CN112864179A - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
显示面板及其制备方法、显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112864179A CN112864179A CN202110179988.2A CN202110179988A CN112864179A CN 112864179 A CN112864179 A CN 112864179A CN 202110179988 A CN202110179988 A CN 202110179988A CN 112864179 A CN112864179 A CN 112864179A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- signal line
- substrate
- signal
- display panel
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 141
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 29
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 245
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 16
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 4
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 description 39
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 5
- -1 aromatic diamine compound Chemical class 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- UDQLIWBWHVOIIF-UHFFFAOYSA-N 3-phenylbenzene-1,2-diamine Chemical class NC1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1N UDQLIWBWHVOIIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000009638 autodisplay Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 210000000707 wrist Anatomy 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本公开的实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置,涉及显示技术领域,可避免信号干扰。显示面板具有显示区和位于显示区外的周边区。显示面板包括:衬底、同层设置于衬底上且位于周边区内的至少一条第一信号线和至少一条第二信号线、覆盖至少一条第一信号线和至少一条第二信号线的绝缘层和屏蔽信号线。绝缘层在远离衬底的一侧的表面设置有至少一个凹槽;一个凹槽的底面在衬底上的正投影位于一条第一信号线和一条第二信号线在所述衬底上的正投影之间。屏蔽信号线覆盖至少一个凹槽。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
随着显示技术的进步,用户观感体验的要求越来越高。并且,随着显示产品的拥有量的增大,人们对于显示品质也提出了更高的要求。
发明内容
本公开的实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置,可避免信号干扰。
为达到上述目的,本公开的实施例采用如下技术方案:
一方面,提供一种显示面板。所述显示面板具有显示区和位于显示区外的周边区。所述显示面板包括衬底、至少一条第一信号线、至少一条第二信号线、绝缘层和屏蔽信号线。所述至少一条第一信号线设置于所述衬底上且位于所述周边区内。所述至少一条第二信号线设置于所述衬底上且位于所述周边区内;所述至少一条第二信号线和所述至少一条第一信号线同层设置。所述绝缘层覆盖所述至少一条第一信号线和所述至少一条第二信号线;所述绝缘层在远离所述衬底的一侧的表面设置有至少一个凹槽;一个凹槽的底面在所述衬底上的正投影位于一条第一信号线和一条第二信号线在所述衬底上的正投影之间。所述屏蔽信号线覆盖所述至少一个凹槽。
在一些实施例中,沿垂直于衬底所在平面的方向,相比于所述第一信号线和所述第二信号线中的至少一者中的顶面,所述凹槽的底面更靠近所述衬底。
在一些实施例中,所述第一信号线和所述第二信号线相邻。所述凹槽的底面在所述衬底上的正投影的宽度,小于或等于所述第一信号线和所述第二信号线在所述衬底上的正投影中相互靠近的两个边沿之间的距离。
在一些实施例中,所述凹槽的底面在所述衬底上的正投影的宽度为2μm~10μm。
在一些实施例中,所述第一信号线的延伸方向和所述第二信号线的延伸方向相同。所述凹槽沿所述第一信号线和所述第二信号线的延伸方向延伸。
在一些实施例中,所述屏蔽信号线在所述衬底上的正投影覆盖所述第一信号线在所述衬底上的正投影和所述第二信号线在所述衬底上的正投影。
在一些实施例中,所述屏蔽信号线位于所述周边区内且围绕所述显示区。
在一些实施例中,所述第一信号线被配置为传输第一信号;所述第二信号线被配置为传输第二信号。所述第一信号和所述第二信号均为脉冲信号,且所述第一信号和所述第二信号不相同。所述屏蔽信号线被配置为传输直流信号。
在一些实施例中,所述第一信号和所述第二信号具有相同的脉冲周期;所述第一信号和所述第二信号具有相位差。
在一些实施例中,所述脉冲周期为4μs~100μs。
在一些实施例中,所述显示面板还包括:多个发光器件。所述多个发光器件设置于所述衬底上且位于所述显示区内。每个发光器件包括第一电极和第二电极;所述第一电极相比于所述第二电极靠近所述衬底。所述第二电极与所述屏蔽信号线耦接。
在一些实施例中,所述发光器件的第一电极与所述屏蔽信号线同层设置。所述绝缘层为双层结构。
在一些实施例中,所述发光器件的第一电极相比于所述屏蔽信号线远离所述衬底。所述绝缘层为单层结构。
在一些实施例中,所述显示面板还包括:多个像素电路和驱动电路。所述多个像素电路设置于所述衬底上且位于所述显示区内。所述驱动电路设置于所述衬底上且位于所述周边区内。所述驱动电路分别与所述多个像素电路、所述第一信号线和所述第二信号线耦接。所述驱动电路被配置为,响应于在所述第一信号线处接收的第一信号和在所述第二信号线处接收的第二信号,向所述多个像素电路提供驱动信号,以驱动所述多个像素电路工作。
另一方面,提供一种显示装置。所述显示装置包括:如上述任一实施例所述的显示面板和控制芯片。所述控制芯片与所述显示面板耦接。所述控制芯片被配置为向所述显示面板提供信号。
又一方面,提供一种显示面板的制备方法。所述制备方法包括:提供衬底,所述衬底具有显示区和位于所述显示区外的周边区;在所述衬底的周边区内形成至少一条第一信号线和至少一条第二信号线;形成绝缘层,所述绝缘层覆盖所述至少一条第一信号线和所述至少一条第二信号线;所述绝缘层在远离所述衬底的一侧的表面形成有至少一个凹槽;一个凹槽的底面在所述衬底上的正投影位于一条第一信号线和一条第二信号线在所述衬底上的正投影之间;形成屏蔽信号线,所述屏蔽信号线覆盖所述至少一个凹槽。
在一些实施例中,所述形成绝缘层,包括:在所述至少一条第一信号线和所述至少一条第二信号线远离所述衬底的一侧形成绝缘材料层;在所述绝缘材料层上形成光刻胶层;采用半色调掩膜板曝光所述光刻胶层,显影所述光刻胶层,形成光刻胶层全部去除区、光刻胶层半保留区以及光刻胶层全部保留区;蚀刻所述绝缘材料层,去除所述绝缘材料层中位于所述光刻胶层全部去除区的部分;采用灰化工艺,去除所述光刻胶层中位于所述光刻胶层半保留区的部分;蚀刻所述绝缘材料层中位于所述光刻胶层半保留区的部分,形成所述至少一个凹槽;剥离剩余的光刻胶层,得到所述绝缘层。
