CN112080660A - 低杂质AlV55合金的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于冶金领域,特别涉及一种低杂质AlV55合金的制备方法。本发明所要解决的技术问题是提供一种低杂质AlV55合金的制备方法,包括以下步骤:A、将高纯V2O5、高纯金属Al和高纯CaO按质量比1﹕0.771~0.824﹕0.201~0.254混合均匀,然后用点火剂引发进行铝热反应,铝热反应结束后保温,冷却后将合金破碎;B、取破碎后的合金与高纯金属Al按质量比1﹕0.189~0.264混合均匀,在惰性气氛下精炼,得到低杂质AlV55合金。本发明方法能够制备得到杂质低、成品率高的AlV55合金。
Description
技术领域
本发明属于冶金领域,特别涉及一种低杂质AlV55合金的生产方法。
背景技术
钒铝合金可显著改善钛合金的强度、韧性、成形性、耐腐蚀及耐高温等性能,是钛合金常用的一种重要添加剂。应用最广泛的Ti-6Al-4V(含4%V)和Ti-8Al-1Mo-1V约占钛合金市场的50%,是喷气发动机、高速飞行器骨架和火箭发动机机壳的主要材料。随着我国航空航天业的迅速发展,应用于航空航天领域的钛合金势必会持续增长。
世界范围内的高端钒铝合金市场主要由美国雷丁合金公司(Reading Alloys)和德国电冶金公司(GfE)牢牢控制,其中,德国GfE公司因采用两步法生产宇航级钒铝合金(执行GfE企业标准),质量处于世界领先水平。专利201410065632.6公开了一种宇航级钒铝合金的制备方法,此方法采用金属热法制备出含钒75~85%的钒铝合金后通过真空精炼得到含钒45~55%的宇航级钒铝合金,但我国AlV55合金的市场需求量更大,且有些用户提出了更低杂质含量的要求,现有技术制备的钒铝合金不能满足客户的需求。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种低杂质AlV55合金的制备方法,该方法能够有效地解决一步法制备AlV55合金成品率偏低的问题,且本发明所得AlV55合金杂质低。本发明所得AlV55合金Fe≤0.18%、Si≤0.18%、C≤0.015%、O≤0.06%、N≤0.015%,成品率≥75%。
本发明低杂质AlV55合金的制备方法,包括以下步骤:
A、将高纯V2O5、高纯金属Al和高纯CaO按质量比1﹕0.771~0.824﹕0.201~0.254混合均匀,然后用点火剂引发进行铝热反应,铝热反应结束后保温,冷却后将合金破碎;
B、取破碎后的合金与高纯金属Al按质量比1﹕0.189~0.264混合均匀,在惰性气氛下精炼,得到低杂质AlV55合金。
其中,上述低杂质AlV55合金的制备方法步骤A中,所述高纯V2O5纯度≥99.5%,其中Fe≤0.008%,Si≤0.008%,C≤0.005%。
其中,上述低杂质AlV55合金的制备方法步骤A中,所述高纯金属Al纯度≥99.7%,其中Fe≤0.008%,Si≤0.008%,C≤0.005%。
其中,上述低杂质AlV55合金的制备方法步骤A中,所述高纯CaO纯度≥99.5%,其中Fe≤0.15%,Si≤0.15%,C≤0.08%。
进一步的,上述低杂质AlV55合金的制备方法步骤A中,所述高纯V2O5粒度120~200目。
进一步的,上述低杂质AlV55合金的制备方法步骤A中,所述高纯金属Al粒度≤3mm。
进一步的,上述低杂质AlV55合金的制备方法步骤A中,所述高纯CaO粒度120~200目。
其中,上述低杂质AlV55合金的制备方法步骤A中,所述点火剂为高纯钛粉。
进一步的,上述低杂质AlV55合金的制备方法步骤A中,所述高纯钛粉纯度≥99.5%。
进一步的,上述低杂质AlV55合金的制备方法步骤A中,所述高纯钛粉粒度≤160目。
进一步的,上述低杂质AlV55合金的制备方法步骤A中,所述高纯钛粉添加量为200~300g。
其中,上述低杂质AlV55合金的制备方法步骤A中,所述保温为加保温盖保温。
其中,上述低杂质AlV55合金的制备方法步骤A中,所述保温时间1~2h。
其中,上述低杂质AlV55合金的制备方法步骤A中,所述冷却为通入冷却水冷却24~30h。
其中,上述低杂质AlV55合金的制备方法步骤A中,所述合金破碎粒度≤10mm。
其中,上述低杂质AlV55合金的制备方法步骤B中,所述高纯金属Al纯度≥99.7%,其中Fe≤0.008%,Si≤0.008%,C≤0.005%。
其中,上述低杂质AlV55合金的制备方法步骤B中,所述高纯金属Al粒度为1~3mm。
其中,上述低杂质AlV55合金的制备方法步骤B中,所述惰性气氛为氩气。
进一步的,上述低杂质AlV55合金的制备方法步骤B中,先用惰性气体置换炉内气体,然后充入惰性气体保证炉内气压为0.08~0.09MPa。
