CN111850562A - 一种适合5g通信铜表面超粗化表面处理剂的配制方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种适合5G通信铜表面超粗化表面处理剂的配制方法,涉及5G通信技术领域,所述超粗化剂以有机酸及其盐溶液形成的缓冲溶液为介质,所述缓冲溶液的PH为2‑4,所述超粗化剂的溶液中包括有有机铜、甲酸、甲酸钠和氯化钠。该适合5G通信铜表面超粗化表面处理剂的配制方法,采用了铜面先覆盖高分子膜的网状结构,进行选择性向内打钻方式,形成铜面内粗化结构,增加粗化后微观表面积,提升与铜表面后制程覆盖绝缘层的结合力,然后使用后处理剂剥离高分子膜,同时利用后处理剂反蚀铜的功能,对粗化后的铜尖端进行切削,使尖端铜大大减少,从而使减少铜尖端放电,减少信号的损失。
Description
技术领域
本发明涉及5G通信技术领域,具体为一种适合5G通信铜表面超粗化表面处理剂的配制方法。
背景技术
5G通讯要求线路极细及铜表面传输速度快、信号又要损耗少,然后铜表面要与铜表面的绝缘层有优良的结合力,但要达到上面两点是一个极矛盾的问题。a.理论上,传输是信号损失少,铜表面自然需要光滑,利于电子信号的传送,表面光滑减少尖端放电,减少信号的损失,b.光滑的表面对于铜上覆盖绝缘层,又产生结合力不良的问题,为了提升结合力需要时铜表面进行粗化。为了解决粗糙与光滑铜表面与5G信号传输,信号损耗的矛盾性,发明了超粗化DZ-990,适合5G通信铜表面处理剂,为此我们提出了一种适合5G通信铜表面超粗化表面处理剂的配制方法。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明提供了一种适合5G通信铜表面超粗化表面处理剂的配制方法,解决了传统通信线路的粗糙与光滑铜表面与5G信号传输,信号损耗的矛盾性的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种适合5G通信铜表面超粗化表面处理剂的配制方法,所述超粗化剂以有机酸及其盐溶液形成的缓冲溶液为介质,所述缓冲溶液的PH为2-4,所述超粗化剂的溶液中包括有有机铜、甲酸、甲酸钠和氯化钠,所述超粗化剂中各组分的配比为有机铜20-60g/L、甲酸80-100g/L、甲酸钠15-25g/L、氯化钠15-25g/L、丙烯酸和甲基丙烯酸聚合物4-6g/L、OP乳化剂0.8-1.2g/L、后处理剂8-12%,其余成分为去离子水。
优选的,所述有机铜为甲酸铜、乙酸铜、丙酸铜乳酸铜中的一种或几种的混合物。
优选的,所述缓冲溶液由有机酸与碱中和形成,所述有机酸为甲酸,所述碱为氢氧化钠。
优选的,所述后处理剂为8-12%的HCI。
优选的,以PH为2-4的缓冲溶液为介质,向其中加入20-60g/L的有机铜,以其内部的二价铜离子为氧化剂,搅拌均匀后依次加入质量浓度为4-6g/L丙烯酸和甲基丙烯酸聚合物、0.8-1.2g/LOP乳化剂以及8-12%的后处理剂,搅拌均匀后即可得到所述的铜表面超粗化表面处理剂。
优选的,该处理剂采用铜面先覆盖高分子膜的网状结构,进行选择性向内打钻方式,形成铜面内粗化结构。
有益效果如下:
该适合5G通信铜表面超粗化表面处理剂的配制方法,采用了铜面先覆盖高分子膜的网状结构,进行选择性向内打钻方式,形成铜面内粗化结构,增加粗化后微观表面积,提升与铜表面后制程覆盖绝缘层的结合力,然后使用后处理剂剥离高分子膜,同时利用后处理剂反蚀铜的功能,对粗化后的铜尖端进行切削,使尖端铜大大减少,从而使减少铜尖端放电,减少信号的损失。
具体实施方式
基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明提供一种技术方案:一种适合5G通信铜表面超粗化表面处理剂的配制方法,超粗化剂以有机酸及其盐溶液形成的缓冲溶液为介质,缓冲溶液由有机酸与碱中和形成,有机酸为甲酸,碱为氢氧化钠,缓冲溶液的PH为2-4,超粗化剂的溶液中包括有有机铜、甲酸、甲酸钠和氯化钠,有机铜为甲酸铜、乙酸铜、丙酸铜乳酸铜中的一种或几种的混合物,超粗化剂中各组分的配比为有机铜20-60g/L、甲酸80-100g/L、甲酸钠15-25g/L、氯化钠15-25g/L、丙烯酸和甲基丙烯酸聚合物4-6g/L、OP乳化剂0.8-1.2g/L和后处理剂,后处理剂为8-12%的HCI,其余成分为去离子水,铜表面超粗化表面处理剂的配制方法为:以PH为2-4的缓冲溶液为介质,向其中加入20-60g/L的有机铜,以其内部的二价铜离子为氧化剂,搅拌均匀后依次加入质量浓度为4-6g/L丙烯酸和甲基丙烯酸聚合物、0.8-1.2g/LOP乳化剂以及8-12%的后处理剂,搅拌均匀后即可得到的铜表面超粗化表面处理剂。
