CN111951835A - 磁记录装置及其的磁头控制方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的实施方式提供即便近场光元件发生历时变化也能够维持以所设定的线记录密度(BPI)、磁道密度(TPI)记录的信号品质从而能够保持长期可靠性的磁记录装置及其的磁头控制方法。实施方式的磁记录装置，在初始过程中测定所述盘的记录信号品质并保存，在数据记录前检查所述记录信号品质，将在检查中获得了的记录信号品质与保存了的初始过程中的记录信号品质相比较来判定是否满足基准，基于判定结果，调整光照射元件的光照射功率以使得满足基准，基于调整结果决定读偏移量，基于所决定出的读偏移量进行控制以使读头的位置移位。

Description

磁记录装置及其的磁头控制方法
关联申请
本申请享受以日本专利申请2019-93786号(申请日：2019年5月17日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及采用了垂直记录方式的磁记录装置及其的磁头控制方法。
背景技术
近年，在磁记录装置(例如，硬盘装置(Hard Disk Drive：HDD)中，为了实现高记录容量化，开发出了被称作瓦记录方式(Shingled write Magnetic Recording(SMR)或Shingled Write Recording(SWR))的记录技术。在该瓦记录方式下，在向磁盘写(写入)数据时，将下一记录磁道重叠于相邻的磁道的一部分地进行记录。由此，磁道密度(Track PerInch：TPI)提高，能够实现高记录容量化。
另外，在磁记录装置中，为了实现高记录密度化，开发出了被称作热辅助磁记录(Thermally Assisted Magnetic Recording：TAMR)方式的记录技术。在该热辅助磁记录方式下，在具备近场光照射元件的磁头中，对具有高的垂直磁各向异性的介质记录层，在数据的写入时从近场光元件的前端照射近场光而局部地进行加热。由此，被加热了的记录层部分的矫顽力在记录时充分降低，所以，能够实现高记录密度化。
不过，在产生近场光时在近场光照射元件的内部会产生发热。由于该发热的温度，会导致元件的形状因构成近场光照射元件的材料的原子的迁移而变形。因而，有可能由于历时变化而难以维持以初始设定的线记录密度(BPI)、磁道密度(TPI)记录的信号品质，难以确保长期的可靠性。
发明内容
本发明的实施方式，提供即便近场光元件发生了历时变化也能够维持以所设定的线记录密度(BPI)、磁道密度(TPI)记录的信号品质从而能够保持长期可靠性的磁记录装置及其的磁头控制方法。
本实施方式的磁记录装置具备：盘，具有包含第1磁道及与所述第1磁道部分重叠的第2磁道的磁道群；磁头，具备光照射元件、写头和读头，所述光照射元件照射对所述盘进行加热的光，所述写头向所述盘的利用所述光照射元件照射出的所述光进行了加热的范围写入数据，所述读头从所述盘的所述磁道群内的磁道读入数据；以及控制器，控制所述写头及所述读头的位置。所述控制器执行：保存处理，在初始过程中测定所述盘的记录信号品质并保存；检查处理，在数据记录前检查所述记录信号品质；判定处理，将在所述检查处理中获得了的所述记录信号品质与在所述保存处理中保存了的初始过程中的记录信号品质相比较，判定是否满足基准；调整处理，基于所述判定处理的判定结果，调整所述光照射元件的光照射功率以使得满足所述基准；以及位置控制处理，基于所述调整处理的调整结果决定写偏移量，基于所决定了的写偏移量进行控制以使所述写头的位置移位。
附图说明
图1是示出实施方式的磁记录装置的构成的框图。
图2是将实施方式的磁记录装置的磁头及磁盘放大示出的侧视图。
图3是示出实施方式的磁记录装置的磁头的构成的剖视图。
图4是示出实施方式的磁记录装置的磁头的记录头部分及磁盘的构成的剖视图。
图5是示出实施方式的磁记录装置的实施例1的初始信息保存处理的流程的流程图。
图6是示出实施方式的磁记录装置的实施例1的检查处理的流程的流程图。
图7是示出实施方式的磁记录装置的实施例1、比较例1、比较例2的激光功率与磁写宽度的关系的图。
图8是示出实施方式的磁记录装置的实施例1、比较例1、比较例2的激光功率与误比特率的关系的图。
图9的(a)～(c)是示出实施方式的磁记录装置的实施例1、比较例1、比较例2的磁道与写头的位置的关系的示意图。
图10的(a)～(c)是示出实施方式的磁记录装置的实施例1、比较例1、比较例2的磁道与读头的位置的关系的示意图。
图11是示出实施方式的说明中所使用的比较例3的激光功率与磁写宽度的关系的图。
图12是示出实施方式的说明中所使用的比较例3的激光功率与误比特率的关系的图。
图13是示出实施方式的说明中所使用的比较例3的磁道与写头、读头的位置关系的示意图。
图14是示出实施方式的磁记录装置的实施例2的检查处理的流程的流程图。
图15是示出实施方式的磁记录装置的实施例3的检查处理的流程的流程图。
图16是示出实施方式的磁记录装置的实施例3、比较例4、比较例5的激光功率与磁写宽度的关系的图。
图17是示出实施方式的磁记录装置的实施例3、比较例4、比较例5的激光功率与误比特率的关系的图。
图18的(a)～(c)是示出实施方式的磁记录装置的实施例3、比较例4、比较例5的磁道与写头的位置关系的示意图。
图19的(a)～(c)是示出实施方式的磁记录装置的实施例3、比较例4、比较例5的磁道与读头的位置关系的示意图。
图20是示出实施方式的磁记录装置的实施例4的检查处理的流程的流程图。
图21的(a)及(b)是示出实施方式的磁记录装置的实施例5的磁道与读头的位置关系的示意图。
具体实施方式
以下，参照附图对实施方式进行说明。
(实施方式)
图1是示出本实施方式的磁记录装置1的构成的框图。
磁记录装置1具备后述的头盘组件(head-disk assembly：HDA)、驱动器IC20、头放大器集成电路(以下，记为头放大器IC)30、易失性存储器70、非易失性存储器80、缓冲存储器(缓存)90、以及由1芯片集成电路构成的系统控制器130。另外，磁记录装置1可以与主机系统(主机)100连接。
HDA具有磁盘(以下，记为盘)10、主轴马达(SPM)12、搭载有磁头(以下，记为头)15的臂13、以及音圈马达(VCM)14。盘10通过主轴马达12而旋转。臂13及VCM14构成了致动器。致动器通过VCM14的驱动而将搭载于臂13的头15移动控制至盘10上的预定的位置。盘10及头15也可以设置2个以上的数量。
盘10在数据区域分配有瓦记录区域(SMR区域)11a、和介质高速缓存(mediacache)区域11b。瓦记录区域11a记录从主机100要求写的用户数据等。介质高速缓存区域11b可以作为瓦记录区域11a的高速缓存来利用。
瓦记录区域11a是以与相邻的磁道(以下，简称相邻磁道)的一部分重叠的方式写下一磁道的数据而磁道密度比介质高速缓存区域11b高的记录区域。瓦记录区域11a具备分别包含一部分覆写于相邻磁道的至少1个磁道(第1磁道)和最后覆写的磁道(第2磁道)的多个磁道群(以下，称作带区域BAn)。第2磁道的磁道宽度比第1磁道宽。带区域BAn由盘10的1周的量的磁道群构成。以下，将数据的写入时的头15的轨迹(磁道)称作写磁道，将除了通过瓦记录而覆写了相邻写磁道的区域之外的剩余的写磁道的区域称作读磁道。在瓦记录方式的第1磁道中，写磁道的宽度的中心位置(以下，记为磁道中央)与读磁道的磁道中央通常不一致。此外，有时也将写磁道及读磁道仅称作磁道。
参照图2及图3，对头15进行说明。
图2是将本实施方式的磁记录装置的头15及磁盘10放大示出的侧视图，图3是本实施方式的头15的剖视图。图2中示出了盘10的旋转方向A。
头15具备滑块251。滑块251固定于在臂13安装的万向架201。
头15分别具备设置于滑块251的写头15W、读头15R、光产生元件(例如，激光二极管)250、导波路(波导)255及近场光照射元件(等离子发生器、近场换能器)256。
读头15R对记录于盘10上的数据磁道中的数据进行读。写头15W向盘10上写数据。写头15W使得产生相对于盘10的表面为垂直方向的磁场。
光产生元件250是(激光)光源，设置于滑块251的上部或者万向架201。光产生元件250向导波路255供给光。此外，光产生元件250也可以设置于滑块251或万向架201以外的场所。例如，光产生元件250也可以设置于臂13及头15的外部。导波路255将光产生元件250产生的光向近场光照射元件256传播。
近场光照射元件256设置于与盘10相对的滑块251的下端部。近场光照射元件256在执行数据的写入时，从经由导波路255传播来的激光产生近场光，向盘10照射近场光。所照射出的近场光对盘10的记录层进行加热，使盘10的记录层的矫顽力降低。近场光照射元件256包含金属部件。此外，也可以代替近场光照射元件256，而配备将从光产生元件250传播的光向盘10聚光的透镜。
