CN111573275A - 纳米晶材料检测系统 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种纳米晶材料检测系统，从上游至下游依次包括剥料设备、搬运设备、纳米晶材料检测设备及下料设备，所述剥料设备，用于对含有纳米晶材料的来料进行剥料，所述来料由从上至下依次层叠的隔离膜、纳米晶材料、基膜所形成的层状材料卷绕形成的料卷；所述搬运设备，用于将经过所述剥料设备剥料后的纳米晶材料搬运至纳米晶材料检测设备；纳米晶材料检测设备，用于将所述搬运设备搬运过来的所述纳米晶材料进行检测；所述下料设备，用于将经过所述纳米晶材料检测设备检测的纳米晶材料进行下料。根据本发明的纳米晶材料检测系统，能够自动化快速地进行剥离、搬运纳米晶材料、检测纳米晶材料及下料，效率高、稳定性好，节省人力。

Description

纳米晶材料检测系统

技术领域

本发明涉及纳米晶材料检测领域，具体涉及纳米晶材料检测系统。

背景技术

无线充电在手机已经有普及的趋势，在穿戴领域也有很多产品，未来在家里、办公室、公共场所、出行工具、交通都会有无线充电的普及，未来还会有电动汽车的普及。

智能手机、智能穿戴(小功率)无线充电的结构类似于变压器，由发射端和接收端构成，发射端和接收端都是由线圈和磁性材料构成，磁性材料有不同的选择，有铁氧体、非晶、纳米晶等。

以智能手机为例，无线充电技术从2012年诺基亚开始，其所用的磁性材料为硬质铁氧体，此后不断改进，2016年三星把磁性材料全部换成了更加先进的纳米晶导磁片，引领无线充电技术的变革。

当前无线充电Qi标准的频率在100-200k之间，在此频率下，纳米晶的磁导率和钴基非晶的磁导率非常的接近，明显高于铁基非晶和铁氧体，而损耗却恰恰相反，明显低于铁基非晶和铁氧体。因此，纳米晶软磁合金材料被广泛用于无线充电技术。

通常纳米晶材料需要手动进行剥料、搬运、检测及下料，效率低，产能小，浪费人力，且操作过程容易污染和损坏纳米晶材料。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种纳米晶材料检测系统，能够自动化快速地进行剥离、搬运纳米晶材料、检测纳米晶材料及下料，效率高、稳定性好，节省人力且避免人为污染和损坏纳米晶材料。

为解决上述技术问题，一方面，本发明提供一种纳米晶材料检测系统，从上游至下游依次包括剥料设备、搬运设备、纳米晶材料检测设备及下料设备，

所述剥料设备，用于对含有纳米晶材料的来料进行剥料，所述来料由从上至下依次层叠的隔离膜、纳米晶材料、基膜所形成的层状材料卷绕形成的料卷；

所述搬运设备，用于将经过所述剥料设备剥料后的纳米晶材料搬运至纳米晶材料检测设备；

纳米晶材料检测设备，用于将所述搬运设备搬运过来的所述纳米晶材料进行检测；

所述下料设备，用于将经过所述纳米晶材料检测设备检测的纳米晶材料进行下料，

其中，所述剥料设备包括：

置料装置，所述置料装置包括置料轴，及连接所述置料轴的制动器；

隔离膜回收装置，所述隔离膜回收装置位于所述置料装置的上方，包括隔离膜回收轴，及连接并带动所述隔离膜回收轴转动的第一电机；

基膜回收装置，所述基膜回收装置与所述置料装置间隔设置，包括基膜回收轴，及连接并带动所述基膜回收轴转动的第二电机；

传输装置，所述传输装置位于所述置料轴和所述基膜回收轴的上方，用于承载所述基膜、纳米晶材料并将所述纳米晶材料从所述基膜上剥离，所述传输装置包括传输平台，所述传输平台上形成有贯穿所述传输平台的上下表面的缝隙，以使得附有纳米晶材料的基膜穿过所述缝隙时，将所述纳米晶材料从所述基膜上剥离。

进一步地，所述搬运设备包括：

机架；

运转机构，所述运转机构安装在所述机架上；

机械臂，所述机械臂连接所述运转机构，以通过所述运转机构进行运转，以将纳米晶材料从所述传输平台搬运至纳米晶材料检测设备，所述机械臂用于吸附纳米晶材料；

对位机构，所述对位机构连接所述运转机构，以通过运转机构对所述机械臂的位置进行调整。

进一步地，所述纳米晶材料检测设备包括对从所述搬运设备所搬运过来的所述纳米晶材料进行电性能检测的纳米晶材料电性能检测装置，所述纳米晶材料电性能检测装置包括：

升降平台，所述升降平台用于承载纳米晶材料；

驱动装置，所述驱动装置与所述升降平台相连，用于驱动所述升降平台进行升降运动；

电检测单元，所述电检测单元设置在所述升降平台的上方；

压力检测装置，所述压力检测装置连接所述电检测单元，用于检测所述电检测单元与纳米晶材料之间的压力，

所述电检测单元用于检测在所述压力状态下的所述纳米晶材料的电性能。

进一步地，所述纳米晶材料检测设备还包括：

第二转盘，所述纳米晶材料电性能检测装置围绕所述第二转盘设置，所述升降平台设置在所述第二转盘的周向，通过旋转所述第二转盘能够使得所述升降平台在接料工位、电性能检测工位及转料工位之间转换；

第二驱动装置，所述第二驱动装置设置在所述第二转盘的底部且连接所述第二转盘，用于驱动所述第二转盘转动。

进一步地，所述纳米晶材料检测设备还包括：

扫码装置，所述扫码装置围绕所述第二转盘设置且与所述纳米晶材料电性能检测装置间隔开，包括立柱及安装在所述立柱上的扫码枪，用于对纳米晶材料上的条形码进行扫码；

通过旋转所述第二转盘还能够使得所述升降平台转动至尺寸检测工位，以进行扫码。

进一步地，所述纳米晶材料检测设备还包括：

厚度检测装置，用于对纳米晶材料的厚度进行检测；

二维尺寸检测装置，用于对纳米晶材料二维尺寸进行检测；

第一转盘，所述第一转盘设置在所述第二转盘的下游，所述厚度检测装置和所述二维尺寸检测装置间隔开地围绕所述第二转盘设置，所述第一转盘周向设置有检测平台，所述检测平台用于承载待检测用纳米晶材料，通过旋转所述第一转盘能够使得所述升降平台在接转料工位、厚度检测工位及尺寸检测工位之间转换；

第一驱动装置，所述第一驱动装置设置在所述第一转盘的底部且连接所述第一转盘，用于驱动所述第一转盘转动；

转移装置，所述转移装置设置在所述第一转盘和所述第二转盘的同一左侧或右侧，包括用于吸附纳米晶材料的吸盘及驱动所述吸盘进行移动的电机，以将承载在所述升降平台的纳米晶材料转移至所述检测平台，并将承载在所述检测平台的纳米晶材料转移出所述第一转盘。

进一步地，所述厚度检测装置包括：

支架，所述支架设置在所述检测平台的一侧；

位移传感器，所述位移传感器设置在所述纳米晶材料的上方，用于检测所述检测平台承载纳米晶材料与未承载纳米晶材料之间的高度差，并基于所述高度差确定所承载的纳米晶材料的厚度；

升降装置，所述升降装置设置在所述支架上且连接所述位移传感器，用于带动所述位移传感器进行升降运动。

进一步地，所述二维尺寸检测装置包括：

所述相机与所述检测平台相对设置，用于采集纳米晶材料的图像；

计算装置，所述计算装置用于根据所述相机采集的所述纳米晶材料的图像计算出纳米晶材料的二维尺寸。

进一步地，所述下料设备包括：

收料机构，用于收集经检测后的纳米晶材料；

机械手，所述机械手用于将经过所述纳米晶材料检测设备检测后的所述纳米晶材料搬运至所述收料机构，所述机械手包括：

吸附装置，所述吸附装置用于吸附所述纳米晶材料，所述吸附装置的底端间隔开地设置有多个吸盘，以同时吸附多片纳米晶材料；

运转装置，所述运转装置连接所述吸附装置，用于带动所述吸附装置运动。

进一步地，所述吸附装置设置有两个吸盘；

所述下料设备还包括：

缓存平台，所述缓存平台与所述机械手取料位置相邻，用于存放连续的两片产品中只有一片是检测合格的纳米晶材料。

本发明的上述技术方案至少具有如下有益效果之一：

根据本发明的纳米晶材料检测系统，包括剥料设备、搬运设备、纳米晶材料检测设备及下料设备，能够自动化快速地进行剥离、搬运纳米晶材料、检测纳米晶材料及下料，效率高、稳定性好，节省人力且避免人为污染和损坏纳米晶材料。

附图说明

图1为根据本发明一实施例的纳米晶材料检测系统的结构示意图；

图2为根据本发明一实施例的剥料设备的结构示意图；

图3为图1中的剥料设备的背面示意图；

图4为图1中的传输平台的结构示意图；

图5为根据本发明一实施例的纳米晶材料搬运设备的结构示意图；

图6为根据本发明一实施例的纳米晶材料检测设备的结构示意图；

图7为根据本发明一实施例的纳米晶材料电性能检测装置的结构示意图；

图8为图7中的纳米晶材料电性能检测装置的上部结构的爆炸图；

图9为图7中的下层板的结构示意图；

图10为图5中的转移装置的结构示意图。

图11为根据本发明一实施例的纳米晶材料厚度检测装置、检测平台、第一转盘、第一驱动装置的结构示意图；

图12为图11中的升降装置的结构示意图；

图13为根据本发明一实施例的下料设备的结构示意图；

图14为图13中的运转装置的结构示意图；

图15为图13中的吸附装置的结构示意图；

图16为图13中的A收料机构的结构示意图；

图17为图13中的B收料机构的结构示意图。

附图标记：

1000、剥料设备；1110、置料轴；1120、制动器；1210、隔离膜回收轴；1220、第一电机；1310、基膜回收轴；1320、第二电机；1400、传输平台；1410、第一传输平台；1420、直角三角形楔块；1430、第二传输平台；1440、缝隙；1510、第一滚轴；1520、第二滚轴；1600、基膜夹紧机构；1610、夹紧滚轴；1620、调节器；1700、离子风扇；1800、感应器；1000、剥料设备；2000、搬运设备；2100、机架；2210、横向传输装置；2220、纵向传输装置；2230、转动装置；2300、机械臂；2310、气缸；2320、吸附装置；2321、吸盘；2322、吸盘垫；2410、对位相机；3000、纳米晶材料检测设备；3100、厚度检测装置；3120、支架；3130、位移传感器；3140、升降装置；3141、驱动件；3142、压板；3143、挡条；3200、检测平台；3300、二维尺寸检测装置；3400、纳米晶材料电性能检测装置；3410、升降平台；3411、上层平台；3412、支撑柱；3413、下层平台；3420、驱动装置；3430、电路板；3440、底座；3450、顶板；3451、上层板；3452、下层板；3452A、第二贯穿孔；3452B、凹槽；3453、螺栓；3454、弹簧；3460、支架；3461、支撑架；3462、侧板；3470、导向轴；3480、压力传感器。3510、第二转盘；3520、第二驱动装置；3610、第一转盘；3620、第一驱动装置；3700、下料暂存平台；3800、转盘缓存平台；3900、转移装置；3910、电机；3920、吸盘；4000、下料设备；4100’、A收料机构；4110’、A第一承载支架；4120’、A第二承载支架；4130’、A料盘传输装置；4140’、A第一电机；4150’、第三电机；4100”、B收料机构；4110”、B第一承载支架；4120”、B第二承载支架；4130”、B料盘传输装置；4140”、B第一电机；4150”、升降装置；4160”、底部传输装置；4200、机械手；4210、运转装置；4211、底座；4212、第一旋转轴；4213、第一旋转臂；4214、第二旋转轴；4215、第二旋转臂；4216、第三旋转轴；4217、升降轴；4220、吸附装置；4221、吸盘。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

除非另作定义，本发明中使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也相应地改变。

下面，参考附图说明根据本发明实施例的纳米晶材料检测系统。

如图1所示，根据本发明的米晶材料检测系统包括：剥料设备1000、搬运设备2000、纳米晶材料检测设备3000及下料设备4000。

剥料设备1000用于对含有纳米晶材料的来料进行剥料，来料由从上至下依次层叠的隔离膜、纳米晶材料、基膜所形成的层状材料卷绕形成的料卷。

搬运设备2000，用于将经过剥料设备1000剥料后的纳米晶材料搬运至纳米晶材料检测设备3000。

纳米晶材料检测设备3000，用于将搬运设备2000搬运过来的纳米晶材料进行检测。

下料设备4000，用于将经过纳米晶材料检测设备3000检测的纳米晶材料进行下料。

也就是说，操作人员将纳米晶材料的来料装入纳米晶材料检测系统，纳米晶材料检测系统首先通过剥料设备1000对纳米晶材料的来料进行剥料，使得纳米晶材料单独分离出来，接着通过搬运设备2000将纳米晶材料的搬运至纳米晶材料检测设备3000，接下来通过纳米晶材料检测设备3000将搬运设备2000搬运过来的纳米晶材料进行检测，最后通过下料设备4000将经过纳米晶材料检测设备3000检测的纳米晶材料进行下料。

以上形成的纳米晶材料检测系统，能够自动化且快速地进行剥料、搬运纳米晶材料、纳米晶材料检测及下料，产能大、效率高、节省人力、且降低成本。

下面，参考附图说明根据本发明实施例的剥料设备1000。

如图2至4所示，根据本发明的剥料设备1000包括：置料装置、隔离膜回收装置、基膜回收装置及传输装置。

首先，说明置料装置。

置料装置包括置料轴1110，及连接置料轴1110的制动器1120。

纳米晶材料的来料的卷芯可以围套在置料轴1110上，置料轴1110可以是气涨轴，当纳米晶材料的来料放置结束后，对置料轴1110进行充气，使得置料轴1110和纳米晶材料的来料卷芯紧密接触，便于纳米晶材料的来料进行送料。

制动器1120连接置料轴1110，可以对置料轴1110提供预定的扭力(可通过控制器设置)，以避免置料轴1110过松导致纳米晶材料的来料随意转动而使得纳米晶材料散落或置料轴1110过紧导致纳米晶材料的来料没办法送料的情况。

进一步地，制动器1120为磁粉制动器。

磁粉制动器具有响应速度快、结构简单、无污染、无噪音、无冲击振动节约能源等优点，能够提供给置料轴稳定的扭力，从而使得纳米晶材料的来料更稳定地送料。

接着，说明隔离膜回收装置。

隔离膜回收装置位于置料装置的上方，包括隔离膜回收轴1210，及连接并带动隔离膜回收轴1210转动的第一电机1220。

通过隔离膜回收装置的第一电机1220带动隔离膜回收轴1210转动，隔离膜回收轴1210对纳米晶材料的来料的隔离膜进行卷料，从而实现隔离膜的回收。

隔离膜回收轴1210也可以是气涨轴，在进行隔离膜回收前，可以在隔离膜回收轴1210上套设空的卷芯，对隔离膜回收轴1210进行充气，使得卷芯与隔离膜回收轴1210紧密接触，卷芯上附着隔离膜，第一电机带动隔离膜回收轴转动，从而进行隔离膜的回收，当隔离膜回收轴1210回收隔离膜结束，可以对隔离膜回收轴1210进行放气，从而可以取出已回收的隔离膜。

由此，能够简便且快速地进行隔离膜的回收，且回收后的隔离膜可以再利用，能够节约成本。

接着，说明基膜回收装置。

基膜回收装置与置料装置间隔设置，包括基膜回收轴1310，及连接并带动基膜回收轴1310转动的第二电机1320。

通过基膜回收装置的第二电机1320带动基膜回收轴1310转动，基膜回收轴1310可以通过基膜带动置料轴1110的转动，从而可以带动纳米晶材料不断地向后传输且可以不断地对纳米晶材料的来料的基膜进行回收。

基膜回收轴1310也可以是气涨轴，从而可以简便地取放隔离膜卷料。

由此，能够简便且快速地进行隔离膜的回收，回收后的隔离膜可以再利用，能够节约成本，且带动纳米晶材料传输，便于剥料和后续检测。

最后，说明传输装置。

传输装置位于置料轴1110和基膜回收轴1310的上方，用于承载基膜、纳米晶材料并将纳米晶材料从基膜上剥离，传输装置包括传输平台1400，传输平台1400上形成有贯穿传输平台1400的上下表面的缝隙1440，以使得附有纳米晶材料的基膜穿过缝隙1440时，将纳米晶材料从基膜上剥离。

套设在置料轴1110上的纳米晶材料的来料通过基膜回收轴1310的带动，附着纳米晶材料的基膜向前传输，经过传输平台1400的上表面，穿过传输平台1400的缝隙1440向传输平台1400下方的基膜回收轴1310传输。由于纳米晶材料的来料中纳米晶材料有预定的间隔，且纳米晶材料有一定刚性，基膜穿过缝隙1440向下运动的时候，纳米晶材料仍然可以在传输平台1400上往后运动，从而实现纳米晶材料从基膜上剥离。

以上形成的剥料设备1000，套设在置料轴1110上的纳米晶材料的来料可以不断地通过隔离膜回收装置进行隔离膜的收卷回收，附着纳米晶材料的基膜在传输平台1400上传输，在穿过传输平台1400的缝隙1440的时候进行基膜和纳米晶材料的剥离，纳米晶材料往后传输，基膜往传输平台1400下方传输，并传输至基膜回收装置，从而对基膜进行收卷回收。由此，剥离设备能够方便、快速、自动化地进行纳米晶材料的来料剥料，将纳米晶材料分离出来，且可以对隔离膜和基膜进行回收，从而便于隔离膜和基膜的再利用，能够节约成本。

根据本发明一些实施例，传输装置还包括第一滚轴1510。

第一滚轴1510靠近传输平台1400的前端，以使得基膜经过第一滚轴1510传输至传输平台1400。

附着有纳米晶材料的基膜直接经过传送平台的时候，由于基膜与传输平台1400的前端接触面积偏小且纳米晶材料穿过传输平台1400前端的角度变化量较大等原因，有可能导致纳米晶材料从基膜上掉落而导致报废，而设置第一滚轴1510，纳米晶材料可以先经过靠近传输平台1400的第一滚轴1510，再传输至传输平台1400，第一滚轴1510与基膜能够形成较大的接触面积且能够随着基膜进行转动，中间有第一滚轴1510作为缓冲，能够降低纳米晶材料掉落的风险，提高剥料设备1000的稳定性。

第一滚轴1510可以有多个，例如，如图1所示，第一滚轴1510有两个，前方的第一滚轴1510低于后方的第一滚轴1510，前后两个第一滚轴1510之间的基膜可以形成低于180度的夹角，使得附着有纳米晶材料的基膜经过前后两个第一滚轴1510及传输平台1400的时候，角度变化量很低，且靠近后方的第一滚轴1510的顶部可以和传输平台1400齐平，进一步降低纳米晶材料掉落的风险，能够使得剥料设备1000传输更加可靠稳定。

进一步地，传输装置还包括基膜夹紧机构1600，基膜夹紧机构1600位于传输平台1400的下方，包括两个夹紧滚轴1610和调节器1620。

两个夹紧滚轴1610前后设置。调节器1620与夹紧滚轴1610相连，以通过调节器1620调节两个夹紧滚轴1610的相对位置。

两个夹紧滚轴1610可以夹紧基膜，通过调节器1620调节两个夹紧滚轴1610的相对位置，换言之，通过调节器1620调节夹紧滚轴1610夹紧基膜的程度。调节器1620可以通过弹簧将其中一个夹紧滚轴1610往另一个夹紧滚轴1610方向进行推或拉，从而实现基膜夹紧程度的调节。

通过夹紧机构夹紧基膜，能够使得基膜传输不偏位，避免基膜较松弛，在传输平台1400上往一边倾斜造成基膜褶皱、剥料不稳定的情况。

更进一步地，传输装置还包括两个第二滚轴1520。两个第二滚轴1520分别设置在基膜夹紧机构1600的上方和下方，以使得基膜依次经过上方的第二滚轴1520、基膜夹紧机构1600及下方的第二滚轴1520。

通过夹紧机构上方和下方的第二滚轴1520对基膜进一步定位，避免基膜发生偏移，能够使得剥料设备1000更加稳定性。

根据本发明一些实施例，传输平台1400从前往后依次包括上表面齐平的第一传输平台1410、直角三角形楔块1420和第二传输平台1430，直角三角形楔块1420的直角边与第一传输平台1410相连，且其后端位置与第二传输平台1430之间留有缝隙1440。

例如，如图4所示，上表面齐平的第一传输平台1410、直角三角形楔块1420和第二传输平台1430，直角三角形楔块1420的直角边通过螺丝固定在第一传输平台1410的后端，直角三角形楔块1420的后端与第二传输平台1430之间留有缝隙1440。附有纳米晶材料的基膜经过第一传输平台1410、直角三角形楔块1420的上表面，基膜穿过缝隙1440且可以贴着直角三角形楔块1420的斜面，可以使得传输平台1400下方的基膜与传输平台1400上方的基膜之间的夹角更小，能够使得剥料设备1000剥料更加顺畅，纳米晶材料更容易地分离至第二传输平台1430，提高剥料效率。

根据本发明一些实施例，剥料设备1000还包括离子风扇1700。

离子风扇1700位于传输平台1400的上方。

通过离子风扇1700对纳米晶材料进行静电消除和灰尘的吹扫，能够避免静电对纳米晶材料的影响且增加纳米晶材料的洁净度。

根据本发明一些实施例，剥料设备1000还包括感应器1800。

感应器1800位于传输平台1400上方，用于检测感应器1800下方的传输平台1400上是否载有纳米晶材料。

通过传感器检测传输平台1400上是否载有纳米晶材料，可以当传输平台1400上预定时间检测不到纳米晶材料的时候，机器停止运作，或连续没有间隔的检测到传输平台1400上有纳米晶材料的时候，进行报警。由此，可以避免在置料轴1110上的纳米晶材料已经传输完后，机台持续运作，浪费能源的情况和对机台异常停止情况的及时报警。

下面，参考附图说明根据本发明实施例的搬运设备2000。

如图5所示，根据本发明的搬运设备2000包括：机架2100、运转机构、机械臂2300和对位机构。

首先，说明机架2100。

机架2100为此设备固定装置，用于安装其他部件，机架2100可以多种多样，单侧固定结构、龙门结构、框架结构等。

接着，说明运转机构。

运转机构安装在机架2100上。

运转机构可以包括以下一种或多种：横向传输装置2210、纵向传输装置2220、转动装置2230、升降装置。由此，可以根据纳米晶材料所需运动的方向进行选择相应的运转机构。

接下来，说明机械臂2300。

机械臂2300连接运转机构，以通过运转机构进行运转，机械臂2300用于吸附纳米晶材料。

也就是说，通过运转机构带动吸附纳米晶材料的机械臂2300进行运转，从而实现纳米晶材料的搬运。

通过机械臂2300直接搬运纳米晶材料以进行纳米晶材料不同平台的传输，避免了不同平台间使用传送带或滚轮传输存在容易叠片、卡料且速度较慢的问题，能够提高传输效率且增加传输稳定性。

最后，说明对位机构。

对位机构连接运转机构，以通过运转机构对机械臂2300的位置进行调整。

也就是说，对位机构控制运转机构对机械臂2300的位置进行调整，从而可以对纳米晶材料的位置进行调整。

例如，在纳米晶材料检测过程中，机械臂2300吸附纳米晶材料到达预定位置，对位机构通过运转机构对机械臂2300的位置进行调整，位置调整后机械臂2300将纳米晶材料搬运至检测平台，检测平台可以直接进行检测。对位机构的结构可以多种多样，可以先通过摄像头采集预定位置的纳米晶材料的图像，根据采集到的纳米晶材料的图像，通过对位机构控制运转机构对机械臂2300的位置进行调整。

由此，在多检测平台进行同步检测的时候，所有检测平台都不需要做对位设计，能够节省成本，而且当纳米晶材料到达检测平台后，不需要进行对位，直接进行检测，能够增加效率。

根据本发明一些实施例，对位机构包括对位相机2410和控制装置。

对位相机2410设置在机械臂2300的下方，用于对机械臂2300所吸附的纳米晶材料进行图像采集。

控制装置连接对位相机2410和运转机构，控制装置根据对位相机2410采集的纳米晶材料的图像控制运转机构对机械臂2300的位置进行调整。

例如，将纳米晶材料传输至检测平台，在机械臂2300下方的对位相机2410可以清晰的拍摄到吸附在机械臂底部的纳米晶材料的图像，控制装置根据对位相机2410采集的纳米晶材料的图像与预定的纳米晶材料图像(此图像为使得机械臂2300准确放置纳米晶材料至检测平台预定位置的图像)进行比对，从而可以计算出调整量，控制装置控制运转机构对机械臂2300的位置进行调整，以使得对位相机2410采集的纳米晶材料的图像满足预定条件，从而实现纳米晶位置的精确调整，进而可以将纳米晶材料准确放置在检测平台上。由此，能够精确地传输纳米晶材料至检测平台预定位置，省去检测平台进行对位。

根据本发明一些实施例，如图1所示，机架2100包括两个立柱和横梁。

其中，两个立柱间隔开设计，横梁设置在两个立柱之间且两端分别连接两个立柱。

以上可以形成龙门结构的机架2100，可以通过螺丝或螺栓将立柱固定在地面或安装面上。由此，可以形成简便且稳固的机架2100，便于其他部件的安装。

进一步地，运转机构包括横向传输装置2210、纵向传输装置2220和转动装置2230。

其中，横向传输装置2210设置在横梁上，且连接纵向传输装置2220，以带动纵向传输装置2220横向传输，纵向传输装置2220连接转动装置2230，以带动转动装置2230进行纵向传输，转动装置2230连接机械臂2300，以带动机械臂2300进行转动。

以上在机架2100上形成一个带动机械臂2300进行横向传输、纵向传输和转动的运转机构，机械臂2300吸附纳米晶材料，从而实现纳米晶材料的横向传输、纵向传输和转动。由此，能够方便且快速地将纳米晶材料进行横向传输、纵向传输和转动。

进一步地，横向传输装置2210、纵向传输装置2220及转动装置2230均由电机驱动。

电机可以包括通过伺服电机或直线电机进行驱动，电机驱动是常见的技术，在此不再详述。电机驱动比较稳定，速度快且精度较高，由此使得横向传输装置2210、纵向传输装置2220及转动装置2230的运转精度较高且速度快。

根据本发明一些实施例，机械臂2300包括吸附装置2320和升降气缸2310。

吸附装置2320设置在机械臂2300的底端，用于吸附纳米晶材料。

升降气缸2310连接吸附装置2320，以驱动吸附装置2320进行升降运动。

也就是说，通过气缸2310驱动吸附装置2320升降运动，从而实现取放料。例如，机械臂2300到达取料平台，气缸2310驱动吸附装置2320下降，从而接触并吸附纳米晶材料，气缸2310驱动吸附装置2320上升，机械臂2300吸附纳米晶材料置放料平台，气缸2310驱动吸附装置2320下降，吸附装置2320停止吸附，纳米晶材料放置在放料平台，气缸2310驱动吸附装置2320上升，继续下一片纳米晶材料的取放。由此，能够简单方便地进行纳米晶材料的吸附和取放。

进一步地，吸附装置2320包括吸盘2321，吸盘2321内部形成有腔室，腔室与吸气管相连通以对腔室进行抽真空，吸盘2321的底面分布有与腔室相连通的吸气孔。

在取料的时候，可以打开吸气管，通过吸气管抽真空，形成一定的吸附力，从而可以稳定地吸附纳米晶材料。在放料的时候，可以关闭吸气管，进行破真空，从而可以使得纳米晶材料落下。打开和关闭吸气管可以通过电磁阀进行控制。由此，能够稳定地吸附纳米晶材料，使得纳米晶材料传输过程不会发生掉落且位置不会发生相对偏移，且下料位置准确。

进一步地，吸附装置2320还包括吸盘垫2322，吸附装置2320通过吸盘垫2322吸附纳米晶材料，吸盘垫2322为柔性材料件。

纳米晶材料相对比较脆弱，刚性部件吸附有使得纳米晶材料破碎的风险，通过柔性材料制成的吸盘垫2322能够较好地保护纳米晶材料，避免损坏纳米晶材料。柔性材料可以为硅胶、橡胶等材料。

吸盘垫2322可以形成有多个与吸盘2321的吸气孔连通的孔，从而便于吸附纳米晶材料。

进一步地，吸盘垫2322为聚氨酯制件。

也就是说，通过聚氨酯形成吸盘垫2322。聚氨酯具有机械强度大，耐模型好、弹性好等优点，从而能够在吸附装置2320吸附纳米晶材料的时候，更好地保护纳米晶材料，避免纳米晶材料受损，且增加吸盘垫2322的使用寿命。

下面，参考附图说明根据本发明实施例的纳米晶材料检测设备3000。

如图6所示，纳米晶材料检测设备3000包括对从搬运设备所搬运过来的纳米晶材料进行电性能检测的纳米晶材料电性能检测装置3400。

也就是说，纳米晶材料检测设备3000通过纳米晶材料电性能检测装置3400对从搬运设备所搬运过来的纳米晶材料进行电性能检测。

下面，参考附图说明根据本发明实施例的纳米晶材料电性能检测装置3400。

如图7和图8所示，根据本发明的纳米晶材料电性能检测装置3400，包括：升降平台3410、驱动装置3420、电检测单元及压力检测装置。

首先，说明升降平台3410。升降平台3410用于承载纳米晶材料。

也就是说，将纳米晶材料放置在升降平台3410的台面上，以便检测。升降平台3410可以在表面设置多个吸气孔，使得纳米晶材料能够吸附在升降平台3410上。

接着，说明驱动装置3420。驱动装置3420与升降平台3410相连，用于驱动升降平台3410进行升降运动。

也就是说，通过驱动装置3420驱动升降平台3410进行升降运动，从而实现纳米晶材料的升降运动。驱动装置3420可以是电机或气缸等，可以根据需求进行选配。驱动装置3420与升降平台3410可以直接相连，也可以与升降平台3410有预定间隔，当升降平台3410需要升降的时候，通过驱动装置3420上升与升降平台3410相连驱动升降平台3410进行升降运动，从而实现升降平台3410的升降，这些均应该理解在本发明范围内。

接下来，说明电检测单元。电检测单元设置在升降平台3410的上方。

电检测单元可以是电路板300、电笔等能够检测纳米晶材料电性能的部件。电性能参数可以是检测电感(L)、电容(C)、电阻(R)，即LCR检测。

最后，说明压力检测装置。压力检测装置连接电检测单元，用于检测电检测单元与纳米晶材料之间的压力，电检测单元用于检测在压力状态下的纳米晶材料的电性能。

压力检测装置可以多种多样，例如压力计、压力传感器3480等。在使用过程中，可以先设定使得纳米晶材料电性能较稳定的预定压力，驱动装置3420驱动升降平台3410上升运动，从而使得纳米晶材料与电检测单元接触并形成压力，当压力上升至预定压力，驱动装置3420停止上升，电检测单元进行检测。再例如，通过设置达到预定压力所需求驱动装置3420的行程，从而使得电检测单元与纳米晶材料达到预定压力，过程定期校准驱动装置3420的行程即可。

以上形成的纳米晶材料电性能检测装置3400，通过驱动装置3420驱动升降平台3410进行上升运动，使得纳米晶材料与电检测单元形成压力，并通过压力检测装置检测此压力，当压力检测装置检测的压力达到预定压力，进行电性能检测。由此，能够自动化且快速且稳定地对纳米晶材料的电性能进行检测，能够提高检测效率和准确性，且不存在压力过大问题，避免了纳米晶材料的报废。

根据本发明一些实施例，升降平台3410包括上层平台3411、下层平台3413及多个支撑柱3412。

纳米晶材料承载于上层平台3411之上。下层平台3413设置在上层平台3411的下方，连接驱动装置3420。多个支撑柱3412的底端设置在下层平台3413的上表面，且顶端连接上层平台3411。

例如，如图1所示，上层平台3411承载纳米晶材料，下层平台3413设置在上层平台3411下方，下层平台3413的上表面的4个拐角设置有4个与上层平台3411向连接的支撑柱3412。由此，通过多个支撑柱3412将下层平台3413收到驱动装置3420的驱动力传导至上层平台3411，使得压力传导更加均匀，从而使得纳米晶材料与电检测单元的压力更加均匀。

进一步地，每个支撑柱3412包括弹性部件。弹性部件可以为弹簧、橡胶、硅胶等部件。例如，将支撑柱3412分成上下两个部分，支撑柱3412的上下部分之间通过弹簧连接。

通过弹性部件能够作为使得纳米晶材料与电检测单元的受力较均匀，即使上层平台3411稍有不平，也能够使得纳米晶材料与电检测单元紧密接触，且受力均匀，能够避免受力不均匀检测不稳定的问题。

根据本发明一些实施例，升降平台3410中至少上层平台3411的材料为绝缘材料，电检测单元为电路板300。

为了检测不受到干扰，至少上层平台3411为绝缘材料，当然为了进一步减少影响，升降平台3410整体也可以使用绝缘材料。绝缘材料可以为电木、赛钢等材质。由此，能够使得电性能检测稳定。

使用电路板300进行电性能检测也能够使得纳米晶检测装置检测电性能比较稳定和准确。

根据本发明一些实施例，压力检测装置包括底座3440、顶板3450及压力传感器3480。

首先，说明底座3440。底座3440的下表面连接电路板300。底座3440的下表面连接电路板300的连接方式可以多种多样，例如螺丝固定，双面胶粘附等。

进一步地，底座3440形成有腔室，腔室与吸气管相连通以对腔室进行抽真空，底座3440的下表面分布有与腔室连通的吸气孔，以吸附电路板300。

也就是说，底座3440通过真空吸附的方式吸附电路板300，能够使得电路板300与底座3440接触紧密且便于更换电路板300，避免电路板300与底座3440之间存在其他物质影响电性能检测，从而使得电性能检测更加准确。

接着，说明顶板3450。顶板3450固定设置在底座3440的上方。

也就是说，顶板3450的位置相对固定，以承受来自下方部件的压力，便于压力传感器3480的检测。

最后，说明压力传感器3480。压力传感器3480设置在底座3440的上表面，且连接顶板3450，通过压力传感器3480检测电检测单元与纳米晶材料之间的压力。

压力传感器3480可以使用市场成熟的压力传感器3480，这里不再详述，能够准确且稳定地检测压力。

以上形成的纳米晶材料电性能检测装置3400，在压力检测过程中，驱动装置3420驱动载有纳米晶材料的升降平台3410上升，与在表面设置有电检测单元的底座3440接触并产生压力，即纳米晶材料与电检测单元之间产生压力，底座3440将此压力传递至压力传感器3480，压力传感器3480由于受到上方固定的顶板3450的抵压，达到力的平衡，电检测单元所检测的压力即纳米晶材料与电检测单元之间的压力。由此，能够准确地检测纳米晶材料与电检测单元之间的压力。

进一步地，纳米晶材料电性能检测装置3400还包括支架3460。支架3460包括支撑架3461和侧板3462。

支撑架3461可以安装在安装面(设备或地面)上。

侧板3462位于支撑架3461一侧，侧板3462围绕且连接压力检测装置的顶板3450。

侧板3462可以有多块，例如，如图8所示，3块侧板3462分别连接在顶板3450下表面的3边。也就是说，通过侧板3462对顶板3450进行固定。由此，能够使得顶板3450稳固，便于压力传感器3480进行检测。

进一步地，顶板3450包括上层板3451、螺栓3453和弹簧3454。

上层板3451设置在侧板3462的顶端，上层板3451在对应侧板3462的顶端位置形成有多个第一贯穿孔。

螺栓3453穿过第一贯穿孔与侧板3462的顶端相连接，螺栓3453包括螺柱和螺帽。

弹簧3454夹持在螺帽与上层板3451上表面之间。

也就是说，通过穿设有弹簧3454的螺栓3453穿过上层板3451的第一贯穿孔侧板3462连接。如图2所示，设置6个螺栓3453对上层板3451与侧板3462进行连接。弹簧3454能够提供一定的缓冲距离，当上层板3451受力不均匀的时候，受力较大的区域可以通过压缩弹簧3454使得与受力较小区域保持压力一致，压力传感器3480连接与上层板3451连接，从而能够压力传感器3480受力均匀，使得压力传感器3480检测更加准确。

进一步地，纳米晶材料电性能检测装置3400还包括导向轴3470，导向轴3470设置在底座3440的上表面的拐角处。与此同时，如图8和图9所示，顶板3450还包括下层板3452，下层板3452与上层板3451固定连接，下层板3452在导向轴3470相应位置形成有容纳导向轴3470的第二贯穿孔3452A，在压力传感器3480位置形成有容纳压力传感器3480的凹槽3452B。

在底座3440与下层板3452进行相对升降运动的时候，底座3440通过导向轴3470在下层板3452的第二贯穿孔3452A内进行升降运动，避免了水平方向位置的偏移，保证纳米晶材料与电检测单元之间的压力的传导方向为垂直方向而不会出现其他方向力的分解，从而使得压力传感器3480检测更加准确和稳定。

下层板3452的凹槽3452B与压力传感器3480有较大的接触面积，且能够避免压力传感器3480与下层板3452水平方向发生偏移，可以使得压力传感器3480的中心、纳米晶材料与电检测单元接触的中心处于同一垂直线上，从而使得压力检测更准确。

进一步地，纳米晶材料检测设备3000还包括第二转盘3510和第二驱动装置3520。

纳米晶材料电性能检测装置3400围绕第二转盘3510设置，升降平台3410设置在第二转盘3510的周向，通过旋转第二转盘3510能够使得升降平台3410在接料工位、电性能检测工位及转料工位之间转换。

第二驱动装置3520设置在第二转盘3510的底部且连接第二转盘3510，用于驱动第二转盘3510转动。

所谓接料工位为第二转盘3510接收纳米晶材料的位置。所谓电性能检测工位为进行纳米晶材料电性能检测的位置，与纳米晶材料电性能检测装置3400相对应。所谓转料工位为纳米晶材料待从第二转盘3510移出的位置。第二驱动装置3520可以为电机、液压机等。

通过第二驱动装置3520驱动第二转盘3510进行转动，可以带动升降平台3410转动至接料工位进行接料，再转动至电性能检测工位进行纳米晶材料电性能检测，再转动至转料工位待其他装置将承载在升降平台3410的纳米晶材料转移出第二转盘3510。此处对升降平台3410的数量没有限定，可以仅有一个升降平台3410，也可以有多个升降平台3410进行同步作业，例如，如图6所示，升降平台3410有4个。

进一步地，纳米晶材料检测设备3000还包括扫码装置。

扫码装置围绕第二转盘3510设置且与纳米晶材料电性能检测装置3400间隔开，包括立柱及安装在立柱上的扫码枪，用于对纳米晶材料上的条形码进行扫码。

通过旋转第二转盘3510还能够使得升降平台3410转动至尺寸检测工位，以进行扫码。

也就是说，通过第二驱动装置3520驱动第二转盘3510转动至尺寸检测工位，通过扫码装置的扫码枪对纳米晶材料上的条形码进行扫码，由此，能够使得纳米晶材料检测具有可追溯性，便于不良品分析和数据统计。

根据本发明一些实施例，纳米晶材料检测设备3000还包括检测平台3200、厚度检测装置3100、二维尺寸检测装置3300、第一转盘3610、第一驱动装置3620及转移装置3900。

首先，说明检测平台3200、厚度检测装置3100、二维尺寸检测装置3300。

检测平台3200用于承载待检测用纳米晶材料，以便于进行检测。检测平台3200可以为具有吸附孔的真空吸附平台，使得纳米晶材料与检测平台3200紧密接触，更有利于进行检测。

厚度检测装置3100用于对纳米晶材料的厚度进行检测。

二维尺寸检测装置3300用于对纳米晶材料二维尺寸进行检测。

接着，说明第一转盘3610和第一驱动装置3620。

第一转盘3610设置在第二转盘3510的下游，厚度检测装置3100和二维尺寸检测装置3300间隔开地围绕第二转盘3510设置，第一转盘3610周向设置有检测平台3200，通过旋转第一转盘3610能够使得升降平台3410在接转料工位、厚度检测工位及尺寸检测工位之间转换。

第一驱动装置3620，第一驱动装置3620设置在第一转盘3610的底部且连接第一转盘3610，用于驱动第一转盘3610转动。

所谓转接料工位为第一转盘3610接收纳米晶材料和将纳米晶材料转移出第一转盘3610的位置，所谓厚度检测工位为进行纳米晶材料厚度检测的位置，即与厚度检测装置3100相对应，所谓尺寸检测工位为进行纳米晶材料二维尺寸检测的位置，与二维尺寸检测装置3300相对应。第一驱动装置可以为电机、液压机等。此处对检测平台3200的数量没有限定，可以仅有一个检测平台3200，也可以有多个检测平台3200进行同步作业，例如，如图6所示，检测平台3200有4个。

通过第一驱动装置3620驱动第一转盘3610进行转动，从而带动承载纳米晶材料的检测平台3200进行转动，当检测平台3200转动到接转料工位可以进行接转料作业，当检测平台3200转动至厚度检测工位可以进行厚度检测作业，当检测平台3200转动至尺寸检测工位可以进行尺寸检测作业。例如，检测平台3200在接转料工位接收来自第二转盘3510的纳米晶材料，第一驱动装置3620驱动第一转盘3610转动，检测平台3200转动至厚度检测工位，通过厚度检测装置3100对承载在检测平台3200的纳米晶材料进行厚度检测，第一驱动装置3620继续驱动第一转盘3610转动，检测平台3200转动至尺寸检测平台3200，通过二维尺寸检测装置3300对对承载在检测平台3200的纳米晶材料进行二维尺寸检测，第一驱动装置3620继续驱动第一转盘3610转动，检测平台3200转动至接转料工位，以便其他装置将承载在检测平台3200的纳米晶材料转移出第一转盘3610。由此，能够自动化地将纳米晶材料进行接转料、纳米晶材料厚度的检测及纳米晶材料二维尺寸检测，避免了人工搬运纳米晶材料进行转移而产生地效率低的问题。

最后，说明转移装置3900。

转移装置3900，转移装置3900设置在第一转盘3610和第二转盘3510的同一左侧或右侧，包括用于吸附纳米晶材料的吸盘3920及驱动吸盘3920进行移动的电机3910，以将承载在升降平台3410的纳米晶材料转移至检测平台3200，并将承载在检测平台3200的纳米晶材料转移出第一转盘3610。

如图10所示，设置在第一转盘3610和第二转盘3510共同右侧的转移装置3900包括吸盘3920和电机3910，电机3910驱动吸盘3920进行运动，吸盘3920吸附纳米晶材料，从而带动纳米晶材料进行移动。设备运转过程中，通常升降平台3410和检测平台3200上均承载纳米晶材料，通过吸盘3920的吸附纳米晶材料，电机3910驱动吸盘3920运动，从而能够将承载在升降平台3410的纳米晶材料转移至检测平台3200，同步地，将承载在检测平台3200上的纳米晶材料转移出第一转盘3610。

由此，能够自动化快速地进行纳米晶材料电性能检测，并且将经过电性能检测的纳米晶材料快速地转移至检测平台3200，以便于后续的厚度检测和二维尺寸检测。

进一步地，纳米晶材料检测设备3000还包括下料暂存平台3700，下料暂存平台3700设置在第一转盘3610的后侧，用于承载经过转移装置3900移出第一转盘3610的纳米晶材料。

转移装置3900至少包括两个具有第一预定间隔的吸盘3920，以将承载在升降平台3410的纳米晶材料转移至检测平台3200，同步将承载在检测平台3200的纳米晶材料转移至下料暂存平台3700。

转移装置3900可以仅有两个吸盘3920，第一预定间隔可以为第一转盘3610周围的接转料工位与第二转盘3510的转料工位之间的距离。转移过程可以为：第一步，通过电机3910驱动转移装置3900移动，从而带动两个吸盘3920移动，一个吸盘3920移动至升降平台3410并吸附经过电性能装置检测的纳米晶材料，另一个吸盘3920移动至检测平台3200并吸附经过厚度检测装置3100和二维尺寸检测装置3300检测的纳米晶材料。第二步，通过电机3910驱动转移装置3900往后移动第一预定间隔，一个吸盘3920移动至检测平台3200并将所吸附的纳米晶材料放置在检测平台3200，另一个吸盘3920移动至下料暂存平台3700并将所吸附的纳米晶材料放置在下料暂存平台3700。后面，通过电机3910驱动转移装置3900回到第一步所在的位置，不断进行循环。由此，能够快速地转移纳米晶材料，提高生产效率。

更进一步地，纳米晶材料检测设备3000还包括转盘缓存平台3800，转盘缓存平台3800设置在转移装置3900的一侧，且面对第一转盘3610和第二转盘3510的间隔，用于存放纳米晶材料。

转移装置3900包括三个具有第二预定间隔的吸盘3920，以同步对升降平台3410、转盘缓存平台3800及检测平台3200的纳米晶材料进行转移。

考虑到升降平台3410距离检测平台3200距离较远，且移动的距离越长，累计误差较大，相对位置准确会变差，且移动距离越长，时间也越多。纳米晶材料检测设备3000额外在第一转盘3610和第二转盘3510的间隔处设置一个转盘缓存平台3800，在转移装置3900上设置三个吸盘3920。所谓第二预定间隔可以为第一转盘3610周围的接转料工位与转盘缓存平台3800之间的距离。

转移装置3900的三个吸盘3920一次从升降平台3410、转盘缓存平台3800和检测平台3200各吸附1片纳米晶材料，通过电机3910驱动吸盘3920往后移动，从而将承载在升降平台3410的纳米晶移动至转盘缓存平台3800，同步将承载在转盘缓存平台3800的纳米晶材料转移至检测平台3200，同步将承载在检测平台3200的纳米晶材料转移下料暂存平台3700。由此，能够进一步增加设备的产能，提高效率，且使得精度更高。

根据本发明一些实施例，如图11所示，厚度检测装置3100包括：支架3120、位移传感器3130及升降装置3140。

支架3120设置在检测平台3200的一侧。支架3120可以采用通过螺丝或螺栓安装在安装面(设备或地面)上。由此，能够提供稳定的支撑，便于其他部件的设置。

位移传感器3130设置在纳米晶材料的上方，用于检测检测平台3200承载纳米晶材料与未承载纳米晶材料之间的高度差，并基于高度差确定所承载的纳米晶材料的厚度。

在检测过程中，可以预先通过位移传感器3130检测未承载纳米晶材料的检测平台3200的高度，记做L1，当检测平台3200上承载有纳米晶材料，位移传感器3130接触纳米晶材料并检测承载纳米晶材料的检测平台3200的高度，记做L2，则纳米晶材料的厚度记做H，通过H＝L2-LI计算出来。

升降装置3140设置在支架3120上且连接位移传感器3130，用于带动位移传感器3130进行升降运动。

通过设置在支架3120上的升降装置3140带动位移传感器3130上升，以便于纳米晶材料转移至位移传感器3130下方，升降装置3140带动位移传感器3130下降，并接触纳米晶材料，通过位移传感器3130进行厚度检测。

以上形成的纳米晶材料检测设备3000，检测平台3200承载纳米晶材料，设置在支架3120上的升降装置3140带动位移传感器3130进行下降，并计算出纳米晶材料的厚度，当检测结束，升降装置3140带动位移传感器3130进行上升，以便下一片进行检测。由此，能够简便且自动化地进行纳米晶材料的厚度进行检测，提升效率、增加产能、节省人力且避免人员手动检测纳米晶材料过程容易污染和损坏纳米晶材料的问题。

根据本发明一些实施例，如图12所示，升降装置3140包括压板3142和驱动件3141。

压板3142表面形成有贯穿孔，位移传感器3130的至少一部分穿过贯穿孔以与纳米晶材料接触。

驱动件3141设置在支架3120上且连接压板3142，以驱动压板3142进行升降运动。

其中，驱动件3141可以是气缸、电机3910等。

也就是说，通过驱动件3141带动压板3142进行升降运动，从而带动位移传感器3130的升降运动。由此，能够使得位移传感器3130的升降运动更加稳定。

进一步地，位移传感器3130包括：位移传感器3130主体和探头。

位移传感器3130主体安装在支架3120上。

探头位于位移传感器3130的下端且可上下活动，探头卡套在贯穿孔位置且其底端突出贯穿孔。

以下通过举例说明探头卡套贯穿孔的结构，例如，探头的下端的直径小于贯穿孔的直径，探头的下端以上部分的直径大于贯穿孔的直径。再例如，贯穿孔下部形成窄结构且上部形成宽结构，探头的下端穿过贯穿孔的窄结构，探头的下端的上部(如圆柱体)与贯穿孔的宽结构形成卡套结构(如与上述圆柱体直径一致的圆柱形凹槽)。

由于探头卡套在贯穿孔，压板3142的升降可以带动探头的升降，而不需要位移传感器3130整体升降。由此，能够避免位移传感器3130整体频繁升降过程中，位移传感器3130相对升降装置3140发生相对移动，造成检测不准确的情况。

更进一步地，在压板3142的下表面的四周设置有柔性挡条3143，以围绕在纳米晶材料的四周。

柔性挡条3143的材料可以为硅胶、橡胶、聚氨酯等。可选地，柔性挡条3143的厚度大于或等于纳米晶材料的厚度，在压板3142下压的过程中，就不存在压板3142直接压在纳米晶材料的情况。由此，能够避免压板3142压碎纳米晶的情况，而且，柔性材料具有一定的柔性，避免使用刚性材料的挡边频繁地下压台面，导致台面损伤的情况。由此，能够增加厚度检测装置3100是使用寿命。

根据本发明一些实施例，二维尺寸检测装置3300包括：相机和计算装置。

相机与检测平台3200相对设置，用于采集纳米晶材料的图像。

相机可以设置在检测平台3200的上方或下方，打开相机可以获取纳米晶材料的图像。

计算装置用于根据相机采集的纳米晶材料的图像计算出纳米晶材料的二维尺寸。通过采集图像进行计算二维尺寸的方法多种多样，例如，可以在纳米晶材料的图像中，确定纳米晶材料的边缘，在边缘选取多个特征点，对特征点进行连线，从而根据连线的长度确定纳米晶材料的尺寸等。

在二维尺寸检测过程中，检测平台3200承载纳米晶材料转动至尺寸检测工位，相机对纳米晶材料进行拍照，从而形成纳米晶材料影像，计算装置根据纳米晶材料的影像计算出纳米晶材料的二维尺寸。由此，能够快速地进行纳米晶材料的二维尺寸进行检测，提升效率、增加产能、节省人力且避免人员手动检测纳米晶材料过程容易污染和损坏纳米晶材料的问题。

进一步地，相机有两个，其中一个相机设置在检测平台3200的上方，另一个相机设置在检测平台3200的下方。

两个相机可以对应在一个尺寸检测工位，即在此尺寸检测工位的上下方均设置相机，进行采集图像。两个相机也可以分别对应两个尺寸检测工位，一个尺寸检测工位对应一个相机，分别进行采集图像。

通过两个相机能够同步采集到纳米晶材料的上方和下方的图像，计算装置分别根据采集到的纳米晶材料的图像计算出纳米晶材料的尺寸。由此，能够对纳米晶材料的上表面的二维尺寸和下表面的二维尺寸进行检测，使得二维尺寸检测更加全面准确。

下面，参考附图说明根据本发明实施例的下料设备4000。

如图13所示，根据本发明的下料设备4000包括：收料机构、机械手4200。

其中，收料机构用于收集经检测后的纳米晶材料。

也就是说，检测后的纳米晶材料通过收料机构进行收集，以便于后续的作业。

收料机构可以仅设置1个，例如1个收料机构的不同区域的料盘区分良品和不良品。收料机构也可以设置多个，例如，2个收料机构分别对良品和不良品进行收集。良品表示检测合格的纳米晶材，不良品表示检测不合格的纳米晶材料的产品，后续良品和不良品均为此表述。

纳米晶材料收集过程中，可以采用料盘堆叠方式进行收集。例如，在下料设备4000上放置料盘，一个料盘可以容纳多片纳米晶材料，收集纳米晶材料过程中，当一个料盘满料的时候，可以堆叠另一个空料盘，继续收料，当料盘堆叠到预定数量，一起搬离下料设备4000，进入下道工序进行作业。

机械手4200用于将检测后的纳米晶材料搬运至收料机构。

也就是说，通过机械手4200将检测后的纳米晶材料搬运至收料机构。

机械手4200包括吸附装置4220和运转装置4210。

吸附装置4220用于吸附纳米晶材料，吸附装置4220的底端间隔开地设置有多个吸盘4221，以同时吸附多片纳米晶材料。

也就是说，吸附装置4220通过间隔开的多个吸盘4221一次吸附多片纳米晶材料。由此，相比单个吸盘4221的作业方式，效率明显提高。

运转装置4210连接吸附装置4220，用于带动吸附装置4220运动。

也就是说，通过运转装置4210带动吸附装置4220进行运动，从而能够搬运纳米晶材料至收料机构。

以上的下料设备4000，通过机械手4200的运转装置4210带动具有多个吸盘4221的吸附装置4220，同时吸附并搬运多片纳米晶材料至收料机构。由此，能够自动化地同时进行多片下料，效率高，且过程中避免了手去触摸纳米晶材料，能够避免产品污染。

根据本发明一些实施例，吸附装置4220设置有两个吸盘4221。

如图15，吸附装置4220设置有两个吸盘4221，在设备运转过程中，机械手4200带动具有两个吸盘4221的吸附装置4220，一次可以吸附两片纳米晶材料。

下料设备4000还包括：

缓存平台，缓存平台与机械手4200取料位置相邻，用于存放连续的两片产品中只有一片是检测合格的纳米晶材料。

下述以收料结构分为良品收料机构和不良品收料机构为例来进行说明此缓存平台。机械手4200带动吸附装置4220一次吸附两片纳米晶材料进行搬运过程中，当其中一片为良品，另一片为不良品，通常需要将一片纳米晶材料搬运在良品收料机构后，再将另外一片纳米晶材料搬运至不良品收料机构，存在效率较低的问题，而本发明设置缓存平台，机械手4200可以将一次吸附的两片纳米晶材料(一片良品，一片不良品)放置在与机械手4200取料位置相邻的缓存平台，待下次机械手4200取料位置再出现连续良品纳米晶材料中存在一片良品和一片不良品的时候，机械手4200在取料位置取前一片纳米晶材料，并在缓存平台取一片与取料位置取前一片同样为良品或不良品的材料，再进行下料。由此，能够避免单片下料而耽误降低效率的情况，提高设备稳定性且提升效率。

根据本发明一些实施例，运转装置4210包括：底座4211，底座4211的顶端设置有第一旋转轴4212；第一旋转臂4213，第一旋转臂4213的一端与第一旋转轴4212旋转连接，第一旋转臂4213的另一端设置有第二旋转轴4214；第二旋转臂4215，第二旋转臂4215的一端与第二旋转轴4214旋转连接，第二旋转臂4215的另一端设置有第三旋转轴4216，以及连接第三旋转轴4216的升降轴4217，升降轴4217连接吸附装置4220。

也就是所，底座4211通过第一旋转轴4212带动第一旋转臂4213的一端转动，第一旋转臂4213的另一端通过第二旋转轴4214带动第三旋转臂的一端转动，第三旋转臂的另一端通过第三旋转轴4216带动升降轴4217转动，升降轴4217带动吸附装置4220升降运动，以吸附纳米晶材料。由此，运转装置4210能够快速且准确地带动吸附装置4220运动，从而快速且准确地进行下料。

根据本发明一些实施例，收料机构包括两个，其中一个用于收集检测合格的纳米晶材料另一个用于收集检测不合格的纳米晶材料。

也就是说，通过两个收料机构分别且同步进行收集纳米晶材料的动作。由此，能够避免设备操作人员混料，且能够提高效率。

以下通过实施例说明本发明的收料机构。其中，A收料机构4100’为不良品收料机构，B收料机构4100”为良品收料机构。

图17示出了本发明实施例的B收料机构4100”，用于收集检测合格的纳米晶材料。

如图17所示，B收料机构4100”包括B第一承载支架4110”、B第二承载支架4120”及B料盘传输装置4130”。

B第一承载支架4110”用于承载空料盘。B第二承载支架4120”与B第一承载支架4110”相邻设置，B第二承载支架4120”承载用于接收纳米晶材料的料盘。B料盘传输装置4130”用于从第一承载支架取出空料盘放置在第二承载支架上。

如图17所示，B第一承载支架4110”用于承载空料盘，可以将30个空料盘放置在B第一承载支架4110”上。B第二承载支架4120”设置在B第一承载支架4110”左侧，承载用于接收纳米晶材料的料盘，即机械手4200将纳米晶材料放置在B第二承载支架4120”的料盘上。B料盘传输装置4130”用于从第一承载支架取出空料盘放置在第二承载支架上。B料盘传输装置4130”结构可以多种多样，例如，B第一料盘装置可以包括电机、机械臂及夹取器。电机驱动机械臂带动夹取器运动至B第一承载支架4110”位置，夹取器从B第一承载支架4110”取出料盘，电机驱动机械臂带动夹持着空料盘的夹取器运动至B第二承载支架4120”位置，并将空料盘放置在B第二承载支架4120”，承载在B第二承载支架4120”的料盘收集机械手4200传递过来的纳米晶材料。由此，机械臂的运作区域与空料盘的放置区域没有干涉，避免空料盘放置区域处于机械手4200运作区域导致人员放置空料盘耽误机械臂放料的时间且造成人员安全隐患的问题。

进一步地，B收料机构4100”还包括B第一电机4140”，B第一电机4140”与B第一承载支架4110”相连，以驱动B第一承载支架4110”进行升降运动，进而使得料盘进行升降运动。

通常情况下，B第一承载支架4110”承载有多个空料盘，当B料盘传输装置4130”取出一个空料盘位置后进行升降运动，以便于B料盘传输装置4130”取出第二个空料盘。例如，B第一承载支架4110”设置有分离器，分离器夹持一个空料盘，B第一电机4140”驱动B第一承载支架4110”下降预定距离，使得分离器夹持的空料盘与其他空料盘分离，从而便于B料盘传输装置4130”将分离器所夹持的空料盘传递至第二料盘承载支架。由此，能够便于B料盘传输装置4130”自动化且快速地将承载在第一承载支架上空料盘搬运至第二承载支架上。

进一步地，B收料机构4100”还包括底部传输装置4160”和升降装置4150”。

底部传输装置4160”设置在第二传输支架的下部，包括输送带，以及驱动传输带进行运动的第二电机。升降装置4150”设置在底部传输装置4160”的上方，用于从第二承载支架的底部取出料盘并放置在底部传输装置4160”上。

例如，当承载在B第二承载装置的料盘满料后，升降装置4150”从B第二承载支架4120”的底部将满料的料盘取出并放置在底部传输装置4160”上。底部传输装置4160”对应B第二承载支架4120”的位置处于设备下方，人员需要在设备下方取料不方便，为了解决此问题，底部传输装置4160”设置有输送带，料盘放置在底部传输装置4160”的输送带上，可以当底部传输装置4160”对应B第二承载支架4120”的料盘堆叠至预定数量(例如20个料盘)，第二电机驱动输送带运转，从而带动多个料盘传输，从而可以将料盘传递至方便取料位置。由此，能够自动化且方便地将多个满料的料盘取出，便于进行后续作业。

图16示出了本发明实施例的A收料机构4100’，用于收集检测不合格的纳米晶材料。

如图16所示，A收料机构4100’包括A第一承载支架4110’、A第二承载支架4120’及A料盘传输装置4130’。

A第一承载支架4110’用于承载空料盘。A第二承载支架4120’与A第一承载支架4110’相邻设置，A第二承载支架4120’承载用于接收纳米晶材料的料盘。A料盘传输装置4130’用于从第一承载支架取出空料盘放置在第二承载支架上。

如图16所示，A第一承载支架4110’用于承载空料盘，可以将35个空料盘放置在A第一承载支架4110’上。A第二承载支架4120’设置在A第一承载支架4110’右侧，承载用于接收纳米晶材料的料盘，即机械手4200将纳米晶材料放置在A第二承载支架4120’的料盘上。A料盘传输装置4130’用于从第一承载支架取出空料盘放置在第二承载支架上。A料盘传输装置4130’结构可以多种多样，例如，A第一料盘装置可以包括电机、机械臂及夹取器。电机驱动机械臂带动夹取器运动至A第一承载支架4110’位置，夹取器从A第一承载支架4110’取出料盘，电机驱动机械臂带动夹持着空料盘的夹取器运动至A第二承载支架4120’位置，并将空料盘放置在A第二承载支架4120’，承载在A第二承载支架4120’的料盘收集机械手4200传递过来的纳米晶材料。由此，机械臂的运作区域与空料盘的放置区域没有干涉，避免空料盘放置区域处于机械手4200运作区域导致人员放置空料盘耽误机械臂放料的时间且造成人员安全隐患的问题。

进一步地，A收料机构4100’还包括A第一电机4140’，A第一电机4140’与A第一承载支架4110’相连，以驱动A第一承载支架4110’进行升降运动，进而使得料盘进行升降运动。

通常情况下，A第一承载支架4110’承载有多个空料盘，当A料盘传输装置4130’取出一个空料盘位置后进行升降运动，以便于A料盘传输装置4130’取出第二个空料盘。例如，A料盘传输装置4130’从A第一承载支架4110’取出一个空料盘后，A第一电机4140’上升预定距离，以维持后一片空料盘的高度与前一片取出的空料盘的垂直方向高度一致，以便于A料盘传输装置4130’从A第一承载支架4110’取出空料盘。由此，能够便于A料盘传输装置4130’自动化且快速地将承载在第一承载支架上空料盘搬运至第二承载支架上。

进一步地，收料机构还包括第三电机4150’，第三电机4150’与第二承载支架相连，以驱动第二承载支架进行升降运动，进而使得料盘进行升降运动。

例如，当第二承载支架上一个料盘满料后，A料盘传输装置4130’从A第一承载支架4110’取出一个空料盘放置在A第二承载支架4120’上，第三电机4150’驱动第二承载支架下降预定距离，以便于机械手4200进行下料，且避免出现料盘堆叠过高无法下料的情况。由此，能够使得A第二承载支架4120’上承载多个料盘，且便于机械手4200下料，使得下料效率增加。

更进一步地，A第一承载支架4110’和A第二承载支架4120’为可抽拉结构。

例如，A第一承载支架4110’和A第二承载支架4120’可以为抽屉结构，从而可以方便地拉出A第一承载支架4110’，放置预定数量的空料盘，在将A第一承载支架4110’推入机器，也可以方便地将承载多个满料的料盘的第二承载支架拉出，取出料盘，再将空的A第二承载支架4120’推入机器。由此，能够方便快速地进行取料和放料，提高效率。

以上是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种纳米晶材料检测系统，其特征在于，从上游至下游依次包括剥料设备(1000)、搬运设备(2000)、纳米晶材料检测设备(3000)及下料设备(4000)，

所述剥料设备(1000)，用于对含有纳米晶材料的来料进行剥料，所述来料由从上至下依次层叠的隔离膜、纳米晶材料、基膜所形成的层状材料卷绕形成的料卷；

所述搬运设备(2000)，用于将经过所述剥料设备(1000)剥料后的纳米晶材料搬运至纳米晶材料检测设备(3000)；

纳米晶材料检测设备(3000)，用于将所述搬运设备(2000)搬运过来的所述纳米晶材料进行检测；

所述下料设备(4000)，用于将经过所述纳米晶材料检测设备(3000)检测的纳米晶材料进行下料，

其中，所述剥料设备(1000)包括：

置料装置，所述置料装置包括置料轴(1110)，及连接所述置料轴(1110)的制动器(1120)；

隔离膜回收装置，所述隔离膜回收装置位于所述置料装置的上方，包括隔离膜回收轴(1210)，及连接并带动所述隔离膜回收轴(1210)转动的第一电机(1220)；

基膜回收装置，所述基膜回收装置与所述置料装置间隔设置，包括基膜回收轴(1310)，及连接并带动所述基膜回收轴(1310)转动的第二电机(1320)；

传输装置，所述传输装置位于所述置料轴(1110)和所述基膜回收轴(1310)的上方，用于承载所述基膜、纳米晶材料并将所述纳米晶材料从所述基膜上剥离，所述传输装置包括传输平台(1400)，所述传输平台(1400)上形成有贯穿所述传输平台(1400)的上下表面的缝隙(1440)，以使得附有纳米晶材料的基膜穿过所述缝隙(1440)时，将所述纳米晶材料从所述基膜上剥离。

2.根据权利要求1所述的纳米晶材料检测系统，其特征在于，所述搬运设备(2000)包括：

机架(2100)；

运转机构，所述运转机构安装在所述机架(2100)上；

机械臂(2300)，所述机械臂(2300)连接所述运转机构，以通过所述运转机构进行运转，所述机械臂(2300)用于吸附纳米晶材料；

对位机构，所述对位机构连接所述运转机构，以通过运转机构对所述机械臂(2300)的位置进行调整。

3.根据权利要求1所述的纳米晶材料检测系统，其特征在于，所述纳米晶材料检测设备(3000)包括对从所述搬运设备(2000)所搬运过来的所述纳米晶材料进行电性能检测的纳米晶材料电性能检测装置(3400)，所述纳米晶材料电性能检测装置(3400)包括：

升降平台(3410)，所述升降平台(3410)用于承载纳米晶材料；

驱动装置(3420)，所述驱动装置(3420)与所述升降平台(3410)相连，用于驱动所述升降平台(3410)进行升降运动；

电检测单元，所述电检测单元设置在所述升降平台(3410)的上方；

压力检测装置，所述压力检测装置连接所述电检测单元，用于检测所述电检测单元与纳米晶材料之间的压力，

所述电检测单元用于检测在所述压力状态下的所述纳米晶材料的电性能。

4.根据权利要求4所述的纳米晶材料检测系统，其特征在于，所述纳米晶材料检测设备(3000)还包括：

第二转盘(3510)，所述纳米晶材料电性能检测装置(3400)围绕所述第二转盘(3510)设置，所述升降平台(3410)设置在所述第二转盘(3510)的周向，通过旋转所述第二转盘(3510)能够使得所述升降平台(3410)在接料工位、电性能检测工位及转料工位之间转换；

第二驱动装置(3520)，所述第二驱动装置(3520)设置在所述第二转盘(3510)的底部且连接所述第二转盘(3510)，用于驱动所述第二转盘(3510)转动。

5.根据权利要求4所述的纳米晶材料检测系统，其特征在于，所述纳米晶材料检测设备(3000)还包括：

扫码装置，所述扫码装置围绕所述第二转盘(3510)设置且与所述纳米晶材料电性能检测装置(3400)间隔开，包括立柱及安装在所述立柱上的扫码枪，用于对纳米晶材料上的条形码进行扫码；

通过旋转所述第二转盘(3510)还能够使得所述升降平台(3410)转动至尺寸检测工位，以进行扫码。

6.根据权利要求4所述的纳米晶材料检测系统，其特征在于，所述纳米晶材料检测设备(3000)还包括：

厚度检测装置(3100)，用于对纳米晶材料的厚度进行检测；

二维尺寸检测装置(3300)，用于对纳米晶材料二维尺寸进行检测；

第一转盘(3610)，所述第一转盘(3610)设置在所述第二转盘(3510)的下游，所述厚度检测装置(3100)和所述二维尺寸检测装置(3300)间隔开地围绕所述第二转盘(3510)设置，所述第一转盘(3610)周向设置有检测平台(3200)，所述检测平台(3200)用于承载待检测用纳米晶材料，通过旋转所述第一转盘(3610)能够使得所述升降平台(3410)在接转料工位、厚度检测工位及尺寸检测工位之间转换；

第一驱动装置(3620)，所述第一驱动装置(3620)设置在所述第一转盘(3610)的底部且连接所述第一转盘(3610)，用于驱动所述第一转盘(3610)转动；

转移装置(3900)，所述转移装置(3900)设置在所述第一转盘(3610)和所述第二转盘(3510)的同一左侧或右侧，包括用于吸附纳米晶材料的吸盘(3920)及驱动所述吸盘(3920)进行移动的电机(3910)，以将承载在所述升降平台(3410)的纳米晶材料转移至所述检测平台(3200)，并将承载在所述检测平台(3200)的纳米晶材料转移出所述第一转盘(3610)。

7.根据权利要求6所述的纳米晶材料检测系统，其特征在于，所述厚度检测装置(3100)包括：

支架(3120)，所述支架(3120)设置在所述检测平台(3200)的一侧；

位移传感器(3130)，所述位移传感器(3130)设置在所述纳米晶材料的上方，用于检测所述检测平台(3200)承载纳米晶材料与未承载纳米晶材料之间的高度差，并基于所述高度差确定所承载的纳米晶材料的厚度；

升降装置(3140)，所述升降装置(3140)设置在所述支架(3120)上且连接所述位移传感器(3130)，用于带动所述位移传感器(3130)进行升降运动。

8.根据权利要求7所述的纳米晶材料检测系统，其特征在于，所述二维尺寸检测装置(3300)包括：

所述相机与所述检测平台(3200)相对设置，用于采集纳米晶材料的图像；

计算装置，所述计算装置用于根据所述相机采集的所述纳米晶材料的图像计算出纳米晶材料的二维尺寸。

9.根据权利要求1所述的纳米晶材料检测系统，其特征在于，所述下料设备(4000)包括：

收料机构，用于收集经检测后的纳米晶材料；

机械手(4200)，所述机械手(4200)用于将检测后的所述纳米晶材料搬运至所述收料机构，所述机械手(4200)包括：

吸附装置(4220)，所述吸附装置(4220)用于吸附所述纳米晶材料，所述吸附装置(4220)的底端间隔开地设置有多个吸盘(4221)，以同时吸附多片纳米晶材料；

运转装置(4210)，所述运转装置(4210)连接所述吸附装置(4220)，用于带动所述吸附装置(4220)运动。

10.根据权利要求9所述的下料设备(4000)，其特征在于，所述吸附装置(4220)设置有两个吸盘(4221)；

所述下料设备(4000)还包括：

缓存平台，所述缓存平台与所述机械手(4200)取料位置相邻，用于存放连续的两片产品中只有一片是检测合格的纳米晶材料。

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