CN112086576A - 一种显示面板及制程方法 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种显示面板及制程方法，显示面板的缓冲层具有相对设置的第一面和第二面，多晶硅层设置在第一面，多晶硅层包括第一部和第二部，所述第二部形成走线结构，第一绝缘层设置在第一面且覆盖多晶硅层，第一金属层设置在第一绝缘层远离缓冲层的一面，且与第一部对应，第二绝缘层设置在第一绝缘层远离缓冲层的一面，且覆盖第一金属层，第二金属层设置在第二绝缘层远离缓冲层的一面，第二金属层具有第一子金属层和第二子金属层，第一子金属层与第一部对应，第二子金属层通过第一过孔与第二部连接，层间绝缘层设置在第二绝缘层远离缓冲层的一面，且覆盖所述第二金属层。本申请可以提高显示面板的透光率。

Description

一种显示面板及制程方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种柔性显示面板及制程方法。
背景技术
主动矩阵有机发光二极体(AMOLED)因高对比度，可视角度广以及响应速度快可柔性等特点有望取缔液晶成为下一代显示器主流选择。
目前的手机面板新技术发展迅速，屏下摄像头即将成为下一轮的热点技术，目前的TFT基板有一大块为阳极，其余位置几乎被金属走线填满，如此面板的透过率只有3％左右，无法实现屏下摄像头的要求。
因此，提供一种能够提高透光率的显示面板，成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板及制程方法，能够提高显示面板透光率。
本申请实施例提供一种显示面板，包括：
缓冲层，具有相对设置的第一面和第二面；
多晶硅层，设置在所述第一面，所述多晶硅层包括第一部和第二部，所述第一部和第二部间隔设置，所述第二部形成走线结构；
第一绝缘层，设置在所述第一面且覆盖所述多晶硅层；
第一金属层，设置在所述第一绝缘层远离所述缓冲层的一面，且与所述第一部对应；
第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层远离所述缓冲层的一面，且覆盖所述第一金属层；
第二金属层，设置在所述第二绝缘层远离所述缓冲层的一面，所述第二金属层具有第一子金属层和第二子金属层，所述第一子金属层与所述第一部对应，所述第二子金属层通过第一过孔与所述第二部连接；
层间绝缘层，设置在所述第二绝缘层远离所述缓冲层的一面，且覆盖所述第二金属层。
在一些实施例中，还包括源漏极层、平坦化层以及阳极层，所述源漏极层设置在所述层间绝缘层远离所述缓冲层的一面，所述源漏极层通过第二过孔与所述第一部连接，所述平坦化层设置在所述层间绝缘层远离所述缓冲层的一面，且覆盖所述源漏极层，所述阳极层设置在所述平坦化层远离所述缓冲层的一面，所述阳极层通过第三过孔与所述源漏极层连接，所述阳极层采用电致变色材料，所述阳极层在不通电时，所述阳极层透明。
在一些实施例中，所述阳极层包括层叠设置的第一透明导电薄膜，三氧化钨层以及第二透明导电薄膜。
在一些实施例中，所述第二部形成扫描线和数据线，所述数据线和扫描线垂直设置。
在一些实施例中，所述第一过孔具有位于所述数据线的两侧。
在一些实施例中，所述缓冲层包括依次层叠设置的第一绝缘薄膜、第一子缓冲层、第二绝缘薄膜、第二子缓冲层，所述第二子缓冲层靠近所述多晶硅层。
在一些实施例中，还包括发光层和所述像素定义层，所述发光层位于所述阳极层远离所述缓冲层的一面，所述像素定义层位于平坦化层远离所述缓冲层的一面，所述平坦化层与所述发光层远离所述缓冲层的一面平齐。
在一些实施例中，还包括发光电极层，所述发光电极层位于所述像素定义层远离所述缓冲层的一面，所述发光电极层与所述发光层连接。
在一些实施例中，还包括阴极层、第一封装层以及第二封装层，所述阴极层、第一封装层以及第二封装层依次层叠设置在所述发光电极层远离所述缓冲层的一面。
本申请实施例还提供一种显示面板制程方法，包括：
提供一缓冲层，具有相对设置的第一面和第二面；
在所述第一面设置多晶硅层，所述多晶硅层包括第一部和第二部，所述第一部和第二部间隔设置，所述第二部形成走线结构；
在所述第一面设置第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述多晶硅层；
在所述第一绝缘层远离所述缓冲层的一面设置第一金属层，所述第一金属层与所述第一部对应；
在所述第一绝缘层远离所述缓冲层的一面设置第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第一金属层；
在所述第二绝缘层远离所述缓冲层的一面设置第二金属层，所述第二金属层具有第一子金属层和第二子金属层，所述第一子金属层与所述第一部对应，所述第二子金属层通过第一过孔与所述第二部连接；
在所述第二绝缘层远离所述缓冲层的一面设置层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述第二金属层。
本申请实施例所提供的显示面板及制程方法，显示面板包括缓冲层、多晶硅层、第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、第二金属层以及层间绝缘层，缓冲层，具有相对设置的第一面和第二面，多晶硅层设置在所述第一面，所述多晶硅层包括第一部和第二部，所述第一部和第二部间隔设置，所述第二部形成走线结构，第一绝缘层设置在所述第一面且覆盖所述多晶硅层，第一金属层设置在所述第一绝缘层远离所述缓冲层的一面，且与所述第一部对应，第二绝缘层设置在所述第一绝缘层远离所述缓冲层的一面，且覆盖所述第一金属层，第二金属层设置在所述第二绝缘层远离所述缓冲层的一面，所述第二金属层具有第一子金属层和第二子金属层，所述第一子金属层与所述第一部对应，所述第二子金属层通过第一过孔与所述第二部连接，层间绝缘层设置在所述第二绝缘层远离所述缓冲层的一面，且覆盖所述第二金属层。本申请通过多晶硅层形成的走线结构替换金属走线结构，从而提高显示面板的透光率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的显示面板结构示意图。
图2为本申请实施例提供的显示面板另一种结构示意图。
图3为本申请实施例中显示面板的部分平面结构示意图。
图4为本申请实施例提供的显示面板又一种结构示意图。
图5为图4中显示面板的部分平面结构示意图。
图6为本申请实施例提供的显示面板的制程方法。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
本申请实施例提供一种显示面板及制程方法，以下对显示面板做详细介绍。
请参阅图1所示，图1为本申请实施例提供的显示面板结构示意图。其中，显示面板100包括缓冲层10、多晶硅层20、第一绝缘层30、第一金属层40、第二绝缘层50、第二金属层60以及层间绝缘层70，缓冲层10，具有相对设置的第一面10a和第二面10b，多晶硅层20设置在所述第一面10a，所述多晶硅层20包括第一部21和第二部22，所述第一部21和第二部22间隔设置，所述第二部22形成走线结构，第一绝缘层30设置在所述第一面10a且覆盖所述多晶硅层20，第一金属层40设置在所述第一绝缘层30远离所述缓冲层10的一面，且与所述第一部21对应，第二绝缘层50设置在所述第一绝缘层30远离所述缓冲层10的一面，且覆盖所述第一金属层40，第二金属层60设置在所述第二绝缘层50远离所述缓冲层10的一面，所述第二金属层60具有第一子金属层和第二子金属层，所述第一子金属层与所述第一部21对应，所述第二子金属层通过第一过孔223与所述第二部22连接，层间绝缘层70设置在所述第二绝缘层50远离所述缓冲层10的一面，且覆盖所述第二金属层60。
需要说明的是，第一面10a为缓冲层10的上表面，第二面10b为缓冲层10的下表面，当然，第一面10a也可以为缓冲层10的下表面，第二面10b为缓冲层10的上表面。
另外的，多晶硅层20可以通过a-si沉积，通过ELA(激光退火)工艺实现多晶硅化，并且通过光刻工艺在多晶硅层20的第二部22区域形成走线结构。
其中，在第一绝缘层30上沉积第一金属层40，并通过光刻工艺在第一金属层40上形成金属走线和栅极。
其中，在第二绝缘层50上沉积第二金属层60，并通过光刻工艺在第二金属层60上形成金属走线和存储电容电极。
请参阅图2，图2为本申请实施例提供的显示面板的另一种结构示意图。其中，显示面板100还包括源漏极层80、平坦化层90以及阳极层101，所述源漏极层80设置在所述层间绝缘层70远离所述缓冲层10的一面，所述源漏极层80通过第二过孔108与所述第一部21连接，所述平坦化层90设置在所述层间绝缘层70远离所述缓冲层10的一面，且覆盖所述源漏极层80，所述阳极层101设置在所述平坦化层90远离所述缓冲层10的一面，所述阳极层101通过第三过孔109与所述源漏极层80连接，所述阳极层101采用电致变色材料，所述阳极层101在不通电时，所述阳极层101透明。
需要说明的是，阳极层101采用电致变色材料，当阳极层101不加电压的情况下，阳极层101为透明的，这样就增加了显示面板100的透光率，同时可以实现较高的对比度。
其中，所述阳极层101包括层叠设置的第一透明导电薄膜，三氧化钨层以及第二透明导电薄膜。
需要说明的是，阳极层101还可以包括层叠设置的第一透明导电薄膜，三氧化铱层以及第二透明导电薄膜。在阳极层101上可以使用光刻工艺形成阳极图案化结构。通过该结构能够在不加电压的情况下，使得阳极层101是透明的，从而提高显示面板100的透光率。
请参阅图3，图3为本申请实施例中显示面板的部分平面结构示意图。其中，所述第二部22形成扫描线221和数据线222，所述数据线222和扫描线221垂直设置。
