CN115236907A - 一种阵列基板、显示面板、显示装置和制作方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 150
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 51
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 38
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 31
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 27
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 233
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000009194 climbing Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- -1 member Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136231—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136277—Active matrix addressed cells formed on a semiconductor substrate, e.g. of silicon
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种阵列基板、显示面板和制作方法，其中一实施例的阵列基板包括衬底，设置在衬底上的有源层，同层设置的像素电极和第一辅助电极；设置在有源层上的栅绝缘层；设置在栅绝缘层上的栅极层，栅极层包括同层设置的栅极、栅线和数据线，栅线和数据线中的一个在衬底上的正投影断开；设置在栅极层上的第一绝缘层，第一绝缘层部分覆盖第一辅助电极；以及设置在第一绝缘层和第一辅助电极上的公共电极层，公共电极层包括同层设置的公共电极和第二辅助电极，栅线和数据线中的一个通过第二辅助电极连接，数据线依次通过第二辅助电极、以及与第二辅助电极连接的第一辅助电极与有源层连接。本发明提供的阵列基板能够简化制作流程，降低成本。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板、显示面板、显示装置和制作方法。
背景技术
相关技术中，薄膜晶体管作为开关控制元件或周边驱动电路的集成元件，是平板显示技术中的核心器件。目前被广泛采用的薄膜晶体管主要有非晶硅薄膜晶体管和多晶硅薄膜晶体管。非晶硅(a-Si)薄膜晶体管广泛的应用于平板显示中的驱动电路或作为开关控制器件。但非晶硅的迁移率低，通常低于1cm2/V·S,多晶硅均匀性比较差，工艺复杂成本高，对可见光敏感，不能在可见光照射下工作，很难用于大尺寸和高分辨率的平板显示。近年来，氧化物半导体薄膜晶体管备受关注，尤其是铟镓锌氧化物(IGZO)半导体材料，其迁移率比较大，均匀性好，工艺温度低，在可见光区透光率高，并且适用于柔性显示。通常薄膜晶体管的制作与显示器件的性能、成本具有很大关系。
发明内容
为了解决上述问题至少之一，本发明第一个实施例提供一种阵列基板包括衬底，
设置在所述衬底上的有源层、同层设置的像素电极和第一辅助电极，所述有源层包括沟道部、位于所述沟道部两侧的第一导体部和第二导体部，所述第一导体部连接所述像素电极，所述第二导体部连接所述第一辅助电极；
设置在所述有源层上的栅绝缘层；
设置在所述栅绝缘层上的栅极层，所述栅极层包括同层设置的栅极、栅线和数据线，所述栅线在所述衬底上的正投影断开或所述数据线在所述衬底上的正投影断开；
设置在所述栅极层上的第一绝缘层，所述第一绝缘层部分覆盖所述第一辅助电极；以及
设置在所述第一绝缘层和露出的第一辅助电极上的公共电极层，所述公共电极层包括同层设置的公共电极和第二辅助电极，所述栅线通过所述第二辅助电极连接或所述数据线通过所述第二辅助电极连接，所述数据线通过所述第二辅助电极与所述第一辅助电极连接。
