CN111951868B - 一种控制擦除的方法和装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种控制擦除的方法和装置。所述方法包括：对目标存储单元执行擦除操作，对执行过擦除操作的目标存储单元执行第一擦除验证操作，若执行过擦除操作的目标存储单元通过第一擦除验证，则对执行过擦除操作的目标存储单元执行目标数量验证操作，若通过目标数量验证操作的目标存储单元的数量达到预设目标数量，跳过软编程操作，对执行过擦除操作的目标存储单元执行上限验证操作。采用本发明的方法，跳过了软编程和软编程之后的软编程验证，缩短Nand flash存储器完成擦除操作后到可以继续执行下一个操作之间的时间，极大提高Nand flash存储器的工作效率的同时，还避免了现有技术执行软编程后可能出现的“过编程”情况，减轻对存储单元使用寿命的损伤。

Description

一种控制擦除的方法和装置

技术领域

本发明涉及存储领域，尤其涉及一种控制擦除的方法和装置。

背景技术

目前Nand flash存储器采用的擦除操作为接收擦除操作指令，执行擦除操作指令对应的擦除操作，具体过程为执行擦除验证操作，若是存储单元未通过擦除验证，则执行擦除加压操作，擦除加压操作结束后再执行擦除验证操作，如此循环，直到擦除操作成功或者达到擦除循环次数的上限。

目前Nand flash存储器执行擦除操作的过程中，因为各方面的原因，可能会导致一些存储单元被擦的比较深，这些被擦的比较深的存储单元在后续执行编程操作时会比较困难，并且擦的过深也对存储单元的使用寿命产生较大影响。因此现有技术为了收紧擦除操作完成之后存储单元的阈值电压分布，以及把被擦的比较深的存储单元的阈值电压抬高一些，通常会在执行完成擦除操作之后，再对执行过擦除操作的存储单元执行一个软编程，但因为软编程采用的电压值大小并不能根据存储单元的阈值电压，达到很精确的控制，为了抬高被擦的比较深的存储单元的阈值电压，执行软编程很有可能使得本身阈值电压就接近甚至稍微超过擦除验证电压，但依然通过擦除验证的存储单元的阈值电压超过Nandflash存储器中规定的，执行过擦除操作的存储单元的阈值电压允许达到的上限值，这样现象被称为“过编程”。

若是执行过擦除操作的存储单元，在执行软编程后出现“过编程”的情况，则Nandflash存储器就需要再次对这些存储单元执行擦除操作，这极大降低了Nand flash存储器的工作效率，并且再次执行擦除操作还可能会使得存储单元被过擦除，更加加剧了对存储单元使用寿命的损伤。

发明内容

本发明提供一种控制擦除的方法和装置，解决了执行过擦除操作的存储单元，在执行软编程后出现“过编程”情况的问题。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种控制擦除的方法，所述方法应用于Nand flash存储器，所述Nand flash存储器包括：多个存储单元，所述方法包括：

对目标存储单元执行擦除操作，所述目标存储单元为所述多个存储单元中至少一个存储单元；

对执行过所述擦除操作的目标存储单元执行第一擦除验证操作；

若执行过所述擦除操作的目标存储单元通过第一擦除验证，则对执行过所述擦除操作的目标存储单元执行目标数量验证操作，所述目标数量验证操作为检测通过第一擦除验证的目标存储单元数量的操作；

若通过目标数量验证操作的目标存储单元的数量达到预设目标数量，跳过软编程操作，对执行过所述擦除操作的目标存储单元执行上限验证操作，所述上限验证操作为验证预设目标数量的目标存储单元的阈值电压是否小于预设上限电压的操作，所述预设上限电压为执行过所述擦除操作的目标存储单元的阈值电压允许达到的上限值。

可选地，若执行过所述擦除操作的目标存储单元通过第一擦除验证，则对执行过所述擦除操作的目标存储单元执行目标数量验证操作，包括：

若执行过所述擦除操作的目标存储单元通过所述第一擦除验证，则采用与所述第一擦除验证操作相同的验证电压，对执行过所述擦除操作的目标存储单元执行第二擦除验证操作；

检测通过第二擦除验证的目标存储单元的数量。

可选地，所述预设目标数量的取值为：

小于等于通过第一擦除验证的目标存储单元的数量。

可选地，在对执行过所述擦除操作的目标存储单元执行第一擦除验证操作之后，所述方法还包括：

若执行过所述擦除操作的目标存储单元未通过所述第一擦除验证操作，则继续对所述目标存储单元执行所述擦除操作。

可选地，在对执行过所述擦除操作的目标存储单元执行目标数量验证操作之后，所述方法还包括：

若通过目标数量验证操作的目标存储单元的数量未达到所述预设目标数量，则对所述目标存储单元执行所述软编程操作。

可选地，在对执行过所述擦除操作的目标存储单元执行上限验证操作之后，所述方法还包括：

若通过目标数量验证操作的目标存储单元的阈值电压高于所述预设上限电压，则对所述目标存储单元执行所述擦除操作。

可选地，在对执行过所述擦除操作的目标存储单元执行上限验证操作之后，所述方法还包括：

若执行过所述擦除操作的目标存储单元的阈值电压小于预设上限电压，则在接收到编程操作指令后，对执行过所述擦除操作的目标存储单元执行编程操作指令对应的编程操作。

本发明实施例还提供了一种控制擦除的装置，所述装置应用于Nand flash存储器，所述Nand flash存储器包括：多个存储单元，所述装置包括：

执行擦除模块，用于对目标存储单元执行擦除操作，所述目标存储单元为所述多个存储单元中至少一个存储单元；

执行第一验证模块，用于对执行过所述擦除操作的目标存储单元执行第一擦除验证操作；

目标数量验证模块，用于若执行过所述擦除操作的目标存储单元通过第一擦除验证，则对执行过所述擦除操作的目标存储单元执行目标数量验证操作，所述目标数量验证操作为检测通过第一擦除验证的目标存储单元数量的操作；

上限验证模块，用于若通过目标数量验证操作的目标存储单元的数量达到预设目标数量，跳过软编程操作，对执行过所述擦除操作的目标存储单元执行上限验证操作，所述上限验证操作为验证预设目标数量的目标存储单元的阈值电压是否小于预设上限电压的操作，所述预设上限电压为执行过所述擦除操作的目标存储单元的阈值电压允许达到的上限值。

可选地，所述目标数量验证模块包括：

执行第二验证子模块，用于若执行过所述擦除操作的目标存储单元通过所述第一擦除验证，则采用与所述第一擦除验证操作相同的验证电压，对执行过所述擦除操作的目标存储单元执行第二擦除验证操作；

检测数量子模块，用于检测通过第二擦除验证的目标存储单元的数量。

可选地，所述装置还包括：

执行编程模块，用于若执行过所述擦除操作的目标存储单元的阈值电压小于预设上限电压，则在接收到编程操作指令后，对执行过所述擦除操作的目标存储单元执行编程操作指令对应的编程操作。

与现有技术相比，本发明提供的一种控制擦除的方法和装置，对目标存储单元执行擦除操作，之后对执行过擦除操作的目标存储单元执行第一擦除验证操作，若执行过擦除操作的目标存储单元通过第一擦除验证，则对执行过擦除操作的目标存储单元执行目标数量验证操作，若通过目标数量验证操作的目标存储单元的数量达到预设目标数量，跳过软编程操作，对执行过擦除操作的目标存储单元执行上限验证操作。采用本发明的方法，对存储单元执行完擦除验证操作后，再执行一个目标数量验证的操作，若是存储单元达到目标数量后，跳过软编程，即不执行软编程操作，这样就不会出现“过编程”的情况，就不需要再执行擦除操作，这样极大提高了Nand flash存储器的工作效率，同时避免因再次执行擦除操作使得存储单元被过擦除，加剧对存储单元使用寿命损伤的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是现有技术Nand flash存储器执行擦除操作后执行软编程方式的示意图；

图2是本发明实施例的一种控制擦除的方法的流程图；

图3是本发明实施例控制擦除方法的示意图；

图4是本发明实施例的一种控制擦除的装置的框图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

图1示出了现有技术Nand flash存储器执行擦除操作后执行软编程方式的示意图，假设Nand flash存储器采用的擦除验证电压为0V，在对一个块执行擦除操作时，允许4byte大小的存储单元的阈值电压在0V以上，4byte大小的存储单元对应10个存储单元，一个块包含的存储单元为100个，上限值为0.3V。

对Nand flash存储器中编号006的块(block)执行擦除操作(图1中erase)，之后对006块执行擦除验证操作(图1中ev)，编号006的块包含的100存储单元中有10个存储单元的阈值电压在0V以上，90个存储单元的阈值电压在0V以下，认为本次擦除操作成功(图1中evpass)，之后执行软编程操作(图1中sgpm)。

以远小于编程操作时的电压对006块执行软编程操作后，执行软编程验证操作(图1中brtspv)，验证本次软编程操作后，006块中被擦的比较深的存储单元的阈值电压是否被抬高，若是006块中被擦的比较深的存储单元的阈值电压被抬高(图1中brtspv pass)，则执行上限验证操作(图1中spv)，执行上限验证操作后，006块包含的存储单元的阈值电压均在上限值0.3V以下(图1中spv pass)，则006块包含的存储单元可以继续执行后续其他操作，这个过程中因为存在了软编程操作和软编程验证操作，所以延长了Nand flash存储器完成擦除操作之后到可以继续执行下一个操作之间的时间，导致Nand flash存储器的工作效率低下。

上述软编程操作时，由于软编程操作采用的电压值大小并不能根据存储单元的阈值电压，达到很精确的控制，因此很大概率会使得编号006的块中10个阈值电压在0V以上的存储单元被软编程后，其阈值电压超过上限值0.3V，从而导致“过编程”(图1中spv fail)。出现“过编程”之后，就需要再次对006块执行擦除操作，这样不但极大的降低了Nand flash存储器的工作效率，同时还对存储单元使用寿命的产生损伤。

针对现有技术存在的问题，发明人结合Nand flash存储器的工作机制和存储单元特性，深入研究解决问题的方法，创造性提出在擦除验证之后、软编程操作之前先执行一次目标数量验证操作，在满足条件的情况下跳过软编程操作和软编程验证操作，直接执行上限验证操作，在提高了Nand flash存储器的工作效率的同时，还避免了执行软编程后可能出现的“过编程”情况。以下对本发明实施例进行详细的解释和说明。

图2示出了本发明实施例的一种控制擦除方法的流程图。该方法应用于Nandflash存储器，Nand flash存储器包括：多个存储单元，控制擦除的方法包括如下步骤：

步骤101：对目标存储单元执行擦除操作，目标存储单元为多个存储单元中至少一个存储单元。

本发明实施例中，Nand flash存储器执行擦除操作是以块为单位进行的，因为一个块包含多个存储单元，所以一次擦除操作会对多个存储单元同时执行擦除。

步骤102：对执行过擦除操作的目标存储单元执行第一擦除验证操作。

本发明实施例中，Nand flash存储器执行擦除操作采用一次擦除验证操作和一次擦除加压操作这样的方式循环，擦除操作结束的标准是：

1、执行过擦除操作的存储单元的阈值电压在擦除验证电压之下；

2、擦除循环次数达到上限。

一般情况下，对一个块的存储单元执行擦除操作，该块中所有存储单元的阈值电压在擦除验证电压之下，才认为该块擦除成功，但因为存储单元自身的特性，考虑到各方面的因素，Nand flash存储器规定，若是执行擦除操作的块中有若干个存储单元的阈值电压在擦除验证电压之上，则认为该块的擦除操作成功，而若干个存储单元的具体数量是经过Nand flash存储器出厂时大量的实地测试和仿真计算得出的最佳值。例如Nand flash存储器采用的擦除验证电压为0V，在对一个块执行擦除操作时，允许4byte大小的存储单元的阈值电压在0V以上，即：当有4byte大小或4byte大小以下的存储单元的阈值电压在0V以上，则认为该块被成功擦除。需要说明的是，允许若干数量的存储单元的阈值电压在擦除验证电压之上，但是这若干数量的存储单元的阈值电压不能超过上限值，若是执行擦除操作的块中有任一一个存储单元的阈值电压超过上限值，那么都必须再次执行擦除操作，关于上限值的解释和说明在下文相关处，在此先不作赘述。

步骤103：若执行过擦除操作的目标存储单元通过第一擦除验证，则对执行过擦除操作的目标存储单元执行目标数量验证操作，目标数量验证操作为检测通过第一擦除验证的目标存储单元数量的操作。

本发明实施例中，若执行过擦除操作的目标存储单元执行擦除验证操作，并且验证通过，即认为目标存储单元擦除操作成功，之后对这些存储单元执行目标数量验证操作，验证通过擦除验证的目标存储单元的数量是否达到预设目标数量。若执行过擦除操作的目标存储单元执行擦除验证操作，而验证未通过，即认为目标存储单元擦除操作不成功，则继续对目标存储单元执行擦除操作。例如Nand flash存储器采用的擦除验证电压为0V，在对一个块执行擦除操作时，允许4byte大小的存储单元的阈值电压在0V以上。当有4byte大小或4byte大小以下的存储单元的阈值电压在0V以上，则认为该块被成功擦除，之后继续执行目标数量验证操作；若是有4byte大小以上的存储单元的阈值电压在0V以上，则认为该块未被成功擦除，需要继续对该块执行擦除操作，直到有4byte大小或4byte大小以下的存储单元的阈值电压在0V以上。

可选地，步骤103包括：

步骤103a：若执行过擦除操作的目标存储单元通过第一擦除验证，则采用与第一擦除验证操作相同的验证电压，对执行过擦除操作的目标存储单元执行第二擦除验证操作；

步骤103b：检测通过第二擦除验证的目标存储单元的数量。

本发明实施例中，若执行过擦除操作的目标存储单元通过擦除验证，之后执行目标数量验证操作时，采用与擦除验证操作相同的验证电压，对目标存储单元再执行一次擦除验证操作。例如执行过擦除操作的目标存储单元通过擦除验证时采用的验证电压为0V，则目标数量验证操作时也采用0V电压执行，若是执行过擦除操作的目标存储单元通过擦除验证时采用的验证电压为0.1V，则目标数量验证操作时也采用0.1V电压执行。

再一次对目标存储单元执行擦除验证操作(即执行目标数量验证操作)，是为了检测通过本次擦除验证的目标存储单元的数量是否达到预设的目标数量。预设目标数量的取值为：小于等于通过擦除验证的目标存储单元的数量，设定该预设目标数量目的是：判断通过擦除验证的存储单元是否执行软编程。例如：Nand flash存储器采用的擦除验证电压为0V，在对一个块执行擦除操作时，允许4byte大小的存储单元的阈值电压在0V以上，假设4byte大小的存储单元的数量为10个，那么对该块执行软编程后，这10个存储单元阈值电压在0V以上的存储单元可能会出现“过编程”，若是不对该块执行软编程，那么在对之前执行擦除操作时被擦的较深的存储单元执行编程操作时就会比较困难，并且该块中存储单元的阈值电压分布比较分散，同样也不利于后续的编程操作。

基于上述原因，结合存储单元自身特性，需要对通过擦除验证的块包含的存储单元设定一个合适的目标数量，若是达到该目标数量，则认为本次擦除操作后，该块不需要执行软编程，该块在被擦除后，其包含的存储单元的阈值电压分布相较于擦除操作后，通过擦除验证的块包含的存储单元未达到上述目标数量时的阈值电压分布更集中些，并且存储单元相对不会被擦的过深，后续在编程操作时，通过擦除验证的块包含的存储单元达到上述目标数量的块执行编程操作会比较容易些。而若是本次擦除操作后，通过擦除验证的块包含的存储单元的数量未达到上述目标数量，则认为本次擦除操作后，通过擦除验证的块包含的存储单元的阈值电压分布比较分散，并且存储单元可能存在被擦的过深的情况，因此需要执行软编程。另一种情况，若是本次擦除操作后，通过擦除验证的块包含的存储单元的数量达到并且超过上述目标数量，则也认为本次擦除操作后，该块不需要执行软编程。而具体确定这个预设目标数量的多少，是在Nand flash存储器出厂时大量的实地测试和仿真计算，再结合Nand flash存储器允许的阈值电压超过擦除验证电压的存储单元的数量，得出的目标数量值，每一个Nand flash存储器可能设定的目标数量都不一样。

