CN113707673B - 一种显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
一种显示基板及其制备方法、显示装置，所述显示基板包括：基底，依次设置在所述基底上的第一金属层、第一平坦层、第二金属层和散射层，设置在所述散射层远离所述基底一侧的导电线结构，导电线结构连接第一区域的发光单元和第二区域的像素驱动电路，第一平坦层开设有过孔，第二金属层通过过孔电连接第一金属层，散射层在所述基底的正投影与过孔在所述基底的正投影存在交叠，散射层设置为将入射至所述散射层远离所述基底一侧的表面的光线以散射光的形式出射，所述导电线结构在所述基底的正投影与所述过孔在所述基底的正投影存在交叠。本实施例提供的方案，通过设置散射层，使得入射的曝光光线发散，避免后续膜层制备时形成过曝，造成膜层断线。
Description
技术领域
本公开实施例涉及但不限于显示技术，尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
智能手机显示屏经过长期发展，先后经历了刘海屏、水滴屏、挖孔和挖槽等设计。这些设计类型均需要在屏幕上进行打孔，放置摄像头，因此未能满足用户在追求屏幕完整性上的强烈意愿。为了更好的生产出满足屏幕完整性的产品，屏下摄像技术(Full Displaywith Camera，FDC)应运而生。研究发现，屏下摄像头所在区域存在暗点问题。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本公开实施例提供了一种显示基板及其制备方法，显示装置，避免产生暗点。
本公开实施例提供了一种显示基板，包括：基底，依次设置在所述基底上的第一金属层、第一平坦层、第二金属层和散射层，所述第一平坦层开设有过孔，所述第二金属层通过所述过孔电连接所述第一金属层，所述散射层在所述基底的正投影与所述过孔在所述基底的正投影存在交叠，所述散射层设置为将入射至所述散射层远离所述基底一侧的表面的光线以散射光的形式出射；所述基底包括彼此无交叠的第一区域和第二区域，所述显示基板还包括：设置在所述散射层远离所述基底一侧的导电线结构，设置在所述第一区域的发光单元，以及，只设置在所述第二区域的像素驱动电路，所述像素驱动电路通过所述导电线结构连接所述第一区域的发光单元，所述导电线结构在所述基底的正投影与所述过孔在所述基底的正投影存在交叠。
在一示例性实施例中，所述过孔在所述基底的正投影位于所述散射层在所述基底的正投影内。
在一示例性实施例中，所述散射层设置在所述第二金属层远离所述基底一侧的表面。
在一示例性实施例中，所述显示基板还包括设置在所述散射层远离所述基底一侧的表面的第二平坦层，所述散射层的折射率大于等于所述第二平坦层的折射率，小于等于所述第二平坦层折射率的1.1倍。
在一示例性实施例中，所述散射层的厚度为3000±250埃。
在一示例性实施例中，所述散射层的材料包括以下至少之一：氮化硅、氧化硅、氮氧化硅。
在一示例性实施例中，所述导电线结构包括设置在所述散射层远离基底一侧的第一导电线结构，设置在所述第一导电线层远离基底一侧的第二导电线层，以及，设置在所述第二导电线层远离所述基底一侧的第三导电线层。
在一示例性实施例中，所述第二区域包括显示区域和边框区域，所述像素驱动电路设置在所述边框区域。
本公开实施例提供一种显示装置，包括任一实施例所述的显示基板。
本公开实施例提供一种显示基板的制备方法，所述显示基板的基底包括彼此无交叠的第一区域和第二区域，所述显示基板还包括：设置在所述第一区域的发光单元，只设置在所述第二区域的像素驱动电路，所述制备方法包括：
在基底上依次形成第一金属层和开设有过孔的第一平坦层，所述过孔暴露所述第一金属层；
在所述第一平坦层远离所述基底一侧形成第二金属层，所述第二金属层通过所述过孔电连接所述第一金属层；
在所述第二金属层远离所述基底一侧形成散射层，所述散射层在所述基底的正投影与所述过孔在所述基底的正投影存在交叠，所述散射层设置为将入射至所述散射层远离所述基底一侧的表面的光线以散射光的形式出射；
在所述散射层远离所述基底一侧形成导电线结构，所述导电线结构连接所述第二区域的像素驱动电路和所述第一区域的发光单元，所述导电线结构在所述基底的正投影与所述过孔在所述基底的正投影存在交叠。
本公开实施例包括一种显示基板及其制备方法、显示装置，所述显示基板包括：基底，依次设置在所述基底上的第一金属层、第一平坦层、第二金属层和散射层，所述第一平坦层开设有过孔，所述第二金属层通过所述过孔电连接所述第一金属层，所述散射层在所述基底的正投影与所述过孔在所述基底的正投影存在交叠，所述散射层设置为将入射至所述散射层远离所述基底一侧的表面的光线以散射光的形式出射，所述基底包括彼此无交叠的第一区域和第二区域，所述显示基板还包括：设置在所述散射层远离所述基底一侧的导电线结构，设置在所述第一区域的发光单元，以及，只设置在所述第二区域的像素驱动电路，所述像素驱动电路通过所述导电线结构连接所述第一区域的发光单元，所述导电线结构在所述基底的正投影与所述过孔在所述基底的正投影存在交叠。本实施例提供的方案，通过设置散射层，使得入射的曝光光线发散，避免后续膜层制备时形成过曝，造成膜层断线。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对技术方案的限制。
图1为一实施例提供的显示基板截面示意图；
图2为一实施例提供的导电线结构示意图；
图3为一实施例提供的屏下摄像头区域走线示意图；
图4为屏下摄像头区域断线示意图；
图5为一技术方案提供的过曝示意图；
图6为一示例性实施例提供的显示基板示意图；
图7为一示例性实施例提供的显示基板制备方法流程图。
具体实施方式
下文中将结合附图对本公开实施例进行详细说明。在不冲突的情况下，本公开实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行。并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。
在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了各构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的实施方式并不一定限定于该尺寸，附图中各部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的实施方式不局限于附图所示的形状或数值。
本公开中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，并不表示任何顺序、数量或者重要性。
在本公开中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在公开中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
在本公开中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
在本公开中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有各种功能的元件等。
在本公开中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。
在本公开中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。
图1为一实施例提供的一种搭载FDC的显示基板的示意图。如图1所示，本实施例提供的显示基板包括背板(BP)和蒸镀封装部分(EVEN)，背板可以包括依次设置的基底10、有源层11、栅绝缘层12、栅电极13、源漏电极层14(包括源电极和漏电极)、平坦层15和阳极16，蒸镀封装部分可以包括依次设置的发光层17、阴极18、第一封装层19、第二封装层20和第三封装层21，所述阳极16、发光层17和阴极18构成发光单元，所述有源层11、栅电极13、源漏电极层14的源电极、漏电极构成像素驱动电路。将BP中影响透光的膜层(比如有源层11、栅绝缘层12、栅电极13和源漏电极层14)移出摄像头区域，即将像素的像素驱动电路移出屏下摄像头区域，比如可以移动到边框区域(但不限于此，可以移动到显示区域)，然后通过导电线结构22将像素驱动电路与对应的阳极(Anode)等膜层进行连接，极大地提高了面板(Panel)上FDC区的透光率。
由于引入了大量的走线，可以增加额外的多层平坦层膜层(比如，第三平坦层PLN3/第四平坦层PLN4/第五平坦层PLN5)对走线进行分流(比如，分流到第一导电线层ITO1/第二导电线层ITO2/第三导电线层ITO3)，降低走线太密带来的短路(Short)风险，如图2和图3所示。本实施例中，以氧化铟锡(ITO)走线为例进行说明，但本公开实施例不限于此，可以是其他透明导电走线，比如氧化铟锌(IZO)等。
如图2所示，所述源漏电极层14可以包括第一源漏电极层23(可以包括源电极和漏电极)和第二源漏电极层26，第一源漏电极层23和第二源漏电极层26之间可以包括依次设置的第一绝缘层24和第一平坦层25(即PLN1)，第二源漏电极层26远离基底10一侧设置有第二平坦层27(即PLN2)。导电线结构22可以包括依次设置的第一导电线层28(即ITO1)、第二导电线层30(即ITO2)和第三导电线层32(即ITO3)，第一导电线层28与第二导电线层30之间设置有第三平坦层29(即PLN3)，第二导电线层30与第三导电线层32之间设置有第四平坦层31(即PLN4)，第三导电线层32远离基底10一侧设置有第五平坦层33(即PLN5)，第五平坦层33远离基底10一侧设置有阳极16(图2中未示出)。此处以导电线结构22包括3个导电线层进行示例，本公开实施例不限于此，导电线结构22可以包括更多或更少导电线层。第一绝缘层24和第一平坦层25开设有过孔，第一源漏电极层23和第二源漏电极层26通过所述过孔连接。第三平坦层29、第四平坦层31、第五平坦层33开设有过孔(图2中未示出)，第一导电线层28、第二导电线层30、第三导电线层32的走线可以直接与阳极16连接，或者，通过其他一个或多个导电线层的走线与阳极16连接，比如，第一导电线层28的走线连接第二导电线层30的走线，第二导电线层30的走线连接第三导电线层32的走线，第三导电线层32的走线再连接到阳极16。
图3为一示例性实施例提供的第一区域的走线示意图。如图3所示，第一区域100划分为以对称轴P对称的两个子区域，以其中一个子区域的走线为例进行说明，另一子区域类似，不再赘述。本实施例中，所述第一区域100中包括42行*88列个像素，位于对称轴P右侧的子区域划分为靠近对称轴P的区域101、区域102、区域103、区域104，以及远离对称轴P的区域105、区域106和区域107，其中，区域101包括9行*5列像素，区域102包括12行*5列像素，区域103包括12行*5列像素，区域104包括9行*5列像素，区域105包括42行*13列像素，区域106包括42行*13列像素，区域107包括42行*13列像素，所述第一区域100的像素包括发光单元。第一区域100的像素的像素驱动电路50设置在边框区域。像素驱动电路50通过导电线结构22的走线连接到第一区域100的像素的发光单元，其中，区域101的像素通过位于第一导电线层28(ITO1)、第二导电线层30(ITO2)和第三导电线层32(ITO3)的走线连接到像素驱动电路50，区域102和区域103的像素通过位于第一导电线层28(ITO1)的走线连接到像素驱动电路50，区域104的像素通过第三导电线层32(ITO3)的走线连接到像素驱动电路50，区域105的像素通过第二导电线层30(ITO2)的走线连接到像素驱动电路50，区域106的像素通过第三导电线层32(ITO3)的走线连接到像素驱动电路50，区域107的像素通过第一导电线层28(ITO1)的走线连接到像素驱动电路50。上述像素驱动电路50和像素之间的连接方式仅为示例，可以是其他连接方式，本公开实施例对此不作限定。另外，像素驱动电路50可以不设置在边框区域，可以设置在第一区域100外的显示区域，或者，部分设置在边框区域，部分设置在第一区域100外的显示区域，等等。图3所示第一区域100的像素数量和第一区域100的形状和大小仅为示例，可以是其他形状，第一区域100可以包括更多或更少像素。
申请人发现，大量第一平坦层25过孔对应位置的导电线(导电线的正投影与第一平坦层25过孔的正投影的交叠处对应的位置)均发生了不同程度的断线，导致FDC区域暗点高发，如图4所示。暗点出现的原因是曝光完成后PLN1过孔上方的光刻胶(PhotoResist，PR)出现“过曝”的情况，导致导电线在后续工艺无PR保护，出现断线。以第二源漏电极层26比如为钛铝钛(Ti/Al/Ti)结构为例对过曝的形成原因进行说明。过孔截面形状表现出有“凹面镜”特征的“碗形”，在曝光过程中，光线从第二平坦层27到达第二源漏电极层26(即SD2)膜层时，第二源漏电极层26表面的Ti为金属，折射率高(折射率约为2.4)；第二平坦层27(PLN2)通常为树脂胶等，具有高透过率，折射率约为1.5。Ti的折射率(2.4)和第二平坦层27的折射率(1.5)差异非常大，光会在二者界面发生强烈反射。第二源漏电极层26转接“凹槽”图案(即覆盖贯通第一绝缘层24和第一平坦层25的过孔的图案)将反射光汇聚，最终导致PR胶34过曝，使得第一导电线层28在后续得不到PR胶的保护，出现断线，如图5所示。
在一示例性实施例中，在第一平坦层25过孔位置，即第一源漏电极层23转接第二源漏电极层26膜层处远离基底10一侧增加散射层35，降低上方导电线层掩膜曝光时下方第二源漏电极层26对曝光光线的反射和汇聚作用，规避导电线层断线风险。
本公开实施例提供一种显示基板，包括：基底，依次设置在所述基底上的第一金属层、第一平坦层、第二金属层和散射层，所述第一平坦层开设有过孔，所述第二金属层通过所述过孔电连接所述第一金属层，所述散射层在所述基底的正投影与所述过孔在所述基底的正投影存在交叠，所述散射层设置为将入射至所述散射层远离所述基底一侧的表面的光线以散射光的形式出射。
本实施例提供的方案，从远离基底一侧的光线入射到散射层后被散射，以及，入射的光线进入到第二金属层被反射到散射层后，散射层对光线进行散射，避免光线汇聚导致光刻胶过曝，出现断线。
在一示例性实施例中，所述第一金属层比如为第一源漏电极层，所述第二金属层比如为第二源漏电极层。
在一示例性实施例中，所述基底可以包括第一区域(比如为屏下摄像头所在的区域)和第二区域(第一区域之外的区域)，所述显示基板还可以包括：设置在所述散射层远离所述基底一侧的导电线结构，设置在所述第一的发光单元，以及，设置在所述第二区域的像素驱动电路，所述像素驱动电路通过导电线结构连接所述第一区域的发光单元，所述导电线结构在所述基底的正投影与所述过孔在所述基底的正投影存在交叠。本实施例提供的方案，可以避免导电线结构出现断线，避免第一区域出现暗点。另外，第二区域中的显示区域也设置有发光单元，对应的像素驱动电路也设置在第二区域中的显示区域。
如图6所示，本公开实施例提供一种显示基板，包括：设置在基底10(图6中未示出)上的第一源漏电极层23、设置在第一源漏电极层23远离基底10一侧的第一绝缘层24，设置在第一绝缘层24远离基底10一侧的第一平坦层25，设置在第一平坦层25远离基底一侧的第二源漏电极层26，设置在第二源漏电极层26远离基底10一侧的散射层35，设置在散射层35远离基底10一侧的第二平坦层27，依次设置在所述第二平坦层27远离基底10一侧的第一导电线层28、第三平坦层29、第二导电线层30、第四平坦层31、第三导电线层32和第五平坦层33。所述散射层35的正投影与所述过孔的正投影存在交叠。所述散射层35设置为将入射至所述散射层35远离所述基底一侧的表面的光线以散射光的形式出射。
本实施例提供的方案，光线入射至散射层35，部分以散射的方式反射，部分进入散射层35，被第二源漏电极层26再反射回散射层35，以散射光的形式出射，避免了光线的汇聚，避免造成散射层远离基底一侧的膜层构图时光刻胶过曝，导致膜层出现断线。另外，散射层的制备工艺为成熟工艺，本实施例方案能够很好地与现有制备工艺兼容，具有制作成本低、易于工艺实现、生产效率高和良品率高等优点。
在一示例性实施例中，所述过孔在所述基底10的正投影位于所述散射层35在所述基底10的正投影内。即入射至过孔所在位置的光线均被散射层发散，避免光线汇聚，避免造成光刻胶过曝。但本公开实施例不限于此，所述过孔在所述基底10的正投影可以部分位于所述散射层35在所述基底10的正投影内，即对入射至过孔所在位置的部分光线进行发散。
在一示例性实施例中，所述散射层35的折射率可以大于等于所述第二平坦层27的折射率，小于等于所述第二平坦层27折射率的1.1倍。本实施例中，散射层35与第二平坦层27的折射率接近，光线大部分进入散射层35，反射光线较少，即可以减少反射光线，且，从折射率小的介质(第二平坦层27)进入折射率大的介质(散射层35)，折射光线被发散，可以避免光线汇聚，另外，进入散射层35的光线被第二源漏电极层26反射回来时，又被散射层35部分吸收，减少了出射的光线。本公开实施例不限于此，散射层35的折射率可以为其他值，比如，小于第二源漏电极层26的折射率的值，比如，小于所述第二平坦层27的折射率的值。
在一示例性实施例中，所述散射层35的材料包括以下至少之一：氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNx)。散射层35的材料为氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNx)等时，透过率较低，低透过率对光有较强的阻隔作用，从而可以减少从散射层35出射的光线。本实施例不限于此，散射层35可以使用其他低透过率的材料制备。
以散射层35为氮化硅为例进行说明。氮化硅折射率约为n＝1.6。根据反射率的计算公式：(n1，n2分别是两种介质的折射率)。将第二平坦层27(n1＝1.5)和散射层35(n2＝1.6)的折射率进行匹配后容易得出，散射层35的表面反射率较低，即曝光过程中到达散射层35表面的光线大部分会进入散射层35内，大大减弱过孔处对曝光光线的反射。进入散射层35的光线部分被吸收，被反射回来时，再次被吸收，可以削弱曝光光线。
在一示例性实施例中，所述散射层的厚度可以为3000±250埃。但本公开实施例不限于此，可以是其他厚度。
在一示例性实施例中，将导电线结构在基底的正投影构成的区域称为导电线区域，可以对在基底的正投影与所述导电线区域存在交叠的过孔(过孔处覆盖有第二源漏电极层)均设置所述散射层，从而可以避免导电线结构断线，导致第一区域出现暗点。但本公开实施例不限于此，在基底的正投影与导电线区域无交叠的过孔处也可以设置所述散射层。另外，本实施例提供的方案可以应用在未设置屏下摄像头的方案中。
在一示例性实施例中，第一源漏电极层23和第二源漏电极层26可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)和钼(Mo)中的任意一种或多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Mo/Cu/Mo等。第一绝缘层24的材料可以为硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiOxNx)中的任意一种或多种，可以是单层、多层或复合层。第一平坦层25、第二平坦层27、第三平坦层29、第四平坦层31、第五平坦层33的材料可以为聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等。
图7为本公开实施例提供的一种显示基板的制备方法流程图。如图7所示，所述显示基板的基底包括彼此无交叠的第一区域和第二区域，所述显示基板包括：设置在所述第一区域的发光单元，只设置在所述第二区域的像素驱动电路，本实施例提供的显示基板的制备方法包括：
步骤701，在基底上依次形成第一金属层和开设有过孔的第一平坦层，所述过孔暴露所述第一金属层；
步骤702，在所述第一平坦层远离所述基底一侧形成第二金属层，所述第二金属层通过所述过孔电连接所述第一金属层；
步骤703，在所述第二金属层远离所述基底一侧形成散射层，所述散射层在所述基底的正投影与所述过孔在所述基底的正投影存在交叠，所述散射层设置为将入射至所述散射层远离所述基底一侧的表面的光线以散射光的形式出射；
步骤704，在所述散射层远离所述基底一侧形成导电线结构，所述导电线结构连接所述第二区域的像素驱动电路和所述第一区域的发光单元，所述导电线结构在所述基底的正投影与所述过孔在所述基底的正投影存在交叠。
本实施例提供的显示基板的制备方法，通过在过孔位置设置散射层，避免光线汇聚导致过曝，可以避免过曝导致断线出现暗点。本实施例的制备方法利用现有成熟的制备设备即可实现，对现有工艺改进较小，能够很好地与现有制备工艺兼容，制作成本低、易于工艺实现。且本实施例提供的方法，解决了相关技术中镜面显示屏对比度低的问题，具有实际应用价值，具有良好的应用前景。
下面通过本实施例显示基板的制备过程进一步说明本实施例的技术方案。本实施例中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，是相关技术中成熟的制备工艺。本实施例中所说的“光刻工艺”包括涂覆膜层、掩模曝光和显影，是相关技术中成熟的制备工艺。沉积可采用溅射、蒸镀、化学气相沉积等已知工艺，涂覆可采用已知的涂覆工艺，刻蚀可采用已知的方法，在此不做具体的限定。在本实施例的描述中，需要理解的是，“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺或光刻工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺或光刻工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后称为“层”。经过构图工艺或光刻工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。
本实施例提供一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括第一区域和第二区域，包括：
在基底10上依次形成有源层11、栅绝缘层12和栅电极13；其中，有源层11、栅绝缘层12和栅电极13形成在第二区域；
沉积第一源漏金属层薄膜，通过构图工艺对第一源漏金属薄膜进行构图，形成第一源漏金属层23图案；第一源漏金属层23图案形成在第二区域；
沉积第一绝缘薄膜，通过构图工艺形成第一绝缘层24图案；
涂覆第一平坦层薄膜，通过掩膜曝光显影的光刻工艺形成第一平坦层25图案，第一平坦层25开设有过孔，暴露出一源漏金属层23；
沉积第二源漏金属层薄膜，通过构图工艺对第二源漏金属层薄膜进行构图，形成第二源漏金属层26图案；第二源漏金属层26图案形成在第二区域。
沉积散射层薄膜，通过构图工艺对散射层薄膜进行构图，形成散射层35图案；散射层35可以通过二次刻蚀等方式形成。比如，可以沉积散射层薄膜后先构图形成散射层初始图案，再对散射层初始图案进行粗糙化处理，得到散射层35图案；或者，可以沉积散射层薄膜，进行粗糙化处理后，再通过构图工艺形成散射层35图案。本公开实施例对此不作限定。制备散射层35时，掩膜Mask CD(Critical Dimension，关键尺寸)可以为3*3.5微米(um)，FICD(Final Inspeciton CD，最后检查关键尺寸)可以为4.4*4.9um，Mask CD Bias(偏差)可以为+1.4um。此处仅为示例，根据过孔大小可以设置其他尺寸。
涂覆第二平坦层薄膜，通过掩膜曝光显影的光刻工艺形成第二平坦层27图案；
沉积透明导电薄膜，通过构图工艺对透明导电薄膜进行构图，形成第一导电线层28图案；
涂覆第三平坦层薄膜，通过掩膜曝光显影的光刻工艺形成第三平坦层29图案；
沉积透明导电薄膜，通过构图工艺对透明导电薄膜进行构图，形成第二导电线层30图案；
涂覆第四平坦层薄膜，通过掩膜曝光显影的光刻工艺形成第四平坦层31图案；
沉积透明导电薄膜，通过构图工艺对透明导电薄膜进行构图，形成第三导电线层32图案；
涂覆第五平坦层薄膜，通过掩膜曝光显影的光刻工艺形成第五平坦层33图案；
沉积透明导电薄膜，通过构图工艺对透明导电薄膜进行构图，形成阳极16图案，阳极16通过过孔与第一导电层线层28或者第二导电线层30或者第三导电线层32其中之一或多层的走线连接；
在形成前述图案的基底上涂覆像素定义薄膜，通过光刻工艺形成像素定义层图案；
在形成前述图案的基底上依次蒸镀有机发光材料及阴极金属，形成发光层17和阴极18图案；
在形成前述图案的基底上，沉积第一无机薄膜，形成第一封装19图案；采用喷墨打印方式形成第二封装层20图案；沉积第二无机薄膜，形成第三封装层21图案。
本实施例所示结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明。实际实施时，可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少构图工艺。
本公开实施例还提供了一种显示装置，包括前述实施例的显示基板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种显示基板，其特征在于，包括：基底，依次设置在所述基底上的第一金属层、第一平坦层、第二金属层和散射层，所述第一平坦层开设有过孔，所述第二金属层通过所述过孔电连接所述第一金属层，所述散射层在所述基底的正投影与所述过孔在所述基底的正投影存在交叠，所述散射层设置为将入射至所述散射层远离所述基底一侧的表面的曝光光线以散射光的形式出射，所述基底包括彼此无交叠的第一区域和第二区域，所述第一区域为屏下摄像头所在的区域，所述第二区域为所述第一区域之外的区域；所述显示基板还包括：设置在所述散射层远离所述基底一侧的导电线结构，设置在所述第一区域的发光单元，以及，只设置在所述第二区域的像素驱动电路，所述像素驱动电路通过所述导电线结构连接所述第一区域的发光单元，所述导电线结构在所述基底的正投影与所述过孔在所述基底的正投影存在交叠。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述过孔在所述基底的正投影位于所述散射层在所述基底的正投影内。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述散射层设置在所述第二金属层远离所述基底一侧的表面。
4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括设置在所述散射层远离所述基底一侧的表面的第二平坦层，所述散射层的折射率大于等于所述第二平坦层的折射率，小于等于所述第二平坦层折射率的1.1倍。
5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述散射层的厚度为3000±250埃。
6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述散射层的材料包括以下至少之一：氮化硅、氧化硅、氮氧化硅。
7.根据权利要求1至6任一所述的显示基板，其特征在于，所述导电线结构包括设置在所述散射层远离基底一侧的第一导电线结构，设置在所述第一导电线层远离基底一侧的第二导电线层，以及，设置在所述第二导电线层远离所述基底一侧的第三导电线层。
8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述第二区域包括显示区域和边框区域，所述像素驱动电路设置在所述边框区域。
9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至8任一所述的显示基板。
10.一种显示基板的制备方法，其特征在于，所述显示基板的基底包括彼此无交叠的第一区域和第二区域，所述第一区域为屏下摄像头所在的区域，所述第二区域为所述第一区域之外的区域；所述显示基板包括：设置在所述第一区域的发光单元，只设置在所述第二区域的像素驱动电路，所述制备方法包括：
在基底上依次形成第一金属层和开设有过孔的第一平坦层，所述过孔暴露所述第一金属层；
在所述第一平坦层远离所述基底一侧形成第二金属层，所述第二金属层通过所述过孔电连接所述第一金属层；
在所述第二金属层远离所述基底一侧形成散射层，所述散射层在所述基底的正投影与所述过孔在所述基底的正投影存在交叠，所述散射层设置为将入射至所述散射层远离所述基底一侧的表面的曝光光线以散射光的形式出射；
在所述散射层远离所述基底一侧形成导电线结构，所述导电线结构连接所述第二区域的像素驱动电路和所述第一区域的发光单元，所述导电线结构在所述基底的正投影与所述过孔在所述基底的正投影存在交叠。
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