因此,本公开的实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置,该显示面板中的至少一条第一信号线和至少一条第二信号线被绝缘层覆盖,绝缘层上设置有至少一个凹槽,一个凹槽的位置对应于相邻的第一信号线和第二信号线之间,屏蔽信号线覆盖至少一个凹槽。这样,屏蔽信号线可以对第一信号线和第二信号线起到屏蔽作用,避免第一信号线和第二信号线之间的信号串扰,从而可以提高显示效果。并且,绝缘层在凹槽位置处的厚度较薄,且屏蔽信号线位于凹槽内,不会增加显示面板的膜层厚度,有利于显示面板实现轻薄化。
附图说明
为了更清楚地说明本公开中的技术方案,下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图,对于本领域普通技术人员来讲,还可以根据这些附图获得其他的附图。此外,以下描述中的附图可以视作示意图,并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程、信号的实际时序等的限制。
图1为根据一些实施例的显示面板的一种俯视图;
图2为图1中的显示面板沿A1-B1方向的一种剖视图;
图3为根据一些实施例的显示面板的另一种俯视图;
图4为图3中的显示面板沿A2-B2方向的一种剖视图;
图5为图3中的显示面板沿A3-B3方向的一种剖视图;
图6为根据一些实施例的第一信号、第二信号和直流信号的一种时序图;
图7为根据一些实施例的显示面板的又一种俯视图;
图8为根据一些实施例的像素电路的一种结构图;
图9为图1中的显示面板沿D1-D2方向的一种剖视图;
图10A为根据一些实施例的显示面板的一种结构图;
图10B为根据一些实施例的显示面板的另一种结构图;
图11为根据一些实施例的驱动电路的一种结构图;
图12为根据一些实施例的驱动电路的另一种结构图;
图13为根据一些实施例的移位寄存器的一种结构图;
图14为根据一些实施例的显示面板的又一种结构图;
图15为根据一些实施例的显示面板的又一种结构图;
图16为根据一些实施例的显示装置的一种结构图;
图17A为根据一些实施例的显示面板的制备方法的一种过程图;
图17B为根据一些实施例的显示面板的制备方法的另一种过程图;
图18A为根据一些实施例的显示面板的制备方法的又一种过程图;
图18B为根据一些实施例的显示面板的制备方法的又一种过程图;
图18C为根据一些实施例的显示面板的制备方法的又一种过程图;
图19为根据一些实施例的显示面板的制备方法的又一种过程图。
具体实施方式
下面将结合附图,对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例,本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
除非上下文另有要求,否则,在整个说明书和权利要求书中,术语“包括(comprise)”及其其他形式例如第三人称单数形式“包括(comprises)”和现在分词形式“包括(comprising)”被解释为开放、包含的意思,即为“包含,但不限于”。在说明书的描述中,术语“一个实施例(one embodiment)”、“一些实施例(some embodiments)”、“示例性实施例(exemplary embodiments)”、“示例(example)”、“特定示例(specific example)”或“一些示例(some examples)”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外,所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
以下,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。
在描述一些实施例时,可能使用了“耦接”和“连接”及其衍伸的表达。例如,描述一些实施例时可能使用了术语“连接”以表明两个或两个以上部件彼此间有直接物理接触或电接触。又如,描述一些实施例时可能使用了术语“耦接”以表明两个或两个以上部件有直接物理接触或电接触。然而,术语“耦接”或“通信耦合(communicatively coupled)”也可能指两个或两个以上部件彼此间并无直接接触,但仍彼此协作或相互作用。这里所公开的实施例并不必然限制于本文内容。
本文中“适用于”或“被配置为”的使用意味着开放和包容性的语言,其不排除适用于或被配置为执行额外任务或步骤的设备。
如本文所使用的那样,“约”或“近似”包括所阐述的值以及处于特定值的可接受偏差范围内的平均值,其中所述可接受偏差范围如由本领域普通技术人员考虑到正在讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即,测量系统的局限性)所确定。
本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中,为了清楚,放大了层和区域的厚度。因此,可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此,示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状,而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如,示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此,附图中所示的区域本质上是示意性的,且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状,并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。
在显示面板中,例如受走线空间的限制,相邻两条信号线的间距相对较小。在显示面板中的各条信号线进行信号传输的过程中,相邻两条信号线上传输的信号容易出现串扰,降低信号的稳定性,影响显示面板中一些电路的正常工作,从而降低显示效果。
本公开的实施例提供一种显示面板。如图1所示,显示面板100具有显示区(ActiveArea,AA)和周边区S。例如,周边区S位于显示区AA外的至少一侧。例如,参考图1,显示区AA为由虚线框限定的区域。周边区S可以围绕显示区AA。
示例性地,显示面板100包括设置于显示区AA中的多个子像素P。例如,多个子像素P可以呈阵列排布。例如,沿图1中X方向(即水平方向)排列成一排的子像素P称为同一像素,沿图1中Y方向(即竖直方向)排列成一排的子像素P称为同一列像素。示例性地,每个像素包括多个子像素;多个子像素包括第一颜色子像素、第二颜色子像素和第三颜色子像素。例如,第一颜色、第二颜色和第三颜色为三基色;例如,第一颜色、第二颜色和第三颜色分别为红色、绿色和蓝色;即,多个子像素包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。
示例性地,在本公开的实施例中,以显示面板的衬底为基准建立空间直角坐标系,在该空间直角坐标系中,X方向、Y方向为平行于衬底所在平面的方向,Z方向为垂直于衬底所在平面的方向。
示例性地,参考图1和图2,显示面板100包括:衬底101、至少一条第一信号线10、至少一条第二信号线20和绝缘层40。其中,至少一条第一信号线10、至少一条第二信号线20、屏蔽信号线30和绝缘层40均设置于衬底101上。至少一条第一信号线10和至少一条第二信号线20均位于周边区S内。绝缘层40覆盖至少一条第一信号线10和至少一条第二信号线20,即绝缘层40设置于至少一条第一信号线10和至少一条第二信号线20远离衬底101的一侧,也即绝缘层40设置于至少一条第一信号线10和至少一条第二信号线20的上方。
示例性地,衬底101可以包括:玻璃等刚性衬底(或称为硬质衬底),或者PI(Polyimide,聚酰亚胺)等柔性衬底;还可以包括:设置在刚性衬底或柔性衬底上的膜层(例如缓冲层等)。示例性地,绝缘层40的材料可以包括有机材料(例如树脂材料等)或者无机材料(例如氧化硅或者氮化硅等)。
