CN111848636B - 一种电子注入材料及有机发光器件 - Google Patents

一种电子注入材料及有机发光器件 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种电子注入材料，如式(I)所示；其中，所述R1与R2各自独立地为取代或未取代的烷胺基、取代或未取代的杂环基及其衍生物基团。与现有技术相比，本发明提供的金刚烷类有机碱以金刚烷胺为核心，同时连接可传输电子类型的结构作为电子注入材料，其可与电子传输材料形成氢键，实现高的电子注入能力，其而不需要考虑电离能，并且该电子注入材料合成简单，分子稳定，在保证形成氢键的同时分子也具有柔性支链，方便制成喷墨型材料，不仅可用于蒸镀直接镀膜，还可采用喷墨形式进行器件的制作，有助于降低成本。

Description

一种电子注入材料及有机发光器件
技术领域
本发明属于有机光电材料技术领域，尤其涉及一种电子注入材料及有机发光器件。
背景技术
近年来各种新型有机半导体材料和新型有机半导体器件结构的应用，使 OLED性能和产业化都取得了重大进步，有机半导体材料与传统无机半导体材料相比有明显优势。但是，有机半导体材料尤其是电子传输材料的载流子浓度和迁移率比较低，并且有机半导体材料中电子的迁移率普遍比空穴迁移率低，如图1中 (a)所示，因此OLED中电子的注入与传输相比于空穴要困难，所以电子与空穴不能完全在复合区进行复合，限制了复合效率的提高。
提高OLED中电子的注入与传输性能是降低有机发光器件工作电压、提高器件发光效率的关键方法之一。电学掺杂常用来改善有机半导体材料载流子注入与传输性能，降低器件工作电压，提高器件的效率等。所谓的电学掺杂是在载流子发射型器件中，由于阴极的功函数(WF)与有机化合物的最低未占据分子轨道(LUMO)之间存在较大的注入势垒，从阴极注入电子通常比较困难，为了增强电子注入，增加的一种N型掺杂剂，如图1中 (b)所示。传统 N型掺杂剂的电子注入主要是通过掺杂剂向基体的电子转移来实现的。
OLED的电子注入问题始终是器件技术的瓶颈。当前最常见的做法是使用Liq体系或是碱金属，其原理是：Li+使阴极到ETL的能带弯曲使电子注入后转移至ETL上并发生传递；而碱金属则是直接将外层电子释出给到ETL进行传递，如图1中 (c)所示。
但是Liq体系的弱点是其转移效率有瓶颈，导致其注入特性不如碱金属；而且，Liq的热力学性质在G6产线上是一个非常大的考验，长时间的加热，会使liq不可避免地裂解从而影响器件寿命。而碱金属过于活泼，虽然注入特性佳，但是其在大气中不稳定，极易燃烧发生事故，因此在工厂中使用存在较大的安全隐患。
发明内容
有鉴于此，本发明要解决的技术问题在于提供一种电子注入效率好且稳定的电子注入材料及有机光电装置。
本发明提供了一种电子注入材料，如式(I)所示：
Figure BDA0002611799510000021
其中，所述R1与R2各自独立地为取代或未取代的烷胺基、取代或未取代的杂环基及其衍生物基团。所述R1与R2相同，所述电子注入材料选自下列化合物中的一种或多种：
Figure BDA0002611799510000022
Figure BDA0002611799510000031
所述R1与R2不相同，所述电子注入材料选自下列化合物中的一种或多种：
Figure BDA0002611799510000032
Figure BDA0002611799510000041
本发明还提供了一种有机发光器件，所述有机发光器件包括阳极、阴极、位于阳极和阴极之间的至少一层有机化合物层；所述有机化合物层的有机化合物包括上述的电子注入材料中的至少一种。
优选的，所述有机化合物层包括电子注入层，所述电子注入层包含上述的电子注入材料中的至少一种。
本发明还提供了一种显示面板，包括上述的有机发光器件。
本发明提供了一种电子注入材料，如式(I)所示；其中，所述R1与R2各自独立地为取代或未取代的烷胺基、取代或未取代的杂环基及其衍生物基团。与现有技术相比，本发明提供的金刚烷类有机碱以金刚烷胺为核心，同时连接可传输电子类型的结构作为电子注入材料，其可与电子传输材料形成氢键，实现高的电子注入能力，其而不需要考虑电离能，并且该电子注入材料合成简单，分子稳定，在保证形成氢键的同时分子也具有柔性支链，方便制成喷墨型材料，不仅可用于蒸镀直接镀膜，还可采用喷墨形式进行器件的制作，有助于降低成本。
附图说明
图1为有机半导体材料电子迁移示意图；
图2为本发明提供的有机发光器件的结构示意图；
图3为本发明器件实施例1～4及器件对比实施例得到的发光器件在不同电压下的电流密度曲线图；
图4为本发明器件实施例1～4及器件对比实施例得到的发光器件寿命变化曲线图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明提供了一种电子注入材料，如式(I)所示：
Figure BDA0002611799510000051
其中，所述R1与R2各自独立地为取代或未取代的烷胺基、取代或未取代的杂环基及其衍生物基团。
在本发明中，所述取代或未取代烷胺基优选取代或未取代的C1～C20的烷胺基，更优选为取代或未取代的C1～C15的烷胺基，再优选为取代或未取代的C1～C10的烷胺基，再优选为取代或未取代的C1～C6的烷胺基，最优选为取代或未取代的C2～C6的烷胺基；所述取代的烷胺基的取代基优选为卤素、氰基、C1～C10的烷胺基与C1～C10的烷氧基中的一种或多种，更优选为卤素、氰基、C1～C8的烷胺基与C1～C8的烷氧基中的一种或多种，再优选为卤素、氰基、C1～C6的烷胺基与C1～C6的烷氧基中的一种或多种，最优选为氟原子、氰基、C2～C4的烷胺基与C2～C4的烷氧基中的一种或多种；所述取代的烷胺基的取代基个数优选为1～4，更优选为1～2。
所述取代或未取代的杂环基及其衍生物基团优选取代或未取代的C2～ C40的杂环基及其衍生物基团，更优选为C2～C30的杂环基及其衍生物基团，再优选为C2～C25的杂环基及其衍生物基团，再优选为C2～C20的杂环基及其衍生物基团，再优选为C2～C15的杂环基及其衍生物基团，最优选为C2～ C12的杂环基及其衍生物基团；所述取代或未取代的杂环基及及其衍生物基团中的杂原子优选Si、S、O与N中的一种或多种，且至少包括Si或者N；在本发明中，所述杂原子为含孤对电子的元素较好，可加注氢键的形成，增强电子注入特性；所述取代或未取代的杂环基及其衍生物基团中杂原子的个数优选为1～5，更优选为2～4；所述取代或未取代的杂环基及及其衍生物基团中的N原子个数优选为1～3个；N的个数增加其相对应的碱性也会增强，碱性越强越有利于分子间的氢键结合，从而电子注入效率随之提升；所述取代的杂环基及其衍生物基团中的取代基优选为卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C10的含氮杂环基中的一种或多种，更优选为卤素、C1～C8的烷基、C1～C8的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C8的含氮杂环基中的一种或多种，再优选为卤素、C1～C6的烷基、 C1～C6的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C6的含氮杂环基中的一种或多种，最优选为氟原子、C1～C6的烷基、C1～C6的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C5的含氮杂环基中的一种或多种；所述取代的C2～C10的含氮杂环基中的取代基优选为卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基与氰基中的一种或多种，更优选为卤素、C1～C8的烷基、C1～C8的烷氧基与氰基中的一种或多种，再优选为卤素、C1～C6的烷基、C1～C6的烷氧基与氰基中的一种或多种，最优选为氟原子、C1～C6的烷基、C1～C6的烷氧基与氰基中的一种或多种；当所述取代的杂环基及其衍生物基团中的取代基为长链基团如长链烷基或长链烷氧基时，可改善分子的溶解性，含有烷烃链的分子溶解性普遍好，这有利于喷墨打印墨水的制作。
