CN111883551A - 基板、其制作方法、显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供了一种基板、其制作方法、显示面板及显示装置。该基板包括：衬底；有机层，位于所述衬底的一侧且包括多个贯穿所述有机层的开孔；种子层，位于所述开孔内且覆盖所述开孔的底部和侧壁；第一金属层，包括多个金属结构，所述金属结构位于所述开孔内且位于所述种子层远离所述衬底的一侧。本实施例通过在有机层和第一金属层之间形成种子层，种子层覆盖贯穿有机层的开孔的底部和侧壁，能够防止第一金属层中的金属结构的侧壁与有机层直接接触，从而防止金属结构的侧壁在后续制程以及信赖性测试中发生氧化，有利于提升基板的使用寿命。

Description

基板、其制作方法、显示面板及显示装置

技术领域

本申请涉及LED以及LCD显示技术领域，具体而言，本申请涉及一种基板、其制作方法、显示面板及显示装置。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)在显示上主要有两种应用，一种是作为自发光LED显示，另外一种是作为液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)的背光。LCD的背光具有侧入式和直下式两种，其中，直下式背光源能够进行局部亮度(local dimming)控制，使得采用直下式背光源的LCD在亮度、对比度、色彩还原度和功耗方面具有优势。

发明内容

本申请提出一种基板、其制作方法、显示面板及显示装置。

第一个方面，本申请实施例提供了一种基板，所述基板包括：

衬底；

有机层，位于所述衬底的一侧且包括多个贯穿所述有机层的开孔；

种子层，位于所述开孔内且覆盖所述开孔的底部和侧壁；

第一金属层，包括多个金属结构，所述金属结构位于所述开孔内且位于所述种子层远离所述衬底的一侧。

可选的，所述基板还包括：缓冲层，位于所述衬底与所述有机层之间。

可选的，所述种子层包括第一种子层以及位于所述第一种子层远离所述衬底一侧的第二种子层，所述第一种子层的材料包括钼镍钛合金，所述第二种子层的材料包括铜。

可选的，所述基板还包括：

第一绝缘层，位于所述第一金属层远离所述衬底的一侧；

第二金属层，位于所述第一绝缘层远离所述第一金属层的一侧，包括多个接触电极，每个所述接触电极通过贯穿所述第一绝缘层的第一过孔与一个所述金属结构电连接；

第二绝缘层，位于所述第二金属层远离所述第一绝缘层的一侧。

第二个方面，本申请实施例提供了一种显示面板，所述显示面板包括：

上述的基板，所述金属结构包括第一金属结构和第二金属结构；

多个发光二极管，所述发光二极管包括第一引脚和第二引脚，每个所述发光二极管的所述第一引脚通过一个所述第一金属结构电连接，每个所述发光二极管的所述第二引脚与一个所述第二金属结构电连接；所述基板为背光驱动基板或显示驱动基板。

第三个方面，本申请实施例提供了一种液晶显示装置，所述液晶显示装置包括上述的显示面板。

第四个方面，本申请实施例提供了一种基板的制作方法，所述基板的制作方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底的一侧形成有机层，并对所述有机层进行图形化处理以形成多个贯穿所述有机层的开孔；

在所述有机层远离所述衬底的一侧形成种子层，所述种子层位于所述开孔内且覆盖所述开孔的底部和侧壁；

通过电镀法形成第一金属层，所述第一金属层包括多个金属结构，所述金属结构位于所述开孔内且位于所述种子层远离所述衬底的一侧。

可选地，所述基板的制作方法还包括：在形成所述有机层之前，在所述衬底上形成缓冲层。

可选地，在所述有机层远离所述衬底的一侧形成种子层，包括：

在所述有机层远离所述衬底的一侧沉积钼镍钛合金层以作为第一种子层；

在所述第一种子层远离所述衬底的一侧沉积金属铜层以第二种子层；

对所述第一种子层和所述第二种子层进行图形化处理以去除非开孔处的所述第一种子层和所述第二种子层。

可选地，所述基板的制作方法还包括：

在所述第一金属层远离所述衬底的一侧形成第一绝缘层，并对所述第一绝缘层进行图形化处理以形成多个贯穿所述第一绝缘层的第一过孔；

在所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧形成第二金属层，并对所述第二金属层进行图形化处理以形成多个接触电极，每个所述接触电极通过所述第一过孔与一个所述金属结构电连接；

在所述第二金属层远离所述第一绝缘层的一侧形成第二绝缘层，并对所第二绝缘层进行图形化处理以形成贯穿所述第二绝缘层的多个第二过孔。

本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果是：

本申请实施例提供的基板、其制作方法、显示面板及显示装置，通过在有机层和第一金属层之间形成种子层，种子层覆盖贯穿有机层的开孔的底部和侧壁，能够防止第一金属层中的金属结构的侧壁与有机层直接接触，从而防止金属结构的侧壁在后续制程以及信赖性测试中发生氧化，有利于提升基板的使用寿命。

本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

附图说明

本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为本申请实施例提供的一种基板的截面结构示意图；

图2为本申请实施例提供的另一种基板的截面结构示意图；

图3为本申请实施例提供的又一种基板的截面结构示意图；

图4为图3中所示的基板中区域M的局部放大结构示意图；

图5为本申请实施例提供的一种基板的俯视结构示意图；

图6为本申请实施例提供的再一种基板的截面结构示意图；

图7为本申请实施例提供的再一种背光源的局部截面结构示意图；

图8为本申请实施例提供的一种液晶显示装置的框架结构示意图；

图9为本申请实施例提供的一种基板的制作方法的流程示意图；

图10为图9所示的基板的制作方法的中步骤S103的一种流程示意图；

图11为图10所示的基板的制作方法的中步骤S103中步骤S1031的工艺流程意图；

图12为图10所示的基板的制作方法的中步骤S103中步骤S1032的工艺流程意图；

图13为图10所示的基板的制作方法的中步骤S103中步骤S1033的工艺流程意图；

图14为本申请实施例提供的一种基板的制作方法的流程示意图；

图15为本申请实施例提供的一种基板的制作方法的流程示意图。

附图标记：

1-基板；101-衬底；102-对准结构；103-缓冲层；104-有机层；1041-开孔；105-种子层；1051-第一种子层；1052-第二种子层；106-第一金属层；1061-金属结构；1061a-第一金属结构；1061b-第二金属结构；107-第一绝缘层；1071-第一过孔；108-第二金属层；1081-接触电极；1081a-第一接触电极；1081b-第二接触电极；109-第二绝缘层；1091-第二过孔；

2-发光二极管；201-第一引脚；202-第二引脚；

3-感光材料层。

具体实施方式

下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。

本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。

对于大尺寸的自发光LED显示用的阵列基板或直下式背光源来说，由于尺寸较大，电流在铜走线上的压降很严重，因此必须采用厚度较大的铜金属走线。而亮度要求越高则铜金属走线的厚度则越大，以背光亮度要求高于2000nit的直下式背光源为例，背光驱动基板中单层铜走线的厚度需要至少大于5um。依据目前的经验，对于厚度大于1.5um的铜采用电镀的方法比磁控溅射方法更简单，成本更低。本申请的发明人发现，在电镀工艺之前，如果使用树脂材料限定出待电镀的区域，则在电镀工艺形成铜之后，铜走线的侧壁会直接与树脂层等有机层接触，在后续制程、信赖性或者产品使用过程中会引起铜走线侧壁的氧化，降低产品的使用寿命。

本申请提供的基板、其制作方法、显示面板及显示装置，旨在解决现有技术的如上技术问题。

下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。

本申请实施例提供了一种基板1，如图1所示，本实施例提供的基板1包括：

衬底101；

有机层104，位于衬底101的一侧且包括多个贯穿有机层104的开孔1041；

种子层105，位于开孔1041内且覆盖开孔1041的底部和侧壁；

第一金属层106，包括多个金属结构1061，金属结构1061位于开孔1041内且位于种子层105远离衬底101的一侧。

需要说明的是，本申请中的第一金属层106采用电镀方法形成，而电镀法只会在设置有种子层105的区域形成待电镀的材料。由于种子层105仅位于开孔1041内，因此，在电镀过程中，只会在开孔1041内形成第一金属层106。

本实施例提供的基板1，通过在有机层104和第一金属层106之间形成种子层105，种子层105覆盖贯穿有机层104的开孔1041的底部和侧壁，能够防止第一金属层106中的金属结构1061的侧壁与有机层104直接接触，从而防止金属结构1061的侧壁在后续制程以及信赖性测试中发生氧化，有利于提升基板1的使用寿命。

具体地，如图1所示，本实施例中的基板可以为用于自发光LED显示的阵列基板，也可以为LCD的背光驱动基板。

具体地，如图1所示，有机层104的材料包感光型树脂，起到绝缘和保护金属层的作用。

进一步地，如图2所示，本实施例提供的基板1还包括对准结构102，对准结构102位于衬底101和有机层104之间。对准结构102用于实现有机层104的图形化过程中的掩膜版的对准。

具体地，对准结构102的材料为金属钼(Mo)，对准结构102的厚度为

可将对准结构102设置在基板1的边缘，以便于在实现后续掩膜版对准的同时，同时不影响其他各膜层的设置。

可选地，如图3所示，本实施例提供的基板1还包括缓冲层103，该缓冲层103位于衬底101与有机层104之间。具体地，缓冲层103的材料包括氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅中的一种或组合，用于提升衬底101与有机层104以及种子层105之间的结合力。

具体地，如图3所示，对准结构102和缓冲层103的位置可以调换，即对准结构102可以位于衬底101与缓冲层103之间，对准结构102也可以位于缓冲层103与有机层104之间。只要能够实现有机层104的图形化过程中的掩膜版的对准即可。

进一步地，如图4所示，本实施例提的基板1中，种子层105包括第一种子层1051以及位于第一种子层1051远离衬底101一侧的第二种子层1052，第一种子层1051的材料包括钼镍钛合金(MoNiTi合金)，第二种子层1052的材料包括铜。具体地，第一种子层1051的厚度为

第二种子层1052的厚度为

进一步地，如图6所示，本实施例提供的基板1还包括：第一绝缘层107，位于第一金属层106远离衬底101的一侧；第二金属层108，位于第一绝缘层107远离第一金属层106的一侧，包括多个接触电极1081，每个接触电极1081通过贯穿第一绝缘层107的第一过孔1071与一个金属结构1061电连接；具体地，第二绝缘层109，位于第二金属层108远离第一绝缘层107的一侧。

本实施例提供的基板，利用第二金属层108形成接触电极1081，有利于实现基板与其他元器件、电路结构等的连接，并且第二绝缘层109在起到绝缘作用的同时，也能起到保护基板内的电路的作用。

基于同一发明构思，本申请实施例还提供了一种显示面板，如图7所示，本实施例提供的显示面板包括上述实施例中的基板1，具有上述实施例中的基板1的有益效果，在此不再赘述。

如图7所示，本实施例提供的显示面板还包括多个发光二极管2，发光二极管2包括第一引脚201和第二引脚202；金属结构1061包括第一金属结构1061a和第二金属结构1061b，每个发光二极管2的第一引脚201与一个第一金属结构1061电连接，每个发光二极管2的第二引脚202与一个第二金属结构1061b电连接。

具体地，如图7所示，接触电极1081包括第一接触电极1081a和第二接触电极1081b，每个第一接触电极1081a与一个第一金属结构1061a电连接，每个第二接触电极1081b与一个第二金属结构1061b电连接；每个发光二极管2的第一引脚201通过第二过孔1091与一个第一接触电极1081a电连接，每个发光二极管2的第二引脚202通过第二过孔1091与一个第二接触电极1081b电连接。

其中，如图7所示，并结合图5，第一金属结构1061a为阴极，第二金属结构1061b为阳极，同一列的阴极连接为一体并与电源阴极(图5中未显示)电连接，而同一列中的阳极是独立的，每个阳极分别与电源阳极(图5中未显示)电连接。

本申请中的发光二极管2可以为普通的发光二极管(LED)，也可以为亚毫米发光二极管(Mini-LED)或微型发光二极管(Micro-LED)，只要是基板中的铜走线采用电镀法制作，应用本申请提供的技术方案，即可起到相应的技术效果。

本实施例中，利用第二金属层108形成接触电极1081，有利于实现基板1与发光二极管2的连接；并且，显示面板通过对不同位置的发光二极管2的亮度进行控制，有利于提升显示装置的对比度，从而提升显示装置的显示效果。

基于同一发明构思，本申请实施例还提供了一种液晶显示装置，如图8所示，本实施例提供的液晶显示装置包括上述实施例中的显示面板，具有上述实施例中的显示面板的有益效果，在此不再赘述。

具体地，本实施例提供的显示装置还包括供电电源和驱动芯片等，其中，供电电源用于为显示装置提供电能，驱动芯片用于为基板提供驱动信号以使基板按照驱动芯片提供的驱动信号驱动发光二极管进行发光。

基于同一发明构思，本申请实施例还提供了一种基板的制作方法，如图9和图1所示本实施例提供的基板的制作方法包括：

S101：提供一衬底101。

S102：在衬底101的一侧形成有机层104，并对有机层104进行图形化处理以形成多个贯穿有机层104的开孔1041。具体地，有机层的材料为感光型树脂，以有机层104为负性感光型树脂为例，可以采用曝光显影的方式实现对负性感光型树脂的图形化处理。

S103：在有机层104远离衬底101的一侧形成种子层105，种子层105位于开孔1041内且覆盖开孔1041的底部和侧壁。

S104：以电镀法形成第一金属层106，第一金属层106包括多个金属结构1061，金属结构1061位于开孔1041内且位于种子层105远离衬底101的一侧。

需要说明的是，电镀法只会在设置有种子层105上形成待电镀的材料，由于种子层105仅位于开孔1041内，因此，在电镀过程中，只会在开孔1041内形成第一金属层106。

本实施例提供的制作方法，通过在有机层104和第一金属层106之间形成种子层105，种子层105覆盖贯穿有机层104的开孔1041的底部和侧壁，能够防止第一金属层106中的金属结构1061的侧壁与有机层104直接接触，从而防止金属结构1061的侧壁在后续制程以及信赖性测试中发生氧化，有利于提升基板1的使用寿命。

进一步地，本实施例提供的基板1的制作方法还包括：在步骤S101之前，形成对准结构102。基于此，步骤S102中“对有机层104进行图形化处理以形成多个开孔1041”，包括：利用对准结构102对掩膜版进行对准，并利用掩膜版对有机层104进行图形化处理以形成多个开孔1041。

可选地，可以先在衬底101上形成对准结构102，再形成缓冲层103；也可以先在衬底101上形成缓冲层103，再在缓冲层103上形成对准结构102。具体地，采用磁控溅射等方法形成对准结构102，对准结构102的材料为金属钼，对准结构102的厚度为

进一步地，如图10至图13所示，本实施例提供的基板的制作方法中，步骤S103包括：

S1031：在有机层104远离衬底101的一侧沉积钼镍钛合金层以作为第一种子层1051。具体地，第一种子层1051的厚度为

S1032：在第一种子层1051远离衬底101的一侧沉积金属铜层以第二种子层1052。具体地，第二种子层1052的厚度为

S1033：对第一种子层1051和第二种子层1052进行图形化处理以去除非开孔1041处的第一种子层1051和第二种子层1052。具体地，如图13所示，步骤S1033包括：

S10331：种子层105上形成感光材料层3。具体地，感光材料层的材料包括感光型树脂或光刻胶。

S10332：采用O₂等离子体对感光材料层3进行灰化处理。具体地，由于感光材料层3在开孔1041处的厚度比其他区域的厚度较大，因此，当非开孔1041处的感光材料层3因灰化而被剥离时，开孔1041处的感光材料层3仍存在而在后续制程中起到保护种子层105的作用。

S10333：对第一种子层1051和第二种子层1052进行湿法刻蚀。由于非开孔处的第一种子层1051和第二种子层1052无感光型树脂覆盖，因此湿法刻蚀处理能够将非开孔处的第一种子层1051和第二种子层1052刻蚀掉，而开孔1041处的第一种子层1051和第二种子层1052受到感光型树脂3的保护而得以保留。

S10334：将剩余的感光材料层3剥离。将剩余的感光材料层3剥离后，最终获得的种子层105仅包括位于开孔1041内的部分。

采用本实施例提供的种子层105的图形化方法，由于感光材料层3在开孔1041处的厚度比其他区域的厚度较大，通过控制灰化处理的时间等，可以使得感光材料层3在开孔处1041的部分被减薄而非开孔处的部分被完全去除，从而暴露出非开孔处的种子层105的表面。通过刻蚀工艺，即可完成种子层105的图形化，以在开口1041处保留种子层。在该过程中，利用有机层104的开口1041取代掩膜版的作用有利于降低种子层105的图形化的难度，以及降低种子层105的图形化的成本。

可选地，本实施例提供的基板的制作方法还包括：形成位于衬底101与有机层104之间的缓冲层103。具体地，如图14和图3所示，本实施例提供的基板的制作方法的具体步骤如下：

S201：提供一衬底101。

S202：在衬底101上形成缓冲层103。具体地，缓冲层103的材料包括氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅中的一种或组合，用于提升衬底101与有机层104以及种子层105之间的结合力。

S203：在缓冲层103远离衬底101的一侧形成有机层104，并对有机层104进行图形化处理以形成多个开孔1041。

S204：在有机层104远离衬底101的一侧形成种子层105，种子层105位于开孔1041内且覆盖开孔1041的底部和侧壁。

S205：以电镀法形成第一金属层106，第一金属层106包括多个金属结构1061，金属结构1061位于开孔1041内且位于种子层105远离衬底101的一侧。

进一步地，如图5和图6所示，本实施例提供的基板1的制作方法还包括：

在第一金属层106远离衬底101的一侧形成第一绝缘层107，并对第一绝缘层107进行图形化处理以形成多个贯穿第一绝缘层107的第一过孔1071；

在第一绝缘层107远离衬底101的一侧形成第二金属层108，并对第二金属层108进行图形化处理以形成多个接触电极1081，每个接触电极1081通过第一过孔1071与一个金属结构1061电连接；

在第二金属层108远离第一绝缘层107的一侧形成第二绝缘层109，并对所第二绝缘层109进行图形化处理以形成贯穿第二绝缘层109的多个第二过孔1091。

具体地，如图12和图6所示，本实施例提供的基板的制作方法的具体步骤如下：

S301：提供一衬底101，并在衬底101上形成对准结构102。

S302：在对准结构102远离衬底101的一侧形成缓冲层103。具体地，在衬底101上沉积氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅中的至少一种以作为缓冲层103，以用于提升衬底101与有机层104以及种子层105之间的结合力。

S303：在缓冲层103远离衬底101的一侧形成有机层104，利用对准结构102对掩膜版进行对准，并利用掩膜版对有机层104进行图形化处理以形成多个贯穿有机层104的开孔1041。

S304：在有机层104远离衬底101的一侧形成种子层105，种子层105位于开孔1041内且覆盖开孔1041的底部和侧壁。

S305：以电镀法形成第一金属层106，第一金属层106包括多个金属结构1061，金属结构1061位于开孔1041内且位于种子层105远离衬底101的一侧。

S306：在第一金属层106远离衬底101的一侧形成第一绝缘层107，并对第一绝缘层107进行图形化处理以形成多个贯穿第一绝缘层107的第一过孔1071。

S307：在第一绝缘层107远离衬底101的一侧形成第二金属层108，并对第二金属层108进行图形化处理以形成多个接触电极1081，每个接触电极1081通过第一过孔1071与一个金属结构1061电连接。

具体地，如图7所示，金属结构1061包括第一金属结构1061a和第二金属结构1061b，接触电极1081包括第一接触电极1081a和第二接触电极1081b，每个第一接触电极1081a与一个第一金属结构1061a电连接，每个第二接触电极1081b与一个第二金属结构1061b电连接。

S308：在第二金属层108远离第一绝缘层107的一侧形成第二绝缘层109，并对所第二绝缘层109进行图形化处理以形成贯穿第二绝缘层109的多个第二过孔1091。

本实施例提供的基板的制作方法，利用第二金属层108形成接触电极1081，有利于实现基板与其他元器件、电路结构等的连接，并且第二绝缘层109在起到绝缘作用的同时，也能起到保护基板内的电路的作用。

应用本申请实施例，至少能够实现如下有益效果：

本申请实施例提供的基板、其制作方法、显示面板及显示装置，通过在有机层和第一金属层之间形成种子层，种子层覆盖贯穿有机层的开孔的底部和侧壁，能够防止第一金属层中的金属结构的侧壁与有机层直接接触，从而防止金属结构的侧壁在后续制程以及信赖性测试中发生氧化，有利于提升基板的使用寿命。

本技术领域技术人员可以理解，本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。进一步地，具有本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的其他步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。进一步地，现有技术中的具有与本申请中公开的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

应该理解的是，虽然附图的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，其可以以其他的顺序执行。而且，附图的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，其执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其他步骤或者其他步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种基板，其特征在于，包括：

衬底；

有机层，位于所述衬底的一侧且包括多个贯穿所述有机层的开孔；

种子层，位于所述开孔内且覆盖所述开孔的底部和侧壁；

第一金属层，包括多个金属结构，所述金属结构位于所述开孔内且位于所述种子层远离所述衬底的一侧。

2.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，还包括：

缓冲层，位于所述衬底与所述有机层之间。

3.根据权利要求2所述的基板，其特征在于，所述种子层包括第一种子层以及位于所述第一种子层远离所述衬底一侧的第二种子层，所述第一种子层的材料包括钼镍钛合金，所述第二种子层的材料包括铜。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的基板，其特征在于，还包括：

第一绝缘层，位于所述第一金属层远离所述衬底的一侧；

第二金属层，位于所述第一绝缘层远离所述第一金属层的一侧，包括多个接触电极，每个所述接触电极通过贯穿所述第一绝缘层的第一过孔与一个所述金属结构电连接；

第二绝缘层，位于所述第二金属层远离所述第一绝缘层的一侧。

5.一种显示面板，其特征在于，包括：

权利要求1-4中任一项所述的基板，所述金属结构包括第一金属结构和第二金属结构；

多个发光二极管，所述发光二极管包括第一引脚和第二引脚，每个所述发光二极管的所述第一引脚通过一个所述第一金属结构电连接，每个所述发光二极管的所述第二引脚与一个所述第二金属结构电连接；

所述基板为背光驱动基板或显示驱动基板。

6.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求5所述的显示面板。

7.一种基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

在所述衬底的一侧形成有机层，并对所述有机层进行图形化处理以形成多个贯穿所述有机层的开孔；

在所述有机层远离所述衬底的一侧形成种子层，所述种子层位于所述开孔内且覆盖所述开孔的底部和侧壁；

通过电镀法形成第一金属层，所述第一金属层包括多个金属结构，所述金属结构位于所述开孔内且位于所述种子层远离所述衬底的一侧。

8.根据权利要求7所述的基板的制作方法，其特征在于，还包括：

在形成所述有机层之前，在所述衬底上形成缓冲层。

9.根据权利要求8所述的基板的制作方法，其特征在于，在所述有机层远离所述衬底的一侧形成种子层，包括：

在所述有机层远离所述衬底的一侧沉积钼镍钛合金层以作为第一种子层；

在所述第一种子层远离所述衬底的一侧沉积金属铜层以第二种子层；

对所述第一种子层和所述第二种子层进行图形化处理以去除非开孔处的所述第一种子层和所述第二种子层。

10.根据权利要求7-9中任一项所述的基板的制作方法，其特征在于，还包括：

在所述第一金属层远离所述衬底的一侧形成第一绝缘层，并对所述第一绝缘层进行图形化处理以形成多个贯穿所述第一绝缘层的第一过孔；

在所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧形成第二金属层，并对所述第二金属层进行图形化处理以形成多个接触电极，每个所述接触电极通过所述第一过孔与一个所述金属结构电连接；

在所述第二金属层远离所述第一绝缘层的一侧形成第二绝缘层，并对所第二绝缘层进行图形化处理以形成贯穿所述第二绝缘层的多个第二过孔。

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