需要说明的是，扫描线221和数据线222都具有若干条，第二金属层60通过第一过孔223可与扫描线221连接。使得第二部22形成的走线结构替代部分金属走线结构。这样能够增加显示面板100的透光率。
其中，所述第一过孔223具有位于所述数据线222的两侧。
请继续参阅图2，其中，所述缓冲层10包括依次层叠设置的第一绝缘薄膜11、第一子缓冲层12、第二绝缘薄膜13、第二子缓冲层14，所述第二子缓冲层14靠近所述多晶硅层20。
其中，显示面板100还包括发光层102和所述像素定义层103，所述发光层102位于所述阳极层101远离所述缓冲层10的一面，所述像素定义层103位于平坦化层90远离所述缓冲层10的一面，所述平坦化层90与所述发光层102远离所述缓冲层10的一面平齐。
其中，显示面板100还包括发光电极层104，所述发光电极层104位于所述像素定义层103远离所述缓冲层10的一面，所述发光电极层104与所述发光层102连接。
其中，显示面板100还包括阴极层105、第一封装层106以及第二封装层107，所述阴极层105、第一封装层106以及第二封装层107依次层叠设置在所述发光电极层104远离所述缓冲层10的一面。
本申请实施例所提供的显示面板100包括缓冲层10、多晶硅层20、第一绝缘层30、第一金属层40、第二绝缘层50、第二金属层60以及层间绝缘层70，缓冲层10，具有相对设置的第一面10a和第二面10b，多晶硅层20设置在所述第一面10a，所述多晶硅层20包括第一部21和第二部22，所述第一部21和第二部22间隔设置，所述第二部22形成走线结构，第一绝缘层30设置在所述第一面10a且覆盖所述多晶硅层20，第一金属层40设置在所述第一绝缘层30远离所述缓冲层10的一面，且与所述第一部21对应，第二绝缘层50设置在所述第一绝缘层30远离所述缓冲层10的一面，且覆盖所述第一金属层40，第二金属层60设置在所述第二绝缘层50远离所述缓冲层10的一面，所述第二金属层60具有第一子金属层和第二子金属层，所述第一子金属层与所述第一部21对应，所述第二子金属层通过第一过孔223与所述第二部22连接，层间绝缘层70设置在所述第二绝缘层50远离所述缓冲层10的一面，且覆盖所述第二金属层60。本申请通过多晶硅层20形成的走线结构替换金属走线结构，从而提高显示面板100的透光率。
请参阅图4，图4为本申请实施例提供的显示面板又一种结构示意图。图5为图4中显示面板的部分平面结构示意图。其中，本申请实施例与上述实施例相比，区别点在于：本申请实施例在缓冲层10的第一面设有透明导电层108，并通过光刻工艺在信号线区域形成ITO图案。第二金属层10穿过第一过孔223与透明导电层108连接。另外的，透明导电层108与显示面板100底部的摄像头对应。本申请通过透明导电层108形成的走线结构替换金属走线结构，从而提高显示面板10的透光率。
请参阅图6，图6为本申请实施例提供的显示面板的制程方法。其中，一种显示面板制程方法，包括如下步骤：
201、提供一缓冲层，具有相对设置的第一面和第二面。
需要说明的是，第一面为缓冲层的上表面，第二面为缓冲层的下表面，当然，第一面也可以为缓冲层的下表面，第二面为缓冲层的上表面。
202、在所述第一面设置多晶硅层，所述多晶硅层包括第一部和第二部，所述第一部和第二部间隔设置，所述第二部形成走线结构。
需要说明的是，多晶硅层可以通过a-si沉积，通过ELA(激光退火)工艺实现多晶硅化，并且通过光刻工艺在多晶硅层的第二部区域形成走线结构。
203、在所述第一面设置第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述多晶硅层。
204、在所述第一绝缘层远离所述缓冲层的一面设置第一金属层，所述第一金属层与所述第一部对应。
205、在所述第一绝缘层远离所述缓冲层的一面设置第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第一金属层。
206、在所述第二绝缘层远离所述缓冲层的一面设置第二金属层，所述第二金属层具有第一子金属层和第二子金属层，所述第一子金属层与所述第一部对应，所述第二子金属层通过第一过孔与所述第二部连接。
207、在所述第二绝缘层远离所述缓冲层的一面设置层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述第二金属层。
本申请实施例提供的显示面板制程方法首先提供一缓冲层，具有相对设置的第一面和第二面；在所述第一面设置多晶硅层，所述多晶硅层包括第一部和第二部，所述第一部和第二部间隔设置，所述第二部形成走线结构；在所述第一面设置第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述多晶硅层；在所述第一绝缘层远离所述缓冲层的一面设置第一金属层，所述第一金属层与所述第一部对应；在所述第一绝缘层远离所述缓冲层的一面设置第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第一金属层；在所述第二绝缘层远离所述缓冲层的一面设置第二金属层，所述第二金属层具有第一子金属层和第二子金属层，所述第一子金属层与所述第一部对应，所述第二子金属层通过第一过孔与所述第二部连接；在所述第二绝缘层远离所述缓冲层的一面设置层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述第二金属层。本申请通过多晶硅层形成的走线结构替换金属走线结构，从而提高显示面板的透光率。
以上对本申请实施例提供的一种显示面板及制程方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
缓冲层，具有相对设置的第一面和第二面；
多晶硅层，设置在所述第一面，所述多晶硅层包括第一部和第二部，所述第一部和第二部间隔设置，所述第二部形成走线结构；
第一绝缘层，设置在所述第一面且覆盖所述多晶硅层；
第一金属层，设置在所述第一绝缘层远离所述缓冲层的一面，且与所述第一部对应；
第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层远离所述缓冲层的一面，且覆盖所述第一金属层；
第二金属层，设置在所述第二绝缘层远离所述缓冲层的一面，所述第二金属层具有第一子金属层和第二子金属层，所述第一子金属层与所述第一部对应，所述第二子金属层通过第一过孔与所述第二部连接；
层间绝缘层，设置在所述第二绝缘层远离所述缓冲层的一面，且覆盖所述第二金属层。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括源漏极层、平坦化层以及阳极层，所述源漏极层设置在所述层间绝缘层远离所述缓冲层的一面，所述源漏极层通过第二过孔与所述第一部连接，所述平坦化层设置在所述层间绝缘层远离所述缓冲层的一面，且覆盖所述源漏极层，所述阳极层设置在所述平坦化层远离所述缓冲层的一面，所述阳极层通过第三过孔与所述源漏极层连接，所述阳极层采用电致变色材料，所述阳极层在不通电时，所述阳极层透明。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述阳极层包括层叠设置的第一透明导电薄膜，三氧化钨层以及第二透明导电薄膜。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二部形成扫描线和数据线，所述数据线和扫描线垂直设置。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一过孔具有位于所述数据线的两侧。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述缓冲层包括依次层叠设置的第一绝缘薄膜、第一子缓冲层、第二绝缘薄膜、第二子缓冲层，所述第二子缓冲层靠近所述多晶硅层。
7.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，还包括发光层和像素定义层，所述发光层位于所述阳极层远离所述缓冲层的一面，所述像素定义层位于平坦化层远离所述缓冲层的一面，所述平坦化层与所述发光层远离所述缓冲层的一面平齐。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，还包括发光电极层，所述发光电极层位于所述像素定义层远离所述缓冲层的一面，所述发光电极层与所述发光层连接。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，还包括阴极层、第一封装层以及第二封装层，所述阴极层、第一封装层以及第二封装层依次层叠设置在所述发光电极层远离所述缓冲层的一面。
10.一种显示面板制程方法，其特征在于，包括：
提供一缓冲层，具有相对设置的第一面和第二面；
在所述第一面设置多晶硅层，所述多晶硅层包括第一部和第二部，所述第一部和第二部间隔设置，所述第二部形成走线结构；
在所述第一面设置第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述多晶硅层；
在所述第一绝缘层远离所述缓冲层的一面设置第一金属层，所述第一金属层与所述第一部对应；
在所述第一绝缘层远离所述缓冲层的一面设置第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第一金属层；
在所述第二绝缘层远离所述缓冲层的一面设置第二金属层，所述第二金属层具有第一子金属层和第二子金属层，所述第一子金属层与所述第一部对应，所述第二子金属层通过第一过孔与所述第二部连接；
在所述第二绝缘层远离所述缓冲层的一面设置层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述第二金属层。
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