態以覆蓋前述第二表面；及第三部分，自前述第一部分延伸並組態以覆蓋前述第三表面。
  21. 一種用於藉由使用超臨界狀態下的處理流體來處理基板的基板處理設備，前述基板處理設備包含：第一主體；第二主體，與前述第一主體組合以界定用於處理前述基板的處理空間，且在前述第一主體和前述第二主體處於閉合位置下緊密接觸時，前述第二主體夾持前述第一主體；及抗摩擦構件，安裝於接合表面上，前述接合表面係前述第一主體或前述第二主體的表面，前述第一主體與前述第二主體在前述接合表面處接合，且 其中前述抗摩擦構件以複數提供。
  22. 如請求項21所述之基板處理設備，其中前述抗摩擦構件彼此間隔開並安裝於前述接合表面處。
  23. 如請求項22所述之基板處理設備，其進一步包含移動單元，用於使前述第一主體或前述第二主體中之任何一個相對於前述第一主體及前述第二主體中之另一個移動，且若前述第一主體或前述第二主體中之任何一個移動並處於前述閉合位置以界定前述處理空間，前述抗摩擦構件之間的空間為允許前述抗摩擦構件中之任何一個與另一相鄰抗摩擦構件間隔開的空間。
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