示例性地,至少一条第一信号线和至少一条第二信号线同层设置。例如,第一信号线和第二信号线所在的膜层可以被看作是第一导电层。例如,第一信号线的材料和第二信号线的材料相同,例如材料可以采用包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)等金属。例如,第一信号线和第二信号线可以同步形成,例如,第一信号线和第二信号线可以由同一膜层构图形成。这样,可以减少生产工序,简化工艺。示例性地,一条第一信号线与一条第二信号线相邻。例如,在第一信号线和第二信号线所在的膜层中,第一信号线和第二信号线之间没有其他信号线。
其中,第一信号线被配置为传输第一信号。第二信号线被配置为传输第二信号。第一信号和第二信号均为脉冲信号,且第一信号和第二信号不相同。示例性地,参考图6,第一信号K1和第二信号K2具有相同的脉冲周期,且第一信号和第二信号具有相位差。其中,一个脉冲周期指的是脉冲信号(例如第一信号或第二信号)的一个脉冲的上升沿(或下降沿)至该一个脉冲的下一个脉冲的上升沿(或下降沿)的时长。例如,第一信号的脉冲的上升沿(或下降沿)与第二信号的脉冲的上升沿(或下降沿)未处于同一时刻;例如,第一信号的脉冲的上升沿(或下降沿)与第二信号的脉冲的上升沿(或下降沿)之间的间隔时长大于0且小于一个脉冲周期。例如,第一信号和第二信号的相位差为脉冲周期的一半。例如,第一信号和第二信号可以均为交流信号;例如,第一信号和第二信号可以均为时钟信号,且两者具有相同的时钟周期。例如,第一信号和第二信号的相位差等于脉冲周期的一半,例如,第一信号和第二信号互为反转信号。
示例性地,第一信号和第二信号可以均为高频信号;例如,第一信号的脉冲周期和第二信号的脉冲周期为4μs~100μs,例如脉冲周期可以为5μs、10μs、25μs、50μs或80μs。例如,第一信号的频率和第二信号的频率为10000Hz~250000Hz,例如,频率可以为12500Hz、20000Hz、40000Hz、100000Hz或者200000Hz。
在此情况下,参考图2,绝缘层40在远离衬底101的一侧的表面设置有至少一个凹槽41。一个凹槽41的底面(即,凹槽41中靠近衬底101一侧的表面)F3在衬底101上的正投影位于一条第一信号线10和一条第二信号线20在衬底101上的正投影之间。例如,该一条第一信号线10和一条第二信号线20相邻。例如,至少一个凹槽41的深度方向(例如图2中的Z方向)垂直于衬底101。例如,绝缘层在远离衬底的一侧的表面中对应于第一信号线和第二信号线之间的部分,沿垂直于衬底的方向朝向衬底一侧凹陷,得到凹槽。示例性地,凹槽的深度小于绝缘层的厚度;例如,凹槽的底面和侧壁均由绝缘层构成。
并且,参考图1和图2,显示面板100还包括屏蔽信号线30。屏蔽信号线30覆盖凹槽41。例如,屏蔽信号线30设置于绝缘层40远离衬底101的一侧。例如,屏蔽信号线覆盖凹槽的底面和侧壁。
示例性地,屏蔽信号线被配置为传输直流信号。例如,参考图6,直流信号K3的电压(或电流)幅值保持固定不变或者近似固定不变(例如幅值在较小的数值范围内变化)。例如,直流信号可以为直流低电压;例如,该屏蔽信号线可以为电源电压线,该电源电压线被配置为传输低电源电压VSS。
在此情况下,由于第一信号线上传输的第一信号和第二信号上传输的第二信号不相同,且随时间变化较为频繁,使得第一信号和第二信号在传输过程中容易出现串扰的问题,导致信号的稳定性降低,影响显示面板中一些电路的正常工作。由于在凹槽内的屏蔽信号线上传输的直流信号保持固定不变或者近似固定不变,因此可以对第一信号线和第二信号线起到屏蔽作用,从而可以避免第一信号线和第二信号线之间的信号串扰。并且,绝缘层在凹槽位置处的厚度较薄,且屏蔽信号线位于凹槽内,不会增加显示面板的膜层厚度,有利于显示面板实现轻薄化。
因此,本公开的实施例提供一种显示面板,该显示面板中的至少一条第一信号线和至少一条第二信号线被绝缘层覆盖,绝缘层上设置有至少一个凹槽,一个凹槽的位置对应于相邻的第一信号线和第二信号线之间,屏蔽信号线覆盖至少一个凹槽。这样,屏蔽信号线可以对第一信号线和第二信号线起到屏蔽作用,避免第一信号线和第二信号线之间的信号串扰。并且,绝缘层在凹槽位置处的厚度较薄,且屏蔽信号线位于凹槽内,不会增加显示面板的膜层厚度,有利于显示面板实现轻薄化。
示例性地,参考图2,沿垂直于衬底101所在平面的方向(例如Z方向),相比于第一信号线10的顶面F1和第二信号线20的顶面F2中的至少一者,凹槽41的底面更靠近衬底101。即,相比于第一信号线10远离衬底101一侧的表面F1和第二信号线20远离衬底101一侧的表面F2,凹槽41靠近衬底101一侧的表面F3更靠近衬底101。例如,沿平行于衬底所在平面且垂直于第一信号线延伸方向的方向上,屏蔽信号线在第一信号线上的正投影可以与第一信号线中靠近第二信号线的侧壁有重叠,沿平行于衬底所在平面且垂直于第二信号线延伸方向的方向上,屏蔽信号线在第二信号线上的正投影可以与第二信号线中靠近第一信号线的侧壁有重叠。这样,可以扩大屏蔽信号线对第一信号线和第二信号线的屏蔽范围,从而可以提高屏蔽信号线对第一信号线和第二信号线的屏蔽作用,避免第一信号线和第二信号线之间出现信号干扰。
示例性地,参考图1和图2,凹槽41的底面在衬底101上的正投影的宽度W,小于或等于第一信号线10和第二信号线20在衬底101上的正投影中相互靠近的两个边沿之间的距离Q。例如,在衬底所在平面内,凹槽的底面在衬底上的正投影在垂直于第一信号线或第二信号线的延伸方向上(例如在图1中的X方向上)的尺寸即为凹槽的底面在衬底上的正投影的宽度。这样,位于凹槽内的屏蔽信号线可以对第一信号线和第二信号线起到屏蔽作用,以避免信号干扰。
示例性地,参考图1和图2,凹槽41中靠近衬底101一侧的表面在衬底101上的正投影的宽度W为2μm~10μm。例如宽度W可以为4μm、6μm、7μm或者9μm。例如,宽度W可以为3μm~5μm。
在一些实施例中,屏蔽信号线30在衬底101上的正投影覆盖第一信号线10在衬底101上的正投影和第二信号线20在衬底101上的正投影。这样,屏蔽信号线可以覆盖凹槽、第一信号线和第二信号线,可以提高屏蔽信号线对第一信号线和第二信号线的屏蔽作用,避免第一信号线和第二信号线之间出现信号干扰。
在一些实施例中,参考图1,第一信号线10的延伸方向和第二信号线20的延伸方向相同。凹槽41沿第一信号线10和第二信号线20的延伸方向延伸,即,凹槽41的延伸方向与第一信号线10的延伸方向或第二信号线20的延伸方向相同。例如,凹槽41、第一信号线10和第二信号线20均沿图1中的X方向延伸。例如,在第一信号线的延伸方向上,凹槽的长度等于或近似等于第一信号线的长度,或者,在第二信号线的延伸方向上,凹槽的长度等于或近似等于第二信号线的长度。这样,可以提高屏蔽信号线对第一信号线和第二信号线的屏蔽作用,避免第一信号线和第二信号线之间出现信号干扰。
示例性地,参考图3和图4,显示面板100还包括第一导电图案110。第一导电图案110设置于衬底101上且位于第一信号线10靠近衬底101的一侧。第一导电图案110在衬底101上的正投影与第一信号线10在衬底101上的正投影有重叠。第一导电图案110和第一信号线10耦接。例如,第一信号线10通过位于第一信号线10所在膜层和第一导电图案110所在膜层之间的膜层上的多个第一过孔111(例如至少两个第一过孔),与第一导电图案110接触。例如,第一导电图案的材料与第一信号线的材料可以相同。在此情况下,第一导电图案可以用于传输第一信号,即,第一信号由第一导电层中的第一信号线和第二导电层中的第一导电图案传输。这样,可以减小第一信号线的电阻,降低信号在第一信号线上传输的损失,从而可以提高信号传输的效果。此外,沿第一信号线的延伸方向,相邻两个第一过孔可以相互贯通。
示例性地,参考图3和图5,显示面板100还包括第二导电图案120。第二导电图案120设置于衬底101上且位于第二信号线20靠近衬底101的一侧。第二导电图案120在衬底101上的正投影与第二信号线20在衬底101上的正投影有重叠。第二导电图案120和第二信号线20耦接。例如,第二信号线20通过位于第二信号线20所在膜层和第二导电图案120所在膜层之间的膜层上的多个第二过孔121(例如至少两个第二过孔),与第二导电图案120接触。例如,第二导电图案的材料与第二信号线的材料可以相同。在此情况下,第二导电图案可以用于传输第二信号,即,第二信号由第一导电层中的第二信号线和第二导电层中的第二导电图案传输。这样,可以减小第二信号线的电阻,降低信号在第二信号线上传输的损失,从而可以提高信号传输的效果。此外,沿第二信号线的延伸方向,相邻两个第二过孔可以相互贯通。
