CN111801778B - 维护装置 - Google Patents

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Abstract

维护装置具有罩体和固定构件。罩体形成为和处理容器的第一部件与第二部件的分界线对应的尺寸、或者和第一部件与第二部件分离后的开口面对应的尺寸，且具有气密性以及至少一部分有视觉上的透明性，其中，处理容器能够分离成第一部件和第二部件，且在处理衬底时被设置为真空气氛。固定构件将罩体沿着处理容器的第一部件与第二部件的分界线紧密固定，或者将罩体紧密固定于第一部件与第二部件分离后的开口面。

Description

维护装置
技术领域
本发明涉及一种维护装置。
背景技术
在等离子体刻蚀装置中，设置于半导体晶片(以下称为“晶片”。)的外周的对焦环会由于刻蚀处理而损耗。为此，专利文献1中公开了一种技术，该技术通过用于向等离子体刻蚀装置传送晶片的传送系统来对对焦环进行更换。
专利文献1：日本特开2006-196691号公报
发明内容
本发明提供一种技术，该技术能够在不使处理容器内部曝露于外部气体的情况下简便地进行维护。
根据本发明的一实施方式的维护装置具有罩体和固定构件。罩体形成为和处理容器的第一部件与第二部件的分界线对应的尺寸、或者和第一部件与第二部件分离后的开口面对应的尺寸，且具有气密性以及至少一部分有视觉上的透明性，其中，所述处理容器能够分离成第一部件和第二部件，且在处理衬底时被设置为真空气氛。固定构件将罩体沿着处理容器的第一部件与第二部件的分界线紧密固定，或者将罩体紧密固定于第一部件与第二部件分离后的开口面。
根据本发明，能够在不使处理容器内部曝露于外部气体的情况下简便地进行维护。
附图说明
图1是示意性表示实施方式涉及的等离子体刻蚀装置的图。
图2是表示实施方式涉及的处理容器的外观的一个示例的图。
图3是说明实施方式涉及的维护装置的一个示例的图。
图4是表示实施方式涉及的调整部配置于处理容器中的状态的图。
图5是表示实施方式涉及的锁紧圈的一个示例的图。
图6是表示在罩体上设置了锁紧圈的状态的一个示例的图。
图7A是表示罩体所覆盖的内部的大气状态的一个示例的图。
图7B是表示罩体所覆盖的内部的大气状态的一个示例的图。
图7C是表示上部部件与下部部件分离开的状态的一个示例的图。
图8是表示实施方式涉及的第二维护装置的结构的一个示例的图。
图9是表示实施方式涉及的第三维护装置的结构的一个示例的图。
图10A是说明设置实施方式涉及的第二维护装置及第三维护装置的流程的一个示例的图。
图10B是说明设置实施方式涉及的第二维护装置及第三维护装置的流程的一个示例的图。
图10C是说明设置实施方式涉及的第二维护装置及第三维护装置的流程的一个示例的图。
图11A是表示实施方式涉及的第三维护装置安装于下部部件的状态的一个示例的图。
图11B是表示实施方式涉及的第二维护装置安装于上部部件的状态的一个示例的图。
图12是表示实施方式涉及的第一维护装置拆除后的状态的一个示例的图。
图13是表示实施方式涉及的上部部件沿旋转方向滑动了的状态的一个示例的图。
图14是表示安装了实施方式涉及的第三维护装置的下部部件的内部在用干空气充满后的状态的一个示例的图。
图15A是说明使用实施方式涉及的第三维护装置拆除部件的流程的一个示例的图。
图15B是说明使用实施方式涉及的第三维护装置拆除部件的流程的一个示例的图。
图15C是说明使用实施方式涉及的第三维护装置拆除部件的流程的一个示例的图。
图16A是说明使用实施方式涉及的第三维护装置安装部件的流程的一个示例的图。
图16B是说明使用实施方式涉及的第三维护装置安装部件的流程的一个示例的图。
图17是表示实施方式涉及的第一维护装置的另一个示例的图。
图18是表示实施方式涉及的第三维护装置的另一个示例的图。
具体实施方式
以下，参照附图对本申请公开的维护装置的实施方式进行详细说明。另外，本实施方式并非对所公开的维护装置构成限定。
另外，对焦环与晶片相比，口径大且重量大。因此，在通过用于传送晶片的传送系统来对对焦环进行更换时，需要能够传送对焦环的牢固的传送单元。而且，需要能够使对焦环通过的宽度。再者，等离子体刻蚀装置中，除对焦环以外，还包括例如位于对焦环的外周的腔体保护部件、作为对向电极的上部电极等需要定期维护的部件。为了能够进行这类部件更换，需要难易度更高的传送系统，所以系统的价格会极其昂贵。
因此，对于等离子体刻蚀装置，一般是将处理容器向大气开放后对处理容器的部件进行更换的。然而，等离子体刻蚀装置中，在向大气开放而处理容器内被充满大气时，由于温度调整、水分控制，所以到再次开始程序为止需要很长的时间，存在生产率的问题。特别是，若大气中所含的水分附着于处理容器内的部件，在抽真空时，很难被脱气(degas)，需要很长的抽真空时间。此外，在处理容器内附着有氟化物时，氟化物与大气中的水分反应成为氟化氢(HF)，有时会使处理容器内的零部件劣化。