在本发明中，更优选地，所述代或未取代的杂环基及其衍生物基团为取代或未取代的噁唑及其衍生物基团、取代或未取代的噁二唑及其衍生物基团、取代或未取代的吡咯及其衍生物基团、取代或未取代的咪唑及其衍生物基团、取代或未取代的吡啶及其衍生物基团、取代或未取代的吡嗪及其衍生物基团、取代或未取代的嘧啶及其衍生物基团、取代或未取代的苯并噻唑及其衍生物基团、取代或未取代的菲啰啉及其衍生物基团、取代或未取代的喹喔啉及其衍生物基团、取代或未取代的苯并双噻唑及其衍生物基团、取代或未取代的苯并双噁唑及其衍生物基团、取代或未取代的噻咯及其衍生物基团。
按照本发明，所述取代或未取代的噁唑及其衍生物基团优选下列基团中的一种：
Figure BDA0002611799510000071
其中，m1与m2各自独立地优选为0～2的整数，更优选为0或1；
所述R3与R4各自独立地优选为卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C10的含氮杂环基中的一种，更优选为卤素、C1～C8的烷基、C1～C8的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C8的含氮杂环基中的一种，再优选为卤素、C1～C6的烷基、C1～C6的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C6的含氮杂环基中的一种，最优选为氟原子、 C1～C6的烷基、C1～C6的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C5的含氮杂环基中的一种；所述取代的C2～C10的含氮杂环基中的取代基优选为卤素、 C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基与氰基中的一种或多种，更优选为卤素、 C1～C8的烷基、C1～C8的烷氧基与氰基中的一种或多种，再优选为卤素、 C1～C6的烷基、C1～C6的烷氧基与氰基中的一种或多种，最优选为氟原子、 C1～C6的烷基、C1～C6的烷氧基与氰基中的一种或多种。
所述取代或未取代的噁二唑及其衍生物基团选自下列基团：
Figure BDA0002611799510000072
所述R5优选为卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C10的含氮杂环基中的一种，更优选为卤素、C1～C8的烷基、C1～C8的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C8的含氮杂环基中的一种，再优选为卤素、C1～C6的烷基、C1～C6的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C6的含氮杂环基中的一种，最优选为氟原子、C1～C6的烷基、C1～C6的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C5的含氮杂环基中的一种；所述取代的C2～C10的含氮杂环基中的取代基优选为卤素、C1～C10的烷基、C1～ C10的烷氧基与氰基中的一种或多种，更优选为卤素、C1～C8的烷基、C1～ C8的烷氧基与氰基中的一种或多种，再优选为卤素、C1～C6的烷基、C1～ C6的烷氧基与氰基中的一种或多种，最优选为氟原子、C1～C6的烷基、C1～ C6的烷氧基与氰基中的一种或多种。
所述取代或未取代的吡咯及其衍生物基团优选为下列基团：
Figure BDA0002611799510000081
m3为0～3的整数，更优选为0、1或2。
所述R6与R7各自独立地优选为卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C10的含氮杂环基中的一种，更优选为卤素、C1～C8的烷基、C1～C8的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C8的含氮杂环基中的一种，再优选为卤素、C1～C6的烷基、C1～C6的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C6的含氮杂环基中的一种，最优选为氟原子、 C1～C6的烷基、C1～C6的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C5的含氮杂环基中的一种；所述取代的C2～C10的含氮杂环基中的取代基优选为卤素、 C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基与氰基中的一种或多种，更优选为卤素、 C1～C8的烷基、C1～C8的烷氧基与氰基中的一种或多种，再优选为卤素、 C1～C6的烷基、C1～C6的烷氧基与氰基中的一种或多种，最优选为氟原子、 C1～C6的烷基、C1～C6的烷氧基与氰基中的一种或多种。
所述取代或未取代的咪唑及其衍生物基团优选为下列基团：
Figure BDA0002611799510000082
m4为0～2的整数，更优选为0或1。
所述R8优选为卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C10的含氮杂环基中的一种，更优选为卤素、C1～C8的烷基、C1～C8的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C8的含氮杂环基中的一种，再优选为卤素、C1～C6的烷基、C1～C6的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C6的含氮杂环基中的一种，最优选为氟原子、C1～C6的烷基、C1～ C6的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C5的含氮杂环基中的一种；所述取代的C2～C10的含氮杂环基中的取代基优选为卤素、C1～C10的烷基、C1～ C10的烷氧基与氰基中的一种或多种，更优选为卤素、C1～C8的烷基、C1～ C8的烷氧基与氰基中的一种或多种，再优选为卤素、C1～C6的烷基、C1～ C6的烷氧基与氰基中的一种或多种，最优选为氟原子、C1～C6的烷基、C1～ C6的烷氧基与氰基中的一种或多种。
所述取代或未取代的吡啶及其衍生物基团优选为下列基团中的一种：
Figure BDA0002611799510000091
m5为0～4的整数，更优选为0～3的整数，再优选为0、1或2；
所述R9优选为卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C10的含氮杂环基中的一种，更优选为卤素、C1～C8的烷基、C1～C8的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C8的含氮杂环基中的一种，再优选为卤素、C1～C6的烷基、C1～C6的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C6的含氮杂环基中的一种，最优选为氟原子、C1～C6的烷基、C1～ C6的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C5的含氮杂环基中的一种；所述取代的C2～C10的含氮杂环基中的取代基优选为卤素、C1～C10的烷基、C1～ C10的烷氧基与氰基中的一种或多种，更优选为卤素、C1～C8的烷基、C1～ C8的烷氧基与氰基中的一种或多种，再优选为卤素、C1～C6的烷基、C1～ C6的烷氧基与氰基中的一种或多种，最优选为氟原子、C1～C6的烷基、C1～ C6的烷氧基与氰基中的一种或多种。
所述取代或未取代的吡嗪及其衍生物基团优选为下列基团中的一种：
Figure BDA0002611799510000092
m6优选为0～3的整数，更优选为0～2的整数，再优选为0或1；m7与 m7'各自独立地优选为0～5的整数，更优选为0～4的整数，再优选为0～3的整数，最优选为0、1或2。
所述R10、R11与R11'各自独立地优选为卤素、C1～C10的烷基、C1～C10 的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C10的含氮杂环基中的一种，更优选为卤素、C1～C8的烷基、C1～C8的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C8 的含氮杂环基中的一种，再优选为卤素、C1～C6的烷基、C1～C6的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C6的含氮杂环基中的一种，最优选为氟原子、 C1～C6的烷基、C1～C6的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C5的含氮杂环基中的一种；所述取代的C2～C10的含氮杂环基中的取代基优选为卤素、 C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基与氰基中的一种或多种，更优选为卤素、 C1～C8的烷基、C1～C8的烷氧基与氰基中的一种或多种，再优选为卤素、 C1～C6的烷基、C1～C6的烷氧基与氰基中的一种或多种，最优选为氟原子、 C1～C6的烷基、C1～C6的烷氧基与氰基中的一种或多种。
所述取代或未取代的嘧啶及其衍生物基团优选为下列基团中的一种：
Figure BDA0002611799510000101
m8优选为0～3的整数，更优选为0～2的整数，再优选为0或1；m9、 m10与m10'各自独立地优选为0～5的整数，更优选为0～4的整数，再优选为0～ 3整数，最优选为0、1或2。
所述R12～R14与R14'各自独立地优选为卤素、C1～C10的烷基、C1～C10 的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C10的含氮杂环基中的一种，更优选为卤素、C1～C8的烷基、C1～C8的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C8 的含氮杂环基中的一种，再优选为卤素、C1～C6的烷基、C1～C6的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C6的含氮杂环基中的一种，最优选为氟原子、 C1～C6的烷基、C1～C6的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C5的含氮杂环基中的一种；所述取代的C2～C10的含氮杂环基中的取代基优选为卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基与氰基中的一种或多种，更优选为卤素、 C1～C8的烷基、C1～C8的烷氧基与氰基中的一种或多种，再优选为卤素、 C1～C6的烷基、C1～C6的烷氧基与氰基中的一种或多种，最优选为氟原子、 C1～C6的烷基、C1～C6的烷氧基与氰基中的一种或多种。
所述取代或未取代的苯并噻唑及其衍生物基团优选为下列基团中的一种：
Figure BDA0002611799510000111
m11与m12各自独立地优选为0～4的整数，更优选为0～3的整数，再优选为0、1或2。
所述R15与R16各自独立地优选为卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C10的含氮杂环基中的一种，更优选为卤素、C1～C8的烷基、C1～C8的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C8的含氮杂环基中的一种，再优选为卤素、C1～C6的烷基、C1～C6的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C6的含氮杂环基中的一种，最优选为氟原子、C1～C6的烷基、C1～C6的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C5的含氮杂环基中的一种；所述取代的C2～C10的含氮杂环基中的取代基优选为卤素、 C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基与氰基中的一种或多种，更优选为卤素、 C1～C8的烷基、C1～C8的烷氧基与氰基中的一种或多种，再优选为卤素、 C1～C6的烷基、C1～C6的烷氧基与氰基中的一种或多种，最优选为氟原子、 C1～C6的烷基、C1～C6的烷氧基与氰基中的一种或多种。
所述取代或未取代的菲啰啉及其衍生物基团优选为下列基团：
Figure BDA0002611799510000112
m13优选为0～7的整数，更优选为0～6的整数，再优选为0～5的整数，再优选为0～4的整数，再优选为0～3的整数，最优选为0、1或2。
所述R17优选为卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C10的含氮杂环基中的一种，更优选为卤素、C1～C8的烷基、C1～C8的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C8的含氮杂环基中的一种，再优选为卤素、C1～C6的烷基、C1～C6的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C6的含氮杂环基中的一种，最优选为氟原子、C1～C6的烷基、C1～ C6的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C5的含氮杂环基中的一种；所述取代的C2～C10的含氮杂环基中的取代基优选为卤素、C1～C10的烷基、C1～ C10的烷氧基与氰基中的一种或多种，更优选为卤素、C1～C8的烷基、C1～ C8的烷氧基与氰基中的一种或多种，再优选为卤素、C1～C6的烷基、C1～ C6的烷氧基与氰基中的一种或多种，最优选为氟原子、C1～C6的烷基、C1～ C6的烷氧基与氰基中的一种或多种。
所述取代或未取代的喹喔啉及其衍生物基团优选为下列基团：
Figure BDA0002611799510000121
m14优选为0～5的整数，更优选为0～4的整数，再优选为0～3的整数，最优选为0、1或2。
所述R18优选为卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C10的含氮杂环基中的一种，更优选为卤素、C1～C8的烷基、C1～C8的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C8的含氮杂环基中的一种，再优选为卤素、C1～C6的烷基、C1～C6的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C6的含氮杂环基中的一种，最优选为氟原子、C1～C6的烷基、C1～ C6的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C5的含氮杂环基中的一种；所述取代的C2～C10的含氮杂环基中的取代基优选为卤素、C1～C10的烷基、C1～ C10的烷氧基与氰基中的一种或多种，更优选为卤素、C1～C8的烷基、C1～ C8的烷氧基与氰基中的一种或多种，再优选为卤素、C1～C6的烷基、C1～ C6的烷氧基与氰基中的一种或多种，最优选为氟原子、C1～C6的烷基、C1～ C6的烷氧基与氰基中的一种或多种。
所述取代或未取代的苯并双噻唑及其衍生物基团优选为下列基团：
Figure BDA0002611799510000131
m15优选为0～3的整数，更优选为0～2的整数，再优选为0或1。
所述R19优选为卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C10的含氮杂环基中的一种，更优选为卤素、C1～C8的烷基、C1～C8的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C8的含氮杂环基中的一种，再优选为卤素、C1～C6的烷基、C1～C6的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C6的含氮杂环基中的一种，最优选为氟原子、C1～C6的烷基、C1～ C6的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C5的含氮杂环基中的一种；所述取代的C2～C10的含氮杂环基中的取代基优选为卤素、C1～C10的烷基、C1～ C10的烷氧基与氰基中的一种或多种，更优选为卤素、C1～C8的烷基、C1～ C8的烷氧基与氰基中的一种或多种，再优选为卤素、C1～C6的烷基、C1～ C6的烷氧基与氰基中的一种或多种，最优选为氟原子、C1～C6的烷基、C1～ C6的烷氧基与氰基中的一种或多种。
所述取代或未取代的苯并双噁唑及其衍生物基团优选为下列基团：
Figure BDA0002611799510000132
m16优选为0～3的整数，更优选为0～2的整数，再优选为0或1。
所述R20优选为卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C10的含氮杂环基中的一种，更优选为卤素、C1～C8的烷基、C1～C8的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C8的含氮杂环基中的一种，再优选为卤素、C1～C6的烷基、C1～C6的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C6的含氮杂环基中的一种，最优选为氟原子、C1～C6的烷基、C1～ C6的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C5的含氮杂环基中的一种；所述取代的C2～C10的含氮杂环基中的取代基优选为卤素、C1～C10的烷基、C1～ C10的烷氧基与氰基中的一种或多种，更优选为卤素、C1～C8的烷基、C1～ C8的烷氧基与氰基中的一种或多种，再优选为卤素、C1～C6的烷基、C1～ C6的烷氧基与氰基中的一种或多种，最优选为氟原子、C1～C6的烷基、C1～ C6的烷氧基与氰基中的一种或多种。
所述取代或未取代的噻咯及其衍生物基团优选为下列基团：
Figure BDA0002611799510000141
m17为0～3的整数，更优选为0～2的整数，再优选为0或1；m18优选为 0～4的整数，更优选为0～3的整数，再优选为0～2的整数，最优选为0或1。
所述R21～R26优选为卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C10的含氮杂环基中的一种，更优选为卤素、C1～C8 的烷基、C1～C8的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C8的含氮杂环基中的一种，再优选为卤素、C1～C6的烷基、C1～C6的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C6的含氮杂环基中的一种，最优选为氟原子、C1～C6的烷基、 C1～C6的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C5的含氮杂环基中的一种；所述取代的C2～C10的含氮杂环基中的取代基优选为卤素、C1～C10的烷基、 C1～C10的烷氧基与氰基中的一种或多种，更优选为卤素、C1～C8的烷基、 C1～C8的烷氧基与氰基中的一种或多种，再优选为卤素、C1～C6的烷基、 C1～C6的烷氧基与氰基中的一种或多种，最优选为氟原子、C1～C6的烷基、 C1～C6的烷氧基与氰基中的一种或多种。
按照本发明，所述R1与R2可以相同，也可以不同；当官能团不对称第一是可有效增强材料的溶解性，若后面实现喷墨打印可据此特性研究相关墨水，第二不对称结构可使电子注入材料溶解性降低，在Mask清洗过程中可提高清洗效率及清洗质量。
最优选地，当所述R1与R2相同时，所述电子注入材料选自下列化合物中的一种或多种：
Figure BDA0002611799510000142
Figure BDA0002611799510000151
Figure BDA0002611799510000161
当R1与R2不相同，所述电子注入材料选自下列化合物中的一种或多种：
Figure BDA0002611799510000162
Figure BDA0002611799510000171
本发明提供的金刚烷类有机碱以金刚烷胺为核心，同时连接可传输电子类型的结构作为电子注入材料，其可与电子传输材料形成氢键，实现高的电子注入能力，其而不需要考虑电离能，并且该电子注入材料合成简单，分子稳定，在保证形成氢键的同时分子也具有柔性支链，方便制成喷墨型材料，不仅可用于蒸镀直接镀膜，还可采用喷墨形式进行器件的制作，有助于降低成本。
本发明还提供了一种上述电子注入材料的制备方法，包括：式(II)所示的化合物与式(III)所示的化合物反应，得到R1与R2取代基相同的式(I) 所示的化合物；
或者，将式(II)所示的化合物先与式(III)所示的化合物反应，再与式 (IV)所示的化合物反应，得到R1与R2取代基不同的式(I)所示的化合物；
或者，将式(II)所示的化合物先与式(IV)所示的化合物反应，再与式 (III)所示的化合物反应，得到R1与R2取代基不同的式(I)所示的化合物。
Figure BDA0002611799510000172
其中，X为卤素，优选为Br；所述R1与R2均同上所述，在此不再赘述。
本发明还提供了一种有机发光器件，所述有机发光器件包括阳极、阴极、位于阳极和阴极之间的至少一层有机化合物层；所述有机化合物层的有机化合物包括上述式(I)所示的电子注入材料中的至少一种；所述有机化合物层优选还包括可与式(I)所示的电子注入材料形成分子间氢键的电子传输型有机材料；其优选与式(I)所示的电子注入材料共同掺杂同时镀膜形成有机化合物层。
参见图2，图2为本发明提供的有机发光器件的结构示意图，其中1为玻璃或其他适合材质(如塑料)做成的基底；2为ITO或IGZO等透明阳极；3 为有机化合物层；4为金属阴极。
优选地，所述有机化合物层还包括电子注入层，所述电子注入层包含上述式(I)所示的电子注入材料中的至少一种。
优选地，所述有机化合物层优选包括依次设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层与电子注入层；所述电子注入层优选包括夹层与金属氧化物；所述夹层包括上述式(I)所示的电子注入材料的至少一种，优选还包括可与式(I)所示的电子注入材料形成分子间氢键的电子传输型有机材料，如OXD-7。
本发明还提供了一种显示面板，包括上述的有机发光器件；所述有机发光器件包括阳极、阴极、位于阳极和阴极之间的发光层，其中所述发光层的主体材料或客体材料为本发明所述的化合物中的一种或多种。
根据本发明所述显示面板的一个实施方式，所述有机发光器件还包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层中的一层或多层。
在本发明所述显示面板的一个实施方式中，有机发光器件(OLED)的结构如图2示意性地示出。其中，1为玻璃或其他适合材质(如塑料)做成的基底(substrate)；2为ITO或IGZO等透明阳极；3为有机膜层(包括发光层)； 4为金属阴极，共同构成一个完整的OLED器件。两个电极2和4可以互换。
在本发明提供的显示面板中，有机发光器件的阳极材料可以选自金属例如铜、金、银、铁、铬、镍、锰、钯、铂等及它们的合金。阳极材料也可以选自金属氧化物如氧化铟、氧化锌、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等；阳极材料还可以选自导电性聚合物例如聚苯胺、聚吡咯、聚(3-甲基噻吩)等。此外，阳极材料还可以选自除以列举的阳极材料以外的有助于空穴注入的材料及其组合，其包括已知的适合做阳极的材料。
在本发明提供的显示面板中，有机发光器件的阴极材料可以选自金属例如铝、镁、银、铟、锡、钛等及它们的合金。阴极材料也可以选自多层金属材料例如LiF/Al、LiO2/Al、BaF2/Al等。除了以上列举的阴极材料以外，阴极材料还可以是有助于电子注入的材料及其组合，包括已知的适合做阴极的材料。
有机发光器件可以按照本领域公知的方法进行制作，在此不再详述。在本发明中，有机发光器件可以这样制作：在透明或不透明的光滑的基板上形成阳极，在阳极上形成有机薄层，在有机薄层上形成阴极。有机薄层的形成可以采用如蒸镀、溅射、旋涂、浸渍、离子镀等已知的成膜方法。
在本发明中，如无特殊说明，#表示连接键的位置。
为了进一步说明本发明，以下结合实施例对本发明提供的一种电子注入材料及有机发光器件进行详细描述。
以下实施例中所用的试剂均为市售。
实施例1
电子注入材料M1的制备方法包括以下步骤：
(1)
Figure BDA0002611799510000191
将化合物1 100g(714.28mmol)加入3L三颈烧瓶中，加入1L乙醚溶液，搅拌。后量取溴素76.46mL(1499.98mmol)至恒压滴液漏斗中，溴素液面用10mL水封，缓慢滴加至反应液中，待滴加完成后，室温搅拌6h。反应结束后，向反应液中加入500mL饱和NaCl淬灭反应，然后用二氯甲烷(1L) 萃取有机相，有机相再用饱和NaHSO3萃取两次，最后再用饱和食盐水萃取一次。收集有机相加入无水硫酸镁搅拌，过滤，收集滤液旋蒸去除溶剂，柱层析方法(流动相正己烷：乙酸乙酯＝20:1)纯化产物，得到透明晶体即为化合物A 96.38g(324.5mmol)，收率45.4％。
利用高分辨质谱对化合物A进行分析，得到HRMS(ESI):m/z:297.92。
利用核磁共振对化合物A进行分析，得到1H NMR(500MHz,Chloroform) δ5.51(s,1H),4.70(d,J＝50.0Hz,4H)；
得到13C NMR(125MHz,Common NMR Solvents)δ70.62,70.40,69.58。
(2)
Figure BDA0002611799510000192
将化合物A 20g(67.13mmol)，二甲基胺6.34g(140.9mmol)依次加入三颈烧瓶中，加入200mL甲苯溶液，搅拌均匀。氮气置换三次，在氮气氛围下加入碘化亚铜1.27g(6.713mmol)、1,10-菲啰啉25.36g(140.9mmol)，加完后氮气置换三次，80℃搅拌12h。反应结束冷却到室温，用200mL饱和 NaHSO3淬灭反应，后用二氯甲烷(150mL)萃取有机相，有机相再用饱和 NaHSO3萃取两次，最后再用饱和食盐水萃取一次。收集有机相加入无水硫酸镁搅拌，过滤，收集滤液旋蒸去除溶剂，柱层析方法(流动相正己烷：二氯甲烷＝20:1)纯化产物，得到白色固体即为化合物M1 9.6g(42.4mmol)，收率63.2％。
利用高分辨质谱对化合物M1进行分析，得到HRMS(ESI):m/z:227。
利用核磁共振对化合物M1进行分析，得到1H NMR(500MHz, Chloroform)δ4.70(q,J＝24.9Hz,4H),3.85(s,1H),2.26(s,6H)；
得到13C NMR(125MHz,Common NMR Solvents)δ68.24,68.19,64.39, 38.79。
实施例2
电子注入材料M11的制备方法包括以下步骤：
Figure BDA0002611799510000201
将化合物A 20g(67.13mmol)，化合物2 33.11g(140.9mmol)依次加入三颈烧瓶中，加入200mL甲苯溶液，搅拌均匀。氮气置换三次，在氮气氛围下加入醋酸钯0.15g(6.713mmol)、碳酸钾19.44g(140.9mmol)，加完后氮气置换三次，120℃搅拌6h。反应结束冷却到室温，用200mL饱和NaHSO3淬灭反应，后用二氯甲烷(150mL)萃取有机相，有机相再用饱和NaHSO3萃取两次，最后再用饱和食盐水萃取一次，收集有机相加入无水硫酸镁搅拌，过滤，收集滤液旋蒸去除溶剂，重结晶提纯化产物。得到白色固体即为化合物M11 12.3g(34.7mmol)，收率51.8％。
利用高分辨质谱对化合物M11进行分析，得到HRMS(ESI):m/z:355。
利用核磁共振对化合物M11进行分析，得到1H NMR(500MHz, Chloroform)δ8.59(d,J＝15.0Hz,2H),7.54(dd,J＝15.0,2.9Hz,2H),6.79(d,J ＝3.1Hz,2H),4.88(s,2H),4.78(s,1H),4.73(s,3H),4.67(s,3H),4.62(s,1H), 3.79(s,6H)；
得到13C NMR(125MHz,Common NMR Solvents)δ166.80,155.83, 148.17,107.29,103.69,83.59,69.54,69.19,67.56,56.08。
实施例3
电子注入材料M12的制备方法包括以下步骤：
Figure BDA0002611799510000211
将化合物A 20g(67.13mmol)，化合物3 45g(140.9mmol)依次加入三颈烧瓶中，加入200mL甲苯溶液，搅拌均匀。氮气置换三次，在氮气氛围下加入醋酸钯0.15g(6.713mmol)、碳酸钾19.44g(140.9mmol)，加完后氮气置换三次，120℃搅拌10h。反应结束冷却到室温，用200mL饱和NaHSO3淬灭反应，后用二氯甲烷(150mL)萃取有机相，有机相再用饱和NaHSO3萃取两次，最后再用饱和食盐水萃取一次，收集有机相加入无水硫酸镁搅拌，过滤，收集滤液旋蒸去除溶剂，柱层析方法(流动相正己烷：二氯甲烷＝8:1) 纯化产物。得到淡黄色固体即为化合物M3 12.6g(24mmol)，收率35.8％。
利用高分辨质谱对化合物M12进行分析，得到HRMS(ESI):m/z:525。
利用核磁共振对化合物M12进行分析，得到1H NMR(500MHz, Chloroform)δ4.70(q,J＝24.9Hz,2H),4.12-3.98(m,2H),3.64(t,J＝12.8Hz, 2H),3.57-3.43(m,2H),3.32-3.23(m,4H),2.75(t,J＝14.5Hz,4H),1.68-1.49(m, 1H),1.38-1.12(m,5H),0.99-0.83(m,2H)。
得到13C NMR(125MHz,Common NMR Solvents)δ163.89,68.08,67.38, 65.19,56.14,51.27,48.01,36.04,34.13,31.59,26.44,26.31,23.16,19.48,14.00。
实施例4
电子注入材料M18的制备方法包括以下步骤：
(1)
Figure BDA0002611799510000221
将化合物A 20g(67.13mmol)，化合物4 22.54g(70.45mmol)依次加入三颈烧瓶中，加入200mL甲苯溶液，搅拌均匀。氮气置换三次，在氮气氛围下加入醋酸钯0.15g(6.713mmol)、碳酸钾19.44g(140.9mmol)，加完后氮气置换三次，120℃搅拌10h。反应结束冷却到室温，用200mL饱和 NaHSO3淬灭反应，后用二氯甲烷(150mL)萃取有机相，有机相再用饱和 NaHSO3萃取两次，最后再用饱和食盐水萃取一次，收集有机相加入无水硫酸镁搅拌，过滤，收集滤液旋蒸去除溶剂，柱层析方法(流动相正己烷：二氯甲烷＝8:1)纯化产物。得到淡黄色油状物即为化合物5 12.6g(30.65mmol)，收率45.3％。
利用高分辨质谱对化合物5进行分析，得到HRMS(ESI):m/z:411。
利用核磁共振对化合物5进行分析，得到1H NMR(500MHz,Chloroform) δ5.10(s,1H),4.70(dd,J＝51.5,12.5Hz,3H),4.33(d,J＝9.1Hz,1H),4.24(dt,J ＝9.2,3.3Hz,1H),3.79-3.69(m,2H),3.20(t,J＝6.4Hz,1H),2.75(t,J＝7.3Hz, 2H),1.60(td,J＝7.9,5.0Hz,2H),1.32-1.11(m,10H),0.97-0.36(m,3H)。
得到13C NMR(125MHz,Common NMR Solvents)δ163.89,69.58,68.41, 67.62,65.79,56.14,51.94,48.01,36.04,34.13,31.59,26.44,26.31,23.16,19.48, 14.00。
Figure BDA0002611799510000222
将化合物5 12.6g(30.65mmol)，化合物2 7.92g(33.74mmol)依次加入三颈烧瓶中，加入200mL甲苯溶液，搅拌均匀。氮气置换三次，在氮气氛围下加入醋酸钯0.68g(3.06mmol)、碳酸钾8.45g(61.3mmol)，加完后氮气置换三次，120℃搅拌12h。反应结束冷却到室温，用200mL饱和NaHSO3淬灭反应，后用二氯甲烷(150mL)萃取有机相，有机相再用饱和NaHSO3萃取两次，最后再用饱和食盐水萃取一次。收集有机相加入无水硫酸镁搅拌，过滤，收集滤液旋蒸去除溶剂。重结晶提纯得到白色固体粉末即为化合物M18 6.3g(14.35mmol)，收率24.6％。
利用高分辨质谱对化合物M18进行分析，得到HRMS(ESI):m/z:440。
利用核磁共振对化合物M18进行分析，得到1H NMR(500MHz, Chloroform)δ8.40-8.36(m,1H),8.31-8.27(m,1H),7.43(t,J＝3.0Hz,1H),5.30 (s,1H),4.70(q,J＝24.9Hz,8H),4.00(dt,J＝18.5,14.8Hz,1H),3.92(s,1H), 3.62-3.42(m,3H),3.36(d,J＝18.3Hz,1H),2.73(t,J＝14.0Hz,2H),1.67-1.54 (m,2H),1.43(dt,J＝24.9,14.9Hz,1H),1.36-1.17(m,8H),0.96-0.73(m,2H)。
得到13C NMR(125MHz,Common NMR Solvents)δ163.89,154.39, 142.18,134.85,133.52,127.01,88.62,68.97,68.74,67.81,66.95,56.14,56.08, 51.27,48.01,36.04,34.13,31.59,26.44,26.31,23.16,19.48,14.00。
下面的器件实施例1至器件实施例4提供了示例性的器件实施例，用于说明本发明在有机发明显示面板的电子注入层中的实际应用。
器件实施例1
将具有膜厚为100nm的ITO薄膜的阳极基板用蒸馏水、丙酮、异丙醇超声清洗并放入烘箱干燥，通过UV处理表面30分钟，然后移至真空蒸镀腔中。在真空度为2×10-6Pa下开始蒸镀各层薄膜，蒸镀5nm厚的PSS形成空穴注入层，蒸镀40nm厚的PEDOT：PSS(PEDOT的掺杂比为3％)，然后蒸镀20nm 厚的TAPC形成空穴传输层(HTL)。在空穴传输层上，将3,3'-二(N-咔唑基)-1,1'- 联苯(mCBP)作为发光层的主体材料，搭配4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯作为客体材料，同时蒸镀该客体材料和主体材料，形成35nm厚的发光层，客体材料的掺杂比8％。然后在发光层上蒸镀用本发明的金刚烷胺类化合物M1作为电子注入层的掺杂材料，OXD-7作为主体材料，同时蒸镀该掺杂材料和主体材料(M1的掺杂比为10％)，形成50nm厚的ETL。在电子传输层上依次蒸镀10nmLiF，100nm厚的Al作为电子注入层(EIL)和阴极，从而制成有机发光显示装置。
如上所述，以本发明的金刚烷胺化合物M1为例，将其作为电子注入层，得到的发光器件D1的结构如下：
ITO(100nm)/PEDOT:PSS(40nm,3％)/TAPC(20nm)/mCBP:DPAVBi(35nm, 8％)/OXD-7：M1(50nm,10％)/LiF(10nm)/Al(100nm)。
器件实施例2
与器件实施例1的区别在于，将化合物M1替换为化合物M11，其它制备步骤均与器件实施例1中相应步骤相同。
器件实施例3
与器件实施例1的区别在于，将化合物M1替换为化合物M15，其它制备步骤均与器件实施例1中相应步骤相同。
器件实施例4
与器件实施例1的区别在于，将化合物M1替换为化合物M3，其它制备步骤均与器件实施例1中相应步骤相同。
在上述发光器件的结构的基础上，将上述发光器件中的金刚烷胺类化合物M1替换为M11、M15、M3，得到发光器件D2、D3、D4。
器件对比实施例
作为对比，在上述发光器件的结构的基础上，将上述发光器件中的电子注入层化合物M1替换为Mref(化合物LiQ)，作为对比化合物，设计对比器件Dref，其中LiQ与OXD-7结构如下所示。
Figure BDA0002611799510000241
用Keithley 2365A数字纳伏表测试OLED器件在不同电压下的电流，然后用电流除以发光面积得到OLED器件在不同电压下的电流密度；用Konicaminolta CS-2000分光辐射亮度计测试OLED器件在不同电压下的亮度和辐射能流密度；根据OLED器件在不同电压下的电流密度和亮度，得到在相同电流密度(10mA/cm2)下的工作电压和电流效率CE(10mA/cm 2 )(cd/A)， Von为亮度1cd/m2下的启亮电压；通过测量OLED器件的亮度达到初始亮度的96％时的时间而获得寿命LT96(在50mA/cm2测试条件下)；含有本发明氮杂环化合物M1、M11、M15、M3的发光器件D1、D2、D3、D4以及含有化合物Mref的对比器件Dref.的性能数据如下表1所示；得到不同电压下器件的电流密度曲线，如图3所示；得到器件寿命变化曲线，如图4所示。由图3可知，本发明提供的电子注入材料随电压升高，电流密度增长明显，说明该材料能较好地与Host形成氢键，增加电子注入效率。
表1发光器件性能检测数据
Figure BDA0002611799510000251

Claims (6)

1.一种电子注入材料，其特征在于，如式(I)所示：
Figure FDA0003367452280000011
其中，所述R1与R2相同；所述R1与R2为取代的烷胺基、取代或未取代的杂环基；
所述取代的烷胺基选自取代或未取代的C1～C20的烷胺基；所述取代的烷胺基的取代基选自卤素、氰基、C1～C10的烷胺基与C1～C10的烷氧基中的一种或多种；
所述取代的杂环基中的取代基选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C10的含氮杂环基中的一种或多种；所述取代的C2～C10的含氮杂环基中的取代基选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基与氰基中的一种或多种；
所述取代或未取代的杂环基选自取代或未取代的噁唑、取代或未取代的噁二唑、取代或未取代的吡咯、取代或未取代的咪唑、取代或未取代的吡啶、取代或未取代的吡嗪、取代或未取代的嘧啶、取代或未取代的苯并噻唑、取代或未取代的菲啰啉、取代或未取代的喹喔啉、取代或未取代的苯并双噻唑、取代或未取代的苯并双噁唑、取代或未取代的噻咯或以下所示基团中的一种：
Figure FDA0003367452280000012
m2为0～2的整数；
R4选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C10的含氮杂环基中的一种；所述取代的C2～C10的含氮杂环基中的取代基选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基与氰基中的一种或多种；
m7与m7'各自独立地为0～5的整数；
R11与R11'各自独立地选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C10的含氮杂环基中的一种；所述取代的C2～C10的含氮杂环基中的取代基选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基与氰基中的一种或多种；
m9、m10与m10'各自独立地为0～5的整数；
R13、R14与R14'各自独立地选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C10的含氮杂环基中的一种；所述取代的C2～C10的含氮杂环基中的取代基选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基与氰基中的一种或多种；
m12为0～4的整数；
R16选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C10的含氮杂环基中的一种；所述取代的C2～C10的含氮杂环基中的取代基选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基与氰基中的一种或多种；
m18为0～4的整数；
R24～R26选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C10的含氮杂环基中的一种；所述取代的C2～C10的含氮杂环基中的取代基选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基与氰基中的一种或多种。
2.根据权利要求1所述的电子注入材料，其特征在于，所述取代或未取代的噁唑选自下列基团中的一种：
Figure FDA0003367452280000021
其中，m1为0～2的整数；
所述R3选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C10的含氮杂环基中的一种；所述取代的C2～C10的含氮杂环基中的取代基选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基与氰基中的一种或多种；
所述取代或未取代的噁二唑选自下列基团：
Figure FDA0003367452280000031
所述R5选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C10的含氮杂环基中的一种；所述取代的C2～C10的含氮杂环基中的取代基选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基与氰基中的一种或多种；
所述取代或未取代的吡咯选自下列基团：
Figure FDA0003367452280000032
m3为0～3的整数；
所述R6与R7各自独立地选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C10的含氮杂环基中的一种；所述取代的C2～C10的含氮杂环基中的取代基选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基与氰基中的一种或多种；
所述取代或未取代的咪唑选自下列基团：
Figure FDA0003367452280000033
m4为0～2的整数；
所述R8选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C10的含氮杂环基中的一种；所述取代的C2～C10的含氮杂环基中的取代基选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基与氰基中的一种或多种；
所述取代或未取代的吡啶选自下列基团中的一种：
Figure FDA0003367452280000041
m5为0～4的整数；
所述R9选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C10的含氮杂环基中的一种；所述取代的C2～C10的含氮杂环基中的取代基选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基与氰基中的一种或多种；
所述取代或未取代的吡嗪选自下列基团中的一种：
Figure FDA0003367452280000042
m6为0～3的整数；
所述R10选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C10的含氮杂环基中的一种；所述取代的C2～C10的含氮杂环基中的取代基选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基与氰基中的一种或多种；
所述取代或未取代的嘧啶选自下列基团中的一种：
Figure FDA0003367452280000043
m8为0～3的整数；
所述R12卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C10的含氮杂环基中的一种；所述取代的C2～C10的含氮杂环基中的取代基选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基与氰基中的一种或多种；
所述取代或未取代的苯并噻唑选自下列基团中的一种：
Figure FDA0003367452280000044
m11为0～4的整数；
所述R15选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C10的含氮杂环基中的一种；所述取代的C2～C10的含氮杂环基中的取代基选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基与氰基中的一种或多种；
所述取代或未取代的菲啰啉选自下列基团：
Figure FDA0003367452280000051
m13为0～7的整数；
所述R17选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C10的含氮杂环基中的一种；所述取代的C2～C10的含氮杂环基中的取代基选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基与氰基中的一种或多种；
所述取代或未取代的喹喔啉选自下列基团：
Figure FDA0003367452280000052
m14为0～5的整数；
所述R18选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C10的含氮杂环基中的一种；所述取代的C2～C10的含氮杂环基中的取代基选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基与氰基中的一种或多种；
所述取代或未取代的苯并双噻唑选自下列基团：
Figure FDA0003367452280000053
m15为0～3的整数；
所述R19选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C10的含氮杂环基中的一种；所述取代的C2～C10的含氮杂环基中的取代基选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基与氰基中的一种或多种；
所述取代或未取代的苯并双噁唑选自下列基团：
Figure FDA0003367452280000061
m16为0～3的整数；
所述R20选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C10的含氮杂环基中的一种；所述取代的C2～C10的含氮杂环基中的取代基选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基与氰基中的一种或多种；
所述取代或未取代的噻咯选自下列基团：
Figure FDA0003367452280000062
m17为0～3的整数；
所述R21～R23选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C10的含氮杂环基中的一种；所述取代的C2～C10的含氮杂环基中的取代基选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基与氰基中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的电子注入材料，其特征在于，所述R1与R2相同，所述电子注入材料选自下列化合物中的一种或多种：
Figure FDA0003367452280000063
Figure FDA0003367452280000071
Figure FDA0003367452280000081
4.一种有机发光器件，其特征在于，所述有机发光器件包括阳极、阴极、位于阳极和阴极之间的至少一层有机化合物层；所述有机化合物层的有机化合物包括权利要求1～3任一项所述的电子注入材料中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的有机发光器件，其特征在于，所述有机化合物层包括电子注入层，所述电子注入层包含权利要求1～3任一项所述的电子注入材料中的至少一种。
6.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求4～5任意一项所述的有机发光器件。
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