示例性地,第一导电图案和第二导电图案同层设置。例如,第一导电图案和第二导电图案所在的膜层可以被看作是第二导电层。第一导电图案的材料和第二导电图案的材料相同,例如材料可以采用包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)等金属。例如,第一导电图案和第二导电图案可以同步形成,例如,第一导电图案和第二导电图案可以由同一膜层构图形成。这样,可以减少生产工序,简化工艺。
在一些实施例中,参考图7,显示面板100还包括多个像素电路50。多个像素电路50设置于衬底101上且位于显示区AA内,例如,一个像素电路50包含在一个子像素P中。在一些实施例中,显示面板还包括多个发光器件。多个发光器件设置于衬底上且位于显示区AA内。一个发光器件包含在一个子像素中。例如,一个像素电路与一个发光器件耦接,像素电路用于向驱动发光器件提供驱动电流,以驱动发光器件工作。例如,参考图9,显示面板100还包括第三导电图案130,设置于第一电极71靠近衬底101的一侧;发光器件70的第一电极71通过第三导电图案130与像素电路50耦接。
示例性地,本公开的实施例对像素电路的具体结构不作限定,可以根据实际情况进行设计。示例性地,像素电路由薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)、电容(Capacitance,简称C)等电子器件组成。例如,像素电路可以包括两个薄膜晶体管(一个开关晶体管和一个驱动晶体管)和一个电容,构成2T1C结构;当然,像素电路还可以包括两个以上的薄膜晶体管(多个开关晶体管和一个驱动晶体管)和至少一个电容,例如参考图8,像素电路20可以包括电容Cst和七个晶体管(六个开关晶体管M1、M2、M3、M5、M6和M7以及一个驱动晶体管M4),构成7T1C结构。需要说明的是,本公开的附图(例如图9等)以像素电路中的一个晶体管为例来代表像素电路,实际像素电路的结构不限于此。
例如,如图8所示,一部分开关晶体管(例如,M1、M7)的控制极(栅极)用于接收复位信号Reset。另一部分开关晶体管(例如,M2、M3)的控制极用于接收栅极驱动信号Gate。又一部分开关晶体管(例如,M5、M6)的控制极用于接收发光控制信号EM。例如,像素电路响应于复位信号Reset,晶体管M1和晶体管M7导通。初始信号Initial通过晶体管M1和晶体管M7,分别传输至驱动晶体管M4的控制极(g)以及发光器件70,达到对发光器件70以及驱动晶体管M4的控制极进行复位的目的。之后,在栅极驱动信号Gate的控制下,晶体管M2导通,驱动晶体管M4的控制极g与漏极(d)耦接,该驱动晶体管M4成二极管导通状态。此时,数据信号Data通过该晶体管M2写入至驱动晶体管M4的源极(s),并对驱动晶体管M4的阈值电压(Vth)进行补偿。之后,在发光控制信号EM的控制下,晶体管M5和晶体管M6导通,高电源电压(或称为第一电源电压)VDD与低电源电压(或称为第二电源电压)VSS之间的电流通路导通。驱动晶体管M4产生的驱动电流(Isd)通过上述电流通路传输至发光器件70,以驱动发光器件70进行发光。
示例性地,发光器件可以采用电流驱动型器件,进一步地,可以采用电流型发光二极管,如微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode,Micro LED)或者迷你发光二极管(Mini Light Emitting Diode,Mini LED)或者有机电致发光二极管(Organic LightEmitting Diode,OLED)或者量子点发光二极管(Quantum Light Emitting Diode,QLED)。
示例性地,参考图9,每个发光器件70包括第一电极71和第二电极72。第一电极71相比于第二电极72靠近衬底101。例如,第一电极和第二电极分别为阳极和阴极。例如,参考图9,发光器件70还包括位于第二电极72和第一电极71之间的发光功能层73。其中,发光功能层例如可以包括发光层、位于发光层和第一电极之间的空穴传输层(Hole TransportingLayer,HTL)、位于发光层和第二电极之间的电子传输层(Election Transporting Layer,ETL)。当然,根据需要在一些实施例中,还可以在空穴传输层和第一电极之间设置空穴注入层(Hole Injection Layer,HIL),可以在电子传输层和第二电极之间设置电子注入层(Election Injection Layer,EIL)。
示例性地,第一电极例如可由具有高功函数的透明导电材料形成,其电极材料可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化镓锌(GZO)氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铝锌(AZO)和碳纳米管等;第二电极例如可由高导电性和低功函数的材料形成,其电极材料可以包括镁铝合金(MgAl)和锂铝合金(LiAl)等合金或者镁(Mg)、铝(Al)、锂(Li)和银(Ag)等金属单质。发光层的材料可以根据其发射光颜色的不同进行选择。例如,发光层的材料包括荧光发光材料或磷光发光材料。例如,在本公开至少一个实施例中,发光层可以采用掺杂体系,即在主体发光材料中混入掺杂材料来得到可用的发光材料。例如,主体发光材料可以采用金属化合物材料、蒽的衍生物、芳香族二胺类化合物、三苯胺化合物、芳香族三胺类化合物、联苯二胺衍生物和三芳胺聚合物等。
示例性地,参考图9,显示面板100还包括像素界定层PDL,像素界定层可以用于限定子像素所在的区域,例如,可以用于限定发光器件70的发光功能层的形成位置。例如,发光功能层420位于像素界定层PDL的开口中。
其中,第二电极与屏蔽信号线耦接。例如,参考图10A和图10B,显示面板100还包括第四导电图案140,第四导电图案140相比于第二电极72靠近衬底101,第二电极72与第四导电图案140耦接,第四导电图案140与屏蔽信号线30耦接。例如,参考图10A,第四导电图案140与屏蔽信号线30同层设置;或者,参考图10B,第四导电图案140与第一电极71同层设置,第四导电图案140与第一电极71材料相同。需要说明的是,图10A和图10B仅为示意图,具体的结构和连接方式可以根据实际情况进行设计。其中,第二电极接收来自屏蔽信号线的直流信号,该直流信号为直流低电压。
在一些实施例中,参考图1,屏蔽信号线30位于周边区S内且围绕显示区AA。显示区AA中的多个发光器件的第二电极可以与屏蔽信号线耦接,可以相对均匀地接收来自屏蔽信号线上传输的直流信号(例如直流低电压),从而降低阻抗。例如,第二电极覆盖显示区AA;可以通过蒸镀工艺形成覆盖显示区AA的第二电极。
在一些实施例中,如图7所示,显示面板100还包括驱动电路60。驱动电路60设置于衬底101上且位于周边区S内。驱动电路60分别与多个像素电路50、第一信号线10和第二信号线20耦接。
其中,驱动电路被配置为响应于在第一信号线处接收的第一信号和在第二信号线处接收的第二信号,向多个像素电路提供驱动信号,以驱动多个像素电路工作。例如,多个像素电路呈阵列排布;驱动电路用于向每行像素电路逐行提供驱动信号,使得多个像素电路实现逐行工作。示例性地,驱动电路提供的驱动信号可以包括栅极扫描信号(Gate)或发光控制信号(EM)。
示例性地,驱动电路包括多个移位寄存器。例如,参考图11和图12,驱动电路60包括多个移位寄存器SR(例如SR(1)、SR(2)、SR(3)、SR(4)……)。例如,多个移位寄存器SR级联;例如,第一级移位寄存器(例如图11中的移位寄存器SR(1))的输入端与起始信号线(例如图11中的起始信号线STV)耦接,移位寄存器SR(1)的输出端Oput与移位寄存器SR(2)的输入端Iput耦接,移位寄存器SR(2)的输出端Oput与移位寄存器SR(3)的输入端Iput耦接,移位寄存器SR(3)的输出端Oput与移位寄存器SR(4)的输入端Iput耦接,依次类推。
例如,一个移位寄存器与一行像素电路耦接,该移位寄存器用于向一行像素电路输出驱动信号。例如,参考图11,驱动电路60中的移位寄存器SR输出的驱动信号为栅极驱动信号Gate,例如,第一级移位寄存器SR(1)输出栅极驱动信号Gate(1),以驱动第一行像素电路工作,第二级移位寄存器SR(2)输出栅极驱动信号Gate(2),以驱动第二行像素电路工作,第三级移位寄存器SR(3)输出栅极驱动信号Gate(3),以驱动第三行像素电路工作,第四级移位寄存器SR(4)输出栅极驱动信号Gate(4),以驱动第四行像素电路工作,依次类推。例如,参考图12,驱动电路60中的移位寄存器SR输出的驱动信号为发光控制信号EM,例如,第一级移位寄存器SR(1)输出发光控制信号EM(1),以驱动第一行像素电路工作,第二级移位寄存器SR(2)输出发光控制信号EM(2),以驱动第二行像素电路工作,第三级移位寄存器SR(3)输出发光控制信号EM(3),以驱动第三行像素电路工作,第四级移位寄存器SR(4)输出发光控制信号EM(4),以驱动第四行像素电路工作,依次类推。
在此情况下,驱动电路的数量可以为多个。例如,多个驱动电路包括第一驱动电路和第二驱动电路。第一驱动电路用于输出栅极扫描信号,第二驱动电路用于输出发光控制信号。其中,至少一条第一信号线包括两条第一信号线,第一驱动电路与两条第一信号线中的一条第一信号线耦接,第二驱动电路与两条第一信号线中的另一条第一信号线耦接。两条第一信号线上传输的第一信号不相同;例如,两条第一信号线上传输的第一信号可以是相同类型,但是信号时序、电压幅值不同。同样,至少一条第二信号线包括两条第二信号线,第一驱动电路与两条第二信号线中的一条第二信号线耦接,第二驱动电路与两条第二信号线中的另一条第一信号线耦接。两条第二信号线上传输的第二信号不相同;例如,两条第二信号线上传输的第二信号可以是相同类型,但是信号时序、电压幅值不同。
示例性地,本公开的实施例对驱动电路的具体结构不作限定,可以根据实际情况进行设计。另外,本公开的实施例对移位寄存器的具体结构不作限定,可以根据实际情况进行设计。示例性地,移位寄存器由晶体管和电容等电子器件组成。例如,参考图13,移位寄存器SR可以包括多个晶体管(例如T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8、T9)和一个电容(例如Ct)。其中,晶体管T1的控制极和第一极与输入端Iput耦接,晶体管T2的第一极与第一时钟信号端CK1耦接,晶体管T2的第二极与输出端Oput耦接,晶体管T4的控制极和第一极与第二时钟信号端CK2耦接,晶体管T5的第一极与第二时钟信号端CK2耦接。另外,晶体管T3的控制极降噪信号端RST耦接,晶体管T3、T6、T7、T8和T9均与电压端VL耦接。例如,奇数级移位寄存器(例如图11中的SR(1)和SR(3))的第一时钟信号端CK1与第一信号线10耦接,可以传输第一信号,第二时钟信号端CK2与第二信号线20耦接,可以传输第二信号。偶数级移位寄存器(例如图11中的SR(2)和SR(4))的第一时钟信号端CK1与第二信号线20耦接,第二时钟信号端CK2与第一信号线10耦接;此时,第一信号和第二信号均为时钟信号,且互为反转信号。另外,电压端VL与电压线VGL耦接,例如电压线VGL用于传输直流低电压信号。
示例性地,本公开的实施例对显示面板的驱动方式不作限定,可以根据实际情况进行设计。例如,图7仅示意出了以采用单侧驱动(即在显示面板100的周边区S的单侧设置驱动电路60,从单侧逐行依次驱动子像素中的像素电路)。例如,显示面板可以采用双侧同时驱动(即在显示面板100的周边区S中沿像素电路排列的行方向(或子像素排列的行方向,例如图7中的X方向)上的两个侧边分别设置驱动电路60,通过两个驱动电路60同时从两侧逐行依次驱动子像素中的像素电路)。例如,显示面板100可以采用双侧交叉驱动(即在显示面板100的周边区S中沿像素电路排列的行方向上的两个侧边分别设置驱动电路60,通过两个驱动电路60交替从两侧,逐行依次驱动子像素中的像素电路)。在此情况下,至少一条第一信号线包括多条第一信号线,至少一条第二信号线包括多条第二信号线,多条第一信号线和多条第二信号线分别位于显示区在像素电路排列的行方向上的相对两侧以外。
在一些实施例中,如图14所示,发光器件70的第一电极71与屏蔽信号线30同层设置。例如,屏蔽信号线的材料与第一电极的材料相同。例如,屏蔽信号线的材料可以包括透明导电材料,例如ITO等。例如,屏蔽信号线与第一电极可以由同一膜层构图形成。这样,可以简化工艺步骤,节约成本。并且,屏蔽信号线与第二电极之间存在的膜层的厚度相对较小,可以方便第二电极与屏蔽信号线的耦接。
示例性地,绝缘层为双层结构;即绝缘层的层数为双层,也即第一信号线和第二信号线所在膜层与屏蔽信号线所在膜层之间的绝缘层有两层。例如,参考图14,双层结构的绝缘层40包括第一绝缘层PLN1和第二绝缘层PLN2。第一绝缘层PLN1和第二绝缘层PLN2沿垂直于衬底101的方向层叠设置,且第二绝缘层PLN2相比于第一绝缘层PLN1远离衬底101。示例性地,凹槽的底面由第一绝缘层构成,凹槽的侧壁由第二绝缘层和第一绝缘层构成。例如,沿垂直于衬底所在平面的方向,凹槽贯通第二绝缘层,凹槽的深度大于第二绝缘层的厚度,且小于绝缘层的厚度(即第一绝缘层和第二绝缘层的厚度之和)。
在一些实施例中,如图15所示,发光器件70的第一电极71相比于屏蔽信号线30远离衬底101。例如,屏蔽信号线的材料可以包括金属材料。示例性地,绝缘层为单层结构,即绝缘层的层数为一层,也即第一信号线和第二信号线所在膜层与屏蔽信号线所在膜层之间的绝缘层有一层。例如,参考图15,单层结构的绝缘层40可以被看作为第一绝缘层(PLN1)。在此情况下,第一信号线和第二信号线所在膜层与屏蔽信号线所在膜层之间的膜层厚度较小,从而可以提高屏蔽信号线对第一信号线和第二信号线之间信号干扰的屏蔽效果。另外,在此情况下,位于发光器件的第一电极所在膜层与屏蔽信号线所在膜层之间的膜层可以为第二绝缘层(PLN2)。
示例性地,在显示面板不包括第一导电图案和第二导电图案的情况下,位于第一信号线和第二信号线所在膜层(例如第一导电层)与屏蔽信号线所在膜层之间的绝缘膜层可以有双层,例如第一绝缘层(PLN1)和第二绝缘层(PLN2)。又示例性地,在显示面板包括第一导电图案和第二导电图案的情况下,位于第一信号线和第二信号线所在膜层(例如第一导电层)与屏蔽信号线所在膜层之间的绝缘膜层可以有单层,例如第一绝缘层(PLN1)。位于第一导电图案与第二导电图案所在膜层(例如第二导电层)和第一信号线与第二信号线所在膜层(例如第一导电层)之间的膜层可以为层间介质层(ILD);位于发光器件的第一电极所在膜层与屏蔽信号线所在膜层之间的膜层可以为第二绝缘层(PLN2)。
另外,例如,晶体管包括有源图案(也即有源层)、栅极(例如控制极)、源极和漏极,显示面板还包括位于晶体管的栅极和有源图案之间的栅绝缘层(GI),源极和漏极位于栅极远离衬底的一侧,源极和漏极同层设置,源极和漏极与有源图案耦接。例如,源极和漏极与栅极之间存在层间介质层(ILD)。例如,源极和漏极可以与第一信号线和第二信号线同层设置;或者,例如,源极和漏极所在膜层可以相比于第一信号线和第二信号线所在膜层更靠近衬底,例如,第一信号线和第二信号线所在膜层与源极和漏极所在膜层之间存在第一绝缘层(PLN1)。
示例性地,本公开的实施例对晶体管的类型不作限定,可以根据实际情况进行设计。例如,本公开的实施例中所采用的晶体管可以为P型晶体管或N型晶体管,可以为底栅型晶体管或顶栅型晶体管。例如,本公开的实施例中所采用的晶体管可以为薄膜晶体管、场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET)或其他特性相同的开关器件,本公开的实施例对此并不设限。例如,采用的晶体管可以包括金属氧化物薄膜晶体管(例如有源图案的材料采用IGZO的薄膜晶体管)和低温多晶硅薄膜晶体管(例如有源图案的材料采用P-Si的薄膜晶体管)等。其中,各晶体管的控制极为晶体管的栅极,第一极为晶体管的源极和漏极中一者,第二极为晶体管的源极和漏极中另一者。由于晶体管的源极、漏极在结构上可以是对称的,所以其源极、漏极在结构上可以是没有区别的,也就是说,本公开的实施例中的晶体管的第一极和第二极在结构上可以是没有区别的。
本公开的实施例提供一种显示装置。该显示装置包括上述任一项实施例中的显示基板。例如,如图16所示,显示装置200还包括控制芯片300,该控制芯片300与显示面板100耦接。示例性地,控制芯片可以包括时序控制器(Timing Controller,TCON)。其中,控制芯片被配置为向显示面板提供信号。例如,控制芯片可以向显示面板中的第一信号线提供第一信号,向第二信号线提供第二信号,向屏蔽信号线提供直流信号。
此外,显示装置还可以包括设置于显示面板周围的外框。
示例性地,上述显示装置可以是显示不论运动(例如,视频)还是固定(例如,静止图像)的且不论文字还是的图像的任何装置。更明确地说,预期所述实施例可实施在多种电子装置中或与多种电子装置关联,所述多种电子装置例如(但不限于)移动电话、无线装置、个人数据助理(PDA)、手持式或便携式计算机、GPS接收器/导航器、相机、MP4视频播放器、摄像机、游戏控制台、手表、时钟、计算器、电视监视器、平板显示器、计算机监视器、汽车显示器(例如,里程表显示器等)、导航仪、座舱控制器和/或显示器、相机视图的显示器(例如,车辆中后视相机的显示器)、电子相片、电子广告牌或指示牌、投影仪、建筑结构、包装和美学结构(例如,对于一件珠宝的图像的显示器)等。
需要说明的是,为表示清楚,并没有叙述该显示面板的全部结构。为实现显示面板的必要功能,本领域技术人员可以根据具体应用场景进行设置其他结构,本公开对此不做限制。显示装置具有与上述显示面板具有相同的有益效果,此处不再赘述。
本公开的实施例提供一种显示面板的制备方法。例如,显示面板可以为上述任一实施例中所述的显示面板,例如,参考图1中的显示面板100。
其中,制备方法包括以下步骤:
S10、参考图1,提供衬底101。其中,衬底101具有显示区AA和位于显示区AA外的周边区S。
示例性地,衬底可以为玻璃板、石英板、金属板或树脂类板件等。例如,衬底的材料可以包括有机材料,例如该有机材料可以包括聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯等树脂类材料。例如,该衬底可以由多个材料层形成,例如衬底可以包括基板,基板的材料可以由上述的材料构成,基板的表面上可以形成缓冲层以作为过渡层,其即可以防止衬底中的有害物质侵入显示面板的内部,又可以增加显示面板中的膜层在衬底上的附着力。例如,缓冲层的材料可以包括氧化硅、氮化硅或氧氮化硅等。
S20、参考图1,在衬底101的周边区S内形成至少一条第一信号线10和至少一条第二信号线20。其中,一条第一信号线10的位置与一条第二信号线20的位置相邻。
示例性地,参考图17A和图17B,在衬底101的周边区S内形成导电薄膜801,对该导电薄膜801进行图案化,得到至少一条第一信号线10和至少一条第二信号线20。
例如,在衬底上可以形成驱动电路和像素电路。其中,在衬底上形成驱动电路和像素电路的制备方法与晶体管的类型有关,例如,晶体管可以为顶栅型、底栅型、双栅型或者其它类型的薄膜晶体管。在衬底上形成驱动电路层的过程可以参见常规工艺,在此不做赘述。例如,参考图17A和图17B,可以在衬底101的显示区AA内可以形成像素电路50;例如,可以在形成至少一条第一信号线和至少一条第二信号线的同时,形成像素电路中的各个晶体管的源极和漏极。
S30、参考图2,形成绝缘层40。其中,绝缘层40覆盖至少一条第一信号线10和至少一条第二信号线20。绝缘层40在远离衬底101的一侧的表面形成有至少一个凹槽41。一个凹槽41的底面F3在衬底101上的正投影位于相邻的第一信号线10和第二信号线20在衬底101上的正投影之间。
例如,绝缘层的材料可以采用有机材料,例如环氧树脂、聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸或其他合适的材料。
示例性地,形成绝缘层,可以包括:
参考图18A,在至少一条第一信号线10和至少一条第二信号线20远离衬底101的一侧形成绝缘材料层802。例如,可以在至少一条第一信号线10和至少一条第二信号线20远离衬底101的一侧沉积绝缘材料,得到绝缘材料层802。参考图18B,在绝缘材料层802上形成光刻胶层803。例如,该光刻胶层的材料采用光敏树脂材料,例如,光刻胶;例如,该光敏树脂材料为正性光刻胶。参考图18B,采用半色调掩膜板90曝光光刻胶层803,显影光刻胶层803,形成光刻胶层全部去除区813、光刻胶层半保留区823以及光刻胶层全部保留区833。例如,光刻胶层全部去除区可以对应于绝缘材料层中的待形成的过孔的部分,光刻胶层半保留区可以对应于绝缘材料层中的待形成的凹槽的部分,光刻胶层全部保留区可以对应于绝缘材料层中的剩余部分。
例如,参考图18B,半色调掩模板90包括第一区域91、第二区域92和第三区域93。第一区域91、第二区域92和第三区域93的透光率依次减小,例如第一区域91可以设置为开口,例如第三区域93设置为不透光。如此,通过设计第一区域91、第二区域92和第三区域93的透光率,并在曝光过程中控制曝光强度,以使得光刻胶层803的与第一区域91对应的部分被完全曝光、光刻胶层803的与第二区域92对应的部分被完全曝光、光刻胶层803的与第三区域93对应的部分不被曝光。
参考图18B和图18C,蚀刻绝缘材料层802,去除绝缘材料层802中位于光刻胶层全部去除区813的部分。采用灰化工艺,去除光刻胶层803中位于光刻胶半保留区823的部分。蚀刻绝缘材料层802中位于光刻胶层半保留区823的部分,形成至少一个凹槽41。剥离剩余的光刻胶层803,得到绝缘层40。
需要说明的是,采用上述的形成绝缘层的步骤,可以得到单层结构的绝缘层,或者双层结构的绝缘层。其中,参考图14,双层结构的绝缘层40包括第一绝缘层(PLN1)和第二绝缘层(PLN2);参考图15,双层结构的绝缘层40包括第一绝缘层(PLN1)。对于双层结构的绝缘层的具体制备过程,可以参考上文描述,在此不作赘述。
S40、参考图1和图2,形成屏蔽信号线30,屏蔽信号线30覆盖至少一个凹槽41。例如,可以在衬底上沉积导电材料,得到导电材料层,对导电材料层进行图案化,得到屏蔽信号线。
示例性地,参考图19,在衬底101的周边区S形成屏蔽信号线30的同时,可以在显示区AA形成第三导电图案130,该第三导电图案130通过位于绝缘层40上的过孔与像素电路50耦接。例如,第三导电图案与像素电路中的驱动晶体管的漏极耦接。之后,参考图15,在衬底上形成发光器件70的过程中,发光器件70的第一电极71可以通过第三导电图案130与像素电路50耦接。在此情况下,屏蔽信号线相比于发光器件的第一电极靠近衬底。
例如,参考图14,绝缘层40为双层结构,双层结构的绝缘层40包括第一绝缘层(PLN1)和第二绝缘层(PLN2),可以在第二绝缘层(PLN2)上形成透明导电材料层,对该透明导电材料层进行图案化,得到屏蔽信号线,并同步得到发光器件的第一电极。
需要说明的是,上述显示面板的制备方法的有益效果和上述一些实施例所述的显示面板的有益效果相同,此处不再赘述。
需要说明的是,本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构,其他结构可参考通常设计。为了清晰起见,在用于描述本公开的实施例的附图中,层或区域的厚度被放大或缩小,即这些附图并非按照实际的比例绘制。在不冲突的情况下,本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
以上所述,仅为本公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内,想到变化或替换,都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此,本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (17)
1.一种显示面板,其特征在于,具有显示区和位于所述显示区外的周边区;所述显示面板包括:
衬底;
至少一条第一信号线,设置于所述衬底上且位于所述周边区内;
至少一条第二信号线,设置于所述衬底上且位于所述周边区内;所述至少一条第二信号线和所述至少一条第一信号线同层设置;
绝缘层,覆盖所述至少一条第一信号线和所述至少一条第二信号线;所述绝缘层在远离所述衬底的一侧的表面设置有至少一个凹槽;一个凹槽的底面在所述衬底上的正投影位于一条第一信号线和一条第二信号线在所述衬底上的正投影之间;
屏蔽信号线,覆盖所述至少一个凹槽。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,沿垂直于衬底所在平面的方向,相比于所述第一信号线和所述第二信号线中的至少一者的顶面,所述凹槽的底面更靠近所述衬底。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一信号线和所述第二信号线相邻;
所述凹槽的底面在所述衬底上的正投影的宽度,小于或等于所述第一信号线和所述第二信号线在所述衬底上的正投影中相互靠近的两个边沿之间的距离。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述凹槽的底面在所述衬底上的正投影的宽度为2μm~10μm。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一信号线的延伸方向和所述第二信号线的延伸方向相同;
所述凹槽沿所述第一信号线和所述第二信号线的延伸方向延伸。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述屏蔽信号线在所述衬底上的正投影覆盖所述第一信号线在所述衬底上的正投影和所述第二信号线在所述衬底上的正投影。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述屏蔽信号线位于所述周边区内且围绕所述显示区。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一信号线被配置为传输第一信号;所述第二信号线被配置为传输第二信号;所述第一信号和所述第二信号均为脉冲信号,且所述第一信号和所述第二信号不相同;
所述屏蔽信号线被配置为传输直流信号。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述第一信号和所述第二信号具有相同的脉冲周期;所述第一信号和所述第二信号具有相位差。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述脉冲周期为4μs~100μs。
11.根据权利要求1~10中任一项所述的显示面板,其特征在于,还包括:
多个发光器件,设置于所述衬底上且位于所述显示区内;
每个发光器件包括第一电极和第二电极;所述第一电极相比于所述第二电极靠近所述衬底;
所述第二电极与所述屏蔽信号线耦接。
12.根据权利要求11所述的显示面板,其中,所述发光器件的第一电极与所述屏蔽信号线同层设置;
所述绝缘层为双层结构。
13.根据权利要求11所述的显示面板,其中,所述发光器件的第一电极相比于所述屏蔽信号线远离所述衬底;
所述绝缘层为单层结构。
14.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
多个像素电路,设置于所述衬底上且位于所述显示区内;
驱动电路,设置于所述衬底上且位于所述周边区内;所述驱动电路分别与所述多个像素电路、所述第一信号线和所述第二信号线耦接;
所述驱动电路被配置为,响应于在所述第一信号线处接收的第一信号和在所述第二信号线处接收的第二信号,向所述多个像素电路提供驱动信号,以驱动所述多个像素电路工作。
15.一种显示装置,其特征在于,包括:
如权利要求1~14中任一项所述的显示面板;
控制芯片,与所述显示面板耦接;所述控制芯片被配置为向所述显示面板提供信号。
16.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
提供衬底,所述衬底具有显示区和位于所述显示区外的周边区;
在所述衬底的周边区内形成至少一条第一信号线和至少一条第二信号线;
形成绝缘层,所述绝缘层覆盖所述至少一条第一信号线和所述至少一条第二信号线;所述绝缘层在远离所述衬底的一侧的表面形成有至少一个凹槽;一个凹槽的底面在所述衬底上的正投影位于一条第一信号线和一条第二信号线在所述衬底上的正投影之间;
形成屏蔽信号线,所述屏蔽信号线覆盖所述至少一个凹槽。
17.根据权利要求16所述的制备方法,其特征在于,所述形成绝缘层,包括:
在所述至少一条第一信号线和所述至少一条第二信号线远离所述衬底的一侧形成绝缘材料层;
在所述绝缘材料层上形成光刻胶层;
采用半色调掩膜板曝光所述光刻胶层,显影所述光刻胶层,形成光刻胶层全部去除区、光刻胶层半保留区以及光刻胶层全部保留区;
蚀刻所述绝缘材料层,去除所述绝缘材料层中位于所述光刻胶层全部去除区的部分;
采用灰化工艺,去除所述光刻胶层中位于所述光刻胶层半保留区的部分;
蚀刻所述绝缘材料层中位于所述光刻胶层半保留区的部分,形成所述至少一个凹槽;
剥离剩余的光刻胶层,得到所述绝缘层。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110179988.2A CN112864179A (zh) | 2021-02-09 | 2021-02-09 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
PCT/CN2021/128615 WO2022170792A1 (zh) | 2021-02-09 | 2021-11-04 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
US17/923,934 US20230180551A1 (en) | 2021-02-09 | 2021-11-04 | Display panel and method for manufacturing the same, and display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110179988.2A CN112864179A (zh) | 2021-02-09 | 2021-02-09 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112864179A true CN112864179A (zh) | 2021-05-28 |
Family
ID=75989521
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110179988.2A Pending CN112864179A (zh) | 2021-02-09 | 2021-02-09 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230180551A1 (zh) |
CN (1) | CN112864179A (zh) |
WO (1) | WO2022170792A1 (zh) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113345923A (zh) * | 2021-06-01 | 2021-09-03 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN113571568A (zh) * | 2021-07-26 | 2021-10-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置及显示面板 |
CN113707673A (zh) * | 2021-08-27 | 2021-11-26 | 成都京东方光电科技有限公司 | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 |
