CN111863595A - 一种碳化硅pvt长晶用高质量籽晶的制备方法 - Google Patents
一种碳化硅pvt长晶用高质量籽晶的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111863595A CN111863595A CN202010641062.6A CN202010641062A CN111863595A CN 111863595 A CN111863595 A CN 111863595A CN 202010641062 A CN202010641062 A CN 202010641062A CN 111863595 A CN111863595 A CN 111863595A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon carbide
- seed crystal
- wafer
- pvt
- quality seed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 68
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 68
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 21
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 208000012868 Overgrowth Diseases 0.000 claims abstract description 8
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 12
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007245 Si2Cl6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichlorosilyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02378—Silicon carbide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02441—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02447—Silicon carbide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02529—Silicon carbide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02634—Homoepitaxy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明涉及一种碳化硅PVT长晶用高质量籽晶的制备方法,其包括以下步骤:步骤1、根据所需尺寸及形状裁切碳化硅晶圆,并对碳化硅晶圆表面进行清洁处理;步骤2、在碳化硅晶圆上外延生长阻隔层;步骤3、对碳化硅晶圆进行图形化光刻处理,并在碳化硅晶圆上形成阻隔区域和开放区域,其中,开放区域没有阻隔层;步骤4、采用化学沉积横向外延过生长方法在碳化硅晶圆上生长碳化硅外延层,即可形成高质量籽晶。本发明制备方法成本低,且制备出的籽晶质量高。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种氮化硅PVT长晶用高质量籽晶的制备方法。
背景技术
对于电子器件、电力器件、机械零部件而言,材料是一个非常重要的参数,会影响与决定其元器零件的终性能。SiC 是一种宽带间隙半导体,宽带间隙由 2.2 到 3.3 eV。传统上,SiC 晶体因其优越的物理和化学特性一直当作为未来半导体材料进行研究和开发。近年来,SiC作为短波长光学器件,(从蓝色到紫外线)、高压、大功率、高频电子器件的材料备受关注,并积极开展其相关研发工作。
SiC晶体具有制备方法,其中,物理气相输运法(PVT)具有能够生产高产优质碳化硅的优势,现已得到广泛应用。物理气相输运法是一种通过粘合材料将籽晶连接到籽晶托盘底座的方法,并从托盘底座上的籽晶生长碳化硅晶锭。该方法生长出的SiC晶体存在的缺陷有两个发生源,一是由现有籽晶中原本就存在的缺陷产生,二是生长过程初始阶段产生的缺陷。可见,籽晶的质量直接影响了制备出的SiC晶体的质量。
为了尽量减少籽晶自身的缺陷,许多研究正在使用重复生长的高质量籽晶。然而,目前制造这些高质量籽晶的技术极其有限,这类籽晶存在个成本效益的问题。
发明内容
针对现有技术存在的问题,本发明的目的在于提供一种碳化硅PVT长晶用高质量籽晶的制备方法,其成本低且质量高。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案是;
一种碳化硅PVT长晶用高质量籽晶的制备方法,其包括以下步骤:
步骤1、根据所需尺寸及形状裁切碳化硅晶圆,并对碳化硅晶圆表面进行清洁处理;
步骤2、在碳化硅晶圆上外延生长阻隔层;
步骤3、对碳化硅晶圆进行图形化光刻处理,并在碳化硅晶圆上形成阻隔区域和开放区域,其中,开放区域没有阻隔层;
步骤4、采用化学沉积横向外延过生长方法在碳化硅晶圆上生长碳化硅外延层,即可形成高质量籽晶。
所述步骤1中,采用RCA工艺对碳化硅晶圆表面进行清洁处理。