例如：Nand flash存储器采用的擦除验证电压为0V，在对一个块执行擦除操作时，允许4byte大小的存储单元的阈值电压在0V以上，假设4byte大小的存储单元的数量为10个，预设目标数量为5个，那么若通过目标数量验证操作的存储单元的数量达到5个或者5个以上，那么就认为本次擦除操作成功后，块包含的存储单元的阈值电压分布比较集中，并且存储单元中没有被擦的过深的，此时跳过软编程，继续执行后续操作；若通过目标数量验证操作的存储单元的数量未达到5个，那么就认为本次擦除操作成功后，块包含的存储单元的阈值电压分布比较分散，并且存储单元中可能有被擦的过深的，此时需要执行软编程。

步骤104：若通过目标数量验证操作的目标存储单元的数量达到预设目标数量，跳过软编程操作，对执行过擦除操作的目标存储单元执行上限验证操作，上限验证操作为验证预设目标数量的目标存储单元的阈值电压是否小于预设上限电压的操作，预设上限电压为执行过擦除操作的目标存储单元的阈值电压允许达到的上限值。

本发明实施例中，在通过目标数量验证操作的目标存储单元的数量达到预设目标数量，跳过软编程操作后，还需要对执行过擦除操作的目标存储单元执行一个上限验证操作。上限验证操作是为了验证预设目标数量的目标存储单元的阈值电压是否小于Nandflash存储器规定的，执行过擦除操作的目标存储单元的阈值电压允许达到的上限值，设定上限值的原因是：Nand flash存储器执行擦除操作后，可能会出现一种情况，擦除操作成功所允许的若干个高于擦除验证电压的存储单元，其阈值电压可能会高于上限值，而对这些阈值电压高于上限值的存储单元执行编程操作时，会把这些存储单元的阈值电压打到较高的电压，这样同样会使得最终编程成功后，执行过编程操作的存储单元的阈值电压分布比较分散，并且存储单元阈值电压过高会使得对其执行擦除操作同样比较困难，与擦除被擦的过深一样，编程之后存储单元阈值电压过高也对存储单元的使用寿命产生较大影响。

基于上述原因，Nand flash存储器规定了一个执行过擦除操作的存储单元的阈值电压允许达到的上限值，若是执行过擦除操作的存储单元的阈值电压超过该上限值，则必须再次执行擦除操作。例如：Nand flash存储器采用的擦除验证电压为0V，在对一个块执行擦除操作时，允许4byte大小的存储单元的阈值电压在0V以上，预设目标数量为5，上限值为0.3V，则不论采用本发明方案：该块执行擦除操作后包含的存储单元的数量达到预设目标数量5，跳过软编程，还是采用现有技术需要执行软编程，只要上限验证操作确定在0V以上的4byte大小的存储单元中任一一个的阈值电压超过0.3V，则都必须对该块重新执行擦除操作，重复以上步骤101～步骤104，直到满足执行后续操作的条件。而若是该块执行擦除操作后包含的存储单元的数量达到预设目标数量5，并且上限验证操作确定该块包含的存储单元的阈值电压全部在0.3V以下，则该块包含的存储单元才可以继续执行后续其他操作，假如该块包含的存储单元接收到编程操作指令，则对该块包含的存储单元执行编程操作指令对应的编程操作。采用本发明的方案，跳过了软编程，避免了现有技术执行软编程后可能出现的“过编程”情况，减轻了对存储单元使用寿命的损伤，同时还极大提高了Nand flash存储器的工作效率。

参照图3，示出了本发明实施例控制擦除方法的示意图，假设Nand flash存储器采用的擦除验证电压为0V，在对一个块执行擦除操作时，允许4byte大小的存储单元的阈值电压在0V以上，4byte大小的存储单元对应10个存储单元，一个块包含的存储单元为100个，预设目标数量为5，上限值为0.3V。

对Nand flash存储器中编号007的块(block)执行擦除操作(图3中erase)，之后对007块执行擦除验证操作(图3中ev)，编号007的块包含的100存储单元中有10个存储单元的阈值电压在0V以上，90个存储单元的阈值电压在0V以下，认为本次擦除操作成功(图3中evpass)，之后执行目标数量验证操作(图3中pre-brtspv)。

以0V电压对007块执行目标数量验证操作后，检测通过本次目标数量验证的存储单元数量为5，符合预设目标数量(图3中pre-brtspv pass)跳过软编程(图3中spgm)和软编程验证(brtspv)的过程，执行上限验证操作(图3中spv)，执行上限验证操作后，007块包含的存储单元的阈值电压均在0.3V以下(图3中spv pass)，则007块包含的存储单元可以继续执行后续其他操作，假如该块包含的存储单元接收到编程操作指令，就直接对007块包含的存储单元执行编程操作指令对应的编程操作。这样做跳过了软编程和软编程之后的软编程验证，缩短了Nand flash存储器完成擦除操作之后到可以继续执行下一个操作之间的时间，极大提高Nand flash存储器的工作效率的同时，还避免了现有技术执行软编程后可能出现的“过编程”情况，减轻了对存储单元使用寿命的损伤。

需要说的是，以上实施中例举的数据只是为了更好的解释本发明实施例而例举的简单数据，并不代表Nand flash存储器实际的具体数据。

图4示出了本发明实施例的一种控制擦除的装置的框图，该装置应用于Nandflash存储器，Nand flash存储器包括：多个存储单元，控制擦除的装置包括：

执行擦除模块310，用于对目标存储单元执行擦除操作，目标存储单元为多个存储单元中至少一个存储单元；

执行第一验证模块320，用于对执行过擦除操作的目标存储单元执行第一擦除验证操作；

目标数量验证模块330，用于若执行过擦除操作的目标存储单元通过第一擦除验证，则对执行过擦除操作的目标存储单元执行目标数量验证操作，目标数量验证操作为检测通过第一擦除验证的目标存储单元数量的操作；

上限验证模块340，用于若通过目标数量验证操作的目标存储单元的数量达到预设目标数量，跳过软编程操作，对执行过擦除操作的目标存储单元执行上限验证操作，上限验证操作为验证预设目标数量的目标存储单元的阈值电压是否小于预设上限电压的操作，预设上限电压为执行过擦除操作的目标存储单元的阈值电压允许达到的上限值。

可选地，目标数量验证模块330包括：

执行第二验证子模块3301，用于若执行过擦除操作的目标存储单元通过第一擦除验证，则采用与第一擦除验证操作相同的验证电压，对执行过擦除操作的目标存储单元执行第二擦除验证操作；

检测数量子模块3302，用于检测通过第二擦除验证的目标存储单元的数量。

可选地，控制擦除的装置还包括：

执行编程模块350，用于若执行过擦除操作的目标存储单元的阈值电压小于预设上限电压，则在接收到编程操作指令后，对执行过擦除操作的目标存储单元执行编程操作指令对应的编程操作。

通过上述实施例，本发明在对目标存储单元执行擦除操作后，对执行过擦除操作的目标存储单元执行第一擦除验证操作，若执行过擦除操作的目标存储单元未通过第一擦除验证，则对执行过擦除操作的目标存储单元继续执行擦除操作；若执行过擦除操作的目标存储单元通过第一擦除验证，则对执行过擦除操作的目标存储单元执行目标数量验证操作，若通过目标数量验证操作的目标存储单元的数量未达到预设目标数量，则按照现有技术方案执行软编程以及软编程之后的操作；若通过目标数量验证操作的目标存储单元的数量达到预设目标数量，跳过软编程操作，直接对执行过擦除操作的目标存储单元执行上限验证操作。采用本发明的方法，跳过了软编程和软编程之后的软编程验证，缩短了Nandflash存储器完成擦除操作之后到可以继续执行下一个操作之间的时间，极大提高Nandflash存储器的工作效率的同时，还避免了现有技术执行软编程后可能出现的“过编程”情况，减轻了对存储单元使用寿命的损伤。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。

上面结合附图对本发明的实施例进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，这些均属于本发明的保护之内。

Claims (10)

