CN111952291A - 一种大功率led模组 - Google Patents
一种大功率led模组 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111952291A CN111952291A CN202010786385.4A CN202010786385A CN111952291A CN 111952291 A CN111952291 A CN 111952291A CN 202010786385 A CN202010786385 A CN 202010786385A CN 111952291 A CN111952291 A CN 111952291A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- front surface
- led module
- spherical shell
- power led
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 5
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 8
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明提供了一种大功率LED模组,包括基板、LED芯片和散热器,若干LED芯片设置在所述基板的正面,所述散热器布置在所述基板的背面,所述基板为球形壳体,所述球形壳体的中心处于所述基板的背面一侧,所述基板的正面设置有若干梯形槽,所述梯形槽沿所述球形壳体的经线方向布置,所述梯形槽的截面为上端开口的梯形,上端开口的长度大于下端底边的长度;所述基板的正面设置有透明罩,所述透明罩和所述基板的正面形成密闭的惰气空间,所述惰气空间里充满了氦气。本发明使得基板的正面的温度分布更均匀,提高了LED的品质。
Description
技术领域
本发明涉及LED发光设备技术领域,尤其涉及一种大功率LED模组。
背景技术
LED是一种新型半导体固体光源,具有安全可靠性强、耗电量少、发光效率高等优点,与传统光源一样,LED在使用过程当中同样会产生大量的热量,尤其是大功率LED。温度过高,会加速芯片的老化,直接影响LED的使用寿命与发光效率。
为了解决LED散热问题,目前已有不少技术方案,一般均是通过改变LED模组的结构,使基板散热性更好,然而,这些方案虽然强化了基板的散热,但基板各处的温度分布不均匀,某些LED芯片仍处于高温状态,会出现部分LED芯片过早地老化或失效,影响了LED的品质。
发明内容
针对现有技术中所存在的不足,本发明提供了一种大功率LED模组,其解决了现有技术中存在的基板各处的温度分布不均匀,部分LED芯片过早地老化或失效,降低了LED的品质的问题。
根据本发明的实施例,一种大功率LED模组,包括基板、LED芯片和散热器,若干LED芯片设置在所述基板的正面,所述散热器布置在所述基板的背面,
所述基板为球形壳体,所述球形壳体的中心处于所述基板的背面一侧,所述基板的正面设置有若干梯形槽,所述梯形槽沿所述球形壳体的经线方向布置,所述梯形槽的截面为上端开口的梯形,上端开口的长度大于下端底边的长度;
所述基板的正面设置有透明罩,所述透明罩和所述基板的正面形成密闭的惰气空间,所述惰气空间里充满了氦气。
本发明的技术原理为:
一般来说,LED工作时,基板的正面朝下,由于基板的正面设计成向下鼓的球形壳体,在球形壳体的下表面设置了若干经向的梯形槽,在球形壳体的下表面还设置了充满氦气的密闭空间,当LED芯片发热时,会对LED芯片附近的氦气加热,氦气密度不一致会导致部分氦气沿梯形槽流动形成风谷,使得密闭空间内的氦气出现循环流动。由于氦气的散热系数很高,约为空气的散热能力的十倍,流动的氦气能迅速将高温的LED芯片的热量散失到低温的地方,从而使得整个基板的正面的温度分布更均匀。另外,氦气为惰性气体,能将LED芯片与氧气隔离,提高了LED芯片的寿命;基板背面的散热器也可以对基板的背面进行良好散热;梯形槽还能起到一定的聚光作用,提高了LED芯片的发光效率。
相比于现有技术,本发明具有如下有益效果:
通过将基板设计为球形壳体,所述球形壳体的中心处于所述基板的背面一侧,所述基板的正面设置有若干梯形槽,所述梯形槽沿所述球形壳体的经线方向布置,以及在基板正面覆盖氦气,使得基板的正面的温度分布更均匀,提高了LED的品质。梯形槽还能起到一定的聚光作用,提高了LED芯片的发光效率。
优选地,所述LED芯片布置在所述基板的正面的方式是:离基板中心的距离越远,LED芯片之间的间距越小。
由于边缘散热情况比较好,中心散热比较困难,在离基板中心比较近的地方将LED芯片之间的间距布置得比较大,在离基板中心比较远的地方布置得比较紧密,有利于将整个基板上的温度分布得比较均匀。
优选地,所述基板由铜制成。
优选地,所述散热器通过粘接剂粘接在所述基板的背面。
优选地,所述惰气空间的氦气的气压为1.5~2个大气压。
压力提高,能够提高氦气的密度,传热能力更强。
优选地,所述基板的正面抛光倒圆处理。
能提高基板正面的光反射效果。
附图说明
图1为本发明实施例的LED模组的剖视结构示意图。
图2为本发明实施例的LED模组去掉透明罩后的主视示意图。
图3为图2的A-A剖视图。
图4为图2的B-B剖视图。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明中的技术方案进一步说明。
如图1-2所示,一种大功率LED模组,若干LED芯片4通过银胶粘贴在基板1的正面,离基板1中心的距离越远,LED芯片4之间的间距越小。散热器3通过粘接剂粘接在基板1的背面。基板1由铜制成,以提高基板1的散热能力。基板1为球形壳体,边缘有翻边以便于安装透明罩2。球形壳体的中心处于基板1的背面一侧,使得基板1的正面为球形壳体的外表面,基板1的背面为球形壳体的内表面。
如图3,透明罩2和基板1的正面形成密闭的惰气空间5,惰气空间5里充满了氦气,最好是,惰气空间5的氦气的气压为1.5~2个大气压,该气压对设备的气密性要求不高,便于生产制造,但能显著提高氦气的吸热能力,以更好地将高温地方的热量带到低温地方,基板1的正面抛光倒圆处理。
如图4,基板1的正面设置有若干梯形槽11,梯形槽11沿球形壳体的经线方向布置,梯形槽11的截面为上端开口的梯形,上端开口的长度大于下端底边的长度。
最后说明的是,以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制,尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本发明技术方案的宗旨和范围,其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。
Claims (6)
1.一种大功率LED模组,包括基板(1)、LED芯片(4)和散热器(3),若干LED芯片(4)设置在所述基板(1)的正面,所述散热器(3)布置在所述基板(1)的背面,其特征在于:
所述基板(1)为球形壳体,所述球形壳体的中心处于所述基板(1)的背面一侧,所述基板(1)的正面设置有若干梯形槽(11),所述梯形槽(11)沿所述球形壳体的经线方向布置,所述梯形槽(11)的截面为上端开口的梯形,上端开口的长度大于下端底边的长度;
所述基板(1)的正面设置有透明罩(2),所述透明罩(2)和所述基板(1)的正面形成密闭的惰气空间(5),所述惰气空间(5)里充满了氦气。
2.如权利要求1所述的一种大功率LED模组,其特征在于,所述LED芯片(4)布置在所述基板(1)的正面的方式是:离基板(1)中心的距离越远,LED芯片(4)之间的间距越小。
3.如权利要求1所述的一种大功率LED模组,其特征在于,所述基板(1)由铜制成。
4.如权利要求1所述的一种大功率LED模组,其特征在于,所述散热器(3)通过粘接剂粘接在所述基板(1)的背面。
5.如权利要求1所述的一种大功率LED模组,其特征在于,所述惰气空间(5)的氦气的气压为1.5~2个大气压。
6.如权利要求1所述的一种大功率LED模组,其特征在于,所述基板(1)的正面抛光倒圆处理。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010786385.4A CN111952291A (zh) | 2020-08-07 | 2020-08-07 | 一种大功率led模组 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010786385.4A CN111952291A (zh) | 2020-08-07 | 2020-08-07 | 一种大功率led模组 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111952291A true CN111952291A (zh) | 2020-11-17 |
Family
ID=73332718
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010786385.4A Pending CN111952291A (zh) | 2020-08-07 | 2020-08-07 | 一种大功率led模组 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111952291A (zh) |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110037091A1 (en) * | 2008-04-23 | 2011-02-17 | C.I. Kasei Company Limited | Package for light emitting diode, light emitting device, and light emitting device manufacturing method |
CN103515369A (zh) * | 2013-10-09 | 2014-01-15 | 电子科技大学 | 一种led模组基板 |
CN103594615A (zh) * | 2013-11-15 | 2014-02-19 | 电子科技大学 | 大功率led模组 |
CN204083870U (zh) * | 2014-07-03 | 2015-01-07 | 伍丽萍 | 一种led球泡灯 |
CN104633525A (zh) * | 2013-11-06 | 2015-05-20 | 安徽格锐特光电科技有限公司 | 一种耐用型led路灯 |
WO2016061813A1 (zh) * | 2014-10-24 | 2016-04-28 | 苏州汉克山姆照明科技有限公司 | 具有中空式led发光体的灯泡 |
CN106287466A (zh) * | 2016-10-25 | 2017-01-04 | 苏州承腾电子科技有限公司 | Led防爆灯 |
CN106440874A (zh) * | 2016-10-31 | 2017-02-22 | 中冶赛迪工程技术股份有限公司 | 一种焦炭烘干系统及烘干方法 |
WO2017070818A1 (zh) * | 2015-10-26 | 2017-05-04 | 苏州汉克山姆照明科技有限公司 | 一种兼具展示功能的灯泡 |
CN206738952U (zh) * | 2016-11-01 | 2017-12-12 | 中山市美棋照明科技有限公司 | 一种便于更换消光圈的led灯具 |
CN108687343A (zh) * | 2018-08-02 | 2018-10-23 | 东莞市依诺电子科技有限公司 | 一种伴烧防变形烧结治具及其材料 |
JP2020021547A (ja) * | 2018-07-30 | 2020-02-06 | 株式会社Smaco技術研究所 | Led照明装置 |
-
2020
- 2020-08-07 CN CN202010786385.4A patent/CN111952291A/zh active Pending
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110037091A1 (en) * | 2008-04-23 | 2011-02-17 | C.I. Kasei Company Limited | Package for light emitting diode, light emitting device, and light emitting device manufacturing method |
CN103515369A (zh) * | 2013-10-09 | 2014-01-15 | 电子科技大学 | 一种led模组基板 |
CN104633525A (zh) * | 2013-11-06 | 2015-05-20 | 安徽格锐特光电科技有限公司 | 一种耐用型led路灯 |
CN103594615A (zh) * | 2013-11-15 | 2014-02-19 | 电子科技大学 | 大功率led模组 |
CN204083870U (zh) * | 2014-07-03 | 2015-01-07 | 伍丽萍 | 一种led球泡灯 |
WO2016061813A1 (zh) * | 2014-10-24 | 2016-04-28 | 苏州汉克山姆照明科技有限公司 | 具有中空式led发光体的灯泡 |
WO2017070818A1 (zh) * | 2015-10-26 | 2017-05-04 | 苏州汉克山姆照明科技有限公司 | 一种兼具展示功能的灯泡 |
CN106287466A (zh) * | 2016-10-25 | 2017-01-04 | 苏州承腾电子科技有限公司 | Led防爆灯 |
CN106440874A (zh) * | 2016-10-31 | 2017-02-22 | 中冶赛迪工程技术股份有限公司 | 一种焦炭烘干系统及烘干方法 |
CN206738952U (zh) * | 2016-11-01 | 2017-12-12 | 中山市美棋照明科技有限公司 | 一种便于更换消光圈的led灯具 |
JP2020021547A (ja) * | 2018-07-30 | 2020-02-06 | 株式会社Smaco技術研究所 | Led照明装置 |
CN108687343A (zh) * | 2018-08-02 | 2018-10-23 | 东莞市依诺电子科技有限公司 | 一种伴烧防变形烧结治具及其材料 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN202040649U (zh) | 一种热管散热大功率led路灯 | |
CN106920870B (zh) | 一种大功率紫外led芯片共晶焊倒装结构 | |
CN110513665A (zh) | 一种散热结构及其散热方法 | |
CN202834815U (zh) | 一种led灯 | |
CN212960955U (zh) | 一种散热效果好的led灯 | |
CN101387391A (zh) | Led灯具 | |
CN111952291A (zh) | 一种大功率led模组 | |
CN201893378U (zh) | 一种led散热封装结构 | |
CN202423289U (zh) | 一种led发光模组 | |
CN211045476U (zh) | 一种固晶贴片的led灯珠 | |
KR101142375B1 (ko) | Led 냉각 장치 및 그 제조 방법 | |
CN214198213U (zh) | 一种快速散热的led灯珠 | |
CN109817789B (zh) | 一种cob封装及其制备方法 | |
CN202125840U (zh) | 路灯 | |
CN215377408U (zh) | 基于cob封装的led光源结构 | |
CN202501270U (zh) | 一种led日光灯 | |
CN201803186U (zh) | Led球灯泡 | |
CN221463649U (zh) | 一种集成led远近光模组散热结构 | |
CN201284939Y (zh) | Led灯具 | |
CN201293296Y (zh) | 一种带散热翅片的led灯 | |
CN201166348Y (zh) | 高散热性led照明装置 | |
CN205842265U (zh) | 一种大功率led陶瓷灯 | |
CN218209113U (zh) | 一种低衰耗半导体发光led模组 | |
CN210373355U (zh) | Led灯散热器 | |
CN213093224U (zh) | 一种led封装结构 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20201117 |