所述步骤2中,采用MOCVD方法进行阻隔层的生长。
所述阻隔层的材料为二氧化硅、氮化硅或氮化铝。
所述步骤3中,阻隔区域和开放区域的比例小于0.7,宽度小于10μm。
所述步骤3中,阻隔层的厚度为100-1000nm,。
所述步骤1中,裁切出的碳化硅晶圆为偏轴晶圆。
所述碳化硅晶圆的偏轴角度为4°-8°,偏轴方向为<11-20>[0.5°]。
所述步骤3中,阻隔区域的偏轴方向与晶圆的偏轴方向相同。
所述步骤1中,碳化硅晶圆的缺陷密度小于10微管道/cm2,弯曲度小于50μm。
采用上述方案后,本发明采用横向外延过生长外延生长籽晶是可以最大限度地减少籽晶用于生长界面上缺陷和其他平面缺陷,提高了籽晶的质量;由于工艺成熟,简单,可大大降低成本。
附图说明
图1为本发明籽晶的制备流程;
图2为本发明籽晶制备过程示意图。
具体实施方式
如图1和图2所示,本发明揭示了一种碳化硅PVT长晶用高质量籽晶的制备方法,其包括以下步骤:
步骤1、根据所需尺寸及形状裁切碳化硅晶圆1,并对碳化硅晶圆1表面进行清洁处理。
本发明采用的晶圆在应用时会掺杂质,掺杂氮气形成n型,或者掺杂B(錋Boron)或V(钒Vanadium)形成高电阻态或轻p型晶圆。而对晶圆表面进行清洁处理时采用RCA工艺。
步骤2、在碳化硅晶圆1上外延生长阻隔层2。
阻隔层2的材料为二氧化硅、氮化硅或氮化铝,其生长采用PECVD方法,阻隔层2的厚度为100-1000nm。
步骤3、对碳化硅晶圆1进行图形化光刻处理,并在碳化硅晶圆1上形成阻隔区域21和开放区域22,其中,开放区域22没有阻隔层2。
阻隔区域21和开放区域22的比例小于0.7,阻隔区域21的宽度小于10μm。
本发明使用图像化光刻工艺,易于实现相同质量的大规模生产。根据开放区域22的大小和形状以及开放位置区域,可以通过图形化光刻工艺获得正确的图形。图形通常可以条纹,特别情况下可以使用方形、六边形和圆形,图形化后的阻隔区域21的偏轴方向与晶圆的偏轴方向相同。
步骤4、采用化学沉积横向外延过生长方法在碳化硅晶圆1上生长碳化硅外延层3,即可形成高质量籽晶4。
使用化学沉积横向外延过生长方法生长籽晶具体如下:首先通过开放区生长SiC膜要比阻隔层2厚,然后再进行横向生长,从而覆盖整个阻隔层2,形成质量更好的SiC层,即籽晶。
碳化硅晶圆1有多种晶格型态:有4H、6H和3C。使用化学沉积横向外延过生长方法是确保籽晶制备不被这些多型态的问题影响。但是,每一种型态都有自身适合的外延生长温度。不同与3C情况的,在4H或6H,,基底表面的晶格形态对重建EPI的初时阶段有很大影响。为了尽量减少这种影响,本发明使用偏轴晶圆,取4°~8°偏轴角度,偏轴方向在<11-20>[0.5°] 的偏轴晶圆,制备用的原始晶圆缺陷密度 < 10 微管道/cm2,弯曲度<50um。在该情况下,步骤3中图形化后的阻隔区域21的偏轴角度与氮化硅晶圆的偏轴方向相同。
典型的碳化硅MOCVD制程在大于1300℃的温度和 大于150Torr 的气压下进行,SiC 生长源大多采用 SiH4、CH3CL 和C3H8。在SiC生长以温度控制SiO2和SiN气体反应在晶圆表面上形成薄膜。将生长温度控制在1100℃至1200℃,以防止SiC在SiO2层表面上结晶。此外,使用HCl气体抑制SiO2阻隔膜边缘产生的缺陷。为了确保 SiO2 层生长和结晶性能,可用HCDS [六氯异丙烷]/Si2Cl6 或 HMDS(HMDS)/ C6H19NSi2替代SiH4,SiC的生长温度可降到1200℃ 以下。
本发明采用横向外延过生长外延生长籽晶是可以最大限度地减少籽晶用于生长界面上缺陷和其他平面缺陷,提高了籽晶的质量;由于工艺成熟,简单,可大大降低成本。
以上所述,仅是本发明实施例而已,并非对本发明的技术范围作任何限制,故凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰,均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (10)
1.一种碳化硅PVT长晶用高质量籽晶的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
步骤1、根据所需尺寸及形状裁切碳化硅晶圆,并对碳化硅晶圆表面进行清洁处理;
步骤2、在碳化硅晶圆上外延生长阻隔层;
步骤3、对碳化硅晶圆进行图形化光刻处理,并在碳化硅晶圆上形成阻隔区域和开放区域,其中,开放区域没有阻隔层;
步骤4、采用化学沉积横向外延过生长方法在碳化硅晶圆上生长碳化硅外延层,即可形成高质量籽晶。
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅PVT长晶用高质量籽晶的制备方法,其特征在于:所述步骤1中,采用RCA工艺对碳化硅晶圆表面进行清洁处理。
3.根据权利要求1所述的一种碳化硅PVT长晶用高质量籽晶的制备方法,其特征在于:所述步骤2中,采用MOCVD方法进行阻隔层的生长。
4.根据权利要求1所述的一种碳化硅PVT长晶用高质量籽晶的制备方法,其特征在于:所述阻隔层的材料为二氧化硅、氮化硅或氮化铝。
5.根据权利要求1所述的一种碳化硅PVT长晶用高质量籽晶的制备方法,其特征在于:所述步骤3中,阻隔区域和开放区域的比例小于0.7,宽度小于10μm。
6.根据权利要求1所述的一种碳化硅PVT长晶用高质量籽晶的制备方法,其特征在于:所述步骤3中,阻隔层的厚度为100-1000nm。
7.根据权利要求1所述的一种碳化硅PVT长晶用高质量籽晶的制备方法,其特征在于:所述步骤1中,裁切出的碳化硅晶圆为偏轴晶圆。
8.根据权利要求7所述的一种碳化硅PVT长晶用高质量籽晶的制备方法,其特征在于:所述碳化硅晶圆的偏轴角度为4°-8°,偏轴方向为<11-20>[0.5°]。
9.根据权利要求7或8所述的一种碳化硅PVT长晶用高质量籽晶的制备方法,其特征在于:所述步骤3中,阻隔区域的偏轴方向与晶圆的偏轴方向相同。
10.根据权利要求1所述的一种碳化硅PVT长晶用高质量籽晶的制备方法,其特征在于:所述步骤1中,碳化硅晶圆的缺陷密度小于10微管道/cm2,弯曲度小于50μm。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010641062.6A CN111863595A (zh) | 2020-07-06 | 2020-07-06 | 一种碳化硅pvt长晶用高质量籽晶的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010641062.6A CN111863595A (zh) | 2020-07-06 | 2020-07-06 | 一种碳化硅pvt长晶用高质量籽晶的制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111863595A true CN111863595A (zh) | 2020-10-30 |
Family
ID=73153121
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010641062.6A Pending CN111863595A (zh) | 2020-07-06 | 2020-07-06 | 一种碳化硅pvt长晶用高质量籽晶的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111863595A (zh) |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001294498A (ja) * | 2000-04-06 | 2001-10-23 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶インゴットおよびその製造方法ならびに炭化珪素単結晶育成用マスク |
JP2003176200A (ja) * | 2001-12-12 | 2003-06-24 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶育成用種結晶、炭化珪素単結晶インゴット、及びこれらの製造方法 |
US20070224784A1 (en) * | 2006-03-22 | 2007-09-27 | Soloviev Stanislav I | Semiconductor material having an epitaxial layer formed thereon and methods of making same |
JP2014019596A (ja) * | 2012-07-17 | 2014-02-03 | Mitsubishi Electric Corp | エピタキシャル成長装置、炭化珪素エピタキシャルウエハ、および炭化珪素エピタキシャルウエハ製造方法 |
US20140131736A1 (en) * | 2011-06-23 | 2014-05-15 | Lg Innotek Co., Ltd. | Semiconductor device and method for growing semiconductor crystal |
CN103946953A (zh) * | 2011-10-26 | 2014-07-23 | 砧半导体有限公司 | 碳化硅外延 |
CN104246979A (zh) * | 2012-09-11 | 2014-12-24 | 道康宁公司 | SiC上的高电压功率半导体器件 |
JP2017168720A (ja) * | 2016-03-17 | 2017-09-21 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
CN109872945A (zh) * | 2019-03-06 | 2019-06-11 | 上海芯元基半导体科技有限公司 | 一种复合衬底、半导体器件及其制造方法 |
-
2020
- 2020-07-06 CN CN202010641062.6A patent/CN111863595A/zh active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001294498A (ja) * | 2000-04-06 | 2001-10-23 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶インゴットおよびその製造方法ならびに炭化珪素単結晶育成用マスク |
JP2003176200A (ja) * | 2001-12-12 | 2003-06-24 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶育成用種結晶、炭化珪素単結晶インゴット、及びこれらの製造方法 |
US20070224784A1 (en) * | 2006-03-22 | 2007-09-27 | Soloviev Stanislav I | Semiconductor material having an epitaxial layer formed thereon and methods of making same |
US20140131736A1 (en) * | 2011-06-23 | 2014-05-15 | Lg Innotek Co., Ltd. | Semiconductor device and method for growing semiconductor crystal |
CN103946953A (zh) * | 2011-10-26 | 2014-07-23 | 砧半导体有限公司 | 碳化硅外延 |
JP2014019596A (ja) * | 2012-07-17 | 2014-02-03 | Mitsubishi Electric Corp | エピタキシャル成長装置、炭化珪素エピタキシャルウエハ、および炭化珪素エピタキシャルウエハ製造方法 |
CN104246979A (zh) * | 2012-09-11 | 2014-12-24 | 道康宁公司 | SiC上的高电压功率半导体器件 |
JP2017168720A (ja) * | 2016-03-17 | 2017-09-21 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
CN109872945A (zh) * | 2019-03-06 | 2019-06-11 | 上海芯元基半导体科技有限公司 | 一种复合衬底、半导体器件及其制造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4469396B2 (ja) | 炭化珪素単結晶インゴット、これから得られる基板及びエピタキシャルウェハ | |
JP4581490B2 (ja) | Iii−v族窒化物系半導体自立基板の製造方法、及びiii−v族窒化物系半導体の製造方法 | |
JP4964672B2 (ja) | 低抵抗率炭化珪素単結晶基板 | |
KR101410436B1 (ko) | 에피택셜 탄화규소 단결정 기판의 제조 방법 및 이 방법에 의하여 얻은 에피택셜 탄화규소 단결정 기판 | |
JP5068423B2 (ja) | 炭化珪素単結晶インゴット、炭化珪素単結晶ウェハ及びその製造方法 | |
JP4818754B2 (ja) | 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法 | |
JP4603386B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
CN113235047B (zh) | 一种AlN薄膜的制备方法 | |
US20080318359A1 (en) | Method of manufacturing silicon carbide semiconductor substrate | |
JP2007217227A (ja) | GaN結晶の製造方法、GaN結晶基板および半導体デバイス | |
JPH04223330A (ja) | 単結晶珪素基板上への化合物半導体単結晶の作製方法 | |
US9896780B2 (en) | Method for pretreatment of base substrate and method for manufacturing layered body using pretreated base substrate | |
CN108987257B (zh) | 利用卤化物气相外延法在Si衬底上生长Ga2O3薄膜的方法 | |
JP3776374B2 (ja) | SiC単結晶の製造方法,並びにエピタキシャル膜付きSiCウエハの製造方法 | |
JP4664464B2 (ja) | モザイク性の小さな炭化珪素単結晶ウエハ | |
JP5212343B2 (ja) | 炭化珪素単結晶インゴット、これから得られる基板及びエピタキシャルウェハ | |
JP2002249400A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法およびその利用 | |
JP4408247B2 (ja) | 炭化珪素単結晶育成用種結晶と、それを用いた炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP5614387B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法、及び炭化珪素単結晶インゴット | |
JP5120285B2 (ja) | Iii−v族窒化物系半導体自立基板の製造方法 | |
CN111863595A (zh) | 一种碳化硅pvt长晶用高质量籽晶的制备方法 | |
JP5370025B2 (ja) | 炭化珪素単結晶インゴット | |
JP5152293B2 (ja) | モザイク性の小さな炭化珪素単結晶ウエハの製造方法 | |
JP2015207618A (ja) | 窒化物半導体基板、窒化物半導体デバイス、窒化物半導体基板の製造方法、及び、窒化物半導体デバイスの製造方法 | |
JP2014511815A (ja) | III/VSiテンプレートの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20201030 |
|
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |