CN111919127A - 用于在进行旋转的机器中测试输出级的电桥的方法 - Google Patents
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Abstract
描述一种用于在旋转的机器(M)中测试输出级的电桥的方法,所述输出级包括微控制器(μC)、第一桥式电路(B10)和第二桥式电路(B4),该方法包括以下方法步骤:通过微控制器(μC)来确定借助输出级的桥式电路运行的机器的转速,并且如果所确定的转速未超过预定义的阈值,则执行低速测试,或者如果所确定的转速相应于或超过预定义的阈值,则执行对为电桥设置的驱动器的观测。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于在进行旋转的机器中测试输出级(Endstufe)的电桥的方法,该输出级包括微控制器、第一桥式电路(Brückenschaltung)和第二桥式电路,该方法包括以下方法步骤:通过微控制器来确定借助输出级的桥式电路运行的机器的转速,并且如果所确定的转速未超过预定义的阈值,则执行低速测试,或者如果所确定的转速相应于或超过预定义的阈值,执行对为桥设置的驱动器的观测。
背景技术
当今可用于直至15kW功率等级的驱动逆变器的方案置于低于60V的接触电压极限的供电电压下,以避免在B6桥式电路中输出级测试的不同应用中的所谓的热事故(英语Thermal Incidents,TI)。
在此,在运行期间借助漏极-源极监测永久地监测金属氧化物半导体场效应晶体管(英语metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)的特性。在该范围中,借助所谓的短路探测(英语Short Circuit Detection,SCD)永久地进行对半桥内的横向短路(Querkurzschluss)的探测,所述短路探测具有约为峰值中最大额定电流的2.5倍的触发阈值,并且在所述短路探测中借助比较器来监测漏极-源极电压。在已接通的MOSFET下,如果漏极-源极电压超过先前设置的阈值(也称为短路探测电平(英语Short CircuitDetection Level,SCDL)),则在小于5μs的范围内关断输出级,以避免更大的损坏。
由于MOSFET的接触电阻(Durchgangswiderstand)RDS(on)的非常强的温度相关性和其构造与连接技术(AVT),触发阈值是运行中最大可能电流的2.5倍。因此,该功能仅适合作为避免在最后一秒的热事故的合适措施。
此外,永久监测导致如下结果:在发生横向短路并探测到横向短路的情况下,由于输出级的响应时间、滤波时间和接通时间而可能得出明显更大的横向电流(Querstrom)。所述明显更大的横向电流导致,在特定的前提下,中间回路电压可能如此广地崩溃,使得以该中间回路电压供电的逻辑电路(Logik)进入欠压复位状态。在重新启动系统的情况下,逻辑电路不再能够识别先前已知的故障,因为在重新启动之前,逻辑电路在时间上已无法再将所探测的故障存储在电可擦可编程只读存储器(英语electrically erasableprogrammable readonly memory,EEPROM)中。因此,当重新激活输出级时,逻辑电路将经历相同的横向短路。在最坏的情况下,由此产生死锁(Deadlock),所述死锁随后可能导致热事故。
为了避免此类行为,根据现有技术,在启动时在多种驱动方案——例如在电动助力转向装置(ESL)、电动自行车、增压回收机(BRM)和集成式起动发电机(ISG)——中执行电桥测试。这种电桥测试尝试通过毫安范围内的探测阈值来识别出输出级中的早期故障以及作为绝缘故障在机器中出现的功能性故障。然而,这种低速测试(也称为泄漏电流测试或故障电流测试)的缺点是没有考虑相位信号之间的差分电压。根据机器拓扑——例如在永久性励磁的同步电机(PSM)或电励磁的同步电机(ESM)中,有时需要卡住的(blockieren)、固定的、不旋转的机器。这也适用于上述的驱动方案。
由于机动车的12V车载电网上的常规的起动器(Anlasser)首先启动内燃机,然后才接通48V电池,因此由于增压回收机与曲轴的固定连接以及用于磁通量补偿的永磁体在相同的转子上的布置而产生所述相上的差分电压。甚至在空转中,该差分电压也足以不再能够充分探测输出级中的故障电流。此外,在运行中复位微控制器时也存在相同的问题。
因此,借助根据现有技术给出的硬件,无法在确保有功能能力的逆变器的情况下保证系统的启动。如果在逆变器的关断状态下在输出级中或在与壳体相对的机器的绕组中出现故障,则在启动时不会及早识别到这种故障。目前,在复位控制设备之后,在没有事先关闭发动机的情况下也无线实现系统的启动。在出现死锁的情况下,在系统的启动中也不能中断先前触发的电桥短路。此外,目前不能够可靠地对MOSFET中温度相关的缺陷(例如MOSFET在175℃下可能发生短路或击穿,在重启后冷却至120℃的相同的MOSFET仅具有增大的故障电流)进行识别。
发明内容
根据本发明,提出一种用于在旋转的机器中测试输出级的电桥的方法,该输出级包括微控制器、第一桥式电路和第二桥式电路,该方法包括以下步骤:
-通过微控制器确定借助输出级的桥式电路运行的机器的转速;
-如果所确定的转速未超过预定义的阈值,则执行低速测试,或者如果所确定的转速相应于或超过预定义的阈值,则执行对为电桥设置的驱动器的观测。
在此,用于输出级和机器的故障识别的根据本发明的方法使用现有的硬件元件。因此,对于已经处于所谓的C模式的硬件,不需要重新设计。此外,在所谓的低温共烧陶瓷(英语Low Temperature Cofired Ceramics,LTCC)上不需要用于附加的构件的其他空间。借助根据本发明的方案,将集成在电桥驱动器中的功能性用于在所谓的预驱动(PreDrive)中在不激活接通输出级的情况下识别输出级的状态。
本发明的优点
根据本发明的方法的优点在于,由此实现在控制设备复位之后可以在不预先关闭发动机的情况下启动系统。在先前触发的电桥短路的情况下,系统的启动还会中断死锁。此外,根据本发明,还可能发现MOSFET中温度相关的缺陷,并且发现机器绕组和转子的电刷滑环系统的蠕变的(schleichend)早期绝缘缺陷。
在本发明的一种优选的构型中设置,在执行低速测试时,进行对第一桥式电路的高侧开关的测试、对第二桥式电路的高侧开关的测试、对第一桥式电路的低侧开关的测试以及对第二桥式电路的低侧开关的测试。通过这种低速测试可以确保能够说明所有开关(尤其MOSFET)的状态,因为相应的高侧开关或低侧开关通过电机相的连接彼此并联。
有利地,在执行低速测试之后,设置对为电桥设置的驱动器进行通信故障、关断路径和功能的检查。以这种方式,借助这种驱动器测试,不仅确保桥式电路本身的功能,而且确保整体功能性。
根据本发明的一种优选的实施方式设置,通过如下方式进行对第一桥式电路的高侧开关和/或第二桥式电路的高侧开关的测试(无源测试):借助中间回路电压测量和第一相上的相电压测量来确定差分电压。以类似的方式有利地设置,通过如下方式进行对第一桥式电路的低侧开关和/或第二桥式电路的低侧开关的测试(主动测试):在第二相上施加电流受限制的电压源,使得提高该相上的电势。由此可以分别说明所有的高侧和低侧开关或MOSFET。
优选地,对为电桥设置的驱动器的观测包括对第二桥式电路的低侧开关的测试、对第二桥式电路的高侧开关的测试、借助转子位置传感装置对机器的机器旋转场的电周期的时间的测量、通过微控制器对为电桥设置的驱动器的配置。借助这种高速测试(也称为TLE观查者测试或观测者测试)实现,可以分开地测量和观测每个相或每个开关——尽管由于机器的给定的高转速导致相之间的差分电压太高,以便能够对于所有输出级可靠地执行一相上的电压回读。
根据本发明的一种优选的实施方式设置,在机器的一圈电旋转之内,对第一桥式电路和/或第二桥式电路的构造为MOSFET的开关的每个开关进行漏极-源极电压的周期性测量,其中,将所测量的值有利地保存在存储器中。在此,每圈电旋转中,例如每个FET存储20个测量值。
在进行测量之后,有利地分析处理关于构造为MOSFET的开关所检测的漏极-源极电压的值。由此尤其可以借助情况区分来分析,可以将构造为MOSFET的开关声明为良好,还是将所述开关分类为有缺陷并且不可以进行脉冲宽度调制(PWM)开通。
本发明的有利的扩展方案在从属权利要求中给出并且在说明书中进行描述。
附图说明
根据附图和以下描述进一步阐述本发明的实施例。附图示出:
图1示出根据现有技术的增压回收机的启动特性;
图2示出在预驱动中电桥测试的硬件元件的示意图;
图3示出从MOSFET到电桥驱动器的硬件元件的详细视图;
图4在UML图中以简化形式示出根据本发明的在旋转的机器中的电桥测试的流程;
图5在UML图中以详细形式示出根据本发明的在旋转机器中的电桥测试的流程;
图6示出“接通(key on)”周期以及在该周期中用于应用根据本发明的方法的可能的测试时间点的示意图。
具体实施方式
在图1中以流程图示出根据现有技术的增压回收机(BRM)的启动特性或初始化。在运行电压Ub超过6伏的值之后,在步骤S1中进行系统的专用集成电路(英语application-specific integrated circuit,ASIC)的起动以及自检。接下来在步骤S2中,微控制器起动,执行在核心逻辑电路中实现的自检(内置自检,英语built-in self tests;BIST)并配置端口。在步骤S3中,测试系统的ASIC和相应的配置。在执行步骤S1至S3之后检查,运行电压Ub48是否已经超过24伏的值。如果是这种情况,则作为下一步检查,转速是否尚未超过100转每分钟(英语rounds per minute,rpm)的值。
如果也满足此条件,则在步骤S4中对B10桥式电路的高侧(HS)开关进行电桥测试(B10无源测试),为此,首先在步骤S4a中读取电压U48Vslow和Uphx的值,并且接下来求取电压差。如果该电压差大于2伏,则由此可以推断出B10桥式电路的HS开关正常。但是,如果仅得出2伏或更小的差,则在步骤S4b中确定存在过高的故障电流。由此可以推断出B10桥式电路的HS开关有缺陷,从而BRM可以被置于所谓的“安全逆变器状态(英语Safe InverterState)”。
然后,在步骤S5中接下来进行对B4桥式电路的HS开关的电桥测试(B4无源测试),其中根据步骤S5a首先测量电压UFSn。如果该电压小于18伏,则这意味着B4桥式电路的HS开关正常。然而,如果存在18伏或更高的电压值,则这意味着B4桥式电路的HS开关有缺陷,并且BRM将被置于安全逆变器状态——如在步骤S5b中可以看到的那样。
然后,在步骤S6中进行对B10桥式电路的低侧(LS)开关的电桥测试,其中首先在步骤S6a中将电流受限制的11V/10mA电压源通过系统ASIC施加到U相上(B10有源测试)。然后在步骤S6b中测量电压Uphx。如果该测量根据步骤S6c得出大于3伏的电压值,则这意味着B10桥式电路的LS开关正常。否则得出过高的故障电流,从而要么B10桥式电路的LS开关有缺陷、要么相对于具有接地电势的壳体所使用的EM绝缘有缺陷,并且BRM可以被置于安全逆变器状态。
然后,在步骤S7中对B4桥式电路的LS开关进行电桥测试,其中首先在步骤S7a中通过微控制器将系统ASIC的电流受限制的11V/10mA电压源接通至FSn(B4有源测试)。然后在步骤S7b中测量电压UFSn,其中,大于2伏的测量的电压值意味着B4桥式电路的LS开关正常。如果不是这种情况,则得出过高的故障电流,这根据步骤S7c可以推断出,要么B4桥式电路的LS开关、要么相对于壳体的EM绝缘有缺陷,并且BRM可以被置于安全逆变器状态。
最后,在步骤S8中进行对桥式电路B4和B10的电桥驱动器测试,其中首先测试串行外围接口(SPI)的功能。如果不能够通过SPI进行通信,则转换为安全逆变器状态并且不进行开通。如果是肯定的测试结果,则在步骤S8a中接通电桥驱动器,并在步骤S8b中执行错误修正、解决方法(英语Workaround)和诊断。然后再次执行SPI通信的测试,并且在否定的测试结果的情况下发起安全逆变器状态并且不发起开通。反之,如果是肯定的测试结果,则通过μC_SysASIC来测试INH关断路径,并且如果该测试成功,则再次检查SPI通信。然后在步骤S8c中接通电桥驱动器,在步骤S8d中执行错误修正、解决方法和诊断,并在步骤S8e中配置电桥驱动器TLE。接下来是对于TLE、电压VCC和运算放大器的自检——在可以对关断路径ENA,SOFF和INH进行测试之前。在确定执行该自检时,在步骤S8f中接通电桥驱动器,在步骤S8g中执行错误修正、解决方法和诊断,并在步骤S8h中配置TLE,以便最终可以开通PWM。
在图2中示出在预驱动中电桥测试的硬件元件的示意图,其中包括48V电池、系统ASIC内的电流受限制(10mA)的电压源(11V)、B4桥式电路、B10桥式电路、微控制器μC、多个电桥驱动器、耗电器5~ESM。微控制器μC构造用于接收模拟信号,该微控制器在输入端ADC将所述信号作为模拟信号接收,并且可以借助模/数转换器将所述信号转换为数字信号。此外,微控制器μC构造用于通过输出端DOUT输出数字控制信号。
在图3中得出从MOSFET到电桥驱动器的硬件元件的详细图示。相应于本发明,设置包括软件的微控制器μC,该微控制器在整个电周期上对电压信号进行观测。此外,根据本发明设置一种传感装置,该传感装置可以在电桥驱动器中对在输出级上直接感测到的电压Uds进行模/数转换。
根据本实施例所使用的电桥驱动器TLE9180包含漏极-源极电压测量,可以借助从微控制器μC出来的SPI接口在有针对性的测量点处测量该漏极-源极电压测量。在此,所测量的测量值的数字传输通过SPI接口在-1.45至+1.45V的电压窗口中以8位分辨率进行。前述的测量单元最初旨在能够基于MOSFET的温度相关的RDS(on)显示输出级的温度测量。
为了在每次重新启动时已经在接通之前测试输出级,根据机器M的转速——在小于例如100转每分钟(英语rounds per minute,rpm)的阈值的转速下,根据现有技术进行纯故障电流测量。反之替代地,在相当于或超过100转每分钟的阈值的转速下,借助电桥驱动器来执行对漏极-源极电压的观测。在此,100转每分钟的值取决于如下机器:在该机器中根据转子磁场的情况,每分钟每转在相之间感应出电压。如果该电压太大,则不再能够借助对于所有相的共同的相电压测量在单个相上进行测量,因为差分电压会导致误诊断。
在转速低于100rpm并且应用所谓的低速测试的第一种情况下,首先通过如下方式测试电桥B10的高侧MOSFET:借助中间回路电压测量和相电压测量在第一相X上确定差分电压。因此,只要相之间不存在差分电压,就可以表明电桥B10的所有高侧MOSFET,因为所述所有高侧MOSFET是并联的。由于第一相X通过相对于接地点GND连接的分压器被连接以进行感测,因此通常可以在ADC上测量到0V的电压电平。如果高侧MOSFET或12V或48V的相现在具有故障连接,则得出模/数转换器上的升高的电压。如果现在Udc和相X之间的差分电压小于2V,则认为高侧的输出级存在缺陷,其中,根据电压识别出不同的灵敏度,因此将小于2V的值视为示例值。否则,将输出级例如认可为有功能能力的或正常的并且测试下一步骤。
然后,对电桥B4的高侧(MOS)FET进行测试。尤其从图2中可以获取,此处存在相对于GND的另一分压器。以类似于关于电桥B10的高侧MOSFET所描述的测量的方式执行测量。
然后,通过如下方式测试电桥B10的低侧(MOS)FET:例如根据本实施例将系统ASIC的电流受限制的电压源(11V/10mA)施加到U相上,由此提高相上的电势。通过读取U相上的电压,现在可以探测出在低侧(MOS)FET上或在定子绕组至机器壳体GND的连接上是否形成故障电流。如果此处的电压小于2V,则存在缺陷。否则,没有得出缺陷,并且存在功能能力。因此,可以认为在MOSFET导通时没有发生电池短路并且因此也没有产生热事故。
作为最后的输出级测试,现在通过如下方式测量电桥B4的低侧(MOS)FET:将相应于实施例所使用的系统ASIC的电流受限制的电压源附加地施加到场调节器上。以类似于关于电桥B10的低侧(MOS)FET所描述的测量的方式执行测量。
然后,对电桥驱动器的通信故障、关断路径和功能进行检查。
在所谓的高速测试(其中存在100rpm或更高的转速)的第二种情况下,各个相之间的差分电压太大,使得不再能够通过相上的电压回读(Spannungsrücklesung)可靠地识别出故障电流是否已经形成。因此,在这种情况下需要分开测量和观测每个相或每个MOSFET,如下所描述的那样。如果存在差分电压,则通过U上的电压测量不能够探测出例如X或V上的有缺陷的MOSFET。反之,探测出故障的MOSFET,因为基于相之间的感应电压以及流过存在于MOSFET中的反向二极管的电流识别到U上的电压太低。根据电周期内测量的位置,可能会出现一个或另外的。
紧接着,通过转子位置传感装置来测量机器旋转场的电周期的时间。在具有8个磁极对且最大转速为20000转每分钟的BRM的示例中,周期持续时间根据转速最大为370μs。此外,对于B10电桥激活测试电压,以便实现相与GND之间以及Ub48V与相之间的电势差,并且——至少在较低的转速范围内——改善测量结果。
现在通过微控制器μC的SPI接口如此配置电桥驱动器,使得电桥驱动器可以在无需激活输出级的情况下执行监测(所谓的测试模式)。
现在,在一圈电旋转内,在每个MOSFET上以等距的时间步长多次测量漏极-源极电压,并将所测量的值存储在存储器中。在此,电桥驱动器能够测量-1.45V至+1.45V范围内的漏极-源极电压。基于该测量数据可以探测出短路的FET。测量以至少32μs的时间步长进行,这对于测量和传输所必需的。在此,总是读取电桥驱动器的3个HS FET或3个LS FET。
因此,根据转速基于电旋转得出不同深度的扫描。在当前情况下,每圈电旋转总是测量20个测量值,以便优化处理和存储内容。也就是说,测量之间的暂停时间根据转速而有所不同。在必要的情况下进行转速区分,以便例如在大于10000rpm的转速下测量多个周期。
在测量完成之后对数据进行分析处理,这借助情况区分来进行。如果例如MOSFET的测量值的超过30%大于1.4V,则将MOSFET声明为良好。因此,也可以识别并测量负半波内的运行,在所述负半波中FET位于二极管中。在20个测量值下必须考虑到这一点。否则,MOSFET被分类为有缺陷,并且不会进行PWM开通。
此外设置,转速无关地共同观测所有LS测量值或所有HS测量值。如果存在单个LS-MOSFET的故障,则电流将强制地通过反向二极管流入另一LS-MOSFET中,使得在该处大于1.45V的测量值——即具有正的漏极-源极电压——的数量减少。
图4在UML图中以简化的形式示出根据本发明的在进行旋转的机器中的电桥测试的流程。在此,在根据图4的左侧所示的预运行测试PrR中,首先检查电压Ub12V是否已经超过6V的值。如果是这种情况,则在步骤S401中以供电和自检来启动系统ASIC。然后,微控制器在步骤S402中起动,执行在核心逻辑电路中实现的自检(内置自检,英语built-in selftests;BIST)并配置端口。在步骤S403中,进行对系统的ASIC的测试和相应的配置。
在执行步骤S401至S403之后,检查运行电压Ub48的值是否在24至54伏的范围内。如果是这种情况,则作为下一步在rpm测试中检查,转速是否在100至10000转每分钟(英语rounds per minute,rpm)的范围内。如果转速小于100rpm,则在步骤S405中进行低速测量/测试,随后在步骤S406中将用于“低速测试”的计数器置于值0。
然而,如果转速在100到10000rpm的范围内,则接着检查是否存在关于“电桥故障”的记录(Eintrag)。如果是这样,则再次执行上述rpm测试。否则,接着检查是否已经相应于步骤S405执行了低速测试——这可以根据已设置的计数器来进行分析处理。如果还未执行这种测试,则在此也再次执行上述的rpm测试。
如果低速测试已经完成,则在步骤S407中执行高速测试。如果未能够成功执行高速测试并且接收到无效数据,则再次执行上述rpm测试。如果已经成功执行了高速测试,则接着在步骤S408中增加用于“低速测试完成(Low SpeedTest done)”的计数器。如果识别到故障,则激活安全逆变器状态。随后,在步骤S409中进行电桥驱动器测试——而不管仅执行了低速测试还是高速测试,随后激活“闲置模式(Idle Mode)”。
在图4的右侧所示的运行后测试(PostRun-Test)PoR中,首先检查电压Ub48是否大于24伏。只要是这种情况,则检查转速是否已经低于100转每分钟。如果还满足该条件,则在步骤S410中执行低速测试,在结束之后,在步骤S411中在必要的情况下设置关于有缺陷的FET的记录,并且进入安全逆变器状态。替代地,如果未识别到故障,则在步骤S412中将用于“低速测试完成”的计数器置于0,并且借助CAN发送用于关断电池的消息。
通过根据图4所示的流程应该确保对每个第二接通周期执行一次低速测试。如果在预运行中无法进行低速测试,则必须在运行后中强制执行低速测试。
图5在UML图中以详细的方式示出根据本发明的在旋转机器中的电桥测试的流程。在此,在预运行测试PrR中,首先检查电压Ub12v是否已经超过6伏的值。如果是这种情况,则在步骤S501中以供电和自检来启动系统ASIC。然后,微控制器在步骤S502中起动,执行在核心逻辑电路中实现的自检(内置自检,英语built-in self tests;BIST)并配置端口。在步骤S503中,进行对系统的ASIC的测试和相应的配置。
然后,检查电压Ub48slow是否具有24至54伏之间的值。如果是这样,则在步骤S504和S505中存储关于“Ub48Vinit测量”和“Rpm_init测量”的值。
作为下一步,在rpm测试中检查转速是否在100至15000转每分钟(英语rounds perminute,rpm)的范围内。如果转速小于100rpm,则在步骤S506中进行低速测量/测试,随后在步骤S507中将用于“低速测试”的计数器置于值0。然而,如果转速在100到15000rpm的范围内,则接着检查是否存在关于“电桥故障”的记录。如果是这种情况,则再次执行上述rpm测试。否则,接着检查是否已经相应于步骤S506执行了低速测试——这可以根据所设置的计数器来进行分析处理。如果还未执行这种测试,则在此也再次执行上述rpm测试。
如果低速测试已经完成,则在步骤S508中执行高速测试。在执行高速测试之后,在识别到故障的情况下激活安全逆变器状态,并且在步骤S509中还借助“TLE观测者数据结果判定(英语TLE observer data result decision)”来检查在高速测试期间获得的数据是否有效。如果获得无效数据,则从上述rpm测试开始再次执行该方法流程。如果已经成功执行了高速测试而没有识别到故障,则接着在步骤S510中增加用于“低速测试完成”的计数器。通过计数器“低速测试完成”的复位在已执行的测试之后确保,在进行旋转的机器中在预运行中可以进行重新启动。在识别到故障的情况下,采用安全逆变器状态。然后,在步骤S511至S515中对电桥驱动器检查故障。然后可以激活“驱动模式(Drive Mode)”。
也在图5中示出的低速测试LST在步骤S516中以高侧B10电桥的无源测试开始。如果所测得的电压U48Vslow-Uphx大于2伏,则在步骤S517中以B4电桥的高侧无源测试继续进行,否则在步骤S521a中产生关于在HS FET B10电桥中的缺陷的记录并且调用安全逆变器状态。
在步骤S517中的高侧B4电桥的无源测试中测量,电压UFSn是否小于18伏。如果不是这种情况,则在步骤S521b中产生关于在HS FET B4电桥中的缺陷的记录,并且调用安全逆变器状态。
否则,该方法将以对TLE SPI通信的测试继续进行。如果对此的测试结果是否定的,则在步骤S521c中产生关于SPI通信中的缺陷的记录,并且调用安全逆变器状态。
否则,在步骤S518中进行低侧B10电桥的有源测试,根据该测试检查电压Uphx是否大于3伏。如果不是这种情况,则在步骤S521d中产生关于在LS FET B10电桥中的缺陷的记录,并且调用安全逆变器状态。
如果电压Uphx大于3伏,则在低侧B4电桥的有源测试中在步骤S519中测量电压UFSn是否大于2伏。如果不是这种情况,则在步骤S521e中产生关于在LS FET B4电桥中的缺陷的记录,并且调用安全逆变器状态。否则,在步骤S520中停用CP、CP_RY和FS_TST。然后在主程序中测试驱动器,并且开通输出级。
此外,在图5中示出高速测试HS,该高速测试相应于步骤S522以对高侧B4电桥的无源测试开始,在该无源测试中检查电压UFSn是否小于18伏。如果不是这种情况,则在步骤S530a中产生关于在HS FET B4电桥中的缺陷的记录并且调用安全逆变器状态。
否则,将测试TLE的SPI通信。在对此的测试结果是否定的情况下,在步骤S530b中产生关于SPI通信中的缺陷的记录,并且调用安全逆变器状态。如果通过该测试,则在步骤S523中激活电流受限制的11V/10mA电压源、计算待测量的时间并将TLE配置为测试模式。
在步骤S524中,在TLE3处周期性地测量B4电桥的LS MOSFET的UDS电压。在一个电周期内例如测量测量值二十次,并将其存储在RAM中。
在步骤S525中,通过SPI连接进行周期性读取并且将TLE1的所有三个高侧FET的电压UDS存储在RAM中,直到一个电周期被测量为止——在这种情况下总共分别二十次。
在步骤S526中,通过SPI连接进行周期性读取并且将TLE1的所有三个低侧FET的电压UDS存储在RAM中,直到一个电周期被测量为止——在这种情况下总共分别二十次。
在步骤S527中,通过SPI连接进行周期性读取并且将TLE2的所有三个高侧FET的电压UDS存储在RAM中,直到一个电周期被测量为止——在这种情况下总共分别二十次。
在步骤S528中,通过SPI连接进行周期性读取并且将TLE2的所有三个低侧FET的电压UDS存储在RAM中,直到一个电周期被测量为止——在这种情况下总共分别二十次。
最后,在步骤S529中停用电流受限制的11V/10mA电压源。
图5还示出在关于从高速测试获得的结果数据的判定方面的流程。
在步骤S531中,测量关于Ub48V_calc和Rpm_calc的值,并计算关于Ub48=(Ub48V_init+Ub48V_calc)/2和Ub48V_diff=abs(Ub48V_init-Ub48V_calc)的值。如果值Ub48V_diff大于5伏,则存在无效的测量并且必须重复测量。相应地,在步骤S531中,在已经对各个漏极-源极电压进行数据收集之后,再次测量转速和所施加的DC电压,然后计算初始测量与两次测量的平均值之间的差异。如果初始测量与最终测量之间的差太大,则必须重复测试,因为有时无法测量整个电周期,并且因此不存在可信的数据。如果在数据收集期间直流电压偏离太大,则也必须重复测试。
如果值Ub48V_diff小于5伏,则在步骤S532中以Rpm=(Rpm_init+Rpm_calc)/2和Rpm_diff=abs(Rpm_init-Rpm_calc)来计算转速。如果Rpm_diff的值大于100转每分钟,则存在无效的测量并且必须重复测量。
在步骤S533中,对漏极-源极电压的所收集的测量数据进行分析处理。在此,分别共同地评估LS FET的5个相或所有5个HS FET以及场调节器的两个LS FET的所有测量数据。如果B10电桥的一个HS FET中存在短路,则借助B10的所有其他HS FET的反向二极管产生周期性的相短路,这导致正的漏极-源极电压之和显著降低。这等效地适用于B10电桥的LSMOSFET和转子绕组的B4电桥的LS FET。因此,通过B10电桥的所有LS(A_LS_over_14V)或HSFET的(A_HS_over_14V)或替代地B4电桥的LS FET的高于例如1.4V的测量数据的数量,可以判定在LS FET或在B10或B4电桥的HS FET中是否存在故障。
然而,由于机器在B10电桥或定子绕组处的感应电压在一些区域中大于所施加的直流电压并且因此导致反向二极管在有功能能力的FET中也部分地在导电区域中,所以可以借助例如在HS处大于1.4V的测量的数量与在LS处大于1.4V的测量的数量的比率(HSQuot_over_14V)来改善在边界区域中的识别。
有利地,通过DC电压和转速矩阵预给定用于在测量数量上的比较的阈值(LimitQuot_Over_14V)。根据感应电压与所施加的DC电压的比率,阈值由于在反向二极管上部分出现的运行而偏移。替代地,可以借助固定的阈值根据转速和所施加的DC电压来识别不同的故障电阻。
他励机器的转子绕组上的感应电压明显较低,因此在该组件上省去该比率。此外,为了减少测量时间,借助无源低速测试来测量HS FET。将阈值预给定为固定参数(Limit_A_FS_LS_14V)。
随后,检查A_FS_LS_14V是否大于Limit_A_FS_LS_14V。如果不是这种情况,则在步骤S534a中产生关于在LS FET B4电桥中的缺陷的记录,并且调用安全逆变器状态。
然而,如果A_FS_LS_14V大于Limit_A_FS_LS_14V,则检查HSQuot_over_14V是否大于LimitQuot_over_14V。如果不是这种情况,则在步骤S534b中产生关于在HS FET中的缺陷的记录,并且调用安全逆变器状态。
如果HSQuot-over-14V大于LimitQuot-over-14V,则检查LSQuot-over-14V是否大于LimitQuot-over-14V。如果不是这样,则在步骤S534c中产生关于在LS FET中的缺陷的记录,并且调用安全逆变器状态。
此外,在图5中示出运行后场景PoR,其中,在运行后中在静止的机器中执行低速测试,以便在接通周期内实现准确的故障诊断。借助故障电流监测进行的低速测试具有对故障电阻的增加的敏感性。在此,相应于图5,首先检查电压Ub48是否大于24伏。只要是这种情况,则检查转速是否已经低于100转每分钟。如果还满足此条件,则在步骤S535中对高侧B10电桥执行无源测试,并测量HS FET的漏极-源极电压(48Vslow-Uphx)是否大于2伏。如果不是这种情况,则在步骤S540a中产生关于在HS FET B10电桥中的缺陷的记录,并且调用安全逆变器状态。
然而,如果48Vslow-Uphx大于2伏,则在步骤S536中以对高侧B4电桥的无源测试继续进行,并测量UFSn是否小于18伏。如果不是这种情况,则在步骤S540b中产生关于在HS FETB4电桥中的缺陷的记录,并且调用安全逆变器状态。
否则,在步骤S537中,通过以下方式以对低侧B10电桥的有源测试继续进行并且测量Uphx是否大于3伏:激活外部的电流受限制的11V/10mA电压源。如果不是这种情况,则在步骤S540c中产生关于在LS FET B10电桥中的缺陷的记录,并且调用安全逆变器状态。
然而,如果Uphx大于3伏,则在步骤S538中继续进行对低侧B4电桥的有源测试、激活CP_RY_FS并且测量UFSn是否大于2伏。如果不是这种情况,则在步骤S540d中产生关于在LSFET B4电桥中的缺陷的记录,并且调用安全逆变器状态。
否则,最后在步骤S539中将用于低速测试的计数器置于0,并且结束该方法流程。
在图6中以示意性的示图示出具有可能的测试时间点的“接通”周期或生命周期(Lebenszyklus)。由此尤其可以看出,借助根据本发明的方法现在可以在产品生命周期中在不同的部位执行电桥测试,以便防止所谓的热事故。由于各个测试——例如低速测试和高速测试——具有对输出级故障的不同的识别阈值,因此值得推荐的是在运行中进行定期检查。
在步骤S600中逆变器经过包括运输和存储的制造工艺之后,在步骤S601中通过机动车的端子15确保逆变器的12V供电。然后在步骤S602中以12V和2000转每分钟首次启动逆变器。然后在步骤S603中接通48V电池。在这一点上,适合在步骤S604中开通PWM并开始所谓的运行模式之前执行高速测试。此外,也适合在复位之后在运行模式期间执行高速测试。
在步骤S605中,当机动车的内燃机停止时——例如由于起停自动装置或在滑行(Segeln)模式下(只要驾驶员给油,变速器就自动切换至空转)——也存在在复位后进行高速测试的可能性。
