CN111697031A - 发光器件和包括该发光器件的平板显示设备 - Google Patents
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Abstract
提供了一种发光器件和一种包括该发光器件的平板显示设备。所述发光器件包括：多个第一电极，分别位于第一子像素、第二子像素和第三子像素中；第二电极，面对所述多个第一电极；第一发射层，位于第一子像素中，并被配置为发射第一颜色光；第二发射层，位于第二子像素中，并被配置为发射第二颜色光；第一层，关于第一子像素、第二子像素和第三子像素是集成的；第一辅助层，位于第一层与第一发射层之间；以及第一中间层，位于第一辅助层与第一发射层之间。第一发射层包括第一主体和第一掺杂剂。第一掺杂剂被配置为发射具有大约35nm或更大的半峰全宽(FWHM)的光。
Description
本申请要求于2019年3月12日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0028266号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及一种发光器件。
背景技术
发光器件可以包括阳极、阴极和位于阳极与阴极之间的发射层。从阳极提供的空穴和从阴极提供的电子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态转变(例如，跃迁或弛豫)到基态，从而产生光。
发光器件可以以低电压驱动，可以实现为轻质且薄，并且可以在视角、对比度和响应速率方面具有优异的特性。因此，发光器件的应用范围已经从诸如MP3播放器或移动电话的个人便携式装置扩展到电视机(TV)。
发明内容
在其中应用现有技术的公共层的发光器件中，堆叠了具有不同颜色的两个发射层，并且在所述两个发射层之间插设有中间层，从而防止或减少颜色混合。
中间层用作单个器件的空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)。然而，因为中间层与发射层直接接触，所以在单个器件中不存在辅助层。此外，由于不存在辅助层，因此驱动电压会由于高的空穴注入势垒而增大，并且不会阻挡从发射层进入到中间层的电子，从而导致颜色混合和寿命降低。
此外，因为存在公共层，所以与谐振彼此相同的情况相比，亮度由于两个不同的发射层之间的谐振距离的差异而随角度变化。因此，难以确保视角。
本公开的实施例的各方面提供了其中驱动电压降低而亮度增加的发光器件。
实施例的附加方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地通过描述将是明显的，或者可以通过给出的实施例的实践而获知。
本公开的实施例的一方面提供了一种发光器件，该发光器件包括：
多个第一电极，分别位于第一子像素、第二子像素和第三子像素中；
第二电极，面对所述多个第一电极；
第一发射层，位于第一子像素中，并被配置为发射第一颜色光；
第二发射层，位于第二子像素中，并被配置为发射第二颜色光；
第一层，关于第一子像素、第二子像素和第三子像素是集成的；
第一辅助层，位于第一层与第一发射层之间；以及
第一中间层，位于第一辅助层与第一发射层之间，
其中，第一中间层的最高占据分子轨道(HOMO)能级的绝对值比第一辅助层的HOMO能级的绝对值大且比第一发射层的HOMO能级的绝对值小，第一中间层的最低未占分子轨道(LOMO)能级的绝对值比第一辅助层的LUMO能级的绝对值大且比第一发射层的LUMO能级的绝对值小，
第一发射层包括第一主体和第一掺杂剂，并且
从第一掺杂剂发射的光的半峰全宽(FWHM)为大约35nm或更大。
在一个实施例中，从第一掺杂剂发射的光的FWHM可以在大约35nm至大约50nm的范围内。
一种测量化合物的HOMO能级、LUMO能级和FWHM的方法可以如下，但该方法不限于此。可以通过使用循环伏安法装置(诸如，可从Wonatech获得的ZIVE SP2)和使用微分脉冲伏安法(DPV)程序来测量化合物的HOMO能级和LUMO能级。在此所使用的每种样品溶液和电解质溶液可以如下：可以使用二茂铁作为标准材料，并且可以使用(Bu)4NPF6作为电解质。例如，待测化合物的样品溶液是5×10-3M的二氯甲烷溶液、二茂铁样品溶液、(Bu)4NPF6电解质溶液和0.1M的乙腈溶液。可以绘制待测化合物和标准材料的Ewe-I关系图，其中每条切线是从电流急剧增加的点开始绘制的，并且可以记录切线与x轴接触的点的电压。可以通过将二茂铁的HOMO能级设定为-4.8eV来计算待测化合物的HOMO能级。
在一个实施例中，第一掺杂剂可以包括芳基胺化合物或苯乙烯基胺化合物。
在一个实施例中，第一掺杂剂可以为由式501表示的化合物：
式501
在式501中，
Ar501可以为取代或未取代的C5-C60碳环基或者取代或未取代的C1-C60杂环基，
L501至L503可以均独立地选自于取代或未取代的C3-C10亚环烷基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代或未取代的C3-C10亚环烯基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代或未取代的C6-C60亚芳基、取代或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代或未取代的二价非芳香缩合多环基和取代或未取代的二价非芳香缩合杂多环基，
xd1至xd3可以均独立地为0至3的整数，
R501和R502可以均独立地选自于取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C1-C10杂环烷基、取代或未取代的C3-C10环烯基、取代或未取代的C1-C10杂环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C1-C60杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基和取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基，并且
xd4可以为1至6的整数。
在一个实施例中，第一中间层可以包括p掺杂剂，或者可以包括包含p掺杂剂的单膜。
例如，p掺杂剂可以包括从醌衍生物、金属氧化物和含氰基化合物中选择的至少一种。
在一个实施例中，第一辅助层可以包括空穴传输化合物。
例如，空穴传输化合物可以包括从由式201表示的化合物和由式202表示的化合物中选择的至少一种：
式201
式202
在式201和式202中，
L201至L204可以均独立地选自于取代或未取代的C3-C10亚环烷基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代或未取代的C3-C10亚环烯基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代或未取代的C6-C60亚芳基、取代或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代或未取代的二价非芳香缩合多环基和取代或未取代的二价非芳香缩合杂多环基，
L205可以选自于*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q201)-*'、取代或未取代的C1-C20亚烷基、取代或未取代的C2-C20亚烯基、取代或未取代的C3-C10亚环烷基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代或未取代的C3-C10亚环烯基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代或未取代的C6-C60亚芳基、取代或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代或未取代的二价非芳香缩合多环基和取代或未取代的二价非芳香缩合杂多环基，
xa1至xa4可以均独立地为0至3的整数，
xa5可以为1至10的整数，
R201至R204和Q201可以均独立地选自于取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C1-C10杂环烷基、取代或未取代的C3-C10环烯基、取代或未取代的C1-C10杂环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C1-C60杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基和取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基，
取代的C3-C10亚环烷基、取代的C1-C10亚杂环烷基、取代的C3-C10亚环烯基、取代的C1-C10亚杂环烯基、取代的C6-C60亚芳基、取代的C1-C60亚杂芳基、取代的二价非芳香缩合多环基、取代的二价非芳香缩合杂多环基、取代的C1-C20亚烷基、取代的C2-C20亚烯基、取代的C3-C10环烷基、取代的C1-C10杂环烷基、取代的C3-C10环烯基、取代的C1-C10杂环烯基、取代的C6-C60芳基、取代的C6-C60芳氧基、取代的C6-C60芳硫基、取代的C1-C60杂芳基、取代的单价非芳香缩合多环基和取代的单价非芳香缩合杂多环基的至少一个取代基可以选自于：
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基；
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)和-P(＝O)(Q11)(Q12)中选择的至少一者的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基；
C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基；
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)和-P(＝O)(Q21)(Q22)中选择的至少一者的C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基；以及
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)和-P(＝O)(Q31)(Q32)，并且
Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33可以均独立地选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、联苯基和三联苯基。
在一个实施例中，发光器件还可以包括位于第一层与第二发射层之间的第二中间层。
在一个实施例中，发光器件还可以包括位于所述多个第一电极与第一层之间的第三中间层。
在一个实施例中，发光器件还可以包括位于第一中间层与第一发射层之间的第四中间层。
在一个实施例中，第四中间层的HOMO能级的绝对值可以比第一中间层的HOMO能级的绝对值大且比第一发射层的HOMO能级的绝对值小，并且
第四中间层的LUMO能级的绝对值可以比第一中间层的LUMO能级的绝对值大且比第一发射层的LUMO能级的绝对值小。
在一个实施例中，发光器件还可以在第一发射层与第二电极之间和第二发射层与第二电极之间包括从电子注入层和电子传输层中选择的至少一者。
在一个实施例中，从电子注入层和电子传输层中选择的至少一者可以包括由式1表示的化合物：
式1
在式1中，
L11至L13可以均独立地选自于取代或未取代的C5-C60碳环基和取代或未取代的C1-C60杂环基，
a11至a13可以均独立地选自于0、1、2和3，
R11至R13可以均独立地选自于取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C1-C10杂环烷基、取代或未取代的C3-C10环烯基、取代或未取代的C1-C10杂环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C1-C60杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基和取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基，
取代的C5-C60碳环基、取代的C1-C60杂环基、取代的C3-C10环烷基、取代的C1-C10杂环烷基、取代的C3-C10环烯基、取代的C1-C10杂环烯基、取代的C6-C60芳基、取代的C1-C60杂芳基、取代的单价非芳香缩合多环基和取代的单价非芳香缩合杂多环基的至少一个取代基可以选自于：
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基；
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)和-P(＝O)(Q11)(Q12)中选择的至少一者的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基；
C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基；
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)和-P(＝O)(Q21)(Q22)中选择的至少一者的C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基；以及
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)和-P(＝O)(Q31)(Q32)，并且
Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33可以均独立地选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、联苯基和三联苯基。
例如，由式1表示的化合物可以由式1-1表示：
式1-1
在式1-1中，
R11至R13可以均独立地与结合如上文所描述的R11至R13定义的相同，
Z11至Z13可以均独立地选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、芘基、
基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、噻咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、二苯并噻咯基和-Si(Q31)(Q32)(Q33)，