其中,上述低杂质AlV55合金的制备方法步骤B中,所述精炼时控制过热度30~50℃。精炼时间为3~5min。
本发明设计两步法制备AlV55合金,选择了合适的原料,控制了合适原料配比进行成品率更高、表观质量更好、氧氮等杂质含量相对较低的钒铝合金的制备,然后继续在惰性气体保护下加铝精炼对氧氮等杂质继续脱除,所得AlV55合金产品杂质含量更低、成品率更高、表观质量更好、后续处理简单,满足高端用户需求。
具体实施方式
由于AlV55合金主要由钒的固溶体相和Al8V5相组成,Al8V5相属于脆性相,所以在Al8V5相中析出钒的固溶体相时不可避免的会产生裂纹,而这些裂纹在空冷过程中又容易被氧化、氮化。本发明设计两步法,选择了合适的原料,控制了合适原料配比进行脱氧脱氮,然后继续在惰性气氛下加铝精炼脱氧脱氮,所得产品杂质低、成品率高,解决了一步法制备AlV55合金存在成品率较低的问题。
本发明采用两步法制备成品率更高、杂质含量更低的AlV55合金,包括以下步骤:
(1)将高纯V2O5、高纯金属Al和高纯CaO按质量比为1﹕0.771~0.824﹕0.201~0.254称量后装入料罐中混合均匀;
(2)将混合均匀的原料装入反应炉中,用点火剂引发原料进行铝热反应;
(3)铝热反应结束后,加保温盖保温1~2h后通冷却水冷却24~30h;
(4)拆炉对合金饼进行精整后破碎;
(5)将破碎后的合金与高纯金属Al按质量比1﹕0.189~0.264混合均匀后装入真空感应炉内;
(6)向炉内充氩后开始精炼过程,最终得到Fe≤0.18%、Si≤0.18%、C≤0.015%、O≤0.06%、N≤0.015%的低杂质AlV55合金,合金成品率≥75%。
其中,为了控制合金中的杂质元素含量,上述步骤(1)所述的高纯V2O5纯度≥99.5%,其中Fe≤0.008%,Si≤0.008%,C≤0.005%;高纯金属Al纯度≥99.7%,其中Fe≤0.008%,Si≤0.008%,C≤0.005%;高纯CaO纯度≥99.5%,其中Fe≤0.15%,Si≤0.15%,C≤0.08%。
进一步的,为了确保原料混合更加均匀、反应更加充分,上述步骤(1)所述的高纯V2O5粒度120~200目,高纯金属Al粒度≤3mm,高纯CaO粒度120~200目。
其中,上述步骤(2)所述的点火剂为高纯钛粉。采用高纯钛粉为点火剂操作简单,不需要提前配料,发热量高且几乎不带入其它杂质。所述高纯钛粉纯度≥99.5%,粒度≤160目。添加量为200~300g。
其中,为了确保合金精炼后成分均匀,上述步骤(4)所述的合金破碎粒度为≤10mm。
其中,为了控制合金中的杂质元素含量,上述步骤(5)所述的高纯金属Al纯度≥99.7%,其中Fe≤0.008%,Si≤0.008%,C≤0.005%。高纯金属Al的粒度为1~3mm。
其中,为了保证合金在精炼过程中不被氮化、氧化,上述步骤(6)所述的向炉内充氩后的气压为0.08~0.09MPa,且需先用氩气清洗炉内2~3次。
进一步的,为了保证合金成分的均匀性,上述步骤(6)所述的合金精炼时间为3~5min。对于精炼温度,由于钒铝配比不同,完全熔融的温度不同,一般控制过热度30~50℃即可。本发明中过热度30~50℃是指高出完全熔融温度30~50℃。
实施例1
将高纯V2O5(纯度99.6%,其中Fe为0.007%,Si为0.008%,C为0.005%,粒度160~200目)100kg、高纯金属Al(纯度99.8%,其中Fe为0.006%,Si为0.007%,C为0.004%,粒度2~3mm)78kg、高纯CaO(纯度99.5%,其中Fe为0.11%,Si为0.13%,C为0.07%,粒度120~160目)22kg在料罐中混合均匀后装入反应设备中,用高纯钛粉作点火剂引发原料进行金属热还原反应。加盖保温1h后通冷却水冷却25h,拆炉对合金饼进行精整后破碎,合金破碎后的粒度为≤8mm。称取破碎后的合金50kg、高纯金属Al(纯度99.8%,其中Fe为0.006%,Si为0.007%,C为0.004%,粒度2~3mm)9.8kg混合均匀后装入真空感应炉中,充氩气清洗2次后充氩至0.08MPa,逐渐加大功率直到合金熔化,精炼时间为4min,过热度为30℃,最终得到Fe为0.15%、Si为0.16%、C为0.014%、O为0.05%、N为0.012%的低杂质AlV55合金,合金成品率为77.4%。
实施例2
将高纯V2O5(纯度99.7%,其中Fe为0.006%,Si为0.005%,C为0.004%,粒度120~160目)120kg、高纯金属Al(纯度99.7%,其中Fe为0.007%,Si为0.006%,C为0.005%,粒度1~2mm)97kg、高纯CaO(纯度99.6%,其中Fe为0.10%,Si为0.12%,C为0.06%,粒度160~200目)26.5kg在料罐中混合均匀后装入反应设备中,用高纯钛粉作点火剂引发原料进行金属热还原反应。加盖保温1.5h后通冷却水冷却30h,拆炉对合金饼进行精整后破碎,合金破碎后的粒度为≤5mm。称取破碎后的合金60kg、高纯金属Al(纯度99.7%,其中Fe为0.007%,Si为0.006%,C为0.005%,粒度1~2mm)15kg混合均匀后装入真空感应炉中,充氩气清洗3次后充氩至0.09MPa,逐渐加大功率直到合金熔化,精炼时间为5min,过热度为40℃,最终得到Fe为0.14%、Si为0.15%、C为0.013%、O为0.045%、N为0.011%的低杂质AlV55合金,合金成品率为78.3%。
实施例3
将高纯V2O5(纯度99.5%,其中Fe为0.008%,Si为0.008%,C为0.005%,粒度120~160目)150kg、高纯金属Al(纯度99.7%,其中Fe为0.007%,Si为0.007%,C为0.005%,粒度1~2mm)118.5kg、高纯CaO(纯度99.5%,其中Fe为0.12%,Si为0.13%,C为0.08%,粒度160~200目)36kg在料罐中混合均匀后装入反应设备中,用高纯钛粉作点火剂引发原料进行金属热还原反应。加盖保温2h后通冷却水冷却28h,拆炉对合金饼进行精整后破碎,合金破碎后的粒度为≤10mm。称取破碎后的合金70kg、高纯金属Al(纯度99.7%,其中Fe为0.007%,Si为0.007%,C为0.005%,粒度1~2mm)14kg混合均匀后装入真空感应炉中,充氩气清洗2次后充氩至0.08MPa,逐渐加大功率直到合金熔化,精炼时间为3min,过热度为50℃,最终得到Fe为0.16%、Si为0.17%、C为0.014%、O为0.052%、N为0.014%的低杂质AlV55合金,合金成品率为75.5%。
Claims (10)
1.低杂质AlV55合金的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
A、将高纯V2O5、高纯金属Al和高纯CaO按质量比1﹕0.771~0.824﹕0.201~0.254混合均匀,然后用点火剂引发进行铝热反应,铝热反应结束后保温,冷却后将合金破碎;
B、取破碎后的合金与高纯金属Al按质量比1﹕0.189~0.264混合均匀,在惰性气氛下精炼,得到低杂质AlV55合金。
2.根据权利要求1所述的低杂质AlV55合金的制备方法,其特征在于:步骤A中,所述高纯V2O5纯度≥99.5%,其中Fe≤0.008%,Si≤0.008%,C≤0.005%;所述高纯金属Al纯度≥99.7%,其中Fe≤0.008%,Si≤0.008%,C≤0.005%;所述高纯CaO纯度≥99.5%,其中Fe≤0.15%,Si≤0.15%,C≤0.08%。
3.根据权利要求1或2所述的低杂质AlV55合金的制备方法,其特征在于:步骤A中,所述高纯V2O5粒度120~200目;所述高纯金属Al粒度≤3mm;所述高纯CaO粒度120~200目。
4.根据权利要求1~3任一项所述的低杂质AlV55合金的制备方法,其特征在于:步骤A中,所述点火剂为高纯钛粉;进一步的,所述高纯钛粉纯度≥99.5%;粒度≤160目。
5.根据权利要求1~4任一项所述的低杂质AlV55合金的制备方法,其特征在于:步骤A中,所述保温为加保温盖保温;进一步保温时间1~2h。
6.根据权利要求1~5任一项所述的低杂质AlV55合金的制备方法,其特征在于:步骤A中,所述合金破碎粒度≤10mm。
7.根据权利要求1~6任一项所述的低杂质AlV55合金的制备方法,其特征在于:步骤B中,所述高纯金属Al纯度≥99.7%,其中Fe≤0.008%,Si≤0.008%,C≤0.005%;进一步的,所述高纯金属Al的粒度为1~3mm。
8.根据权利要求1~7任一项所述的低杂质AlV55合金的制备方法,其特征在于:步骤B中,所述惰性气氛为氩气。
9.根据权利要求1~8任一项所述的低杂质AlV55合金的制备方法,其特征在于:步骤B中,先用惰性气体置换炉内气体,然后充入惰性气体保证炉内气压为0.08~0.09MPa。
10.根据权利要求1~9任一项所述的低杂质AlV55合金的制备方法,其特征在于:步骤B中,所述精炼温度为控制过热度30~50℃;精炼时间为3~5min。
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PB01 | Publication | ||
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RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20201215 |
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