1.一种控制擦除的方法，其特征在于，所述方法应用于Nand flash存储器，所述Nandflash存储器包括：多个存储单元，所述方法包括：

对多个存储单元执行擦除操作；

对执行过所述擦除操作的多个存储单元执行第一擦除验证操作；

若执行过所述擦除操作的多个存储单元中有不大于第一数量字节的存储单元未通过第一擦除验证，则对不大于第一数量字节的存储单元执行目标数量验证操作，所述目标数量验证操作为检测不大于第一数量字节的存储单元中阈值电压大于第一擦除验证的验证电压的存储单元数量的操作；

若通过目标数量验证操作的目标存储单元的数量达到预设目标数量，跳过软编程操作，对所述目标存储单元执行上限验证操作，所述上限验证操作为验证所述目标存储单元的阈值电压是否小于预设上限电压的操作，所述预设上限电压为所述目标存储单元的阈值电压允许达到的上限值。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，若执行过所述擦除操作的多个存储单元中有不大于第一数量字节的存储单元未通过第一擦除验证，则对不大于第一数量字节的存储单元执行目标数量验证操作，包括：

若执行过所述擦除操作的多个存储单元中有不大于第一数量字节的存储单元未通过所述第一擦除验证，则采用与所述第一擦除验证操作相同的验证电压，对不大于第一数量字节的存储单元中所有存储单元执行第二擦除验证操作；

检测阈值电压大于第二擦除验证的验证电压的目标存储单元的数量。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设目标数量的取值依据为：

若有数量不小于所述预设目标数量的目标存储单元，则执行过擦除操作的多个存储单元的阈值电压分布比较集中，并且多个存储单元中没有被擦的过深的存储单元，无需执行软编程。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对执行过所述擦除操作的多个存储单元执行第一擦除验证操作之后，所述方法还包括：

若执行过所述擦除操作的多个存储单元中有大于所述第一数量字节的存储单元未通过所述第一擦除验证操作，则继续对所述多个存储单元执行所述擦除操作。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对不大于第一数量字节的存储单元执行目标数量验证操作之后，所述方法还包括：

若通过目标数量验证操作的目标存储单元的数量未达到所述预设目标数量，则对所述目标存储单元执行所述软编程操作。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对所述目标存储单元执行上限验证操作之后，所述方法还包括：

若通过目标数量验证操作的目标存储单元的阈值电压高于所述预设上限电压，则对所述目标存储单元执行所述擦除操作。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对所述目标存储单元执行上限验证操作之后，所述方法还包括：

若所述目标存储单元的阈值电压小于所述预设上限电压，则在接收到编程操作指令后，对所述目标存储单元执行编程操作指令对应的编程操作。

8.一种控制擦除的装置，其特征在于，所述装置应用于Nand flash存储器，所述Nandflash存储器包括：多个存储单元，所述装置包括：

执行擦除模块，用于对多个存储单元执行擦除操作；

执行第一验证模块，用于对执行过所述擦除操作的多个存储单元执行第一擦除验证操作；

目标数量验证模块，用于若执行过所述擦除操作的多个存储单元中有不大于第一数量字节的存储单元未通过第一擦除验证，则对不大于第一数量字节的存储单元执行目标数量验证操作，所述目标数量验证操作为检测不大于第一数量字节的存储单元中阈值电压大于第一擦除验证的验证电压的存储单元数量的操作；

上限验证模块，用于若通过目标数量验证操作的目标存储单元的数量达到预设目标数量，跳过软编程操作，对所述目标存储单元执行上限验证操作，所述上限验证操作为验证所述目标存储单元的阈值电压是否小于预设上限电压的操作，所述预设上限电压为所述目标存储单元的阈值电压允许达到的上限值。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述目标数量验证模块包括：

执行第二验证子模块，用于若执行过所述擦除操作的多个存储单元中有不大于第一数量字节的存储单元未通过所述第一擦除验证，则采用与所述第一擦除验证操作相同的验证电压，对不大于第一数量字节的存储单元中所有存储单元执行第二擦除验证操作；

检测数量子模块，用于检测阈值电压大于第二擦除验证的验证电压的目标存储单元的数量。

10.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

执行编程模块，用于若所述目标存储单元的阈值电压小于所述预设上限电压，则在接收到编程操作指令后，对所述目标存储单元执行编程操作指令对应的编程操作。

Images