为此，期待能够在不使处理容器内部曝露于外部气体的情况下简便地进行维护。
维护对象装置的结构
对维护装置的维护对象即维护对象装置进行说明。维护对象装置是具有为真空气氛的处理容器的装置。本实施方式中，以将维护对象装置作为等离子体刻蚀装置的情况为例进行说明。另外，维护对象装置并不限于等离子体刻蚀装置。
图1是示意性表示实施方式涉及的等离子体刻蚀装置的图。等离子体刻蚀装置10具有处理容器30，该处理容器30为气密性结构，且在电气上被设置为接地电位。处理容器30为圆筒状，例如由表面形成有阳极氧化被覆膜的铝等构成。处理容器30形成供等离子体生成用的处理空间。处理容器30内收纳有将晶片W水平地支承的载置台31。
载置台31呈底面朝上下的大致圆柱状，上侧的底面作为载置面36d。载置台31的载置面36d为比晶片W大的尺寸。载置台31包括基台33和静电夹盘36。
基台33由导电性金属例如铝等构成。基台33用作下部电极。基台33由绝缘体的支承台34支承，支承台34设置于处理容器30的底部。
静电夹盘36的上表面为平坦的圆盘状，该上表面作为用于载置晶片W的载置面36d。静电夹盘36在俯视观察时是被设置于载置台31的中央的。静电夹盘36具有电极36a及绝缘体36b。电极36a设置于绝缘体36b的内部，电极36a上连接着未图示的直流电源。静电夹盘36被构成为，通过从直流电源对电极36a施加直流电压，而基于库仑力来吸附晶片W。此外，静电夹盘36在绝缘体36b的内部设置有加热器36c。加热器36c经由下述供电机构而被供给电力，来控制晶片W的温度。
此外，在载置台31的上方的外周，设置有例如由单晶硅形成的对焦环35。并且，以围绕载置台31及支承台34的周围的方式，设置有例如由石英等构成的圆筒状内壁构件37。
基台33连接着供电棒50。构成为，基台33上经由供电棒50从未图示的高频电源被供给有用于产生等离子体的规定频率的高频电力。
在基台33的内部形成有制冷剂流路33d。制冷剂流路33d的一个端部连接着制冷剂入口配管33b，另一个端部连接着制冷剂出口配管33c。等离子体刻蚀装置10被构成为，通过使制冷剂例如冷却水等分别在制冷剂流路33d中循环，能够控制载置台31的温度。另外，等离子体刻蚀装置10也可以构成为，与分别载置晶片W和对焦环35的区域对应地，在基台33的内部另外设置制冷剂流路，能够对晶片W和对焦环35的温度单独进行控制。此外，等离子体刻蚀装置10也可以构成为，能够对晶片W和对焦环35的背面侧供给冷热传递用气体来对温度单独进行控制。例如，可以以贯穿载置台31等的方式，设置用于对晶片W的背面供给氦气等冷热传递用气体(背侧气体(backside gas))的气体供给管。气体供给管连接至气体供给源。通过这些结构，将载置台31的上表面上被静电夹盘36吸附保持的晶片W控制在规定温度。
另一方面，在载置台31的上方，以与载置台31平行地相对的方式，设置有具有作为上部电极的功能的喷头电极(shower head)46。喷头电极46和载置台31用作一对电极(上部电极和下部电极)。
喷头电极46设置于处理容器30的顶壁部分。喷头电极46具备本体部46a、以及构成电极板的上部顶板46b，并经由绝缘性构件47而被支承于处理容器30的上部。本体部46a由导电性材料例如表面形成有阳极氧化被覆膜的铝等构成，且构成为能够将上部顶板46b以装卸自如的方式支承于其下部。
在本体部46a的内部设置有气体扩散室46c，以位于气体扩散室46c的下部的方式，在本体部46a的底部形成有许多气体流通孔46d。此外，在上部顶板46b，以沿厚度方向贯穿该上部顶板46b、且与上述气体流通孔46d重叠的方式，设置有气体导入孔46e。通过这样的结构，供给至气体扩散室46c的处理气体经由气体流通孔46d及气体导入孔46e分散成喷洒状而被供给至处理容器30内。
本体部46a上形成有用于向气体扩散室46c导入处理气体的气体导入口46g。气体导入口46g连接着气体供给配管45a的一端。气体供给配管45a的另一端连接着用于供给包含处理气体的各种气体的气体供给源45。气体供给配管45a中自上游侧依次设置有质量流量控制器(MFC，Mass Flow Controller)45b、以及开闭阀V2。于是，用于等离子体刻蚀的处理气体从气体供给源45经由气体供给配管45a而被供给至气体扩散室46c，并从气体扩散室46c经由气体流通孔46d及气体导入孔46e分散成喷洒状而被供给至处理容器30内。
上述的作为上部电极的喷头电极46上经由低通滤波器(LPE，Low Pass Filter)48a而电连接着可变直流电源48b。可变直流电源48b被构成为通过接通/切断开关48c能够接通/切断供电。可变直流电源48b的电流/电压以及接通/切断开关48c的接通/切断通过下述控制部90来控制。
此外，以自处理容器30的侧壁延伸至比喷头电极46的高度位置靠上方处的方式，设置有圆筒状接地导体30c。圆筒状接地导体30c在上部具有顶壁。
处理容器30的底部形成有排气口81。排气口81经由排气管82连接着排气装置83。排气装置83被构成为，具有真空泵，通过使真空泵工作能够使处理容器30内减压至规定的真空度。
在处理容器30的侧部内侧，沿着内壁面设置有沉积挡板(deposition shield)86。沉积挡板86防止刻蚀副产物(沉积物)附着于处理容器30。沉积挡板86以装卸自如的方式构成。沉积挡板86与圆筒状内壁构件37之间设置有排气板87。排气板87中形成有多个贯穿孔，将处理容器30的内侧空间与排气口81之间连通。
上述结构的等离子体刻蚀装置10由控制部90统一控制动作。控制部90例如是计算机，控制等离子体刻蚀装置10的各部件。等离子体刻蚀装置10由控制部90统一控制动作。
另一方面，等离子体刻蚀装置10中，为了能够对处理容器30内部的部件进行更换，将第一部件与第二部件接合在一起构成用于形成处理空间的处理容器30，能够分离成第一部件和第二部件。本实施方式中，将上侧的上部部件30a与下侧的下部部件30b接合在一起构成处理容器30，能够分离成上部部件30a和下部部件30b。例如，处理容器30在绝缘性构件47的下部附近能够分离成上部部件30a和下侧的下部部件30b。上部部件30a中包括用作上部电极的喷头电极46。下部部件30b中包括用作下部电极的载置台31。处理容器30在上部部件30a与下部部件30b的接合面设置有O形圈等密封构件30d，能够在接合后的状态下维持气密性。此外，本实施方式中，沉积挡板86能够分离成上部沉积挡板84和下部沉积挡板85，与上部部件30a和下部部件30b同样地，能够在绝缘性构件47的下部附近分离。在此情况下，上部部件30a中还包括上部沉积挡板84。另外，根据沉积挡板86和绝缘性构件47周边的设计结构，沉积挡板86也可以不被分割，而且，绝缘性构件47也可以被分割。
图2是表示实施方式涉及的处理容器的外观的一个示例的图。图2中示意性表示出处理容器30的外观。处理容器30为圆筒状，由上部部件30a与下部部件30b接合而构成。此外，在处理容器30的一侧设置有升降机构95。升降机构95设置有支承上部部件30a的臂部95a，通过使升降机构95升降能够经由臂部95a来对上部部件30a进行升降。并且，升降机构95能够在上升了的状态下使臂部95a以升降机构95为轴旋转移动，且能够使上升了的上部部件30a沿旋转方向滑动移动。
另一方面，等离子体刻蚀装置10中，处理容器30内有由于使用等离子体的刻蚀处理而损耗的部件存在，有时需要对部件进行更换。例如，等离子体刻蚀装置10中，设置于晶片W的外周的对焦环35会由于刻蚀处理而损耗。对于等离子体刻蚀装置10，在将处理容器30向大气开放后对对焦环35等部件进行更换时，需要进行处理容器30内的温度调整、水分控制，因而到再次开始对晶片W进行刻蚀处理为止需要很长的时间。其结果是，等离子体刻蚀装置10的生产率降低。
为此，作业人员使用以下说明的本实施方式涉及的维护装置来实施对部件的更换。
维护装置的结构
接下来，对实施方式涉及的维护装置的结构进行说明。图3是说明实施方式涉及的维护装置的一个示例的图。图3中表示出在开放处理容器30前的状态。实施方式涉及的维护装置100具有第一维护装置101、第二维护装置102和第三维护装置103。
第一维护装置101具有罩体110。罩体110为形成有和上部部件30a与下部部件30b的分界线对应的尺寸的开口的袋体。罩体110具有气密性以及至少一部分有视觉上的透明性。例如，罩体110由聚氯乙烯等透明的合成树脂构成，整体具有视觉上的透明性。罩体110的内部配置有第二维护装置102及第三维护装置103。第二维护装置102及第三维护装置103的详情之后说明。
图4是表示实施方式涉及的第一维护装置配置于处理容器中的状态的图。第一维护装置101具有用于将罩体110固定至处理容器30的固定构件。本实施方式中，第一维护装置101具有调整部112和锁紧圈113，作为固定构件。
调整部112在上部部件30a与下部部件30b的分界线上下配置有两个。例如，调整部112由多个部件分割地构成，通过在上部部件30a与下部部件30b的分界线的上侧及下侧依次配置各部件，沿着分界线在上下分别配置。
在处理容器30的外周面，在上部部件30a与下部部件30b的分界线的上侧配置有调整部112a，在下侧配置有调整部112b。调整部112的一部分中，设置有沿上下方向贯穿的接头114。另外，调整部112可以是不能装卸的，可以预先固定至处理容器30。例如，处理容器30可以与调整部112形成为一体。此外，在调整部112中，可以设置能够变更开状态与闭状态的阀门，来代替接头114。
图5是表示实施方式涉及的锁紧圈的一个示例的图。锁紧圈113具有长条的带部113a和固定部113b。带部113a的一端固定至固定部113b，且带部113a的另一端对于固定部113b可装卸。此外，固定部113b能够调整安装好的带部113a的另一端被固定的固定位置。锁紧圈113通过改变由固定部113b固定带部113a的另一端的固定位置，能够调整带部113a的紧固。
返回至图3。罩体110的开口中设置有拉链部110b，该拉链部110b彼此相向而能保持气密性地接合。作业人员从一侧用罩体110的开口覆盖上部部件30a与下部部件30b的分界线，并在另一侧将拉链部110b接合。然后，作业人员从罩体110上方，沿着调整部112设置锁紧圈113。
图6是表示在罩体上设置了锁紧圈的状态的一个示例的图。通过两个锁紧圈113且包括接合好的拉链部110b，罩体110的上侧及下侧被紧固。罩体110中，由于拉链部110b是接合好的，拉链部110b处没有外部的大气通过，所以能够维持气密性。由此，在处理容器30的外周面，罩体110所覆盖的内部与外部被隔断。
图7A及图7B是表示罩体所覆盖的内部的大气状态的一个示例的图。如图7A所示，罩体110所覆盖的内部被外部的包含水分的大气充满。作业人员用干空气充满处理容器30的内部及罩体110所覆盖的内部。例如，作业人员操作等离子体刻蚀装置10，从气体供给源45供给干空气并将干空气从喷头电极46导入处理容器30内，用干空气充满处理容器30内。此外，作业人员将供给干空气的气体管105连接至调整部112的任一个接头114，并开放其他的接头114。由此，如图7B所示，处理容器30的外周面的罩体110所覆盖的内部的大气被更换为干空气。
作业人员使升降机构95上升，将上部部件30a与下部部件30b分离。图7C是表示上部部件与下部部件分离开的状态的一个示例的图。这里，由于处理容器30的外周面的罩体110所覆盖的内部与外部被隔断，且被干空气充满，所以能抑制外部的包含水分的大气进入处理容器30的内部。
返回至图3。在罩体110的内部配置有第二维护装置102及第三维护装置103。
图8是表示实施方式涉及的第二维护装置的结构的一个示例的图。第二维护装置102具有罩体120。罩体120形成为与上部部件30a的开口面对应的尺寸。罩体120具有气密性以及至少一部分有视觉上的透明性。例如，罩体120由聚氯乙烯等透明的合成树脂构成，整体具有视觉上的透明性。
此外，第二维护装置102具有用于将罩体120固定至上部部件30a的固定构件。本实施方式中，第二维护装置102具有圈构件121，作为固定构件。圈构件121以与上部部件30a的开口面对应的尺寸形成为圈状，沿着周向设置有多个贯穿的螺纹孔122，且各螺纹孔122中设置有安装螺钉123。
图9是表示实施方式涉及的第三维护装置的结构的一个示例的图。第三维护装置103具有罩体130。罩体130形成为与下部部件30b的开口面对应的尺寸。罩体130具有气密性以及至少一部分有视觉上的透明性。例如，罩体130由聚氯乙烯等透明的合成树脂构成，整体具有视觉上的透明性。罩体130设置有呈手的形状的袋状手套140、以及具有气密性的容器150。容器150的详细情况之后说明。
此外，第三维护装置103具有用于将罩体130固定至下部部件30b的固定构件。本实施方式中，第三维护装置103具有圈构件131，作为固定构件。圈构件131以与下部部件30b的开口面对应的尺寸形成为圈状，沿着周向设置有多个贯穿的螺纹孔132，且各螺纹孔132中设置有螺钉133。
图10A至图10C是说明设置实施方式涉及的第二维护装置及第三维护装置的流程的一个示例的图。如图10A及图10B所示，作业人员经由罩体110保持第三维护装置103，将第三维护装置103从上部部件30a与下部部件30b之间的间隙移动至处理容器30的内部。然后，作业人员将圈构件131固定至下部部件30b的上表面。
此外，如图10C所示，作业人员经由罩体110保持第二维护装置102，将第二维护装置102从上部部件30a与下部部件30b之间的间隙移动至处理容器30的内部。然后，作业人员将圈构件121固定至上部部件30a的下表面。
图11A是表示实施方式涉及的第三维护装置103安装于下部部件30b的状态的一个示例的图。本实施方式中，调整部112b中形成有螺纹孔115b。圈构件131的螺钉133安装于螺纹孔115b中。下部部件30b的上表面被罩体130覆盖。下部部件30b的周围被安装好的圈构件131和O形圈等密封构件134密封。由此，下部部件30b的被第三维护装置103覆盖的内部与外部被隔断。另外，密封构件134可以兼用作用于上部部件30a和下部部件30b的接合面的密封构件30d。
图11B是表示实施方式涉及的第二维护装置102安装于上部部件30a的状态的一个示例的图。本实施方式中，调整部112a中形成有螺纹孔115a。圈构件121的安装螺钉123安装于螺纹孔115a。上部部件30a的下表面被罩体120覆盖。上部部件30a的周围被安装好的圈构件121和O形圈等密封构件124密封。由此，上部部件30a的被第二维护装置102覆盖的内部与外部被隔断。
作业人员拆除第一维护装置101。例如，作业人员拆除锁紧圈113，解除罩体110的拉链部110b的接合从而将罩体110从处理容器30的周围拆除下来。
图12是表示实施方式涉及的第一维护装置拆除后的状态的一个示例的图。由此，在上部部件30a的被第二维护装置102覆盖的内部、以及下部部件30b的被第三维护装置103覆盖的内部，干空气得以维持。此外，第二维护装置102与第三维护装置103之间的空间成为大气空间。
作业人员通过升降机构95，使上升后的上部部件30a沿旋转方向滑动移动。图13是表示实施方式涉及的上部部件沿旋转方向滑动了的状态的一个示例的图。由此，在下部部件30b的上部能够确保较大的空间。作业人员能够从上部经由第三维护装置103的罩体130对下部部件30b进行确认。此外，如图13所示，作业人员通过将手伸进手套140中，能够经由手套140对下部部件30b的内部进行维护。
作业人员在进行维护时，用干空气充满由罩体130覆盖的下部部件30b的内部。图14是表示安装了实施方式涉及的第三维护装置的下部部件的内部在用干空气充满后的状态的一个示例的图。例如，作业人员对等离子体刻蚀装置10进行操作，从下部部件30b侧供给干空气，并用干空气充满下部部件30b的内部。另外，图14、下述的图15A及图15B中简化表示出下部部件30b。
罩体130中如上所述设置有具有气密性的容器150。容器150经由气密锁紧部151安装于罩体130，通过关闭气密锁紧部151能够使容器150内与罩体130内分别实现气密。容器150中设置有两个接头152、153和气密锁紧部154。容器150用作预真空锁(load lock)室，用于在罩体130所覆盖的下部部件30b的内部与外部的大气空间之间中转上述部件等各种零部件时去除包含外部的水分的大气。另外，容器150中可以设置能够变更开状态与闭状态的阀门，来代替接头152、153。
接下来，对使用了第三维护装置103的维护的一个示例进行说明。图15A至图15C是说明使用实施方式涉及的第三维护装置拆除部件的流程的一个示例的图。
作业人员经由容器150对下部部件内部的各种部件进行更换。例如，在拆除下部部件30b内部的对焦环35时，作业人员用干空气充满容器150的内部。例如，作业人员关闭气密锁紧部154，从接头152、153中的一个向容器150内导入干空气，并开放接头152、153中的另一个。由此，容器150内部的大气被更换为干空气。接着，作业人员将手伸进手套140中，经由手套140，打开气密锁紧部151，将作为更换对象的对焦环35移动至容器150内，并关闭气密锁紧部151。
然后，作业人员打开气密锁紧部154，从容器150内拆除作为更换对象的对焦环35。
图16A及图16B是说明使用实施方式涉及的第三维护装置安装部件的流程的一个示例的图。例如，在安装新的对焦环35时，作业人员打开气密锁紧部154，将新的对焦环35放入容器150内并关闭气密锁紧部154。由于打开过气密锁紧部154，所以容器150的内部成为大气空间。
作业人员用干空气充满容器150的内部。例如，作业人员从接头152、153中的一个将干空气导入容器150内，并开放接头152、153中的另一个。由此，容器150内部的大气被更换为干空气。
作业人员将手伸进手套140中，经由手套140打开气密锁紧部151，从容器150内部拆除新的对焦环35并关闭气密锁紧部151。然后，作业人员将拆除下来的新的对焦环35安装于下部部件30b的内部。
另外，使用过的对焦环35等处理容器30内的部件附着有沉积物等，若移动至容器150内则会存在容器150内被沉积物污染的情况。因此，容器150优选对于罩体130是可装卸的。例如，可以将收纳处理容器30内的部件的容器150从罩体130拆除下来，并将收纳新的部件的容器150安装至罩体130，来对部件进行更换。此外，容器150也可以在罩体130上设置有多个。例如，可以设置用于收纳被使用过的部件的容器150、以及收纳新的部件的容器150。此外，容器150中也可以收纳用于维护或清洁的用具。
在维护结束后，作业人员按照与到开放处理容器30为止的顺序相反的顺序将上部部件30a与下部部件30b接合。
具体而言，作业人员通过升降机构95，使滑动移动了的上部部件30a返回至与下部部件30b相向的位置。接着，作业人员安装第一维护装置101。例如，作业人员将上部部件30a的下部和下部部件30b的上部从一侧用罩体110的开口覆盖，并在另一侧将拉链部110b接合。然后，作业人员从罩体110的上方，沿着调整部112设置锁紧圈113。
作业人员用干空气充满罩体110所覆盖的内部。作业人员将供给干空气的气体管105连接至调整部112的任一个接头114，并开放另一个接头114。由此，处理容器30的外周面的罩体110所覆盖的内部的大气被更换为干空气。
作业人员拆除第二维护装置102及第三维护装置103。罩体110所覆盖的内部被干空气充满。因此，即使拆除第二维护装置102及第三维护装置103，也能够抑制上部部件30a及下部部件30b的内部被曝露于外部的包含水分的大气。
作业人员使升降机构95下降，将上部部件30a与下部部件30b接合。然后，作业人员拆除第一维护装置101。例如，作业人员拆下锁紧圈113，解除罩体110的拉链部110b的接合并将罩体110从处理容器30的周围拆除。
这样，维护装置100能够在不使处理容器30的内部曝露于包含水分的外部的大气的情况下进行更换部件等维护。由此，等离子体刻蚀装置10在进行了维护之后，能够简化处理容器30内部水分控制的处理等，从而能够尽快再次开始生产。此外，等离子体刻蚀装置10由于可抑制处理容器30的内部曝露于外部的包含水分的大气中，所以能够抑制处理容器30内的零部件的劣化。
此外，维护装置100中对等离子体刻蚀装置10具有依赖性的结构很少，通用性很高，因而能够对应各种类型的等离子体刻蚀装置的维护。例如，维护装置100能够用于过去出品的各种类型的等离子体刻蚀装置的维护。
这样，本实施方式涉及的维护装置具有罩体和固定构件。罩体形成为和处理容器的第一部件与第二部件的分界线对应的尺寸、或者和第一部件与第二部件分离后的开口面对应的尺寸，且具有气密性以及至少一部分有视觉上的透明性，其中，所述处理容器能够分离成第一部件和第二部件，且在处理衬底时被设置为真空气氛。固定构件将罩体沿着处理容器的第一部件与第二部件的分界线紧密固定，或者将罩体紧密固定于第一部件与第二部件分离后的开口面。例如，第一维护装置101具有罩体110和锁紧圈113。罩体110形成有和上部部件30a与下部部件30b的分界线对应的尺寸的开口，且具有气密性以及至少一部分有视觉上的透明性。锁紧圈113将罩体110沿着上部部件30a与下部部件30b的分界线紧密固定。此外，第二维护装置102具有罩体120和圈构件121。罩体120形成为与上部部件30a的开口面对应的尺寸，且具有气密性以及至少一部分有视觉上的透明性。圈构件121将罩体120紧密固定于上部部件30a的开口面。此外，第三维护装置103具有罩体130和圈构件131。罩体130形成为与下部部件30b的开口面对应的尺寸，且具有气密性以及至少一部分有视觉上的透明性。圈构件131将罩体130紧密固定于下部部件30b的开口面。由此，第一维护装置101、第二维护装置102及第三维护装置103能够在不使处理容器30内曝露于外部气体的情况下简便地进行维护。
此外，本实施方式涉及的第一维护装置101的罩体110为形成有和上部部件30a与下部部件30b的分界线对应的尺寸的开口的袋体，且在开口的一部分设置有拉链部110b，该拉链部110b彼此相向而能保持气密性地接合。罩体110以开口覆盖上部部件30a与下部部件30b的分界线，且拉链部110b被接合。锁紧圈113在上部部件30a与下部部件30b的分界线上下将罩体110紧密固定。由此，第一维护装置101能够将处理容器30的被罩体110所覆盖的内部与外部隔断。
此外，本实施方式涉及的第二维护装置102的罩体120形成为与上部部件30a的开口面对应的尺寸。圈构件121将罩体120紧密固定于上部部件30a的开口面的边缘部。此外，本实施方式涉及的第三维护装置103的罩体130形成为与下部部件30b的开口面对应的尺寸。圈构件131将罩体130紧密固定于下部部件30b的开口面的边缘部。由此，第二维护装置102能够将上部部件30a的开口密闭，从而能够抑制上部部件30a的内部被曝露于外部的包含水分的大气。此外，第三维护装置103能够将下部部件30b的开口密闭，从而能够抑制下部部件30b的内部被曝露于外部的包含水分的大气。
此外，本实施方式涉及的第三维护装置103的罩体130设置有手套140。由此，对于第三维护装置103，作业人员能够将手伸进手套140中，手动地对下部部件30b的内部进行维护。
此外，本实施方式涉及的第三维护装置103的罩体130设置有气密性的气密锁紧部151，经由气密锁紧部151而与具有气密性的容器150连通。由此，第三维护装置103能够在容器150内配置上述部件等各种零部件。
此外，本实施方式涉及的第三维护装置103的容器150设置有将该容器150的外部与内部连接的接头152、153、以及气密性的气密锁紧部154。由此，第三维护装置103在与外部的大气空间之间中转上述部件等各种零部件时能够去除外部的包含水分的大气。
此外，本实施方式涉及的第一维护装置101的锁紧圈113设置有接头114，该接头114将用罩体110覆盖的内部与外部连接。由此，第一维护装置101能够更换用罩体110覆盖的内部的大气。
以上，对实施方式进行了说明，但应当认为，此次公开的实施方式其所有的点仅为例示性的，而并非限制性的。实际上，上述的实施方式能以多种方式来加以实现。此外，上述的实施方式在不脱离权利要求书的范围及其要旨的情况下可以各种方式进行省略、替换及更换。
例如，实施方式中，作为维护而以对部件进行更换的情况为例进行了说明，但维护并不限于此。作为维护，例如，可举出通过目视对处理容器30内进行确认、对处理容器30内进行清洁。在通过目视对处理容器30的内部的状态进行确认的情况下，可以仅使用第一维护装置101。此外，也可以在第一维护装置101上设置手套140和容器150其中之一或双方，仅用第一维护装置101来对部件进行更换。此外，还可以在第一维护装置101上设置手套140，来进行清洁等维护。图17是表示实施方式涉及的第一维护装置的另一个示例的图。图17中表示出，在第一维护装置101的罩体110上设置手套140来对上部部件30a及下部部件30b的内部进行维护的状态。
此外，实施方式中以对下部部件30b的部件进行更换的情况为例进行了说明，但在对上部部件30a的部件进行更换的情况下，也可以在第二维护装置102上设置手套140及容器150。
此外，实施方式中以在第三维护装置103的容器150中设置了用于从外部取放部件的气密锁紧部154的情况为例进行了说明，但并不限于此。第三维护装置103可以设置有预先放入有更换用的新的部件的容器150、用于容纳使用完毕的部件的容器150等多个容器150。此外，容器150也可以设置在罩体130的侧面侧。图18是表示实施方式涉及的第三维护装置的另一个示例的图。图18中表示出，在第三维护装置103的罩体130的侧面侧设置了容器150的状态。
此外，实施方式中以第一维护装置101的罩体110、第二维护装置102的罩体120及第三维护装置103的罩体130各自整体上具有视觉上的透明性的情况为例进行了说明，但并不限于此。罩体110、罩体120及罩体130也可以是仅维护上需要视觉上的透明性的部分具有视觉上的透明性。
此外，实施方式中以手套140为手的形状的情况为例进行了说明，但并不限于此。手套140可以为任一结构，只要是能够握持部件等即可。
此外，实施方式中以将维护装置100用于等离子体刻蚀装置10的维护的情况为例进行了说明，但并不限于此。作为维护的对象的维护对象装置，可以是任一装置，只要是具有会因曝露于外部大气而受影响的处理容器的装置即可。

Claims (6)

1.一种维护装置，其特征在于，具有：
处理容器，具有气密性，使得在处理衬底时被设置为真空气氛，且所述处理容器能够分离成第一部件和第二部件；
第一罩体，其形成为和所述第一部件与所述第二部件的分界线对应的尺寸、或者和所述第一部件与所述第二部件分离后的开口面对应的尺寸，且具有气密性以及至少一部分有视觉上的透明性；
第一固定构件，其用于将所述第一罩体沿着所述处理容器的所述第一部件与所述第二部件的所述分界线紧密固定，或者将所述第一罩体紧密固定于所述第一部件与所述第二部件分离后的开口面；
第二罩体和第二固定构件；以及
设置有手套的第三罩体和第三固定构件，
所述第二罩体和所述第二固定构件以及所述第三罩体和所述第三固定构件配置在所述第一罩体的内部，
所述第一罩体为形成有和所述第一部件与所述第二部件的所述分界线对应的尺寸的开口的袋体，所述开口的一部分设置有彼此相向而能保持气密性地接合的拉链部，并且所述第一罩体的所述开口用于覆盖所述第一部件与所述第二部件的所述分界线，且所述拉链部被接合，
所述第一固定构件用于在所述第一部件与所述第二部件的所述分界线上下将所述第一罩体紧密固定，
所述第二罩体和所述第三罩体形成为和所述第一部件与所述第二部件分离后的开口面对应的尺寸，
所述第二固定构件用于将所述第二罩体紧密固定于所述第一部件的开口面的边缘部，
所述第三固定构件用于将所述第三罩体紧密固定于所述第二部件的开口面的边缘部。
2.根据权利要求1所述的维护装置，其特征在于，
所述第二罩体和所述第三罩体设置有气密性第一锁紧部，且经由所述第一锁紧部而与具有气密性的容器连通。
3.根据权利要求2所述的维护装置，其特征在于，
所述具有气密性的容器设置有将该具有气密性的容器的外部与内部连接的第一阀门或第一接头、以及气密性第二锁紧部。
4.根据权利要求2或3所述的维护装置，其特征在于，
所述具有气密性的容器对于所述第二罩体和所述第三罩体是可装卸的。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的维护装置，其特征在于，
所述第一固定构件设置有将由所述第一罩体覆盖的内部与外部连接的第二阀门或第二接头。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的维护装置，其特征在于，
所述第一部件包括上部电极，
所述第二部件包括下部电极。
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Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS612250A (ja) * 1984-06-15 1986-01-08 Hitachi Ltd 走査電子顕微鏡およびその類似装置における試料導入装置
US6045618A (en) * 1995-09-25 2000-04-04 Applied Materials, Inc. Microwave apparatus for in-situ vacuum line cleaning for substrate processing equipment
JP3205312B2 (ja) * 1999-03-17 2001-09-04 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置のメンテナンス方法
JP2001153760A (ja) * 1999-11-30 2001-06-08 Shimadzu Corp 搬送用試料容器
US6863835B1 (en) * 2000-04-25 2005-03-08 James D. Carducci Magnetic barrier for plasma in chamber exhaust
CN100434010C (zh) * 2003-11-21 2008-11-19 葛西寿一 高气密性塑料夹头的制造方法以及高气密性塑料夹头
CN2684372Y (zh) * 2004-01-16 2005-03-09 中国电子科技集团公司第二研究所 元器件真空焙烘封装箱
JP2006196691A (ja) 2005-01-13 2006-07-27 Toshiba Corp 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
JP4728757B2 (ja) * 2005-09-22 2011-07-20 株式会社東芝 半導体製造方法及び半導体製造装置
US7824500B1 (en) * 2007-11-19 2010-11-02 National Semiconductor Corporation System and method for cleaning a reactor chamber of a pump exhaust abatement system
JP5062057B2 (ja) * 2008-06-25 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
JP4885235B2 (ja) * 2008-08-12 2012-02-29 三菱重工業株式会社 接合装置および接合装置メンテナンス方法
JP2011124295A (ja) * 2009-12-09 2011-06-23 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
JP5791329B2 (ja) * 2011-03-31 2015-10-07 大陽日酸株式会社 気相成長装置
CN102185120B (zh) * 2011-04-02 2013-09-11 东莞宏威数码机械有限公司 手套箱装置及工件传输的方法
US20130263895A1 (en) * 2012-04-06 2013-10-10 Jae Chull Lee Cvd reactor cleaning methods and systems
KR102037916B1 (ko) * 2012-10-22 2019-10-29 세메스 주식회사 기판처리장치
JP6078407B2 (ja) * 2013-04-05 2017-02-08 古河機械金属株式会社 ベルジャ
JP6629116B2 (ja) * 2016-03-25 2020-01-15 芝浦メカトロニクス株式会社 プラズマ処理装置

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