例如，在本申请一些实施例提供的阵列基板中，所述数据线包括设置在所述栅线两侧的第一数据线和第二数据线，所述第一数据线和第二数据线通过贯通所述第一绝缘层的过孔经所述第二辅助电极连接。
例如，在本申请一些实施例提供的阵列基板中，所述过孔包括贯通所述第一绝缘层的第一过孔和第二过孔，
所述第一数据线通过所述第一过孔与所述第二辅助电极连接，所述第一过孔在所述衬底上的正投影与所述第一数据线在所述衬底上的正投影部分重叠；
所述第二数据线通过所述第二过孔与所述第二辅助电极连接，所述第二过孔在所述衬底上的正投影与所述第二数据线在所述衬底上的正投影部分重叠。
例如，在本申请一些实施例提供的阵列基板中，所述第二辅助电极还包括第三辅助电极，所述栅线包括设置在所述数据线两侧的第一栅线和第二栅线，所述第一栅线和第二栅线通过贯通所述第一绝缘层的过孔经所述第三辅助电极连接。
例如，所述过孔包括贯通所述第一绝缘层的第三过孔和第四过孔，
所述第一栅线通过所述第三过孔与所述第三辅助电极连接，所述第三过孔在所述衬底上的正投影与所述第一栅线在所述衬底上的正投影部分重叠；
所述第二栅线通过所述第四过孔与所述第三辅助电极连接，所述第四过孔在所述衬底上的正投影与所述第二栅线在所述衬底上的正投影部分重叠。
例如，在本申请一些实施例提供的阵列基板中，所述栅极、栅线和数据线在所述衬底上的正投影覆盖所述栅绝缘层在所述衬底上的正投影。
例如，在本申请一些实施例提供的阵列基板中，所述阵列基板还包括设置在所述衬底靠近所述有源层的遮光层、以及设置在所述遮光层靠近所述有源层的第二绝缘层，其中
所述遮光层在所述衬底上的正投影覆盖所述有源层在所述衬底上的正投影。
例如，在本申请一些实施例提供的阵列基板中，
所述遮光层的材料包括Ti、Cu、MoNb和MTD中的至少一种；
和/或
所述第二绝缘层包括氧化硅和氮化硅中的至少一种。
例如，在本申请一些实施例提供的阵列基板中，
所述有源层为非晶氧化物半导体；
和/或
所述栅极包括Ti、Cu、MoNb和MTD中的至少一种，所述栅绝缘层包括氧化硅和氮化硅中的至少一种，所述第一绝缘层包括氧化硅和氮化硅中的至少一种；
和/或
所述公共电极包括金属氧化物。
本发明第二个实施例提供一种制作第一个实施例所述的阵列基板的制作方法，包括：
在衬底上形成半导体材料层；
图案化所述半导体材料层形成有源层、亚像素电极和亚第一辅助电极，所述有源层包括沟道部、位于所述沟道部两侧的第一导体部和第二导体部，所述第一导体部连接所述亚像素电极，所述第二导体部连接所述亚第一辅助电极；
形成覆盖所述有源层、亚像素电极、亚第一辅助电极和露出的衬底的栅绝缘材料层；
形成覆盖所述栅绝缘材料层的栅极材料层；
图案化所述栅极材料层形成栅极层，所述栅极层包括栅极、栅线和数据线，所述栅线在所述衬底上的正投影断开或所述数据线在所述衬底上的正投影断开；
图案化形成栅绝缘层并露出所述亚像素电极和亚第一辅助电极，所述栅绝缘层在所述衬底上的正投影覆盖所述有源层在所述衬底上的正投影；
对所述亚像素电极和亚第一辅助电极进行导体化形成像素电极和第一辅助电极；
在所得到的结构上形成第一绝缘材料层；
图案化所述第一绝缘材料层形成第一绝缘层，所述第一绝缘层部分覆盖所述第一辅助电极；
在所述第一绝缘层和露出的第一辅助电极上形成公共电极层，所述公共电极层包括公共电极和与公共电极同层设置的第二辅助电极，所述栅线通过所述第二辅助电极连接或所述数据线通过所述第二辅助电极连接，所述数据线通过所述第二辅助电极与所述第一辅助电极连接。
例如，在本申请一些实施例提供的制作方法中，所述图案化形成栅绝缘层进一步包括：
以所述栅极层为掩模板进行图案化形成所述栅绝缘层。
例如，在本申请一些实施例提供的制作方法中，在所述在衬底上形成半导体材料层之前，所述制作方法还包括：
在所述衬底上形成遮光层，所述遮光层在所述衬底上的正投影覆盖所述有源层在所述衬底上的正投影；
形成覆盖所述遮光层和露出的所述衬底的第二绝缘层。
本发明第三个实施例提供一种显示面板，包括第一个实施例所述的阵列基板。
本发明第四个实施例提供一种显示装置，包括如第三个实施例所述的显示面板。
本发明的有益效果如下：