Q31至Q33可以均独立地选自于C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基和吡啶基，并且
d4可以为0至4的整数。
例如，从电子注入层和电子传输层中选择的至少一者可以包括三[3-(3-吡啶基)荚基]硼烷(tri[3-(3-pyridyl)mesityl]borane，3TPYMB)：
在一个实施例中，发光器件还可以在所述多个第一电极与第一层之间包括从空穴注入层和空穴传输层中选择的至少一者，并且
从空穴注入层和空穴传输层中选择的至少一者可以包括p掺杂剂，或者可以包括包含p掺杂剂的单膜。
在一个实施例中，发光器件还可以在第一发射层与第二电极之间和第二发射层与第二电极之间包括缓冲层。
在一个实施例中，第一电极可以是阳极，并且
第二电极可以是阴极。
在一个实施例中，阳极可以是反射阳极或半透射阳极，并且
阴极可以是透射阴极。
在一个实施例中，发光器件可以是顶发射器件(例如，顶发射型器件)。
在一个实施例中，第一层中的与第三子像素对应的区域可以发射第三颜色光，并且
从第一颜色光、第二颜色光和第三颜色光中选择的一者的谐振阶(resonanceorder)可以不同于其它两者的谐振阶。
在一个实施例中，第一层中的与第三子像素对应的区域可以发射第三颜色光，并且
第一颜色光的谐振阶可以大于或等于第二颜色光和第三颜色光的谐振阶。
在一个实施例中，第一颜色光可以是蓝光，第二颜色光可以是红光或绿光，并且
第一层中的与第三子像素对应的区域可以发射绿光或红光。
例如，第一颜色光可以是蓝光，第二颜色光可以是红光，并且
第一层中的与第三子像素对应的区域可以发射绿光。
例如，第一颜色光可以是蓝光，第二颜色光可以是绿光，并且
第一层中的与第三子像素对应的区域可以发射红光。
本公开的实施例的另一方面提供了一种平板显示设备，该平板显示设备包括：薄膜晶体管，包括源电极、漏电极和有源层；以及发光器件，其中，发光器件的第一电极电结合到薄膜晶体管的源电极和漏电极中的至少一者。
附图说明
通过下面结合附图对实施例的描述，实施例的这些和/或其它方面将变得明显且更容易理解，在附图中：
图1是根据实施例的发光器件的示意性剖视图；
图2是根据实施例的发光器件的示意性剖视图；
图3是示出根据示例1的发光器件在0°和60°处的亮度的曲线图；
图4是示出根据对比示例1的发光器件在0°和60°处的亮度的曲线图；
图5示出了根据示例1和对比示例1的发光器件的电致发光光谱；
图6示出了根据示例2和对比示例2的发光器件的电致发光光谱；以及
图7是示出示例3和示例4的发光器件的绿光发射色坐标-效率的曲线图。
具体实施方式
现在，将参照示例性实施例更充分地描述本公开的实施例。然而，本公开的主题可以以许多不同的形式实施，并且不应被解释为局限于在此所阐述的实施例；相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并将把公开的构思充分传达给本领域技术人员。通过参照将在下文更详细地描述的实施例以及附图，公开的实施例的特征以及如何实现它们将变得明显。
在下文中，通过参照附图更详细地描述实施例，并且在附图中，同样的附图标记表示同样的元件，且在此将不重复其冗余的说明。
如在此使用的，如“第一”、“第二”等术语仅用于将一个组件与另一组件区分开，而这些组件不应受这些术语限制。
如在此使用的，除非上下文另外清楚指出，否则单数形式“一”、“一个(者/种)”和“该(所述)”也意图包括复数形式。
还将理解的是，如在此使用的术语“包括”和/或“包含”说明存在所陈述的特征或组件，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征或组件。
将理解的是，当层、膜、区域或板被称为“形成在”另一层、膜、区域或板“上”时，该层、膜、区域或板可以直接地或间接地形成在所述另一层、膜、区域或板上。例如，可以存在中间层、中间膜、中间区域或中间板。此外，为了便于说明，可以夸大附图中的组件的尺寸。换言之，因为可以为了便于说明而任意地示出附图中的组件的尺寸和厚度，所以本公开的以下实施例不局限于此。
图1是根据实施例的发光器件100的示意性剖视图。
参照图1，根据实施例的发光器件100可以包括：多个第一电极110，位于第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中；第二电极150，面对所述多个第一电极110；第一发射层130a，位于第一子像素SP1中，并被配置为发射第一颜色光；第二发射层130b，位于第二子像素SP2中，并被配置为发射第二颜色光；第一层130c，关于第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3是集成的；第一辅助层130'，位于第一层130c与第一发射层130a之间；以及第一中间层131，位于第一辅助层130'与第一发射层130a之间，其中，第一中间层131的最高占据分子轨道(HOMO)能级的绝对值可以比第一辅助层130'的HOMO能级的绝对值大且比第一发射层130a的HOMO能级的绝对值小。此外，第一中间层131的最低未占分子轨道(LUMO)能级的绝对值可以比第一辅助层130'的LUMO能级的绝对值大且比第一发射层130a的LUMO能级的绝对值小。第一发射层130a可以包括第一主体和第一掺杂剂，并且从第一掺杂剂发射的光的半峰全宽(FWHM)可以为大约35nm或更大。
在包括诸如第一层130c的公共层的发光器件100的结构中，当第一层130c发射一阶谐振(primary resonance)的光时，第二发射层130b可以发射一阶谐振的光，而第一发射层130a发射二阶谐振(secondary resonance)或更高阶谐振的光。此时，在第一发射层130a中，光的谐振变强或增强，并且发光光谱由于这种谐振而变窄。因此，在其中R、G和B全部被驱动的发光器件100中，根据角度的变化增大，并且根据视角的亮度可能变得不利。
因此，在根据公开的实施例的发光器件100中，因为在第一发射层130a中包括被配置为发射具有35nm或更大的FWHM的光的第一掺杂剂，所以即使在第一发射层130a中谐振变强或增强时，仍使发光光谱的变化最小化或减小发光光谱的变化，从而防止或减小根据角度的亮度劣化。
例如，从第一掺杂剂发射的光的FWHM可以在大约35nm至大约50nm的范围内。
用于第一掺杂剂的材料没有特别限制，只要该材料被配置为发射满足所述FWHM范围的光即可，并且在此将描述示例性非限制性结构。
在一个实施例中，发光器件100还可以包括位于第一层130c与第二发射层130b之间的第二中间层132和位于第一电极110与第一层130c之间的第三中间层133。
在一些实施例中，发光器件100还可以在第一电极110与第一层130c之间包括从空穴注入层121和空穴传输层中选择的至少一者。发光器件100还可以在第一发射层130a与第二电极150之间和第二发射层130b与第二电极150之间包括从电子注入层和电子传输层142中选择的至少一者。发光器件100还可以在第一发射层130a与第二电极150之间和第二发射层130b与第二电极150之间包括缓冲层141。将在下文更详细地描述前述层。
在一个实施例中，如上文所描述的，第一层130c关于第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3是集成的。例如，第一层130c可以是公共层。
例如，第一层130c可以位于第一电极110与第一发射层130a之间和第一电极110与第二发射层130b之间。
在包括公共层以及两个或更多个发射层的现有发光器件的结构的示例中，空穴通过公共层注入，因此，在下发射层(公共层)与上发射层之间插设有一个层。
在一个实施例中，不同于现有发光器件的结构，在第一层130c与第一发射层130a之间包括有两个层(例如，第一辅助层130'和第一中间层131)。例如，因为在第一辅助层130'与第一发射层130a之间还包括第一中间层131，所以可以促进从第一层130c注入到第一辅助层130'的空穴的传输，并且可以防止或减少通过电子传输层142注入到第一发射层130a的电子穿越空穴传输区域而不在发射层中发光。
此外，因为第一中间层131的HOMO能级的绝对值比第一辅助层130'的HOMO能级的绝对值大且比第一发射层130a的HOMO能级的绝对值小，所以可以促进或改善空穴从第一辅助层130'到第一发射层130a的注入。
此外，因为第一中间层131的LUMO能级的绝对值比第一发射层130a的LUMO能级的绝对值小，所以还可以促进或改善对电子的阻挡。
在一个实施例中，第一发射层130a可以包括发光材料(例如，主体材料)，第一中间层131的HOMO能级的绝对值可以比第一辅助层130'的HOMO能级的绝对值大且比包括在第一发射层130a中的主体材料的HOMO能级的绝对值小，并且第一中间层131的LUMO能级的绝对值可以比第一辅助层130'的LUMO能级的绝对值大且比包括在第一发射层130a中的主体材料的LUMO能级的绝对值小。
在此，将更详细地描述根据实施例的发光器件100。
第一电极110
在图1中，基底可以附加地位于第一电极110下方或第二电极150上方。基底可以是均具有优异的机械强度、热稳定性、透明度、表面平整度、易处理性和防水性的玻璃基底或塑料基底。
例如，当发光器件100是被配置为在与基底相反的方向上发光的顶发射器件(例如，顶发射型或顶发射类器件)时，基底在本质上不必是透明的，而是可以为例如不透明的、半透射的或反射的。在一些实施例中，金属可以被用于形成基底。当基底由金属形成时，基底可以包括从碳、铁、铬、锰、镍、钛、钼、不锈钢(SUS)、因瓦合金、因科镍合金和可伐合金中选择的至少一种。
此外，发光器件100还可以在基底与第一电极110之间包括缓冲层、薄膜晶体管和/或有机绝缘层等。
第一电极110可以通过例如在基底上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成。当第一电极110是阳极时，用于形成第一电极110的材料可以选自于具有高逸出功的材料以促进空穴注入。
第一电极110可以为反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110为透射电极时，用于形成第一电极110的材料可以选自于氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)和它们的任何组合，但本公开的实施例不局限于此。在一个或更多个实施例中，当第一电极110为半透射电极或反射电极时，用于形成第一电极110的材料可以选自于镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)和它们的任何组合，但本公开的实施例不局限于此。
第一电极110可以具有单层结构或者包括两个或更多个层的多层结构。例如，第一电极110可以具有ITO/Ag/ITO的三层结构，但第一电极110的结构不局限于此。
例如，当阳极是半透射阳极时，阳极可以包括：至少一个透明导电层，选自于氧化锡(SnO2)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)；以及半透射薄膜，具有几纳米(nm)至几十纳米的厚度以改善发光效率，并包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、铟(In)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、镱(Yb)和它们的任何组合。
例如，当阳极是反射阳极时，阳极可以包括反射膜和/或位于反射膜上方和/或下方的透明导电层，反射膜包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、In、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Yb和/或它们的任何组合。
本公开不限于前述内容。阳极可以包括各种合适的材料，并且阳极的结构可以被各种改变。例如，阳极可以具有单层结构或多层结构。
阳极的厚度可以在大约50nm至大约130nm的范围内。当阳极的厚度在该范围内时，可以获得优异的发光特性，而不显著增大驱动电压。
发光器件100还可以包括空穴传输区域和/或电子传输区域，空穴传输区域位于第一电极110与第一层130c之间，电子传输区域位于第一发射层130a与第二电极150之间和第二发射层130b与第二电极150之间。
空穴传输区域和第一辅助层130'
空穴传输区域可以具有：i)单层结构，包括包含单种材料的单个层；ii)单层结构，包括包含多种不同的材料的单个层；或者iii)多层结构，具有包括多种不同的材料的多个层。
除了图1的空穴注入层121之外，空穴传输区域可以包括从空穴传输层、发射辅助层和电子阻挡层中选择的至少一个层。
例如，空穴传输区域可以具有单层结构或多层结构，所述单层结构包括包含多种不同的材料的单个层，所述多层结构具有空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构或者空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构，其中，对于每种结构，以该陈述的次序从第一电极110顺序地堆叠构成层，但空穴传输区域的结构不局限于此。
在一个或更多个实施例中，第一辅助层130'可以包括包含在空穴传输区域中的空穴传输化合物。
空穴传输区域和第一辅助层130'可以包括从m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB(NPD)、β-NPB、TPD、螺-TPD、螺-NPB、甲基化NPB、TAPC、HMTPD、4,4',4"-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)、由式201表示的化合物和由式202表示的化合物中选择的至少一种：
式201
式202
在式201和式202中，
L201至L204可以均独立地选自于取代或未取代的C3-C10亚环烷基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代或未取代的C3-C10亚环烯基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代或未取代的C6-C60亚芳基、取代或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代或未取代的二价非芳香缩合多环基和取代或未取代的二价非芳香缩合杂多环基，
L205可以选自于*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q201)-*'、取代或未取代的C1-C20亚烷基、取代或未取代的C2-C20亚烯基、取代或未取代的C3-C10亚环烷基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代或未取代的C3-C10亚环烯基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代或未取代的C6-C60亚芳基、取代或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代或未取代的二价非芳香缩合多环基和取代或未取代的二价非芳香缩合杂多环基，
xa1至xa4可以均独立地为0至3的整数，
xa5可以为1至10的整数，并且
R201至R204和Q201可以均独立地选自于取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C1-C10杂环烷基、取代或未取代的C3-C10环烯基、取代或未取代的C1-C10杂环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C1-C60杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基和取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基。
在一个实施例中，在式202中，R201和R202可以可选地经由单键、二甲基-亚甲基或二苯基-亚甲基连接，R203和R204可以可选地经由单键、二甲基-亚甲基或二苯基-亚甲基连接。
在一个或更多个实施例中，在式201和式202中，
L201至L205可以均独立地选自于：
亚苯基、亚并环戊二烯基、亚茚基、亚萘基、亚甘菊环基、亚庚搭烯基、亚引达省基、亚苊基、亚芴基、亚螺二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚非那烯基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9,10]菲基、亚芘基、亚
基、亚并四苯基、亚苉基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚玉红省基、亚蒄基、亚卵苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基和亚吡啶基；以及
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、取代有C1-C10烷基的苯基、取代有-F的苯基、并环戊二烯基、茚基、萘基、甘菊环基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、
基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蒄基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、-Si(Q31)(Q32)(Q33)和-N(Q31)(Q32)中选择的至少一者的亚苯基、亚并环戊二烯基、亚茚基、亚萘基、亚甘菊环基、亚庚搭烯基、亚引达省基、亚苊基、亚芴基、亚螺二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚非那烯基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9,10]菲基、亚芘基、亚
基、亚并四苯基、亚苉基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚玉红省基、亚蒄基、亚卵苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基和亚吡啶基，并且
Q31至Q33可以均独立地选自于C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。
在一个或更多个实施例中，xa1至xa4可以均独立地为0、1或2。
在一个或更多个实施例中，xa5可以为1、2、3或4。
在一个或更多个实施例中，R201至R204和Q201可以均独立地选自于：
苯基、联苯基、三联苯基、并环戊二烯基、茚基、萘基、甘菊环基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、
基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蒄基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基；以及
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、取代有C1-C10烷基的苯基、取代有-F的苯基、并环戊二烯基、茚基、萘基、甘菊环基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、
基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蒄基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、-Si(Q31)(Q32)(Q33)和-N(Q31)(Q32)中选择的至少一者的苯基、联苯基、三联苯基、并环戊二烯基、茚基、萘基、甘菊环基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、
基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蒄基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基，并且
Q31至Q33与上文所描述的相同。
在一个或更多个实施例中，从式201中的R201至R203中选择的至少一个可以均独立地选自于：
芴基、螺二芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；以及
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、取代有C1-C10烷基的苯基、取代有-F的苯基、萘基、芴基、螺二芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基中选择的至少一者的芴基、螺二芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基，
但本公开的实施例不局限于此。
在一个或更多个实施例中，在式202中，i)R201和R202可以经由单键连接，并且/或者ii)R203和R204可以经由单键连接。
在一个或更多个实施例中，从式202中的R201至R204中选择的至少一个可以均独立地选自于：
咔唑基；以及
取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、取代有C1-C10烷基的苯基、取代有-F的苯基、萘基、芴基、螺二芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基中选择的至少一者的咔唑基，
但本公开的实施例不局限于此。
由式201表示的化合物可以由式201A表示：
式201A
在一个实施例中，由式201表示的化合物可以由式201A(1)表示，但本公开的实施例不局限于此：
式201A(1)
在一个实施例中，由式201表示的化合物可以由式201A-1表示，但本公开的实施例不局限于此：
式201A-1
在一个实施例中，由式202表示的化合物可以由式202A表示：
式202A
在一个实施例中，由式202表示的化合物可以由式202A-1表示：
式202A-1
在式201A、式201A(1)、式201A-1、式202A和式202A-1中，
L201至L203、xa1至xa3、xa5和R202至R204与上文所描述的相同，
R211和R212可以均独立地与结合R203定义的相同，并且
R213至R217可以均独立地选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、取代有C1-C10烷基的苯基、取代有-F的苯基、并环戊二烯基、茚基、萘基、甘菊环基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、
基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蒄基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基。
空穴传输区域和第一辅助层130'可以包括从化合物HT1至化合物HT39中选择的至少一种化合物，但本公开的实施例不局限于此：
空穴传输区域的厚度可以在大约
至大约
的范围内，例如，在大约
至大约
的范围内。当空穴传输区域包括从空穴注入层121和空穴传输层中选择的至少一者时，空穴注入层121的厚度可以在大约
至大约
(例如，大约
至大约
)的范围内，空穴传输层的厚度可以在大约
至大约
(例如，大约
至大约
)的范围内。当空穴传输区域、空穴注入层121和空穴传输层的厚度在这些范围内时，可以获得合适的或令人满意的空穴传输特性，而不显著增大驱动电压。
发射辅助层可以通过根据由发射层发射的光的波长来补偿光学谐振距离而提高发光效率，电子阻挡层可以阻挡电子从电子传输区域流动。发射辅助层和电子阻挡层可以包括如上文所描述的材料。
p掺杂剂
从空穴注入层121和空穴传输层中选择的至少一者可以包括p掺杂剂，或者可以包括包含p掺杂剂的单膜。
此外，第一中间层131、第二中间层132和第三中间层133可以均独立地包括p掺杂剂，或者可以均独立地包括包含p掺杂剂的单膜。
在一个实施例中，空穴传输区域还可以包括具有大约-3.5eV或更小的最低未占分子轨道(LUMO)能级的p掺杂剂。
p掺杂剂可以包括从醌衍生物、金属氧化物和含氰基化合物中选择的至少一种，但本公开的实施例不局限于此。
在一个实施例中，p掺杂剂可以包括选自于以下化合物中的至少一种：
醌衍生物，诸如四氰基醌二甲烷(TCNQ)或2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ)；
金属氧化物，诸如氧化钨或氧化钼；
1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲-六腈(HAT-CN)；
由式221表示的化合物；以及
p掺杂剂1，
但本公开的实施例不局限于此：
在式221中，
R221至R223可以均独立地选自于取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C1-C10杂环烷基、取代或未取代的C3-C10环烯基、取代或未取代的C1-C10杂环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C1-C60杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基和取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基，其中，从R221至R223中选择的至少一个可以具有从氰基、-F、-Cl、-Br、-I、取代有-F的C1-C20烷基、取代有-Cl的C1-C20烷基、取代有-Br的C1-C20烷基和取代有-I的C1-C20烷基中选择的至少一个取代基。
第一发射层130a、第二发射层130b和第一层130c
如上文所描述的，第一发射层130a可以包括第一主体和第一掺杂剂，从第一掺杂剂发射的光的半峰全宽(FWHM)可以为大约35nm或更大。第一掺杂剂可以被配置为发射第一颜色光。
此外，第二发射层130b和第一层130c可以包括主体和掺杂剂(例如，可以均包括主体和掺杂剂)。掺杂剂可以包括从磷光掺杂剂和荧光掺杂剂中选择的至少一种。掺杂剂可以被配置为发射第二颜色光和第三颜色光。
例如，第一颜色光至第三颜色光可以均独立地选自于蓝光、红光和绿光。基于100重量份的主体，掺杂剂的量可以在大约0.01重量份至大约15重量份的范围内，但本公开的实施例不局限于此。
第一发射层130a、第二发射层130b和第一层130c的厚度可以均独立地在大约
至大约
的范围内，例如，在大约
至大约
的范围内。当发射层的厚度在该范围内时，可以获得优异的发光特性，而不显著增大驱动电压。
第一发射层130a中的第一主体以及第二发射层130b和第一层130c中的主体
第一主体或主体可以均独立地包括由式301表示的化合物：
式301
[Ar301]xb11-[(L301)xb1-R301]xb21。
在式301中，
Ar301可以为取代或未取代的C5-C60碳环基或者取代或未取代的C1-C60杂环基，
xb11可以为1、2或3，
L301可以选自于取代或未取代的C3-C10亚环烷基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代或未取代的C3-C10亚环烯基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代或未取代的C6-C60亚芳基、取代或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代或未取代的二价非芳香缩合多环基和取代或未取代的二价非芳香缩合杂多环基，
xb1可以为0至5的整数，
R301可以选自于氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C1-C10杂环烷基、取代或未取代的C3-C10环烯基、取代或未取代的C1-C10杂环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C1-C60杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基、取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q301)(Q302)(Q303)、-N(Q301)(Q302)、-B(Q301)(Q302)、-C(＝O)(Q301)、-S(＝O)2(Q301)和-P(＝O)(Q301)(Q302)，
xb21可以为1至5的整数，并且
Q301至Q303可以均独立地选自于C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基，但本公开的实施例不局限于此。
在一个实施例中，式301中的Ar301可以选自于：
萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、
基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；以及