这样，通过将从近场光照射元件256产生的近场光向盘10照射，磁记录装置1能够在作为高矫顽力介质的盘10进行高密度的磁记录。
另外，近场光照射元件256通过近场光的照射范围(或者，有时也称作光点范围、热分布宽度)，规定由写头15W写入的记录宽度(或者，记为磁道宽度)。即，记录宽度对应于近场光的照射范围的宽度。例如，近场光照射元件256通过以比写头15W的宽度小的宽度照射近场光的照射范围，来规定写磁道的磁道宽度(以下，简称作写磁道宽度)。
例如，在由于照射近场光时产生的热等要因而近场光照射元件的形状发生了变化的情况下，近场光的照射范围变动，伴随于此，基于写头15W得到的写磁道的磁道宽度变化。而且，因基于写头15W得到的写磁道的磁道宽度变化，预定的带区域的宽度(以下，简称作带宽度)变化。
图4是上述头15的写头部分和作为垂直记录介质的磁盘10的横向剖视图。
磁盘10是如下记录介质，其在基板101上具有：垂直记录层102，在相对于盘面垂直的方向上具有大的各向异性；结晶取向层103，为了使该垂直记录层102的取向性提高而配置于垂直记录层102的下层部；散热层104，为了抑制加热区域的扩展而配置于结晶取向层103的下层部；以及保护膜105，配置于垂直记录层102的上部。
头15是记录用的写头15W与再现用的读头15R分离了的分离型磁头。写头15W具备：主磁极151，使得产生相对于盘面垂直方向的磁场，由高导磁率材料形成；尾随磁轭152，与主磁极151磁性接合，使磁通流向主磁极151；返回屏蔽磁极153，配置于主磁极151的前导侧，为了有效地封闭主磁极151的正下方的磁路而设置；线圈154，为了使磁通流向主磁极151而以环绕于包含尾随磁轭152及返回屏蔽磁极153的磁路的方式配置；近场光照射元件256，配置于主磁极151的前导侧，使得产生对磁盘10的记录层102进行加热的近场光；以及导波路255，用于使近场光产生用的光传播。
上述近场光照射元件256优选由Au、Pd、Pt、Rh或者Ir、或者包含它们中的几个的组合的合金形成。主磁极151与近场光照射元件256经由绝缘层(未图示)而接合。该绝缘层优选是包含SiO2、Al2O3等的氧化物。
(实施例1)
在上述构成下的瓦记录方式的磁记录装置1中，说明实施例1的处理内容。
图5是示出实施例1的初始信息保存处理的流程的流程图，是示出实施例1的检查处理的流程的流程图。
磁记录装置1在制造过程中，设定为最佳的激光功率、线记录密度、磁道密度。此时，在检查区中，按照图5所示的初始信息保存处理，测定初始磁写宽度和初始误比特率并保存于各自的存储部(例如在非易失性存储器80中预备)。检查区也可以是与磁盘10的用户数据区相独立的别的区或用户数据区的带(band，带区)的一部分。带由多个磁道群构成。瓦记录方式以该被称作带的单位来进行改写。
在图5中，磁记录装置1将激光功率设定为初始值(步骤S11)，在检查区的磁道1记录磁写宽度测定用的检查图案(pattern，图形)(步骤S12)。激光功率的初始值在制造过程中设定。接着，从记录磁道测定磁写宽度(步骤S13)，将测定值作为初始磁写宽度保存于磁写宽度存储部(步骤S14)。在检查区的磁道1中记录误比特率测定用的检查图案后，在相邻的磁道2记录别的图案(步骤S15)。由于瓦记录方式，磁道2以与磁道1部分重叠的方式被进行覆写。测定覆写后的磁道1的误比特率(步骤S16)，将测定值作为初始误比特率保存于误比特率存储部(步骤S17)。
接着，磁记录装置1在将保存数据向用户数据区记录之前，进行图6所示的检查处理。在图6中，磁记录装置1将激光功率设定为检查用的设定值(通常为初始值)(步骤S21)，在检查区的磁道1记录磁写宽度测定用的检查图案(步骤S22)。接着，从记录磁道测定磁写宽度(步骤S23)，将测定值作为检查磁写宽度，将与保存于磁写宽度存储部的初始磁写宽度的差的一半的值决定为Δ写偏移值(步骤S24)。接着，进行控制以使写头的位置在检查区的磁道1按在步骤S24中所决定的Δ写偏移值的量移位，在记录误比特率测定用的检查图案后，在相邻的磁道2也同样地，进行控制以使写头的位置按Δ写偏移值的量移位，记录别的检查图案(步骤S24)。由于瓦记录方式，磁道2以与磁道1部分重叠的方式被进行覆写。测定覆写后的磁道1的误比特率(步骤S26)，将测定值作为检查误比特率，进行该检查误比特率是否为预定的误比特率(也可以是保存于错误率存储部的初始误比特率)以下的判定(步骤S27)。在判定中为“否”的情况下，变更激光功率(设定值N+1：N为自然数)(208)，反复进行步骤S22～S28的处理直至在步骤S27中判定为“是”。在判定中为“是”的情况下，对记录保存数据的用户数据区，控制为使写头的位置按Δ写偏移值的量移位地，进行数据的记录(步骤S29)。
在确认实施例1的效果时，按照图5所示的初始值保存处理流程保存初始磁写宽度、初始误比特率之后，为了再现近场光照射元件的历时变化，作为加速条件，以高温环境下100℃、激光功率30mW持续施加了1000小时。该历时变化，具体地说是由构成近场光照射元件的材料的原子的迁移引起的元件的收缩。
之后，在实施例1中，按照图6所示的检查处理流程进行了检查图案的记录。在此，作为比较例1，在图6的检查处理流程中，不进行步骤S27的判定，进行步骤S29的动作，也就是说，激光功率的设定设为不从设定值1(初始激光功率)变更。另外，作为比较例2，在图6的检查处理流程中，在步骤S29的动作时，不进行使写头的位置按Δ写偏移值的量移位的控制，也就是说，设为不变更写头的位置地进行记录。
图7是相对于激光功率的磁写宽度的测定值。图7，在图5的步骤S13及图6的步骤S23中测定，将在步骤S13中测定出的结果作为初始状态而以实心圆描点示出，将在步骤S23中测定出的结果以空心圆描点示出。
图8是相对于激光功率的误比特率的测定值。图8，在图5的步骤S16及图6的步骤S26中测定，将在步骤S16中测定出的结果作为初始状态而以实心圆描点示出，将在步骤S26中测定出的结果以空心圆描点示出。
如图7、图8中所示，在近场光照射元件的历时变化发生前后，相对于激光功率的磁写宽度与误比特率的关系变化，在将激光功率增强至误比特率成为预定的误比特率以下的情况下，磁写宽度会变得比初始磁写宽度宽。
例如，在将初始激光功率设为22.8mW的情况下，实施例1、比较例1、比较例2的激光功率分别为26.8mW、22.8mW、26.8mW。如图8中所示，实施例1和比较例2的检查误比特率与初始误比特率同等，相对于此，在比较例1中，检查误比特率相对于初始误比特率大幅劣化。若保持着该激光功率设定值不变在保存区进行记录，则比较例1产生无法正常地进行数据记录的问题。为了正常地记录数据，需要降低BPI，与制造过程的BPI不同。
图9是示出记录于保存区的磁道的状态与写头的位置关系的示意图，(a)示出在磁道N-1、(b)示出在磁道N、(c)示出在磁道N+1进行了覆写的情形。虚线是记录时的写头的位置。在图9中，实施例1和比较例1是进行控制以使写头的位置按Δ写偏移值的量移位而进行了数据的记录的情况，比较例2是在与初始状态相同的写头的位置进行了数据的记录的情况。
图10是示出记录于保存区的磁道的状态与读头的位置关系的示意图，(a)示出在磁道N-1、(b)示出在磁道N、(c)示出在磁道N+1进行了覆写的情形。虚线是再现时的读头的位置。由于不进行读头的位置的变更，所以，实施例1和比较例1中，读中央位置大约位于因覆写而残留下的磁道的中央。另一方面，如图7所示，比较例2的磁写宽度变得比初始磁写宽度宽，所以，在不进行写头的位置的变更的比较例2中，读头的位置与因覆写而残留下的磁道的中央大幅偏离，产生无法正常地再现数据的问题。
作为比较例3，示出以通常记录方式进行了图5的初始信息保存处理和图6的检查处理的情况。由于通常记录方式，图5的步骤S15和图6的步骤S25的动作仅在磁道1进行即可，在磁道2不进行记录。另外，不进行步骤S24的Δ写偏移值的决定和步骤S29的动作时的Δ写偏移值的量的移位控制。
图11是相对于激光功率的磁写宽度的测定值。在图11中，在图5的步骤S13及图6的步骤S23中测定，将在步骤S13中测定出的结果作为初始状态而以实心圆描点示出，将在步骤S23中测定出的结果以空心圆描点示出。
图12是相对于激光功率的误比特率的测定值。在图12中，在图5的步骤S16及图6的步骤S26中测定，将在步骤S16中测定出的结果作为初始状态而以实心圆描点示出，将在步骤S26中测定出的结果以空心圆描点示出。
如图11、图12中所示，在近场光发光元件的历时变化发生前后，相对于激光功率的磁写宽度与误比特率的关系变化，在将激光功率增强至误比特率成为初始误比特率以下的情况下，磁写宽度会变得比初始磁写宽度宽。
图13是示出记录于保存区的磁道的状态与写头、读头的位置关系的示意图，由于通常记录方式，示出在磁道N记录后，按磁道N-1、磁道N+1的顺序进行了记录的状态。虚线是记录时的写头和再现时的读头的位置。如图13中所示，由于磁写宽度变宽，所以，记录于磁道N的数据受到来自磁道N-1、磁道N+1的影响而劣化或者被擦除，存在无法再现的风险。在通常记录方式下，在磁道进行多次记录，所以，该劣化、擦除的风险进一步变大。为了避免该情况，需要与磁写宽度的变宽相应地增宽磁道间距来进行记录，但是，会与在制造过程中设定了的TPI不同。若为了使磁写宽度变窄而降低激光功率，则磁道N的误比特率会恶化，所以，产生无法正常地记录数据的问题。在正常地记录数据的情况下，需要降低BPI，与制造过程的BPI不同。
根据以上，在瓦记录方式下，在数据记录前在检查区中进行信号品质的确认，在调整了激光功率和写偏移值的基础上进行数据的记录，所以，通过进行实施例1的动作，能够不改变所设定了的BPI/TPI规格地保持长期可靠性。
(实施例2)
图14是本实施方式的实施例2，是在将保存数据向用户数据区记录之前进行的检查处理的流程图。磁记录装置1在检查区中，将检查激光功率设定为设定值1(初始激光功率)(步骤S31)，将Δ写偏移值设定为start值(步骤S32)。在此，进行Δ写偏移值是否为end值以下的判定(步骤S33)。在该判定中为“否”的情况下，变更检查激光功率(步骤S34)，返回步骤S32，反复进行检查激光功率变更的处理直至Δ写偏移值成为end值以下。
在步骤S33的判定中成为了“是”的情况下，在该时间点决定为Δ写偏移值(步骤S35)。接下来，进行控制以使写头的位置在检查区的磁道1按Δ写偏移量移位，记录误比特率测定用的检查图案后，在相邻的磁道2也同样地，进行控制以使写头的位置按Δ写偏移量移位，记录别的检查图案(步骤S36)。由于瓦写记录方式，磁道2以与磁道1部分重叠的方式被进行覆写。测定覆写后的磁道1的误比特率(步骤S37)，作为检查误比特率，进行是否为保存于错误率存储部的预定(初始误比特率)以下的判定(步骤S37)。在该判定中为“否”的情况下，对Δ写偏移值加上+step值的量(步骤S39)，返回步骤S33，反复进行步骤S33～S37直至在步骤S38中判定为“是”。在步骤S38的判定中为“是”的情况下，进行控制以使写头的位置按Δ写偏移量移位，在记录保存数据的用户数据区进行所取得的记录(步骤S310)。
根据上述实施例2的检查处理，也与实施例1同样地，在瓦记录方式下，在数据记录前在检查区中进行信号品质的确认，在调整了激光功率和写偏移值的基础上进行数据的记录，所以，即便在发生了近场光照射元件的历时变化的情况下，也能够不改变所设定的BPI/TPI规格地保持长期可靠性。
(实施例3)
图15是本实施方式的第3实施例，是在将保存数据向用户数据区记录之前进行的检查处理的流程图。磁记录装置1在检查区中，将检查激光功率设定为设定值1(初始激光功率)(步骤S41)，在检查区的磁道1记录磁写宽度测定用的检查图案(步骤S42)。接着测定磁写宽度(步骤S43)，将该测定结果作为检查磁写宽度，将检查磁写宽度与保存于磁写宽度存储部的初始磁写宽度的差的一半的值决定为Δ读偏移值(步骤S44)。在检查区的磁道1记录误比特率测定用的检查图案后，在相邻的磁道2记录别的检查图案(步骤S45)。此时，由于瓦记录方式，磁道2以与磁道1部分重叠的方式被进行覆写。进行控制以使读头的位置按Δ读偏移量移位，测定覆写后的磁道1的误比特率(步骤S46)，将该测定结果作为检查误比特率。进行检查误比特率是否为保存于错误率存储部的初始误比特率以下的判定(步骤S47)。在该判定中为“否”的情况下，变更检查激光功率(步骤S48)，反复进行步骤S42～S47的处理直至在步骤S47中判定为“是”。在步骤S47的判定中为“是”的情况下，在记录保存数据的用户数据区进行所取得的数据的记录(步骤S49)。再现时，进行控制以使读头的位置按Δ读偏移量移位，从用户数据区再现记录数据。
在确认实施例3的效果时，按照图5所示的流程保存初始磁写宽度、初始误比特率之后，为了再现近场光照射元件的历时变化，作为加速条件，以高温环境下100℃、激光功率30mW持续施加了1000小时。该历时变化，具体地说是由构成近场光元件的材料的原子的迁移引起的元件的收缩。之后，在实施例3中，按照图15的流程进行了再现。在此，作为比较例4，在图12的流程中，不进行步骤S47的判定而在步骤S49的记录动作后，进行再现动作。也就是说，激光功率的设定不从初始激光功率变更。另外，在比较例5中，设为下述情况：在图15中，在再现在步骤S49中记录了的数据时，不控制Δ读偏移值。
图16是相对于激光功率的磁写宽度的测定值。图16，在图5的步骤S13及图15的步骤S43中测定，将在步骤S13中测定出的结果作为初始状态而以实心圆描点示出，将在步骤S43中测定出的结果以空心圆描点示出。
图17是相对于激光功率的误比特率的测定值。图17，在图5的步骤S106及图15的步骤S46中测定，将在步骤S16中测定出的结果作为初始状态而以实心圆描点示出，将在步骤S46中测定出的结果以空心圆描点示出。
如图16、图17中所示，在近场光照射元件的历时变化发生前后，相对于激光功率的误比特率与磁写宽度的关系变化，在施加激光功率直至误比特率成为预定(通常为初始)误比特率以下的情况下，磁写宽度会变得比预定的磁写宽度宽。
在此，在将初始激光功率设为22.8mW的情况下，实施例3、比较例4、比较例5的激光功率分别为26.8mW、22.8mW、26.8mW。如图17中所示，实施例3和比较例5的检查误比特率与初始误比特率同等，相对于此，在比较例4中，检查误比特率相对于初始误比特率大幅劣化。若保持着该激光功率设定值不变在保存区进行记录，则比较例4会产生无法正常地记录数据的问题。在要正常地记录数据的情况下，需要降低BPI，与制造过程的BPI不同。
图18是记录于保存区的磁道的状态的示意图，(a)示出在实施例3中、(b)示出在比较例4中、(c)示出在比较例5中分别将磁道N-1、磁道N、磁道N+1进行了覆写的情形。虚线是记录时的写头的位置。图19是记录于保存区的磁道的状态的示意图，(a)示出在实施例3中、(b)示出在比较例4中、(c)示出在比较例5中分别将磁道N-1、磁道N、磁道N+1进行了覆写的情形。虚线是再现时的读头的位置。由于进行读头的位置的变更，实施例3和比较例4中，读中央位置大约位于因覆写而残留下的磁道的中央。另一方面，如图19所示，比较例5的磁写宽度变得比初始磁写宽度宽，所以，在不进行读头的位置的变更的比较例5中，读头的位置与因覆写而残留下的磁道的中央大幅偏离，产生无法正常地再现数据的问题。
相对于此，根据上述实施例3，在瓦记录方式下，在数据再现前在检查区中进行信号品质的确认，在调整了激光功率和写偏移值的基础上进行数据的再现，所以，即便在发生了近场光照射元件的历时变化的情况下，也能够不改变所设定的BPI/TPI规格地保持长期可靠性。
(实施例4)
图20是本实施方式的第4实施例，示出了在向用户数据区的记录前进行的检查处理的流程图。磁记录装置1在检查区中将检查激光功率设定为设定值1(初始激光功率)(步骤S51)，将Δ读偏移值设定为Start值(步骤S52)。在此，进行Δ读偏移值是否为end值以下的判定(步骤S53)。在步骤S53的判定中为“否”的情况下，变更检查激光功率直至判定为“是”(步骤S54)。在步骤S53的判定中为“是”的情况下，决定为Δ读偏移值(步骤S55)，在检查区的磁道1记录误比特率测定用的检查图案后，在相邻的磁道2记录别的检查图案(步骤S56)。由于瓦记录方式，磁道2以与磁道1部分重叠的方式被进行覆写。
接着，以Δ读偏移量控制读头的位置，测定覆写后的磁道1的误比特率(步骤S57)，来作为检查误比特率。进行检查误比特率是否为预定错误率(例如保存于错误率存储部的初始误比特率)以下的判定(步骤S58)。在该判定中为“否”的情况下，对Δ读偏移值加上+step值的量(步骤S59)，反复进行步骤S53～步骤S58的处理直至在步骤S58中判定为“是”。在步骤S58中为“是”的情况下，在记录保存数据的用户数据区进行所取得的数据的记录(步骤S510)。再现时，进行控制以使读头的位置按Δ读偏移量移位，从用户数据区再现记录数据。
根据上述实施例4，也在瓦记录方式下，在数据再现前在检查区中进行信号品质的确认，在调整了激光功率和写偏移值的基础上进行数据的再现，所以，即便在发生了近场光照射元件的历时变化的情况下，也能够不改变所设定的BPI/TPI规格地保持长期可靠性。
(实施例5)
图21是本实施方式的第5实施例，(a)示出了关于设置于由多个磁道群构成的带与带之间的余裕宽度即保护带宽度而将初始状态的保护带宽度设为A的情况，(b)将变更激光功率后的实施例5的保护带宽度设为B而示出。带内最后记录的磁道不被覆写。因而，在变更激光功率后的实施例5的带内的最后记录的磁道的磁写宽度比初始状态的带内的最后记录的磁道的初始磁写宽度大的情况下，处于变更激光功率后的实施例5的保护带宽度B比初始保护带宽度A小的关系。
在实施例5中，可以为：在如上述那样保护带宽度B比预定保护带宽度大的情况下允许记录，在小的情况下，带内的最后的磁道禁止记录。该预定保护带宽度可以基于装置的温度、振动环境等设定。
此外，在上述实施方式中，也可以代替误比特率，而通过初始再现输出值与检查时的再现输出值的比较判定，来进行读头的位置控制。
对几个实施方式进行了说明，但是，这些实施方式是作为例子而提示的，并非意在限定发明的范围。这些新颖的实施方式，能够以其他各种方式实施，能够在不脱离发明的主旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含于发明的范围和/或主旨中，并且包含于技术方案所记载的发明及其均等的范围中。

Claims (14)

1.一种磁记录装置，具备：
盘，具有包含第1磁道及与所述第1磁道部分重叠的第2磁道的磁道群；
磁头，具备光照射元件、写头和读头，所述光照射元件照射对所述盘进行加热的光，所述写头向所述盘的利用所述光照射元件照射出的所述光进行了加热的范围写入数据，所述读头从所述盘的所述磁道群内的磁道读入数据；以及
控制器，控制所述写头及所述读头的位置，
所述控制器执行：
保存处理，在初始过程中测定所述盘的记录信号品质并保存；
检查处理，在数据记录前检查所述记录信号品质；
判定处理，将在所述检查处理中获得了的所述记录信号品质与在所述保存处理中保存了的初始过程中的记录信号品质相比较，判定是否满足基准；
调整处理，基于所述判定处理的判定结果，调整所述光照射元件的光照射功率以使得满足所述基准；以及
位置控制处理，基于所述调整处理的调整结果决定写偏移量，基于所决定了的写偏移量进行控制以使所述写头的位置移位。
2.根据权利要求1所述的磁记录装置，
所述调整处理，将所述光照射功率调整为初始状态的照射功率以上。
3.根据权利要求1所述的磁记录装置，
所述检查处理，在所述第1磁道记录检查图案并在所述第2磁道记录别的检查图案而测定错误率。
4.根据权利要求1所述的磁记录装置，
所述保存处理，保存在所述初始过程中测定的磁写宽度和错误率，
所述判定处理，对利用所述光照射元件进行了光照射时的磁写宽度与在所述保存处理中保存了的磁写宽度进行比较判定，
所述位置控制处理，进行控制以使所述写头的位置按下述值移位，该值是调整了所述光照射功率时的磁写宽度与在所述保存处理中保存了的磁写宽度的差的一半的值。
5.根据权利要求1所述的磁记录装置，
所述位置控制处理决定为下述写偏移量，该写偏移量是在所述检查处理中在多个写偏移量下检查记录信号品质而信号品质成为最佳的写偏移量。
6.一种磁记录装置，具备：
盘，具有包含第1磁道及与所述第1磁道部分重叠的第2磁道的磁道群；
磁头，具备光照射元件、写头和读头，所述光照射元件照射对所述盘进行加热的光，所述写头向所述盘的利用所述光照射元件照射出的所述光进行了加热的范围写入数据，所述读头从所述盘的所述磁道群内的磁道读入数据；以及
控制器，控制所述写头及所述读头的位置，
所述控制器执行：
保存处理，在初始过程中测定所述盘的记录信号品质并保存；
检查处理，在数据记录前检查所述记录信号品质；
判定处理，将在所述检查处理中获得了的所述记录信号品质与在所述保存处理中保存了的初始过程中的记录信号品质相比较，判定是否满足基准；
调整处理，基于所述判定处理的判定结果，调整所述光照射元件的光照射功率以使得满足所述基准；以及
位置控制处理，基于所述调整处理的调整结果决定读偏移量，基于所决定了的读偏移量进行控制以使所述读头的位置移位。
7.根据权利要求6所述的磁记录装置，
所述调整处理，将所述光照射功率调整为初始状态的照射功率以上。
8.根据权利要求6所述的磁记录装置，
所述检查处理，在所述第1磁道记录检查图案并在所述第2磁道记录别的检查图案而测定错误率。
9.根据权利要求6所述的磁记录装置，
所述位置控制处理，进行控制以使所述读头的位置按下述值移位，该值是调整了所述光照射功率时的磁写宽度与在所述保存处理中保存了的磁写宽度的差的一半的值。
10.根据权利要求6所述的磁记录装置，
所述位置控制处理决定为下述读偏移量，该读偏移量是在所述检查处理中在多个读偏移量下检查记录信号品质而信号品质成为最佳的读偏移量。
11.一种磁记录装置，具备：
盘，具有由包含第1磁道及与所述第1磁道部分重叠的第2磁道的多个磁道群构成的多个带、和设置于所述带之间的保护带；
磁头，具备光照射元件、写头和读头，所述光照射元件照射对所述盘进行加热的光，所述写头向所述盘的利用所述光照射元件照射出的所述光进行了加热的范围写入数据，所述读头从所述盘的所述磁道群内的磁道读入数据；以及
控制器，控制所述写头及所述读头的位置，
所述控制器执行：
保存处理，在初始过程中测定所述盘的记录信号品质并保存；
检查处理，在数据记录前检查所述记录信号品质；
判定处理，将在所述检查处理中获得了的所述记录信号品质与在所述保存处理中保存了的初始过程中的记录信号品质相比较，判定是否满足基准；
调整处理，基于所述判定处理的判定结果，调整所述光照射元件的光照射功率以使得满足所述基准；以及
位置控制处理，基于所述调整处理的调整结果决定写偏移量，基于所决定了的写偏移量控制所述写头的位置，
满足下述情况：所述保护带的宽度比初始状态的保护带的宽度小、且所述带内的最后被记录的磁道的磁写宽度比初始状态的带内的最后被记录的磁道的初始磁写宽度大。
12.一种磁记录装置，具备：
盘，具有由包含第1磁道及与所述第1磁道部分重叠的第2磁道的多个磁道群构成的多个带、和设置于所述带之间的保护带；
磁头，具备光照射元件、写头和读头，所述光照射元件照射对所述盘进行加热的光，所述写头向所述盘的利用所述光照射元件照射出的所述光进行了加热的范围写入数据，所述读头从所述盘的所述磁道群内的磁道读入数据；以及
控制器，控制所述写头及所述读头的位置，
所述控制器执行：
保存处理，在初始过程中测定所述盘的记录信号品质并保存；
检查处理，在数据记录前检查所述记录信号品质；
判定处理，将在所述检查处理中获得了的所述记录信号品质与在所述保存处理中保存了的初始过程中的记录信号品质相比较，判定是否满足基准；
调整处理，基于所述判定处理的判定结果，调整所述光照射元件的光照射功率以使得满足所述基准；以及
位置控制处理，基于所述调整处理的调整结果决定读偏移量，基于所决定了的读偏移量控制所述读头的位置，
满足下述情况：所述保护带的宽度比初始状态的保护带的宽度小、且所述带内的最后被记录的磁道的磁写宽度比初始状态的带内的最后被记录的磁道的初始磁写宽度大。
13.一种磁记录装置的磁头控制方法，
所述磁记录装置具备：
盘，具有包含第1磁道及与所述第1磁道部分重叠的第2磁道的磁道群；和
磁头，具备光照射元件、写头和读头，所述光照射元件照射对所述盘进行加热的光，所述写头向所述盘的利用所述光照射元件照射出的所述光进行了加热的范围写入数据，所述读头从所述盘的所述磁道群内的磁道读入数据，
该磁记录装置的磁头控制方法中，
在初始过程中测定所述盘的记录信号品质并保存；
在数据记录前检查所述记录信号品质；
将在所述检查中获得了的所述记录信号品质与所述保存了的初始过程中的记录信号品质相比较，判定是否满足基准；
基于所述判定的结果，调整所述光照射元件的光照射功率以使得满足所述基准；
根据所述调整的结果决定写偏移量；以及
基于所述决定了的写偏移量进行控制以使所述写头的位置移位。
14.一种磁记录装置的磁头控制方法，
所述磁记录装置具备：
盘，具有包含第1磁道及与所述第1磁道部分重叠的第2磁道的磁道群；和
磁头，具备光照射元件、写头和读头，所述光照射元件照射对所述盘进行加热的光，所述写头向所述盘的利用所述光照射元件照射出的所述光进行了加热的范围写入数据，所述读头从所述盘的所述磁道群内的磁道读入数据，
该磁记录装置的磁头控制方法中，
在初始过程中测定所述盘的记录信号品质并保存；
在数据记录前检查所述记录信号品质；
将在所述检查中获得了的所述记录信号品质与所述保存了的初始过程中的记录信号品质相比较，判定是否满足基准；
基于所述判定的结果，调整所述光照射元件的光照射功率以使得满足所述基准；
根据所述调整的结果决定读偏移量；以及
基于所述决定了的读偏移量进行控制以使所述读头的位置移位。
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