本发明针对目前现有的问题，制定一种阵列基板、显示面板和制作方法，阵列基板通过氧化物半导体一次形成有源层、以及待导体化的像素电极和第一辅助电极，同时通过同层设置的栅极、栅线和数据线有效减少一道掩模板，特别的，通过栅极层作为栅绝缘层的掩模进一步减少一道掩模板，从而简化制作流程，能够降低生产成本，提高生产效率和产能，具有广泛的应用前景。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出本发明的一个实施例所述阵列基板的俯视示意图；
图2示出本发明的一个实施例所述阵列基板的截面示意图；
图3示出本发明的一个实施例所述阵列基板的侧视截面示意图；
图4a-4h示出本发明的一个实施例所述阵列基板的分阶段制作截面示意图；
图5示出本发明的一个实施例所述制作方法的流程图；
图6a-6h示出本发明的一个实施例所述阵列基板的分阶段制作侧视截面示意图；
图7示出本发明的另一个实施例所述阵列基板的俯视示意图。
具体实施方式
为了更清楚地说明本发明，下面结合优选实施例和附图对本发明做进一步的说明。附图中相似的部件以相同的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解，下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的，不应以此限制本发明的保护范围。
需要说明的是，本文中所述的“在……上”、“在……上形成”和“设置在……上”可以表示一层直接形成或设置在另一层上，也可以表示一层间接形成或设置在另一层上，即两层之间还存在其它的层。在本文中，除非另有说明，所采用的术语“位于同一层”指的是两个层、部件、构件、元件或部分可以通过同一构图工艺形成，并且，这两个层、部件、构件、元件或部分一般由相同的材料形成。在本文中，除非另有说明，表述“构图工艺”一般包括光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、光刻胶的剥离等步骤。表述“一次构图工艺”意指使用一块掩模板形成图案化的层、部件、构件等的工艺。
相关技术中，底栅结构的氧化物薄膜晶体管主要存在两个问题，一是背沟道刻蚀(BCE)的控制，背沟道刻蚀容易因过刻蚀而影响沟道器件的，对薄膜晶体管性能不利，虽然可以采用刻蚀保护层(ES)来解决此问题，但采用刻蚀保护层会增加工艺的复杂程度。二是底栅薄膜晶体管不易实现自对准，背面曝光技术与现在工艺存在兼容性问题，而传统的制作方法会导致底栅薄膜晶体管中存在较大的交叠区域，产生较大的交叠电容，不利于减小沟道尺寸，大的交叠电容也会降低驱动电路的工作速度，难以用于驱动高分辨率的有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示器。
顶栅薄膜晶体管可以解决底栅薄膜晶体管存在的问题和不足，首先，顶栅薄膜晶体管不存在过刻蚀损伤问题，而且顶栅薄膜晶体管中的栅绝缘层在有源层之上可以起到保护有源层的作用。其次，顶栅结构有实现自对准的优势，工艺相对简单，常用的有对源或漏区进行等离子体处理，向源或漏区中掺氢以增加源或漏区的电导率，采用自对准结构可以避免交叠区域，不存在交叠电容，能更加精确的控制薄膜晶体管的沟道尺寸，并可以实现较短的沟道。
同时，在量产线中，曝光(Photo)设备是最核心、最昂贵的设备，因此量产产线的生产产能都是依据曝光设备而定，并且过多使用掩模板(Mask)进行曝光会增加制程成本，同时也会增大生产时间、并且所述设备易带来生产误差，使生产效率大大降低，所以在生产制程中，节省使用掩模板进行的曝光次数，提升产能，降低成本成为主要推进技术发展的需求。
根据上述问题，如图1、图2和图3所示，本发明的一个实施例提供了一种阵列基板，包括：
衬底100，
设置在所述衬底100上的有源层210，同层设置的像素电极220和第一辅助电极230，所述有源层包括沟道部、位于所述沟道部两侧的第一导体部和第二导体部，所述第一导体部连接所述像素电极，所述第二导体部连接所述第一辅助电极；
设置在所述有源层210上的栅绝缘层300；
设置在所述栅绝缘层300上的栅极层，所述栅极层包括同层设置的栅极410、栅线和数据线，所述栅线在所述衬底上的正投影断开或所述数据线在所述衬底上的正投影断开；
设置在所述栅极层上的第一绝缘层500，所述第一绝缘层500部分覆盖所述第一辅助电极230；以及
设置在所述第一绝缘层500和露出的第一辅助电极230上的公共电极层，所述公共电极层包括同层设置的公共电极610和第二辅助电极620，所述栅线通过所述第二辅助电极连接或所述数据线通过所述第二辅助电极连接，所述数据线通过所述第二辅助电极与所述第一辅助电极连接。
在本实施例中，有源层210为非晶氧化物半导体(AOS)，例如铟锡氧化物(ITO)、铝锌氧化物(AZO)、铟锌氧化物(IZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)等，广泛应用于显示领域。本实施例的阵列基板通过氧化物半导体一次形成有源层、以及待导体化的像素电极和第一辅助电极，同时通过同层设置的栅极、栅线和数据线有效减少一道掩模板，从而简化制作流程，能够降低生产成本，提高生产效率和产能，具有广泛的应用前景。
在一个具体的示例中，如图1、图2和图3所示，以制作阵列基板为例进行说明，其中，图1为所述阵列基板的俯视图，图2为所述阵列基板的截面图，图3为所述阵列基板的侧视截面图，其中A-A’为俯视图中A-A’的截面图，即阵列基板的每个显示单元的显示区的截面图，其中B-B’为俯视图中B-B’的截面图，即阵列基板的每个显示单元的薄膜晶体管的沟道的截面图，其中C-C’为俯视图中C-C’的截面图，其中D-D’为俯视图中D-D’的截面图。
第一步，在衬底上形成半导体材料层。
在本实施例中，如图4a和图6a所示，所述半导体材料层为非晶氧化物半导体(AOS)，例如铟锡氧化物(ITO)、铝锌氧化物(AZO)、铟锌氧化物(IZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)等，本申请对此不作具体限定。
在一个可选的实施例中，所述阵列基板还包括设置在所述衬底靠近所述有源层的遮光层、以及设置在所述遮光层靠近所述有源层的第二绝缘层，其中所述遮光层在所述衬底上的正投影覆盖所述有源层在所述衬底上的正投影。
在本实施例中，考虑到光线对为非晶氧化物半导体的影响，为进一步提高显示器件的良率和工作寿命，在衬底上形成遮光层，如图1所示，所述遮光层700在衬底上的正投影覆盖沟道在衬底上的正投影，所述遮光层的材料包括Ti、Cu、MoNb和MTD中的至少一种，所述遮光层能够遮挡光线进入有源层，从而确保非晶氧化物半导体的性能。
同时，在遮光层远离衬底的一层，形成第二绝缘层，以绝缘遮光层和非晶氧化物半导体，所述第二绝缘层包括氧化硅和氮化硅中的至少一种。
第二步，图案化所述半导体材料层形成有源层、亚像素电极和亚第一辅助电极，所述有源层包括沟道部、第一导体部和第二导体部，所述第一导体部连接所述亚像素电极，所述第二导体部连接所述亚第一辅助电极。
在本实施例中，如图1、图4b和图6b所示，对半导体材料层进行图案化，形成作为薄膜晶体管的有源层210，以及亚像素电极220’和亚第一辅助电极230’。本实施例通过图案化半导体材料形成有源层和亚像素电极，使得亚像素电极经导体化后形成像素电极，从而避免了传统像素单元结构中的像素电极开孔，有效提高透过率。
第三步，形成覆盖所述有源层、亚像素电极、亚第一辅助电极和露出衬底的栅绝缘材料层。
在本实施例中，如图4c和图6c所示，形成覆盖所述半导体材料层的栅绝缘材料层300。所述栅绝缘层包括氧化硅和氮化硅中的至少一种。
第四步，形成覆盖所述栅绝缘材料层的栅极材料层。
在本实施例中，形成覆盖所述栅绝缘材料层300的栅极材料层400。所述栅极材料层包括Ti、Cu、MoNb和MTD中的至少一种。
第五步，图案化所述栅极材料层形成栅极层，所述栅极层包括栅极、栅线和数据线，所述栅线在所述衬底上的正投影断开或所述数据线在所述衬底上的正投影断开。
在本实施例中，如图4d和图6d所示，图案化所述栅极材料层400，形成栅极层，所述栅极层包括栅极410、栅线和数据线430。本实施例通过同层设置栅极、栅线和数据线，有效减少一道掩模板，相对于传统结构中异层设置的栅极、栅线和数据线能够避免金属堆积，从而降低金属爬坡断裂的风险，从而简化制作流程，提高产品良率，即在不影响薄膜晶体管的性能下通过一次图案化形成栅极、栅线和数据线；同时因同层设置栅极、栅线和数据线，还减少一个层间绝缘层从而降低阵列基板的膜层厚度，降低破片率，进一步降低生产成本，提高生产效率和产品良率。
值得说明的是，如图1和图7所示，栅极和栅线、与数据线同层设置，但互相绝缘，即所述栅线和数据线中的一个隔断以实现相互绝缘，换句话说，所述栅极和栅线在所述衬底上的正投影、与所述数据线在所述衬底上的正投影不相交。
在本实施例中，如图1-图3所述，所述数据线被隔断，包括设置在所述栅线两侧的第一数据线420和第二数据线430，所述第一数据线420和第二数据线430分别通过贯通所述第一绝缘层500的过孔经所述第二辅助电极620连接。
第六步，图案化形成栅绝缘层并露出所述亚像素电极和亚第一辅助电极。
在本实施例中，在形成栅极后对栅绝缘层进行图案化，通过栅绝缘层保护有源层的沟道部以避免非晶氧化物半导体进行后续导体化步骤。
为进一步降低成本，在一个可选的实施例中，所述栅极、栅线和所述数据线在所述衬底上的正投影覆盖所述栅绝缘层在所述衬底上的正投影。
在本实施例中，如图4e和图6e所示，以栅极层作为栅绝缘层的掩模板进行图案化，通过栅极层对栅绝缘层进行图案化，部分覆盖非晶氧化物半导体。本实施例通过使用顶栅结构自对准图案化栅绝缘层，能够避免传统像素制备过程中栅绝缘层和缓冲层一起刻蚀对半导体材料的损伤，有效提高产品良率。
第七步，对所述亚像素电极和亚第一辅助电极进行导体化形成像素电极和第一辅助电极。
在本实施例中，如图2、图4f和图6f所示，对露出的非晶氧化物半导体进行导体化形成像素电极220和第一辅助电极230，即通过对非晶氧化物半导体的导体化实现像素电极的制作，有效避免传统制作像素单元的像素开孔，有效提升透过率。值得说明的是，还包括对所述有源层的第一导体部和第二导体部导体化，所述第一导体部连接所述像素电极，所述第二导体部连接所述第一辅助电极。本实施例的导体化为通过离子注入、等离子体处理等方法对暴露的半导体材料进行导体化处理，分别形成像素电极和第一辅助电极。
第八步，在所得到的结构上形成第一绝缘材料层。
在本实施例中，如图4g和图6g所示，在上述制作步骤获得的结构上形成第一绝缘材料层500。所述第一绝缘层包括氧化硅和氮化硅中的至少一种。
第九步，图案化所述第一绝缘材料层形成第一绝缘层。
在本实施例中，如图4h和图6h所示，在C-C’区域和D-D’区域露出部分第一辅助电极230。
第十步，在所述第一绝缘层和露出的第一辅助电极上形成公共电极层，所述公共电极层包括公共电极和与公共电极同层设置的第二辅助电极，所述栅线通过所述第二辅助电极连接或所述数据线通过所述第二辅助电极连接，所述数据线依次通过所述第二辅助电极、以及与所述第二辅助电极连接的第一辅助电极与所述有源层连接。
在本实施例中，如图1、图2和图3所示，形成公共电极层，公共电极层包括公共电极610和第二辅助电极620，即在形成公共电极610的同时形成第二辅助电极620，所述公共电极包括金属氧化物。
在本实施例中，如图1、图2和图3所示，所述数据线被栅线隔断，包括设置在栅线两侧的且与栅线绝缘的第一数据线420和第二数据线430，所述过孔包括贯通所述第一绝缘层的第一过孔510和第二过孔520，所述第一数据线420通过所述第一过孔510与所述第二辅助电极620连接，所述第二数据线430通过所述第二过孔520与所述第二辅助电极620连接，从而将被隔断的第一数据线420和第二数据线430通过第二辅助电极620重新连接；同时，所述第一数据线420通过第一过孔510与所述第二辅助电极620连接、再通过第二辅助电极620连接所述第一辅助电极230，从而实现数据线与有源层210的连接，从而实现将数据信号通过数据线—有源层传输至像素电极，即数据线通过第二辅助电极620、以及与第二辅助电极620连接的第一辅助电极230连接有源层，当沟道部导通时，将数据信号传输至像素电极，从而实现数据信号的传输。
值得说明的是，在本实施例中，如图1所示，所述第一过孔在所述衬底上的正投影与所述第一数据线在所述衬底上的正投影部分重叠，所述第二过孔在所述衬底上的正投影与所述第二数据线在所述衬底上的正投影部分重叠。本申请对所述第一过孔和第二过孔的具体结构不作限定，本领域技术人员应当根据实际应用需求选择适当的过孔，以实现数据线的连接为设计准则，在此不再赘述。
至此，形成如图1、图2和图3所示的阵列基板。在本实施例中，通过氧化物半导体一次形成有源层、以及待导体化的像素电极和第一辅助电极，同时通过同层设置的栅极、栅线和数据线有效减少一道掩模板，特别的，通过栅极层作为栅绝缘层的掩模进一步减少一道掩模板；同时通过与公共电极同层设置的第二辅助电极，实现数据线换层连接，从而实现数据信号的传输；从而在确保薄膜晶体管正常运行的情况下，简化制作流程，能够降低生产成本，提高生产效率和产能，具有广泛的应用前景。
在一个可选的实施例中，如图7所示，所述栅线包括分别设置在所述数据线420两侧的第一栅线470和第二栅线480，所述第一栅线470和第二栅线480分别通过贯通所述第一绝缘层的过孔经所述第二辅助电极640连接。
在本实施例中，所述栅线被所述数据线隔断，包括设置在数据线两侧的与所述数据线绝缘的第一栅线470和第二栅线480，第二辅助电极还包括第三辅助电极。具体的，所述过孔包括贯通所述第一绝缘层的第三过孔530和第四过孔540，所述第一栅线470通过所述第三过孔530与所述第三辅助电极640连接；所述第二栅线480通过所述第四过孔540与所述第三辅助电极640连接。即第一栅线470和第二栅线480分别通过过孔连接至第三辅助电极640，并通过第三辅助电极640重新连接，从而实现栅线中扫描信号的传输；换句话说，将扫描信号通过第一栅线—第三辅助电极—第二栅线传输，即第一栅线470通过第三过孔530连接至第三辅助电极640，再连接与第三辅助电极640通过第四过孔540连接的第二栅线480，从而实现扫描信号的传输。本实施例的其他结构和制作方法与前述实施例相类似，在此不再赘述。
值得说明的是，在本实施例中，如图7所示，所述第三过孔在所述衬底上的正投影与所述第一栅线在所述衬底上的正投影部分重叠，所述第四过孔在所述衬底上的正投影与所述第二栅线在所述衬底上的正投影部分重叠。本申请对所述第三过孔和第四过孔的具体结构不作限定，本领域技术人员应当根据实际应用需求选择适当的过孔，以实现数据线的连接为设计准则，在此不再赘述。
与上述实施例提供的阵列基板相对应，本申请的一个实施例还提供一种制作上述阵列基板的制作方法，由于本申请实施例提供的制作方法与上述几种实施例提供的阵列基板相对应，因此在前实施方式也适用于本实施例提供的制作方法，在本实施例中不再详细描述。
如图5所示，本申请的一个实施例还提供一种制作上述阵列基板的制作方法，包括：
在衬底上形成半导体材料层；
图案化所述半导体材料层形成有源层、亚像素电极和亚第一辅助电极，所述有源层包括沟道部、位于所述沟道部两侧的第一导体部和第二导体部，所述第一导体部连接所述亚像素电极，所述第二导体部连接所述亚第一辅助电极；
形成覆盖所述有源层、亚像素电极、亚第一辅助电极和露出的衬底的栅绝缘材料层；
形成覆盖所述栅绝缘材料层的栅极材料层；
图案化所述栅极材料层形成栅极层，所述栅极层包括栅极、栅线和数据线，所述栅线在所述衬底上的正投影断开或所述数据线在所述衬底上的正投影断开；
图案化形成栅绝缘层并露出所述亚像素电极和亚第一辅助电极，所述栅绝缘层在所述衬底上的正投影覆盖所述有源层在所述衬底上的正投影；
对所述亚像素电极和亚第一辅助电极进行导体化形成像素电极和第一辅助电极；
在所得到的结构上形成第一绝缘材料层；
图案化所述第一绝缘材料层形成第一绝缘层，所述第一绝缘层部分覆盖所述第一辅助电极；
在所述第一绝缘层和露出的第一辅助电极上形成公共电极层，所述公共电极层包括公共电极和与公共电极同层设置的第二辅助电极，所述栅线通过所述第二辅助电极连接或所述数据线通过所述第二辅助电极连接，所述数据线通过所述第二辅助电极与所述第一辅助电极连接。
在本实施例中，阵列基板通过氧化物半导体一次形成有源层、以及待导体化的像素电极和第一辅助电极，同时通过同层设置的栅极、栅线和数据线有效减少一道掩模板，从而简化制作流程，能够降低生产成本，提高生产效率和产能。具体实施方式同前述实施例，在此不再赘述。
在一个可选的实施例中，所述图案化形成栅绝缘层进一步包括：
以所述栅极层为掩模板进行图案化形成所述栅绝缘层。
在本实施例中，在形成栅极后对栅绝缘层进行图案化，并且，以栅极层作为栅绝缘层的掩模板进行图案化，通过栅极层对栅绝缘层进行图案化，形成部分覆盖非晶氧化物半导体的栅绝缘层，从而进一步减少一道掩模板，有效降低生产成本。具体实施方式同前述实施例，在此不再赘述。
在一个可选的实施例中，在所述在衬底上形成半导体材料层之前，所述制作方法还包括：
在所述衬底上形成遮光层，所述遮光层在所述衬底上的正投影覆盖所述有源层在所述衬底上的正投影；
形成覆盖所述遮光层和露出的所述衬底的第二绝缘层。
在本实施例中，考虑到光线对为非晶氧化物半导体的影响，为进一步提高显示器件的良率和工作寿命，在衬底上形成遮光层，如图1所示，所述遮光层700在衬底上的正投影覆盖沟道在衬底上的正投影，能够遮挡光线进入有源层，从而确保非晶氧化物半导体的性能。同时，在遮光层远离衬底的一层，形成绝缘遮光层和非晶氧化物半导体的第二绝缘层。具体实施方式同前述实施例，在此不再赘述。
基于上述阵列基板，本申请的一个实施例还提供了一种显示面板，包括上述阵列基板。所述显示面板为液晶显示面板或电致发光二极管显示面板。
基于上述显示面板，本申请的一个实施例还提供了一种显示装置，包括上述显示面板，所述显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本发明针对目前现有的问题，制定一种阵列基板、显示面板和制作方法，阵列基板通过氧化物半导体一次形成有源层、以及待导体化的像素电极和第一辅助电极，同时通过同层设置的栅极、栅线和数据线有效减少一道掩模板，特别的，通过栅极层作为栅绝缘层的掩模进一步减少一道掩模板，从而简化制作流程，能够降低生产成本，提高生产效率和产能，具有广泛的应用前景。
显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定，对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无法对所有的实施方式予以穷举，凡是属于本发明的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之列。
Claims (12)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括
衬底，
设置在所述衬底上的有源层、同层设置的像素电极和第一辅助电极，所述有源层包括沟道部、位于所述沟道部两侧的第一导体部和第二导体部，所述第一导体部连接所述像素电极，所述第二导体部连接所述第一辅助电极；
设置在所述有源层上的栅绝缘层；
设置在所述栅绝缘层上的栅极层，所述栅极层包括同层设置的栅极、栅线和数据线，所述栅线在所述衬底上的正投影断开或所述数据线在所述衬底上的正投影断开；
设置在所述栅极层上的第一绝缘层，所述第一绝缘层部分覆盖所述第一辅助电极；以及
设置在所述第一绝缘层和露出的第一辅助电极上的公共电极层，所述公共电极层包括同层设置的公共电极和第二辅助电极，所述栅线通过所述第二辅助电极连接或所述数据线通过所述第二辅助电极连接，所述数据线通过所述第二辅助电极与所述第一辅助电极连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线包括设置在所述栅线两侧的第一数据线和第二数据线，所述第一数据线和第二数据线通过贯通所述第一绝缘层的过孔经所述第二辅助电极连接。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述过孔包括贯通所述第一绝缘层的第一过孔和第二过孔，
所述第一数据线通过所述第一过孔与所述第二辅助电极连接，所述第一过孔在所述衬底上的正投影与所述第一数据线在所述衬底上的正投影部分重叠；
所述第二数据线通过所述第二过孔与所述第二辅助电极连接，所述第二过孔在所述衬底上的正投影与所述第二数据线在所述衬底上的正投影部分重叠。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二辅助电极还包括第三辅助电极，所述栅线包括设置在所述数据线两侧的第一栅线和第二栅线，所述第一栅线和第二栅线通过贯通所述第一绝缘层的过孔经所述第三辅助电极连接。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述过孔包括贯通所述第一绝缘层的第三过孔和第四过孔，
所述第一栅线通过所述第三过孔与所述第三辅助电极连接，所述第三过孔在所述衬底上的正投影与所述第一栅线在所述衬底上的正投影部分重叠；
所述第二栅线通过所述第四过孔与所述第三辅助电极连接，所述第四过孔在所述衬底上的正投影与所述第二栅线在所述衬底上的正投影部分重叠。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极、栅线和数据线在所述衬底上的正投影覆盖所述栅绝缘层在所述衬底上的正投影。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括设置在所述衬底靠近所述有源层的遮光层、以及设置在所述遮光层靠近所述有源层的第二绝缘层，其中
所述遮光层在所述衬底上的正投影覆盖所述有源层在所述衬底上的正投影。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，
所述遮光层的材料包括Ti、Cu、MoNb和MTD中的至少一种；
和/或
所述第二绝缘层包括氧化硅和氮化硅中的至少一种。
9.一种制作如权利要求1-8中任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成半导体材料层；
图案化所述半导体材料层形成有源层、亚像素电极和亚第一辅助电极，所述有源层包括沟道部、位于所述沟道部两侧的第一导体部和第二导体部，所述第一导体部连接所述亚像素电极，所述第二导体部连接所述亚第一辅助电极；
形成覆盖所述有源层、亚像素电极、亚第一辅助电极和露出的衬底的栅绝缘材料层；
形成覆盖所述栅绝缘材料层的栅极材料层；
图案化所述栅极材料层形成栅极层，所述栅极层包括栅极、栅线和数据线，所述栅线在所述衬底上的正投影断开或所述数据线在所述衬底上的正投影断开；
图案化形成栅绝缘层并露出所述亚像素电极和亚第一辅助电极；
对所述亚像素电极和亚第一辅助电极进行导体化形成像素电极和第一辅助电极；
在所得到的结构上形成第一绝缘材料层；
图案化所述第一绝缘材料层形成第一绝缘层，所述第一绝缘层部分覆盖所述第一辅助电极；
在所述第一绝缘层和露出的第一辅助电极上形成公共电极层，所述公共电极层包括公共电极和与公共电极同层设置的第二辅助电极，所述栅线通过所述第二辅助电极连接或所述数据线通过所述第二辅助电极连接，所述数据线通过所述第二辅助电极与所述第一辅助电极连接。
10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述图案化形成栅绝缘层进一步包括：
以所述栅极层为掩模板进行图案化形成所述栅绝缘层。
11.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-8中任一项所述的阵列基板。
12.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求11所述的显示面板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210895168.8A CN115236907B (zh) | 2022-07-26 | 2022-07-26 | 一种阵列基板、显示面板、显示装置和制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210895168.8A CN115236907B (zh) | 2022-07-26 | 2022-07-26 | 一种阵列基板、显示面板、显示装置和制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115236907A true CN115236907A (zh) | 2022-10-25 |
| CN115236907B CN115236907B (zh) | 2023-11-03 |
Family
ID=83676639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210895168.8A Active CN115236907B (zh) | 2022-07-26 | 2022-07-26 | 一种阵列基板、显示面板、显示装置和制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115236907B (zh) |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |