CN115692257A - 基板处理设备 - Google Patents

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CN115692257A CN202210907723.4A CN202210907723A CN115692257A CN 115692257 A CN115692257 A CN 115692257A CN 202210907723 A CN202210907723 A CN 202210907723A CN 115692257 A CN115692257 A CN 115692257A
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substrate
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李钟斗
吴承勋
诸振模
金基峰
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Abstract

本发明概念提供一种基板处理设备。基板处理设备包括主体；流体供应单元，用于将处理流体供应至主体内的处理空间；及流体排出管线，用于自处理空间排出处理流体，且其中主体包括：第一主体；第二主体，相对于第一主体相对移动；及抗摩擦构件，用于防止第一主体与第二主体之间的摩擦，且其中抗摩擦构件配置为连续覆盖第一主体及第二主体的表面中的至少两个表面。

Description

基板处理设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年7月29日提交韩国知识产权局的、申请号为10-2021-0099854的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本发明关于一种基板处理设备。
背景技术
为了制造半导体装置，经由基板上的各种工艺，诸如光学微影术工艺、蚀刻工艺、灰化工艺、离子植入工艺、及薄膜沉积工艺，在诸如晶圆的基板上形成所需图案。各个工艺使用各种处理流体及处理气体，且工艺期间会产生颗粒及工艺副产品。为了自基板移除这些颗粒及工艺副产品，在各个工艺前后执行清洗工艺。
已知清洗工艺用化学品及冲洗液来处理基板。接着，执行干燥处理。干燥处理的实施方案包括旋转干燥工艺，其中基板以高速旋转以移除残留于基板上的冲洗液。然而，有一个问题是，该旋转干燥方法可能会破坏形成于基板上的图案。
因此，新近使用超临界干燥工艺将诸如异丙醇(IPA)的有机溶剂供应至基板上，以用具有低表面张力的有机溶剂替换残留于基板上的冲洗液，且接着将超临界状态下的处理流体(例如，二氧化碳)供应至基板上，以移除残留于基板上的有机溶剂。在超临界干燥工艺中，将干燥气体供应至内部密封的工艺腔室，并对干燥气体进行加热及加压。干燥气体的温度及压力均上升至临界点之上，且干燥气相改变为超临界状态。
在用于执行超临界干燥工艺的基板处理设备中，如图1中所示，顶部主体1与底部主体2彼此组合以形成内部空间，诸如晶圆的基板W由支承构件4支承，并将干燥气体供应至内部空间。为了使干燥气体保持超临界状态，将内部空间的压力保持在高压非常重要。内部空间由诸如O形圈的密封构件3密封。此外，为了最小化诸如顶部主体1与底部主体2彼此接触的区域中颗粒的杂质的产生，接触膜5安装于底部主体2的接合表面上。
同时，当基板W由干燥气体干燥时，在顶部主体1与底部主体2处因内部空间的压力而产生各个方向上的振动。此类振动在各个方向上不规则地发生，诸如X-Y-Z方向、在X方向上旋转的方向、在Y方向上旋转的方向、在Z方向上旋转的方向、及类似者。在这一情况下，如图2中所示，接触膜5中可能发生变形现象及推动现象。
发明内容
本发明概念的实施方案提供一种基板处理设备，用于有效处理基板。
本发明概念的实施方案提供一种基板处理设备，用于最小化主体之间提供的抗摩擦构件中推动现象或变形现象的发生。
本发明概念的实施方案提供一种基板处理设备，用于在高压工艺期间最小化主体的精细振动。
本发明概念的实施方案提供一种基板处理设备，用于增加抗摩擦构件的更换周期。
本发明概念的技术目的不限于上述目的，其他未提及的技术目的将自以下描述而对本领域技术人员为显而易见的。
本发明概念提供一种基板处理设备。基板处理设备包括主体；流体供应单元，用于将处理流体供应至主体内的处理空间；及流体排出管线，用于自处理空间排出处理流体，其中主体包括：第一主体；第二主体，相对于第一主体相对移动；及抗摩擦构件，用于防止第一主体与第二主体之间的摩擦，其中抗摩擦构件配置为连续覆盖第一主体及第二主体的表面中的至少两个表面。
在实施方案中，第一主体及第二主体的表面包括：第一表面；及第二表面，自第一表面延伸，其中抗摩擦构件包括：第一部分，配置为覆盖第一表面；及第二部分，在自第一部分延伸的方向的交叉方向上延伸并配置为覆盖第二表面。
在实施方案中，第二部分以多个提供。
在实施方案中，一些第二部分自第一部分在向上方向上延伸，而其他第二部分在向下方向上延伸。
在实施方案中，一些第二部分自第一部分在向上及倾斜方向上延伸，而其他第二部分在向下及倾斜方向上延伸。
在实施方案中，抗摩擦构件具有其中第一部分与第二部分整体形成的一体形式。
在实施方案中，第二部分彼此间隔开，且空间为15mm至20mm。
在实施方案中，第一主体及第二主体的表面包括第三表面，自第一表面及第二表面延伸，且抗摩擦构件进一步包括自第一部分延伸的第三部分。
在实施方案中，第一主体为界定处理空间的腔室主体，而第二主体为用于夹持腔室主体的夹持主体。
在实施方案中，第一主体及第二主体中的每一个彼此组合以界定处理空间的第一腔室主体及第二腔室主体。
在实施方案中，第一主体或第二主体中的任何一个可在侧方向上移动。
在实施方案中，第一主体或第二主体中的任何一个可在上/下方向上移动。
本发明概念提供一种基板处理设备。基板处理设备包括界定用于处理基板的处理空间的腔室主体，腔室主体包括第一腔室主体、及相对于第一腔室主体相对移动的第二腔室主体；用于夹持第一腔室主体及第二腔室主体的夹持主体，前提为第一腔室主体与第二腔室主体在闭合位置下紧密接触；及用于防止夹持主体与腔腔室主体之间的摩擦的抗摩擦构件。
在实施方案中，抗摩擦构件配置为连续覆盖夹持主体或腔室主体中的任何一个的表面中的至少两个表面。
在实施方案中，抗摩擦构件以多个提供并彼此间隔开。
在实施方案中，当自上方看时，一些抗摩擦构件配置在圆周方向上并彼此间隔开。
在实施方案中，夹持主体或腔室主体中的任何一者的表面包括：第一表面；第二表面，自第一表面延伸；及第三表面，自第一表面及第二表面延伸，其中抗摩擦构件包括：第一部分，配置为覆盖第一表面；第二部分，在自第一部分延伸的方向的交叉方向上延伸并配置为覆盖第二表面；及第三部分，自第一部分延伸。
在实施方案中，抗摩擦构件为聚酰亚胺膜。
本发明概念提供一种基板处理设备，用于通过使用超临界状态下的处理流体来处理基板。基板处理设备包括主体；流体供应单元，用于将处理流体供应至主体内的处理空间；及流体排出管线，用于自处理空间排出处理流体，其中主体包括：腔室主体，界定用于处理基板的处理空间，腔室主体包括第一腔室主体及相对于第一腔室主体相对移动的第二腔室主体；用于夹持第一腔室主体及第二腔室主体的夹持主体，前提为第一腔室主体与第二腔室主体在闭合位置下紧密接触；及抗摩擦构件，用于防止夹持主体与腔室主体之间的摩擦，且其中抗摩擦构件安装于夹持主体处并配置为连续覆盖夹持主体的表面中的至少两个表面。
在实施方案中，夹持主体的表面包括：第一表面，平行于地面；第二表面，相对于第一表面交叉延伸；及第三表面，相对于第一表面及第二表面交叉延伸，第三表面为一表面，其中第一夹持主体与第二夹持主体彼此面对，且其中抗摩擦构件包括：第一部分，配置为覆盖第一表面；第二部分，自第一部分延伸并配置为覆盖第二表面；及第三部分，自第一部分延伸并配置为覆盖第三表面。
本发明概念提供一种基板处理设备，用于通过使用超临界状态下的处理流体来处理基板。基板处理设备包括第一主体；第二主体，与第一主体组合以界定用于处理基板的处理空间；及抗摩擦构件，安装于接合表面上，接合表面为第一主体或第二主体的一表面，第一主体与第二主体在该表面处接合，且其中抗摩擦构件以多个提供。
在实施方案中，抗摩擦构件彼此间隔开并安装于接合表面处。
在实施方案中，基板处理设备进一步包括移动单元，用于使第一主体或第二主体中的任何一个相对于第一主体及第二主体中的另一个移动，且若第一主体或第二主体中的任何一个移动并处于闭合位置以界定处理空间，则抗摩擦构件之间的空间为允许抗摩擦构件中的任何一个与另一相邻抗摩擦构件间隔开的空间。
根据本发明概念的实施方案，可有效地处理基板。
根据本发明概念的实施方案，可最小化主体之间提供的抗摩擦构件中的推动现象或变形现象的发生。
根据本发明概念的实施方案，可最小化高压工艺期间主体的精细振动的发生。
根据本发明概念的实施方案，可增加抗摩擦构件的更换周期。
本发明概念的效果不限于上述效果，其他未提及的效果将自以下描述而对本领域技术人员为显而易见的。
附图说明
上述及其他目的及特征将自以下参考诸图的描述中变得明显，其中除非另有规定，否则类似参考符号为指各图中的类似部分。
图1图示已知基板处理设备。
图2图示在图1的接触膜上发生变形现象或推动现象的状态。
图3图示根据本发明概念的实施方案的基板处理设备。
图4示意性地图示图3的液体处理腔室的实施方案。
图5示意性地图示图3的干燥腔室的实施方案。
图6图示图5的顶部主体及底部主体以闭合位置定位的状态。
图7图示图5的第一夹持主体及第二夹持主体以夹持位置定位的状态。
图8A为图示图5的夹持主体中的任何一者的立体图。
图8B为图示图5的夹持主体中的另一者的立体图。
图9为图示图5的腔室主体及夹持主体的一部分的放大视图。
图10、图11、及图12图示腔室主体的振动，这些振动可传递至夹持主体。
图13图示根据本发明概念的另一实施方案的抗摩擦构件。
图14及图15图示根据本发明概念的另一实施方案的抗摩擦构件。
图16示意性地图示本发明概念的抗摩擦构件的另一实施方案。
图17至图22图示根据本发明概念的另一实施方案的干燥腔室及抗摩擦构件。
[符号说明]
1：顶部主体；2：底部主体；3：密封构件；4：支承构件；5：接触膜；
10：索引模块；12：装载端口；14：索引框；20：处理模块；
30：控制器；120：索引机械手；122：手；124：导轨；200：缓冲单元；
220：缓冲器；300：转移腔室；320：转移机械手；322：手；
324：导轨；400：液体处理腔室；410：壳体；420：杯；
422：(第一)重新收集容器；422a：第一入口；
424：(第二)重新收集容器；424a：第二入口；
426：第三重新收集容器；426a：第三入口；440：支承单元；
442：支承板；442a：支承销；442b：卡盘销；444：驱动轴；
446：驱动器；460：液体供应单元；462：喷嘴；480：提升/降低单元；
500：干燥腔室；510：腔室主体；510a：第一表面；510b：第二表面；
511：处理空间；512：顶部主体；512a：第一供应通道；
514：底部主体；514a：第二供应通道；514b：排出通道；
516：密封构件；520：夹持主体；520a：第一表面；
520b、520c：第二表面；520d：第三表面；522：第一夹持主体；
524：第二夹持主体；530：流体供应单元；531：流体供应源；
533：第一供应管线；535：第一供应阀；537：第二供应管线；
539：第二供应阀；540：流体排出管线；550：支承构件；
560：第一移动单元；562：提升/降低驱动器；564：提升/降低板；
570：第二移动单元；572：第一主体；574：第二主体；576：第三主体；
578：移动轨道；580：抗摩擦构件；580a～580g：抗摩擦构件；
581：第一部分；581a：580a的第一部分；581b：580b的第一部分；
582：第二部分；582b：第二部分；583：第二部分；584：第三部分；
600：干燥腔室；611：处理空间；612：基座主体；614：门主体；
616：支承架；633：第一供应管线；637：第二供应管线；
651：排出管线；700：干燥腔室；712：基座主体；714：门主体；
716：支承架；733：供应管线；761：排出管线；800：干燥腔室；
810：主体；812：顶部主体；812a：顶部通道；814：底部主体；
814a：供应通道；814b：底部通道；814c：排出通道；816：密封构件；
820：提升/降低构件；830：支承构件；900：干燥腔室；
910：腔室主体；912：第一腔室主体；914：第二腔室主体；
920：夹持主体；922：第一夹持主体；922a～922b：突出物；
924：第二夹持主体；924a～924b：突出物；9122：凹槽；9124：凹槽；
9142：凹槽；9144：凹槽；B：固定外壁；C：容器；G：干燥流体；
V1～V3：振动；W：基板；X：第一方向；Y：第二方向；Z：第三方向。
具体实施方式
本发明概念可通过各种修改并可具有各种形式，且其特定实施方案将在图式中说明并详细描述。然而，根据本发明概念的实施方案并不旨在限制特定的揭示形式，且应理解，本发明概念包括本发明概念的精神及技术范畴中包括的所有变换、等同物、及替换。在本发明概念的描述中，当对相关已知技术的详细描述可能使本发明概念的实质不明确时，可予以省略。
本文使用的术语仅用于描述特定实施方案而并不意欲为限制本发明概念。如本文所用，除非上下文另有明确指示，否则单数形式「一(a)」、「一(an)」及「该(the)」亦旨在包括多个形式。应进一步理解，当在本说明书中使用术语「包含(comprises)」、「包含(comprising)」、「包括(includes)」、及/或「包括(includes)」时，规定所述特征、整数、步骤、操作、元件、及/或组件的存在，但不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件、及/或其群组的存在或添加。如本文所用，术语「及/或」包括相关列出项目中的一个或多者的任何及所有组合。此外，术语「实例」意指实例或说明。
应理解，尽管本文中可使用术语「第一」、「第二」、「第三」等来描述各种元件、组件、区域、层及/或部分，但这些元件、组件、区域、层及/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件、组件、区域、层或部分与另一区域、层或部分。因此，下文讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可称为第二元件、组件、区域、层或部分，而不偏离本发明概念的教导。
应理解，当组件或层称为「在」另一组件或层「上」、「连接至」、「耦接至」、或「覆盖」另一组件或层时，其可直接在另一组件或层上、连接至、耦接至、或覆盖另一组件或层，或可存在中介组件或层。相反，当组件称为「直接在另一组件或层上」、「直接连接至」、或「直接耦接至」另一组件或层时，不存在中介组件或层。其他术语，诸如「在……之间」、「相邻」、「附近」或类似者亦应以同样的方式解译。
除非另有定义，否则本文中使用的所有术语，包括技术或科学术语，具有与本发明概念所属领域技术人员通常理解的含义相同的含义。除非在本申请案中明确定义，否则常用词典中定义的术语应解译为与相关技术的上下文一致，而不会理想化或过于正式。
下文中，将参考图3至图22描述本发明概念的实施方案。
图3为图示根据本发明概念的实施方案的基板处理设备的平面图。
参考图3，基板处理设备包括索引模块10、处理模块20、及控制器30。索引模块10及处理模块20在一个方向上设置。下文中，索引模块10及处理模块20的设置方向将称为第一方向X，垂直于第一方向X的方向称为第二方向Y，且垂直于第一方向X及第二方向Y两者的方向称为第三方向Z。
索引模块10将基板W自其中储存基板W的容器C转移至处理模块20，并将处理模块20处已完成处理的基板W储存于容器C中。索引模块10的纵向方向在第二方向Y上提供。索引模块10具有装载端口12及索引框14。索引框14位于装载端口12与处理模块20之间。储存基板W的容器C置放于装载端口12上。可提供多个装载端口12，且多个装载端口12可沿第二方向Y设置。
针对容器C，可使用密封容器，诸如前开式晶圆盒(front open unified pod；FOUP)。容器C可通过诸如高架转机、高架输送机、或自动导引车辆的转移机构(未图示)或通过操作员置放于装载端口12上。
索引框14提供有索引机械手120。在索引框14中，可提供其纵向方向在第二方向Y上的导轨124，并可提供索引机械手120，使其可沿导轨124移动。索引机械手120可包括其上置放基板W的手122，且手122可向前及向后移动、可绕第三方向Z旋转，并可沿第三方向Z移动。提供多个手122，使其在上/下方向上间隔开，且手122可彼此独立地向前及向后移动。
控制器30可控制基板处理设备。控制器可包括工艺控制器，例如，执行基板处理设备的控制的微处理器(计算机)；用户接口，例如，操作员执行命令输入操作的键盘及类似者以便管理基板处理设备、用于可视化及显示基板处理设备的操作情况的显示器、及类似者；及储存单元，储存用于在工艺控制器的控制下执行在基板处理设备中执行的工艺的控工艺序、用于根据处理条件在各个组件中执行各种工艺的各种数据及程序(即，处理配方)。此外，用户接口及储存单元可连接至工艺控制器。处理配方可储存于储存单元中的储存媒体中，且储存媒体可为硬盘，亦可为诸如CD-ROM或DVD的可携式磁盘，或诸如闪存的半导体内存。
处理模块20包括缓冲单元200、转移腔室300、液体处理腔室400、及干燥腔室500。缓冲单元200提供一个空间，其中基板W携带至处理模块20中，且自处理模块20携带出的基板W暂时停留其中。液体处理腔室400将液体供应至基板W上，以执行对基板W进行液体处理的液体处理工艺。干燥腔室500执行移除残留于基板W上的液体的干燥工艺。转移腔室300在缓冲单元200、液体处理腔室400、及干燥腔室500之间转移基板W。
转移腔室300的纵向方向可在第一方向X上提供。缓冲单元200可设置于索引模块10与转移腔室300之间。液体处理腔室400及干燥腔室500可设置于转移腔室300的一侧上。液体处理腔室400与转移腔室300可沿第二方向Y设置。干燥腔室500与转移腔室300可沿第二方向Y设置。缓冲单元200可位于转移腔室300的一个末端处。
根据实施方案，液体处理腔室400可设置于转移腔室300的两侧上，干燥腔室500可设置于转移腔室300的两侧上，且液体处理腔室400可比干燥腔室500更靠近缓冲单元200地设置。在一些实施方案中，在转移腔室300的一侧及/或两侧上，可沿第一方向X及第三方向Z以AXB(A及B为大于1的自然数或1)数组提供液体处理腔室400。在一些实施方案中，在转移腔室300的一侧及/或两侧处，干燥腔室500可沿第一方向X及第三方向Z以CXD(C及D为大于1的自然数或1)数组提供。在一些实施例中，可在转移腔室300的一侧处仅提供液体处理腔室400，且可在转移腔室300的另一侧处仅提供干燥腔室500。
转移腔室300具有转移机械手320。在转移腔室300中，可提供具有设置于第一方向X上的纵向方向的导轨324，并可提供可在导轨324上移动的转移机械手320。转移机械手320可包括其上放置基板W的手322，且手322可向前及向后移动、可绕第三方向Z作为轴旋转，并可沿第三方向Z移动。多个手322在上/下方向上间隔开，且手322可彼此独立地向前及向后移动。
缓冲单元200包括多个缓冲器220，基板W放置于其上。缓冲器220可设置成在第三方向Z上彼此间隔开。缓冲单元200的正面及背面为打开的。正面为面对索引模块10的表面，而背面为面对转移腔室300的表面。索引机械手120可经由正面存取缓冲单元200，而转移机械手320可经由背面存取缓冲单元200。
图4示意性地图示图3的液体处理腔室的实施方案。参考图4，液体处理腔室400包括壳体410、杯420、支承单元440、液体供应单元460、及提升/降低单元480。
壳体410可具有在其中处理基板W的内部空间。壳体410可具有大致六面体形状。举例而言，壳体410可具有矩形平行六面体形状。此外，可在壳体410中形成经由其带入或取出基板W的开口(未显示)。此外，用于选择性地打开及关闭开口的门(未显示)可安装于壳体410处。
杯420可具有带有开放顶部的容器形状。杯420可具有处理空间，且基板W可在处理空间中进行液体处理。支承单元440在处理空间中支承基板W。液体供应单元460将处理流体供应至由支承单元440支承的基板W上。处理流体可以多个种类型提供，并可顺序地供应至基板W上。提升/降低单元480调整杯420与支承单元440之间的相对高度。
在实施方案中，杯420具有多个重新收集容器422、424、及426。重新收集容器422、424、及426中的每一个具有用于重新收集用于基板处理的液体的重新收集空间。重新收集容器422、424、及426中的每一个以围绕支承单元440的环形形状设置。在液体处理工艺期间，通过基板W的旋转分散的处理流体经由各个重新收集容器422、424、及426的入口(422a、424a、及426a)引入重新收集空间中。根据实施方案，杯420具有(第一)重新收集容器422、(第二)重新收集容器424、及(第三)重新收集容器426。(第一)重新收集容器422设置成围绕支承单元440，(第二)重新收集容器424设置成围绕(第一)重新收集容器422，且(第三)重新收集容器426设置成围绕(第二)重新收集容器424。将液体引入(第二)重新收集容器424的第二入口424a可位于将液体引入(第一)重新收集容器422的第一入口422a之上，且将液体引入(第三)重新收集容器426的第三入口426a可位于第二入口424a之上。
支承单元440具有支承板442及驱动轴444。支承板442的顶表面以基本圆形形状提供，并可具有大于基板W的直径的直径。支承销442a在支承板442的中心部分处提供，以支承基板W的底表面，且支承销442a用于自支承板442伸出，使得基板W与支承板442通过预定距离间隔开。卡盘销442b在支承板442的边缘处提供。卡盘销442b用于自支承板442向上突出，并支承基板W的一侧，使得当基板W旋转时，基板W由支承单元440稳定地保持。驱动轴444由驱动器446驱动，连接至基板W底表面的中心，并基于其中心轴旋转支承板442。
根据实施方案，液体供应单元460可包括喷嘴462。喷嘴462可将处理流体供应至基板W。处理流体可为化学品、冲洗液、或有机溶剂。化学品可为具有强酸性质或强碱性质的化学品。此外，冲洗液可为去离子水。此外，有机溶剂可为异丙醇(IPA)。此外，液体供应单元460可包括多个喷嘴462，且各个喷嘴462可供应不同类型的处理流体。举例而言，喷嘴462中的一者可供应化学品，喷嘴462中的另一者可供应冲洗液，而喷嘴462中的又另一者可供应有机溶剂。此外，控制器30可控制液体供应单元460在自另一喷嘴462供应冲洗液至基板W之后，自又另一喷嘴462供应有机溶剂至基板W。因此，供应至基板W上的冲洗液可用具有小表面张力的有机溶剂取代。
提升/降低单元480在上/下方向上移动杯420。杯420与基板W之间的相对高度通过杯420的上/下移动而改变。结果，用于重新收集处理流体的重新收集容器422、424、426根据供应至基板W的液体的类型而改变，从而液体可分开地重新收集。不同于上述描述，杯420固定地安装，且提升/降低单元480可在上/下方向上移动支承单元440。
图5示意性地图示图3的干燥腔室的实施方案。
参考图5，根据本发明概念的实施方案的干燥腔室500可通过使用超临界状态下的干燥流体来移除残留于基板W上的处理流体。举例而言，干燥腔室500可执行使用超临界状态下的二氧化碳CO2来移除残留于基板W上的有机溶剂的干燥工艺。
干燥腔室500可包括腔室主体510(例示性第一主体)、夹持主体520(例示性第二主体)、流体供应单元530、流体排出管线540、支承构件550、第一移动单元560、第二移动单元570、及抗摩擦构件580。腔室主体510与夹持主体520可统称为主体。
腔室主体510可包括顶部主体512(另一例示性第一主体)、及底部主体514(另一例示性第二主体)。顶部主体512与底部主体514可彼此组合以形成处理空间511。顶部主体512及底部主体514中的任何一个可配置为可相对于另一个相对移动。举例而言，顶部主体512及底部主体514中的任何一个可由第一移动单元560移动。第一移动单元560可包括提升/降低驱动器562及提升/降低板564。可提供多个提升/降低驱动器562，并将其连接至提升/降低板564。提升/降低板564可耦接至底部主体514。当提升/降低驱动器562提升及降低提升/降低板564时，底部主体514亦可与提升/降低板564一起提升及降低。用于加热供应至处理空间511的干燥流体的加热器可埋入腔室主体510中。此外，当顶部主体512与底部主体514处于闭合位置时，可在底部主体514处形成凹槽以增加处理空间511的气密性，且可将作为密封构件的O形圈516插入凹槽中。
顶部主体512的位置可固定，并可通过第一移动单元560在第三方向Z上提升及降低底部主体514。下文中，底部主体514上升并接触顶部主体512以形成处理空间511的位置称为闭合位置，而底部主体514下降并与顶部主体512间隔开的位置称为打开位置。
夹持主体520可包括第一夹持主体522及第二夹持主体524。第一夹持主体522及第二夹持主体524可在相对位置处夹持腔室主体510。第一夹持主体522及第二夹持主体524的内表面可具有基本对应于处于闭合位置的腔室主体510的外表面的形状。第一夹持主体522及第二夹持主体524可由第二移动单元570移动。可提供多个第二移动单元570。第二移动单元570中的任何一个可连接至顶部主体512及第一夹持主体522，而第二移动单元570中的另一个可连接至顶部主体512及第二夹持主体524。
第二移动单元570可包括耦接至顶部主体512的第一主体572、耦接至夹持主体520并沿移动轨道578移动的第二主体574、及耦接至固定外壁B的第三主体576。第二主体574可在第一方向X上移动的同时在朝向腔室主体510的方向上移动夹持主体520。
流体供应单元530可供应干燥流体至处理空间511。由流体供应单元530供应的干燥流体可包括二氧化碳CO2。流体供应单元530可包括流体供应源531、第一供应管线533、第一供应阀535、第二供应管线537、及第二供应阀539。
流体供应源531可将供应至处理空间511的干燥流体进行储存及/或供应。流体供应源531可将干燥流体供应至第一供应管线533及/或第二供应管线537。举例而言，第一供应阀535可安装于第一供应管线533处。此外，第一供应管线533可连接至形成于顶部主体512处的第一供应通道512a。此外，第二供应阀539可安装于第二供应管线537处。此外，第二供应管线537可连接至形成于底部主体514处的第二供应通道514a。第一供应阀535及第二供应阀539可为开启/关闭阀。取决于第一供应阀535及第二供应阀539的开启/关闭，干燥流体可选择性地在第一供应管线533或第二供应管线537中流动。
在上述实例中，第一供应管线533及第二供应管线537连接至一个流体供应源531，但不限于此。举例而言，可提供多个流体供应源531，第一供应管线533可连接至多个流体供应源531中的任何一者，而第二供应管线537可连接至流体供应源531中的另一者。
此外，第一供应管线533可为自处理空间511之上供应干燥气体的顶部供应管线。举例而言，第一供应管线533可在由上而下的方向上供应干燥气体至处理空间511。此外，第二供应管线537可为自处理空间511之下供应干燥气体的底部供应管线。举例而言，第二供应管线537可在由下而上的方向上供应干燥气体至处理空间511。
流体排出管线540可自处理空间511排出干燥流体。流体排出管线540可连接至为处理空间提供减压的减压构件(未显示)。此外，流体排出管线540可连接至形成于底部主体514处的排出通道514b。减压构件可为泵。然而，本发明概念并不限于此，减压构件可经各种修改成能够为处理空间提供减压的已知装置。
支承构件550可在处理空间511处支承基板W。支承构件550可在处理空间511中支承基板W的边缘区域。支承构件550可支承基板W的边缘区域的底表面。支承构件550可安装于顶部主体512处。
抗摩擦构件580可安装于夹持主体520处。抗摩擦构件580可安装于夹持主体520的内表面上。抗摩擦构件580可安装于一区域中，其中夹持主体520与腔室主体510可彼此接触，亦即，为接合表面。抗摩擦构件580可称为抗摩擦薄膜。可提供多个抗摩擦构件580。抗摩擦构件580中的一些可安装于夹持主体520的内表面的底部部分处，而其他抗摩擦构件580可安装于夹持主体520的内表面的顶部部分处。
抗摩擦构件580可安装于第一夹持主体522及第二夹持主体524中的每一个处。两个抗摩擦构件580可安装于第一夹持主体522的内表面的底部部分处，且两个抗摩擦构件580可安装于第一夹持主体522的内表面的顶部部分处。类似地，两个抗摩擦构件580可安装于第二夹持主体524的内表面的底部部分处，且两个抗摩擦构件580可安装于第二夹持主体524的内表面的顶部部分处。亦即，抗摩擦构件580可安装于八个点处。稍后将描述抗摩擦构件580的安装位置及特定形状。
图6图示图5的顶部主体及底部主体以闭合位置定位，而图7图示图5的第一夹持主体及第二夹持主体以夹持位置定位。
参考图6及图7，当基板W的干燥工艺开始时，举例而言，使用超临界干燥流体对基板W进行干燥的高压干燥工艺，第一移动单元560可将顶部主体512及底部主体514中的任何一者自彼此间隔开的打开位置移动至闭合位置(见图6)。此后，为了限制高压干燥工艺期间顶部主体512及底部主体514的移动，第一夹持主体522及第二夹持主体524可自释放顶部主体512及底部主体514的移动限制的释放位置(见图7)移动至限制顶部主体512及底部主体514的移动的夹持位置。
图8A为图示图5的夹持主体中的任何一者的立体图，图8B为图示图5的其他夹持主体的立体图，且图9为图5的腔室主体及夹持主体的一部分的放大视图。
参考图8A、图8B、及图9，当顶部主体512与底部主体514处于彼此紧密接触的闭合位置时，腔室主体510的外表面可具有对应于夹持主体520的内表面的形状。举例而言，当顶部主体512与底部主体514处于闭合位置时，腔室主体510的外表面的一部分可由第一夹持主体522的内表面夹持，而腔室主体520的外表面的另一部分可由第二夹持主体524的内表面夹持。
抗摩擦构件580可安装于第一夹持主体522的内表面上。抗摩擦构件580可安装于第二夹持主体524的内表面上。抗摩擦构件580可通过黏附剂或类似者附接至第一夹持主体522及第二夹持主体524的内表面。然而，本发明不限于此，并可通过诸如螺栓/螺钉的耦接装置将抗摩擦构件580耦接并安装于夹持主体520的内表面上。
多个抗摩擦构件580可安装于第一夹持主体522的内表面处。安装于第一夹持主体522的内表面上的抗摩擦构件580可彼此间隔地安装。当第一夹持主体522处于夹持位置时，可对抗摩擦构件580加压，且即使在对抗摩擦构件580加压时，抗摩擦构件580之间的空间亦可彼此不重迭地以一间隔设置。此外，多个抗摩擦构件580(例如，两个抗摩擦构件580)可安装于第一夹持主体522的内表面的底部部分处，以彼此间隔开。此外，多个抗摩擦构件580(例如，两个抗摩擦构件850)可安装于第一夹持主体522的内表面的顶部部分处，以彼此间隔开。当自上方看时，抗摩擦构件580可安装成在圆周方向上彼此间隔开。举例而言，当自上方看时，设置于第一夹持主体522的内表面的顶部部分处的两个抗摩擦构件580可安装成沿圆周方向彼此间隔开。此外，当自上方看时，设置于第一夹持主体522的内表面的底部部分处的两个抗摩擦构件580可沿圆周方向彼此间隔开。安装于第二夹持主体524处的抗摩擦构件580的配置与安装于第一夹持主体522处的抗摩擦构件580的配置对称，因此将省略其重复描述。
此外，第一夹持主体522及第二夹持主体524的内表面可各个包括第一表面520a、第二表面520b及520c、及第三表面520d。第一表面520a可为平行于地面的表面。第二表面520b及520c可为自第一表面520a延伸的表面。第二表面520b及520c可为在第一表面520a延伸方向的交叉方向上延伸的表面。举例而言，第二表面520b及520c可为在垂直于第一表面520a延伸方向的方向上延伸的表面。第三表面520d可为自第一表面520a及第二表面520c延伸的表面。第三表面520d可为在垂直于第一表面520a延伸方向的方向、及在垂直于第二表面520c延伸方向的方向上延伸的表面。
抗摩擦构件580可配置为连续覆盖夹持主体520的内表面中的至少两个表面。举例而言，抗摩擦构件580可包括第一部分581、第二部分582及583、以及第三部分584。第一部分581可配置为覆盖夹持主体520的第一表面520a。当自上方看时，第一部分581可具有弧形形状。
第二部分582及583可自第一部分581延伸。第二部分582及583可在第一部分581延伸方向的交叉方向上延伸。举例而言，第二部分582及583可在垂直于第一部分581延伸方向的方向上延伸。第二部分582及583可配置为覆盖第二表面520b及520c。第二部分582及583的一部分可向上延伸，而第二部分582及583的另一部分可向下延伸。此外，可提供多个第二部分582及583，且第二部分582与583可提供为彼此间隔开。第二部分582与583之间的间隔可为约15mm至约20mm。此外，抗摩擦构件580可进一步包括配置为覆盖第三表面520d的第三部分584。第三部分584可自第一部分581延伸。
此外，抗摩擦构件580的第一部分581、第二部分582、583、以及第三部分584可整体提供。亦即，抗摩擦构件580可具有一体形状，其中几个薄膜经整体处理，使得第一部分581、第二部分582、与第三部分584具有一个主体，而非各个附接至夹持主体520的内表面。这是因为当几个薄膜重叠以形成抗摩擦构件580以具有第一部分581、第二部分582及583、以及第三部分584时，抗摩擦构件580极有可能由处理空间511的压力产生的振动损坏。
本申请案的抗摩擦构件580为作为三维薄膜结构提供的，而非简单地附接至一平面的形式。此外，安装抗摩擦构件580以承受由腔室主体510传递的垂直、水平、及前后力。
具体地，如图10中所示，腔室主体510可将上下方向(例如，第三方向Z)上抖动的振动V1传递至夹持主体520。在这种情况下，即使在第三方向Z上抖动的振动V1传递至夹持主体520，由抗摩擦构件580的第一部分581接收的力在朝向夹持主体520的第一表面520a的方向上传递，且因此在抗摩擦构件580处几乎不发生变形现象或推压现象。
此外，如图11中所示，腔室主体510可将前后方向(例如，第一方向X)上的振动V2传递至夹持主体520。在这种情况下，即使第一方向X上的振动V2抖动传递至抗摩擦构件580，通过第三部分584及第二部分583限制推动现象的发生亦为可能的。
此外，如图12中所示，腔室主体510可将在第三方向Z上重复旋转的旋转振动V3传输至夹持主体520。在这种情况下，即使在第三方向Z上重复旋转的旋转振动V3传递至抗摩擦构件580，推动现象的发生可通过抗摩擦构件580的第三部分584来限制。
上述振动仅为实例，且除上述振动以外，各种类型的振动可传递至抗摩擦构件580。因为抗摩擦构件580具有抗摩擦构件580在其中弯曲的反曲点，所以根据本发明概念的实施方案的抗摩擦构件580在各个方向上具有支承力，且因此不容易发生变形现象或推动现象。亦即，由于抗摩擦构件580具有平面结构，过去由于振动而容易产生变形现象或推动现象，但根据本发明概念的实施方案的抗摩擦构件580具有三维结构，从而使上述问题最小化。
在上述实例中，抗摩擦构件580具有第一部分581、第二部分582、583、以及第三部分584，但不限于此。举例而言，如图13中所示，抗摩擦构件580可配置为仅覆盖第一表面520a。
在上述实例中，第二部分582及583自第一部分581在上/下方向上延伸，但不限于此。举例而言，如图14及图15中所示，第二部分582及583可自第一部分581在向上及向下方向上延伸，并可在倾斜方向上延伸。
在上述实例中，作为实例，抗摩擦构件580安装于夹持主体520的内表面上，但不限于此。举例而言，如图16中所示，抗摩擦构件580a可安装于顶部主体512或底部主体514的接合表面上。举例而言，抗摩擦构件580a可安装于底部主体514的接合表面上，并可配置为连续覆盖底部主体514的第一表面510a及第二表面510b。举例而言，抗摩擦构件580a可包括覆盖第一表面510a的第一部分581a及覆盖第二表面510b的第二部分582b。此外，抗摩擦构件580a可安装于密封构件516的外部。这为为了最小化由抗摩擦构件580a的摩擦产生的颗粒流入处理空间511中。
图17示意性地图示根据本发明概念的另一实施方案的干燥腔室。用于使用超临界流体干燥基板W的干燥腔室600可包括基座主体612及门主体614。基座主体612与门主体614可彼此组合以形成处理空间611。基座主体612可具有带有开放侧的圆柱形状，且门主体614可在侧方向上移动以选择性地打开及闭合处理空间611。支承基板W的支承架616可耦接至门主体614。
用于供应干燥流体G的第一供应管线633可将干燥流体G供应至由支承架616支承的基板W的一侧。用于供应干燥流体的第二供应管线637可自支承架616向下供应干燥流体。
用于排出干燥流体G的排出管线651可在向下方向上排出处理空间611。
抗摩擦构件580b可附接至门主体614。抗摩擦构件580b可包括第一部分581b，覆盖面对基座主体612的门主体614的第一表面，及第二部分582b，覆盖不平行于第一表面的门主体614的第二表面。当自横截面观察时，抗摩擦构件580b通常可具有「L」形及倒「L」形。在一些情况下，如图18中所示，抗摩擦构件580c可具有旋转「U」形。
图19示意性地图示根据本发明概念的另一实施方案的干燥腔室。用于使用超临界流体干燥基板W的干燥腔室700可包括基座主体712及门主体714。基座主体712与门主体714可彼此组合以形成处理空间。基座主体712可具有带有开放侧的圆柱形状，且门主体714可在侧方向上移动以选择性地打开及闭合处理空间。支承基板W的支承架716可耦接至门主体714。
由供应管线733供应的干燥流体G可沿由支承架716与基座主体712形成的干燥流体G的流体通道流动。干燥流体G的流体通道可形成为沿基板W的顶表面流动。
排出干燥流体G的排出管线761可在向上方向上排出处理空间611。
抗摩擦构件580d可附接至门主体714。抗摩擦构件580d可包括第一部分，覆盖面对基座主体712的门主体714的第一表面；及第二部分，覆盖不平行于第一表面的门主体714的第二表面。当自横截面观察时，抗摩擦构件580d通常可具有「L」形及倒「L」形。
图20示意性地图示根据本发明概念的另一实施方案的干燥腔室。用于使用超临界流体干燥基板W的干燥腔室800可包括主体810及提升/降低构件820。主体810可包括顶部主体812及底部主体814。顶部主体812与底部主体814可彼此组合以形成处理基板W的处理空间。此外，干燥腔室800可包括用于在处理空间中支承基板W的支承构件830。此外，干燥腔室800可进一步包括能够保持由顶部主体812及底部主体814形成的处理空间的气密性的密封构件816。
此外，可在顶部主体812处形成用于供应干燥流体G的顶部通道812a。此外，可在底部主体814处形成能够执行干燥流体G的供应及排出的底部通道814b。底部通道814b可与供应干燥流体G的供应通道814a及排出干燥流体G的排出通道814c流体连通。
可在顶部主体812与底部主体814接触的接合表面处提供抗摩擦构件580e。抗摩擦构件580e可安装于底部主体814处。抗摩擦构件580e可包括第一部分，覆盖彼此面对的顶部主体812及底部主体814的表面；及第二部分，覆盖垂直于第一表面的第二表面。当自横截面观察时，抗摩擦构件580e通常可具有倒「L」形。
图21示意性地图示根据本发明概念的另一实施方案的干燥腔室。用于使用超临界流体干燥基板W的干燥腔室900可包括腔室主体910及夹持主体920。腔室主体910可包括第一腔室主体912及第二腔室主体914。第二腔室主体914可提供为可相对于第一腔室主体912相对移动。两个主体可彼此组合以形成处理空间，在处理空间中，基板通过干燥流体经处理。此外，当基板通过超临界状态下的干燥流体来处理时，第一腔室主体912与第二腔室主体914的闭合位置可通过压力释放。
因此，当基板在干燥腔室900处经处理时，夹持主体920可夹持腔室主体910。
夹持主体920可包括第一夹持主体922及第二夹持主体924。第一夹持主体922的突出物922a及922b可分别插入形成于第一腔室主体912中的凹槽9122及形成于第二腔室主体914中的凹槽9142中。此外，第二夹持主体924的突出物924a及924b可分别插入形成于第二腔室主体914中的凹槽9124及形成于第二腔室主体914中的凹槽9144中。
此外，抗摩擦构件580f可安装于夹持主体920与腔室主体910接合的接合表面上。举例而言，抗摩擦构件580f可配置为覆盖夹持主体920的突出物922a、922b、924a、及924b。此外，抗摩擦构件580f可配置为覆盖突出物922a、922b、924a、及924b中的每一个的至少两个表面。
图22图示可安装于图17中所示的干燥腔室600中的抗摩擦构件580g的另一实施方案。可提供多个抗摩擦构件580g。抗摩擦构件580g可安装于基座主体612与门主体614彼此接合的接合表面上。具体地，多个抗摩擦构件580g可安装于门主体614的接合表面上，彼此间隔开。此外，如上所述，门主体614用于可通过移动单元相对于基座主体612相对移动。当门主体614处于界定处理空间的闭合位置时，抗摩擦构件580g之间的空间亦可为允许抗摩擦构件580g与另一相邻抗摩擦构件580g间隔开的空间。
本发明概念的效果不限于上述效果，本发明概念所属领域的技术人员可自本说明书及随附图式中清楚地理解未提及的效果。
尽管到目前为止已说明及描述本发明概念的较佳实施方案，但本发明概念不限于上述具体实施方案，且应注意，一般技艺人士可在不脱离申请专利范围主张的发明概念的本质的情况下以各种方式执行本发明概念，且不应将这些修改与本发明概念的技术精神或前景分开解译。

Claims (23)

1.一种基板处理设备，所述基板处理设备包含：
主体；
流体供应单元，所述流体供应单元用于将处理流体供应至所述主体内的处理空间；及
流体排出管线，所述流体排出管线用于从所述处理空间排出所述处理流体，
其中所述主体包含：
第一主体；
第二主体，所述第二主体相对于所述第一主体相对移动；及
抗摩擦构件，所述抗摩擦构件用于防止所述第一主体与所述第二主体之间的摩擦，且
其中所述抗摩擦构件配置为连续覆盖所述第一主体及所述第二主体的表面中的至少两个表面。
2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中所述第一主体及所述第二主体的所述表面包含：
第一表面；及
第二表面，自所述第一表面延伸，且
其中所述抗摩擦构件包括：
第一部分，所述第一部分配置为覆盖所述第一表面；及
第二部分，所述第二部分配置为在自所述第一部分延伸的方向的交叉方向上延伸并配置为覆盖所述第二表面。
3.根据权利要求2所述的基板处理设备，其中所述第二部分以多个提供。
4.根据权利要求3所述的基板处理设备，其中一些所述第二部分自所述第一部分在向上方向上延伸，而其他所述第二部分在向下方向上延伸。
5.根据权利要求4所述的基板处理设备，其中一些所述第二部分自所述第一部分在向上及倾斜方向上延伸，而其他所述第二部分在向下及倾斜方向上延伸。
6.根据权利要求2所述的基板处理设备，其中所述抗摩擦构件具有其中所述第一部分与所述第二部分整体形成的一体形式。
7.根据权利要求3所述的基板处理设备，其中所述第二部分彼此间隔开，且空间为15毫米至20毫米。
8.根据权利要求2所述的基板处理设备，其中所述第一主体及所述第二主体的所述表面包括自所述第一表面及所述第二表面延伸的第三表面，且所述抗摩擦构件进一步包括自所述第一部分延伸的第三部分。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的基板处理设备，其中所述第一主体为界定所述处理空间的腔室主体，且
所述第二主体为用于夹持所述腔室主体的夹持主体。
10.根据权利要求1至8中任一项所述的基板处理设备，其中所述第一主体及所述第二主体中的每一个彼此组合以界定所述处理空间的第一腔室主体与第二腔室主体。
11.根据权利要求10所述的基板处理设备，其中所述第一主体或所述第二主体中的任何一个能够在侧方向上移动。
12.根据权利要求10所述的基板处理设备，其中所述第一主体或所述第二主体中的任何一个能够在上/下方向上移动。
13.一种基板处理设备，所述基板处理设备包含：
腔室主体，所述腔室主体界定用于处理基板的处理空间，所述腔室主体包括第一腔室主体、及相对于所述第一腔室主体相对移动的第二腔室主体；
夹持主体，若所述第一腔室主体与所述第二腔室主体在闭合位置下紧密接触，则所述夹持主体用于夹持所述第一腔室主体及所述第二腔室主体；及
抗摩擦构件，所述抗摩擦构件用于防止所述夹持主体与所述腔室主体之间的摩擦。
14.根据权利要求13所述的基板处理设备，其中所述抗摩擦构件配置为连续覆盖所述夹持主体或所述腔室主体中的任何一个的表面中的至少两个表面。
15.根据权利要求14所述的基板处理设备，其中所述抗摩擦构件以多个提供并彼此间隔开。
16.根据权利要求15所述的基板处理设备，其中当自上方看时，一些所述抗摩擦构件配置在圆周方向上并彼此间隔开。
17.根据权利要求16所述的基板处理设备，其中所述夹持主体或所述腔室主体中的任何一个的所述表面包含：
第一表面；
第二表面，所述第二表面自所述第一表面延伸；及
第三表面，所述第三表面自所述第一表面及所述第二表面延伸，且
其中所述抗摩擦构件包括：
第一部分，所述第一部分配置为覆盖所述第一表面；
第二部分，所述第二部分在自所述第一部分延伸的方向的交叉方向上延伸并配置为覆盖所述第二表面；及
第三部分，所述第三部分自所述第一部分延伸。
18.根据权利要求13至17中任一项所述的基板处理设备，其中所述抗摩擦构件为聚酰亚胺膜。
19.一种用于通过使用超临界状态下的处理流体来处理基板的基板处理设备，所述基板处理设备包含：
主体；
流体供应单元，所述流体供应单元用于将所述处理流体供应至所述主体内的处理空间；及
流体排出管线，所述流体排出管线用于自所述处理空间排出所述处理流体，
其中所述主体包含：
腔室主体，所述腔室主体界定用于处理所述基板的所述处理空间，所述腔室主体包括第一腔室主体、及相对于所述第一腔室主体相对移动的第二腔室主体；
夹持主体，若所述第一腔室主体与所述第二腔室主体在闭合位置下紧密接触，所述夹持主体用于夹持所述第一腔室主体及所述第二腔室主体；及
抗摩擦构件，所述抗摩擦构件用于防止所述夹持主体与所述腔腔室主体之间的摩擦，且
其中所述抗摩擦构件安装于所述夹持主体处并配置为连续覆盖所述夹持主体的表面中的至少两个表面。
20.根据权利要求19所述的基板处理设备，其中所述夹持主体的所述表面包含：
第一表面，所述第一表面平行于地面；
第二表面，所述第二表面相对于所述第一表面交叉延伸；及
第三表面，所述第三表面相对于所述第一表面及所述第二表面交叉延伸，所述第三表面为其中第一夹持主体与第二夹持主体彼此面对的表面，且
其中所述抗摩擦构件包含：
第一部分，所述第一部分配置为覆盖所述第一表面；
第二部分，所述第二部分自所述第一部分延伸并配置为覆盖所述第二表面；及
第三部分，所述第三部分自所述第一部分延伸并配置为覆盖所述第三表面。
21.一种用于通过使用超临界状态下的处理流体来处理基板的基板处理设备，所述基板处理设备包含：
第一主体；
第二主体，所述第二主体与所述第一主体组合以界定用于处理所述基板的处理空间；及
抗摩擦构件，所述抗摩擦构件安装于接合表面上，所述接合表面为所述第一主体或所述第二主体的表面，所述第一主体与所述第二主体在所述接合表面处接合，且
其中所述抗摩擦构件以多个提供。
22.根据权利要求21所述的基板处理设备，其中所述抗摩擦构件彼此间隔开并安装于所述接合表面处。
23.根据权利要求22所述的基板处理设备，所述基板处理设备进一步包含移动单元，用于使所述第一主体或所述第二主体中的任何一个相对于所述第一主体及所述第二主体中的另一个移动，且
若所述第一主体或所述第二主体中的任何一个移动并处于闭合位置以界定所述处理空间，则所述抗摩擦构件之间的空间为允许所述抗摩擦构件中的任何一个与另一相邻抗摩擦构件间隔开的空间。
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