CN113781913A (zh) * | 2021-09-10 | 2021-12-10 | 厦门天马显示科技有限公司 | 显示面板及显示装置 |
WO2022170792A1 (zh) * | 2021-02-09 | 2022-08-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
WO2024124829A1 (zh) * | 2022-12-12 | 2024-06-20 | 云谷(固安)科技有限公司 | 阵列基板和显示面板 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180030325A (ko) * | 2016-09-13 | 2018-03-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
CN107527894B (zh) * | 2017-08-31 | 2023-12-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 |
CN108493226B (zh) * | 2018-05-14 | 2021-04-30 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种电子设备、显示面板及其制备方法 |
CN113035066B (zh) * | 2020-08-21 | 2022-12-02 | 友达光电股份有限公司 | 电子装置 |
CN214542235U (zh) * | 2021-02-09 | 2021-10-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN112864179A (zh) * | 2021-02-09 | 2021-05-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
-
2021
- 2021-02-09 CN CN202110179988.2A patent/CN112864179A/zh active Pending
- 2021-11-04 WO PCT/CN2021/128615 patent/WO2022170792A1/zh active Application Filing
- 2021-11-04 US US17/923,934 patent/US20230180551A1/en active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022170792A1 (zh) * | 2021-02-09 | 2022-08-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
CN113345923A (zh) * | 2021-06-01 | 2021-09-03 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN113345923B (zh) * | 2021-06-01 | 2024-04-16 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN113571568A (zh) * | 2021-07-26 | 2021-10-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置及显示面板 |
CN113707673A (zh) * | 2021-08-27 | 2021-11-26 | 成都京东方光电科技有限公司 | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 |
CN113707673B (zh) * | 2021-08-27 | 2023-12-26 | 成都京东方光电科技有限公司 | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 |
CN113781913A (zh) * | 2021-09-10 | 2021-12-10 | 厦门天马显示科技有限公司 | 显示面板及显示装置 |
WO2024124829A1 (zh) * | 2022-12-12 | 2024-06-20 | 云谷(固安)科技有限公司 | 阵列基板和显示面板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2022170792A1 (zh) | 2022-08-18 |
US20230180551A1 (en) | 2023-06-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN112864179A (zh) | 显示面板及其制备方法、显示装置 | |
CN109103231B (zh) | 显示基板及其制造方法、显示装置 | |
JP7420560B2 (ja) | 表示用基板及びその製造方法、表示パネル、表示装置 | |
WO2020151289A1 (zh) | 显示面板、其制备方法及显示装置 | |
CN108695370B (zh) | Oled基板及制作方法、显示装置 | |
CN104701352B (zh) | 一种阵列基板、显示面板及显示装置 | |
JP7548819B2 (ja) | ディスプレイパネル及びその製造方法、表示装置 | |
CN110085552B (zh) | 一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 | |
US20100051958A1 (en) | Display device and manufacturing method thereof | |
EP3139410A1 (en) | Amoled array substrate and manufacturing method and display device | |
CN113035925B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
CN112490270B (zh) | 驱动背板及其制备方法、显示面板、显示装置 | |
CN214542235U (zh) | 显示面板及显示装置 | |
WO2024139817A1 (zh) | 显示基板及其制作方法、显示装置 | |
US12029073B2 (en) | Display substrate and display apparatus | |
CN219592985U (zh) | 显示基板及显示装置 | |
US20240188357A1 (en) | Display substrate and display device | |
US20220328597A1 (en) | Display substrate and display device | |
CN110854172B (zh) | 半导体器件、像素电路、显示面板及显示装置 | |
WO2023245490A1 (zh) | 显示面板和显示装置 | |
WO2023142071A1 (zh) | 阵列基板、显示面板及显示装置 | |
US20240249677A1 (en) | Display substrate and display device | |
US11844255B2 (en) | Display device having a second electrode layer connected to an auxiliary electrode layer, display panel and manufacturing method thereof | |
WO2022204995A1 (zh) | 显示面板及其制备方法、显示装置 | |
WO2022252094A1 (zh) | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |