CN111965908A - 一种阵列基板和显示装置 - Google Patents

一种阵列基板和显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN111965908A
CN111965908A CN202010877133.2A CN202010877133A CN111965908A CN 111965908 A CN111965908 A CN 111965908A CN 202010877133 A CN202010877133 A CN 202010877133A CN 111965908 A CN111965908 A CN 111965908A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
base plate
substrate
far away
substrate base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010877133.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111965908B (zh
Inventor
苏秋杰
孙志华
李承珉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Display Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Beijing BOE Display Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN202010877133.2A priority Critical patent/CN111965908B/zh
Publication of CN111965908A publication Critical patent/CN111965908A/zh
Priority to PCT/CN2021/104716 priority patent/WO2022042050A1/zh
Priority to US17/799,812 priority patent/US20240184173A1/en
Application granted granted Critical
Publication of CN111965908B publication Critical patent/CN111965908B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136218—Shield electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134372—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for fringe field switching [FFS] where the common electrode is not patterned
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/13606—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit having means for reducing parasitic capacitance
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供一种阵列基板和显示装置。该阵列基板包括衬底基板、沿第一方向延伸的多条数据线和沿第二方向延伸的多条栅线，以及由所述栅线和所述数据线限定的多个像素单元，像素单元包括薄膜晶体管、公共电极和像素电极，薄膜晶体管包括栅极、源漏极和有源层，像素单元还包括第一辅助电极和第二辅助电极，第一辅助电极与公共电极电连接，第二辅助电极与源漏极电连接，第一辅助电极在衬底基板上的正投影与第二辅助电极在衬底基板上的正投影至少部分重叠。第一辅助电极和第二辅助电极之间可以产生辅助存储电容，对公共电极和像素电极产生的存储电容进行补偿，增大总的存储电容，可以改善由寄生电容引起的显示不良问题。

Description

一种阵列基板和显示装置
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域，具体而言涉及一种阵列基板和显示装置。
背景技术
近年来，随着科学技术的发展和生活水平的提高，人们对显示装置的要求越来越高，显示产品逐渐向大尺寸、高分辨率的方向发展。显示装置中单个像素的面积不断减小，像素单元中寄生电容相较于存储电容的比例越来越大，寄生电容变得不容忽视，。寄生电容的增大会引起横纹、残像、Crosstalk等显示不良问题。
因此，为了保证显示质量，需要增大存储电容，减小寄生电容带来的不良影响。
发明内容
本发明的目的在于提供一种阵列基板和显示装置。该阵列基板中第一辅助电极和第二辅助电极之间能形成辅助存储电容，该辅助存储电容可以对像素电极与公共电极之间的存储电容进行补偿，增大总的存储电容，可以改善由寄生电容引起的显示不良问题，此外还可以降低公共电极的电阻，从而降低显示装置的功耗，节约能源。
本发明的至少一个实施例提供了一种阵列基板，其包括衬底基板；
沿第一方向延伸的多条数据线和沿第二方向延伸的多条栅线，以及由所述栅线和所述数据线限定的多个像素单元；所述像素单元包括薄膜晶体管、公共电极和像素电极，所述薄膜晶体管包括栅极、源漏极和有源层，其中，所述像素电极和其相邻的栅线在第一方向上具有间隙区。
所述像素单元还包括第一辅助电极和第二辅助电极，所述第一辅助电极与所述公共电极电连接，所述第二辅助电极与所述源漏极电连接；其中，所述第一辅助电极在所述衬底基板上的正投影与所述第二辅助电极在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠，且所述第一辅助电极位于所述间隙区内。
可选的，所述像素单元具有非开口区和开口区，所述间隙区位于所述非开口区内。
可选的，所述第一辅助电极为金属电极，且与所述栅极同层设置。
可选的，所述第一辅助电极与其邻近的栅线在第一方向上具有第一间距；所述第一辅助电极与其邻近的像素电极在第一方向上具有第二间距；所述第一间距大于所述第二间距。
可选的，所述第一辅助电极和所述第二辅助电极在第二方向上的长度等于所述像素电极在第二方向上的长度。
可选的，所述第一辅助电极在第一方向上的长度大于所述栅线在第一方向上长度的三分之一，且小于所述栅线在第一方向上长度的二分之一。
可选的，所述间隙区包括第一间隙区和第二间隙区；所述像素电极与其电连接的薄膜晶体管的栅线在第一方向上的间隙区为所述第一间隙区；所述像素电极与下一行像素单元的栅线在第一方向上的间隙区为所述第二间隙区。
可选的，所述第一辅助电极设置于所述第一间隙区，所述第二辅助电极与所述源漏极同层设置且与所述源漏极直接连接。
可选的，所述阵列基板还包括栅极绝缘层和钝化层；所述栅极设置于所述衬底基板上；所述栅极绝缘层设置于所述栅极远离所述衬底基板的一侧；所述有源层设置于所述栅极绝缘层远离所述衬底基板的一侧；所述源漏极设置于所述有源层远离所述衬底基板的一侧；所述钝化层位于所述源漏极远离所述衬底基板的一侧；所述公共电极设置于所述衬底基板上，所述像素电极设置于所述钝化层远离所述衬底基板的一侧。
可选的，所述阵列基板还包括栅极绝缘层和钝化层；所述栅极设置于所述衬底基板上；所述栅极绝缘层设置于所述栅极远离所述衬底基板的一侧；所述有源层设置于所述栅极绝缘层远离所述衬底基板的一侧；所述源漏极设置于所述有源层远离所述衬底基板的一侧；所述钝化层位于所述源漏极远离所述衬底基板的一侧；所述像素电极设置于所述衬底基板上，所述公共电极设置于所述钝化层远离所述衬底基板的一侧。
可选的，所述阵列基板还包括栅极绝缘层和钝化层；所述栅极设置于所述衬底基板上；所述栅极绝缘层设置于所述栅极远离所述衬底基板的一侧；所述有源层设置于所述栅极绝缘层远离所述衬底基板的一侧；所述源漏极设置于所述有源层远离所述衬底基板的一侧；所述钝化层位于所述源漏极远离所述衬底基板的一侧；所述像素电极设置于所述栅极绝缘层远离所述衬底基板的一侧，所述公共电极设置于所述钝化层远离所述衬底基板的一侧。
可选的，所述第一辅助电极设置于所述第二间隙区，所述第二辅助电极与所述像素电极同层设置且与所述像素电极直接连接。
可选的，所述阵列基板还包括栅极绝缘层和钝化层；所述栅极设置于所述衬底基板上；所述栅极绝缘层设置于所述栅极远离所述衬底基板的一侧；所述有源层设置于所述栅极绝缘层远离所述衬底基板的一侧；所述源漏极设置于所述有源层远离所述衬底基板的一侧；所述钝化层位于所述源漏极远离所述衬底基板的一侧；所述公共电极设置于所述衬底基板上，所述像素电极设置于所述钝化层远离所述衬底基板的一侧。
可选的，所述阵列基板还包括栅极绝缘层和钝化层；所述栅极设置于所述衬底基板上；所述栅极绝缘层设置于所述栅极远离所述衬底基板的一侧；所述有源层设置于所述栅极绝缘层远离所述衬底基板的一侧；所述源漏极设置于所述有源层远离所述衬底基板的一侧；所述钝化层位于所述源漏极远离所述衬底基板的一侧；所述像素电极设置于所述栅极绝缘层远离所述衬底基板的一侧，所述公共电极设置于所述钝化层远离所述衬底基板的一侧。
可选的，同一行像素单元的所述第一辅助电极沿第二方向连接成一条走线，所述走线复用为公共电极线。
可选的，所述第一辅助电极包括第一电极和第二电极，所述第二辅助电极包括第三电极和第四电极，所述第一电极和所述第三电极设置于所述第一间隙区，所述第二电极和所述第四电极设置于所述第二间隙区。
本发明还提供一种显示显示装置，所述显示装置还包括与所述阵列基板相对设置的对置基板以及设置于阵列基板与对置基板之间的液晶。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
图1A为一种现有阵列基板的局部俯视示意图；
图1B为图1A中沿A-A线的剖视示意图；
图2为本发明实施例一的阵列基板的像素单元示意图；
图3A为本发明实施例一的阵列基板的局部俯视示意图；
图3B为图3A中沿A-A线的剖视示意图；
图4A为本发明实施例二的阵列基板的局部俯视示意图；
图4B为图4A中沿A-A线的剖视示意图；
图5A为本发明实施例三的阵列基板的局部俯视示意图；
图5B为图5A中沿A-A线的剖视示意图；
图6A为本发明实施例四的阵列基板的局部俯视示意图；
图6B为图6A中沿A-A线的剖视示意图；
图7A为本发明实施例五的阵列基板的局部俯视示意图；
图7B为图7A中沿A-A线的剖视示意图；
图8为本发明实施例六的阵列基板的局部俯视示意图；
图9为本发明实施例七的显示装置示意图。
附图标记：
1-衬底基板； 2-栅极/栅线； 3-公共电极；
4-栅极绝缘层； 5-有源层； 7-源漏极；
8-钝化层； 9-像素电极； 10-第一过孔；
11-第一辅助电极； 12-第二辅助电极； 13-数据线；
20-像素单元； 21-第一间隙区； 22-第二间隙区；
23-非开口区； 100-阵列基板； 111-第一电极；
112-第二电极； 123-第三电极； 124-第四电极；
200-对置基板； 300-液晶。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
图1A为一种现有阵列基板100局部俯视示意图，图1B为图1A中沿A-A线的剖视示意图。如图1A和图1B所示，该阵列基板100中的存储电容由像素电极9和公共电极3产生，像素电极9和公共电极3之间的交叠面积有限，且两者之间的间距较大，为栅极绝缘层4和钝化层8的厚度之和，因此产生的存储电容大小受到限制，容易引起显示不良问题。
实施例一
本实施例提供一种阵列基板100。图2为本发明实施例一的阵列基板100的像素单元示意图，图3A为本发明实施例一的阵列基板100局部俯视示意图，图3B为图3A中沿A-A线的剖视示意图。
阵列基板100包括衬底基板及沿第一方向延伸的多条数据线13和沿第二方向延伸的多条栅线2，数据线13和栅线2限定出多个像素单元，如图2中虚框20即表示一个像素单元。每个像素单元13内设置有薄膜晶体管(图中未整体示出)，公共电极和像素电极。每个像素单元可以分为如图2中虚框23所示的开口区和非开口区(图中未示出)，非开口区内与阵列基板100相对的彩膜基板上设置有黑矩阵，光线无法透过非开口区，开口区23内与阵列基板100相对的彩膜基板上没有黑矩阵，光线可以透过开口区23。薄膜晶体管位于非开口区内且包括栅极2、源漏极7以及有源层5。像素电极9和公共电极3可以全部位于开口区23，也可以像素电极9和公共电极3的大部分位于开口区23，边缘部分位于非开口区。
像素单元20还包括第一辅助电极11和第二辅助电极12，第一辅助电极11与公共电极3电连接，第二辅助电极12与源漏极7电连接，第一辅助电极11在衬底基板1上的正投影与第二辅助电极在衬底基板1上的正投影至少部分重叠，这样重叠部分的第一辅助电极11和第二辅助电极12之间可以产生辅助存储电容。同时第一辅助电极11与公共电极3电连接，第一辅助电极11与公共电极3的电连接既可以是第一辅助电11与公共电极3直接接触连接，也可以是第一辅助电极11与公共电极通过过孔连接。第二辅助电极12与源漏极7的电连接既可以是第二辅助电极12与源漏极7直接接触连接，也可以是第二辅助电极12通过像素电极9与源漏极连接。因此产生的辅助存储电容可以对公共电极和像素电极产生的存储电容进行补偿，增大总的存储电容，可以改善由寄生电容引起的显示不良问题。
更进一步的，第二辅助电极12在衬底基板1上的正投影可以完全覆盖第一辅助电极11在衬底基板1上的正投影，这样可以使得两者的正投影的交叠面积最大，产生更大的辅助存储电容。
第一辅助电极11为金属材料，由与栅极2相同的金属材料组成，并且与栅极2同层设置。本发明中描述的同层设置不限制于两者属于同一膜层高度，而应理解为两者可以通过同一构图工艺形成。将第一辅助电极11与栅极2同层设置，不需要增加额外的工艺步骤，可以简化工艺过程，节约成本，提高制造效率并降低成本。同时由于第一辅助电极11为金属材料并且与公共电极3电连接，相当于给公共电极并联了一个金属电阻，可以大幅降低公共电极的电阻，从而可以降低功耗，节约能源。
像素电极9与和其相邻的栅线2在第一方向上具有间隙区，其中，像素电极9与其电连接的薄膜晶体管的栅线在第一方向上的间隙区为第一间隙区21，像素电极9与下一行像素单元的栅线在第一方向上的间隙区为第二间隙区22。间隙区位于非开口区内。由于第一辅助电极为不透光的金属材料，为了不对阵列基板100的透过率造成影响，将第一辅助电极11与第二辅助电极12设置于间隙区内，间隙区位于非开口区域内，该区域由于黑矩阵的阻挡无法透光，因此既可以增加存储电容，又不会影响阵列基板100的开口率。
由于第一辅助电极11是导电金属材料，为了使第一辅助电极11不对栅线2的正常工作造成影响，防止第一辅助电极11与栅线2短路，将第一辅助电极11和栅线2绝缘设置。第一辅助电极11与其邻近的栅线2在第一方向上具有第一间距d1，第一辅助电极11与其邻近的像素电极9在第一方向上具有第二间距d2，第一间距d1大于第二间距d2。其中，第二间距d2可以为零或负值，第二间距为负值时表示第一辅助电极11与其邻近的像素电极2在衬底基板1上的正投影存在交叠部分。
第一辅助电极11和第二辅助电极12的大小和形状没有具体限制，为了尽可能地利用非开口区内间隙区的面积，提高存储电容并降低公共电极电阻，优选的，设置第一辅助电极11和第二辅助电极12为与栅线2平行的矩形，第一辅助电极11和第二辅助电极12在第二方向上的长度等于像素电极9在第二方向上的长度；第一辅助电极11在第一方向上的长度大于栅线2在第一方向上的长度的三分之一，且小于栅线2在第一方向上长度的二分之一。
如图3A和图3B所示，第一辅助电极11设置于第一间隙区21，第二辅助电极与源漏极7同层设置且与源漏极直接连接。阵列基板100还包括栅极绝缘层4和钝化层8；栅极2设置于衬底基板1上；栅极绝缘层4设置于所述栅极2远离衬底基板1的一侧；有源层6设置于栅极绝缘层4远离衬底基板1的一侧；源漏极7设置于有源层5远离衬底基板的一侧；钝化层8位于源漏极7远离衬底基板的一侧；公共电极3设置在衬底基板1上，公共电极3与第一辅助电极11直接连接，像素电极9设置于钝化层8远离衬底基板1的一侧,像素电极9通过第一过孔10与第二辅助电极12连接。
像素电极9可以为狭缝电极，狭缝的方向不做具体限制，狭缝的方向可以沿第一方向、第二方向或与第一方向呈一定夹角。
实施例二
本实施例提供一种阵列基板100。图4A为本发明实施例二的阵列基板100局部俯视示意图，图4B为图4A中沿A-A线的剖视示意图。
如图4A和图4B所示，第一辅助电极11设置于第一间隙区21，第二辅助电极与源漏极7同层设置且与源漏极直接连接。阵列基板100还包括栅极绝缘层4和钝化层8；栅极2设置于衬底基板1上；栅极绝缘层4设置于所述栅极2远离衬底基板1的一侧；有源层6设置于栅极绝缘层4远离衬底基板1的一侧；源漏极7设置于有源层5远离衬底基板的一侧；钝化层8位于源漏极7远离衬底基板的一侧；像素电极9设置在衬底基板1上，公共电极3设置于钝化层8远离衬底基板1的一侧,像素电极9通过第一过孔10与第二辅助电极12连接。
本实施例与实施例一的区别在于，像素电极9设置在衬底基板1上，公共电极3设置于钝化层8远离衬底基板1的一侧，公共电极3还可以包括延伸部，延伸部与第二辅助电极12在衬底基板上的正投影至少存在部分交叠。该技术方案可以通过适当改变过孔的数量和位置来简单的实现，比如公共电极3与第一辅助电极11可以通过第二过孔(图中未示出)实现连接。本实施例除了增加第一辅助电极11和第二辅助电极之间的辅助存储电容，还可以增加公共电极3的延伸部和第二辅助电极之间的电容，进一步增大总的存储电容，可以更好地改善显示不良问题。
实施例三
本实施例提供一种阵列基板100。图5A为本发明实施例三的阵列基板100局部俯视示意图，图5B为图5A中沿A-A线的剖视示意图。
第一辅助电极11设置于第一间隙区21，第二辅助电极与源漏极7同层设置且与源漏极直接连接。阵列基板100还包括栅极绝缘层4和钝化层8；栅极2设置于衬底基板1上；栅极绝缘层4设置于所述栅极2远离衬底基板1的一侧；有源层6设置于栅极绝缘层4远离衬底基板1的一侧；源漏极7设置于有源层5远离衬底基板的一侧；钝化层8位于源漏极7远离衬底基板的一侧；像素电极9设置在栅极绝缘层4远离衬底基板1的一侧，公共电极3设置于钝化层8远离衬底基板1的一侧,像素电极9与第二辅助电极12直接连接。
本实施例与实施例一的区别在于，像素电极9设置在栅极绝缘层4远离衬底基板1的一侧，公共电极3设置于钝化层8远离衬底基板1的一侧，像素电极9与第二辅助电极12直接连接，公共电极3还可以包括延伸部，延伸部与与第二辅助电极12在衬底基板上的正投影至少存在部分交叠。该技术方案可以通过适当改变过孔的数量和位置来简单的实现，比如公共电极3与第一辅助电极11可以通过第二过孔(图中未示出)实现连接。本实施例除了增加第一辅助电极11和第二辅助电极之间的辅助存储电容，还可以增加公共电极3的延伸部和第二辅助电极之间的电容，进一步增大总的存储电容，可以更好地改善显示不良问题。像素电极9与第二辅助电极12直接连接而不需要通过过孔连接，可以简化工艺过程，节约成本。
实施例四
本实施例提供一种阵列基板100。图6A为本发明实施例四的阵列基板100局部俯视示意图，图6B为图6A中沿A-A线的剖视示意图。
如图6A和图6B所示，第一辅助电极11设置于第二间隙区22，第二辅助电极与像素电极9同层设置且与像素电极9直接连接。阵列基板100还包括栅极绝缘层4和钝化层8；栅极2设置于衬底基板1上；栅极绝缘层4设置于所述栅极2远离衬底基板1的一侧；有源层6设置于栅极绝缘层4远离衬底基板1的一侧；源漏极7设置于有源层5远离衬底基板的一侧；钝化层8位于源漏极7远离衬底基板的一侧；公共电极3设置在衬底基板1上，公共电极3与第一辅助电极11直接连接，像素电极9设置于钝化层8远离衬底基板1的一侧,像素电极9通过第一过孔10与源漏极7连接。
本实施例与实施例一的区别在于，第一辅助电极11设置于第二间隙区22，第二辅助电极与像素电极9同层设置且与像素电极9直接连接。更进一步的，同一行像素单元的第一辅助电极11沿第二方向连接成一条走线，走线可以复用为公共电极线，可以在增加存储电容的同时节省阵列基板100上的走线设置。
实施例五
本实施例提供一种阵列基板100。图7A为本发明实施例五的阵列基板100局部俯视示意图，图7B为图7A中沿A-A线的剖视示意图。
如图7A和图7B所示，第一辅助电极11设置于第二间隙区22，第二辅助电极与像素电极9同层设置且与像素电极9直接连接。阵列基板100还包括栅极绝缘层4和钝化层8；栅极2设置于衬底基板1上；栅极绝缘层4设置于所述栅极2远离衬底基板1的一侧；有源层6设置于栅极绝缘层4远离衬底基板1的一侧；源漏极7设置于有源层5远离衬底基板的一侧；钝化层8位于源漏极7远离衬底基板的一侧；像素电极9设置于栅极绝缘层4原理衬底基板1的一侧，像素电极9与源漏极7之间连接，公共电极3设置于钝化层8远离衬底基板1的一侧，与第一辅助电极11直接连接。
本实施例与实施例一的区别在于，第一辅助电极11设置于第二间隙区22，第二辅助电极与像素电极9同层设置且与像素电极9直接连接，像素电极9设置在栅极绝缘层4远离衬底基板1的一侧，公共电极3设置于钝化层8远离衬底基板1的一侧，像素电极9与源漏极7直接连接，公共电极3还可以包括延伸部，延伸部与与第二辅助电极12在衬底基板上的正投影至少存在部分交叠。该技术方案可以通过适当改变过孔的数量和位置来简单的实现，比如公共电极3与第一辅助电极11可以通过第二过孔(图中未示出)实现连接。本实施例除了增加第一辅助电极11和第二辅助电极之间的辅助存储电容，还可以增加公共电极3的延伸部和第二辅助电极之间的电容，进一步增大总的存储电容，可以更好地改善显示不良问题。像素电极9与源漏极7直接连接而不需要通过过孔连接，可以简化工艺过程，节约成本。更进一步的，同一行像素单元的第一辅助电极11沿第二方向连接成一条走线，走线可以复用为公共电极线，可以在增加存储电容的同时节省阵列基板100上的走线设置。
实施例六
本实施例提供一种阵列基板100。图8为本发明实施例六的阵列基板100局部俯视示意图。
如图8所示，第一辅助电极11包括第一电极111和第二电极112，第二辅助电极12包括第三电极123和第四电极124。第一电极111和第三电极123设置于第一间隙区21，第二电极和第四电极设置于第二间隙区22，第三辅助电极123与源漏极7同层设置且直接连接，第四辅助电极124与像素电极9同层设置且直接连接。
本实施例与实施例一的区别在于，第一辅助电极11和第二辅助电极12同时设置于第一间隙区21和第二间隙区22，第一辅助电极11和第二辅助电极在第一间隙区21和第二间隙区22内分别形成第一辅助存储电容和第二辅助存储电容，进一步增大总的存储电容，可以更好地改善显示不良问题。
实施例七
本实施例提供一种显示装置。图9为本发明实施例七的显示装置示意图该显示装置为液晶显示装置，包括上述的的阵列基板100，该显示装置还包括与上述阵列基板100相对设置的对置基板200以及设置于阵列基板100与对置基板200之间的液晶300。
需要说明，以上所述仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (17)

1.一种阵列基板，包括：
衬底基板；
沿第一方向延伸的多条数据线和沿第二方向延伸的多条栅线，以及由所述栅线和所述数据线限定的多个像素单元；
所述像素单元包括薄膜晶体管、公共电极和像素电极，所述薄膜晶体管包括栅极、源漏极和有源层，其中，所述像素电极和其相邻的栅线在第一方向上具有间隙区；
所述像素单元还包括第一辅助电极和第二辅助电极，所述第一辅助电极与所述公共电极电连接，所述第二辅助电极与所述源漏极电连接；其中，
所述第一辅助电极在所述衬底基板上的正投影与所述第二辅助电极在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠，且所述第一辅助电极位于所述间隙区内。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述像素单元具有非开口区和开口区，所述间隙区位于所述非开口区内。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第一辅助电极为金属电极，且与所述栅极同层设置。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第一辅助电极与其邻近的栅线在第一方向上具有第一间距；
所述第一辅助电极与其邻近的像素电极在第一方向上具有第二间距；
所述第一间距大于所述第二间距。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第一辅助电极和所述第二辅助电极在第二方向上的长度等于所述像素电极在第二方向上的长度。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第一辅助电极在第一方向上的长度大于所述栅线在第一方向上长度的三分之一，且小于所述栅线在第一方向上长度的二分之一。
7.根据权利要求1-6任意一项所述的阵列基板，其中，所述间隙区包括第一间隙区和第二间隙区；
所述像素电极与其电连接的薄膜晶体管的栅线在第一方向上的间隙区为所述第一间隙区；
所述像素电极与下一行像素单元的栅线在第一方向上的间隙区为所述第二间隙区。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其中，所述第一辅助电极设置于所述第一间隙区，所述第二辅助电极与所述源漏极同层设置且与所述源漏极直接连接。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其中，所述阵列基板还包括栅极绝缘层和钝化层；
所述栅极设置于所述衬底基板上；
所述栅极绝缘层设置于所述栅极远离所述衬底基板的一侧；
所述有源层设置于所述栅极绝缘层远离所述衬底基板的一侧；
所述源漏极设置于所述有源层远离所述衬底基板的一侧；
所述钝化层位于所述源漏极远离所述衬底基板的一侧；
所述公共电极设置于所述衬底基板上，所述像素电极设置于所述钝化层远离所述衬底基板的一侧。
10.根据权利要求8所述的阵列基板，其中，所述阵列基板还包括栅极绝缘层和钝化层；
所述栅极设置于所述衬底基板上；
所述栅极绝缘层设置于所述栅极远离所述衬底基板的一侧；
所述有源层设置于所述栅极绝缘层远离所述衬底基板的一侧；
所述源漏极设置于所述有源层远离所述衬底基板的一侧；
所述钝化层位于所述源漏极远离所述衬底基板的一侧；
所述像素电极设置于所述衬底基板上，所述公共电极设置于所述钝化层远离所述衬底基板的一侧。
11.根据权利要求8所述的阵列基板，其中，所述阵列基板还包括栅极绝缘层和钝化层；
所述栅极设置于所述衬底基板上；
所述栅极绝缘层设置于所述栅极远离所述衬底基板的一侧；
所述有源层设置于所述栅极绝缘层远离所述衬底基板的一侧；
所述源漏极设置于所述有源层远离所述衬底基板的一侧；
所述钝化层位于所述源漏极远离所述衬底基板的一侧；
所述像素电极设置于所述栅极绝缘层远离所述衬底基板的一侧，所述公共电极设置于所述钝化层远离所述衬底基板的一侧。
12.根据权利要求7所述的阵列基板，其中，所述第一辅助电极设置于所述第二间隙区，所述第二辅助电极与所述像素电极同层设置且与所述像素电极直接连接。
13.根据权利要求12所述的阵列基板，其中，所述阵列基板还包括栅极绝缘层和钝化层；
所述栅极设置于所述衬底基板上；
所述栅极绝缘层设置于所述栅极远离所述衬底基板的一侧；
所述有源层设置于所述栅极绝缘层远离所述衬底基板的一侧；
所述源漏极设置于所述有源层远离所述衬底基板的一侧；
所述钝化层位于所述源漏极远离所述衬底基板的一侧；
所述公共电极设置于所述衬底基板上，所述像素电极设置于所述钝化层远离所述衬底基板的一侧。
14.根据权利要求12所述的阵列基板，其中，所述阵列基板还包括栅极绝缘层和钝化层；
所述栅极设置于所述衬底基板上；
所述栅极绝缘层设置于所述栅极远离所述衬底基板的一侧；
所述有源层设置于所述栅极绝缘层远离所述衬底基板的一侧；
所述源漏极设置于所述有源层远离所述衬底基板的一侧；
所述钝化层位于所述源漏极远离所述衬底基板的一侧；
所述像素电极设置于所述栅极绝缘层远离所述衬底基板的一侧，所述公共电极设置于所述钝化层远离所述衬底基板的一侧。
15.根据权利要求13或14所述的阵列基板，其中，同一行像素单元的所述第一辅助电极沿第二方向连接成一条走线，所述走线复用为公共电极线。
16.根据权利要求7所述的阵列基板，其中，所述第一辅助电极包括第一电极和第二电极，所述第二辅助电极包括第三电极和第四电极，所述第一电极和所述第三电极设置于所述第一间隙区，所述第二电极和所述第四电极设置于所述第二间隙区。
17.一种显示装置，包括如权利要求1-16任一项所述的阵列基板，所述显示装置还包括与所述阵列基板相对设置的对置基板以及设置于阵列基板与对置基板之间的液晶。
CN202010877133.2A 2020-08-27 2020-08-27 一种阵列基板和显示装置 Active CN111965908B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010877133.2A CN111965908B (zh) 2020-08-27 2020-08-27 一种阵列基板和显示装置
PCT/CN2021/104716 WO2022042050A1 (zh) 2020-08-27 2021-07-06 一种阵列基板和显示装置
US17/799,812 US20240184173A1 (en) 2020-08-27 2021-07-06 Array substrate and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010877133.2A CN111965908B (zh) 2020-08-27 2020-08-27 一种阵列基板和显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111965908A true CN111965908A (zh) 2020-11-20
CN111965908B CN111965908B (zh) 2023-10-24

Family

ID=73399292

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010877133.2A Active CN111965908B (zh) 2020-08-27 2020-08-27 一种阵列基板和显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20240184173A1 (zh)
CN (1) CN111965908B (zh)
WO (1) WO2022042050A1 (zh)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022042050A1 (zh) * 2020-08-27 2022-03-03 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板和显示装置
WO2022133638A1 (zh) * 2020-12-21 2022-06-30 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板和电子装置
CN114721194A (zh) * 2022-04-25 2022-07-08 广州华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及显示面板
CN115236907A (zh) * 2022-07-26 2022-10-25 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板、显示装置和制作方法
WO2023028794A1 (zh) * 2021-08-30 2023-03-09 京东方科技集团股份有限公司 发光基板及显示装置
CN115981059A (zh) * 2023-03-20 2023-04-18 惠科股份有限公司 液晶显示面板和液晶显示器
CN116469893A (zh) * 2023-03-14 2023-07-21 滁州惠科光电科技有限公司 阵列基板及其制备方法和显示装置
WO2023226687A1 (zh) * 2022-05-25 2023-11-30 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置
US12034013B2 (en) 2020-12-21 2024-07-09 Beijing Boe Display Technology Co., Ltd. Array substrate, display panel, and electronic device

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020180901A1 (en) * 2001-06-05 2002-12-05 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Array substrate of liquid crystal display and fabricating method thereof
CN1932595A (zh) * 2005-09-13 2007-03-21 三洋爱普生映像元器件有限公司 液晶显示器及其制造方法
CN102236222A (zh) * 2010-04-23 2011-11-09 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制造方法和液晶显示器
KR20130005550A (ko) * 2011-07-06 2013-01-16 엘지디스플레이 주식회사 이중 게이트 구조를 갖는 평판 표시장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
CN104570530A (zh) * 2015-02-02 2015-04-29 京东方科技集团股份有限公司 一种双栅线阵列基板和显示装置
CN104699316A (zh) * 2015-04-01 2015-06-10 上海天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置
CN106855670A (zh) * 2017-02-28 2017-06-16 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
US20170220148A1 (en) * 2016-01-29 2017-08-03 Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. Array substrate, display and electronic device

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7295275B2 (en) * 2003-12-26 2007-11-13 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display device
CN100580536C (zh) * 2007-07-06 2010-01-13 昆山龙腾光电有限公司 液晶显示装置的阵列基板及其制造方法
KR101298547B1 (ko) * 2008-08-07 2013-08-22 엘지디스플레이 주식회사 횡전계형 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법
CN108803173B (zh) * 2018-07-02 2021-08-10 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN111965908B (zh) * 2020-08-27 2023-10-24 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板和显示装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020180901A1 (en) * 2001-06-05 2002-12-05 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Array substrate of liquid crystal display and fabricating method thereof
CN1932595A (zh) * 2005-09-13 2007-03-21 三洋爱普生映像元器件有限公司 液晶显示器及其制造方法
CN102236222A (zh) * 2010-04-23 2011-11-09 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制造方法和液晶显示器
KR20130005550A (ko) * 2011-07-06 2013-01-16 엘지디스플레이 주식회사 이중 게이트 구조를 갖는 평판 표시장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
CN104570530A (zh) * 2015-02-02 2015-04-29 京东方科技集团股份有限公司 一种双栅线阵列基板和显示装置
CN104699316A (zh) * 2015-04-01 2015-06-10 上海天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置
US20170220148A1 (en) * 2016-01-29 2017-08-03 Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. Array substrate, display and electronic device
CN106855670A (zh) * 2017-02-28 2017-06-16 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022042050A1 (zh) * 2020-08-27 2022-03-03 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板和显示装置
WO2022133638A1 (zh) * 2020-12-21 2022-06-30 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板和电子装置
EP4155823A4 (en) * 2020-12-21 2023-08-23 BOE Technology Group Co., Ltd. ARRAY SUBSTRATE, DISPLAY PANEL AND ELECTRONIC DEVICE
US12034013B2 (en) 2020-12-21 2024-07-09 Beijing Boe Display Technology Co., Ltd. Array substrate, display panel, and electronic device
WO2023028794A1 (zh) * 2021-08-30 2023-03-09 京东方科技集团股份有限公司 发光基板及显示装置
CN114721194A (zh) * 2022-04-25 2022-07-08 广州华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及显示面板
CN114721194B (zh) * 2022-04-25 2024-06-04 广州华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及显示面板
WO2023226687A1 (zh) * 2022-05-25 2023-11-30 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置
CN115236907A (zh) * 2022-07-26 2022-10-25 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板、显示装置和制作方法
CN115236907B (zh) * 2022-07-26 2023-11-03 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板、显示装置和制作方法
CN116469893A (zh) * 2023-03-14 2023-07-21 滁州惠科光电科技有限公司 阵列基板及其制备方法和显示装置
CN115981059A (zh) * 2023-03-20 2023-04-18 惠科股份有限公司 液晶显示面板和液晶显示器

Also Published As

Publication number Publication date
WO2022042050A1 (zh) 2022-03-03
US20240184173A1 (en) 2024-06-06
CN111965908B (zh) 2023-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111965908A (zh) 一种阵列基板和显示装置
US11199750B2 (en) Display panel having black matrix comprising extension portions
CN102809855B (zh) 薄膜晶体管基板及其制造方法
CN104049430B (zh) 一种阵列基板、显示装置及其制造方法
CN108257980B (zh) 一种阵列基板、显示装置
TW201604629A (zh) 顯示面板之畫素結構
CN104007574B (zh) 一种阵列基板、显示装置及其制造方法
CN104090434A (zh) 阵列基板及显示装置
CN104423110A (zh) 液晶显示器的阵列基板
CN105629612A (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
CN111338142B (zh) 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN108873552B (zh) 一种电子纸显示基板、显示面板及显示装置
US9626014B2 (en) Touch display panel and manufacturing method thereof
CN207181908U (zh) 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN101470307B (zh) 液晶显示装置及其制造方法
CN101893774B (zh) 液晶显示面板及其制造方法
US20230384641A1 (en) Array substrate and display panel
US7362390B2 (en) Liquid crystal display panel and thin film transistor array
US20100315573A1 (en) Liquid crystal panel, application and manufacturing method thereof
CN214410572U (zh) 一种阵列基板、显示面板及显示装置
KR20110024602A (ko) 액정표시장치용 어레이 기판
CN107092111A (zh) 主动元件阵列基板以及显示面板
CN110308598A (zh) 阵列基板、阵列基板的制作方法和显示面板
CN110161765A (zh) 阵列基板、阵列基板的制作方法和显示面板
CN113238404B (zh) 显示面板及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant