CN112133640A

CN112133640A - 一种具有粗糙侧壁的引线框架的制备方法

Info

Publication number: CN112133640A
Application number: CN202011329108.7A
Authority: CN
Inventors: 黎超丰; 冯小龙; 章新立; 林渊杰; 林杰
Original assignee: Ningbo Kangqiang Electronics Co ltd
Current assignee: Ningbo Kangqiang Electronics Co ltd
Priority date: 2020-11-24
Filing date: 2020-11-24
Publication date: 2020-12-25
Anticipated expiration: 2040-11-24
Also published as: CN112133640B

Abstract

本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种具有粗糙侧壁的引线框架的制备方法。本发明先对引线框架上表面进行单面棕色氧化，再在电镀和蚀刻后对半蚀刻区域和侧壁进行超粗化处理，通过超粗化工艺条件的控制，使侧壁和半蚀刻区域形成粗糙度良好的粗糙表面，增加了引线框架与塑封树脂接触区域的结合力，而引线框架下表面未经过粗糙化处理，仅在裸露的焊盘区域形成表面光滑的预电镀层，减少了表面粗糙化的面积，同时下表面不易粘附塑封过程产生的溢料，减少清洗难度，有利于简化工艺，节省粗化和电镀成本。本发明的引线框架侧壁具有良好的粗糙度，改善了集成电路封装体的气密性和可靠性，减少分层、开裂等缺陷。

Description

一种具有粗糙侧壁的引线框架的制备方法

技术领域

本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种具有粗糙侧壁的引线框架的制备方法。

背景技术

引线框架是制造集成电路半导体元件的基本部件，为集成电路的芯片提供载体，借助于键合材料实现芯片与外部线路板电信号的连接，还可与封装外壳一同提供散热通道释放热量。目前的集成电路大多采用塑料封装体的形式，主要包括塑料双列直插封装（PDIP）、四边扁平封装（QFP）、方形扁平无引脚封装（QFN/DFN）、小外形封装（SOP）等。集成电路的封装体的可靠性是检验其产品质量的主要指标，通常由其封装性能决定。随着集成电路的应用日益广泛，对功能化、小型化等的需求也不断增加，逐渐地，集成电路封装体的可靠性要求也趋向于达到MSL1级别，而作为集成电路封装体中的关键部件，引线框架也需要在性能上有进一步改善。提高封装体可靠性的主要方法是增加引线框架表面的粗糙度，从而增加引线框架和封装材料之间的结合力，避免分层现象的产生。

增加引线框架表面粗糙度的方法主要有基材粗化和镀层粗化。日本发明专利JP6570997B2公开的LED用引线框即通过对表面镀层进行粗化以增加引线框表面粗糙度，提高引线框与密封树脂的密接性。但对镀层粗化的工艺难度较大，且无法稳定控制。对于采用铜或铜合金制成的引线框架主体，实现基材粗化的工艺主要可分为微蚀刻、棕色氧化和电镀粗化。其中，微蚀刻的表面处理方法较为普遍，但目前的粗化工艺均是针对引线框架基材整体进行微蚀刻，如公开号为CN109989083A的发明专利中提出的超粗化引线框架电镀预处理工艺，直接使用有机酸粗化液对引线框架进行喷淋处理，这样得到的引线框架正面和背面均形成了粗糙铜层，而后续在封装注塑过程中，难免会发生塑封料溢料的情况，塑封料与引线框架背面的棕色氧化层紧密结合后，通过普通的清洗工艺难以去除干净，需要额外进行高压水冲洗或者打磨工序，既使工序复杂化，延长了生产周期，又影响集成电路封装体的完整性，降低产品合格率。

发明内容

本发明针对现有技术所存在的缺陷，提供一种具有粗糙侧壁的引线框架的制备方法，该方法简单、可控、成本低，可有效改善引线框架与塑封材料的结合强度。

本发明的上述目的通过以下技术方案得以实施：

一种具有粗糙表面的引线框架的制备方法，包括如下步骤：

S1、贴膜：在基板的下表面贴附干膜；

S2、单面棕色氧化：对基板的上表面进行棕色氧化处理，形成棕化面；

S3、电镀：在棕化面上贴附干膜，再去除待电镀区域的干膜，并进行电镀，在棕化面和基板下表面形成电镀层，并去除剩余的干膜；

S4、蚀刻：再次贴膜，去除待蚀刻区域的干膜，进行蚀刻处理，露出基板的侧壁和半蚀刻区域；

S5、超粗化处理：进行超粗化处理，在基板的侧壁和半蚀刻区域形成粗糙表面；

S6、退膜：去除剩余的干膜，得到具有粗糙侧壁的引线框架。

传统的引线框架制备采用先蚀刻再电镀，致使半蚀刻区域也形成有电镀层，不利于塑封时进行锁料，影响封装产品的气密性和可靠性。本发明先进行选择性粗化和电镀，再在蚀刻后进行超粗化处理，在引线框架上表面、半蚀刻区域和侧壁均形成粗糙表面，而下表面未经粗糙化，这样既能使引线框架与塑封树脂的结合区域具有良好的粗糙度，增加与塑封树脂的接触面积，改善封装体的气密性和可靠性，又能简化工艺、节省成本。由于在封装体进行塑封的过程中可能出现溢料，本发明引线框架下表面的裸露区域形成有表面光滑的预电镀层，其不易与溢料粘合，且容易清洗，从而降低了清洗难度以及清洗过程可能对上表面、侧壁与塑封材料结合力的影响。并且，本发明对引线框架进行预电镀，不但可以免去下游半导体封装测试厂家需进行的繁琐而复杂的电镀工序，大大缩短芯片封装生产周期，提高生产效率。

由于本发明在引线框架上表面电镀前先进行了棕色氧化处理，使上表面形成凹凸不平的微观形态，增大铜与塑封料的接触面积，同时增加基板表面与塑封料之间的浸润性，有效改善引线框架与塑封料之间的黏合强度，防止封装体分层。同时棕色氧化处理在电镀步骤之前，同时避免电镀层表面生成棕色污渍，在电镀后更方便清洗。并且，在棕化面形成的电镀层也有较好的致密性，没有料纹生成，更有利于打线，提高焊接性能和键合强度，保证键合线与电镀层的可靠连接。

进一步地，在棕化面上形成的电镀层具有粗糙表面。

由于棕化面呈现凹凸不平的粗糙形态，直接在棕化面上电镀即可使电镀层也具有凹凸不平的粗糙形态，不需再对电镀层进行棕化或粗糙化处理。

虽然经过棕色氧化处理可使引线框架的平整表面变成颗粒状的粗糙表面，增加的粗糙度有限。目前对引线框架进行粗糙处理通常是在基板上下表面进行粗糙化，单面棕色氧化相比于常规的双面粗糙化处理虽然可节省棕色氧化的成本，但仍难以保证引线框架封装体达到MSL1的可靠性要求。而本发明在蚀刻之后对引线框架的侧壁和半蚀刻区域进行超粗化处理，可使其表面形成更大的粗糙度，进一步提高半蚀刻区域的锁料能力，增加引线框架和塑封料的结合力，从而大大改善半导体封装产品的的气密性和可靠性。

进一步地，本发明所述基板为铜或铜合金基板。

进一步地，本发明中的超粗化处理具体步骤为：第一次水洗、粗化、第二次水洗、酸洗、第三次水洗、烘干。

进一步优选，本发明中超粗化处理所用的粗化液为甲酸、甲酸钠和氯化铜的混合水溶液。

再进一步优选，粗化液中Cu²⁺含量为15~35g/L，甲酸浓度为为7.5~12.5%，甲酸钠浓度为5.0~10.0%，氯化铜浓度为3.5~5.5%。

本发明的超粗化是通过化学微蚀铜的方法，在粗化液的作用下，铜基板表面发生晶间腐蚀和孔蚀而形成独特的粗糙表面形态，使基板表面积增大，从而提高铜表面的机械结合力。进行超粗化处理时，由于铜在晶界区的溶解速度远大于晶粒溶解速度，金属基板先发生晶间腐蚀产生粗化结构，再发生孔蚀使粗化变强。孔蚀是一个自催化过程，在一定闭塞性的蚀孔内，随着溶解的铜离子浓度增加，为保持电平衡，氯离子不断迁入蚀孔进行富集，高浓度的铜氯化物水解产生氢离子，由此形成的强酸性环境可进一步加速铜的溶解、氯离子浓度的增加以及溶液的酸化。蚀孔内壁处于活化状态，而蚀孔外的铜表面仍呈钝态，由此形成了小阳极/大阴极的活化-钝化电池体系，使孔蚀急速发展，并形成孔洞。然而，在半蚀刻区域进行超粗化处理时，若孔蚀不断深入、溶液酸性增强，容易形成较大孔洞，产生缺口、变形等缺陷，还可能导致引线框架过薄或易卷曲等问题，影响引线框架外观和整体强度，难以顺利进行后续的封装等工序。但若微蚀速率较慢，铜基板表面的孔洞深度较浅，粗糙度小，则达不到超粗化的效果，与封装树脂材料的结合力较弱，仍存在封装体易分层、开裂等问题。因此，本发明需通过控制粗化液中铜离子、氯离子浓度，并及时调整粗化液酸性，适时补充粗化液以保证铜基板表面形成较好的粗糙度，改善与塑封树脂的结合力。

进一步优选，本发明的超粗化处理中控制粗化的微蚀深度为0.5~1.5μm。

再进一步优选，本发明的超粗化处理中控制粗化的微蚀深度为0.6~1.2μm。

进一步优选，本发明超粗化处理的温度为20~35℃。

进行超粗化处理时，粗化液的温度越高，微蚀速率越快，但若温度过高，微蚀速率太快，则很难控制微蚀深度，容易造成孔洞过大，同时增大能耗，因此，本发明将超粗化的温度控制在20~35℃范围内。

进一步优选，本发明步骤S3所述的电镀层为镍钯金电镀层。

本发明的另一目的在于提供一种通过上述方法制得的具有粗糙侧壁的引线框架。

进一步地，本发明所述引线框架包括基板，所述基板的上表面和下表面形成有电镀层，基板的上表面、上表面的电镀层、侧壁和半蚀刻区域的表面均为为粗糙面，引线框架单元的下表面为光滑表面。

进一步地，本发明的引线框架经棕色氧化处理后，上表面的粗糙度可达到0.06~0.11μm，而经过超粗化处理的侧壁和半蚀刻区域的粗糙度可达到0.2~0.3μm。

本发明的另一目的在于提供一种集成电路封装体，包括引线框架、芯片、芯片键合部、键合线、塑封部，所述引线框架为通过上述制备方法制得。

芯片键合部将芯片固定在引线框架上，所述芯片键合部可使用银胶、无铅焊料、共晶焊料等制得；所述键合线可使用金、银、铝、铜等导电金属材料制得。

进一步地，本发明的集成电路封装体优选为方形扁平无引脚封装。

进一步地，所述塑封部为采用环氧树脂（EMC）等树脂材料制得，本发明的塑封部与引线框架紧密接合，包覆芯片以及引线框架的上表面、半蚀刻区和侧壁，而露出下表面的电镀层。由于本发明的引线框架在上表面、半蚀刻区和侧壁均有良好的表面粗糙度，大大增强了其对树脂的锁料能力，使制得的IC封装产品气密性好，减少分层、开裂等问题，提高了产品可靠性。同时引线框架下表面具有预电镀层，集成电路封装体在完成塑封后可直接进行单元切割、测试，无需再增加焊盘的电镀工序，简化了芯片封装的生产工艺，缩短了生产周期，提高生产效率。

本发明与现有技术相比具有以下优点：

1、本发明先进行棕色氧化处理和电镀，再在蚀刻后对侧壁和半蚀刻区域进行超粗化处理，在引线框架的半蚀刻区域和侧壁均形成粗糙表面，大大增加了引线框架与塑封树脂接触区域的结合力，从而改善封装体的气密性和可靠性。

2、相比于现有技术中对基板整体进行粗糙化处理，本发明引线框架下表面未经过粗糙化处理，而是在焊盘区域形成有表面光滑的预电镀层，减少了表面粗糙化的面积，提高了粗化液的利用率，同时下表面不易粘附塑封过程产生的溢料，减少清洗难度，有利于简化工艺、节省成本。

3、本发明在引线框架上表面电镀前先进行棕色氧化处理，使形成的电镀层也有较好的致密性，增加焊接性能和键合强度，同时在蚀刻后进行的超粗化处理使得侧壁具有更高的粗糙度，有效提高锁料能力，增加与塑封料之间的粘结强度。

4、本发明通过粗化液的离子浓度、粗化温度、微蚀深度等参数的控制，使引线框架的侧壁和半蚀刻区域形成较好的粗糙度，从而保证引线框架与塑封树脂的紧密接合，减少引线框架的渗镀和封装体分层、开裂等问题。

5、本发明采用先选择性电镀后蚀刻的方法在引线框架单元下表面的裸露焊盘区域预电镀镍钯金，可为封装厂家免去复杂的电镀工序，缩短生产周期，提高了生产效率，符合经济、绿色、环保的生产要求。

附图说明

图1a-图1j，示出了实施例一中引线框架的制备过程纵截面示意图；

图2，示出了实施例一中引线框架粗糙表面的SEM图；

图3，示出了实施例七中集成电路封装体的纵截面示意图；

图4，示出了实施例七中集成电路封装体在MSL1测试前的超声波扫描图；

图5，示出了实施例七中集成电路封装体在MSL1测试后的超声波扫描图；

附图中：1-基板，11-棕化面，2-干膜，3-待电镀区域，41-上表面电镀层，42-下表面电镀层，5-待蚀刻区域，61-半蚀刻区域，62-侧壁，7-芯片，8-芯片键合部，9-塑封部。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的技术方案作进一步描述说明。在各附图中，相同部分采用类似的附图标记来表示。为清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。也可能未示出本领域公知的部分。如果无特殊说明，本发明的具体实施方式中所采用的原料均为本领域常用的原料，实施例中所采用的方法，均为本领域的常规方法。

应当理解的是，在以下实施方式中，提及构成要素的位置关系或数量情况时，如采用“上”、“下”等术语，其仅用于说明目的，而不是限制性的，在不脱离本发明公开的范围的情况下，可使用其它近似或类似的示例。

引线框架的基板由导电材料构成，例如铜、铜合金、铜钼化合物、镍铁合金、纯镍等，本领域技术人员也可选用其它具有导电、导热性能且可靠性高的材料。在本发明实施例中，以铜（含量不低于97%）作为引线框架的基板材料，引线框架单元的尺寸为12×12毫米。本发明的干膜具有一定粘性和良好的感光特性，且能耐酸碱腐蚀，因而在粗化、电镀和蚀刻过程中起到保护作用。

本发明实施例中，单面棕色氧化采用现有的棕色氧化工艺，具体包括碱洗、酸洗、ALK清洗、活化、棕色氧化、棕色氧化后清洗工序、滴定山埃、滴定氢氧化钾、热水洗工序和烘干的步骤；其中，碱洗、酸洗、ALC清洗、活化、棕色氧化后清洗工序均是现有技术，清洗液为常规清洗液，滴加山埃是用来去除棕色氧化粉末。

实施例一：

参考图1a-图1j，实施例一提供了具有粗糙表面的引线框架的制备方法，包括如下步骤：

S1、贴膜：准备好经过除油、清洗、干燥的基板1，如图1a所示，在基板的下表面贴一层干膜2；

S2、单面棕色氧化：对基板的上表面进行棕色氧化处理，依次进行碱洗、酸洗、ALK清洗、活化、棕色氧化、棕色氧化后清洗工序、滴定山埃、滴定氢氧化钾、热水洗工序和烘干；其中，碱洗的碱温度为55~65℃，碱浓度为45g/L，碱洗的前处理速度为50±10HZ；在酸洗过程中，酸浓度为45g/L，铜离子的浓度小于10g/L，酸缸速度为15±10HZ；ALK清洗的浓度为130ml/L；活化的温度为30~40℃；棕色氧化液采用采用安美特化学有限公司产品中MoldPrep系列，其中铜离子浓度为10g/L，棕化温度为35~45℃；棕色氧化后清洗的温度为35~45℃，清洗液的浓度为150ml/L；滴加山埃的浓度为3～8g/L；滴加氢氧化钾的浓度为12g/L；热水洗的温度为55~65℃；烘干采用干片炉烘干，烘干的温度为135~145℃；完成单面棕色氧化处理，在基板的上表面形成如图1b所示的棕化面11；棕化面11呈现微观凹凸不平的粗糙形态，可增加与塑封树脂的接触面积和附着强度，同时也能提高打线的键合强度；

S3、电镀：如图1c-1d，先在基板的棕化面11贴附一层干膜2，再将黑白底片与基板对位，曝光将需要去除的部分的图像转移到基板表面的干膜2上；经过显影，将干膜中未发生光聚合反应的部分去除，露出引线框架单元上下表面的待电镀区域3；接着在基板上下表面的待电镀区域电镀镍钯金，如图1e所示；其中，镍镀液的pH值为3.9~4.5，Ni浓度为96g/L，NiCl₂浓度为18g/L，H₃BO₃浓度为36g/L，设定电流密度为7ASD，设定工作温度为55℃；镀镍后加入浓度为5ml/L的H₂SO₄进行活化；钯镀液的pH值为7.2~7.8，其中Pd浓度为8g/L，设定电流密度为1.5ASD，设定工作温度为50℃；金镀液的pH值为3.6~4.2，其中Au浓度为1.2g/L，设定电流密度为1.2ASD，设定工作温度为50℃；在镀金后还加入了浓度为25ml/L的抗银胶扩散剂T13；

电镀完成后，用碱液处理退去基板上下表面剩余的干膜，再分别进行酸洗、水洗，干燥，得到上表面和下表面均形成镍钯金电镀层41、42的引线框架；其中引线框架单元的上表面为在局部区域选择性电镀形成的镍钯金电镀层41，其具有粗糙表面，有更好的树脂粘附和锁料能力，而下表面的镍钯金电镀层42未经粗糙化处理，具有光滑表面，仅提供与电路板焊盘进行焊接的裸露区域；并且在基板需要蚀刻的区域不电镀镍钯金，在侧面也不会形成电镀层，下表面没有粗糙表面，这样处理在保证封装气密性的同时，还能进一步减少粗化液以及含贵金属的电镀液的消耗，降低粗化和电镀成本；

S4、蚀刻：如图1f所示，在基板上下表面各贴附一层干膜2，覆盖住引线框架上下表面的电镀层41、42，起到抗蚀刻作用，接着进行二次曝光和显影，去除基板上下表面待蚀刻区域的干膜，如图1g，对基板上露出的待蚀刻区域5进行蚀刻，形成如图1h所示的呈“凸”字型的蚀刻孔，露出半蚀刻区域61和侧壁62；

S5、超粗化处理：保留基板上下表面剩余的干膜2，第一次水洗后将铜基板浸入粗化液中，对引线框架的半蚀刻区域61和侧壁62进行超粗化处理，如图1i所示，在引线框架的半蚀刻区域61和侧壁62均形成粗糙表面；粗化液采用上海贝尼塔实业有限公司的BNT-8101M超粗化微蚀剂， Cu²⁺含量为30g/L，甲酸浓度为10%，甲酸钠浓度为8%，氯化铜浓度为4.5%，并控制超粗化的温度为28~32℃，超粗化的时间为50秒；粗化后进行第二次水洗，再进行酸洗12秒，酸洗液为盐酸溶液，其中盐酸浓度为3.6%，Cu²⁺含量＜1.5g/L；接着第三次水洗，冷风吹干后，再在70℃下热风烘干；在超粗化过程中需分析Cu²⁺浓度，若含量超出15~35g/L范围，则需排掉1/3 ~ 2/3的粗化液，再在粗化缸中添加2/3 ~ 1/3补充剂BNT-8101-R；

S6、退膜：去除基板上下表面剩余的干膜，清洗后烘干，经过清洗、干燥，得到如图1j所示的引线框架，上表面为棕化面11，在半蚀刻区域61和侧壁62具有粗糙表面，该引线框架在上、下表面具有镍钯金电镀层41、42；其中棕化面11的粗糙度为0.10μm，半蚀刻区域61和侧壁62的粗糙度为0.28μm；由于采用了先电镀后蚀刻的方法，在引线框架单元的半蚀刻区域61和侧壁62均无电镀层，而是直接在铜基板上形成了粗糙表面，从而可有效保证引线框架和塑封树脂的结合力，提高封装产品的可靠性。

本实施例制得的引线框架粗糙表面的SEM图如图2所示，可见其表面明显凹凸不平，形成大量孔洞结构，说明粗糙化效果较好。

实施例二：

实施例二提供了具有粗糙表面的引线框架的制备方法，与实施例一的区别仅在于将步骤S5所用的粗化液中Cu²⁺的浓度设置为15g/L，其余步骤和条件均与实施例一相同。

本实施例制得的引线框架棕化面11的粗糙度为0.09μm，半蚀刻区域61和侧壁62的粗糙度为0.21μm。

实施例三：

实施例三提供了具有粗糙表面的引线框架的制备方法，与实施例一的区别仅在于将步骤S5所用的粗化液中Cu²⁺的浓度设置为35g/L，其余步骤和条件均与实施例一相同。

本实施例制得的引线框架棕化面11的粗糙度为0.08μm，半蚀刻区域61和侧壁62的粗糙度为0.29μm。

实施例四：

实施例四提供了具有粗糙表面的引线框架的制备方法，与实施例一的区别仅在于步骤S5中超粗化的温度控制为15~19℃，其余步骤和条件均与实施例一相同。

本实施例制得的引线框架棕化面11的粗糙度为0.10μm，半蚀刻区域61和侧壁62的粗糙度为0.20μm。

实施例五：

实施例五提供了具有粗糙表面的引线框架的制备方法，与实施例一的区别仅在于步骤S5中超粗化的温度控制为35~39℃，其余步骤和条件均与实施例一相同。

本实施例制得的引线框架棕化面11的粗糙度为0.09μm，半蚀刻区域61和侧壁62的粗糙度为0.32μm。

实施例六：

实施例六提供了具有粗糙表面的引线框架的制备方法，与实施例一的区别仅在于步骤S5中的超粗化处理用棕色氧化处理代替，其中棕色氧化液采用安美特化学有限公司产品中MoldPrep系列，棕色氧化方法和实施例一的步骤S2中的单面棕色氧化方法相同。

本实施例制得的引线框架棕化面11的粗糙度为0.09μm，半蚀刻区域61和侧壁62的粗糙度为0.11μm。

实施例七：

实施例七提供一种集成电路封装体，如图3所示，包括引线框架、芯片7、芯片键合部8、键合线（图中未示出）、塑封部9；其中引线框架为实施例一制得的引线框架，芯片键合部8为银胶，键合线为金线，塑封部9为环氧树脂（EMC）塑封部。先将研磨好的芯片7用银胶固定粘贴于引线框架的基岛上，再通过金线将芯片的I/O端口连接到引线框架的上电镀层，形成电路连接，接着用EMC进行注塑，包裹住芯片、键合线以及引线框架的上表面、侧壁和半蚀刻区域，而引线框架下表面的镍钯金电镀层裸露，用于后续与电路板焊接。

实施例八~十二：

实施例八~十二分别采用实施例二~六中的引线框架进行封装，制得集成电路封装体，其他材料和制备方法均与实施例八相同。

对比例一：

对比例一提供一种具有粗糙表面的引线框架的制备方法，其与实施例一的区别仅在于未进行S5的超粗化处理，即蚀刻后直接退膜，其余材料、操作步骤和条件均与实施例一相同。

对比例二：

对比例二提供一种集成电路封装体，其与实施例七的区别仅在于采用对比例一中的引线框架进行封装，其他材料和制备方法均与实施例七相同。

分别对实施例七~十二以及对比例二中的集成电路封装体进行切割和MSL1可靠性测试。先在125℃下烘烤24h，再以85℃×85%×168h的条件储存，在260℃进行回流焊，分别用超声波显微镜（SAT）扫描样品。具体结果如表1所示，可发现对比例二的封装体分层发生率较高，未能通过MSL1可靠性测试，而相比之下本发明实施例的封装体MSL1测试前和测试后的SAT检测均无明显异常，如图4-图5所示，说明已通过MSL1可靠性测试。

表1 实施例七~十二和对比例二的MSL1可靠性测试结果

本发明的引线框架不仅适用于类似QFN的无引脚封装，还适用于其他蚀刻型封装。

本文中所描述的具体实施例仅仅是对本发明精神作举例说明，并不用于限定本发明的保护范围。本发明所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本发明的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。

Claims

1.一种具有粗糙侧壁的引线框架的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、贴膜：在基板的下表面贴附干膜；

2.根据权利要求1所述的具有粗糙侧壁的引线框架的制备方法，其特征在于，所述基板为铜或铜合金基板。

3.根据权利要1所述的具有粗糙侧壁的引线框架的制备方法，其特征在于，超粗化处理包括：第一次水洗、粗化、第二次水洗、酸洗、第三次水洗、烘干。

4.根据权利要求3所述的具有粗糙侧壁的引线框架的制备方法，其特征在于，超粗化处理所用的粗化液为甲酸、甲酸钠和氯化铜的混合水溶液。

5.根据权利要求4所述的具有粗糙侧壁的引线框架的制备方法，其特征在于，粗化液中Cu²⁺含量为15~35g/L，甲酸浓度为为7.5~12.5%，甲酸钠浓度为5.0~10.0%，氯化铜浓度为3.5~5.5%。

6.根据权利要求3所述的具有粗糙侧壁的引线框架的制备方法，其特征在于，超粗化处理的微蚀深度为0.5~1.5μm。

7.根据权利要求1所述的具有粗糙侧壁的引线框架的制备方法，其特征在于，步骤S3所述的电镀层为镍钯金电镀层。

8.一种如权利要求1-7任一所述的制备方法制得的具有粗糙侧壁的引线框架。

9.根据权利要求8所述的具有粗糙侧壁的引线框架，其特征在于，所述引线框架包括基板，基板的上表面和下表面形成有电镀层，基板的上表面及上表面电镀层、侧壁、半蚀刻区域的表面均为粗糙面，基板的下表面为光滑面。

10.根据权利要求9所述的具有粗糙侧壁的引线框架，其特征在于，引线框架上表面的粗糙度为0.06~0.11μm，引线框架侧壁的粗糙度为0.2~0.3μm。

11.一种集成电路封装体，包括如权利要求8所述的引线框架、芯片、芯片键合部、键合线和塑封部。