CN113093430A - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

一种显示面板及其制备方法、显示装置。显示面板包括：相对设置的彩膜基板和阵列基板、以及设置在所述彩膜基板和阵列基板之间的液晶层，所述彩膜基板位于液晶层靠近背光源的一侧，所述彩膜基板包括叠设在第一基底的彩膜层和线栅偏振器。显示装置包括上述显示面板。制备方法包括：制备阵列基板和彩膜基板；彩膜基板包括叠设在第一基底的彩膜层和线栅偏振器；对盒设置彩膜基板及阵列基板，在彩膜基板及阵列基板之间制备液晶层，并使彩膜基板位于液晶层靠近背光源的一侧。

Description

显示面板及其制备方法、显示装置

技术领域

本文涉及但不限于显示技术领域，尤指一种显示面板及其制备方法、显示装置。

背景技术

液晶显示器(LCD，Liquid Crystal Display)是一种常用的平板显示器，其中薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD，Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)是液晶显示器中的主流产品。TFT-LCD具有体积薄、重量轻、画面品质优异、功耗低、寿命长、数字化和无辐射等优点，这使其在各种大、中、小尺寸的电子产品都得到广泛应用。

发明内容

以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本公开提供一种显示面板及其制备方法、显示装置。

一方面，本公开实施例提供一种显示面板，包括：

相对设置的彩膜基板和阵列基板、以及设置在所述彩膜基板和阵列基板之间的液晶层，所述彩膜基板位于液晶层靠近背光源的一侧，所述彩膜基板包括叠设在第一基底的彩膜层和线栅偏振器。

另一方面，本公开实施例提供一种显示装置，包括如上所述的显示面板。

另一方面，本公开实施例提供一种显示面板的制备方法，用于制备如上所述的显示面板，所述方法包括：

制备阵列基板和彩膜基板；其中，所述彩膜基板包括叠设在第一基底的彩膜层和线栅偏振器；

对盒设置彩膜基板及阵列基板，在所述彩膜基板及阵列基板之间制备液晶层，并使彩膜基板位于液晶层靠近背光源的一侧。

在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。

附图说明

附图用来提供对本公开技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。

图1为本公开一实施例的显示面板的结构示意图；

图2为本公开一示例的显示面板的结构示意图；

图3为本公开又一示例的显示面板的结构示意图；

图4为图2的示例中采用不同第一材料制造黑矩阵的光效对比图；

图5为本公开一实施例的显示装置的示意图。

具体实施方式

本公开描述了多个实施例，但是该描述是示例性的，而不是限制性的，并且对于本领域的普通技术人员来说显而易见的是，在本公开所描述的实施例包含的范围内可以有更多的实施例和实现方案。尽管在附图中示出了许多可能的特征组合，并在实施方式中进行了讨论，但是所公开的特征的许多其它组合方式也是可能的。除非特意加以限制的情况以外，任何实施例的任何特征或元件可以与任何其它实施例中的任何其他特征或元件结合使用，或可以替代任何其它实施例中的任何其他特征或元件。

本公开包括并设想了与本领域普通技术人员已知的特征和元件的组合。本公开已经公开的实施例、特征和元件也可以与任何常规特征或元件组合，以形成由权利要求限定的独特的方案。任何实施例的任何特征或元件也可以与来自其它方案的特征或元件组合，以形成另一个由权利要求限定的独特的方案。因此，应当理解，在本公开中示出或讨论的任何特征可以单独地或以任何适当的组合来实现。因此，除了根据所附权利要求及其等同替换所做的限制以外，实施例不受其它限制。此外，可以在所附权利要求的保护范围内进行一种或多种修改和改变。

此外，在描述具有代表性的实施例时，说明书可能已经将方法或过程呈现为特定的步骤序列。然而，在该方法或过程不依赖于本文所述步骤的特定顺序的程度上，该方法或过程不应限于所述的特定顺序的步骤。如本领域普通技术人员将理解的，其它的步骤顺序也是可能的。因此，说明书中阐述的步骤的特定顺序不应被解释为对权利要求的限制。此外，针对该方法或过程的权利要求不应限于按照所写顺序执行它们的步骤，本领域技术人员可以容易地理解，这些顺序可以变化，并且仍然保持在本公开实施例的精神和范围内。

在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中每个部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或科学术语为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。本公开中，“多个”可以表示两个或两个以上的数目。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“耦接”、“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“电性的连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且可以包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有一种或多种功能的元件等。

在本公开中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。在本公开中，沟道区域是指电流主要流过的区域。

在本公开中，可以是第一极为漏电极、第二极为源电极，或者可以是第一极为源电极、第二极为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本公开中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。

在本公开中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，可以包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，可以包括85°以上且95°以下的角度的状态。

在本公开中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。

本公开中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。

为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了部分已知功能和已知部件的详细说明。本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。

随着科学技术的发展，人们对屏幕显示的画面质量的要求越来越高，尤其是在虚拟现实(Virtual Reality，VR)及增强现实(Augmented Reality，AR)技术的显示领域中，对屏幕显示的要求更加严格。而显示屏的像素密度(Pixels Per Inch，PPI)越高，所展示画面的细节就越丰富，因此人们对高PPI显示屏的需求越来越大，然而，越高的PPI意味着显示器上的像素单元越小，对LCD显示器来说，过小的像素单元可能会使背光不能精准地穿过想要的子像素，由此带来了光学串扰，例如串色、色偏等问题，影响屏幕显示效果，而且高PPI的显示器也存在透过率低，对光的利用率不高等问题。

图1为本公开一实施例的显示面板的结构示意图。图1中的显示面板包括：相对设置的彩膜基板3和阵列基板1、以及设置在彩膜基板3和阵列基板1之间的液晶层2。彩膜基板3位于液晶层2靠近背光源4的一侧，阵列基板位于液晶层2远离背光源4的一侧。换言之，彩膜基板3靠近背光源4，阵列基板1位于彩膜基板3远离背光源4的一侧。背光源4发出的光线依次经过彩膜基板3、液晶层2和阵列基板1射出。彩膜基板3包括第一基底以及叠设在第一基底上的彩膜层和线栅偏振器(图1中未示出)。在一些示例中，彩膜层位于线栅偏振器靠近背光源的一侧，或者，彩膜层位于线栅偏振器远离背光源的一侧。然而，本实施例对此并不限定。在本示例性实施方式中，通过在彩膜基板设置线栅偏置器，可以获得设定的偏振光。

本公开实施例中，彩膜基板设置在背光侧，阵列基板设置在显示面板的显示侧，可以使得背光源发出的光线先照射到彩膜基板，相较于阵列基板设置在背光侧且彩膜基板设置在显示侧的显示面板，显著缩短了背光源出射光线到达彩膜基板的彩膜层的光程，使得背光到达彩膜层时的入射角度的偏差更小，有助于使背光更精准地入射到对应的子像素，从而获得更准确地颜色表达，能够避免串色、色偏的问题。即便在高PPI显示面板中，背光也能够顺利穿过子像素，改善串色、色偏等问题。而且，本实施例通过在彩膜基板中设置线栅偏振器，不仅能够筛选出用于成像的偏振光，也能够使部分背光在彩膜基板的衬底材料与线栅偏振器之间发生反射，有助于提高对背光的利用率。

一种示例性的实施例中，所述彩膜基板还包括：黑矩阵，所述黑矩阵位于彩膜层靠近线栅偏振器的一侧；所述黑矩阵采用第一金属材料，所述第一金属材料的反射率高于30％。

一种示例性的实施例中，所述第一金属材料包括铝、银或钼。

一种示例性的实施例中，所述彩膜基板包括：第一基底、依次设置在第一基底上的彩膜层、黑矩阵、第一有机平坦层、第一无机绝缘层、线栅偏振器以及第二有机平坦层；所述线栅偏振器位于所述彩膜层远离背光源的一侧。

一种示例性的实施例中，所述彩膜基板包括：第一基底、依次设置在第一基底上的第一无机绝缘层、线栅偏振器、第一有机平坦层、黑矩阵、彩膜层、第二有机平坦层；所述线栅偏振器位于所述彩膜层靠近背光源的一侧。

一种示例性的实施例中，所述阵列基板包括：第二基底、依次设置在所述第二基底上的驱动电路层、像素电极层和公共电极层；所述公共电极层采用第二金属材料。

一种示例性的实施例中，所述阵列基板还包括金属遮光层，所述金属遮光层位于所述驱动电路层靠近所述第二基底的一侧，所述金属遮光层的材料为黑化金属。

一种示例性的实施例中，所述驱动电路层包括：设置在第二基底上的有源层、第一栅金属层、第二栅金属层、第一源漏金属层和第二源漏金属层；所述金属遮光层在第二基底上的正投影与有源层在第二基底上的正投影存在交叠。

本公开实施例还提供一种显示装置，包括上述任一实施例中所述的显示面板。

本申请实施例还提供一种显示面板的制备方法，用于制备上述任一实施例中所述的显示面板；

所述方法包括：

制备阵列基板和彩膜基板；其中，所述彩膜基板包括叠设在第一基底的彩膜层和线栅偏振器；

对盒设置彩膜基板及阵列基板，在所述彩膜基板及阵列基板之间制备液晶层，并使彩膜基板位于液晶层靠近背光源的一侧。

一种示例性的实施例中，所述制备彩膜基板包括：

提供第一基底，在所述第一基底上依次形成彩膜层、黑矩阵、第一有机平坦层、第一无机绝缘层、线栅偏振器以及第二有机平坦层。

一种示例性的实施例中，所述制备彩膜基板包括：

提供第一基底，在所述第一基底上依次形成第一无机绝缘层、线栅偏振器、第一有机平坦层以及黑矩阵、彩膜层、第二有机平坦层。

下面以一示例来说明本公开实施例的内容。本示例以采用高级超维场转换(advanced Super Dimension Switch，ADS)模式的显示面板为例进行说明，然而，本实施例对显示面板采用的工作模式不作限制。

在一些示例中，如图1所示，本实施例的显示面板包括：阵列基板1、液晶层2、彩膜基板3。彩膜基板3靠近背光源4，阵列基板1与彩膜基板3相对设置，且阵列基板1设置在彩膜基板3远离背光源4的一侧，液晶层2位于彩膜基板3和阵列基板1之间。

在一些示例中，如图2所示，彩膜基板3包括：第一基底301、依次设置在第一基底301上的彩膜层302、黑矩阵(Black Matrix，BM)303、第一有机平坦层304、第一无机绝缘层305、线栅偏振器(Wire Grid Polarizer，WGP)306以及第二有机平坦层307。其中，彩膜层302包括周期性排布的多个彩膜单元(例如包括：蓝色彩膜单元、绿色彩膜单元和红色彩膜单元)，黑矩阵303设置在相邻彩膜单元之间。线栅偏振器306可以包括多条平行设置的金属线，线栅偏振器306可以将透过的光线转换为适应于液晶显示模式的偏振光。在一些示例中，黑矩阵303的材料可以为第一金属材料，且第一金属材料对光的反射率约高于30％。然而，本示例对此并不限定。

下面举例说明背光源发出的光线通过彩膜基板3的过程。

背光源4发出的光入射到彩膜基板3中，经过第一基底301后到达彩膜层302，光线照射到这里会发生光路的变化：一部分光线能够穿过彩膜层302到达第一有机平坦层304，另一部分光线照射到黑矩阵303上。穿过彩膜层302的光线在多个彩膜单元的作用下，得到用于进行图像显示的预设颜色的光。本示例中，通过使入射的背光直接照射到彩膜层302，可以显著缩短了从背光源4到达彩膜层302的光程，而更短的光程意味着背光的入射角度的偏差更小，有助于使背光更精准地入射到子像素，获得预设颜色的光，进而使图像呈现的颜色表达更准确，能够避免串色、色偏的问题。本示例中，由于黑矩阵303的材料为第一金属材料，且第一金属材料对光的反射率约高于30％，使得照射到黑矩阵303的光会发生反射，部分反射光在照射到第一基底301后会再次发生反射，并能够再次作为彩膜层302的入射光，实现了对反射光的再次利用，有助于提升背光的重复利用率。在一些示例中，第一金属材料可以为铝(Al)、银(Ag)或者钼(Mo)等。由于光线照射到金属材料时，会发生反射和吸收的现象，本示例中选择的第一金属材料，只要能够实现对光的反射，达到能够重复利用背光的目的即可。然而，本实施例对此并不限定。

入射到第一有机平坦层304的光线继续传播，穿过第一无机绝缘层305后到达线栅偏振器306，光线照射到这里也会发生光路的变化：

一部分光线通过线栅偏振器306到达第二有机平坦层307，从而获得预定振动方向的偏振光，以能够满足图像显示的需求；另一部分光线被线栅偏振器306阻拦后发生反射，部分反射光在传播到黑矩阵303时再次发生反射，能够再次作为线栅偏振器306的入射光。通过设置线栅偏振器306，有助于提升光效。在线栅偏振器306与采用第一金属材料的黑矩阵303的共同作用下，对光效的提升更加明显。

图4为图2的示例中采用不同第一材料制造黑矩阵的光效对比图。图4中连接矩形点的第一折线表示本实施例的显示面板(即采用线栅偏振器306与黑矩阵303)在黑矩阵采用不同第一材料下的光效，连接三角点的第二折线表示相关显示面板(阵列基板位于彩膜基板靠近背光源一侧，且彩膜基板中不设置线栅偏振器)在黑矩阵采用不同材料下的光效。本实施例的显示面板和相关显示面板除了上述的结构设置及材料选择不同以外，其余参数均相同。从图4中可以看出，第一折线相比于第二折线，光效提升了40％以上。可见，本实施例的显示面板在采用金属材料形成黑矩阵后，可以有效提升光效。而且，根据第一折线可知，与采用黑色树脂材料(即图4中的BM)形成的黑矩阵相比、采用金属材料形成的黑矩阵可以提升显示面板的光效。其中，以采用金属银(Ag)形成的黑矩阵提升的光效最佳，这是由于Ag对光的反射率(约为97％以上)高于Al对光的反射率(约为90％以上)、Mo对光的反射率(约为40％至50％)以及黑色树脂材料对光的反射率(约4％)。在本示例的结构中，所采用的金属材料对光的反射率越高，得到的显示面板的光效越好。

在一些示例中，如图2所示，彩膜基板或阵列基板涂覆封框胶后对盒设置，形成容纳液晶材料的腔体。在腔体内灌注液晶材料，形成液晶层2。

当线栅偏振器306筛选得到的预定振动方向的偏振光继续传播，来到了液晶层2时，液晶层2中的液晶分子在公共电极101及像素电极103的作用下发生设定角度的扭转，使用于成像的光能够通过液晶层2。

在一些示例中，如图2所示，阵列基板1包括：第二基底114、依次设置在第二基底114上的金属遮光层113、驱动电路层、像素电极层和公共电极层。驱动电路层包括多个像素驱动电路，每个像素驱动电路包括至少一个薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)。驱动电路层包括：依次设置在第二基底114上的有源层、第一栅金属层、第一源漏金属层以及第二源漏金属层。有源层靠近第二基底114一侧设置有第一绝缘层，有源层和第一栅金属层之间设置有第二绝缘层，第一栅金属层和第一源漏金属层之间设置有第三绝缘层，第一源漏金属层和第二源漏金属层之间设置有第四绝缘层。图2中以一个第一晶体管为例进行说明。有源层至少包括第一晶体管的第一有源层111，第一栅金属层至少包括第一晶体管的第一栅电极109，第一源漏金属层至少包括：第一晶体管的第一源电极105和第一漏电极107，第二源漏金属层至少包括：连接电极，连接电极配置为连接第一晶体管的第一漏电极107和像素电极层。第一绝缘层还称为缓冲(Buffer)层，第二绝缘层还称为栅绝缘(GI，GateInsulator)层，第三绝缘层和第四绝缘层还称为层间绝缘(ILD，Inter Layer Dielectric)层，分别表示第二层间绝缘层108、第一层间绝缘层106。像素电极层包括多个像素电极103，驱动电路层和像素电极层之间设置有平坦层104。公共电极层可以包括公共电极101。公共电极层和像素电极层之间设置有钝化层102。像素电极和公共电极在第二基底上的正投影存在交叠。然而，本实施例对此并不限定。

在一些示例中，阵列基板1的公共电极101的材料可以为第二金属材料。本实施例的公共电极层可以充当TFT器件的遮光层，能够为TFT器件有效遮挡背光，避免因受到光照而可能引起的器件不稳定，也有助于减小显示面板的厚度。本示例中，对公共电极101所采用的金属材料及厚度不作限制，可以根据实际情况进行选择，只要能够起到遮光作用即可。

在一些示例中，第二金属材料的反射率小于第一金属材料的反射率。然而，本实施例对此并不限定。

本示例中，金属遮光层在第二基底上的正投影与有源层在第二基底上的正投影存在交叠。金属遮光层113的材料为黑化金属，具有吸收环境光的作用，能够降低环境光的反光，提高对比度。由于金属遮光层113吸收环境光的能量后会带来自身温度的提升，该黑化金属采用的材料需要能够耐受由此带来的温度提升，本示例对金属遮光层采用何种黑化金属不做限制。

下面通过本示例的显示面板的制备过程进一步说明本实施例的技术方案。本示例中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀和剥离光刻胶等处理。沉积可以采用选自溅射、蒸镀、化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用选自喷涂和旋涂中的任意一种或多种，刻蚀可以采用选自干刻和湿刻中的任意一种或多种。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺或光刻工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺或光刻工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后称为“层”。经过构图工艺或光刻工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。

本公开中所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次构图工艺同时形成。“相同层”不总是意味着层的厚度或层的高度在截面图中是相同的。“A的正投影包含B的正投影”是指，B的正投影落入A的正投影范围内，或者A的正投影覆盖B的正投影。

以图2为例，本示例中的显示面板的制备过程包括如下操作。

(1)、制备彩膜基板。

在一些示例性实施方式中，如图2所示，彩膜基板3的制备过程包括以下步骤。

提供第一基底301，在第一基底301上形成彩膜层302。彩膜层302包括周期性排布的多个彩膜单元，例如，红色彩膜单元、绿色彩膜单元和蓝色彩膜单元。以形成红色彩膜单元为例，可以在第一基底上涂覆红色树脂，经烘烤固化后，通过掩模、曝光、显影，形成红色彩膜单元。绿色彩膜单元和蓝色彩膜单元的形成过程类似，故于此不再赘述。

在形成前述结构的第一基底301上，沉积第一金属薄膜，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成黑矩阵303。相邻彩膜单元的边界在衬底基板上的正投影位于黑矩阵303在衬底基板上的正投影内。可以根据实际需要选择第一金属材料及沉积厚度，例如可以选择上述的Ag、Al、Mo等，本示例对此不做限制。

在形成前述结构的第一基底301上，涂覆第一有机薄膜，形成覆盖黑矩阵303和彩膜层302的第一有机平坦层304；随后，在第一有机平坦层304上沉积无机薄膜，形成第一无机绝缘层305。

在形成前述结构的第一基底301上，形成线栅偏振器306。

在形成前述结构的第一基底301上，涂覆第二有机薄膜，形成覆盖线栅偏振器306的第二有机平坦层307。

(2)、制备阵列基板。

在一些示例性实施方式中，如图2所示，阵列基板1的制备过程包括以下步骤。

提供第二基底114，在第二基底114上沉积第二金属薄膜，通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，形成金属遮光层113。可以根据需要选择合适的黑化金属来制备金属遮光层，本示例对此不做限制。在一些示例中，第二基底114可以为透明基底，例如，石英基底、玻璃基底或有机树脂基底，本示例对此不做限制。

在形成前述结构的第二基底114上，依次沉积第一绝缘薄膜和有源层薄膜，通过构图工艺对有源层薄膜进行构图，形成覆盖整个第二基底114的第一绝缘层，以及设置在第一绝缘层上的有源层图案。有源层图案至少包括第一有源层111。

随后，依次沉积第二绝缘薄膜和第三金属薄膜，通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图，形成覆盖有源层图案的第二绝缘层，以及设置在第二绝缘层上的第一栅金属层。第一栅金属层至少包括：第一栅电极109。

随后，沉积第三绝缘薄膜，通过构图工艺对第三绝缘薄膜进行构图，形成覆盖第一栅金属层的第三绝缘层图案。第三绝缘层及第二绝缘层上开设有至少两个第一过孔，第一过孔内的第三绝缘层及第二绝缘层被刻蚀掉，暴露出有源层的表面。

随后，沉积第四金属薄膜，通过构图工艺对第四金属薄膜进行构图，在第三绝缘层及第二绝缘层上形成第一源漏金属层。第一源漏金属层至少包括：第一源电极105和第一漏电极107。第一源电极105和第一漏电极107可以通过第一过孔与有源层111连接。

随后，在形成前述图案的第二基底114上涂覆有机材料的平坦薄膜，形成覆盖第二基底114的第四绝缘层。第四绝缘层上设置有多个第二过孔，第二过孔内的第四绝缘层被刻蚀掉，暴露出第一源漏金属层的表面。

随后，在形成前述结构的第二基底上沉积第五金属薄膜，通过构图工艺对第五金属薄膜进行构图，形成第二源漏金属层。第二源漏金属层至少包括：连接电极115。连接电极115通过第二过孔与第一漏电极107连接。

至此，在第二基底114上制备完成驱动电路层。在驱动电路层中，第一有源层111、第一栅电极109、第一源电极105和第一漏电极107可以组成第一薄膜晶体管。

随后，在形成前述图案的第二基底114上涂覆有机材料的平坦薄膜，形成覆盖第二基底114的平坦层104。平坦层104上设置有多个第三过孔，第三过孔内的平坦层104被刻蚀掉，暴露出连接电极115的表面。

随后，在形成前述图案的第二基底114上沉积第一透明导电薄膜，通过构图工艺对第一透明导电薄膜进行构图，形成像素电极层图案。像素电极层包括：多个像素电极103。像素电极103通过第三过孔与对应的连接电极电连接。在一些示例中，第一透明导电薄膜可以采用ITO或IZO等透明导电材料。

随后，在形成前述图案的第二基底114上涂覆有机材料的薄膜，形成覆盖第二基底114的钝化层102。

随后，在钝化层102的表面形成公共电极层。

在一些示例性实施方式中，第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或多种，可以是单层、多层或复合层。第三金属薄膜和第四金属薄膜采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等。有源层薄膜采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩、聚噻吩等一种或多种材料，即本公开适用于基于氧化物(Oxide)技术、硅技术以及有机物技术制造的晶体管。

(3)、将阵列基板和彩膜基板对盒设置并注入液晶材料。

在一些示例性实施方式中，如图2所示，在阵列基板1的周边涂覆密封胶，形成密封胶层。然后，将阵列基板1和彩膜基板3对盒设置，形成腔体。其中，阵列基板1的公共电极层面对彩膜基板3的第二有机平坦层307。随后，向腔体中灌注液晶材料，形成液晶层2。

本示例对阵列基板1和彩膜基板3的制备顺序不做限制。

图3所示为本公开实施例的另一示例的示意图。在一些示例中，如图3所示，彩膜基板3包括：第一基底301、依次设置在第一基底301上的第一无机绝缘层305、线栅偏振器306、第一有机平坦层304以及黑矩阵303、彩膜层302、第二有机平坦层307。在本示例中，彩膜层302位于线栅偏振器306远离第一基底301的一侧，黑矩阵303位于彩膜层302靠近第一基底301的一侧。其中，彩膜层302包括多个彩膜单元，黑矩阵303设置在相邻彩膜单元之间的位置。线栅偏振器306可以包括多条平行设置的金属线，线栅偏振器306可以将透过的光线转换为适应于液晶显示模式的偏振光。黑矩阵303的材料可以为第一金属材料，该第一金属材料对光的反射率约高于30％。然而，本示例对此并不限定。

关于本实施例的显示面板的其余结构可以参照前述实施例的说明，故于此不再赘述。

下面举例说明背光源发出的光线通过彩膜基板3的过程。

背光在穿过第一基板301后，先经过线栅偏振器306再经过彩膜层302，而黑矩阵303设置在彩膜层302的下表面(即靠近第一基板301的表面)，本示例中，通过在第一基板301上依次设置线栅偏振器306及彩膜层302，能够先利用线栅偏振器306获得预定振动方向的偏振光，然后使所获得的偏振光直接照射到彩膜层302，得到用于进行图像显示的预设颜色的光。缩短了偏振光到达彩膜层302的光程，有助于减小偏振光的入射角度的偏差，使偏振光更精准地入射到子像素，颜色表达更准确，能够避免串色、色偏的问题。本示例中，黑矩阵303设置在彩膜层302的下表面，由于黑矩阵303的材料为第一金属材料，能够使偏振光在黑矩阵303及线栅偏振器306之间发生反射，提高了对背光的利用率，并且，背光在线栅偏振器306与第一基板301之间也存在一定的反射，同样有助于提升光效。

本示例的显示面板的制备方法，与图2中示例的区别只在于彩膜基板的制备步骤：

在一些示例性实施方式中，如图3所示，彩膜基板3的制备过程包括以下步骤。

提供第一基底301，在第一基底301上沉积无机薄膜，形成第一无机绝缘层305。

随后，在形成前述结构的第一基底301上，形成线栅偏振器306。

随后，在形成前述结构的第一基底301上，涂覆第一有机薄膜，形成覆盖线栅偏振器306的第一有机平坦层304；

随后，在形成前述结构的第一基底301上，沉积第一金属薄膜，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成黑矩阵303。可以根据实际需要选择第一金属材料及沉积厚度，例如可以选择上述的Ag、Al、Mo等，本示例对此不做限制。

在形成前述结构的第一基底301上，形成彩膜层302。彩膜层302包括周期性排布的多个彩膜单元，例如，红色彩膜单元、绿色彩膜单元和蓝色彩膜单元。以形成红色彩膜单元为例，可以在第一基底上涂覆红色树脂，经烘烤固化后，通过掩模、曝光、显影，形成红色彩膜单元。绿色彩膜单元和蓝色彩膜单元的形成过程类似，故于此不再赘述。相邻彩膜单元的边界在衬底基板上的正投影位于黑矩阵303在衬底基板上的正投影内。

在形成前述结构的第一基底301上，涂覆第二有机薄膜，形成覆盖彩膜层302的第二有机平坦层307。

关于本实施例的显示面板的其余结构的制备方法可以参照前述实施例的说明，故于此不再赘述。

图5为本公开一实施例的显示装置的示意图。如图5所示，本实施例提供一种显示装置900，包括：显示面板910。显示面板910为前述实施例提供的显示面板。在一些示例中，显示面板910可以为LCD。显示装置900可以为：LCD显示装置、电子相框、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、车载显示器、手表、手环等任何具有显示功能的产品或部件。然而，本实施例对此并不限定。

在本公开实施例的描述中，术语“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。

虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何本公开所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本公开的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (11)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

相对设置的彩膜基板和阵列基板、以及设置在所述彩膜基板和阵列基板之间的液晶层，所述彩膜基板位于液晶层靠近背光源的一侧，所述彩膜基板包括叠设在第一基底的彩膜层和线栅偏振器。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述彩膜基板还包括：黑矩阵，所述黑矩阵位于彩膜层靠近线栅偏振器的一侧；所述黑矩阵采用第一金属材料，所述第一金属材料的反射率高于30％。

3.如权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，所述彩膜基板包括：第一基底、依次设置在第一基底上的彩膜层、黑矩阵、第一有机平坦层、第一无机绝缘层、线栅偏振器以及第二有机平坦层；所述线栅偏振器位于所述彩膜层远离背光源的一侧。

4.如权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，所述彩膜基板包括：第一基底、依次设置在第一基底上的第一无机绝缘层、线栅偏振器、第一有机平坦层、黑矩阵、彩膜层、第二有机平坦层；所述线栅偏振器位于所述彩膜层靠近背光源的一侧。

5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板包括：第二基底、依次设置在所述第二基底上的驱动电路层、像素电极层和公共电极层；所述公共电极层采用第二金属材料。

6.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括金属遮光层，所述金属遮光层位于所述驱动电路层靠近所述第二基底的一侧，所述金属遮光层的材料为黑化金属。

7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述驱动电路层包括：设置在第二基底上的有源层、第一栅金属层、第二栅金属层、第一源漏金属层和第二源漏金属层；所述金属遮光层在第二基底上的正投影与有源层在第二基底上的正投影存在交叠。

8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至7中任一项所述的显示面板。

9.一种显示面板的制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1至7中任一项所述的显示面板；

所述方法包括：

制备阵列基板和彩膜基板；其中，所述彩膜基板包括叠设在第一基底的彩膜层和线栅偏振器；

对盒设置彩膜基板及阵列基板，在所述彩膜基板及阵列基板之间制备液晶层，并使彩膜基板位于液晶层靠近背光源的一侧。

10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述制备彩膜基板包括：

提供第一基底，在所述第一基底上依次形成彩膜层、黑矩阵、第一有机平坦层、第一无机绝缘层、线栅偏振器以及第二有机平坦层。

11.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述制备彩膜基板包括：

提供第一基底，在所述第一基底上依次形成第一无机绝缘层、线栅偏振器、第一有机平坦层以及黑矩阵、彩膜层、第二有机平坦层。

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