超粗化是使铜面产生高粗糙度的方法,虽然微蚀能在一定程度上增加铜面与干膜、湿膜、阻焊油墨等物质的附着力,但微蚀后的覆铜板粗糙度仍然较小,存在阻焊油墨与其结合力不牢的缺点,这一点在精细线路的制作中更加明显,经过该处理剂处理之后的铜面粗糙度Ra值在0.4-0.6之间,可以达到精密线路的制作要求。
实施例1
一种适合5G通信铜表面超粗化表面处理剂的配制方法,超粗化剂以有机酸及其盐溶液形成的缓冲溶液为介质,缓冲溶液由有机酸与碱中和形成,有机酸为甲酸,碱为氢氧化钠,缓冲溶液的PH为2,超粗化剂的溶液中包括有有机铜、甲酸、甲酸钠和氯化钠,有机铜为甲酸铜、乙酸铜、丙酸铜乳酸铜中的一种或几种的混合物,超粗化剂中各组分的配比为有机铜20g/L、甲酸80g/L、甲酸钠15g/L、氯化钠15g/L、丙烯酸和甲基丙烯酸聚合物4g/L、OP乳化剂0.8g/L和后处理剂,后处理剂为8%的HCI,其余成分为去离子水,铜表面超粗化表面处理剂的配制方法为:以PH为2的缓冲溶液为介质,向其中加入20g/L的有机铜,以其内部的二价铜离子为氧化剂,搅拌均匀后依次加入质量浓度为4g/L丙烯酸和甲基丙烯酸聚合物、0.8g/LOP乳化剂以及8%的后处理剂,搅拌均匀后即可得到的铜表面超粗化表面处理剂。
经本实施例的超粗化表面处理剂处理后的铜面,其粗糙度好,均匀性好,且超粗化后的铜面颜色比较均匀,在处理的过程中没有任何晶体析出。
实施例2
一种适合5G通信铜表面超粗化表面处理剂的配制方法,超粗化剂以有机酸及其盐溶液形成的缓冲溶液为介质,缓冲溶液由有机酸与碱中和形成,有机酸为甲酸,碱为氢氧化钠,缓冲溶液的PH为3,超粗化剂的溶液中包括有有机铜、甲酸、甲酸钠和氯化钠,有机铜为甲酸铜、乙酸铜、丙酸铜乳酸铜中的一种或几种的混合物,超粗化剂中各组分的配比为有机铜40g/L、甲酸90g/L、甲酸钠20g/L、氯化钠20g/L、丙烯酸和甲基丙烯酸聚合物5g/L、OP乳化剂1g/L和后处理剂,后处理剂为10%的HCI,其余成分为去离子水,铜表面超粗化表面处理剂的配制方法为:以PH为3的缓冲溶液为介质,向其中加入40g/L的有机铜,以其内部的二价铜离子为氧化剂,搅拌均匀后依次加入质量浓度为5g/L丙烯酸和甲基丙烯酸聚合物、1g/LOP乳化剂以及10%的后处理剂,搅拌均匀后即可得到的铜表面超粗化表面处理剂。
经本实施例的超粗化表面处理剂处理后的铜面,其粗糙度好,均匀性好,且超粗化后的铜面颜色比较均匀,在处理的过程中没有任何晶体析出,通过该处理剂,可以适用于5G通信铜表面的超粗化。
实施例3
一种适合5G通信铜表面超粗化表面处理剂的配制方法,超粗化剂以有机酸及其盐溶液形成的缓冲溶液为介质,缓冲溶液由有机酸与碱中和形成,有机酸为甲酸,碱为氢氧化钠,缓冲溶液的PH为4,超粗化剂的溶液中包括有有机铜、甲酸、甲酸钠和氯化钠,有机铜为甲酸铜、乙酸铜、丙酸铜乳酸铜中的一种或几种的混合物,超粗化剂中各组分的配比为有机铜60g/L、甲酸100g/L、甲酸钠25g/L、氯化钠25g/L、丙烯酸和甲基丙烯酸聚合物6g/L、OP乳化剂1.2g/L和后处理剂,后处理剂为12%的HCI,其余成分为去离子水,铜表面超粗化表面处理剂的配制方法为:以PH为4的缓冲溶液为介质,向其中加入60g/L的有机铜,以其内部的二价铜离子为氧化剂,搅拌均匀后依次加入质量浓度为6g/L丙烯酸和甲基丙烯酸聚合物、1.2g/LOP乳化剂以及12%的后处理剂,搅拌均匀后即可得到的铜表面超粗化表面处理剂。
经本实施例的超粗化表面处理剂处理后的铜面,其粗糙度好,均匀性好,且超粗化后的铜面颜色比较均匀,在处理的过程中没有任何晶体析出。
对比上述三个实施例,实施例2中处理剂的对铜表面的超粗化效果最好,因此最适合用于5G通信铜表面的超粗化。
该适合5G通信铜表面超粗化表面处理剂的配制方法,采用了铜面先覆盖高分子膜的网状结构,进行选择性向内打钻方式,形成铜面内粗化结构,增加粗化后微观表面积,提升与铜表面后制程覆盖绝缘层的结合力,然后使用后处理剂剥离高分子膜,同时利用后处理剂反蚀铜的功能,对粗化后的铜尖端进行切削,使尖端铜大大减少,从而使减少铜尖端放电,减少信号的损失
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (6)
1.一种适合5G通信铜表面超粗化表面处理剂的配制方法,其特征在于:所述超粗化剂以有机酸及其盐溶液形成的缓冲溶液为介质,所述缓冲溶液的PH为2-4,所述超粗化剂的溶液中包括有有机铜、甲酸、甲酸钠和氯化钠,所述超粗化剂中各组分的配比为有机铜20-60g/L、甲酸80-100g/L、甲酸钠15-25g/L、氯化钠15-25g/L、丙烯酸和甲基丙烯酸聚合物4-6g/L、OP乳化剂0.8-1.2g/L、后处理剂8-12%,其余成分为去离子水。
2.根据权利要求1所述的一种适合5G通信铜表面超粗化表面处理剂的配制方法,其特征在于:所述有机铜为甲酸铜、乙酸铜、丙酸铜乳酸铜中的一种或几种的混合物。
3.根据权利要求1所述的一种适合5G通信铜表面超粗化表面处理剂的配制方法,其特征在于:所述缓冲溶液由有机酸与碱中和形成,所述有机酸为甲酸,所述碱为氢氧化钠。
4.根据权利要求1所述的一种适合5G通信铜表面超粗化表面处理剂的配制方法,其特征在于:所述后处理剂为8-12%的HCI。
5.根据权利要求1所述的一种适合5G通信铜表面超粗化表面处理剂的配制方法,其特征在于:所述铜表面超粗化表面处理剂的配制方法为:以PH为2-4的缓冲溶液为介质,向其中加入20-60g/L的有机铜,以其内部的二价铜离子为氧化剂,搅拌均匀后依次加入质量浓度为4-6g/L丙烯酸和甲基丙烯酸聚合物、0.8-1.2g/LOP乳化剂以及8-12%的后处理剂,搅拌均匀后即可得到所述的铜表面超粗化表面处理剂。
6.根据权利要求1所述的一种适合5G通信铜表面超粗化表面处理剂的配制方法,其特征在于:该处理剂采用铜面先覆盖高分子膜的网状结构,进行选择性向内打钻方式,形成铜面内粗化结构。
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Cited By (1)
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CN114554703A (zh) * | 2022-03-18 | 2022-05-27 | 深圳市板明科技股份有限公司 | 一种印制线路板的超粗化工艺 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1629357A (zh) * | 2003-12-16 | 2005-06-22 | 清英实业有限公司 | 铜或铜合金的表面粗化剂 |
TW201042085A (en) * | 2009-04-15 | 2010-12-01 | Atotech Deutschland Gmbh | Composition and method for micro etching of copper and copper alloys |
-
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1629357A (zh) * | 2003-12-16 | 2005-06-22 | 清英实业有限公司 | 铜或铜合金的表面粗化剂 |
TW201042085A (en) * | 2009-04-15 | 2010-12-01 | Atotech Deutschland Gmbh | Composition and method for micro etching of copper and copper alloys |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
徐建平: "基于5G通信领域应用线路板用高频高速电解铜箔开发", 《世界有色金属》 * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114554703A (zh) * | 2022-03-18 | 2022-05-27 | 深圳市板明科技股份有限公司 | 一种印制线路板的超粗化工艺 |
CN114554703B (zh) * | 2022-03-18 | 2022-09-06 | 深圳市板明科技股份有限公司 | 一种印制线路板的超粗化工艺 |
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