CN111900189A - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本公开提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括设置在基底上的发光单元层和设置在所述发光单元层上的镜面层；所述镜面层远离基底的一侧设置有光调制层，所述光调制层被配置为形成设定颜色的镜面显示。本公开通过在镜面显示基板中设置光调制层，光调制层被配置为形成设定颜色的镜面显示，显示时可以保证光线的高透过率，不仅实现了多色彩的镜面显示，有效解决了现有镜面显示时存在颜色单调、眩目等缺陷，而且有效解决了外界光反射问题，因而所形成的彩色镜面显示，可以不设置圆偏光片，大幅度减少了光损失，降低了功耗，增加了使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及但不限于显示技术领域，具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)和有机发光二极管(OrganicLight Emitting Diode，简称OLED)是平面显示的主流显示技术，LCD具有体积小、功耗低、无辐射等特点，OLED为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、较低耗电、极高反应速度等优点。
随着显示技术的快速发展，具有多功能的显示装置不断出现，其中包括实现显示和镜子功能的镜面显示装置。镜面显示是指使用者在使用镜子的同时，可以从镜子的显示器中看到显示画面，以满足人们的多种需求。
一种镜面OLED显示装置采用金属材料作为反射层，但镜面显示存在颜色单调、眩目等缺陷。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本公开所要解决的技术问题是，提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，以解决现有镜面显示存在颜色单调、眩目等缺陷。
为了解决上述技术问题，本公开提供了一种显示基板，包括设置在基底上的发光单元层和设置在所述发光单元层上的镜面层；所述镜面层远离基底的一侧设置有光调制层，所述光调制层被配置为形成设定颜色的镜面显示。
在一些可能的实现方式中，所述镜面层包括反射层，所述反射层上设置有与多个发光单元一一对应的透光孔；或者，所述镜面层包括半透半反层。
在一些可能的实现方式中，所述显示基板还包括光学胶层和封盖层，所述光调制层设置在所述镜面层上，所述光学胶层设置在所述光调制层上，所述封盖层设置在所述光学胶层上。
在一些可能的实现方式中，所述显示基板还包括封盖层，所述封盖层设置在所述镜面层远离基底的一侧；所述光调制层设置在所述封盖层邻近基底一侧的表面上，或者，所述光调制层设置在所述封盖层远离基底一侧的表面上。
在一些可能的实现方式中，所述光调制层包括叠设的多个子层，所述多个子层包括具有第一折射率的第一折射率层和具有第二折射率的第二折射率层，所述多个子层中的第一折射率层和第二折射率层交替设置，所述第一折射率大于所述第二折射率。
在一些可能的实现方式中，所述光调制层包括叠设的第一子层、第二子层和第三子层；或者，所述光调制层包括叠设的的第一子层、第二子层、第三子层、第四子层和第五子层；
所述第一子层、第三子层和第五子层为具有第一折射率的第一折射率层，所述第二子层和第四子层为具有第二折射率的第二折射率层。
在一些可能的实现方式中，所述第一子层的厚度为40nm～140nm，所述第二子层的厚度为40nm～220nm，所述第三子层的厚度为40nm～140nm，所述第四子层的厚度为40nm～220nm，所述第五子层的厚度为40nm～140nm。
在一些可能的实现方式中，所述光调制层包括叠设的第一子层、第二子层和第三子层时，
对于反射层的材料包括铝，所述第一子层的厚度为40nm～90nm，所述第二子层的厚度为90nm～110nm，所述第三子层的厚度为40nm～90nm；或者，所述第一子层的厚度为70nm～140nm，所述第二子层的厚度为190nm～210nm，所述第三子层的厚度为70nm～140nm；
对于反射层的材料包括钼，所述第一子层的厚度为70nm～140nm，所述第二子层的厚度为90nm～110nm，所述第三子层的厚度为70nm～140nm；或者，所述第一子层的厚度为80nm～140nm，所述第二子层的厚度为190nm～210nm，所述第三子层的厚度为80nm～140nm。
在一些可能的实现方式中，在可见光范围内，所述第一折射率为1.6～2.5，所述第二折射率为1.3～1.5。
本公开还提供了一种显示装置，包括上述显示基板。
为了解决上述技术问题，本公开还提供了一种显示基板的制备方法，包括：
在基底上依次形成发光单元层和设置在所述发光单元层上的镜面层；
形成光调制层，所述光调制层被配置为形成设定颜色的镜面显示。
在一些可能的实现方式中，形成光调制层，包括：
在所述镜面层上依次形成第一子层、第二子层和第三子层；或者，在所述镜面层上依次形成第一子层、第二子层、第三子层、第四子层和第五子层；
所述第一子层、第三子层和第五子层为具有第一折射率的第一折射率层，所述第二子层和第四子层为具有第二折射率的第二折射率层，所述第一折射率大于所述第二折射率。
在一些可能的实现方式中，形成光调制层，包括：
在封盖层上依次形成第一子层、第二子层和第三子层；或者，在封盖层上依次形成第一子层、第二子层、第三子层、第四子层和第五子层；
所述第一子层、第三子层和第五子层为具有第一折射率的第一折射率层，所述第二子层和第四子层为具有第二折射率的第二折射率层，所述第一折射率大于所述第二折射率；
在所述镜面层上涂覆一层光学胶层，通过贴合工艺将形成有光调制层的封盖层贴合在光学胶层上。
在一些可能的实现方式中，所述光调制层设置在所述封盖层邻近所述基底一侧的表面上，或者，所述光调制层设置在所述封盖层远离基底一侧的表面上。
在一些可能的实现方式中，所述第一子层的厚度为40nm～140nm，所述第二子层的厚度为40nm～220nm，所述第三子层的厚度为40nm～140nm，所述第四子层的厚度为40nm～220nm，所述第五子层的厚度为40nm～140nm。
本公开提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置，通过在镜面显示基板中设置光调制层，光调制层被配置为形成设定颜色的镜面显示，不仅实现了多色彩的镜面显示，有效解决了现有镜面显示时存在颜色单调、眩目等缺陷，而且有效解决了外界光反射问题，可以不设置圆偏光片，大幅度减少了光损失，降低了功耗，增加了使用寿命。
当然，实施本发明的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。本发明的其它特征和优点将在随后的说明书实施例中阐述，并且，部分地从说明书实施例中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本公开的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
图1为本公开示例性实施例一种显示基板的结构示意图；
