CN112020826A - 放大器 - Google Patents
放大器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112020826A CN112020826A CN201880092448.7A CN201880092448A CN112020826A CN 112020826 A CN112020826 A CN 112020826A CN 201880092448 A CN201880092448 A CN 201880092448A CN 112020826 A CN112020826 A CN 112020826A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- transistor
- amplifier
- output
- impedance
- electrical length
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 26
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 13
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 7
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 7
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 2
- 244000208734 Pisonia aculeata Species 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0288—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers using a main and one or several auxiliary peaking amplifiers whereby the load is connected to the main amplifier using an impedance inverter, e.g. Doherty amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
- H03F1/565—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for using inductive elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/195—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/211—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/387—A circuit being added at the output of an amplifier to adapt the output impedance of the amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
以往的多尔蒂放大器需要具有电长度90度的负载调制线路、具有电长度180度的整数(n)倍的频率补偿线路以及具有负载调制线路与频率补偿线路之差(180°×n‑90°)的电长度的输入相位调整线路,存在电路尺寸大型化的课题。本发明的多尔蒂放大器包括:载波放大器用晶体管;峰值放大器用晶体管;传输线路,被连接于载波放大器用晶体管的输出端子与峰值放大器用晶体管的输出端子之间;短截线,与峰值放大器用晶体管的输出端子并联连接,在使用频带中具有容性和感性;以及输出匹配电路,与峰值放大器用晶体管的输出端子以及传输线路和输出负载连接,将输出负载的阻抗变换为比输出负载低的阻抗。
Description
技术领域
本发明涉及一种多尔蒂(Doherty)放大器。
背景技术
在非专利文献1公开了以往的多尔蒂放大器。以往的多尔蒂放大器包括输入端子、输出端子、载波放大器、峰值放大器、与载波放大器的输出端子连接的具有电长度90度的负载调制线路、与峰值放大器的输出端子连接的具有电长度180度的整数(n)倍的负载调制线路、将负载调制线路的输出功率和频率补偿线路的输出功率合成的输出合成器、与输出合成器和输出端子连接的输出匹配电路、在载波放大器的输入侧具有负载调制线路和频率补偿线路所具有的电长度之差(180°×n-90°)的电长度的输入相位调整线路、分配输入信号的输入分配器。在此,载波放大器和峰值放大器均在内部具备晶体管、输出匹配电路以及输入匹配电路。
在以往的多尔蒂放大器中,在峰值放大器的动作停止的回退动作时,从载波放大器的输出端子看向峰值放大器的输出端子侧的输出阻抗为开路,因此频率补偿线路与在输出合成器的峰值放大器侧具有电长度180度的整数(n)倍的开路短截线是等效的。由于该等效的开路短截线在抵消由输出匹配电路产生的频率依赖性的方向起作用,因此宽频带匹配得以实现。
现有技术文献
非专利文献
J.H.Qureshi,et.al,“A 700-W Peak Ultra-Wideband Broadcast DohertyAmplifier”,IEEE International Microwave Symposium,2014.
发明内容
发明要解决的问题
以往的多尔蒂放大器如上所述构成,因此需要具有电长度90度的负载调制线路、具有电长度180度的整数(n)倍的频率补偿线路以及具有负载调制线路与频率补偿线路之差(180°×n-90°)的电长度的输入相位调整线路,存在电路尺寸大型化的课题。
用于解决问题的手段
本发明的多尔蒂放大器包括:载波放大器用晶体管;峰值放大器用晶体管;传输线路,被连接于载波放大器用晶体管的输出端子与峰值放大器用晶体管的输出端子之间;短截线,与峰值放大器用晶体管的输出端子并联连接,在使用频带中具有容性和感性;以及输出匹配电路,与峰值放大器用晶体管的输出端子以及传输线路和输出负载连接,将输出负载的阻抗变换为比输出负载低的阻抗。
发明效果
本发明是为了解决上述课题而完成的,其目的在于得到一种不用使电路尺寸大型化就能够实现多尔蒂动作的宽频带化的放大器。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式1的多尔蒂放大器的一结构例的电路图。
图2是说明本发明的实施方式1的多尔蒂放大器的负载调制线路10的原理的等效电路图。
图3是表示本发明的实施方式1的多尔蒂放大器的输出部分的等效电路图。
图4是说明本发明的实施方式1的多尔蒂放大器的回退动作时的动作的等效电路图。
图5是说明本发明的实施方式1的多尔蒂放大器的回退动作时的阻抗变换的图。
图6是表示在本发明的实施方式1的多尔蒂放大器中,使开路短截线12的电长度变化为0度、180度、360度时的阻抗的变化的图。
图7是表示在本发明的实施方式1的多尔蒂放大器中,在回退时从载波放大器用晶体管的电流源31看向输出负载侧的反射特性(dB(Γ2,BO)))的频率依赖性的图。
图8是说明在本发明的实施方式1的宽频带多尔蒂放大器中,峰值放大器进行动作的饱和动作时的阻抗的图。
图9是说明本发明的实施方式1的多尔蒂放大器的饱和动作时的阻抗变换的图。
图10是说明在本发明的实施方式1的多尔蒂放大器中,使开路短截线12的电长度变化为0度、180度、360度时在饱和时从载波放大器用晶体管的电流源31看向匹配电路13侧的反射特性(dB(Γ2,sat))的频率依赖性的图。
图11是在本发明的实施方式1的多尔蒂放大器中,使开路短截线12的特性阻抗变化而计算在回退时从载波放大器用晶体管的电流源31看向输出匹配电路13侧的反射特性的频率依赖性的图。
图12是表示在本发明的实施方式1的多尔蒂放大器中,在开路短截线12的电长度为325°、345°的情况下在回退时从载波放大器用晶体管的电流源31看向输出匹配电路13侧的反射特性的频率依赖性的图。
图13是表示在本发明的实施方式1的多尔蒂放大器中,在开路短截线12的电长度为375°、395°的情况下在回退时从载波放大器用晶体管的电流源31看向输出匹配电路13侧的反射特性的频率依赖性的图。
图14是表示本发明的实施方式1的多尔蒂放大器的短路短截线的例子的图。
具体实施方式
实施方式1.
图1是表示本发明的实施方式1的多尔蒂放大器的一结构例的电路图。本发明的实施方式1的多尔蒂放大器包括高频信号输入端子1、高频信号输出端子2、载波放大器用晶体管3、峰值放大器用晶体管4、输入分配器5、载波放大器用输入匹配电路6、输入相位调整线路7、峰值放大器用输入匹配电路、载波放大器用晶体管的漏极端子9(载波放大器用晶体管的漏极端子的一例)、负载调制线路10(传输线路的一例)、峰值放大器用晶体管的漏极端子11(峰值放大器用晶体管的输出端子的一例,也称为输出合成点)、开路短截线12(短截线的一例)以及输出匹配电路13。
输入端子1是输入本多尔蒂放大器的输入信号的端子。输入端子1与输入分配器5连接。例如,作为输入信号,输入调制带宽较宽、峰均功率比(Peak-to-Average PowerRatio:PAPR)较大的WCDMA(Wideband Code Division Multiple Access(宽带码分多址):日本注册商标)信号、LTE(Long Term Evolution:长期演进)信号。
输出端子2是与输出负载连接,供由本多尔蒂放大器放大得到的输出信号输出的端子。输出端子2与输出匹配电路13连接。
载波放大器用晶体管3是在回退时对从输入端子2输入的输入信号进行放大的晶体管。载波放大器用晶体管3具有输出电容,该输出电容既可能是本征的也可能是寄生的。载波放大器用晶体管3通常偏置为A级或AB级。例如,载波放大器用晶体管3使用双极型晶体管、场效应晶体管(FET:Field Effect Transistor)等。
峰值放大器用晶体管4是在回退时不动作,在饱和时动作,在饱和时对从输入端子2输入的输入信号进行放大的晶体管。峰值放大器用晶体管4具有输出电容,该输出电容既可能是本征的,也可能是寄生的。峰值放大器用晶体管4通常偏置为C级。例如,峰值放大器用晶体管4使用双极型晶体管、场效应晶体管(FET:Field Effect Transistor)等。
输入分配器5是将输入信号分配成2个并将分配的信号向载波放大器用晶体管3和峰值放大器用晶体管4输出的分配器。例如,输入分配器5使用威尔金森(Wilkinson)分配器。
载波放大器用输入匹配电路6是进行载波放大器用晶体管3的输入匹配的匹配电路。例如,载波放大器用输入匹配电路6使用包含串联电感器和并联电容器的低通滤波器型匹配电路、高通型匹配电路、带通型匹配电路等。
输入相位调整线路7是相对于载波放大器用晶体管3调整向峰值放大器用晶体管4输入的信号的相位的线路。例如,输入相位调整线路7使用微带线路。
峰值放大器用输入匹配电路8是进行峰值放大器用晶体管4的输入匹配的匹配电路。例如,峰值放大器用输入匹配电路6使用包含串联电感器和并联电容器的低通滤波器型匹配电路、高通型匹配电路、带通型匹配电路等。
载波放大器用晶体管的漏极端子9是载波放大器用晶体管3的输出端子。载波放大器用晶体管的漏极端子9是不经由针对载波放大器用晶体管3的输出匹配电路等而直接与载波放大器用晶体管连接的端子。
负载调制线路10是在本多尔蒂放大器中进行载波放大器用晶体管3的负载调制的线路。负载调制线路10直接与载波放大器用晶体管的漏极端子9和峰值放大器用晶体管4的漏极端子连接。负载调制线路10的电长度小于90°,其特性阻抗比载波放大器用晶体管3的输出电阻大。例如,负载调制线路10使用微小带线路。
峰值放大器用晶体管的漏极端子11是峰值放大器用晶体管4的输出端子。峰值放大器用晶体管的漏极端子11是不经由针对峰值放大器用晶体管4的输出匹配电路等而直接与峰值放大器用晶体管4连接的端子。
开路短截线12是直接与峰值放大器用晶体管的漏极端子11并联连接的短截线。开路短截线12在使用频率下其电长度为90°的整数倍,在使用频带中具有感性和容性这两者。另外,开路短截线12在使用频带中具有成为开路的频率。例如,开路短截线12使用180°的整数倍的开路短截线,或者代替开路短截线而使用90°的整数倍的短路短截线。
输出匹配电路13是将与输出端子2连接的输出负载变换为比输出负载低的阻抗的匹配电路。输出匹配电路13将输出负载50Ω变换为比50Ω低的阻抗,以使从峰值放大器用晶体管的漏极端子11看向输出端子2侧的阻抗在使用频带中具有感性和容性这两者。
接下来,说明实施方式1的多尔蒂放大器的动作。
分为回退时的动作和饱和时的动作进行说明。
在回退时、也就是峰值放大器不动作的情况下,从输入端子1输入的高频信号利用输入分配器5进行分配。被分配的信号中的、分配到载波放大器侧的信号被载波放大器用晶体管3放大,向载波放大器用晶体管3的漏极端子9输出。
由于峰值放大器不动作,因此分配到峰值放大器侧的信号被峰值放大器用晶体管4反射或者吸收,信号不输出到峰值放大器用晶体管4的漏极端子11。
图2是说明本发明的实施方式1的多尔蒂放大器的负载调制线路10的原理的等效电路图。图2的下部的传输线路(θc1、Zc1)相当于负载调制线路10,C1相当于载波放大器用晶体管3和峰值放大器用晶体管4的输出电容。如图2所示,电长度90度的传输线路(Zc)能够用包含并联电容器和传输线路的电路等效地表示。在此,在将中心频率设为f0,将电长度90度线路的特性阻抗设为ZC,将传输线路的电长度和特性阻抗分别设为θC1、ZC1,将并联电容器的值设为C1的情况下,θC1和ZC1由以下的式子表示。
[数1]
θc1=arccos(2πf0C1Zc)<90度…(1)
[数2]
由于在晶体管中必然包含寄生电容,因此若将晶体管的寄生电容设为C1,将晶体管的输出阻抗的实部(Ropt)设为ZC,则θC1和ZC1被唯一确定,θC1必然小于90度,ZC1比晶体管的输出阻抗的实部(Ropt=ZC)大。换言之,这意味着,若考虑载波放大器用晶体管3的输出电容和峰值放大器用晶体管4的输出电容,则电长度小于90°的负载调制线路10被等效地视为电长度为90°的线路。此时,等效的传输线路的特性阻抗Zc、负载调制线路10的特性阻抗比Zc1低。此外,晶体管的输出电容严格而言分为本征电容和寄生电容,但在寄生电容较大的情况下,输出电容≈寄生电容。
图3是表示本发明的实施方式1的多尔蒂放大器的输出部分的等效电路图。在图3中,通过饱和时的输出阻抗(Ropt)、电流源31、输出电容32等效地表示载波放大器用晶体管3。在如图3所示利用晶体管的输出电容32、并通过具有小于90度的电长度θC1和特性阻抗ZC1的传输线路进行连接的情况下,在载波放大器用晶体管3和峰值放大器用晶体管4的内部,等效于通过多尔蒂动作所需的电长度为90度的线路连接载波放大器用晶体管3和峰值放大器用晶体管4。
其结果,在晶体管之间使用电长度小于90度的负载调制线路10,能够进行多尔蒂动作。
图4是说明本发明的实施方式1的多尔蒂放大器的回退动作时的动作的等效电路图。开路短截线12以及电长度小于90度的负载调制线路10与峰值放大器用晶体管4的漏极端子11连接,因此即使峰值放大器用晶体管4的输出电容42如图5所示从峰值放大器用晶体管4的输出侧移动到载波放大器用晶体管3的输出侧,两者在电气上也是等效的。
