CN111834198A - 基板处理方法及基板处理装置 - Google Patents

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CN111834198A CN202010267538.4A CN202010267538A CN111834198A CN 111834198 A CN111834198 A CN 111834198A CN 202010267538 A CN202010267538 A CN 202010267538A CN 111834198 A CN111834198 A CN 111834198A
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Abstract

本发明涉及基板处理方法及基板处理装置。本发明的课题是提供如下技术：在从形成有铜膜的基板的周缘部去除铜膜的技术中，能够抑制在去除界面周边处发生腐蚀。基于本公开的基板处理方法包括预先加热工序和去除工序。在预先加热工序中，对形成有铜膜的基板进行加热。在去除工序中，对预先加热工序后的基板的周缘部供给含有酸性药液的处理液来去除形成于周缘部的铜膜。

Description

基板处理方法及基板处理装置
技术领域
本公开涉及基板处理方法及基板处理装置。
背景技术
以往，通过药液来去除形成于半导体晶圆或玻璃基板等基板上的膜的技术是已知的。专利文献1中公开有通过向基板的周缘部供给药液来去除形成于基板的周缘部的膜的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第5184476号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供如下技术：在从形成有铜膜的基板的周缘部去除铜膜的技术中，能够抑制在去除界面周边处发生腐蚀。
用于解决问题的方案
基于本公开的一个方式的基板处理方法包括预先加热工序和去除工序。在预先加热工序中，对形成有铜膜的基板进行加热。在去除工序中，对预先加热工序后的基板的周缘部供给含有酸性药液的处理液来去除形成于周缘部的铜膜。
发明的效果
根据本公开，在从形成有铜膜的基板的周缘部去除铜膜的技术中，能够抑制在去除界面周边处发生腐蚀。
附图说明
图1是表示第1实施方式的基板处理装置的构成的图。
图2是表示第1实施方式的处理单元的构成的图。
图3是表示在去除界面周边处发生腐蚀的机理的一个例子的图。
图4是表示第1实施方式的处理单元执行的基板处理的顺序的流程图。
图5是表示预先加热处理的动作例的图。
图6是表示温度调节处理的动作例的图。
图7是表示周缘去除处理的动作例的图。
图8是表示周缘去除处理的动作例的图。
图9是表示第2实施方式的加热部的构成的图。
图10是表示第3实施方式的基板处理装置的构成的图。
图11是表示第3实施方式中的温度调节处理的变形例的图。
图12是表示第4实施方式的基板处理装置的构成的图。
附图标记说明
W 晶圆
1 基板处理装置
2 搬入/搬出站
3 处理站
4 控制装置
16 处理单元
18 控制部
19 存储部
30 基板保持机构
40 供给部
50 回收杯
60 加热部
70 温度调节部
402 稀SPM供给源
404 冲洗液供给源
具体实施方式
下面，参照附图对用于实施基于本公开的基板处理方法及基板处理装置的方式(以下记载为“实施方式”)详细地进行说明。需要说明的是，基于本公开的基板处理方法及基板处理装置并不受该实施方式限定。另外，在处理内容彼此不矛盾的范围内，各实施方式能够适当组合。另外，在以下的各实施方式中对相同的部位附上相同的符号，省略重复说明。
另外，在以下进行参照的各附图中，为了使说明易于理解，有时示出正交坐标系：指定彼此正交的X轴方向、Y轴方向和Z轴方向，并将Z轴正方向设定为垂直向上的方向。另外，有时将以垂直轴为旋转中心的旋转方向称为θ方向。
(第1实施方式)
＜基板处理装置＞
图1是表示第1实施方式的基板处理装置的构成的图。如图1所示，基板处理装置1具有搬入/搬出站2和处理站3。搬入/搬出站2与处理站3邻接而设置。
搬入/搬出站2具有载具载置部11和运送部12。载具载置部11可载置能够将多片基板(以下记载为“晶圆W”)以水平状态收容的多个载具C。
运送部12邻接于载具载置部11而设置，内部具有基板运送装置13和传递部14。基板运送装置13具有保持晶圆W的基板保持机构。另外，基板运送装置13能够向水平方向及垂直方向移动以及以垂直轴为中心进行旋转，使用基板保持机构在载具C与传递部14之间进行晶圆W的运送。
处理站3邻接于运送部12而设置。处理站3具有运送部15和多个处理单元16。多个处理单元16并列设置在运送部15的两侧。
运送部15的内部具有基板运送装置17。基板运送装置17具有保持晶圆W的基板保持机构。另外，基板运送装置17能够向水平方向及垂直方向移动以及以垂直轴为中心进行旋转，使用基板保持机构在传递部14与处理单元16之间进行晶圆W的运送。
处理单元16对通过基板运送装置17运送的晶圆W进行规定的基板处理。
另外，基板处理装置1具有控制装置4。控制装置4例如为计算机，具有控制部18和存储部19。存储部19中存储有控制在基板处理装置1中执行的各种处理的程序。控制部18通过读出并执行存储部19中所存储的程序来控制基板处理装置1的动作。
需要说明的是，所述程序可以记录在计算机可读取的存储介质中，由该存储介质安装于控制装置4的存储部19中。作为计算机可读取的存储介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
在如上所述构成的基板处理装置1中，首先，搬入/搬出站2的基板运送装置13从被载置于载具载置部11的载具C中取出晶圆W，并将取出的晶圆W载置于传递部14。被载置于传递部14的晶圆W通过处理站3的基板运送装置17从传递部14中取出并搬入处理单元16。
被搬入处理单元16的晶圆W通过处理单元16进行处理后，通过基板运送装置17从处理单元16中搬出并载置于传递部14。然后，被载置于传递部14的处理完的晶圆W通过基板运送装置13回到载具载置部11的载具C中。
＜处理单元的构成＞
下面，参照图2对处理单元16的构成进行说明。图2是表示第1实施方式的处理单元16的构成的图。
在图2所示的处理单元16中，将用水(H2O)稀释作为硫酸与过氧化氢的混合液的SPM(硫酸过氧化氢混合物，SulfuricAcidHydrogenPeroxideMixture)而成的稀SPM供给至晶圆W的周缘部。在晶圆W的表面形成有铜膜。在处理单元16中，通过向晶圆W的周缘部供给稀SPM，去除形成于晶圆W的周缘部的铜膜。晶圆W的周缘部是从晶圆W的端面起例如宽1～5mm左右的环状区域。
如图2所示，处理单元16具有腔室20、基板保持机构30、供给部40、回收杯50、加热部60和温度调节部70。
腔室20收容基板保持机构30、供给部40、回收杯50、加热部60及温度调节部70。在腔室20的顶部，设置有FFU(风机过滤机组，FanFilterUnit)21。FFU21在腔室20内形成降流。
基板保持机构30水平且可旋转地保持晶圆W。基板保持机构30具有保持部31、支柱部32和驱动部33。
保持部31例如为真空吸盘，吸附保持晶圆W的下表面中央部。支柱部32在垂直方向上延伸，基端部被驱动部33可旋转地支撑，在顶端部水平地支撑保持部31。驱动部33使支柱部32绕垂直轴旋转。基板保持机构30通过使用驱动部33来使支柱部32旋转，使支柱部32所支撑的保持部31旋转，由此，使保持部31所保持的晶圆W旋转。
供给部40向晶圆W的上表面周缘部供给稀SPM。具体而言，供给部40具有配置于晶圆W的上方的喷嘴41、支撑喷嘴41的臂42和使臂42移动的移动机构43。
喷嘴41经由阀401连接于稀SPM供给源402。稀SPM供给源402例如具有硫酸供给系统、过氧化氢供给系统、水供给系统和混合部。所述稀SPM供给源402将由硫酸供给系统供给的硫酸、由过氧化氢供给系统供给的过氧化氢、由水供给系统供给的水(去离子水)在混合部以预先设定的混合比进行混合。由此，稀SPM供给源402生成稀SPM后向喷嘴41供给。
另外，喷嘴41经由阀403连接于冲洗液供给源404。冲洗液供给源404向喷嘴41供给例如DIW(去离子水)作为冲洗液。
回收杯50以包围保持部31的方式而配置，通过保持部31的旋转来收集从晶圆W飞散的SPM。在回收杯50的底部形成有排液口51，被回收杯50收集的处理液从所述排液口51向处理单元16的外部排出。另外，在回收杯50的底部形成有排气口52，所述排气口52将由FFU21供给的气体向处理单元16的外部排出。
加热部60对晶圆W的周缘部进行加热。在第1实施方式中，加热部60具有配置于晶圆W的下方的喷嘴，通过由所述喷嘴对晶圆W的下表面周缘部供给经加热的流体而对晶圆W的周缘部进行加热。
加热部60经由阀601连接于流体供给源602。流体供给源602供给例如氮气等非活性气体。另外，在阀601与流体供给源602之间设置有加热机构603，由流体供给源602供给的非活性气体通过加热机构603加热至预先设定的温度后供给至加热部60。需要说明的是，由加热部60供给的流体并不限定于非活性气体，也可以为干燥空气等空气或其它气体。
温度调节部70将通过加热部60加热后的晶圆W的周缘部的温度调节至使用了稀SPM的处理(后述的周缘去除处理)中的处理温度。在第1实施方式中，温度调节部70具有配置于晶圆W的下方的喷嘴。温度调节部70由所述喷嘴对晶圆W的下表面周缘部供给温度低于由加热部60供给的气体(以下记载为“热气体”)的气体(以下记载为“冷却气体”)。
温度调节部70经由阀701连接于流体供给源702。流体供给源702供给例如氮气等非活性气体。另外，在阀701与流体供给源702之间，设置有温度调节机构703，由流体供给源702供给的非活性气体通过温度调节机构703调节至预先设定的温度后供给温度调节部70。需要说明的是，由温度调节部70供给的流体并不限于非活性气体，也可以是干燥空气等空气或其它气体。
此处示出了加热部60及温度调节部70分别具有喷嘴、且热气体及冷却气体由不同的喷嘴供给的情形的例子。不限于此，加热部60及温度调节部70可以具有一个喷嘴，可以由所述一个喷嘴供给热气体及冷却气体。
＜关于在去除界面周边处发生的腐蚀＞
然而，当使用稀SPM来去除基板周缘部的铜膜时，存在去除界面周边的铜膜发生腐蚀的情况。本申请发明人进行了潜心研究，结果查明，腐蚀的原因是在铜膜上存在的铜的氢氧化物。参照图3对这一点进行说明。图3是表示在去除界面周边处发生腐蚀的机理的一个例子的图。
如图3所示，在铜膜的表面，有时会存在铜的氢氧化物(Cu(OH)2)。这是由于例如镀覆处理等在晶圆W上形成铜膜的处理中，在铜膜形成后通过DIW进行冲洗处理时，铜膜中的铜与水发生反应而转变成铜的氢氧化物。
当对表面存在铜的氢氧化物的铜膜供给稀SPM时，稀SPM中所含有的过氧化氢与铜的氢氧化物发生反应，从而在铜膜上生成过氧化铜(CuO2)。对晶圆W周缘部的铜膜供给稀SPM时，晶圆W周缘部的铜膜被稀SPM去除，但由于稀SPM也会附着在去除界面周边处的铜膜上，因此，在去除界面周边处生成过氧化铜(CuO2)、发生腐蚀。
此处举出稀SPM作为一个例子，而含有过氧化氢的其它处理液也会发生同样的现象。具体而言，这样的处理液含有酸性药液与过氧化氢，例如，除了上述的稀SPM以外，还有SPM、FPM、SC2等。FPM是氢氟酸(HF)与过氧化氢的混合液，SC2是盐酸(HCl)与过氧化氢的混合液。
另一方面，作为铜的氢氧化物的特性，对热相对不稳定，当加热至60℃以上的温度时发生脱水而分解，转变成氧化铜(II)(CuO)是已知的。
因此，在第1实施方式的基板处理装置1中，在使用稀SPM进行周缘去除处理之前，通过对晶圆W进行加热而去除铜膜上的铜的氢氧化物，从而抑制在去除界面处发生腐蚀。
＜处理单元的具体动作＞
下面，参照图4对本实施方式的处理单元16执行的基板处理的内容进行说明。图4是表示第1实施方式的处理单元16执行的基板处理的顺序的流程图。依照控制部18的控制来执行图4所示的各处理顺序。
首先，在处理单元16中进行晶圆W的搬入处理(步骤S101)。具体而言，通过基板运送装置17(参照图1)晶圆W被搬入处理单元16的腔室20(参照图2)内并保持于保持部31。然后，处理单元16使保持部31以规定的转速(例如50rpm)旋转。
接下来，在处理单元16中进行预先加热处理(步骤S102)。图5是表示预先加热处理的动作例的图。
如图5所示，在预先加热处理中，处理单元16由加热部60对晶圆W的下表面周缘部供给热气体，从而对包括晶圆W的周缘部的区域进行加热。
当包括晶圆W的周缘部的区域被加热时，形成于所述区域的铜膜上的铜的氢氧化物发生分解而转变成氧化铜(II)。由此，可从包括晶圆W的周缘部的区域的铜膜上去除铜的氢氧化物。
对于预先加热处理的处理条件，可设定为用于使形成于包括晶圆W的周缘部的区域的铜膜上的铜的氢氧化物发生热分解的所需条件。例如，预先加热处理中的晶圆W的加热温度设定为60℃以上且100℃以下的温度是优选的。这是由于通过加热至60℃以上能够使铜的氢氧化物转变成氧化铜(II)，另一方面，如果加热温度过高，则会使铜膜固化。
需要说明的是，此处示出了加热部60向晶圆W的下表面周缘部供给热气体的情形的例子，但只要加热部60对晶圆W的下表面中至少包括晶圆W的周缘部的区域供给热气体即可。另外，也可以间接地对晶圆W的周缘部供给热气体。例如，加热部60可以对处于晶圆W的下表面周缘部的径向内侧的区域供给热气体。这时，热气体沿着晶圆W的下表面向径向外部移动而到达晶圆W的下表面周缘部，从而能够对晶圆W的周缘部进行加热。
接下来，在处理单元16中进行温度调节处理(步骤S103)。图6是表示温度调节处理的动作例的图。
如图6所示，在温度调节处理中，处理单元16由温度调节部70对晶圆W的下表面周缘部供给冷却气体，从而将晶圆W的周缘部的温度调节至后阶段的周缘去除处理的处理温度。具体而言，在常温(例如25℃)下进行周缘去除处理。因此，在温度调节处理中，处理单元16使用温度调节部70使晶圆W的周缘部的温度降低至常温。
通过如此进行温度调节处理，例如，在后阶段的周缘去除处理中，能够抑制基于稀SPM的铜膜的蚀刻速率变得高于所需速率。即，通过进行温度调节处理，能够适当进行后阶段的周缘去除处理。
接下来，在处理单元16中进行周缘去除处理(步骤S104)。图7及图8是表示周缘去除处理的动作例的图。如图7所示，处理单元16使用移动机构43使喷嘴41移动至晶圆W的上表面周缘部的上方后，由喷嘴41对晶圆W的上表面周缘部供给稀SPM。由此，如图8所示，从晶圆W的上表面周缘部去除铜膜。
在处理单元16中，通过预先加热处理来去除铜膜上的铜的氢氧化物。因此，在周缘去除处理中，即使向晶圆W的上表面周缘部供给稀SPM，在铜膜的去除界面周边处也不会生成过氧化铜。因而，能够抑制在去除界面周边处发生腐蚀。
当完成步骤S104的周缘去除处理时，在处理单元16中进行冲洗处理(步骤S105)。在所述冲洗处理中，由喷嘴41向晶圆W的上表面周缘部供给作为冲洗液的DIW。被供给至晶圆W的DIW通过伴随晶圆W的旋转的离心力而扩散涂布至晶圆W的整个上表面周缘部。由此，残留于晶圆W的上表面周缘部的稀SPM被DIW洗掉。
接下来，在处理单元16中进行干燥处理(步骤S106)。在所述干燥处理中，使晶圆W以规定的转速(例如1000rpm)旋转规定时间。由此，残留于晶圆W的DIW被甩掉，使晶圆W干燥。然后，停止晶圆W的旋转。
然后，在处理单元16中进行搬出处理(步骤S107)。在搬出处理中，保持于保持部31的晶圆W被传递至基板运送装置17。当所述搬出处理结束时，对1片晶圆W的基板处理结束。
(第2实施方式)
下面，参照图9对第2实施方式的加热部的构成进行说明。图9是表示第2实施方式的加热部的构成的图。
如图9所示，第2实施方式的加热部60A具有发热体61A和移动机构62A。发热体61A例如为护套加热器等通过电阻发热的加热器，且配置于晶圆W周缘部的下方。移动机构62A使发热体61A升降。
在预先加热处理中，加热部60A使用移动机构62A使发热体61A上升，从而使发热体61A靠近晶圆W的下表面周缘部。然后，对于加热部60A，使发热体61A通电，从而使发热体61A发热。由此，晶圆W的下表面周缘部被由发热体61A发出的热而加热。
另外，在温度调节处理中，对于加热部60A，停止发热体61A的通电后，使用移动机构62A使发热体61A下降，从而使发热体61A远离晶圆W的下表面周缘部。停止发热体61A的通电后，直至发热体61A自身被冷却需要时间。因此，如果保持使发热体61A靠近晶圆W的下表面周缘部的情形，则难以使晶圆W的周缘部的温度尽早降低至周缘去除处理中的处理温度即常温。
相对于此，第2实施方式的加热部60A使用移动机构62A使发热体61A远离晶圆W的下表面周缘部，从而能够使晶圆W的周缘部的温度尽早降低至常温。
需要说明的是，此处示出了移动机构62A使发热体61A升降的情形的例子，但只要移动机构62A能够使发热体61A靠近或远离晶圆W的下表面周缘部即可，且使发热体61A移动的方向并不限定于垂直方向。例如，也可以是移动机构62A使发热体61A水平地移动，从而使发热体61A靠近或远离晶圆W的下表面周缘部。
(第3实施方式)
下面，参照图10对第3实施方式的基板处理装置的构成进行说明。图10是表示第3实施方式的基板处理装置的构成的图。
如图10所示，第3实施方式的基板处理装置1B的处理站3B具有多个加热单元16B1和多个处理单元16B2。
多个加热单元16B1例如具有热板。热板的内部具有加热部。另外，在热板的上表面设置有用于支撑晶圆W的支撑销。多个处理单元16B2例如具有从第1实施方式的处理单元16中省略了加热部60及温度调节部70的构成。
在第3实施方式的基板处理装置1B中，首先，在加热单元16B1中进行预先加热处理。具体而言，晶圆W通过基板运送装置17被运送至加热单元16B1，并被载置于设置在热板的上表面的支撑销上。接下来，加热单元16B1通过使用设置在热板的内部的加热部对热板进行加热，从而对被载置于热板的晶圆W进行加热。由此，铜膜上的铜的氢氧化物发生分解并被去除。
接下来，在基板处理装置1B中，在晶圆W通过基板运送装置17由加热单元16B1运送至处理单元16B2的期间进行温度调节处理。具体而言，基板运送装置17将通过加热单元16B1加热后的晶圆W取出后运送至处理单元16B2。在此期间，能够将在预先加热处理中被加热的晶圆W冷却至周缘去除处理中的处理温度、即常温。
需要说明的是，基板运送装置17可以在保持晶圆W的基板保持机构中具有温度调节部。由此，能够更可靠地将晶圆W的温度调节至常温。
然后，在基板处理装置1B中，在处理单元16B2中进行周缘去除处理、冲洗处理及干燥处理。
如此，基板处理装置1B可以在不同的单元中进行预先加热处理和周缘去除处理。
图11是表示第3实施方式中的温度调节处理的变形例的图。如图11所示，第3实施方式中的温度调节处理可以是将通过加热单元16B1加热后的晶圆W暂时收容在载具C中的处理。此时，在进行周缘去除处理之前，使用基板运送装置13、17将晶圆W由载具C运送至处理单元16B2即可。
如此，通过使预先加热处理后的晶圆W暂时回到载具C中，可以确保晶圆W的冷却时间。需要说明的是，预先加热处理后的晶圆W的收容场所并不限定于载具C，只要是可临时载置预先加热处理后的晶圆W的场所即可。例如，预先加热处理后的晶圆W可以被收容在配置于传递部14的上方或者下方的未图示的临时载置部中。
(第4实施方式)
下面，参照图12对第4实施方式的基板处理装置的构成进行说明。图12是表示第4实施方式的基板处理装置的构成的图。
如图12所示，第4实施方式的基板处理装置1C具有加热装置1C1和周缘去除装置1C2。周缘去除装置1C2例如具有从第1实施方式的基板处理装置1中省略了加热部60及温度调节部70的构成。另外，加热装置1C1例如具有多个第3实施方式的加热单元16B1。
在第3实施方式中，首先，晶圆W在被收容于载具C中的状态下被运送至加热装置1C1，在加热装置1C1中从载具C中取出后被运送至加热单元。在加热单元中，对晶圆W进行预先加热处理。由此，从晶圆W上的铜膜去除铜的氢氧化物。预先加热处理后的晶圆W再次被收容于载具C后从加热装置1C1中搬出。
收容预先加热处理后的晶圆W的载具C被载置于周缘去除装置1C2的载具载置部11。然后，在周缘去除装置1C2中，从载具C中取出预先加热处理后的晶圆W，并对取出的预先加热处理后的晶圆W进行周缘去除处理。由此，从晶圆W的上表面周缘部去除铜膜。
如此，基板处理装置1C可以在进行周缘去除处理的周缘去除装置1C2的外部具有进行预先加热处理的加热装置1C1。通过如此来构成，无需在周缘去除装置1C2中设置预先加热处理专用的单元(加热单元)。
如上所述，实施方式的基板处理方法包括预先加热工序(预先加热处理作为一个例子)和去除工序(周缘去除处理作为一个例子)。预先加热工序对形成有铜膜的基板(晶圆W作为一个例子)进行加热。去除工序对预先加热工序后的基板的周缘部供给含有酸性药液的处理液(稀SPM作为一个例子)来去除形成于周缘部的铜膜。
通过在预先加热工序中对基板进行加热，能够使存在于铜膜上的铜的氢氧化物发生热分解而从铜膜上去除。由此，能够抑制在去除界面周边处发生腐蚀。
处理液还含有过氧化氢。铜的氢氧化物与过氧化氢发生反应而转变成过氧化铜。通过在预先加热工序中去除铜的氢氧化物，可抑制上述反应，且可抑制在去除界面周边处发生腐蚀。
处理液是作为酸性药液的硫酸与过氧化氢混合而成的SPM、作为酸性药液的氢氟酸与过氧化氢混合而成的FPM、或者作为酸性药液的盐酸与过氧化氢混合而成的SC2。通过使用这些处理液，能够在去除工序中从基板的周缘部适当地去除铜膜。
预先加热工序通过对基板进行加热而使铜膜中所含的铜的氢氧化物转变成铜的氧化物。由此，能够抑制含有过氧化氢的处理液供给至基板的周缘部时铜的氢氧化物与过氧化氢发生反应而生成过氧化铜。
在实施方式的基板处理方法中，在预先加热工序后、去除工序前，还可以包括将基板的温度调节至去除工序中的处理温度的温度调节工序(温度调节处理作为一个例子)。由此，能够适当地进行后阶段的去除工序。
处理温度为低于预先加热工序中的基板的加热温度的温度(例如常温)。因而，通过进行温度调节工序，在去除工序中，能够抑制基于处理液的铜膜的蚀刻速率变得高于所需速率。
另外，实施方式的基板处理装置(基板处理装置1,1B,1C作为一个例子)具有加热部(加热部60、发热体61A、加热单元16B1、加热装置1C1作为一个例子)、供给部(供给部40作为一个例子)和温度调节部(温度调节部70、移动机构62A、基板运送装置17作为一个例子)。加热部对形成有铜膜的基板(晶圆W作为一个例子)进行加热。供给部对基板的周缘部供给含有酸性药液的处理液(稀SPM作为一个例子)。温度调节部将通过加热部加热后的基板的温度调节至由供给部对周缘部供给处理液以去除形成于周缘部的铜膜的去除处理中的处理温度(常温作为一个例子)。
通过使用加热部对基板进行加热，能够将存在于铜膜上的铜的氢氧化物热分解后从铜膜上去除。由此，能够抑制在去除界面周边处发生腐蚀。另外，通过使用温度调节部将基板的温度调节至处理温度，能够适当地进行从基板的周缘部去除铜膜的处理。
应该认为这次公开的实施方式在所有方面是示例而并非限制性解释。实际上，上述的实施方式可以以各种方式来实现。另外，在不脱离所附权利要求书及其主旨的情况下，可以以各种方式省略、替换、变更上述实施方式。

Claims (8)

1.一种基板处理方法，其包括如下工序：
预先加热工序，其对形成有铜膜的基板进行加热；和
去除工序，其对所述预先加热工序后的所述基板的周缘部供给含有酸性药液的处理液来去除形成于所述周缘部的所述铜膜。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述处理液含有过氧化氢。
3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，所述处理液是作为所述酸性药液的硫酸与过氧化氢混合而成的PSM、作为所述酸性药液的氢氟酸与过氧化氢混合而成的FPM、或者作为所述酸性药液的盐酸与过氧化氢混合而成的SC2。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理方法，其中，在所述预先加热工序中，通过对所述基板进行加热，使所述铜膜中所含的铜的氢氧化物转变成铜的氧化物。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理方法，其中，在所述预先加热工序后、所述去除工序前，还包括如下温度调节工序：将所述基板的温度调节至所述去除工序中的处理温度。
6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其中，所述处理温度为低于所述预先加热工序中的所述基板的加热温度的温度。
7.一种基板处理装置，其具有：
加热部，其对形成有铜膜的基板进行加热；
供给部，其对所述基板的周缘部供给含有酸性药液的处理液；和
温度调节部，其将通过所述加热部加热后的所述基板的温度调节至去除处理中的处理温度，在去除处理中，由所述供给部对所述周缘部供给所述处理液来去除形成于所述周缘部的所述铜膜。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，所述加热部对所述基板进行加热，从而使所述铜膜中所含的铜的氢氧化物转变成铜的氧化物。
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