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)和-P(＝O)(Q31)(Q32)中选择的至少一者的萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、
基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基，并且
Q31至Q33可以均独立地选自于C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基，但本公开的实施例不局限于此。
当式301中的xb11为二或更大时，两个或更多个Ar301可以经由单键连接。
在一个或更多个实施例中，由式301表示的化合物可以由式301-1或式301-2表示：
式301-1
式301-2
在式301-1和式301-2中，
环A301至环A304可以均独立地选自于苯环、萘环、菲环、荧蒽环、苯并[9,10]菲环、芘环、
环、吡啶环、嘧啶环、茚环、芴环、螺二芴环、苯并芴环、二苯并芴环、吲哚环、咔唑环、苯并咔唑环、二苯并咔唑环、呋喃环、苯并呋喃环、二苯并呋喃环、萘并呋喃环、苯并萘并呋喃环、二萘并呋喃环、噻吩环、苯并噻吩环、二苯并噻吩环、萘并噻吩环、苯并萘并噻吩环和二萘并噻吩环，
X301可以为O、S或N-[(L304)xb4-R304]，
R311至R314可以均独立地选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)和-P(＝O)(Q31)(Q32)，
xb22和xb23可以均独立地为0、1或2，
L301、xb1、R301和Q31至Q33与上文所描述的相同，
L302至L304可以均独立地与结合L301定义的相同，
xb2至xb4可以均独立地与结合xb1定义的相同，并且
R302至R304可以均独立地与结合R301定义的相同。
例如，式301、式301-1和式301-2中的L301至L304可以均独立地选自于：
亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9,10]菲基、亚芘基、亚
基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基、亚吡啶基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚噻唑基、亚异噻唑基、亚噁唑基、亚异噁唑基、亚噻二唑基、亚噁二唑基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚三嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并喹啉基、亚酞嗪基、亚萘啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚菲咯啉基、亚吩嗪基、亚苯并咪唑基、亚异苯并噻唑基、亚苯并噁唑基、亚异苯并噁唑基、亚三唑基、亚四唑基、亚咪唑并吡啶基、亚咪唑并嘧啶基和亚氮杂咔唑基；以及
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、
基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮杂咔唑基、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)和-P(＝O)(Q31)(Q32)中选择的至少一者的亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9,10]菲基、亚芘基、亚
基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基、亚吡啶基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚噻唑基、亚异噻唑基、亚噁唑基、亚异噁唑基、亚噻二唑基、亚噁二唑基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚三嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并喹啉基、亚酞嗪基、亚萘啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚菲咯啉基、亚吩嗪基、亚苯并咪唑基、亚异苯并噻唑基、亚苯并噁唑基、亚异苯并噁唑基、亚三唑基、亚四唑基、亚咪唑并吡啶基、亚咪唑并嘧啶基和亚氮杂咔唑基，并且
Q31至Q33与上文所描述的相同。
在一个实施例中，式301、式301-1和式301-2中的R301至R304可以均独立地选自于：
苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、
基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基；以及
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、
基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮杂咔唑基、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)和-P(＝O)(Q31)(Q32)中选择的至少一者的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、
基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基，并且
Q31至Q33与上文所描述的相同。
在一个或更多个实施例中，第一主体或主体可以包括碱土金属配合物。例如，第一主体或主体可以选自于Be配合物(例如，化合物H55)、Mg配合物和Zn配合物。
第一主体或主体可以包括从9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN)、4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(CBP)、1,3-二-9-咔唑基苯(mCP)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)和化合物H1至化合物H55中选择的至少一种，但本公开的实施例不局限于此：
第二发射层130b和第一层130c中的磷光掺杂剂磷光掺杂剂可以包括由式401表示的有机金属配合物：
式401
M(L401)xc1(L402)xc2
式402
在式401和式402中，
M可以选自于铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、锇(Os)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铑(Rh)和铥(Tm)，
L401可以选自于由式402表示的配体，xc1可以为1、2或3，其中，当xc1为二或更大时，两个或更多个L401可以彼此相同或不同，
L402可以为有机配体，xc2可以为0至4的整数，其中，当xc2为二或更大时，两个或更多个L402可以彼此相同或不同，
X401至X404可以均独立地为氮或碳，
X401和X403可以经由单键或双键连接，X402和X404可以经由单键或双键连接，
A401和A402可以均独立地选自于C5-C60碳环基或C1-C60杂环基，
X405可以为单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(＝O)-*'、*-N(Q411)-*'、*-C(Q411)(Q412)-*'、*-C(Q411)＝C(Q412)-*'、*-C(Q411)＝*'或*＝C＝*'，其中，Q411和Q412可以为氢、氘、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基，
X406可以为单键、O或S，
R401和R402可以均独立地选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C1-C20烷氧基、取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C1-C10杂环烷基、取代或未取代的C3-C10环烯基、取代或未取代的C1-C10杂环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C1-C60杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基、取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q401)(Q402)(Q403)、-N(Q401)(Q402)、-B(Q401)(Q402)、-C(＝O)(Q401)、-S(＝O)2(Q401)和-P(＝O)(Q401)(Q402)，其中，Q401至Q403可以均独立地选自于C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、C6-C20芳基和C1-C20杂芳基，
xc11和xc12可以均独立地为0至10的整数，并且
式402中的*和*'均表示与式401中的M的结合位。
在一个实施例中，式402中的A401和A402可以均独立地选自于苯、萘、芴、螺二芴、茚、吡咯、噻吩、呋喃、咪唑、吡唑、噻唑、异噻唑、噁唑、异噁唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、哒嗪、喹啉、异喹啉、苯并喹啉、喹喔啉、喹唑啉、咔唑、苯并咪唑、苯并呋喃、苯并噻吩、异苯并噻吩、苯并噁唑、异苯并噁唑、三唑、四唑、噁二唑、三嗪、二苯并呋喃和二苯并噻吩。
在一个或更多个实施例中，在式402中，i)X401可以为氮，X402可以为碳，或者ii)X401和X402可以均同时为氮。
在一个或更多个实施例中，式402中的R401和R402可以均独立地选自于：
氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基和C1-C20烷氧基；
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、苯基、萘基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基和降冰片烯基中选择的至少一者的C1-C20烷基和C1-C20烷氧基；
环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基中选择的至少一者的环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；以及
-Si(Q401)(Q402)(Q403)、-N(Q401)(Q402)、-B(Q401)(Q402)、-C(＝O)(Q401)、-S(＝O)2(Q401)和-P(＝O)(Q401)(Q402)，并且
Q401至Q403可以均独立地选自于C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、联苯基和萘基，但本公开的实施例不局限于此。
在一个或更多个实施例中，当式401中的xc1为二或更大时，两个或更多个L401中的两个A401可以可选地经由作为连接基的X407连接，或者两个或更多个L401中的两个A402可以可选地经由作为连接基的X408连接(见化合物PD1至化合物PD4和化合物PD7)。X407和X408可以均独立地为单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(＝O)-*'、*-N(Q413)-*'、*-C(Q413)(Q414)-*'或*-C(Q413)＝C(Q414)-*'(其中，Q413和Q414可以均独立地为氢、氘、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基)，但不局限于此。
式401中的L402可以为单价有机配体、二价有机配体或三价有机配体。例如，L402可以选自于卤素、二酮(例如，乙酰丙酮(化物))、羧酸(例如，吡啶甲酸(盐))、-C(＝O)、异腈、-CN和含磷物质(例如，膦或亚磷酸(盐))，但本公开的实施例不局限于此。
在一个或更多个实施例中，磷光掺杂剂可以选自于例如化合物PD1至化合物PD25，但本公开的实施例不局限于此：
第一发射层130a中的第一掺杂剂以及第二发射层130b和第一层130c中的荧光掺杂剂
第一掺杂剂可以包括芳基胺化合物或苯乙烯基胺化合物。
荧光掺杂剂可以包括芳基胺化合物或苯乙烯基胺化合物。
第一掺杂剂或荧光掺杂剂可以均独立地包括由式501表示的化合物：
式501
在式501中，
Ar501可以为取代或未取代的C5-C60碳环基或者取代或未取代的C1-C60杂环基，
L501至L503可以均独立地选自于取代或未取代的C3-C10亚环烷基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代或未取代的C3-C10亚环烯基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代或未取代的C6-C60亚芳基、取代或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代或未取代的二价非芳香缩合多环基和取代或未取代的二价非芳香缩合杂多环基，
xd1至xd3可以均独立地为0至3的整数，
R501和R502可以均独立地选自于取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C1-C10杂环烷基、取代或未取代的C3-C10环烯基、取代或未取代的C1-C10杂环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C1-C60杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基和取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基，并且
xd4可以为1至6的整数。
在一个实施例中，式501中的Ar501可以选自于：
萘基、庚搭烯基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、
基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基和茚并菲基；以及
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基中选择的至少一者的萘基、庚搭烯基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、
基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基和茚并菲基。
在一个或更多个实施例中，式501中的L501至L503可以均独立地选自于：
亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9,10]菲基、亚芘基、亚
基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基和亚吡啶基；以及
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、
基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基中选择的至少一者的亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9,10]菲基、亚芘基、亚
基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基和亚吡啶基。
在一个或更多个实施例中，式501中的R501和R502可以均独立地选自于：
苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、
基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基；以及
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、
基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基和-Si(Q31)(Q32)(Q33)中选择的至少一者的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、
基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基，并且
Q31至Q33可以均独立地选自于C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。
在一个或更多个实施例中，式501中的xd4可以为2，但本公开的实施例不局限于此。
例如，第一掺杂剂或荧光掺杂剂可以选自于化合物FD1至化合物FD22：
在一个实施例中，第一掺杂剂或荧光掺杂剂可以选自于以下化合物，但本公开的实施例不局限于此：
电子传输区域
电子传输区域可以具有：i)单层结构，包括包含单种材料的单个层；ii)单层结构，包括包含多种不同的材料的单个层；或者iii)多层结构，具有包括多种不同的材料的多个层。
除了图1中示出的电子传输层142或缓冲层141之外，电子传输区域还可以包括从空穴阻挡层、电子控制层和电子注入层中选择的至少一个层，但本公开的实施例不局限于此。
例如，电子传输区域可以具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构或者缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，其中，对于每种结构，以该陈述的次序从发射层顺序地堆叠构成层。然而，电子传输区域的结构的实施例不局限于此。
除了图1中示出的电子传输层142之外，电子传输区域还可以可选地包括电子注入层。
从电子注入层和电子传输层142中选择的至少一者可以包括由式1表示的化合物：
式1
在式1中，
L11至L13可以均独立地选自于取代或未取代的C5-C60碳环基和取代或未取代的C1-C60杂环基，
a11至a13可以均独立地为0、1、2和3，
R11至R13可以均独立地选自于取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C1-C10杂环烷基、取代或未取代的C3-C10环烯基、取代或未取代的C1-C10杂环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C1-C60杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基和取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基，
取代的C5-C60碳环基、取代的C1-C60杂环基、取代的C3-C10环烷基、取代的C1-C10杂环烷基、取代的C3-C10环烯基、取代的C1-C10杂环烯基、取代的C6-C60芳基、取代的C1-C60杂芳基、取代的单价非芳香缩合多环基和取代的单价非芳香缩合杂多环基的至少一个取代基可以选自于：
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基；
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)和-P(＝O)(Q11)(Q12)中选择的至少一者的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基；
C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基；
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)和-P(＝O)(Q21)(Q22)中选择的至少一者的C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基；以及
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)和-P(＝O)(Q31)(Q32)，并且
Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33可以均独立地选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、联苯基和三联苯基。
与其它发光器件相比，在包括公共层的发光器件中，驱动电压不可避免地增大。为了使驱动电压的增加最小化或减小驱动电压的增加，公共层中发射的第三颜色光可以以一阶谐振发射。在这种情况下，与以二阶谐振发射光的情况相比，第三颜色光的发光效率由于表面等离激元效应(surface plasmon effect)而降低。
通过在包括在电子传输区域中的电子传输层142中包括由式1表示的化合物，根据实施例的发光器件100可以改善发光效率并且/或者降低驱动电压。
在一些实施例中，由式1表示的化合物具有低折射特性。当将该化合物引入到电子传输区域中时，电子传输区域的透射率增大，并使光耦合效应最大化或增大光耦合效应，从而提高发光效率。
例如，由式1表示的化合物可以由式1-1表示：
式1-1
在式1-1中，
R11至R13可以均独立地与结合如上文所描述的R11至R13定义的相同，
Z11至Z13可以均独立地选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、芘基、
基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、噻咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、二苯并噻咯基和-Si(Q31)(Q32)(Q33)，
Q31至Q33可以均独立地选自于C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基和吡啶基，并且
d4可以为0至4的整数。
例如，从电子注入层和电子传输层142中选择的至少一者可以包括三[3-(3-吡啶基)荚基]硼烷(3TPYMB)：
电子传输区域(例如，电子传输区域中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层和/或电子传输层142)可以包括包含至少一个贫π电子的含氮环(πelectron-depleted nitrogen-containing ring，或π电子耗尽的含氮环)的无金属化合物。
如在此所使用的术语“贫π电子的含氮环”指具有至少一个*-N＝*'部分作为成环部分的C1-C60杂环基。
例如，“贫π电子的含氮环”可以是：i)具有至少一个*-N＝*'部分的5元至7元杂单环基团；ii)其中均具有至少一个*-N＝*'部分的两个或更多个5元至7元杂单环基团彼此缩合(例如，结合在一起)的杂多环基团；或者iii)其中均具有至少一个*-N＝*'部分的5元至7元杂单环基团中的至少一个与至少一个C5-C60碳环基缩合(例如，结合)的杂多环基团。
贫π电子的含氮环的示例包括咪唑、吡唑、噻唑、异噻唑、噁唑、异噁唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、哒嗪、吲唑、嘌呤、喹啉、异喹啉、苯并喹啉、酞嗪、萘啶、喹喔啉、喹唑啉、噌啉、菲啶、吖啶、菲咯啉、吩嗪、苯并咪唑、异苯并噻唑、苯并噁唑、异苯并噁唑、三唑、四唑、噁二唑、三嗪、噻二唑、咪唑并吡啶、咪唑并嘧啶和氮杂咔唑，但不局限于此。
例如，电子传输区域可以包括由式601表示的化合物：
式601
[Ar601]xe11-[(L601)xe1-R601]xe21。
在式601中，
Ar601可以为取代或未取代的C5-C60碳环基或者取代或未取代的C1-C60杂环基，
xe11可以为1、2或3，
L601可以选自于取代或未取代的C3-C10亚环烷基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代或未取代的C3-C10亚环烯基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代或未取代的C6-C60亚芳基、取代或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代或未取代的二价非芳香缩合多环基和取代或未取代的二价非芳香缩合杂多环基，
xe1可以为0至5的整数，
R601可以选自于取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C1-C10杂环烷基、取代或未取代的C3-C10环烯基、取代或未取代的C1-C10杂环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C1-C60杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基、取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q601)(Q602)(Q603)、-C(＝O)(Q601)、-S(＝O)2(Q601)和-P(＝O)(Q601)(Q602)，
Q601至Q603可以均独立地为C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基，并且
xe21可以为1至5的整数。
在一个实施例中，xe11个数的Ar601和xe21个数的R601中的至少一个可以包括贫π电子的含氮环。
在一个实施例中，式601中的Ar601可以选自于：
苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、
基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基；以及
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-S(＝O)2(Q31)和-P(＝O)(Q31)(Q32)中选择的至少一者的苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、
基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基，并且
Q31至Q33可以均独立地选自于C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。
当式601中的xe11为二或更大时，两个或更多个Ar601可以经由单键连接。
在一个或更多个实施例中，式601中的Ar601可以为蒽基。
在一个或更多个实施例中，由式601表示的化合物可以由式601-1表示：
式601-1
在式601-1中，
X614可以为N或C(R614)，X615可以为N或C(R615)，X616可以为N或C(R616)，其中，从X614至X616中选择的至少一个可以为N，
L611至L613可以均独立地与结合L601描述的相同，
xe611至xe613可以均独立地与xe1定义的相同，
R611至R613可以均独立地与结合R601描述的相同，并且
R614至R616可以均独立地选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。
在一个实施例中，式601中的L601和式601-1中的L611至L613可以均独立地选自于：
亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9,10]菲基、亚芘基、亚
基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基、亚吡啶基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚噻唑基、亚异噻唑基、亚噁唑基、亚异噁唑基、亚噻二唑基、亚噁二唑基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚三嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并喹啉基、亚酞嗪基、亚萘啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚菲咯啉基、亚吩嗪基、亚苯并咪唑基、亚异苯并噻唑基、亚苯并噁唑基、亚异苯并噁唑基、亚三唑基、亚四唑基、亚咪唑并吡啶基、亚咪唑并嘧啶基和亚氮杂咔唑基；以及
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、
基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基中选择的至少一者的亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9,10]菲基、亚芘基、亚
基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基、亚吡啶基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚噻唑基、亚异噻唑基、亚噁唑基、亚异噁唑基、亚噻二唑基、亚噁二唑基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚三嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并喹啉基、亚酞嗪基、亚萘啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚菲咯啉基、亚吩嗪基、亚苯并咪唑基、亚异苯并噻唑基、亚苯并噁唑基、亚异苯并噁唑基、亚三唑基、亚四唑基、亚咪唑并吡啶基、亚咪唑并嘧啶基和亚氮杂咔唑基，
但本公开的实施例不局限于此。
在一个或更多个实施例中，式601中的xe1和式601-1中的xe611至xe613可以均独立地为0、1或2。
在一个或更多个实施例中，式601中的R601和式601-1中的R611至R613可以均独立地选自于：
苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、
基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基；
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、
基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基中选择的至少一者的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、
基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基；以及
-S(＝O)2(Q601)和-P(＝O)(Q601)(Q602)，并且
Q601和Q602与上文所描述的相同。
电子传输区域可以包括从化合物ET1至化合物ET36中选择的至少一种化合物，但本公开的实施例不局限于此：
在一个或更多个实施例中，电子传输区域可以包括从2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、Alq3、BAlq、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑(TAZ)和NTAZ中选择的至少一种：
缓冲层141、空穴阻挡层和电子控制层的厚度可以均在大约
至大约
的范围内，例如，在大约
至大约
的范围内。当缓冲层141、空穴阻挡层和电子控制层的厚度在这些范围内时，电子传输区域可以具有优异的空穴阻挡特性或电子控制特性，而不显著增大驱动电压。
电子传输层142的厚度可以在大约
至大约
的范围内，例如，在大约
至大约
的范围内。当电子传输层142的厚度在上文所描述的范围内时，电子传输层142可以具有合适的或令人满意的电子传输特性，而不显著增大驱动电压。
除了上文所描述的材料之外，电子传输区域(例如，电子传输区域中的电子传输层142)还可以包括含金属材料。
含金属材料可以包括从碱金属配合物和碱土金属配合物中选择的至少一种。碱金属配合物可以包括从Li离子、Na离子、K离子、Rb离子和Cs离子中选择的金属离子，碱土金属配合物可以包括从Be离子、Mg离子、Ca离子、Sr离子和Ba离子中选择的金属离子。与碱金属配合物或碱土金属配合物的金属离子配位的配体可以选自于羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉和环戊二烯，但本公开的实施例不局限于此。
例如，含金属材料可以包括Li配合物。Li配合物可以包括例如化合物ET-D1(羟基喹啉锂，LiQ)或化合物ET-D2：
电子传输区域可以包括促进电子从第二电极150注入的电子注入层。电子注入层可以与第二电极150直接接触(例如，物理接触)。
电子注入层可以具有：i)单层结构，包括包含单种材料的单个层；ii)单层结构，包括包含多种不同的材料的单个层；或者iii)多层结构，具有包括多种不同的材料的多个层。
电子注入层可以包括碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物、稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或它们的任何组合。
碱金属可以选自于Li、Na、K、Rb和Cs。在一个实施例中，碱金属可以是Li、Na或Cs。在一个或更多个实施例中，碱金属可以是Li或Cs，但本公开的实施例不局限于此。
碱土金属可以选自于Mg、Ca、Sr和Ba。
稀土金属可以选自于Sc、Y、Ce、Tb、Yb和Gd。
碱金属化合物、碱土金属化合物和稀土金属化合物可以选自于碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物和卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)。
碱金属化合物可以选自于碱金属氧化物(诸如，Li2O、Cs2O或K2O)和碱金属卤化物(诸如，LiF、NaF、CsF、KF、LiI、NaI、CsI或KI)。在一个实施例中，碱金属化合物可以选自于LiF、Li2O、NaF、LiI、NaI、CsI和KI，但本公开的实施例不局限于此。
碱土金属化合物可以选自于碱土金属氧化物(诸如，BaO、SrO、CaO、BaxSr1-xO(0<x<1)或BaxCa1-xO(0<x<1))。在一个实施例中，碱土金属化合物可以选自于BaO、SrO和CaO，但本公开的实施例不局限于此。
稀土金属化合物可以选自于YbF3、ScF3、Sc2O3、Y2O3、Ce2O3、GdF3和TbF3。在一个实施例中，稀土金属化合物可以选自于YbF3、ScF3、TbF3、YbI3、ScI3和TbI3，但本公开的实施例不局限于此。
碱金属配合物、碱土金属配合物和稀土金属配合物可以包括如上文所描述的碱金属、碱土金属和稀土金属的离子，并且与碱金属配合物、碱土金属配合物或稀土金属配合物的金属离子配位的配体可以选自于羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉和环戊二烯，但本公开的实施例不局限于此。
如上文所描述的，电子注入层可以由碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物、稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或它们的任何组合组成(或者可以包括碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物、稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或它们的任何组合)。在一个或更多个实施例中，电子注入层还可以包括有机材料。当电子注入层还包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物、稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或它们的任何组合可以均匀地或非均匀地分散在包括有机材料的基质中。
电子注入层的厚度可以在大约
至大约
的范围内，例如，在大约
至大约
的范围内。当电子注入层的厚度在上文所描述的范围内时，电子注入层可以具有合适的或令人满意的电子注入特性，而不显著增大驱动电压。
此外，除了上文所描述的材料之外，电子注入层还可以包括含金属材料。
第二电极150
发光器件100可以包括第一电极110和面对第一电极110的第二电极150。第二电极150可以是作为电子注入电极的阴极，就这点而言，用于形成第二电极150的材料可以选自于具有相对低的逸出功的金属、合金、导电化合物和它们的组合。
第二电极150可以包括从锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、ITO和IZO中选择的至少一种，但本公开的实施例不局限于此。第二电极150可以为透射电极、半透射电极或反射电极。
第二电极150可以具有单层结构或者包括两个或更多个层的多层结构。
例如，第一电极110可以是阳极，第二电极150可以是阴极。这里，阳极可以是反射的或半透射的。
图2的描述
图2是根据另一实施例的发光器件200的示意性剖视图。
参照图2，根据另一实施例的发光器件200可以包括：多个第一电极210，位于第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中；第二电极250，面对所述多个第一电极210；第一发射层230a，位于第一子像素SP1中，并被配置为发射第一颜色光；第二发射层230b，位于第二子像素SP2中，并被配置为发射第二颜色光；第一层230c，关于第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3是集成的；第一辅助层230'，位于第一层230c与第一发射层230a之间；以及第一中间层231，位于第一辅助层230'与第一发射层230a之间，其中，第一中间层231的HOMO能级的绝对值可以比第一辅助层230'的HOMO能级的绝对值大且比第一发射层230a的HOMO能级的绝对值小。此外，第一中间层231的LUMO能级的绝对值可以比第一辅助层230'的LUMO能级的绝对值大且比第一发射层230a的LUMO能级的绝对值小，第一发射层230a可以包括第一主体和第一掺杂剂，并且从第一掺杂剂发射的光的FWHM可以为大约35nm或更大。
此外，在一个实施例中，发光器件200还可以在第一层230c与第二发射层230b之间包括第二中间层232，并且还可以在第一电极210与第一层230c之间包括第三中间层233。
此外，在一个实施例中，发光器件200还可以在第一电极210与第一层230c之间包括从空穴注入层221和空穴传输层中选择的至少一者。发光器件200还可以在第一发射层230a与第二电极250之间和第二发射层230b与第二电极250之间包括从电子注入层和电子传输层242中选择的至少一者，并且还可以在第一发射层230a与第二电极250之间和第二发射层230b与第二电极250之间包括缓冲层241。
图2中的第一电极210、第二电极250、第一发射层230a、第二发射层230b、第一层230c、第一辅助层230'、第一中间层231、第二中间层232、第三中间层233、电子传输层242和缓冲层241可以均独立地与上文关于图1的对应特征所描述的相同。
在一些实施例中，图2的发光器件200与图1中示出的发光器件100在结构上的不同之处在于：还包括第四中间层234作为附加的中间层。
在一些实施例中，发光器件200还可以在第一中间层231与第一发射层230a之间包括第四中间层234。此时，第四中间层234的HOMO能级的绝对值可以比第一中间层231的HOMO能级的绝对值大且比第一发射层230a的HOMO能级的绝对值小，并且第四中间层234的LUMO能级的绝对值可以比第一中间层231的LUMO能级的绝对值大且比第一发射层230a的LUMO能级的绝对值小。
可以通过参照相对于图1的第一中间层131至第三中间层133提供的描述来理解第四中间层234。
在一个实施例中，第一层230c中的与第三子像素SP3对应的区域可以被配置为发射第三颜色光，并且
从第一颜色光、第二颜色光和第三颜色光中选择的一种的谐振阶可以不同于第一颜色光、第二颜色光和第三颜色光中的其它两种的谐振阶。
在一个实施例中，第一层230c中的与第三子像素SP3对应的区域可以发射第三颜色光，并且
第一颜色光的谐振阶可以大于或等于第二颜色光和第三颜色光的谐振阶。
例如，i)第一颜色光的谐振阶是二阶，第二颜色光和第三颜色光的谐振阶是一阶；ii)第一颜色光的谐振阶是三阶，第二颜色光和第三颜色光的谐振阶是二阶；或者iii)第一颜色光的谐振阶是二阶，第二颜色光的谐振阶是二阶，第三颜色光的谐振阶是一阶。
在一个实施例中，第一颜色光可以是蓝光，第二颜色光可以是红光，并且第一层230c中的与第三子像素SP3对应的区域可以被配置为发射绿光。
在一个或更多个实施例中，第一颜色光可以是红光，第二颜色光可以是蓝光，并且第一层230c中的与第三子像素SP3对应的区域可以被配置为发射绿光。
在一个或更多个实施例中，第一颜色光可以是绿光，第二颜色光可以是红光，并且第一层230c中的与第三子像素SP3对应的区域可以被配置为发射蓝光。
在一个或更多个实施例中，第一颜色光可以是红光，第二颜色光可以是绿光，并且第一层230c中的与第三子像素SP3对应的区域可以被配置为发射蓝光。
在一个或更多个实施例中，第一颜色光可以是蓝光，第二颜色光可以是绿光，并且第一层230c中的与第三子像素SP3对应的区域可以被配置为发射红光。
在一个或更多个实施例中，第一颜色光可以是绿光，第二颜色光可以是蓝光，并且第一层230c中的与第三子像素SP3对应的区域可以被配置为发射红光。
包括在发光器件中的层可以均通过使用从真空沉积、旋涂、浇铸、LB方法、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像中选择的一种或更多种合适的方法来形成。
当包括在发光器件中的层均通过真空沉积形成时，通过考虑到将包括在待形成的层中的材料的组成和待形成的层的结构，可以在大约100℃至大约500℃的沉积温度、大约10-8托至大约10-3托的真空度和大约
至大约
的沉积速度下执行真空沉积。
当包括在发光器件中的层均通过旋涂形成时，通过考虑到用于待旋涂的层的化合物和待形成的层的结构，可以例如以大约2000rpm至大约5000rpm的涂覆速率并在大约80℃至大约200℃的温度下执行旋涂。
如在此使用的术语“C1-C60烷基”指具有1个至60个碳原子的直链或支链的脂肪族饱和烃单价基团，其示例包括甲基、乙基、丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基和己基。如在此使用的术语“C1-C60亚烷基”指与C1-C60烷基具有基本相同的结构的二价基团。
如在此使用的术语“C6-C60芳基”指具有包括6个至60个碳原子的碳环芳香体系的单价基团，在此使用的“C6-C60亚芳基”指具有包括6个至60个碳原子的碳环芳香体系的二价基团。C6-C60芳基的非限制性示例包括苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基和
基。当C6-C60芳基和C6-C60亚芳基均包括两个或更多个环时，环可以彼此稠合(例如，结合在一起)。
如在此使用的术语“C1-C60杂芳基”指具有杂环芳香体系的单价基团，该杂环芳香体系具有除了1个至60个碳原子之外的作为成环原子的从N、O、Si、P和S中选择的至少一种杂原子。如在此使用的术语“C1-C60亚杂芳基”指具有杂环芳香体系的二价基团，该杂环芳香体系具有除了1个至60个碳原子之外的作为成环原子的从N、O、Si、P和S中选择的至少一种杂原子。C1-C60杂芳基的非限制性示例包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基和异喹啉基。当C1-C60杂芳基和C1-C60亚杂芳基均包括两个或更多个环时，环可以彼此缩合(例如，结合在一起)。
如在此使用的术语“单价非芳香缩合多环基”指具有彼此缩合(例如，结合在一起)的两个或更多个环、仅碳原子(例如，具有8个至60个碳原子)作为成环原子且在其整个分子结构中不具有芳香性(例如，整个分子结构没有芳香性)的单价基团。单价非芳香缩合多环基的示例为芴基。如在此使用的术语“二价非芳香缩合多环基”指与单价非芳香缩合多环基具有基本相同的结构的二价基团。
如在此使用的术语“单价非芳香缩合杂多环基”指具有彼此缩合(例如，结合在一起)的两个或更多个环、除了碳原子(例如，具有1个至60个碳原子)之外的作为成环原子的从N、O、Si、P和S中选择的至少一种杂原子且在其整个分子结构中不具有芳香性(例如，整个分子结构没有芳香性)的单价基团。单价非芳香缩合杂多环基的示例为咔唑基。如在此使用的术语“二价非芳香缩合杂多环基”指与单价非芳香缩合杂多环基具有基本相同的结构的二价基团。
如在此使用的术语“C5-C60碳环基”指具有5个至60个碳原子的单环或多环基团，其中，成环原子仅为碳原子。如在此使用的术语“C5-C60碳环基”指芳香碳环基或非芳香碳环基。C5-C60碳环基可以是环(诸如，苯)、单价基团(诸如，苯基)或二价基团(诸如，亚苯基)。在一个或更多个实施例中，根据连接到C5-C60碳环基的取代基的数量，C5-C60碳环基可以是三价基团或四价基团。
如在此使用的术语“C1-C60杂环基”指：除了使用除碳(碳原子的数量可以在1个至60个的范围内)外的从N、O、Si、P和S中选择的至少一种杂原子作为成环原子之外，与C5-C60碳环基具有基本相同的结构的基团。
在本说明书中，取代的C5-C60碳环基、取代的C1-C60杂环基、取代的C1-C20亚烷基、取代的C2-C20亚烯基、取代的C3-C10亚环烷基、取代的C1-C10亚杂环烷基、取代的C3-C10亚环烯基、取代的C1-C10亚杂环烯基、取代的C6-C60亚芳基、取代的C1-C60亚杂芳基、取代的二价非芳香缩合多环基、取代的二价非芳香缩合杂多环基、取代的C1-C60烷基、取代的C2-C60烯基、取代的C2-C60炔基、取代的C1-C60烷氧基、取代的C3-C10环烷基、取代的C1-C10杂环烷基、取代的C3-C10环烯基、取代的C1-C10杂环烯基、取代的C6-C60芳基、取代的C6-C60芳氧基、取代的C6-C60芳硫基、取代的C1-C60杂芳基、取代的单价非芳香缩合多环基和取代的单价非芳香缩合杂多环基的至少一个取代基可以选自于：
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基；
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)和-P(＝O)(Q11)(Q12)中选择的至少一者的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基；
C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基；
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)和-P(＝O)(Q21)(Q22)中选择的至少一者的C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基；以及
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)和-P(＝O)(Q31)(Q32)，并且
Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33可以均独立地选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、联苯基以及三联苯基。
如在此使用的术语“联苯基”指“取代有苯基的苯基”。换言之，“联苯基”为具有C6-C60芳基作为取代基的取代的苯基。
如在此使用的术语“三联苯基”指“取代有联苯基的苯基”。换言之，“三联苯基”为具有取代有C6-C60芳基的C6-C60芳基作为取代基的取代的苯基。
除非另外定义，否则如在此使用的*和*'均指与对应式中的相邻原子的结合位。
示例
在示例和对比示例中，用于空穴注入层、空穴传输层、有机发射层、电子传输层、电子注入层、辅助层和中间层的材料与满足在此针对每个层描述的化合物对应。
示例1
将作为阳极的康宁15Ω/cm2 
ITO玻璃基底切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，使用异丙醇和纯水各超声5分钟，然后通过暴露于紫外线和臭氧30分钟进行清洗。然后，将ITO玻璃基底提供到真空沉积设备。
在ITO玻璃基底上将HT3和HAT-CN以99:1的重量比共沉积至
的厚度，并在其上将HT3沉积为
的厚度，以形成具有
的总厚度的空穴注入层，并且在空穴注入层上真空沉积m-MTDATA以形成具有
的厚度的空穴传输层。
在空穴传输层上以94:6的重量比共沉积CBP(主体)和Ir(ppy)3(绿色掺杂剂)，以形成具有
的厚度的绿色发射层作为公共层。
然后，在蓝色子像素区域中的绿色发射层上将HT3和m-MTDATA以99:1的重量比共沉积至
的厚度，并在其上附加地将HT3沉积至
的厚度，以形成第一辅助层，在第一辅助层上沉积HAT-CN以形成具有
的厚度的第一中间层，并且在第一中间层上以97:3的重量比共沉积CBP(主体)和芳基胺化合物BD1(FD14，FWHM：35nm)(蓝色掺杂剂)，以形成具有
的厚度的蓝色发射层。
第一辅助层、第一中间层和蓝色发射层的HOMO能级和LUMO能级的绝对值如下：
第一辅助层：HOMO＝-5.14eV，LUMO＝-1.82eV；
第一中间层：HOMO＝-5.37eV，LUMO＝-2.10eV；以及
蓝色发射层：HOMO＝-5.61eV，LUMO＝-2.49eV。
然后，在红色子像素区域中的绿色发射层上沉积HAT-CN，以形成具有
的厚度的第二中间层，并且在第二中间层上以97:3的重量比共沉积CBP(主体)和Ir(btp)2(acac)(红色掺杂剂)，以形成具有
的厚度的红色发射层。
此时，红色发射层和绿色发射层发射一阶谐振的光，而蓝色发射层发射二阶谐振的光。
在发射层上将BAlq沉积至
的厚度以提供空穴阻挡层，并在其上以1:1的重量比共沉积Alq3和LiQ以形成具有
的厚度的电子传输层。
在电子传输层上沉积Yb，以形成具有
的厚度的电子注入层，并在其上以9:1的重量比共沉积Ag和Mg以形成具有
的厚度的阴极，从而形成Yb/Ag:Mg电极。以这种方式，制造了发光器件。
对比示例1
除了使用BD2(5,9-二苯基-5H,9H-[1,4]苯并氮杂硼烷并[2,3,4-kl]二苯并氮杂硼烷(5,9-diphenyl-5H,9H-[1,4]benzazaborino[2,3,4-kl]phenazaborine)，(FWHM：30nm))作为蓝色掺杂剂之外，以与示例1中的方式基本相同的方式制造发光器件。
<BD2>
评价示例1
测量了在根据示例1制造的发光器件中的红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层以及整个发光器件中亮度根据角度的变化(基于0°处的亮度(100％))，并且其结果示出在表1中。对于根据对比示例1制造的发光器件，同样地测量了亮度根据角度的变化，并且其结果示出在表2中。此外，测量了根据示例1制造的发光器件的蓝色掺杂剂BD1在0°和60°处的亮度，并且其结果示出在图3中。测量了根据对比示例1制造的发光器件的蓝色掺杂剂BD2在0°和60°处的亮度，并且其结果示出在图4中。
表1
表2
参照表1和表2以及图3和图4可以看出，在其中采用被配置为发射具有宽FWHM的光的蓝色掺杂剂BD1的示例1的情况下，与对比示例1的情况相比，降低了蓝色发射层中亮度根据角度的减小，并且降低了整个发光器件中亮度根据角度的减小，这对于确保宽视角是有利的或有益的。
评价示例2
测量了根据示例1和对比示例1制造的发光器件的电致发光光谱，并且其结果示出在图5中。从图5可以看出，与根据对比示例1制造的发光器件相比，根据示例1制造的发光器件具有优异的亮度。
示例2
将作为阳极的康宁15Ω/cm2 
ITO玻璃基底切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，使用异丙醇和纯水各超声5分钟，然后通过暴露于紫外线和臭氧30分钟进行清洗。然后，将ITO玻璃基底提供到真空沉积设备。
在ITO玻璃基底上将HT3和HAT-CN以99:1的重量比共沉积至
的厚度，并在其上将HT3沉积至
的厚度，以形成具有
的总厚度的空穴注入层，并且在空穴注入层上真空沉积m-MTDATA以形成具有
的厚度的空穴传输层。
在空穴传输层上以94:6的重量比共沉积CBP(主体)和Ir(ppy)3(绿色掺杂剂)，以形成具有
的厚度的绿色发射层作为公共层。
然后，在蓝色子像素区域中的绿色发射层上将HT3和m-MTDATA以99:1的重量比共沉积至
的厚度，并在其上附加地将HT3沉积至
的厚度，以形成第一辅助层，在第一辅助层上沉积HAT-CN以形成具有
的厚度的第一中间层，并且在第一中间层上以97:3的重量比共沉积CBP(主体)和芳基胺化合物BD1(FD14，FWHM：35nm)(蓝色掺杂剂)，以形成具有
的厚度的蓝色发射层。
第一辅助层、第一中间层和蓝色发射层的HOMO能级和LUMO能级的绝对值如下：
第一辅助层：HOMO＝-5.14eV，LUMO＝-1.82eV；
第一中间层：HOMO＝-5.37eV，LUMO＝-2.10eV；以及
蓝色发射层：HOMO＝-5.61eV，LUMO＝-2.49eV。
然后，在红色子像素区域中的绿色发射层上沉积HAT-CN，以形成具有
的厚度的第二中间层，并且在第二中间层上以97:3的重量比共沉积CBP(主体)和Ir(btp)2(acac)(红色掺杂剂)，以形成具有
的厚度的红色发射层。
此时，红色发射层和绿色发射层发射一阶谐振的光，而蓝色发射层发射二阶谐振的光。
在发射层上将BAlq沉积至
的厚度以提供空穴阻挡层，并在其上以1:1的重量比共沉积Alq3和LiQ以形成具有
的厚度的电子传输层。
在电子传输层上沉积Yb，以形成具有
的厚度的电子注入层，并在其上以9:1的重量比共沉积Ag和Mg以形成具有
的厚度的阴极，从而形成Yb/Ag:Mg电极。以这种方式，制造了发光器件。
对比示例2
将作为阳极的康宁15Ω/cm2 
ITO玻璃基底切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，使用异丙醇和纯水各超声5分钟，然后通过暴露于紫外线和臭氧30分钟进行清洗。然后，将ITO玻璃基底提供到真空沉积设备。
在ITO玻璃基底上将HT3和HAT-CN以99:1的重量比共沉积至
的厚度，并在其上将HT3沉积为
的厚度，以形成具有
的总厚度的空穴注入层，并且在空穴注入层上真空沉积m-MTDATA以形成具有
的厚度的空穴传输层。
在空穴传输层上以97:3的重量比共沉积CBP(主体)和BD1(蓝色掺杂剂)，以形成具有
的厚度的蓝色发射层作为公共层。
然后，在绿色子像素区域中的蓝色发射层上附加地沉积m-MTDATA以形成具有
的厚度的辅助层，并且在辅助层上以94:6的重量比共沉积CBP(主体)和Ir(ppy)3(绿色掺杂剂)，以形成具有
的厚度的绿色发射层。
然后，在红色子像素区域中的蓝色发射层上沉积HAT-CN以形成具有
的厚度的第二中间层，并且在第二中间层上以97:3的重量比共沉积CBP(主体)和Ir(btp)2(acac)(红色掺杂剂)，以形成具有
的厚度的红色发射层。
此时，红色发射层和蓝色发射层发射一阶谐振的光，而绿色发射层发射二阶谐振的光。
在发射层上将BAlq沉积至
的厚度以提供空穴阻挡层，并在其上以1:1的重量比共沉积Alq3和LiQ以形成具有
的厚度的电子传输层。
在电子传输层上沉积Yb，以形成具有
的厚度的电子注入层，并在其上以9:1的重量比共沉积Ag和Mg以形成具有
的厚度的阴极，从而形成Yb/Ag:Mg电极。以这种方式，制造了发光器件。
评价示例3
测量了根据示例2和对比示例2制造的发光器件的发光光谱，并且其结果示出在图6中。
参照图6，在其中使用蓝色公共层的对比示例2的发光器件的情况下，不同于示例2的发光器件，谐振距离不匹配，并且在发射蓝光时在绿光发射区域(500nm至550nm)中产生发光。因此，在对比示例2中，发光器件中的发光效率的减小和亮度根据角度的变化增大。
示例3
将作为阳极的康宁15Ω/cm2 
ITO玻璃基底切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，使用异丙醇和纯水各超声5分钟，然后通过暴露于紫外线和臭氧30分钟进行清洗。然后，将ITO玻璃基底提供到真空沉积设备。
在ITO玻璃基底上将HT3和HAT-CN以99:1的重量比共沉积至
的厚度，并在其上将HT3沉积至
的厚度，以形成具有
的总厚度的空穴注入层，并且在空穴注入层上真空沉积m-MTDATA以形成具有
的厚度的空穴传输层。
在空穴传输层上以94:6的重量比共沉积CBP(主体)和Ir(ppy)3(绿色掺杂剂)，以形成具有
的厚度的绿色发射层作为公共层。
然后，在蓝色子像素区域中的绿色发射层上将HT3和m-MTDATA以99:1的重量比共沉积至
的厚度，并在其上附加地将HT3沉积至
的厚度，以形成第一辅助层，在第一辅助层上沉积HAT-CN以形成具有
的厚度的第一中间层，并且在第一中间层上以97:3的重量比共沉积CBP(主体)和芳基胺化合物BD1(FD14，FWHM：35nm)(蓝色掺杂剂)，以形成具有
的厚度的蓝色发射层。
第一辅助层、第一中间层和蓝色发射层的HOMO能级和LUMO能级的绝对值如下：
第一辅助层：HOMO＝-5.14eV，LUMO＝-1.82eV；
第一中间层：HOMO＝-5.37eV，LUMO＝-2.10eV；以及
蓝色发射层：HOMO＝-5.61eV，LUMO＝-2.49eV。
然后，在红色子像素区域中的绿色发射层上沉积HAT-CN，以形成具有
的厚度的第二中间层，并且在第二中间层上以97:3的重量比共沉积CBP(主体)和Ir(btp)2(acac)(红色掺杂剂)，以形成具有
的厚度的红色发射层。
此时，红色发射层和绿色发射层发射一阶谐振的光，而蓝色发射层发射二阶谐振的光。
在发射层上将BAlq沉积至
的厚度以提供空穴阻挡层，并在其上以1:1的重量比共沉积Alq3和LiQ以形成具有
的厚度的电子传输层。
在电子传输层上沉积Yb，以形成具有
的厚度的电子注入层，并在其上以9:1的重量比共沉积Ag和Mg以形成具有
的厚度的阴极，从而形成Yb/Ag:Mg电极。以这种方式，制造了发光器件。
示例4(其中采用了低折射率的电子传输层(ETL)的示例)
将作为阳极的康宁15Ω/cm2 
ITO玻璃基底切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，使用异丙醇和纯水各超声5分钟，然后通过暴露于紫外线和臭氧30分钟进行清洗。然后，将ITO玻璃基底提供到真空沉积设备。
在ITO玻璃基底上将HT3和HAT-CN以99:1的重量比共沉积至
的厚度，并在其上将HT3沉积至
的厚度，以形成具有
的总厚度的空穴注入层，并且在空穴注入层上真空沉积m-MTDATA以形成具有
的厚度的空穴传输层。
在空穴传输层上以94:6的重量比共沉积CBP(主体)和Ir(ppy)3(绿色掺杂剂)，以形成具有
的厚度的绿色发射层作为公共层。
然后，在蓝色子像素区域中的绿色发射层上将HT3和m-MTDATA以99:1的重量比共沉积至
的厚度，并在其上附加地将HT3沉积至
的厚度，以形成第一辅助层，在第一辅助层上沉积HAT-CN以形成具有
的厚度的第一中间层，并且在第一中间层上以97:3的重量比共沉积CBP(主体)和芳基胺化合物BD1(FD14，FWHM：35nm)(蓝色掺杂剂)，以形成具有
的厚度的蓝色发射层。
第一辅助层、第一中间层和蓝色发射层的HOMO能级和LUMO能级的绝对值如下：
第一辅助层：HOMO＝-5.14eV，LUMO＝-1.82eV；
第一中间层：HOMO＝-5.37eV，LUMO＝-2.10eV；以及
蓝色发射层：HOMO＝-5.61eV，LUMO＝-2.49eV。
然后，在红色子像素区域中的绿色发射层上沉积HAT-CN，以形成具有
的厚度的第二中间层，并且在第二中间层上以97:3的重量比共沉积CBP(主体)和Ir(btp)2(acac)(红色掺杂剂)，以形成具有
的厚度的红色发射层。
此时，红色发射层和绿色发射层发射一阶谐振的光，而蓝色发射层发射二阶谐振的光。
在发射层上将BAlq沉积至
的厚度以提供空穴阻挡层，并在其上沉积3TPYMB以形成具有
的厚度的电子传输层。
在电子传输层上沉积Yb，以形成具有
的厚度的电子注入层，并在其上以9:1的重量比共沉积Ag和Mg以形成具有
的厚度的阴极，从而形成Yb/Ag:Mg电极。以这种方式，制造了发光器件。
评价示例4
图7是示出根据示例3和示例4制造的发光器件的绿光发射色坐标-效率的曲线图。
参照图7可以看出，根据示例4制造的发光器件的效率比根据示例3制造的发光器件的效率高。
根据一个或更多个实施例，能够实现其中驱动电压降低并且亮度增加的发光器件。然而，本公开的范围不受这种效果的限制。
应理解的是，应该仅以描述性含义而不应出于限制的目的来考虑在此描述的实施例。每个实施例内的特征或方面的描述应被认为可用于其它实施例中的其它相似的特征或方面。
为了易于解释，在此可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……下”、“在……上方”、“上”等的空间相对术语来描述如在图中示出的一个元件或特征与另外的元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语意图包含器件在使用或操作中除了图中描绘的方位之外的不同方位。例如，如果图中的器件被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”或“下”的元件随后将被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例术语“在……下方”和“在……下”可以包含上方和下方两种方位。器件可以被另外定位(例如，旋转90度或在其它方位处)，并且应相应地解释在此使用的空间相对描述语。
如在此所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和全部组合。当诸如“……中的至少一个(种/者)”的表述在一列元件(要素)之后时，修饰的是整列的元件(要素)，而不是修饰该列中的个别元件(要素)。
如在此所使用的，术语“基本”、“大约”和相似术语被用作近似术语而不被用作程度术语，并且意图解释将被本领域普通技术人员认识到的测量值或计算值的固有偏差。此外，在描述本公开的实施例时，“可以”的使用指“本公开的一个或更多个实施例”。如在此所使用的，术语“使用”及其变型可以被认为分别与术语“利用”及其变型同义。此外，术语“示例性”意图指示例或举例说明。
此外，在此陈述的任何数值范围意图包括在所陈述的范围内所包含的相同数值精度的所有子范围。例如，范围“1.0至10.0”意图包括所陈述的最小值1.0与所陈述的最大值10.0之间(并包括所陈述的最小值1.0和所陈述的最大值10.0)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，诸如以2.4至7.6为例。在此陈述的任何最大数值限制意图包括其中包含的所有较低的数值限制，在本说明书中陈述的任何最小数值限制意图包括其中包含的所有较高数值限制。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利，以明确地陈述在此明确陈述的范围内包含的任何子范围。
虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求及其等同物限定的本公开的精神和范围的情况下，可以在其中做出形式上和细节上的各种改变。
Claims (20)
1.一种发光器件，所述发光器件包括：
多个第一电极，分别位于第一子像素、第二子像素和第三子像素中；
第二电极，面对所述多个第一电极；
第一发射层，位于所述第一子像素中，并被配置为发射第一颜色光；
第二发射层，位于所述第二子像素中，并被配置为发射第二颜色光；
第一层，关于所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素是集成的；
第一辅助层，位于所述第一层与所述第一发射层之间；以及
第一中间层，位于所述第一辅助层与所述第一发射层之间，
其中，所述第一中间层的最高占据分子轨道能级的绝对值比所述第一辅助层的最高占据分子轨道能级的绝对值大且比所述第一发射层的最高占据分子轨道能级的绝对值小，
所述第一中间层的最低未占分子轨道能级的绝对值比所述第一辅助层的最低未占分子轨道能级的绝对值大且比所述第一发射层的最低未占分子轨道能级的绝对值小，
所述第一发射层包括第一主体和第一掺杂剂，并且
所述第一掺杂剂被配置为发射具有35nm或更大的半峰全宽的光。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中：
所述第一掺杂剂被配置为发射具有在35nm至50nm的范围内的半峰全宽的光。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中：
所述第一掺杂剂是由式501表示的化合物：
式501
其中，在式501中，
Ar501为取代或未取代的C5-C60碳环基或者取代或未取代的C1-C60杂环基，
L501至L503均独立地选自于取代或未取代的C3-C10亚环烷基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代或未取代的C3-C10亚环烯基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代或未取代的C6-C60亚芳基、取代或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代或未取代的二价非芳香缩合多环基和取代或未取代的二价非芳香缩合杂多环基，
xd1至xd3均独立地为0至3的整数，
R501和R502均独立地选自于取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C1-C10杂环烷基、取代或未取代的C3-C10环烯基、取代或未取代的C1-C10杂环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C1-C60杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基和取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基，并且
xd4为1至6的整数。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中：
所述第一中间层包括p掺杂剂或者包括包含p掺杂剂的单膜。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其中：
所述第一辅助层包括空穴传输化合物。
6.根据权利要求1所述的发光器件，所述发光器件还包括位于所述第一层与所述第二发射层之间的第二中间层。
7.根据权利要求1所述的发光器件，所述发光器件还包括位于所述多个第一电极与所述第一层之间的第三中间层。
8.根据权利要求1所述的发光器件，所述发光器件还包括位于所述第一中间层与所述第一发射层之间的第四中间层。
9.根据权利要求1所述的发光器件，所述发光器件在所述第一发射层与所述第二电极之间和所述第二发射层与所述第二电极之间还包括从电子注入层和电子传输层中选择的至少一者。
10.根据权利要求9所述的发光器件，其中：
从所述电子注入层和所述电子传输层中选择的至少一者包括由式1表示的化合物：
式1
其中，在式1中，
L11至L13均独立地选自于取代或未取代的C5-C60碳环基和取代或未取代的C1-C60杂环基，
a11至a13均独立地选自于0、1、2和3，
R11至R13均独立地选自于取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C1-C10杂环烷基、取代或未取代的C3-C10环烯基、取代或未取代的C1-C10杂环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C1-C60杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基和取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基，
所述取代的C5-C60碳环基、所述取代的C1-C60杂环基、所述取代的C3-C10环烷基、所述取代的C1-C10杂环烷基、所述取代的C3-C10环烯基、所述取代的C1-C10杂环烯基、所述取代的C6-C60芳基、所述取代的C1-C60杂芳基、所述取代的单价非芳香缩合多环基和所述取代的单价非芳香缩合杂多环基的至少一个取代基选自于：
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基；
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)和-P(＝O)(Q11)(Q12)中选择的至少一者的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基；
C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基；
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)和-P(＝O)(Q21)(Q22)中选择的至少一者的C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基；以及
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)和-P(＝O)(Q31)(Q32)，并且
Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33均独立地选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、联苯基和三联苯基。
11.根据权利要求10所述发光器件，其中：
由式1表示的所述化合物由式1-1表示：
式1-1
其中，在式1-1中，
R11至R13均独立地与结合权利要求10中的R11至R13定义的相同，
Z11至Z13均独立地选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、芘基、
基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、噻咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、二苯并噻咯基和-Si(Q31)(Q32)(Q33)，
Q31至Q33均独立地选自于C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基和吡啶基，并且
d4为0至4的整数。
12.根据权利要求1所述的发光器件，所述发光器件在所述多个第一电极与所述第一层之间还包括从空穴注入层和空穴传输层中选择的至少一者，
其中，从所述空穴注入层和所述空穴传输层中选择的至少一者包括p掺杂剂或者包括包含p掺杂剂的单膜。
13.根据权利要求1所述的发光器件，所述发光器件还包括位于所述第一发射层与所述第二电极之间和所述第二发射层与所述第二电极之间的缓冲层。
14.根据权利要求1所述的发光器件，其中：
所述第一电极为阳极，并且
所述第二电极为阴极。
15.根据权利要求14所述的发光器件，其中：
所述阳极为反射阳极或半透射阳极，并且
所述阴极为透射阴极。
16.根据权利要求1所述的发光器件，其中：
所述发光器件是顶发射器件。
17.根据权利要求1所述的发光器件，其中：
所述第一层中的与所述第三子像素对应的区域被配置为发射第三颜色光，并且
从所述第一颜色光、所述第二颜色光和所述第三颜色光中选择的一种的谐振阶不同于所述第一颜色光、所述第二颜色光和所述第三颜色光中的其它两种的谐振阶。
18.根据权利要求1所述的发光器件，其中：
所述第一层中的与所述第三子像素对应的区域被配置为发射第三颜色光，并且
所述第一颜色光的谐振阶大于或等于所述第二颜色光和所述第三颜色光的谐振阶。
19.根据权利要求1所述的发光器件，其中：
所述第一颜色光是蓝光，并且所述第二颜色光是红光或绿光，并且
所述第一层中的与所述第三子像素对应的区域被配置为发射绿光或红光。
20.一种平板显示设备，所述平板显示设备包括：
薄膜晶体管，包括源电极、漏电极和有源层；以及
根据权利要求1所述的发光器件，
其中，所述发光器件的所述第一电极电结合到所述薄膜晶体管的所述源电极和所述漏电极中的至少一者。
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