反之,在步骤S606中再次启动内燃机之前,可以进行低速测试,其中,在内燃机的启动过程中可以使用短路探测(英语Short Circuit Detection,SCD),并且在复位之后在启动过程期间又可以设想进行高速测试。
在步骤S607中,接着进行已经在步骤S604中所描述的运行模式,在该运行模式的框架中可以再次执行高速测试。
步骤S608表示在通过端子15关断点火的情况下内燃机被停止的情况,其中,也可以从步骤S604开始达到该状态,这可以通过图6所示的箭头看出。在由该状态导致的复位之后,高速测试的执行也是有意义的。
反之,在步骤S609中关断48V供电之前,可以再次设想执行低速测试,接着所述步骤S609在步骤S610中借助端子87关断12V供电。
在所谓的高速测试中,识别深度约为20至50欧姆,其中,必须满足位于测试模式中的电桥驱动器TLE的边界条件。在低速测试中,给定直至100欧姆的识别深度,其中,必须满足作为边界条件的小于100rpm的转速、关断的PWM和关断的电桥驱动器TLE。相反地,由现有技术已知的短路探测仅具有小于0.005欧姆的识别深度。
此外,根据本发明,存在通过如下方式进行对测量的可信度检验的可能性:读取一个半桥内两个MOSFET的漏极-源极电压。例如,如果在高侧MOSFET上在一圈或多圈旋转上超过95%仅测量到电桥驱动器的最大可测量电压(在此为1.45V),则也可以探测出低侧(MOS)FET中的缺陷,因为在半桥内施加供电电压时,电压必须在两个半桥上分配。
Claims (8)
1.一种用于在进行旋转的机器(M)中测试输出级的电桥的方法,所述输出级包括微控制器(μC)、第一桥式电路(B10)和第二桥式电路(B4),所述方法包括以下方法步骤:
-通过所述微控制器(μC)来确定借助所述输出级的桥式电路运行的机器的转速;并且
-如果所确定的转速未超过预定义的阈值,则执行低速测试,或者如果所确定的转速相应于所述预定义的阈值或超过所述预定义的阈值,则执行对为所述电桥设置的驱动器进行观测。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述低速测试的执行包括以下方法步骤:
-对所述第一桥式电路(B10)的高侧开关进行测试;
-对所述第二桥式电路(B4)的高侧开关进行测试;
-对所述第一桥式电路(B10)的低侧开关进行测试;并且
-对所述第二桥式电路(B4)的低侧开关进行测试。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法,其中,在执行所述低速测试之后,还设置对所述为所述电桥设置的驱动器进行通信故障、关断路径和功能的检查。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,对所述为所述电桥设置的驱动器的观测的执行包括以下方法步骤:
-对所述第二桥式电路(B4)的低侧开关进行测试;
-对所述第二桥式电路(B4)的高侧开关进行测试;
-借助转子位置传感装置对所述机器的机器旋转场的电周期的时间进行测量;
-通过所述微控制器(μC)对所述为所述电桥设置的驱动器进行配置。
5.根据权利要求3或权利要求4所述的方法,所述方法还包括以下方法步骤:
-在所述机器(M)的一圈电旋转之内,对所述第一桥式电路(B10)的构造为MOSFET的开关中的每个开关和/或对所述第二桥式电路(B4)的构造为MOSFET的开关中的每个开关进行漏极-源极电压的周期性测量。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,在进行测量之后,对关于构造为MOSFET的开关所检测的漏极-源极电压的值进行分析处理。
7.根据权利要求2至6中任一项所述的方法,其中,通过如下方式以低速测试的形式进行对所述第一桥式电路(B10)的高侧开关的测试和/或对所述第二桥式电路(B4)的高侧开关的测试:借助中间回路电压测量和第一相(X)上的相电压测量来确定差分电压。
8.根据权利要求2至7中任一项所述的方法,其中,通过如下方式以低速测试的形式进行对所述第一桥式电路(B10)的低侧开关的测试和/或对所述第二桥式电路(B4)的低侧开关的测试:在第二相(U)上施加电流受限制的电压源,从而提高在相(X,U)上的电势。
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CN113834678A (zh) * | 2021-09-23 | 2021-12-24 | 中铁十一局集团第一工程有限公司 | 一种多点支撑式转体桥梁模型试验装置及试验方法 |
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