图2为本公开示例性实施例形成驱动结构层图案后的示意图；
图3为本公开示例性实施例形成发光结构层图案后的示意图；
图4为本公开示例性实施例形成反射层图案后的示意图；
图5为本公开示例性实施例形成光调制层图案后的示意图；
图6为本公开示例性实施例一种光调制层反射不同颜色的仿真结果图；
图7为本公开示例性实施例另一种光调制层反射不同颜色的仿真结果图；
图8为本公开示例性实施例第一折射率层反射不同颜色的仿真结果图；
图9为本公开示例性实施例形成封盖层后的示意图；
图10为本公开示例性实施例另一种显示基板的结构示意图；
图11为本公开示例性实施例又一种显示基板的结构示意图；
图12为本公开示例性实施例又一种显示基板的结构示意图；
图13为本公开示例性实施例又一种显示基板的结构示意图；
图14为本公开示例性实施例又一种显示基板的结构示意图。
附图标记说明:
10—基底； 11—第一绝缘层； 12—第二绝缘层；
13—第三绝缘层； 14—第四绝缘层； 15—平坦层；
21—阳极； 22—像素定义层； 23—有机发光层；
24—阴极； 25—封装结构层； 30—反射层；
31—透光孔； 40—半透半反层； 50—光调制层；
60—光学胶层； 70—封盖层； 100—驱动结构层；
101—晶体管； 102—存储电容； 200—发光结构层。
具体实施方式
本文中的实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是实现方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图中，有时为了明确起见，可能夸大表示了构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的任意一个实现方式并不一定限定于图中所示尺寸，附图中部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的任意一个实现方式不局限于附图所示的形状或数值等。
本文中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。
在本文中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述实施方式和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系可根据描述的构成要素的方向进行适当地改变。因此，不局限于在文中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
在本文中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据情况理解上述术语在本公开中的含义。
在本文中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(或称漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(或称源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。在本文中，沟道区域是指电流主要流过的区域。
在本文中，第一极可以为漏电极、第二极可以为源电极，或者第一极可以为源电极、第二极可以为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况下，“源电极”及“漏电极”的功能有时可以互相调换。因此，在本文中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。
在本文中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”例如可以是电极或布线，或者是晶体管等开关元件，或者是电阻器、电感器或电容器等其它功能元件等。
在本文中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。
在本文中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。
本文中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。
为了解决现有镜面显示时存在颜色单调、眩目等缺陷，本公开提供了一种显示基板，显示基板包括设置在基底上的发光单元层和设置在所述发光单元层上的镜面层；所述镜面层远离基底的一侧设置有光调制层，所述光调制层被配置为形成设定颜色的镜面显示。
在示例性实施方式中，所述发光单元层包括多个对应不同颜色的发光单元，所述镜面层包括反射层，所述反射层上设置有与多个发光单元一一对应的透光孔。
在示例性实施方式中，所述发光单元层包括多个对应不同颜色的发光单元，所述镜面层包括半透半反层。
在示例性实施方式中，显示基板还包括光学胶层和封盖层，所述光调制层设置在所述镜面层远离基底一侧的表面上，所述光学胶层设置在所述光调制层远离基底一侧的表面上，所述封盖层设置在所述光学胶层远离基底一侧的表面上。
在示例性实施方式中，显示基板还包括光学胶层和封盖层，所述封盖层设置在所述镜面层远离基底的一侧，所述光调制层设置在所述封盖层邻近基底一侧的表面上，所述光学胶层设置在所述镜面层和光调制层之间。
在示例性实施方式中，显示基板还包括光学胶层和封盖层，所述封盖层设置在所述镜面层远离基底的一侧，所述光调制层设置在所述封盖层远离基底一侧的表面上，所述光学胶层设置在所述镜面层和封盖层之间。
在示例性实施方式中，光调制层包括叠设的多个子层，所述多个子层包括具有第一折射率的第一折射率层和具有第二折射率的第二折射率层，所述多个子层中的第一折射率层和第二折射率层交替设置。
在示例性实施方式中，第一层和最后一层均为第一折射率层。
在示例性实施方式中，第一折射率大于第二折射率。
在示例性实施方式中，在可见光范围内，第一折射率可以约为1.6～2.5，第二折射率可以约为1.3～1.5。
在示例性实施方式中，光调制层包括叠设的第一子层、第二子层和第三子层，第一子层和第三子层为具有第一折射率的第一折射率层，第二子层为具有第二折射率的第二折射率层。
在可能的示例性实施方式中，所述第一子层的厚度约为40nm～140nm，所述第二子层的厚度约为40nm～220nm，所述第三子层的厚度约为40nm～140nm。
在可能的示例性实施方式中，当所述反射层的材料为铝时，所述第一子层的厚度约为40nm～90nm，所述第二子层的厚度约为90nm～110nm，所述第三子层的厚度约为40nm～90nm；或者，所述第一子层的厚度为70nm～140nm，所述第二子层的厚度为190nm～210nm，所述第三子层的厚度为70nm～140nm。
在可能的示例性实施方式中，当所述反射层的材料为钼时，所述第一子层的厚度约为70nm～140nm，所述第二子层的厚度约为90nm～110nm，所述第三子层的厚度约为70nm～140nm；或者，所述第一子层的厚度为80nm～140nm，所述第二子层的厚度为190nm～210nm，所述第三子层的厚度为80nm～140nm。
在示例性实施方式中，光调制层包括叠设的的第一子层、第二子层、第三子层、第四子层和第五子层，第一子层、第三子层和第五子层为具有第一折射率的第一折射率层，第二子层和第四子层为具有第二折射率的第二折射率层。
在可能的示例性实施方式中，所述第一子层的厚度约为40nm～140nm，所述第二子层的厚度约为40nm～220nm，所述第三子层的厚度约为40nm～140nm，所述第四子层的厚度约为40nm～220nm，所述第五子层的厚度约为40nm～140nm。
在示例性实施方式中，第一折射率层的材料可以包括如下任意一种或多种：氧化物和氮化物，氧化物可以包括如下任意一种或多种：二氧化钛、二氧化锆和五氧化二铌，氮化物可以包括氮化硅。
在示例性实施方式中，第二折射率层的材料可以包括如下任意一种或多种：二氧化硅、氟化镁、氧化哈和氧化铝。
在示例性实施方式中，光调制层中的多个子层可以采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方式依次沉积。
在示例性实施方式中，本公开光调制层为周期性多层膜系，其基本结构是周期性多层膜系(LH)S，以及在多层膜系(LH)S两侧各增加一λ/8膜层，形成(0.5HL0.5H)S周期性多层膜系，即
其中，H为具有第一折射率(高折射率)的第一折射率层，L为具有第二折射率(低折射率)的第二折射率层，第一折射率大于第二折射率，S＝1，2，3，……，N，为多层膜系的周期数。例如，周期性多层膜系(0.5HL0.5H)表示三层，三层包括叠设的第一折射率层、第二折射率层和第一折射率层。又如，周期性多层膜系(0.5HL0.5H)2表示五层，五层包括叠设的第一折射率层、第二折射率层、第一折射率层、第二折射率层和第一折射率层。
(0.5HL0.5H)S周期性多层膜系是利用多光束干涉原理，让某一波长范围(波段)的光束高反射率，而让偏离该波长范围(波段)的光束变为高透过率，其基本特征是一连串的高反层间隔一连串的高透层。本公开示例性实施例中，光调制层可以称为周期性多层膜系，周期性多层膜系对某个颜色波段的光线具有高反射率，对其它波段的光线具有高透过率。
在示例性实施方式中，考虑到光调制层的厚度、制备时间和工艺实现性，设置多层膜系的周期数S＝1～10。
图1为本公开示例性实施例一种显示基板的结构示意图，示意了一种反射层的镜面OLED结构。如图1所示，在示例性实施方式中，显示基板包括基底10、设置在基底10上的驱动结构层100、设置在驱动结构层100远离基底10一侧表面上的发光结构层200、设置在发光结构层200远离基底10一侧表面上的反射层30、设置在反射层30远离基底10一侧表面上的光调制层50、设置在光调制层50远离基底10一侧表面上的光学胶层60以及设置在光学胶层60远离基底10一侧表面上的封盖层70。其中，驱动结构层100和发光结构层200构成本公开示例性实施例的发光单元层。
在平行于基底的平面内，发光单元层包括周期性排布的多个对应不同颜色的发光单元。在示例性实施方式中，多个发光单元可以包括出射红色光线的红色发光单元、出射绿色光线的绿色发光单元和出射蓝色光线的蓝色发光单元。在一些可能的实现方式中，多个发光单元可以包括红色发光单元、绿色发光单元、蓝色发光单元和出射白色光线的白色发光单元。
在示例性实施方式中，驱动结构层100可以包括形成像素驱动电路的多个薄膜晶体管和存储电容。在示例性实施方式中，驱动结构层可以包括在基底10上依次设置的第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第一栅金属层、第三绝缘层、第二栅金属层、第四绝缘层、源漏金属层和平坦层。
在示例性实施方式中，发光结构层可以包括阳极、像素定义层、有机发光层、阴极以及封装结构层。
在示例性实施方式中，每个发光单元的反射层30上可以设置透光孔31，多个透光孔31的位置与多个发光单元中有机发光层的位置一一对应。
在示例性实施方式中，光调制层50可以包括叠设的多个子层，光调制层50被配置为形成设定颜色的镜面显示。
下面通过显示基板的制备过程进行示例性说明。本公开所说的“图案化工艺”，对于金属材料、无机材料或透明导电材料，包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，对于有机材料，包括涂覆有机材料、掩模曝光和显影等处理。沉积可以采用溅射、蒸镀、化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂、旋涂和喷墨打印中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种，本公开不做限定。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积、涂覆或其它工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需图案化工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”需图案化工艺，则在图案化工艺前称为“薄膜”，图案化工艺后称为“层”。经过图案化工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次图案化工艺同时形成，膜层的“厚度”为膜层在垂直于显示基板方向上的尺寸。本公开示例性实施例中，“A的正投影包含B的正投影”，是指B的正投影的边界落入A的正投影的边界范围内，或者A的正投影的边界与B的正投影的边界重叠。
在一种示例性实施方式中，显示基板的制备过程包括如下操作。
(1)在玻璃载板1上形成基底10。在一种示例性实施方式中，在玻璃载板1上形成基底10可以包括：在玻璃载板1上涂覆第一柔性材料薄膜，固化成膜后形成第一柔性层；在第一柔性层远离玻璃载板1一侧的表面上涂覆第二柔性材料薄膜，固化成膜后形成第二柔性层；在第二柔性层远离玻璃载板1一侧的表面上涂覆第三柔性材料薄膜，固化成膜后形成第三柔性层，在玻璃载板1上形成柔性的基底10，基底10包括叠设的第一柔性层、第二柔性层和第三柔性层。
在另一种示例性实施方式中，在玻璃载板1上形成基底10可以包括：先在玻璃载板1上涂覆第一柔性材料薄膜，固化成膜后形成第一柔性层；随后在第一柔性层上沉积第一无机材料薄膜，形成覆盖第一柔性层的第一无机层；然后在第一无机层上沉积非晶硅薄膜，形成覆盖第一无机层的非晶硅层；然后在非晶硅层上涂覆第二柔性材料薄膜，固化成膜后形成第二柔性层；然后在第二柔性层上沉积第二无机材料薄膜，形成覆盖第二柔性层的第二阻挡层，在玻璃载板1形成柔性的基底10，基底10包括叠设的第一柔性层、第一无机层、半导体层、第二柔性层和第二无机层。
在示例性实施方式中，第一、第二和第三柔性材料薄膜的材料可以采用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、压敏胶(PSA)或经表面处理的聚合物软膜等材料，第一、第二无机材料薄膜的材料可以采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等，用于提高基底的抗水氧能力，第一、第二无机层称之为第一、第二阻挡(Barrier)层，半导体层的材料可以采用非晶硅(a-si)。
在示例性实施方式中，第一柔性层、第二柔性层和第三柔性层可以采用相同的材料，或者可以采用不同的材料。在一些可能的实现方式中，第一柔性层的材料包括压敏胶，第二柔性层和第三柔性层的材料均包括聚酰亚胺。
(2)在基底10上形成驱动结构层图案，如图2所示。在示例性实施方式中，驱动结构层可以包括构成像素驱动电路的多个晶体管和存储电容，图2中示意了两个子像素的驱动结构层，每个子像素的驱动结构层以一个晶体管和一个存储电容为例进行示意。在示例性实施方式中，驱动结构层的制备过程可以包括：
在基底10上依次沉积第一绝缘薄膜和半导体层薄膜，通过图案化工艺对半导体层薄膜进行构图，形成覆盖整个基底10的第一绝缘层11，以及设置在第一绝缘层11上的半导体层图案，半导体层图案至少包括设置在每个子像素内的有源层。在示例性实施方式中，本次图案化工艺称为第一次图案化工艺。
随后，依次沉积第二绝缘薄膜和第一金属薄膜，通过图案化工艺对第一金属薄膜进行构图，形成覆盖半导体层图案的第二绝缘层12，以及设置在第二绝缘层12上的第一栅金属层图案，第一栅金属层图案至少包括设置在每个子像素内的栅电极和第一电容电极。在示例性实施方式中，本次图案化工艺称为第二次图案化工艺。
随后，依次沉积第三绝缘薄膜和第二金属薄膜，通过图案化工艺对第二金属薄膜进行构图，形成覆盖第一栅金属层的第三绝缘层13，以及设置在第三绝缘层13上的第二栅金属层图案，第二栅金属层图案至少包括设置在每个子像素内的第二电容电极，第二电容电极的位置与第一电容电极的位置相对应。在示例性实施方式中，本次图案化工艺称为第三次图案化工艺。
随后，沉积第四绝缘薄膜，通过图案化工艺对第四绝缘薄膜进行构图，形成覆盖第二栅金属层的第四绝缘层14图案，第四绝缘层14上开设有多个过孔图案，多个过孔图案至少包括设置在每个子像素内的两个第一过孔，两个第一过孔的位置分别有源层的两端位置相对应，两个第一过孔内的第四绝缘层14、第三绝缘层13和第二绝缘层12被刻蚀掉，暴露出有源层的表面。在示例性实施方式中，本次图案化工艺称为第四次图案化工艺。
随后，沉积第三金属薄膜，通过图案化工艺对第三金属薄膜进行构图，在第四绝缘层14上形成源漏金属层图案，源漏金属层图案至少包括设置在每个子像素内的源电极和漏电极，源电极和漏电极分别通过第一过孔与有源层连接，使源电极和漏电极之间形成导电沟道。在示例性实施方式中，本次图案化工艺称为第五次图案化工艺。
随后，涂覆一层平坦薄膜，形成覆盖整个基底10的平坦化(PLN)层15，通过图案化工艺在平坦层15上形成过孔图案，过孔图案至少包括设置在每个子像素内的第二过孔，第二过孔内的第一平坦层15被显影掉，暴露出漏电极的表面，平坦层15远离基底10一侧的表面为平直的表面。在示例性实施方式中，本次图案化工艺称为第六次图案化工艺。
至此，在基底10上制备完成驱动结构层图案，如图2所示。有源层、栅电极、源电极和漏电极组成晶体管101，第一电容电极和第二电容电极组成存储电容102。在一示例性实施方式中，晶体管101可以是像素驱动电路中的驱动晶体管，驱动晶体管可以是薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)。
在示例性实施方式中，第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或多种，可以是单层、多层或复合层。第一绝缘层称为缓冲(Buffer)层，用于提高基底的抗水氧能力，第二绝缘层和第三绝缘层称为栅绝缘(GI)层，第四绝缘层称为层间绝缘(ILD)层，平坦薄膜可以采用树脂材料等。第一金属薄膜、第二金属薄膜和第三金属薄膜可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者是多层复合结构，如Ti/Al/Ti等。有源层薄膜可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩或聚噻吩等材料，即本公开适用于基于氧化物(Oxide)技术、硅技术或有机物技术制造的晶体管。
(3)在驱动结构层上形成发光结构层，如图3所示。在示例性实施方式中，在驱动结构层上形成发光结构层可以包括：
在形成前述图案的基底上沉积透明导电薄膜，通过图案化工艺对透明导电薄膜进行构图，形成透明导电层图案，透明导电层图案至少包括设置在每个子像素内的阳极21，阳极21通过第二过孔与第一晶体管101的漏电极连接。在示例性实施方式中，本次图案化工艺称为第七次图案化工艺。在示例性实施方式中，透明导电薄膜可以采用氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)，可以是单层结构，或者是复合层结构，如ITO/Al/ITO等。
在形成前述图案的基底上涂覆像素定义薄膜，通过图案化工艺对像素定义薄膜进行掩膜曝光和显影，形成像素定义(PDL)层22，在每个子像素内，像素定义层22上开设有像素开口，像素开口内的像素定义薄膜被显影掉，暴露出阳极21的表面。在示例性实施方式中，本次图案化工艺称为第八次图案化工艺。在示例性实施方式中，像素定义薄膜可以采用聚酰亚胺、亚力克或聚对苯二甲酸乙二醇酯等材料。
在形成前述图案的基底上涂覆有机材料薄膜，通过图案化工艺对有机材料薄膜进行掩膜曝光和显影，形成多个隔离柱(PS)图案。在示例性实施方式中，本次图案化工艺称为第九次图案化工艺。
在形成前述图案的基底上依次形成有机发光层23和阴极24，在每个子像素内，有机发光层23形成在像素开口内，实现有机发光层23与阳极21连接，阴极24形成在有机发光层23和像素定义层22上，实现阴极24与有机发光层23连接，多个子像素的阴极24为一体结构。在示例性实施方式中，有机发光层23包括叠设的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
在形成前述图案的基底上形成封装结构层25。在示例性实施方式中，封装结构层25可以采用无机材料/有机材料/无机材料的叠层结构，有机材料层设置在两个无机材料层之间。在示例性实施方式中，形成封装结构层25的过程可以包括：
采用开放式掩膜板(Open Mask)在显示区采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方式沉积第一无机薄膜，形成第一封装层。由于开放式掩膜板将绑定区域遮档，因而第一封装层将绑定区域的绑定焊垫暴露出来。等离子体增强化学气相沉积为低温工艺，工作温度约为80度左右。采用喷墨打印工艺在显示区的第一封装层上喷墨打印有机材料，固化成膜后，形成第二封装层。由于采用喷墨打印工艺，因而第二封装层可以仅形成在显示区。采用开放式掩膜板在显示区沉积第二无机薄膜，形成第三封装层。在示例性实施例中，第一封装层和第三封装层可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或多种，可以是单层、多层或复合层。第二封装层可以采用树脂材料。在示例性实施例中，第一封装层的厚度可以约为0.8μm～1.2μm，第二封装层的厚度可以约为10μm～15μm，第三封装层的厚度可以约为0.5μm～0.7μm。在一些可能的实现方式中，第一封装层的厚度可以约为1μm，第二封装层的厚度可以约为12μm，第三封装层的厚度可以约为0.6μm。
至此，在驱动结构层上制备完成发光结构层图案，如图3所示。
(4)在发光结构层上形成反射层。在示例性实施方式中，在发光结构层上形成反射层可以包括：在形成前述图案的基底上沉积反射薄膜，通过图案化工艺对反射薄膜进行构图，形成反射层图案，反射层图案至少包括设置在封装结构层25的反射层30和设置在每个子像素内的透光孔31，透光孔31的位置与发光结构层的像素开口的位置相对应，如图4所示。在示例性实施方式中，本次图案化工艺称为第十次图案化工艺。
在示例性实施方式中，反射层30上透光孔31的面积可以约为子像素面积的10％至40％，即在平行于显示基板的平面上，反射层30在基底上的正投影的面积约为子像素面积的60％至90％。在示例性实施方式中，透光孔31在基底上的正投影可以大于、等于或小于像素开口在基底上的正投影。当透光孔31在基底上的正投影大于像素开口在基底上的正投影时，透光孔31的面积大于发光区域的面积，显示亮度提高，但镜面效果会减弱。当透光孔31在基底上的正投影小于像素开口在基底上的正投影时，透光孔31的面积小于发光区域的面积，镜面效果会增强，但显示亮度减弱。在示例性实施方式中，发光区域的面积即是像素开口的面积。
在示例性实施方式中，透光孔31的形状可以是正方形、矩形、圆形、椭圆形或六边形等，可以根据实际需要设置，本公开在此不作限定。
在示例性实施方式中，形成镜面效果的反射层30可以是单层结构，或者是多层结构。单层结构的材料可以包括如下任意一种或多种：钼(MO)、铝(Al)和钛(Ti)。多层结构的材料可以包括Ti/Al/Ti或ITO/Ag/ITO。
在示例性实施方式中，反射层30的厚度可以约为0.10μm～0.70μm。在一些可能的实现方式中，反射层的厚度可以约为0.30μm～0.40μm。
在示例性实施方式中，反射层30在基底上的正投影包含封装结构层25在基底上的正投影，从而使封装结构层25均被反射层30覆盖，提高镜面效果。
(5)在反射层上形成光调制层。在示例性实施方式中，在反射层上形成光调制层可以包括：在形成前述图案的基底上，交替形成多个第一折射率层和第二折射率层，在保护层上形成光调制层50，如图5所示。
在示例性实施方式中，光调制层可以称为周期性多层膜系。光调制层50包括依次形成的多个子层。多个子层包括具有第一折射率的第一折射率层和具有第二折射率的第二折射率层，多个子层中的第一折射率层和第二折射率层交替设置，第一折射率大于第二折射率。
在示例性实施方式中，多个子层中的第一层和最后一层均为第一折射率层。
在示例性实施方式中，光调制层50可以包括三个子层、五个子层、七个子层、九个子层或十一个层等，子层的数量为奇数。
在示例性实施方式中，光调制层50可以包括在保护层上依次形成的第一子层、第二子层和第三子层，第一子层和第三子层为具有第一折射率的第一折射率层，第二子层为具有第二折射率的第二折射率层。
在一个示例性实施方式中，第一子层的厚度可以约为40nm～140nm，第二子层的厚度可以约为80nm～120nm，第三子层的厚度可以约为40nm～140nm。
在另一个示例性实施方式中，第一子层的厚度可以约为40nm～90nm，第二子层的厚度可以约为40nm～220nm，第三子层的厚度可以约为40nm～90nm。
在示例性实施方式中，当反射层的材料为金属铝时，第一子层的厚度可以约为40nm～90nm，第二子层的厚度可以约为90nm～110nm，第三子层的厚度可以约为40nm～90nm。
图6为本公开示例性实施例一种光调制层反射不同颜色的仿真结果图，反射层的材料为金属铝，厚度为330nm，第二子层的厚度为100nm。在第一子层和第三子层的厚度约为40nm时，波长大于500nm的光线的反射率大于80％，镜面显示为黄红色，如图6中实线所示。在第一子层和第三子层的厚度约为70nm时，波长小于530nm的光线的反射率大于80％，镜面显示为蓝紫色，如图6中虚线所示。在第一子层和第三子层的厚度约为90nm时，波长大于430nm、小于600nm的光线的反射率大于80％，镜面显示为黄绿色，如图6中点划线所示。
在示例性实施方式中，当反射层的材料为金属钼时，第一子层的厚度可以约为70nm～140nm，第二子层的厚度可以约为90nm～110nm，第三子层的厚度可以约为70nm～140nm。
图7为本公开示例性实施例另一种光调制层反射不同颜色的仿真结果图，反射层的材料为金属钼，厚度为330nm，第二子层的厚度为100nm。在第一子层和第三子层的厚度约为70nm时，波长小于480nm的光线的反射率大于60％，镜面显示为蓝紫色，如图7中实线所示。在第一子层和第三子层的厚度约为90nm～110nm时，波长大于480nm、小于600nm的光线的反射率大于60％，镜面显示为黄绿色，如图7中虚线所示。在第一子层和第三子层的厚度约为140nm时，波长大于600nm的光线的反射率大于60％，镜面显示为黄红色，如图7中点划线所示。
在示例性实施方式中，具有第一折射率的第一子层的厚度可以小于具有第二折射率的第二子层的厚度。在一些可能的实现方式中，第一子层的厚度可以约为70nm～140nm，第二子层的厚度可以约为180nm～220nm，第三子层的厚度可以约为70nm～140nm。
在示例性实施方式中，当反射层的材料为金属铝时，第一子层的厚度可以约为70nm～140nm，第二子层的厚度可以约为190nm～210nm，第三子层的厚度可以约为70nm～140nm。
在一些可能的实现方式中，对于反射层的材料为金属铝、第二子层的厚度为200nm情形，在第一子层和第三子层的厚度约为70nm时，镜面显示蓝紫色；在第一子层和第三子层的厚度约为120nm时，镜面显示黄绿色。
在示例性实施方式中，当反射层的材料为金属钼时，第一子层的厚度可以约为80nm～140nm，第二子层的厚度可以约为190nm～210nm，第三子层的厚度可以约为80nm～140nm。
在一些可能的实现方式中，对于反射层的材料为金属钼、第二子层的厚度为200nm情形，在第一子层和第三子层的厚度约为80nm时，镜面显示蓝紫色；在第一子层和第三子层的厚度约为140nm时，镜面显示黄绿色。
在示例性实施方式中，光调制层50可以包括在反射层上依次形成的第一子层、第二子层、第三子层、第四子层和第五子层，第一子层、第三子层和第五子层为具有第一折射率的第一折射率层，第二子层和第四子层为具有第二折射率的第二折射率层。
在一个示例性实施方式中，第一子层的厚度可以约为40nm～140nm，第二子层的厚度可以约为80nm～120nm，第三子层的厚度可以约为40nm～140nm，第四子层的厚度可以约为80nm～120nm，第五子层的厚度可以约为40nm～140nm。
在另一个示例性实施方式中，第一子层的厚度可以约为40nm～90nm，第二子层的厚度可以约为40nm～220nm，第三子层的厚度可以约为40nm～90nm，第四子层的厚度可以约为40nm～220nm，第五子层的厚度可以约为40nm～90nm。
图8为本公开示例性实施例第一折射率层反射不同颜色的仿真结果图。在第一折射率层的厚度约为50nm时，波长大于400nm、小于500nm的光线的反射率大于35％，镜面显示为蓝色，如图8中实线所示。在第一折射率层的厚度约为60nm时，波长大于450nm、小于550nm的光线的反射率大于35％，镜面显示为绿色，如图8中长段虚线所示。在第一折射率层的厚度约为80nm时，波长大于530nm、小于630nm的光线的反射率大于35％，镜面显示为黄色，如图8中短段虚线所示。在第一折射率层的厚度约为90nm时，波长大于580nm、小于680nm的光线的反射率大于35％，镜面显示为桔色，如图8中点虚线所示。在第一折射率层的厚度约为100nm时，波长大于630nm、小于730nm的光线的反射率大于35％，镜面显示为红色，如图8中点划线所示。在第一折射率层的厚度约为140nm时，波长小于400nm的光线的反射率大于30％，镜面显示为紫色，如图8中双点划线所示。在示例性实施方式中，可以通过改变高折射率层的厚度，来调整镜面所显示的颜色。在一些可能的实现方式中，可以通过改变低折射率层的厚度，进行镜面显示颜色的微调整。
在示例性实施方式中，在可见光范围内，第一折射率可以约为1.6～2.5，第二折射率可以约为1.3～1.5。
在示例性实施方式中，第一折射率层的材料可以包括如下任意一种或多种：氧化物和氮化物。
在示例性实施方式中，氧化物可以包括如下任意一种或多种：二氧化钛、二氧化锆和五氧化二铌。
在示例性实施方式中，氮化物可以包括氮化硅。
在示例性实施方式中，第二折射率层的材料可以包括如下任意一种或多种：二氧化硅、氟化镁、氧化哈和氧化铝。
在示例性实施方式中，考虑到制备驱动结构层过程中使用氮化硅和二氧化硅，因此第一折射率层的材料可以采用氮化硅，第二折射率层的材料可以采用二氧化硅。由于无需引入新的设备和材料，氮化硅和二氧化硅的成本较低，因此设置光调制层不会大幅增加显示基板的成本。
在示例性实施方式中，光调制层50中的多个子层可以采用离子体增强化学气相沉积(PECVD)方式依次沉积，利用同一种沉积方式依次沉积可以简化工艺，无需在沉积过程中不停的转换设备而导致工艺复杂。在一些可能的实现方式中，光调制层50中的多个子层可以采用蒸镀(Evaporation)方式依次蒸镀，或者可以采用化学气相沉积(CVD)方式依次沉积。
(7)在光调制层上形成封盖层。在示例性实施方式中，在光调制层上形成封盖层可以包括：利用光学胶层60将封盖层70贴合在光调制层50上，如图9所示。在示例性实施方式中，封盖层可以采用玻璃盖板(Glass Cover)，或者采用薄膜盖板，可以采用贴合工艺进行贴合。例如，先在光调制层50上涂覆一层光学胶层60，然后采用贴合工艺在光学胶层60上贴合玻璃盖板或薄膜盖板。在示例性实施方式中，光学胶层60的厚度可以约为40μm～60μm，封盖层70的厚度可以约为100μm～700μm。在一些可能的实现方式中，光学胶层60的厚度可以约为50μm，封盖层70的厚度可以约为500μm。
至此，完成显示基板的制备，如图9所示。在示例性实施方式中，通过前述制备过程制备的显示基板可以包括：
基底10；
设置在基底10上的第一绝缘层11；
设置在第一绝缘层11上的半导体层，半导体层至少包括设置在每个子像素内的有源层；
覆盖半导体层的第二绝缘层12；
设置在第二绝缘层12上的第一栅金属层，第一栅金属层至少包括设置在每个子像素内的栅电极和第一电容电极；
覆盖第一栅金属层的第三绝缘层13；
设置在第三绝缘层13上的第二栅金属层，第二栅金属层至少包括设置在每个子像素内的栅电极和第二电容电极，第二电容电极的位置与第一电容电极的位置相对应
覆盖第二栅金属层的第四绝缘层14，每个子像素内的第四绝缘层14上开设有两个第一过孔，第一过孔暴露出有源层；
设置在第四绝缘层14上的源漏金属层，源漏金属层至少包括设置在每个子像素内的源电极和漏电极，源电极和漏电极分别通过第一过孔与有源层连接，使源电极和漏电极之间形成导电沟道；
覆盖源漏金属层的平坦层15，每个子像素内的平坦层15上开设有一个第二过孔，第二过孔暴露出漏电极；
设置在平坦层15上的透明导电层，透明导电层至少包括设置在每个子像素内的阳极21，阳极21通过第二过孔与漏电极连接；
设置在平坦层15上的像素定义层22，每个子像素内的像素定义层22上设置有像素开口，像素开口暴露出阳极21的表面；
设置在每个子像素像素开口内的有机发光层23，有机发光层23与阳极21连接；
设置在有机发光层23上的阴极24，阴极24与有机发光层23连接；
覆盖阴极24的封装结构层25，封装结构层25包括叠设的第一封装层、第二封装层和第三封装层，第一封装层和第三封装层采用无机材料，第二封装层采用有机材料；
设置在封装结构层25上的反射层30，每个子像素内的反射层30设置有透光孔31，透光孔31的位置与像素开口的位置相对应；
覆盖反射层30上的光调制层50，光调制层50被配置为形成设定颜色的镜面显示；
通过光学胶层60贴合在光调制层50上的封盖层70。
在制备柔性显示基板时，显示基板的制备过程还可以包括剥离玻璃载板1、贴附背膜、切割等工艺，本公开在此不作限定。
一种显示面板中，由于外界光会被金属阴极反射，影响对比度和显示效果，因而需要设置圆偏光片来解决外界光反射问题。由于设置对光具有吸收性和取向性的圆偏光片，因而造成较大的光亮度损失，存在功耗高、寿命短等问题。研究表明，圆偏光片的透过率为45％左右。本公开示例性实施例通过在镜面OLED显示基板中设置光调制层，利用光学干涉理论设计的光调制层可以对各颜色光线进行选择性反射，可以保证显示时光线的高透过率，不仅实现了多色彩的镜面显示，有效解决了现有镜面显示时存在颜色单调、眩目等缺陷，而且所形成的彩色镜面的反射率接近圆偏光片的反射率，具有反射率较低的特点，有效解决了外界光反射问题，所形成的彩色镜面显示基板可以不设置圆偏光片，大幅度减少了光损失。在相同亮度情况下，本公开示例性实施例不仅可以降低功耗，而且可以增加使用寿命。进一步地，本公开示例性实施例制备显示基板中没有增加图案化次数，不需增加工艺设备，工艺兼容性好，实用性强。
本公开示例性实施例所提供的显示基板，通过在镜面显示基板内设置光调制层，不仅可以使得镜面OLED的显示屏呈现出不同颜色，更具有时尚性，而且使得镜面OLED的室外应用不受限，场景应用更舒适，装饰功能更丰富。本公开示例性实施例所提供的显示基板，不仅可以适用于手机、电子终端、穿戴显示装置、车载后视镜、ATM取款机显示屏以及广告装置等，而且可以适用于智能家居的家电显示，如化妆显示器或冰箱显示器等，具有良好的应用前景。
本公开示例性实施例所示结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明，在示例性实施方式中，可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少图案化工艺。例如，驱动结构层中的晶体管可以是顶栅结构，或者可以是底栅结构，可以是单栅结构，或者可以是双栅结构。又如，驱动结构层和发光结构层中还可以设置其它膜层结构、电极结构或引线结构。再如，基底可以是玻璃基底，本公开在此不做具体的限定。
图10为本公开示例性实施例另一种显示基板的结构示意图，示意了一种镜面OLED结构。如图10所示，在示例性实施方式中，显示基板包括基底10、设置在基底10远离基底10一侧表面上的驱动结构层100、设置在驱动结构层100远离基底10一侧表面上的发光结构层200、设置在发光结构层200远离基底10一侧表面上的反射层30、设置在反射层30远离基底10一侧表面上的光学胶层60、设置在光学胶层60远离基底10一侧表面上的光调制层50和设置在光调制层50远离基底10一侧表面上的封盖层70。在示例性实施方式中，光调制层50设置在封盖层70邻近基底10一侧的表面上，驱动结构层100、发光结构层200、反射层30和光调制层50的结构可以与前述实施例中描述的相应结构类似。
在示例性实施方式中，显示基板的制备过程可以包括两部分，两部分没有先后次序要求，可以同时进行。一部分是在玻璃载板上依次制备基底、驱动结构层、发光结构层和反射层，制备过程可以与前述实施例中描述的制备过程类似。另一部分是先提供一封盖层，如玻璃盖板或者薄膜盖板，然后通过低温沉积工艺依次沉积多个子层，在封盖层上形成光调制层。两部分制备完成后，先在反射层上涂覆一层光学胶层，然后采用贴合工艺，将封盖层形成有光调制层的一侧表面贴合在光学胶层上，完成显示基板的制备。
图11为本公开示例性实施例又一种显示基板的结构示意图，示意了一种镜面OLED结构。如图11所示，在示例性实施方式中，显示基板包括基底10、设置在基底10远离基底10一侧表面上的驱动结构层100、设置在驱动结构层100远离基底10一侧表面上的发光结构层200、设置在发光结构层200远离基底10一侧表面上的反射层30、设置在反射层30远离基底10一侧表面上的光学胶层60、设置在光学胶层60远离基底10一侧表面上的封盖层70和设置在封盖层70远离基底10一侧表面上的光调制层50。在示例性实施方式中，光调制层50设置在封盖层70远离基底10一侧的表面上，驱动结构层100、发光结构层200、反射层30和光调制层50的结构可以与前述实施例中描述的相应结构类似。
在示例性实施方式中，显示基板的制备过程可以包括两部分，两部分没有先后次序要求，可以同时进行。一部分是在玻璃载板上依次制备基底、驱动结构层、发光结构层和反射层，制备过程可以与前述实施例中描述的制备过程类似。另一部分是先提供一封盖层，如玻璃盖板或者薄膜盖板，然后通过低温沉积工艺依次沉积多个子层，在封盖层上形成光调制层。两部分制备完成后，先在反射层上涂覆一层光学胶层，然后采用贴合工艺，将封盖层没形成光调制层的一侧表面贴合在光学胶层上，完成显示基板的制备。
在示例性实施方式中，显示基板的制备过程可以包括：在玻璃载板上依次制备基底、驱动结构层、发光结构层和反射层，制备过程可以与前述实施例中描述的制备过程类似，随后在反射层上涂覆一层光学胶层，采用贴合工艺将封盖层贴合在光学胶层上，随后通过低温沉积工艺依次沉积多个子层，在封盖层远离基底一侧的表面上形成光调制层，完成显示基板的制备。
图12为本公开示例性实施例又一种显示基板的结构示意图，示意了一种镜面OLED结构。如图12所示，在示例性实施方式中，显示基板包括基底10、设置在基底10远离基底10一侧表面上的驱动结构层100、设置在驱动结构层100远离基底10一侧表面上的发光结构层200、设置在发光结构层200远离基底10一侧表面上的半透半反层40、设置在半透半反层40远离基底10一侧表面上的光调制层50、设置在光调制层50远离基底10一侧表面上的光学胶层60以及设置在光学胶层60远离基底10一侧表面上的封盖层70。在示例性实施方式中，驱动结构层100、发光结构层200和光调制层50的结构可以与前述实施例中描述的相应。
在示例性实施方式中，半透半反层40可以采用反射式偏光光学片(APF)，或者可以采用反射式偏光光学片和偏光片组合的多层光学膜(APF/POL)，可以采用贴合工艺将半透半反层40贴合在发光结构层的封装结构层上。在示例性实施方式中，发光结构层与半透半反层之间可以设置保护层，或者半透半反层与光调制层之间可以设置保护层。本公开示例性实施例的镜面层采用半透半反层，由于采用贴膜工艺，具有工艺简单、制备成本低等特点。
图13为本公开示例性实施例又一种显示基板的结构示意图，示意了一种镜面OLED结构。如图13所示，在示例性实施方式中，显示基板包括基底10、设置在基底10远离基底10一侧表面上的驱动结构层100、设置在驱动结构层100远离基底10一侧表面上的发光结构层200、设置在发光结构层200远离基底10一侧表面上的半透半反层40、设置在半透半反层40远离基底10一侧表面上的光学胶层60、设置在光学胶层60远离基底10一侧表面上的光调制层50和设置在光调制层50远离基底10一侧表面上的封盖层70。在示例性实施方式中，光调制层50设置在封盖层70邻近基底10一侧的表面上，驱动结构层100、发光结构层200、半透半反层40和光调制层50的结构可以与前述实施例中描述的相应结构类似，光调制层50可以在封盖层70上形成。
图14为本公开示例性实施例又一种显示基板的结构示意图，示意了一种镜面OLED结构。如图14所示，在示例性实施方式中，显示基板包括基底10、设置在基底10远离基底10一侧表面上的驱动结构层100、设置在驱动结构层100远离基底10一侧表面上的发光结构层200、设置在发光结构层200远离基底10一侧表面上的半透半反层40、设置在半透半反层40远离基底10一侧表面上的光学胶层60、设置在光学胶层60远离基底10一侧表面上的封盖层70和设置在封盖层70远离基底10一侧表面上的光调制层50。在示例性实施方式中，光调制层50设置在封盖层70远离基底10一侧的表面上，驱动结构层100、发光结构层200、半透半反层40和光调制层50的结构可以与前述实施例中描述的相应结构类似，光调制层50可以在封盖层70上形成。
本公开以镜面OLED为例示例性说明了显示基板的结构及其制备过程，并非用以限定本公开。在示例性实施方式中，本公开的光调制层可以应用于其它OLED结构。例如，对于顶发射OLED结构，发光结构层上不设置镜面层，光调制层可以直接设置在发光结构层上。又如，对于底发射OLED结构，驱动结构层上不设置镜面层，光调制层可以直接设置在基底邻近发光结构层一侧的表面上，或者可以直接设置在基底远离发光结构层一侧的表面上，本公开在此不做限定。在示例性实施方式中，本公开的光调制层可以应用于LCD显示面板，LCD显示面板包括相对设置的阵列基板和彩膜基板。例如，光调制层可以设置在彩膜基板邻近阵列基板的一侧，或者可以设置在彩膜基板远离阵列基板的一侧。又如，光调制层可以设置在阵列基板邻近彩膜基板的一侧，或者可以设置在阵列基板远离彩膜基板的一侧，本公开在此不做限定。
本公开还提供了一种显示基板的制备方法。在示例性实施方式中，显示基板的制备方法可以包括：
S1、在基底上依次形成发光单元层和设置在所述发光单元层上的镜面层；所述镜面层包括反射层，所述反射层上设置有透光孔；或者，所述镜面层包括半透半反层；
S2、形成光调制层，所述光调制层被配置为形成设定颜色的镜面显示。
在示例性实施方式中，形成光调制层，可以包括：
在所述镜面层上依次形成第一子层、第二子层和第三子层，或者，在所述镜面层上依次形成第一子层、第二子层、第三子层、第四子层和第五子层；
所述第一子层、第三子层和第五子层为具有第一折射率的第一折射率层，所述第二子层和第四子层为具有第二折射率的第二折射率层，所述第一折射率大于所述第二折射率。
在示例性实施方式中，形成光调制层，可以包括：
在封盖层上依次形成第一子层、第二子层和第三子层；或者，在封盖层上依次形成第一子层、第二子层、第三子层、第四子层和第五子层；
所述第一子层、第三子层和第五子层为具有第一折射率的第一折射率层，所述第二子层和第四子层为具有第二折射率的第二折射率层，所述第一折射率大于所述第二折射率；
在所述镜面层上涂覆一层光学胶层，通过贴合工艺将形成有光调制层的封盖层贴合在光学胶层上。
在示例性实施方式中，所述光调制层设置在所述封盖层邻近所述基底一侧的表面上，或者，所述光调制层设置在所述封盖层远离基底一侧的表面上。
在示例性实施方式中，所述第一子层的厚度可以约为40nm～140nm，所述第二子层的厚度可以约为40nm～220nm，所述第三子层的厚度可以约为40nm～140nm，所述第四子层的厚度可以约为40nm～220nm，所述第五子层的厚度可以约为40nm～140nm。
有关显示基板的具体制备过程，已在之前的示例性实施例中详细说明，这里不再赘述。
本公开提供了一种显示基板的制备方法，通过设置光调制层，不仅实现了多色彩的镜面显示，有效解决了现有镜面显示时存在颜色单调、眩目等缺陷，而且有效解决了外界光反射问题，所形成的彩色镜面显示基板可以不设置圆偏光片，大幅度减少了光损失。在相同亮度情况下，本公开示例性实施例不仅可以降低功耗，而且可以增加使用寿命。进一步地，本公开示例性实施例显示基板的制备方法没有增加图案化次数，不需增加工艺设备，工艺兼容性好，实用性强。
本公开还提供了一种显示装置，包括前述的显示基板。显示装置可以是手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件，或者可以是穿戴显示装置、车载后视镜、ATM取款机显示屏、广告装置和家电显示装置等。
虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何本公开所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本申请的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (15)
1.一种显示基板，其特征在于，包括设置在基底上的发光单元层和设置在所述发光单元层上的镜面层；所述镜面层远离基底的一侧设置有光调制层，所述光调制层被配置为形成设定颜色的镜面显示。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述镜面层包括反射层，所述反射层上设置有与多个发光单元一一对应的透光孔；或者，所述镜面层包括半透半反层。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括光学胶层和封盖层，所述光调制层设置在所述镜面层上，所述光学胶层设置在所述光调制层上，所述封盖层设置在所述光学胶层上。
4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括封盖层，所述封盖层设置在所述镜面层远离基底的一侧；所述光调制层设置在所述封盖层邻近基底一侧的表面上，或者，所述光调制层设置在所述封盖层远离基底一侧的表面上。
5.根据权利要求1～4任一项所述的显示基板，其特征在于，所述光调制层包括叠设的多个子层，所述多个子层包括具有第一折射率的第一折射率层和具有第二折射率的第二折射率层，所述多个子层中的第一折射率层和第二折射率层交替设置，所述第一折射率大于所述第二折射率。
6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述光调制层包括叠设的第一子层、第二子层和第三子层；或者，所述光调制层包括叠设的的第一子层、第二子层、第三子层、第四子层和第五子层；
所述第一子层、第三子层和第五子层为具有第一折射率的第一折射率层，所述第二子层和第四子层为具有第二折射率的第二折射率层。
7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述第一子层的厚度为40nm～140nm，所述第二子层的厚度为40nm～220nm，所述第三子层的厚度为40nm～140nm，所述第四子层的厚度为40nm～220nm，所述第五子层的厚度为40nm～140nm。
8.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述光调制层包括叠设的第一子层、第二子层和第三子层时，
对于反射层的材料包括铝，所述第一子层的厚度为40nm～90nm，所述第二子层的厚度为90nm～110nm，所述第三子层的厚度为40nm～90nm；或者，所述第一子层的厚度为70nm～140nm，所述第二子层的厚度为190nm～210nm，所述第三子层的厚度为70nm～140nm；
对于反射层的材料包括钼，所述第一子层的厚度为70nm～140nm，所述第二子层的厚度为90nm～110nm，所述第三子层的厚度为70nm～140nm；或者，所述第一子层的厚度为80nm～140nm，所述第二子层的厚度为190nm～210nm，所述第三子层的厚度为80nm～140nm。
9.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，在可见光范围内，所述第一折射率为1.6～2.5，所述第二折射率为1.3～1.5。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～9任一项所述的显示基板。
11.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：
在基底上依次形成发光单元层和设置在所述发光单元层上的镜面层；
形成光调制层，所述光调制层被配置为形成设定颜色的镜面显示。
12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，形成光调制层，包括：
在所述镜面层上依次形成第一子层、第二子层和第三子层；或者，在所述镜面层上依次形成第一子层、第二子层、第三子层、第四子层和第五子层；
所述第一子层、第三子层和第五子层为具有第一折射率的第一折射率层，所述第二子层和第四子层为具有第二折射率的第二折射率层，所述第一折射率大于所述第二折射率。
13.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，形成光调制层，包括：
在封盖层上依次形成第一子层、第二子层和第三子层；或者，在封盖层上依次形成第一子层、第二子层、第三子层、第四子层和第五子层；
所述第一子层、第三子层和第五子层为具有第一折射率的第一折射率层，所述第二子层和第四子层为具有第二折射率的第二折射率层，所述第一折射率大于所述第二折射率；
在所述镜面层上涂覆一层光学胶层，通过贴合工艺将形成有光调制层的封盖层贴合在光学胶层上。
14.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，所述光调制层设置在所述封盖层邻近所述基底一侧的表面上，或者，所述光调制层设置在所述封盖层远离基底一侧的表面上。
15.根据权利要求12～14任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一子层的厚度为40nm～140nm，所述第二子层的厚度为40nm～220nm，所述第三子层的厚度为40nm～140nm，所述第四子层的厚度为40nm～220nm，所述第五子层的厚度为40nm～140nm。
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