在回退时,峰值放大器用晶体管4不动作,因此从峰值放大器用晶体管的漏极端子11看向峰值放大器用晶体管4的阻抗为开路(开放)。在回退时,能够忽略峰值放大器用晶体管4,因此在没有开路短截线12的情况下,从输出合成点(在此,峰值放大器用晶体管的漏极端子11)看向输出匹配电路13的阻抗(Z0)与从负载调制线路10的输出端子(对应于图4的11a)看向输出匹配电路13的阻抗(Z1,BO)是等效的。
图5是说明本发明的实施方式1的多尔蒂放大器的回退动作时的阻抗变换的图。
图5的史密斯圆图是用50Ω进行标准化的。输出匹配电路13将输出负载50Ω变换为比输出负载50Ω低的阻抗,因此如图5所示,从输出合成点(峰值放大器用晶体管3的漏极端子11)看向输出负载侧的阻抗Z0在低频侧为容性,在高频侧为感性,在使用频带的中心频率下为Ropt/2。
开路短截线12(在此,设为电长度为180°的开路短截线)在使用频带中,在高频侧为容性,在低频侧为感性,因此从负载调制线路10的输出端子(对应于图4的11a)看向开路短截线12和输出匹配电路13侧的阻抗Z1,BO利用开路短截线12补偿频率特性,如图7所示,比Z0靠近史密斯圆图的中心。这样,能够利用开路短截线12谋求宽频带化。
如图2和图3所示,负载调制线路10连同载波放大器用晶体管3的输出电容32和峰值放大器用晶体管4的输出电容42一起构成90°线路,因此负载调制线路10将Z1,BO变换为Z2,BO(从载波放大器用晶体管的电流源31看向负载调制线路10侧的阻抗)。
如图5所示,与没有开路短截线12的情况相比,在具有开路短截线12的情况下,Z2,BO的频率特性变小。
这样,在回退动作时,在具有开路短截线12(在此,设为电长度为180°的开路短截线)的情况下,在中心频率下,其阻抗为开路,在高频侧为容性,在低频侧为感性,因此能够补偿由输出匹配电路13附加的频率依赖性,因此能够实现宽频带特性。
图6是表示在本发明的实施方式1的多尔蒂放大器中,使开路短截线12的电长度变化为0度、180度、360度时的阻抗的变化的图。如图8所示,通过延长电长度,能够增加校正量,宽频带性扩大。
图7是表示在本发明的实施方式1的多尔蒂放大器中,在回退时从载波放大器用晶体管的电流源31看向输出负载侧的反射特性(dB(Γ2,BO)))的频率依赖性的图。
图7与图6不同,表示以2Ropt进行标准化的情况下的反射特性。根据图7可知,通过延长开路短截线12的电长度,能够扩大宽频带性。
接下来,说明本发明的实施方式1的多尔蒂放大器的饱和动作时的动作。
图8是说明在本发明的实施方式1的宽频带多尔蒂放大器中,峰值放大器动作的饱和动作时的阻抗的图。
在本实施方式1中,由于假定了在载波放大器用晶体管3和峰值放大器用晶体管4中使用相同尺寸的晶体管的情况,因此从两晶体管流过的电流相等。因而,在由负载调制线路10、载波放大器用晶体管的输出电容32以及峰值放大器用晶体管的输出电容42等效地构成的传输线路的特性阻抗(参照图2、图3)与Ropt相等的情况下,在中心频率下,图8的Z0、Z1,sat、Z3,sat为以下的关系。
[数3]
Z1,sat=Z3,sat=2*Zo...(3)
图9是说明本发明的实施方式1的多尔蒂放大器的饱和动作时的阻抗变换的图。
图9的史密斯圆图是用50Ω进行标准化的。如图9所示,在输出匹配电路13中,Z0被设计成在中心频率下成为低于50Ω的阻抗Ropt。由于被变换为低于50Ω的阻抗,因此Z0在高频侧为感性,在低频侧为容性。
在存在具有电长度180度的整数(n)倍的开路短截线12的情况下,与回退动作时同样地,开路短截线12在中心频率下,其阻抗为开路,在高频侧为容性,在低频侧为感性,因此能够对在高频侧为感性、在低频侧为容性的Z0的频率依赖性进行补偿,因此Z1,sat的频率依赖性变小。
从载波放大器用晶体管的电流源31向输出负载看去的阻抗(Z2,sat)通过负载调制线路10和输出电容32、42进行阻抗变换,但由于对频率依赖性变小的Z1,sat进行变换,因此Z2,sat的频率依赖性也变小。
如图9所示,从载波放大器用晶体管的电流源31向输出匹配电路13侧看去的阻抗(Z2,sat)和从峰值放大器用晶体管的电流源41向输出匹配电路13侧看去的阻抗(Z3,sat)由于存在开路短截线12而频率依赖性变小。这是因为,开路短截线12补偿了通过输出匹配电路13对输出负载50Ω进行阻抗变换而产生的阻抗的频率特性。
更详细而言,在输出匹配电路13对输出负载50Ω进行阻抗变换时,其阻抗在使用频带中在低频侧为容性,在高频侧为感性。相对于此,开路短截线12在使用频带中在低频侧为感性,在高频侧为容性。因而,开路短截线12对通过输出匹配电路13进行阻抗变换而产生的频率特性进行补偿。
由此,在饱和动作时,能够以载波放大器用晶体管3和峰值放大器用晶体管4这两者实现宽频带匹配。
图10是说明在本发明的实施方式1的多尔蒂放大器中,在使开路短截线12的电长度变化为0度、180度、360度时在饱和时从载波放大器用晶体管的电流源31看向匹配电路13侧的反射特性(dB(Γ2,sat))的频率依赖性的图。
图10表示以Ropt进行标准化的情况下的反射特性。根据图10可知,通过延长开路短截线的电长度,能够扩大宽频带性。
接下来,说明本发明的多尔蒂放大器的尺寸。本发明的宽频带多尔蒂放大器与以往的多尔蒂放大器(非专利文献)相比,能够去除以往的多尔蒂放大器中所需的载波放大器用输出匹配电路和峰值放大器用输出匹配电路。
另外,关于多尔蒂动作所需的负载调制线路10、开路短截线12或频率补偿线路以及输入相位调整线路7的电长度的总和(θSUM),在以往的宽频带多尔蒂放大器的情况下,为式(4)所示的值,但本发明的多尔蒂放大器为式(5)所示的值的范围,因此能够减小电长度的总和(θSUM)。在此,n为整数。
[数4]
θSUM=90*4n...(4)
[数5]
90*(2n+1)<θSUM<90*(2n+2)…(5)
在以往的多尔蒂放大器中,由于必须相对于峰值放大器串联连接频率补偿线路,因此在n=2的情况下,输入相位调整线路的电长度变长为270°。
相对于此,本发明由于将开路短截线12相对于峰值放大器用晶体管4并联(shunt)连接,因此保持输入相位调整线路的电长度为90°,与以往的多尔蒂放大器相比能够缩短电长度。另外,以往的多尔蒂放大器必须串联连接频率补偿线路,因此从输入端子1到输出端子2的长度变长,但本发明的多尔蒂放大器将开路短截线12相对于峰值放大器用晶体管4并联(shunt)连接,因此能够缩短上述长度。
如以上可以明确,根据本发明的实施方式1,能够通过开路短截线12补偿由输出匹配电路13产生的频率特性,因此能够在回退动作时和饱和动作时这两者谋求宽频带化。
此外,具有电长度180度的整数(n)倍的开路短截线12的特性阻抗假定为某一个值,但也可以是任意的值。
图11是在本发明的实施方式1的多尔蒂放大器中,使开路短截线12的特性阻抗变化而计算在回退时从载波放大器用晶体管的电流源31看向输出匹配电路13侧的反射特性的频率依赖性的图。
在图11中,以晶体管的饱和时的输出阻抗的实部(Ropt)对开路短截线的特性阻抗进行标准化。如图11所示可知,越是减小开路短截线的特性阻抗,宽频带性越是扩大。
此外,在上述实施方式1中,开路短截线12的电长度假定为所使用的频率的180度的整数(n)倍,但即使其电长度相对于所使用的频率的180度的整数(n)倍增减前后35度左右,只要在使用频带内具有容性和感性,则与不使用短截线的情况相比,宽频带性也扩大。
图12是表示在本发明的实施方式1的多尔蒂放大器中,在开路短截线12的电长度为325°、345°的情况下在回退时从载波放大器用晶体管的电流源31看向输出匹配电路13侧的反射特性的频率依赖性的图。
根据图12可知,如果将存在具有比360度短的325度和345度的电长度的短截线的情况和没有短截线的情况相比较,则能获得-15dB以下的反射的频带扩大。
图13是表示在本发明的实施方式1的多尔蒂放大器中,在开路短截线12的电长度为375°、395°的情况下在回退时从载波放大器用晶体管的电流源31看向输出匹配电路13侧的反射特性的频率依赖性的图。
如图13所示可知,如果将存在具有比360度长的395度和375度的电长度的短截线的情况和没有短截线的情况相比较,则能获得-15dB以下的反射的频带扩大。
而且,在上述实施方式1中,开路短截线12假定为由具有电长度180度的整数(n)倍的开路短截线构成,但也可以是如下这样的短路短截线,该短路短截线包括:传输线路,其具有比电长度180度的整数(n)倍短90度的电长度;以及电容器,其在中心频率下成为短路,且一端被短路。
图14是表示本发明的实施方式1的多尔蒂放大器的短路短截线的例子的图。
图14所示的短路短截线的阻抗与具有电长度180度的整数(n)倍的开路短截线同样地,在中心频率下为开路,在高频侧为容性,在低频侧为感性,因此能够补偿输出匹配电路所承担的频率依赖性,实现宽频带性。
此外,短路短截线的传输线路的电长度假定为比所使用的频率的180度的整数(n)倍短90度,但如上述说明的那样,即使相对于上述电长度增减前后35度左右,只要在使用频带中具有感性和容性,则与不使用短截线的情况相比,宽频带性也扩大。
本申请发明能够在本发明的范围内进行各实施方式的自由组合或各实施方式的任意的构成要素的变形,或者在各实施方式中省略任意的构成要素。
附图标记说明
1:输入端子,2:输出端子,3:载波放大器用晶体管,4:峰值放大器用晶体管,5:输入分配器,6:载波放大器用输入匹配电路,7:输入相位调整线路,8:峰值放大器用输入匹配电路,9:载波放大器用晶体管的漏极端子,10:负载调制线路,11:峰值放大器用晶体管的漏极端子(输出合成点),11a:负载调制线路的输出端子,12:开路短截线,13:输出匹配电路,14:传输线路,15:电容器,31:载波放大器用晶体管的电流源,32:载波放大器用晶体管3的输出电容,41:峰值放大器用晶体管4的电流源,42:峰值放大器用晶体管的输出电容。
Claims (5)
1.一种多尔蒂放大器,其特征在于,具备:
载波放大器用晶体管;
峰值放大器用晶体管;
传输线路,被连接于所述载波放大器用晶体管的输出端子与所述峰值放大器用晶体管的输出端子之间;
短截线,与所述峰值放大器用晶体管的输出端子并联连接,在使用频带中具有容性和感性;以及
输出匹配电路,与所述峰值放大器用晶体管的输出端子以及所述传输线路和输出负载连接,将所述输出负载的阻抗变换为比所述输出负载低的阻抗。
2.根据权利要求1所述的多尔蒂放大器,其特征在于,
所述传输线路的电长度小于90°。
3.根据权利要求2所述的多尔蒂放大器,其特征在于,
所述传输线路的特性阻抗比所述载波放大器用晶体管的输出阻抗的实部高。
4.根据权利要求3所述的多尔蒂放大器,其特征在于,
所述短截线是开路短截线,在所述使用频带中的一个频率下该开路短截线的电长度为180°的整数倍。
5.根据权利要求3所述的多尔蒂放大器,其特征在于,
所述短截线是短路短截线,在所述使用频带中的一个频率下该短路短截线的电长度为90°的整数倍。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2018/016945 WO2019207700A1 (ja) | 2018-04-26 | 2018-04-26 | 増幅器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112020826A true CN112020826A (zh) | 2020-12-01 |
CN112020826B CN112020826B (zh) | 2023-08-15 |
Family
ID=68293855
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201880092448.7A Active CN112020826B (zh) | 2018-04-26 | 2018-04-26 | 放大器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11336233B2 (zh) |
EP (1) | EP3771096B1 (zh) |
JP (1) | JP6808092B2 (zh) |
CN (1) | CN112020826B (zh) |
WO (1) | WO2019207700A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114696747A (zh) * | 2020-12-29 | 2022-07-01 | 苏州远创达科技有限公司 | 一种具有新型平衡网络的宽带多赫蒂功率放大器 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112021008236T5 (de) * | 2021-11-22 | 2024-08-22 | Mitsubishi Electric Corporation | Doherty-Verstärker |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020186078A1 (en) * | 2001-06-08 | 2002-12-12 | Kobayashi Kevin W. | Application of the doherty amplifier as a predistortion circuit for linearizing microwave amplifiers |
CN101421916A (zh) * | 2006-04-14 | 2009-04-29 | Nxp股份有限公司 | Doherty放大器 |
US20110279178A1 (en) * | 2010-05-17 | 2011-11-17 | Alcatel-Lucent Canada | Multi-band high-efficiency doherty amplifer |
JP2014168312A (ja) * | 2014-06-18 | 2014-09-11 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | ドハティ増幅器 |
JP2016144015A (ja) * | 2015-02-02 | 2016-08-08 | 日本電気株式会社 | 負荷インピーダンス調整回路を備えたドハティ増幅回路 |
US20160336903A1 (en) * | 2015-05-15 | 2016-11-17 | Freescale Semiconductor, Inc. | Phase correction in a doherty power amplifier |
CN106301238A (zh) * | 2016-07-25 | 2017-01-04 | 杭州电子科技大学 | 一种高功率高效率Doherty功率放大器 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4183941B2 (ja) * | 2001-12-13 | 2008-11-19 | 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ | 高効率増幅器 |
KR20090071834A (ko) * | 2007-12-28 | 2009-07-02 | 성균관대학교산학협력단 | 고조파 동조를 이용한 도허티 증폭기 |
JP5253321B2 (ja) * | 2009-08-04 | 2013-07-31 | 三菱電機株式会社 | 広帯域増幅器 |
JP5924730B2 (ja) * | 2012-03-05 | 2016-05-25 | 国立大学法人電気通信大学 | ドハティ増幅回路 |
EP2698918A1 (en) * | 2012-08-14 | 2014-02-19 | Nxp B.V. | Amplifier circuit |
US10243525B2 (en) * | 2015-06-15 | 2019-03-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Power amplifier and radio transmitter |
JP6026062B1 (ja) * | 2016-02-23 | 2016-11-16 | 三菱電機株式会社 | 負荷変調増幅器 |
EP3461000B1 (en) | 2016-05-18 | 2022-05-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Doherty amplifier |
KR101934933B1 (ko) * | 2017-08-23 | 2019-01-04 | 순천향대학교 산학협력단 | 도허티 결합기 |
-
2018
- 2018-04-26 JP JP2020515382A patent/JP6808092B2/ja active Active
- 2018-04-26 WO PCT/JP2018/016945 patent/WO2019207700A1/ja unknown
- 2018-04-26 CN CN201880092448.7A patent/CN112020826B/zh active Active
- 2018-04-26 EP EP18915814.0A patent/EP3771096B1/en active Active
-
2020
- 2020-09-22 US US17/027,924 patent/US11336233B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020186078A1 (en) * | 2001-06-08 | 2002-12-12 | Kobayashi Kevin W. | Application of the doherty amplifier as a predistortion circuit for linearizing microwave amplifiers |
CN101421916A (zh) * | 2006-04-14 | 2009-04-29 | Nxp股份有限公司 | Doherty放大器 |
US20110279178A1 (en) * | 2010-05-17 | 2011-11-17 | Alcatel-Lucent Canada | Multi-band high-efficiency doherty amplifer |
JP2014168312A (ja) * | 2014-06-18 | 2014-09-11 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | ドハティ増幅器 |
JP2016144015A (ja) * | 2015-02-02 | 2016-08-08 | 日本電気株式会社 | 負荷インピーダンス調整回路を備えたドハティ増幅回路 |
US20160336903A1 (en) * | 2015-05-15 | 2016-11-17 | Freescale Semiconductor, Inc. | Phase correction in a doherty power amplifier |
CN106301238A (zh) * | 2016-07-25 | 2017-01-04 | 杭州电子科技大学 | 一种高功率高效率Doherty功率放大器 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
MEHDI ET AL: "\"An Extended Bandwidth Doherty Power Amplifier Using a Novel Output Combiner\"", 《2014 IEEE MTT-S INTERNATIONAL MICROWAVE SYMPOSIUM》, pages 1 - 4 * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114696747A (zh) * | 2020-12-29 | 2022-07-01 | 苏州远创达科技有限公司 | 一种具有新型平衡网络的宽带多赫蒂功率放大器 |
WO2022142605A1 (zh) * | 2020-12-29 | 2022-07-07 | 苏州远创达科技有限公司 | 一种具有新型平衡网络的宽带多赫蒂功率放大器 |
CN114696747B (zh) * | 2020-12-29 | 2023-08-18 | 苏州远创达科技有限公司 | 一种具有新型平衡网络的宽带多赫蒂功率放大器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210006208A1 (en) | 2021-01-07 |
JP6808092B2 (ja) | 2021-01-06 |
EP3771096A4 (en) | 2021-03-17 |
CN112020826B (zh) | 2023-08-15 |
JPWO2019207700A1 (ja) | 2020-10-01 |
WO2019207700A1 (ja) | 2019-10-31 |
EP3771096A1 (en) | 2021-01-27 |
EP3771096B1 (en) | 2023-05-10 |
US11336233B2 (en) | 2022-05-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Kang et al. | Design of bandwidth-enhanced Doherty power amplifiers for handset applications | |
JP4793807B2 (ja) | 増幅器 | |
CN109327191B (zh) | 四路多尔蒂放大器及移动通信基站 | |
KR101089891B1 (ko) | 무선 통신 장치용 집적 전력 증폭기 시스템 | |
CN108462477B (zh) | 功率放大电路 | |
US11223327B2 (en) | Power amplifier | |
KR102598591B1 (ko) | 전력 증폭 회로 | |
Lee et al. | A CMOS outphasing power amplifier with integrated single-ended Chireix combiner | |
US9209760B2 (en) | High-frequency, broadband amplifier circuit | |
CN113938102A (zh) | 一种宽带高效率的功率放大器及实现方法 | |
US11336233B2 (en) | Amplifier | |
JP5543790B2 (ja) | 電子回路 | |
WO2014050611A1 (ja) | マイクロ波増幅器 | |
WO2021161721A1 (ja) | 電力増幅回路、高周波回路及び通信装置 | |
WO2014087886A1 (ja) | 広帯域増幅器 | |
US11831279B2 (en) | Millimeter-wave power amplifier | |
US20240235490A1 (en) | Power amplifier circuit | |
JP7154461B2 (ja) | 増幅回路 | |
KR20140084861A (ko) | 확장된 대역폭을 가지는 소형 도허티 증폭기 | |
US20220060156A1 (en) | Power amplifier | |
US20240291445A1 (en) | Matching circuit | |
JP7039826B2 (ja) | ドハティ型増幅器 | |
JP2023151445A (ja) | 合成回路 | |
JP2024064526A (ja) | 電力増幅器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |