CN111834454A - 一种具有自对准源漏电极的氮化镓晶体管及其制备方法 - Google Patents
一种具有自对准源漏电极的氮化镓晶体管及其制备方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明涉及一种具有自对准源漏电极的氮化镓晶体管及其制备方法，其中，具有自对准源漏电极的氮化镓晶体管包括：衬底、复合缓冲区、沟道层、复合势垒区、源极、漏极和栅极，其中，栅极包括栅脚和栅头，栅头的宽度大于栅脚的宽度；源极靠近栅极的侧面与栅头的第一侧面位于同一垂直平面内；漏极靠近栅极的侧面与栅头的第二侧面位于同一垂直平面内。本发明的具有自对准源漏电极的氮化镓晶体管，通过源极、漏极与栅极的自对准，实现了与栅头宽度尺寸类似的源漏间距，最大程度的减小了源漏间距，降低了晶体管的源极接入电阻和漏极接入电阻，从而减小了晶体管的功率损耗和提高了晶体管的频率特性。
Description
技术领域
本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种具有自对准源漏电极的氮化镓晶体管及其制备方法。
背景技术
半导体射频器件在通信技术、雷达、卫星等方面有着广泛的用处。用于射频器件的半导体材料，主要有第一代半导体硅体系的材料、第二代半导体砷化镓/磷化铟体系的材料和第三代半导体氮化镓基的材料。其中，氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT，High ElectronMobility Transistor)具有高输出功率密度、高效率、耐高温、抗辐照等优异性能，成为面向雷达、卫星、通信系统基站和终端等领域应用的核心射频器件。
随着雷达系统和通信系统对通信容量需求的进一步加大，雷达和通信系统的载波频率逐渐向毫米波甚至亚毫米波、太赫兹等更高的频段发展，对半导体射频器件的工作频率的要求也进一步提高。在常规的氮化镓高电子迁移率晶体管中，由于栅极与源极、栅极与漏极之间存在一定的间距，限制了晶体管导通电阻的降低，从而限制了器件工作频率的进一步提升。现有的缩短栅极与源极、栅极与漏极之间间距的工艺技术存在制造成本高、寄生较大等缺点。
发明内容
为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种具有自对准源漏电极的氮化镓晶体管及其制备方法。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：
本发明提供了一种具有自对准源漏电极的氮化镓晶体管，包括：
自下而上依次设置的衬底、复合缓冲区、沟道层和复合势垒区，所述沟道层和所述复合势垒区之间存在二维电子气沟道；
源极，设置在所述复合势垒区和所述沟道层内部；
漏极，设置在所述复合势垒区和所述沟道层内部，且与所述源极间隔设置；
栅极，设置在所述复合势垒区上，且位于所述源极和所述漏极之间，所述栅极包括栅脚和栅头，其中，
所述栅脚设置在所述复合势垒区上；
所述栅头设置在所述栅脚上，所述栅头的宽度大于所述栅脚的宽度；
所述源极靠近所述栅极的侧面与所述栅头的第一侧面位于同一垂直平面内；
所述漏极靠近所述栅极的侧面与所述栅头的第二侧面位于同一垂直平面内。
在本发明的一个实施例中，所述源极和所述漏极的底端位于所述沟道层中，所述源极和所述漏极的顶端与所述复合势垒区的表面平齐或超出所述复合势垒区。
在本发明的一个实施例中，所述衬底为高阻硅、半绝缘碳化硅、半绝缘蓝宝石、半绝缘金刚石、或半绝缘氮化铝材料，其厚度为50-1500μm，所述高阻硅的电阻率为1000-30000Ωcm，晶向为<111>。
在本发明的一个实施例中，所述复合缓冲区包括自下而上依次层叠的成核层、过渡层和核心缓冲层，其中，
所述成核层为氮化铝材料，其厚度为50-300nm；
所述过渡层为多层不同组分的铝镓氮层、或氮化铝/氮化镓超晶格层，其厚度为0.5-1.5μm；
所述核心缓冲层为氮化镓、铝镓氮、或氮化铝材料，其厚度为0.5-2μm。
在本发明的一个实施例中，所述沟道层为氮化镓、铟镓氮、或铝镓氮材料，厚度是10-500nm。
在本发明的一个实施例中，所述复合势垒区包括自下而上依次层叠的隔离层、核心势垒层和帽层，其中，
所述隔离层为氮化铝材料，其厚度为0.5-1.5nm；
所述核心势垒层为铝镓氮、铟铝氮、或氮化铝材料，其厚度为5-30nm；
所述帽层为氮化镓或氮化硅材料，其厚度为1-10nm。
在本发明的一个实施例中，所述源极和所述漏极为钛/铝/镍/金金属材料、钛/铝金属材料、或钽/铝金属材料，所述源极和所述漏极的厚度均为10-500nm。
在本发明的一个实施例中，所述栅脚的高度为10-300nm，宽度为10-200nm。
在本发明的一个实施例中，所述栅头的高度为10-800nm，宽度为50-800nm。
本发明还提供了一种具有自对准源漏电极的氮化镓晶体管的制备方法，包括：
S100：在衬底表面连续生长复合缓冲区、沟道层和复合势垒区，其中，所述复合缓冲区包括依次层叠的成核层、过渡层和缓冲层，所述复合势垒区包括依次层叠的隔离层、核心势垒层和帽层；
S200：在所述复合势垒区上制备栅极，其中，所述栅极包括栅脚和栅头，所述栅脚位于所述复合势垒区上，所述栅头位于所述栅脚上，所述栅头的宽度大于所述栅脚的宽度；
S300：以所述栅头为掩膜，对所述复合势垒区和部分所述沟道层进行刻蚀，形成源极凹槽和漏极凹槽；
S400：以所述栅头为掩膜，在所述源极凹槽和所述漏极凹槽中分别淀积源极金属和漏极金属，制备得到源极和漏极；
其中，所述源极靠近所述栅极的侧面与所述栅头的第一侧面位于同一垂直平面内；所述漏极靠近所述栅极的侧面与所述栅头的第二侧面位于同一垂直平面内。与现有技术相比，本发明的有益效果在于：
1、本发明的具有自对准源漏电极的氮化镓晶体管，源极与漏极靠近栅极的一侧分别与栅头的两侧面位于同一垂直平面内，也就是通过源极、漏极与栅极的自对准，实现了与栅头宽度尺寸类似的源漏间距，最大程度的减小了源漏间距，降低了晶体管的源极接入电阻和漏极接入电阻，从而减小了晶体管的功率损耗和提高了晶体管的频率特性。
2、本发明的具有自对准源漏电极的氮化镓晶体管，将源极和漏极设置在复合势垒区和沟道层的内部，而不是直接淀积在复合势垒区的表面，在保证源极和漏极的厚度同时，实现了源极、漏极和栅极的自对准，实现了在减小源漏间距、降低晶体管的介入电阻的同时，保持了较小的源极和栅极之间寄生电容、漏极和栅极之间的寄生电容，从而提高了器件的频率响应特性。
3、本发明的具有自对准源漏电极的氮化镓晶体管的制造工艺简单，与现有工艺兼容，工艺成本比较低。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种具有自对准源漏电极的氮化镓晶体管的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的复合缓冲区的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的复合势垒区的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的一种具有自对准源漏电极的氮化镓晶体管制备方法流程示意图；
图5a-5l是本发明实施例提供的具有自对准源漏电极的氮化镓晶体管的制备过程示意图。
附图标记说明
1-衬底；2-复合缓冲区；21-成核层；22-过渡层；23-核心缓冲层；3-沟道层；4-复合势垒区；41-隔离层；42-核心势垒层；43-帽层；5-源极；6-漏极；7-栅极；71-栅脚；72-栅头；721-第一侧面；722-第二侧面；A1-栅脚曝光区域；A2-栅头曝光区域。
具体实施方式
为了进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及具体实施方式，对依据本发明提出的一种具有自对准源漏电极的氮化镓晶体管及其制备方法进行详细说明。
有关本发明的前述及其他技术内容、特点及功效，在以下配合附图的具体实施方式详细说明中即可清楚地呈现。通过具体实施方式的说明，可对本发明为达成预定目的所采取的技术手段及功效进行更加深入且具体地了解，然而所附附图仅是提供参考与说明之用，并非用来对本发明的技术方案加以限制。
实施例一
请结合参见图1，图1是本发明实施例提供的一种具有自对准源漏电极的氮化镓晶体管的结构示意图。如图所示，本实施例的具有自对准源漏电极的氮化镓晶体管，包括：
自下而上依次设置的衬底1、复合缓冲区2、沟道层3和复合势垒区4，沟道层3和复合势垒区4之间存在二维电子气沟道；
源极5，设置在复合势垒区4和沟道层3内部；
漏极6，设置在复合势垒区4和沟道层3内部，且与源极5间隔设置；
栅极7，设置在复合势垒区4上，且位于源极5和漏极6之间，栅极7包括栅脚71和栅头72，其中，
栅脚71设置在复合势垒区4上；
栅头72设置在栅脚71上，栅头72的宽度大于栅脚71的宽度；
源极5靠近栅极7的侧面与栅头72的第一侧面721位于同一垂直平面内；
漏极6靠近栅极7的侧面与栅头72的第二侧面722位于同一垂直平面内。
在本实施例中，源极5与漏极6靠近栅极7的一侧分别与栅头72的两侧面位于同一垂直平面内，也就是通过源极5、漏极6与栅极7的自对准，实现了与栅头72宽度尺寸类似的源漏间距，最大程度的减小了源漏间距，降低了晶体管的源极接入电阻和漏极接入电阻，从而减小了晶体管的功率损耗和提高了晶体管的频率特性。
本实施例的具有自对准源漏电极的氮化镓晶体管，将源极5和漏极6设置在复合势垒区4和沟道层3的内部，而不是直接淀积在复合势垒区4的表面，在保证源极5和漏极6的厚度同时，实现了源极5、漏极6和栅极7的自对准，实现了在减小源漏间距、降低晶体管的介入电阻的同时，保持了较小的源极5和栅极7之间寄生电容、漏极6和栅极7之间的寄生电容，从而提高了器件的频率响应特性。
在本实施中，源极5和漏极6的底端位于沟道层3中，源极5和漏极6的顶端与复合势垒区4的表面平齐或超出复合势垒区4。
优选地，衬底1为高阻硅、半绝缘碳化硅、半绝缘蓝宝石、半绝缘金刚石、或半绝缘氮化铝材料，其厚度为50-1500μm，高阻硅的电阻率为1000-30000Ωcm，晶向为<111>。
请参见图2，图2是本发明实施例提供的复合缓冲区的结构示意图。如图所示，复合缓冲区2包括自下而上依次层叠的成核层21、过渡层22和核心缓冲层23，其中，
成核层21设置在衬底1上，成核层21为氮化铝材料，其厚度为50-300nm；
过渡层22为多层不同组分的铝镓氮层、或氮化铝/氮化镓超晶格层，其厚度为0.5-1.5μm，氮化铝/氮化镓超晶格层表示自下而上依次层叠的氮化铝层和氮化镓超晶格层；
核心缓冲层23为氮化镓、铝镓氮、或氮化铝材料，其厚度为0.5-2μm。
在其他实施例中，复合缓冲区2还包括背势垒层，背势垒层位于核心缓冲层23上，背势垒层为铝镓氮、铟镓氮、或氮化铝材料，其厚度为2-100nm；
优选地，沟道层3为氮化镓、铟镓氮、或铝镓氮材料，厚度是10-500nm。
请参见图3，图3是本发明实施例提供的复合势垒区的结构示意图。如图所示，复合势垒区4包括自下而上依次层叠的隔离层41、核心势垒层42和帽层43，其中，
隔离层41设置在沟道层3上，隔离层41为氮化铝材料，其厚度为0.5-1.5nm；
核心势垒层42为铝镓氮、铟铝氮、或氮化铝材料，其厚度为5-30nm；可选地，铝镓氮中铝的组分，即铝镓氮中铝的原子比例为0.2-0.4，铝镓氮的厚度为10-30nm；铟铝氮中铟的组分，即铟铝氮中铟的原子比例为0.1-0.2，铟铝氮的厚度为5-30nm，氮化铝的厚度2-10nm。
帽层43为氮化镓或氮化硅材料，其厚度为1-10nm。可选地，氮化镓的厚度为1-3nm，氮化硅的厚度为1-10nm。
优选地，源极5和漏极6为钛/铝/镍/金金属材料、钛/铝金属材料、或钽/铝金属材料，源极5和漏极6的厚度均为10-500nm。可选地，钛/铝/镍/金金属材料的厚度为20/120/40/50nm。
优选地，栅脚71的高度为10-300nm，宽度为10-200nm。
优选地，栅头72的高度为10-800nm，宽度为50-800nm。
在本实施例中，栅极7为镍/金金属材料，厚度为50/300nm。
在本实施例的自对准源漏电极的氮化镓晶体管中，最大程度上减小了栅极7与源极5之间的间距，以及栅极7与漏极6之间的间距，从而减小了器件的导通电阻，提升了器件的频率性能；另外，栅极7金属表面与源极5金属表面之间，以及栅极7金属表面与漏极6金属表面之间，在垂直方向上保持了较大的距离，减小了寄生电容，抑制了栅源寄生电容和栅漏寄生电容对器件工作频率的负面影响。
实施例二
请参见图4，图4是本发明实施例提供的一种具有自对准源漏电极的氮化镓晶体管制备方法流程示意图，如图所示，该方法包括：
S100：在衬底表面连续生长复合缓冲区、沟道层和复合势垒区；
其中，所述复合缓冲区包括依次层叠的成核层、过渡层和缓冲层，所述复合势垒区包括依次层叠的隔离层、核心势垒层和帽层。
S200：在所述复合势垒区上制备栅极；
其中，所述栅极包括栅脚和栅头，所述栅脚位于所述复合势垒区上，所述栅头位于所述栅脚上，所述栅头的宽度大于所述栅脚的宽度。
S300：以所述栅头为掩膜，对所述复合势垒区和部分所述沟道层进行刻蚀，形成源极凹槽和漏极凹槽；
S400：以所述栅头为掩膜，在所述源极凹槽和所述漏极凹槽中分别淀积源极金属和漏极金属，制备得到源极和漏极；
其中，所述源极靠近所述栅极的侧面与所述栅头的第一侧面位于同一垂直平面内；所述漏极靠近所述栅极的侧面与所述栅头的第二侧面位于同一垂直平面内。
进一步地，对本实施例的制备方法进行详细描述如下，请参见图5a-5l，图5a-5l是本发明实施例提供的具有自对准源漏电极的氮化镓晶体管的制备过程示意图。如图所示，本实施例的具有自对准源漏电极的氮化镓晶体管的具体制备过程如下：
步骤S1：选取衬底1，如图5a所示。
具体地，选取高阻硅材料作为衬底1，高阻硅的电阻率为1000-30000Ωcm，晶向为<111>。
步骤S2：在衬底1上制备复合缓冲区2，如图5b所示。
具体地，包括：
S21：采用MOCVD(Metal-organic Chemical Vapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉淀)设备与技术，在衬底1上外延生长厚度为200nm的氮化铝，作为成核层21；
S22：采用MOCVD设备与技术，在成核层21上外延生长厚度为1μm的氮化铝/氮化镓超晶格层，作为过渡层22；
S23：采用MOCVD设备与技术，在过渡层22上外延生长厚度为1μm的氮化镓，作为核心缓冲层23。
步骤S3：在复合缓冲区2上制备沟道层3，如图5c所示。
具体地，采用MOCVD设备与技术，在核心缓冲层23上外延生长厚度为300nm的氮化镓，作为沟道层3。
步骤S4：在沟道层3上制备复合势垒区4，如图5d所示。
具体地，包括：
S41：采用MOCVD设备与技术，在沟道层3上外延生长厚度为1nm的氮化铝，作为隔离层41；
S42：采用MOCVD设备与技术，在隔离层41上外延生长厚度为20nm的氮化镓，作为核心势垒层42；
S43：采用MOCVD设备与技术，在核心势垒层42上外延生长厚度为3nm的氮化镓，作为帽层43。
步骤S5：制备栅极7，如图5e-5h所示。
具体地，包括：
S51：采用甩胶机设备与技术，在帽层43上面旋涂厚度为100nm的光刻胶PMMA，然后在光刻胶PMMA上面旋涂厚度为500nm的光刻胶MMA，如图5e所示；
S52：采用电子束光刻技术，对光刻胶PMMA和光刻胶MMA进行曝光，在光刻胶PMMA上形成栅脚曝光区域A1，宽度为50nm，在光刻胶MMA上形成栅头曝光区域A2，宽度为300nm，如图5f所示；
S53：对光刻胶PMMA和光刻胶MMA进行显影，形成栅脚空隙和栅头空隙，如图5g所示；
S54：在栅脚空隙和栅头空隙处进行金属淀积，并将光刻胶剥离，形成栅极7，如图5h所示。
步骤S6：制备源极5和漏极6，如图5i-5l所示。
具体地，包括：
S61：采用甩胶机设备与技术，在器件表面旋涂光刻胶，光刻胶材料为AZ4214，厚度为1.4μm，如图5i所示；
S62：采用接触式光刻机，对光刻胶进行曝光和显影，形成源漏电极区域空隙，如图5j所示；
S63：采用RIE(Reactive Ion Etching，反应离子刻蚀)设备和技术，以光刻胶和栅极7的栅头72为掩膜，对复合势垒区4和部分沟道层3进行刻蚀，刻蚀深度为200nm，形成源极凹槽和漏极凹槽，如图5k所示；
S64：在源极凹槽和漏极凹槽中淀积源极金属和漏极金属，形成源极5和漏极6，如图5l所示；
具体地，采用电子束蒸发金属淀积技术，在源极凹槽和漏极凹槽中淀积源极金属和漏极金属，源极金属和漏极金属均为钛/铝金属材料，即第一层金属为钛，厚度为30nm，第二层金属为铝，厚度为170nm。之后进行金属剥离，形成源极5和漏极6，然后对器件进行退火处理，退火温度为500℃，退火时间为60s。
本发明实施例的具有自对准源漏电极的氮化镓晶体管的制造工艺简单，与现有工艺兼容，工艺成本比较低。
应当说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的物品或者设备中还存在另外的相同要素。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种具有自对准源漏电极的氮化镓晶体管，其特征在于，包括：
自下而上依次设置的衬底(1)、复合缓冲区(2)、沟道层(3)和复合势垒区(4)，所述沟道层(3)和所述复合势垒区(4)之间存在二维电子气沟道；
源极(5)，设置在所述复合势垒区(4)和所述沟道层(3)内部；
漏极(6)，设置在所述复合势垒区(4)和所述沟道层(3)内部，且与所述源极(5)间隔设置；
栅极(7)，设置在所述复合势垒区(4)上，且位于所述源极(5)和所述漏极(6)之间，所述栅极(7)包括栅脚(71)和栅头(72)，其中，
所述栅脚(71)设置在所述复合势垒区(4)上；
所述栅头(72)设置在所述栅脚(71)上，所述栅头(72)的宽度大于所述栅脚(71)的宽度；
所述源极(5)靠近所述栅极(7)的侧面与所述栅头(72)的第一侧面(721)位于同一垂直平面内；
所述漏极(6)靠近所述栅极(7)的侧面与所述栅头(72)的第二侧面(722)位于同一垂直平面内。
2.根据权利要求1所述的具有自对准源漏电极的氮化镓晶体管，其特征在于，所述源极(5)和所述漏极(6)的底端位于所述沟道层(3)中，所述源极(5)和所述漏极(6)的顶端与所述复合势垒区(4)的表面平齐或超出所述复合势垒区(4)。
3.根据权利要求1所述的具有自对准源漏电极的氮化镓晶体管，其特征在于，所述衬底(1)为高阻硅、半绝缘碳化硅、半绝缘蓝宝石、半绝缘金刚石、或半绝缘氮化铝材料，其厚度为50-1500μm，所述高阻硅的电阻率为1000-30000Ωcm，晶向为<111>。
4.根据权利要求1所述的具有自对准源漏电极的氮化镓晶体管，其特征在于，所述复合缓冲区(2)包括自下而上依次层叠的成核层(21)、过渡层(22)和核心缓冲层(23)，其中，
所述成核层(21)为氮化铝材料，其厚度为50-300nm；
所述过渡层(22)为多层不同组分的铝镓氮层、或氮化铝/氮化镓超晶格层，其厚度为0.5-1.5μm；
所述核心缓冲层(23)为氮化镓、铝镓氮、或氮化铝材料，其厚度为0.5-2μm。
5.根据权利要求1所述的具有自对准源漏电极的氮化镓晶体管，其特征在于，所述沟道层(3)为氮化镓、铟镓氮、或铝镓氮材料，厚度是10-500nm。
6.根据权利要求1所述的具有自对准源漏电极的氮化镓晶体管，其特征在于，所述复合势垒区(4)包括自下而上依次层叠的隔离层(41)、核心势垒层(42)和帽层(43)，其中，
所述隔离层(41)为氮化铝材料，其厚度为0.5-1.5nm；
所述核心势垒层(42)为铝镓氮、铟铝氮、或氮化铝材料，其厚度为5-30nm；
所述帽层(43)为氮化镓或氮化硅材料，其厚度为1-10nm。
7.根据权利要求1所述的具有自对准源漏电极的氮化镓晶体管，其特征在于，所述源极(5)和所述漏极(6)为钛/铝/镍/金金属材料、钛/铝金属材料、或钽/铝金属材料，所述源极(5)和所述漏极(6)的厚度均为10-500nm。
8.根据权利要求1所述的具有自对准源漏电极的氮化镓晶体管，其特征在于，所述栅脚(71)的高度为10-300nm，宽度为10-200nm。
9.根据权利要求1所述的具有自对准源漏电极的氮化镓晶体管，其特征在于，所述栅头(72)的高度为10-800nm，宽度为50-800nm。
10.一种具有自对准源漏电极的氮化镓晶体管的制备方法，其特征在于，包括：
S100：在衬底表面连续生长复合缓冲区、沟道层和复合势垒区，其中，所述复合缓冲区包括依次层叠的成核层、过渡层和缓冲层，所述复合势垒区包括依次层叠的隔离层、核心势垒层和帽层；
S200：在所述复合势垒区上制备栅极，其中，所述栅极包括栅脚和栅头，所述栅脚位于所述复合势垒区上，所述栅头位于所述栅脚上，所述栅头的宽度大于所述栅脚的宽度；
S300：以所述栅头为掩膜，对所述复合势垒区和部分所述沟道层进行刻蚀，形成源极凹槽和漏极凹槽；
S400：以所述栅头为掩膜，在所述源极凹槽和所述漏极凹槽中分别淀积源极金属和漏极金属，制备得到源极和漏极；
其中，所述源极靠近所述栅极的侧面与所述栅头的第一侧面位于同一垂直平面内；所述漏极靠近所述栅极的侧面与所述栅头的第二侧面位于同一垂直平面内。
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