CN111763223A - 一种有机化合物、热活化延迟荧光材料及其应用 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种有机化合物、热活化延迟荧光材料及其应用，所述有机化合物具有如式I所示结构，是一种含硼杂环有机小分子化合物，通过母核结构的设计和大位阻基团的引入，能够避免化合物的聚集，避免共轭平面的直接堆积形成π聚集或激基缔合物，从而提高了发光效率。所述有机化合物具有双极性特性，其作为TADF材料用于OLED器件的发光层，能够提高两种载流子的传输能力，改善载流子平衡，提高器件的荧光量子效率，降低器件电压，从而显著改善OLED器件的发光效率和性能稳定性，降低启亮电压和能耗，延长器件的工作寿命。
Description
技术领域
本发明属于有机电致发光材料技术领域，具体涉及一种有机化合物、热活化延迟荧光材料及其应用。
背景技术
有机电致发光(Organic Light Emitting Display，OLED)技术是当前国际上的研究热点，OLED器件具有与集成电路相匹配的直流低电压驱动的特性，易于实现大面积直流显示。与液晶显示器件相比，OLED在响应速度方面具有十分明显的优势；与无机电致发光器件相比，OLED具有易处理、加工性好、可柔性显示、机械性能良好以及成本低的特点。在过去的数十年里，OLED作为一种新的显示技术已经获得了长足发展，在平板显示、柔性显示、固态照明和车载显示领域中获得了广泛应用。
在OLED器件的研制中，材料的选择至关重要，材料的性质、器件的结构和加工工艺直接决定了器件的最终性能。OLED器件通常具有类三明治的多层结构，包括阴极、阳极以及位于阴极和阳极之间的有机膜层；有机膜层又包括发光层，以及电子传输层、空穴传输层、空穴注入层和电子注入层等辅助传输的功能层；其中，发光层材料的开发和性能优化一直是OLED领域中备受关注的研究课题。
根据发光机制，可用于OLED的发光层材料主要分为以下四种：荧光材料、磷光材料、三线态-三线态湮灭(TTA)材料和热激活延迟荧光(TADF)材料。
荧光材料的单线激发态S1通过辐射跃迁回到基态S0，根据自旋统计，激子中单线态和三线态激子的比例为1:3，所以荧光材料最大内量子产率不大于25％；依据朗伯发光模式，光取出效率为20％左右，因此，基于荧光材料的OLED器件的外量子效率EQE一般不超过5％。
磷光材料的三线激发态T1直接辐射衰减到基态S0，由于重原子效应，可以通过自旋偶合作用加强分子内部系间窜越，可以直接利用75％的三线态激子，从而实现在室温下S1和T1共同参与的发射，理论最大内量子产率可达100％。依据朗伯发光模式，光取出效率约为20％，因此，基于磷光材料的OLED器件的EQE可以达到20％。但是磷光材料通常为Ir、Pt、Os、Re、Ru等重金属配合物，生产成本较高，不利于大规模生产。而且，在高电流密度下，磷光材料存在严重的效率滚降现象，同时磷光OLED器件的稳定性并不好。
TTA材料中，两个三线态激子相互作用产生一个单线态激子，通过辐射跃迁回到基态S0。相邻的2个三线态激子复合生成一个更高能级的单线激发态分子和一个基态分子，但是2个三线态激子产生1个单线态激子，故其理论最大内量子产率只能达到62.5％。为了防止产生较大的效率滚降现象，在这个过程中三线态激子的浓度需要调控。
TADF材料中，当S1态和T1态的能级差较小且T1态激子寿命较长时，在一定温度条件下，分子内部发生逆向系间窜越(RISC)，T1态激子通过吸收环境热量转换到S1态，再由S1态辐射衰减至基态S0。因此，TADF材料可同时利用75％的三线态激子和25％的单线态激子，理论最大内量子产率可达100％。TADF材料主要为有机化合物，不需要稀有金属元素，生产成本低，并且可通过多种方法进行化学修饰。
目前，人们对于TADF材料的研究尚不深入，已经公开的TADF材料在性能上难以满足其作为发光材料在显示器件中的应用要求，TADF材料在发光效率、稳定性以及加工性能方面还需要不断地优化和完善。因此，开发更多种类、更高性能的TADF材料，是本领域的研究重点。
发明内容
为了开发更多种类、更高性能的TADF材料，本发明的目的之一在于提供一种有机化合物，所述有机化合物具有如式I所示结构：
式I中，R1、R2各自独立地选自取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C2～C30杂芳基、取代或未取代的C6～C30芳胺基中的任意一种；且R1、R2中至少有一个为供电子基团。
所述C6～C30各自独立地可以为C6、C8、C10、C12、C13、C14、C15、C16、C18、C20、C22、C24、C26或C28等。
所述C2～C30可以为C3、C4、C5、C6、C8、C10、C12、C13、C14、C15、C16、C18、C20、C22、C24、C26或C28等。
所述“供电子基团”意指能够提高苯环上电子云密度的基团，示例性地包括但不限于：咔唑基、芳胺基、噻吩基、呋喃基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、N-苯基咔唑基、吩噻嗪基、吩噁嗪基、吖啶基、氢化吖啶基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吩嗪基或噻蒽基等。
式I中，L1、L2各自独立地选自单键、取代或未取代的C6～C20亚芳基、取代或未取代的C2～C20亚杂芳基；其中，“L1为单键”代表R1直接与B原子相连，“L2为单键”代表R2直接与B原子相连。
所述C6～C20可以为C6、C8、C10、C12、C13、C14、C15、C16或C18等。
所述C2～C20可以为C3、C4、C5、C6、C8、C10、C12、C13、C14、C15、C16或C18等。
式I中，R3、R4各自独立地选自取代或未取代的C1～C5(例如C1、C2、C3、C4或C5)直链或支链烷基、取代或未取代的C6～C18(例如C6、C9、C10、C12、C14、C16或C18等)芳基、取代或未取代的C2～C18(例如C3、C4、C5、C6、C9、C10、C12、C14、C16或C18等)杂芳基。
式I中，R11、R12、R13、R14、R15、R16各自独立地选自氢、取代或未取代的C1～C20直链或支链烷基、取代或未取代的C3～C20环烷基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C2～C30杂芳基、C1～C20烷氧基、C1～C20烷硫基或卤素中的任意一种。
所述C1～C20各自独立地可以为C2、C3、C4、C5、C6、C8、C10、C12、C14、C15、C17或C19等。
所述C3～C20可以为C4、C5、C6、C8、C10、C12、C14、C15、C17或C19等。
所述C6～C30可以为C6、C8、C10、C12、C13、C14、C15、C16、C18、C20、C22、C24、C26或C28等。
所述C2～C30可以为C3、C4、C5、C6、C8、C10、C12、C13、C14、C15、C16、C18、C20、C22、C24、C26或C28等。
本发明的目的之二在于提供一种热活化延迟荧光材料，所述热活化延迟荧光材料包括如目的之一所述的有机化合物。
本发明的目的之三在于提供一种显示面板，所述显示面板包括OLED器件，所述OLED器件包括阳极、阴极以及位于所述阳极和阴极之间的有机薄膜层，所述有机薄膜层包括发光层；所述发光层的材料包括如目的之二所述的热活化延迟荧光材料。
本发明的目的之四在于提供一种电子设备，所述电子设备包括如目的之三所述的显示面板。
相对于现有技术，本发明具有以下有益效果：
本发明提供的有机化合物是一种含硼杂环有机小分子化合物，通过母核结构的设计和大位阻基团的引入，避免了化合物的聚集，避免共轭平面的直接堆积形成π聚集或激基缔合物，从而提高了发光效率。所述有机化合物具有TADF特性，分子结构中具有大的刚性扭曲，有效降低了HOMO和LUMO之间的重叠，使三重态和单重态之间的能级差可以降低到0.25eV以下，满足三线态能量向单线态逆向窜越，从而提高器件效率。本发明提供的有机化合物本身具有双极性特性，作为OLED器件的发光层材料能够提高两种载流子的传输能力，改善载流子平衡，提高器件的荧光量子效率，降低器件电压。所述有机化合物作为TADF材料用于OLED器件的发光层，能够有效提升器件的发光效率和性能稳定性，降低启亮电压，延长器件的工作寿命。
附图说明
图1为本发明提供的OLED器件的结构示意图，其中101为阳极，102为阴极，103为发光层，104为第一有机薄膜层，105为第二有机薄膜层；
图2为实施例1提供的有机化合物M1的HOMO和LUMO轨道排布图。
具体实施方式
下面通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体限制。
本发明的目的之一在于提供一种有机化合物，所述有机化合物具有如式I所示结构：
式I中，R1、R2各自独立地选自取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C2～C30杂芳基、取代或未取代的C6～C30芳胺基中的任意一种；且R1、R2中至少有一个为供电子基团(例如R1、R2中的任意一个为供电子基团，或R1、R2均为供电子基团)。
所述C6～C30各自独立地可以为C6、C8、C10、C12、C13、C14、C15、C16、C18、C20、C22、C24、C26或C28等。
所述C2～C30可以为C3、C4、C5、C6、C8、C10、C12、C13、C14、C15、C16、C18、C20、C22、C24、C26或C28等。
所述“供电子基团”意指能够提高苯环上电子云密度的基团，示例性地包括但不限于：咔唑基、芳胺基、噻吩基、呋喃基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、N-苯基咔唑基、吩噻嗪基、吩噁嗪基、吖啶基、氢化吖啶基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吩嗪基或噻蒽基等。
式I中，L1、L2各自独立地选自单键、取代或未取代的C6～C20亚芳基、取代或未取代的C2～C20亚杂芳基；其中，“L1为单键”代表R1直接与B原子相连，“L2为单键”代表R2直接与B原子相连。
所述C6～C20可以为C6、C8、C10、C12、C13、C14、C15、C16或C18等。
所述C2～C20可以为C3、C4、C5、C6、C8、C10、C12、C13、C14、C15、C16或C18等。
式I中，R3、R4各自独立地选自取代或未取代的C1～C5(例如C1、C2、C3、C4或C5)直链或支链烷基、取代或未取代的C6～C18(例如C6、C9、C10、C12、C14、C16或C18等)芳基、取代或未取代的C2～C18(例如C3、C4、C5、C6、C9、C10、C12、C14、C16或C18等)杂芳基。
式I中，R11、R12、R13、R14、R15、R16各自独立地选自氢、取代或未取代的C1～C20直链或支链烷基、取代或未取代的C3～C20环烷基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C2～C30杂芳基、C1～C20烷氧基、C1～C20烷硫基或卤素中的任意一种。
所述C1～C20各自独立地可以为C2、C3、C4、C5、C6、C8、C10、C12、C14、C15、C17或C19等。
所述C3～C20可以为C4、C5、C6、C8、C10、C12、C14、C15、C17或C19等。
所述C6～C30可以为C6、C8、C10、C12、C13、C14、C15、C16、C18、C20、C22、C24、C26或C28等。
所述C2～C30可以为C3、C4、C5、C6、C8、C10、C12、C13、C14、C15、C16、C18、C20、C22、C24、C26或C28等。
本发明提供的有机化合物是一种具有式I所示结构的新型含硼杂环有机小分子化合物，所述有机化合物的母核结构中，苊烯结构单元与吡嗪结构单元通过含B杂环进行稠合，形成一个较大的共轭性平面，有效提高了化合物的载流子迁移性能；同时，大位阻取代基R1、R2的引入能够避免化合物的聚集，避免共轭平面的直接堆积形成π聚集或激基缔合物，从而提高了发光效率。所述有机化合物的分子结构具有较大的刚性扭曲，降低了HOMO和LUMO之间的重叠，使得三重态和单重态之间的能级差可以降低到0.25eV以下，满足三线态能量向单线态的逆向窜越，从而提高发光效率；所述有机化合物中母核结构与取代基的协同配合赋予其TADF特性，可以利用传统荧光分子跃迁禁阻得三线态激子来发光，从而提高器件效率。本发明提供的有机化合物本身具有双极特性(Bipolar特性)，其作为发光层材料必将大大提高两种载流子的传输能力，改善载流子平衡，提高荧光量子效率和降低器件电压。
在一个实施方式中，所述取代的芳基、取代的杂芳基、取代的芳胺基、取代的亚芳基、取代的亚杂芳基、取代的直链或支链烷基、取代的环烷基中的取代基各自独立地选自C1～C10(例如C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8或C9)直链或支链烷基、C6～C18(例如C6、C9、C10、C12、C14、C16或C18等)芳基、C2～C18(例如C3、C4、C5、C6、C8、C10、C12、C14、C16或C18等)杂芳基、C6～C18(例如C6、C9、C10、C12、C14、C16或C18等)芳胺基、C1～C10(例如C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8或C9)烷基氨基、C1～C10(例如C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8或C9)烷氧基、C1～C10(例如C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8或C9)烷硫基或卤素中的至少一种。
本发明中，全文中所述卤素都可以为氟、氯、溴或碘。
在一个实施方式中，所述R1、R2各自独立地选自如下基团中的任意一种，或被取代基取代的如下基团中的任意一种：
其中，虚线表示基团的连接位点。
所述取代基选自C1～C10(例如C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8或C9)直链或支链烷基、C6～C18(例如C6、C9、C10、C12、C14、C16或C18等)芳基、C2～C18(例如C3、C4、C5、C6、C8、C10、C12、C14、C16或C18等)杂芳基、C6～C18(例如C6、C9、C10、C12、C14、C16或C18等)芳胺基、C1～C10(例如C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8或C9)烷基氨基、C1～C10(例如C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8或C9)烷氧基、C1～C10(例如C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8或C9)烷硫基或卤素中的任意一种。
在一个实施方式中，所述R1、R2各自独立地选自如下基团中的任意一种：
其中，虚线表示基团的连接位点。
X1、X2、X3各自独立地选自O、S、N-RN1或CRC1RC2。
RN1、RC1、RC2、RN各自独立地选自氢、C1～C10(例如C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8或C9)直链或支链烷基、C6～C18(例如C6、C9、C10、C12、C14、C16或C18等)芳基、C2～C18(例如C3、C4、C5、C6、C8、C10、C12、C14、C16或C18等)杂芳基、C6～C18(例如C6、C9、C10、C12、C14、C16或C18等)芳胺基、C1～C10(例如C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8或C9)烷基氨基、C1～C10(例如C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8或C9)烷氧基、C1～C10(例如C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8或C9)烷硫基或卤素。
RA、RB各自独立地选自C1～C10(例如C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8或C9)直链或支链烷基、C6～C18(例如C6、C9、C10、C12、C14、C16或C18等)芳基、C2～C18(例如C3、C4、C5、C6、C8、C10、C12、C14、C16或C18等)杂芳基、C6～C18(例如C6、C9、C10、C12、C14、C16或C18等)芳胺基、C1～C10(例如C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8或C9)烷基氨基、C1～C10(例如C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8或C9)烷氧基、C1～C10(例如C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8或C9)烷硫基或卤素。
m1、m4各自独立地选自0～4的整数，例如0、1、2、3或4。
m2选自0～3的整数，例如0、1、2或3。
m3选自0～5的整数，例如0、1、2、3、4或5。
m5选自0～8的整数，例如0、1、2、3、4、5、6、7或8。
m6选自0～7的整数，例如0、1、2、3、4、5、6或7。
在一个实施方式中，所述R1、R2各自独立地选自如下基团中的任意一种，或被取代基取代的如下基团中的任意一种：
其中，虚线表示基团的连接位点。
所述取代基选自C1～C10(例如C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8或C9)直链或支链烷基、C6～C18(例如C6、C9、C10、C12、C14、C16或C18等)芳基、C2～C18(例如C3、C4、C5、C6、C8、C10、C12、C14、C16或C18等)杂芳基、C6～C18(例如C6、C9、C10、C12、C14、C16或C18等)芳胺基、C1～C10(例如C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8或C9)烷基氨基、C1～C10(例如C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8或C9)烷氧基、C1～C10(例如C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8或C9)烷硫基或卤素。
在一个实施方式中，所述L1、L2各自独立地选自单键、如下基团中的任意一种，或被取代基取代的如下基团中的任意一种：
其中，虚线表示基团的连接位点。
所述取代基选自C1～C10(例如C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8或C9)直链或支链烷基、C6～C18(例如C6、C9、C10、C12、C14、C16或C18等)芳基、C2～C18(例如C3、C4、C5、C6、C8、C10、C12、C14、C16或C18等)杂芳基、C6～C18(例如C6、C9、C10、C12、C14、C16或C18等)芳胺基、C1～C10(例如C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8或C9)烷基氨基、C1～C10(例如C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8或C9)烷氧基、C1～C10(例如C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8或C9)烷硫基或卤素中的任意一种。
在一个实施方式中，所述R1、R2为相同的基团。
在一个实施方式中，所述L1、L2为相同的基团。
在一个实施方式中，所述R3、R4各自独立地选自甲基、乙基、苯基、联苯基、萘基或C2～C5(例如C2、C3、C4或C5)杂芳基；所述C2～C5杂芳基可以为呋喃基、噻吩基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、恶唑基、恶二唑基、噻二唑基、三氮唑基、吡啶基、吡嗪基、哒嗪基、嘧啶基或三嗪基等。
在一个实施方式中，所述R11、R12、R13、R14、R15、R16各自独立地选自氢、C1～C5(例如C1、C2、C3、C4或C5)直链或支链烷基、C6～C12(例如C6、C9、C10或C12等)芳基或C2～C12(例如C3、C4、C5、C6、C8或C10等)杂芳基。
其中，所述C1～C5直链或支链烷基示例性地包括但不限于：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基或叔丁基等；所述C6～C12芳基包括苯基、萘基或联苯等；所述C2～C12杂芳基示例性地包括但不限于：呋喃基、噻吩基、吡咯基、吡啶基、吡嗪基、哒嗪基、嘧啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、恶唑基、三嗪基、恶二唑基、噻二唑基或三氮唑基等。
在一个实施方式中，所述有机化合物选自如下化合物M1～M40中的任意一种：
本发明提供的具有如式I所示结构的有机化合物示例性地通过如下合成路线制备得到：
上述合成路线中，R1、R2、L1、L2、R11、R12、R13、R14、R15、R16各自独立地具有与式I中相同的限定范围；
X1、X2、X3、X4、X5、X6各自独立地选自卤素(例如氟、氯、溴或碘)，优选为氯或溴。
本发明的目的之二在于提供一种热活化延迟荧光材料，所述热活化延迟荧光材料包括如目的之一所述的有机化合物。
本发明的目的之三在于提供一种显示面板，所述显示面板包括OLED器件，所述OLED器件包括阳极、阴极以及位于所述阳极和阴极之间的有机薄膜层，所述有机薄膜层包括发光层；所述发光层的材料包括如目的之二所述的热活化延迟荧光材料。
在一个实施方式中，所述热活化延迟荧光材料用作发光层的主体材料、掺杂材料或共同掺杂材料中的任意一种。
在一个实施方式中，所述有机薄膜层还包括空穴传输层、空穴注入层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层或电子注入层中的任意一种或至少两种的组合。
本发明所述OLED器件中，阳极材料可以为金属、金属氧化物或导电性聚合物；其中，所述金属包括铜、金、银、铁、铬、镍、锰、钯、铂等及它们的合金，所述金属氧化物包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌、氧化铟镓锌(IGZO)等，所述导电性聚合物包括聚苯胺、聚吡咯、聚(3-甲基噻吩)等。除以上有助于空穴注入的材料及其组合，还包括已知的适合做阳极的材料。
所述OLED器件中，阴极材料可以为金属或多层金属材料；其中，所述金属包括铝、镁、银、铟、锡、钛等及它们的合金，所述多层金属材料包括LiF/Al、LiO2/Al、BaF2/Al等。除以上有助于电子注入的材料及其组合，还包括已知的适合做阴极的材料。
所述OLED器件中，有机薄膜层包括至少一层发光层(EML)和设置于发光层两侧的空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子阻挡层(EBL)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)中的任意一种或至少两种的组合，其中空穴/电子注入及传输层可以为咔唑类化合物、芳胺类化合物、苯并咪唑类化合物及金属化合物等。所述OLED器件的阴极上(远离阳极的一侧)还可以任选地设置盖帽层(CPL)。
所述OLED器件的示意图如图1所示，包括阳极101和阴极102，设置于所述阳极101和阴极102之间的发光层103，在发光层103的两侧设置有第一有机薄膜层104和第二有机薄膜层105，所述第一有机薄膜层104为空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)或电子阻挡层(EBL)中的任意1种或至少2种的组合，所述第二有机薄膜层105包括电子传输层(ETL)、空穴阻挡层(HBL)或电子注入层(EIL)中的任意1种或至少2种的组合；所述阴极102上(远离105的一侧)还可以任选的设置盖帽层(CPL)。
所述OLED器件可以通过以下方法制备：在透明或不透明的光滑的基板上形成阳极，在阳极上形成有机薄层，在有机薄层上形成阴极。其中，形成有机薄层可采用如蒸镀、溅射、旋涂、浸渍、离子镀等已知的成膜方法。
本发明的目的之四在于提供一种电子设备，所述电子设备包括如目的之三所述的显示面板。
以下示例性地列举几种本发明所述有机化合物的实施例：
实施例1
本实施例提供一种有机化合物，结构如下：
该有机化合物M1的制备方法包括如下步骤：
(1)
在250mL三口瓶中依次加入化合物A(8.51g，20mmol)、化合物B(9.52g，40mmol)、150mL除水除氧的甲苯(Tol)、碳酸铯(13.03g，40mmol)、四(三苯基膦)钯Pd(PPh3)4(0.23g，0.2mmol)和三叔丁基膦P(t-Bu)3(1mmol，10％甲苯溶液)，然后在氮气氛围下120℃反应24h。冷却至室温，将反应液倒入200mL冰水中，二氯甲烷萃取三次，合并有机相，旋成硅胶，柱层析(流动相为等体积混合的二氯甲烷/正己烷的混合溶剂)分离纯化，得到化合物C。
化合物C的表征结果：
1H-NMR(400MHz，CDCl3)：δ8.81(d,J＝7.5Hz,2H),8.31(d,J＝7.5Hz,2H),7.97(s,2H),2.67(s,6H)；
13C-NMR(100MHz，CDCl3)：δ150.36,144.65(d,J＝8.3Hz),143.43(d,J＝8.3Hz),137.53,136.62(d,J＝1.7Hz),135.93(d,J＝3.7Hz),130.55(d,J＝5.5Hz),126.86,124.94(p,J＝4.0Hz),118.34-118.05(m),13.20。
(2)
在250mL三口瓶中加入步骤(1)得到的化合物C(13.04g，20mmol)、四氢呋喃(THF，80mL)溶解，氮气置换三次。降温至-78℃，待温度达到后控制温度在-65℃以下缓慢滴加正丁基锂(n-BuLi，20mL，50mmol)，滴加完全后搅拌30min。再缓慢滴加三甲基氯硅烷(TMS-Cl，4.35g，40mmol)，升温至0℃反应4h，结束后加入冰水淬灭；加入二氯甲烷(DCM)萃取2次。收集有机相旋蒸，使用甲苯Tol/乙醇EtOH析晶得到固体；在200mL闷罐中依次加入上述固体(12.51g，20mmol)、70mL无水甲苯和三溴化硼(3.04mL，40mmol)，120℃搅拌12h；反应结束后H2O(100mL)淬灭。用DCM萃取反应液3次，收集有机相，干燥过滤，旋蒸去除溶剂；使用DCM/EtOH析晶得到固体化合物D。
化合物D的表征结果：
1H-NMR(400MHz，CDCl3)：δ8.83(d,J＝7.5Hz,2H),8.28(d,J＝7.5Hz,2H),7.82(s,2H),2.64(s,6H)；
13C-NMR(100MHz，CDCl3)：δ153.10,153.09,148.84,143.98,143.91,142.14,142.07,140.06,140.05,137.42,137.39,137.03,137.02,135.52,135.47,130.38,130.36,130.34,127.63,121.44,121.42,121.40,14.12。
(3)
将步骤(2)得到的化合物D(10.28g，20mmol)加入反应瓶中，加入乙醚(Et2O，50mL)溶解，氮气置换三次。降温至-78℃，待温度达到后控制温度在-65℃以下缓慢滴加n-BuLi(16.08mL，2.5M，40mmol)，滴加完全后搅拌30min；再缓慢滴加化合物E(12.97g，40mmol)的甲苯溶液至反应液中，滴加完成后自然升至室温反应6h。反应结束后加入冰水(100mL)淬灭反应。再加入DCM萃取2次，最后用饱和食盐水萃取1次。收集有机相旋蒸，得到淡黄色油状物。以柱层析方法(流动相为体积比为3:1的正己烷/二氯甲烷混合溶液)纯化产物，得到目标产物M1。
所述有机化合物M1的表征结果：
1H-NMR(400MHz，CDCl3)：δ8.83(d,J＝7.5Hz,2H),8.53(s,4H),8.24(d,J＝7.5Hz,2H),7.39-7.33(m,2H),7.31-7.23(m,8H),7.13-7.07(m,4H),7.07-7.02(m,12H),2.68(s,6H)；
13C-NMR(100MHz，CDCl3)：δ154.04,146.54,146.32,141.33,140.52,139.77,138.50,138.40,135.90,133.65,129.23,128.19,127.64,126.89,124.39,121.85,111.62,15.37。
实施例2
本实施例提供一种有机化合物，结构如下：
该有机化合物M2的制备方法包括如下步骤：
将化合物D(10.28g，20mmol，制备方法与实施例1中相同)加入反应瓶中，加入Et2O(50mL)溶解，氮气置换三次。降温至-78℃，待温度达到后控制温度在-65℃以下缓慢滴加n-BuLi(16.08mL，2.5M，40mmol)，滴加完全后搅拌30min；再缓慢滴加化合物E-2(12.88g，40mmol)的甲苯溶液至反应液中，滴加完成后自然升至室温反应6h。反应结束后加入冰水(100mL)淬灭反应。再加入DCM萃取2次，最后用饱和食盐水萃取1次。收集有机相旋蒸，得到淡黄色油状物。以柱层析方法(流动相为体积比为3:1的正己烷/二氯甲烷混合溶液)纯化产物，得到目标产物M2。
所述有机化合物M2的表征结果：
1H-NMR(400MHz，CDCl3)：δ8.83(d,J＝7.5Hz,2H),8.53(s,2H),8.24(d,J＝7.5Hz,2H),8.11(dd,J＝7.1,1.9Hz,4H),7.62-7.57(m,4H),7.47-7.38(m,8H),7.31-7.21(m,8H),2.68(s,6H)；
13C-NMR(100MHz，CDCl3)：δ154.04,141.39,141.33,140.52,140.46,139.77,138.50,138.40,135.90,133.19,128.69,128.19,124.39,123.28,122.04,121.54,120.98,111.62,110.97,15.37。
实施例3
本实施例提供一种有机化合物，结构如下：
该有机化合物M3的制备方法包括如下步骤：
将化合物D(10.28g，20mmol，制备方法与实施例1中相同)加入反应瓶中，加入Et2O(50mL)溶解，氮气置换三次。降温至-78℃，待温度达到后控制温度在-65℃以下缓慢滴加n-BuLi(16.08mL，2.5M，40mmol)，滴加完全后搅拌30min；再缓慢滴加化合物E-3(13.04g，40mmol)的甲苯溶液至反应液中，滴加完成后自然升至室温反应6h。反应结束后加入冰水(100mL)淬灭反应。再加入DCM萃取2次，最后用饱和食盐水萃取1次。收集有机相旋蒸，得到淡黄色油状物。以柱层析方法(流动相为体积比为3:1的正己烷/二氯甲烷混合溶液)纯化产物，得到目标产物M3。
所述有机化合物M3的表征结果：
1H-NMR(400MHz，CDCl3)：δ9.16(s,2H),8.83(d,J＝7.5Hz,2H),8.23(d,J＝7.5Hz,2H),7.94(s,2H),7.86(s,2H),7.33-7.22(m,16H),7.10(tt,J＝7.3,1.7Hz,4H),2.68(s,6H)；
13C-NMR(100MHz，CDCl3)：δ153.23,148.95,144.67,142.23,141.33,139.72,139.64,138.27,137.48,136.78,129.15,128.96,127.80,127.15,126.17,122.63,120.08,15.37。
实施例4
本实施例提供一种有机化合物，结构如下：
该有机化合物M4的制备方法包括如下步骤：
将化合物D(10.28g，20mmol，制备方法与实施例1中相同)加入反应瓶中，加入Et2O(50mL)溶解，氮气置换三次。降温至-78℃，待温度达到后控制温度在-65℃以下缓慢滴加n-BuLi(16.08mL，2.5M，40mmol)，滴加完全后搅拌30min；再缓慢滴加化合物E-4(7.48g，20mmol)和化合物E-5(6.28g，20mmol)的甲苯溶液至反应液中，滴加完成后自然升至室温反应6h。反应结束后加入冰水(100mL)淬灭反应。再加入DCM萃取2次，最后用饱和食盐水萃取1次。收集有机相旋蒸，得到淡黄色油状物。以柱层析方法(流动相为体积比为3:1的正己烷/二氯甲烷混合溶液)纯化产物，得到目标产物M4。
所述有机化合物M4的表征结果：
1H-NMR(400MHz，CDCl3)：δ8.83(d,J＝7.5Hz,2H),8.72(s,1H),8.55(s,1H),8.24(dd,J＝7.5,1.5Hz,2H),8.01(dd,J＝7.5,1.4Hz,1H),7.64(d,J＝7.5Hz,1H),7.51(t,J＝7.4Hz,1H),7.46(dd,J＝7.2,1.7Hz,1H),7.40(dd,J＝7.6,1.7Hz,1H),7.34-7.26(m,4H),7.25-7.10(m,12H),7.09-7.00(m,4H),6.91(d,J＝7.5Hz,1H),2.68(s,6H),1.56(s,6H)；
13C-NMR(100MHz，CDCl3)：δ229.28,155.90,154.74,152.93,142.74,141.88,141.04,140.96,140.65,140.57,140.05,139.99,139.14,138.75,137.85,137.39,136.54,136.44,133.53,130.92,129.32,129.03,128.74,128.59,127.80,127.62,127.29,126.90,125.98,125.89,125.58,125.11,125.01,124.79,124.49,124.02,121.56,121.33,118.36,117.25,115.93,102.59,83.34,37.50,27.89,15.46,15.37。
以下列举几种本发明所述有机化合物应用于OLED器件中的应用例：
应用例1
本应用例提供一种OLED器件，所述OLED器件依次包括：基板、氧化铟锡(ITO)阳极15nm、空穴注入层10nm、空穴传输层110nm、发光层30nm、第一电子传输层30nm、第二电子传输层5nm、阴极15nm(镁银电极，镁银质量比为1:9)、盖帽层100nm。
OLED器件的制备步骤如下：
(1)将玻璃基板切成50mm×50mm×0.7mm的大小，分别在异丙醇和去离子水中超声处理30min，然后暴露在臭氧下清洁10min，得到基板；将所得的具有厚度为15nm的ITO阳极的玻璃基板安装到真空沉积设备上；
(2)在真空度为2×10-6Pa下，在ITO阳极层上真空蒸镀上化合物HAT-CN，厚度为10nm，作为空穴注入层；
(3)在空穴注入层上真空蒸镀化合物TAPC作为空穴传输层，厚度为110nm；
(4)在空穴传输层上共沉积发光层，其中，以本发明实施例1提供的有机化合物M1作为发光层的掺杂材料，化合物mCBP作为发光层的主体材料，M1与mCBP的质量比为1:9，厚度为30nm；
(5)在发光层上真空蒸镀化合物TPBi作为第一电子传输层，厚度为30nm；
(6)在第一电子传输层上真空蒸镀化合物Alq3作为第二电子传输层，厚度为5nm；
(7)在第二电子传输层上真空蒸镀镁银电极作为阴极，厚度为15nm；
(8)在阴极上真空蒸镀CBP作为阴极覆盖层(盖帽层)，厚度为100nm。
所述OLED器件中用到的化合物结构如下：
应用例2
本应用例与应用例1的区别仅在于，将步骤(4)中的有机化合物M1用等量的有机化合物M2替换；其它制备步骤均相同。
应用例3
本应用例与应用例1的区别仅在于，将步骤(4)中的有机化合物M1用等量的有机化合物M3替换；其它制备步骤均相同。
应用例4
本应用例与应用例1的区别仅在于，将步骤(4)中的有机化合物M1用等量的有机化合物M4替换；其它制备步骤均相同。
对比例1
本对比例与应用例1的区别仅在于，将步骤(4)中的有机化合物M1用等量的DBQA
替换；其它制备步骤均相同。
对比例2
本对比例与应用例1的区别仅在于，将步骤(4)中的有机化合物M1用等量的DPAVB
替换；其它制备步骤均相同。
性能测试：
(1)化合物的模拟计算：
有机化合物的单线态和三线态的能级差可以通过Guassian 09软件(GuassianInc.)完成，能级差ΔEST具体的模拟方法可参照文献(J.Chem.Theory Comput.，2013，DOI:10.1021/ct400415r)进行，分子结构优化和激发均可用TD-DFT方法“B3LYP”和基组“6-31g(d)”完成；按照上述方法模拟本发明提供的有机化合物M1、M2、M3和M4，结果如表1所示。
(2)化合物的轨道排布模拟：
按照现有技术中的方法模拟本发明提供的有机化合物的轨道排布图，例如参考Furche F,Ahlrichs R.Adiabatic time-dependent density functional methods forexcited state properties[J].Journal of Chemical Physics,2002,117(16):7433。
图2为本发明提供的有机化合物M1的HOMO和LUMO轨道排布图，从图2中可知，本发明提供的有机化合物的分子HOMO和LUMO分别排布在不同的区域上，实现了比较完全的分离，有助于减小隙间能差ΔEST，从而提高逆隙间窜越能力。
表1
| 化合物 | HOMO(eV) | LUMO(eV) | E<sub>g</sub>(eV) | S<sub>1</sub>(eV) | T<sub>1</sub>(eV) | ΔE<sub>ST</sub>(eV) |
| M1 | -5.20 | -2.70 | 2.50 | 2.38 | 2.24 | 0.14 |
| M2 | -5.48 | -3.09 | 2.39 | 2.29 | 2.18 | 0.11 |
| M3 | -5.51 | -2.88 | 2.63 | 2.46 | 2.31 | 0.15 |
| M4 | -4.84 | -2.81 | 2.03 | 1.94 | 1.85 | 0.09 |
从表1的数据可知，本发明提供的有机化合物通过分子结构的特殊设计，其ΔEST均降低到0.25eV，甚至低至0.09eV，实现了较小的单线态和三线态能级差，利于反向隙间窜越。
(3)OLED器件的性能评价：
用Keithley 2365A数字纳伏表测试OLED器件在不同电压下的电流，然后用电流除以发光面积得到OLED器件的在不同电压下的电流密度；用Konicaminolta CS-2000分光辐射亮度计测试OLED器件在不同电压下的亮度和辐射能流密度；根据OLED器件在不同电压下的电流密度和亮度，得到在相同电流密度下(10mA/cm2)的工作电压和电流效率(Cd/A)，Von为亮度1Cd/m2下的启亮电压；通过测量OLED器件的亮度达到初始亮度的95％时的时间而获得寿命LT95(在50mA/cm2测试条件下)；具体数据如表2所示。
表2
| 器件编号 | 发光层掺杂材料 | V<sub>on</sub>(V) | CE(Cd/A) | LT95(h) |
| 应用例1 | M1 | 4.27 | 22.71 | 115 |
| 应用例2 | M2 | 4.16 | 19.28 | 107 |
| 应用例3 | M3 | 4.32 | 23.43 | 117 |
| 应用例4 | M4 | 3.97 | 16.36 | 96 |
| 对比例1 | DBQA | 4.62 | 8.48 | 79 |
| 对比例2 | DPAVB | 4.47 | 6.59 | 42 |
从表2的数据可得，与现有技术中的发光层掺杂材料DBQA相比，本发明提供的有机化合物作为发光层掺杂材料，制备的OLED器件具有更低的启亮电压，更高的电流效率和工作寿命，其启亮电压降低至3.97～4.32V，电流效率达到16.36～23.43Cd/A，LT95寿命延长至96～117h。
申请人声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的有机化合物、热活化延迟荧光材料及其应用，但本发明并不局限于上述工艺步骤，即不意味着本发明必须依赖上述工艺步骤才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明所选用原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
Claims (15)
1.一种有机化合物，其特征在于，所述有机化合物具有如式I所示结构：
其中，R1、R2各自独立地选自取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C2～C30杂芳基、取代或未取代的C6～C30芳胺基中的任意一种；且R1、R2中至少有一个为供电子基团；
L1、L2各自独立地选自单键、取代或未取代的C6～C20亚芳基、取代或未取代的C2～C20亚杂芳基；
R3、R4各自独立地选自取代或未取代的C1～C5直链或支链烷基、取代或未取代的C6～C18芳基、取代或未取代的C2～C18杂芳基；
R11、R12、R13、R14、R15、R16各自独立地选自氢、取代或未取代的C1～C20直链或支链烷基、取代或未取代的C3～C20环烷基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C2～C30杂芳基、C1～C20烷氧基、C1～C20烷硫基或卤素中的任意一种。
2.根据权利要求1所述的有机化合物，其特征在于，所述取代的芳基、取代的杂芳基、取代的芳胺基、取代的亚芳基、取代的亚杂芳基、取代的直链或支链烷基、取代的环烷基中的取代基各自独立地选自C1～C10直链或支链烷基、C6～C18芳基、C2～C18杂芳基、C6～C18芳胺基、C1～C10烷基氨基、C1～C10烷氧基、C1～C10烷硫基或卤素中的至少一种。
3.根据权利要求1或2所述的有机化合物，其特征在于，所述R1、R2各自独立地选自如下基团中的任意一种，或被取代基取代的如下基团中的任意一种：
其中，虚线表示基团的连接位点；
所述取代基选自C1～C10直链或支链烷基、C6～C18芳基、C2～C18杂芳基、C6～C18芳胺基、C1～C10烷基氨基、C1～C10烷氧基、C1～C10烷硫基或卤素中的任意一种。
4.根据权利要求1或2所述的有机化合物，其特征在于，所述R1、R2各自独立地选自如下基团中的任意一种：
其中，虚线表示基团的连接位点；
X1、X2、X3各自独立地选自O、S、N-RN1或CRC1RC2；
RN1、RC1、RC2、RN各自独立地选自氢、C1～C10直链或支链烷基、C6～C18芳基、C2～C18杂芳基、C6～C18芳胺基、C1～C10烷基氨基、C1～C10烷氧基、C1～C10烷硫基或卤素；
RA、RB各自独立地选自C1～C10直链或支链烷基、C6～C18芳基、C2～C18杂芳基、C6～C18芳胺基、C1～C10烷基氨基、C1～C10烷氧基、C1～C10烷硫基或卤素；
m1、m4各自独立地选自0～4的整数；
m2选自0～3的整数；
m3选自0～5的整数；
m5选自0～8的整数；
m6选自0～7的整数。
5.根据权利要求4所述的有机化合物，其特征在于，所述R1、R2各自独立地选自如下基团中的任意一种，或被取代基取代的如下基团中的任意一种：
其中，虚线表示基团的连接位点；
所述取代基选自C1～C10直链或支链烷基、C6～C18芳基、C2～C18杂芳基、C6～C18芳胺基、C1～C10烷基氨基、C1～C10烷氧基、C1～C10烷硫基或卤素。
6.根据权利要求1或2所述的有机化合物，其特征在于，所述L1、L2各自独立地选自单键、如下基团中的任意一种，或被取代基取代的如下基团中的任意一种：
其中，虚线表示基团的连接位点；
所述取代基选自C1～C10直链或支链烷基、C6～C18芳基、C2～C18杂芳基、C6～C18芳胺基、C1～C10烷基氨基、C1～C10烷氧基、C1～C10烷硫基或卤素中的任意一种。
7.根据权利要求1所述的有机化合物，其特征在于，所述R1、R2为相同的基团。
8.根据权利要求1所述的有机化合物，其特征在于，所述L1、L2为相同的基团。
9.根据权利要求1所述的有机化合物，其特征在于，所述R3、R4各自独立地选自甲基、乙基、苯基、联苯基、萘基或C2～C5杂芳基。
10.根据权利要求1所述的有机化合物，其特征在于，所述R11、R12、R13、R14、R15、R16各自独立地选自氢、C1～C5直链或支链烷基、C6～C12芳基或C2～C12杂芳基。
11.根据权利要求1所述的有机化合物，其特征在于，所述有机化合物选自如下化合物M1～M40中的任意一种：
12.一种热活化延迟荧光材料，其特征在于，所述热活化延迟荧光材料包括如权利要求1～11任一项所述的有机化合物。
13.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括OLED器件，所述OLED器件包括阳极、阴极以及位于所述阳极和阴极之间的有机薄膜层，所述有机薄膜层包括发光层；
所述发光层的材料包括如权利要求12所述的热活化延迟荧光材料。
14.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，所述热活化延迟荧光材料用作发光层的主体材料、掺杂材料或共同掺杂材料中的任意一种。
15.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求13或14所述的显示面板。
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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