CN111534300A - 一种高效发光的纳米晶及其制备方法以及一种led发光器件 - Google Patents
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- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 title claims abstract description 80
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 229910001622 calcium bromide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N tributylphosphine Chemical compound CCCCP(CCCC)CCCC TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 19
- -1 tributyl phosphine oxide-calcium chloride Chemical compound 0.000 claims abstract description 19
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 13
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Natural products CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 90
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 51
- MNZAKDODWSQONA-UHFFFAOYSA-N 1-dibutylphosphorylbutane Chemical compound CCCCP(=O)(CCCC)CCCC MNZAKDODWSQONA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 claims description 27
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 16
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 16
- WGEFECGEFUFIQW-UHFFFAOYSA-L calcium dibromide Chemical compound [Ca+2].[Br-].[Br-] WGEFECGEFUFIQW-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 15
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 15
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 13
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 claims description 12
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 claims description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N octadecene Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCC=C CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 8
- PASDCCFISLVPSO-UHFFFAOYSA-N benzoyl chloride Chemical compound ClC(=O)C1=CC=CC=C1 PASDCCFISLVPSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- ZOAIGCHJWKDIPJ-UHFFFAOYSA-M caesium acetate Chemical compound [Cs+].CC([O-])=O ZOAIGCHJWKDIPJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- 229940046892 lead acetate Drugs 0.000 claims description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 8
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 abstract description 8
- 239000003446 ligand Substances 0.000 abstract description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 22
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 22
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 17
- 239000000047 product Substances 0.000 description 11
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 11
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 9
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 8
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 8
- 102100028292 Aladin Human genes 0.000 description 7
- 101710065039 Aladin Proteins 0.000 description 7
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 239000005457 ice water Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 4
- ORFSSYGWXNGVFB-UHFFFAOYSA-N sodium 4-amino-6-[[4-[4-[(8-amino-1-hydroxy-5,7-disulfonaphthalen-2-yl)diazenyl]-3-methoxyphenyl]-2-methoxyphenyl]diazenyl]-5-hydroxynaphthalene-1,3-disulfonic acid Chemical compound COC1=C(C=CC(=C1)C2=CC(=C(C=C2)N=NC3=C(C4=C(C=C3)C(=CC(=C4N)S(=O)(=O)O)S(=O)(=O)O)O)OC)N=NC5=C(C6=C(C=C5)C(=CC(=C6N)S(=O)(=O)O)S(=O)(=O)O)O.[Na+] ORFSSYGWXNGVFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- AQIHMSVIAGNIDM-UHFFFAOYSA-N benzoyl bromide Chemical compound BrC(=O)C1=CC=CC=C1 AQIHMSVIAGNIDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 3
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- UNAFTICPPXVTTN-UHFFFAOYSA-N n-dodecyldodecan-1-amine;hydrobromide Chemical compound [Br-].CCCCCCCCCCCC[NH2+]CCCCCCCCCCCC UNAFTICPPXVTTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 3
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 3
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 3
- 239000012296 anti-solvent Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 2
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001025261 Neoraja caerulea Species 0.000 description 1
- FVFJGQJXAWCHIE-UHFFFAOYSA-N [4-(bromomethyl)phenyl]methanamine Chemical class NCC1=CC=C(CBr)C=C1 FVFJGQJXAWCHIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KQNKJJBFUFKYFX-UHFFFAOYSA-N acetic acid;trihydrate Chemical compound O.O.O.CC(O)=O KQNKJJBFUFKYFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 125000003636 chemical group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000007810 chemical reaction solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical group [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/66—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing germanium, tin or lead
- C09K11/664—Halogenides
- C09K11/665—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
- C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
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Abstract
本发明提供了一种高效发光的CsPbCl3‑xBrx纳米晶的制备方法，包括以下步骤：A)将CsPbCl3纳米晶与三丁基氧膦‑氯化钙的溶液混合，加入沉降剂，得到沉降产物；B)将所述沉降产物与三丁基氧膦‑溴化钙的溶液，加入沉降剂，得到经过处理的高效发光CsPbCl3‑xBrx纳米晶，x＝0.2～2.8。本发明利用三丁基氧膦‑钙短链复合配体后处理制备高发光效率的无机钙钛矿纳米晶，该纳米晶可以显著提高纯蓝光LED器件性能，具有制备过程简单、高效、廉价等优点。
Description
技术领域
本发明属于钙钛矿发光器件制备技术领域，具体涉及一种高效发光的纳米晶及其制备方法以及一种LED发光器件。
背景技术
金属卤素钙钛矿由于其优异的光学性能(如：高色纯度、光谱易调、高发光效率)而备受关注。近些年，通过钝化缺陷、优化器件结构等策略，使钙钛矿LED器件的效率都有了显著的提高，其中绿光、红光以及近红外的LED器件外量子效率(EQE)均已经超过20％。然而，纯蓝光钙钛矿LED器件的效率依然很低，这也严重阻碍了金属卤素钙钛矿用于发光器件的进一步发展。无机钙钛矿CsPbCl3-xBrx纳米晶作为一种极有希望的纯蓝光纳米材料而被广泛研究，但是由于其表面存在的缺陷和长链有机配体(如：油酸、油铵)等，导致器件的效率一直处于较低水平(EQE<2.2％)。
最近，有不少研究表明，后处理是一种有效的方法来钝化无机钙钛矿纳米晶的表面缺陷，以此来提高其发光效率。双十二烷基溴化铵(DDAB)已被证明可以高效钝化CsPbCl3-xBrx纳米晶，提高其发光效率(Adv.Mater.2016,28,8718)。但是由于DDAB的长链特征和部分取代油酸油铵，因此制备的蓝光器件效率依然较低(EQE＝1.9％，亮度只有35cd/m2)。
因此，本领域仍然需要制备高效发光的CsPbCl3-xBrx纳米晶，用于制备纯蓝光LED器件。
发明内容
有鉴于此，本发明要解决的技术问题在于提供一种高效发光的纳米晶及其制备方法以及一种LED发光器件，本发明提供纳米晶具有较高的发光效率，可用于制备纯蓝光LED发光器件。
本发明提供了一种高效发光的CsPbCl3-xBrx纳米晶的制备方法，包括以下步骤：
A)将CsPbCl3纳米晶与三丁基氧膦-氯化钙的溶液混合，加入沉降剂，得到沉降产物；
B)将所述沉降产物与三丁基氧膦-溴化钙的溶液，加入沉降剂，得到经过处理的高效发光CsPbCl3-xBrx纳米晶，x＝0.2～2.8。
优选的，所述CsPbCl3纳米晶为通过热注射的方法合成的单分散CsPbCl3纳米晶。
优选的，所述CsPbCl3纳米晶的制备方法为：
在惰性气氛下，将乙酸铅和乙酸铯溶解在十八烯、油酸和油铵中，进行加热，再加入苯甲酰氯进行反应，得到CsPbCl3纳米晶。
优选的，所述三丁基氧膦-氯化钙的溶液按照如下方法进行制备：
将三丁基氧膦和氯化钙粉末通过超声溶解在溶剂中，得到三丁基氧膦-氯化钙的溶液；
所述溶剂选自甲苯；
所述三丁基氧膦-氯化钙的溶液中三丁基氧膦的浓度为1～2M，氯化钙的浓度为0.1～0.2M；
所述三丁基氧膦-溴化钙的溶液按照如下方法进行制备：
将三丁基氧膦和溴化钙粉末通过超声溶解在溶剂中，得到三丁基氧膦-溴化钙的溶液；
所述溶剂选自甲苯；
所述三丁基氧膦-溴化钙的溶液中三丁基氧膦的浓度为1～2M，溴化钙的浓度为0.1～0.2M。
优选的，所述CsPbCl3纳米晶、所述三丁基氧膦-氯化钙的溶液中的三丁基氧膦和所述三丁基氧膦-溴化钙的溶液中的三丁基氧膦的摩尔比为1：2：2～1：2：4。
优选的，步骤A)与步骤B)中的沉降剂独立的选自乙酸甲酯或乙酸乙酯。
本发明还提供了一种上述制备方法制备得到的高效发光的CsPbCl3-xBrx纳米晶。
本发明还提供了一种蓝光LED发光器件，包括上述制备方法制备得到的高效发光的CsPbCl3-xBrx纳米晶。
优选的，包括依次复合的正极、空穴注入层、发光层、电子传输层和负极，所述发光层包括如权利要求1～6任意一项所述的制备方法制备得到的高效发光的CsPbCl3-xBrx纳米晶。
与现有技术相比，本发明提供了一种高效发光的CsPbCl3-xBrx纳米晶的制备方法，包括以下步骤：A)将CsPbCl3纳米晶与三丁基氧膦-氯化钙的溶液混合，加入沉降剂，得到沉降产物；B)将所述沉降产物与三丁基氧膦-溴化钙的溶液，加入沉降剂，得到经过处理的高效发光CsPbCl3-xBrx纳米晶，x＝0.2～2.8。本发明利用三丁基氧膦-钙短链复合配体后处理制备高发光效率的无机钙钛矿纳米晶，该纳米晶可以显著提高纯蓝光LED器件性能，具有制备过程简单、高效、廉价等优点。
附图说明
图1为本发明实施例1提供的CsPbCl3纳米晶甲苯分散液，经三丁基氧膦和氯化钙处理前后的对比图(自然光和紫外光下)；
图2为本发明实施例1提供的CsPbCl3纳米晶，经三丁基氧膦和氯化钙处理前后的形貌对比图；
图3为本发明实施例1提供的CsPbCl3纳米晶，经三丁基氧膦和氯化钙处理后的EDS线扫图；
图4为本发明实施例1提供的CsPbCl3纳米晶，经三丁基氧膦和溴化钙经离子交换处理后的光谱变化，从图4可以看出离子交换后的光谱从紫光区域(408nm)移动到蓝光区域(462nm)；
图5为本发明实施例1提供的卤素离子交换得到的混合卤素CsPbCl3-xBrx纳米晶(TBPO-NCs)与直接热注射合成制备的CsPbCl3-xBrx纳米晶(OAm-NCs)的红外光谱图；
图6为本发明实施例1提供的卤素离子交换得到的混合卤素CsPbCl3-xBrx纳米晶(TBPO-NCs)与直接热注射合成制备的CsPbCl3-xBrx纳米晶(OAm-NCs)的稳定性对比图；
图7为本发明实施例1提供的卤素离子交换得到的混合卤素CsPbCl3-xBrx纳米晶(TBPO-NCs)与直接热注射合成制备的CsPbCl3-xBrx纳米晶(OAm-NCs)的器件性能对比图；
图8为本发明实施例2提供的CsPbBr3纳米晶甲苯分散液，经三丁基氧膦和溴化钙处理前后的对比图(自然光和紫外光下)；
图9为本发明实施例2提供的卤素离子交换得到的混合卤素CsPbCl3-xBrx纳米晶的器件性能测试结果。
具体实施方式
本发明提供了一种高效发光的CsPbCl3-xBrx纳米晶的制备方法，包括以下步骤：
A)将CsPbCl3纳米晶与三丁基氧膦-氯化钙的溶液混合，加入沉降剂，得到沉降产物；
B)将所述沉降产物与三丁基氧膦-溴化钙的溶液，加入沉降剂，得到经过处理的高效发光CsPbCl3-xBrx纳米晶，x＝0.2～2.8。
本发明对CsPbCl3纳米晶进行处理，其中，对所述CsPbCl3纳米晶的制备方法没有特殊限制，本领域技术人员共知的制备方法即可。所述CsPbCl3纳米晶为通过热注射的方法合成的单分散CsPbCl3纳米晶。
其中，具体的制备方法为：
在惰性气氛下，将乙酸铅和乙酸铯溶解在十八烯、油酸和油铵中，进行加热，再加入苯甲酰氯进行反应，得到CsPbCl3纳米晶。
其中，所述惰性气氛为氮气或者氩气气氛。
在进行反应前，将反应溶剂(十八烯、油酸和油铵)进行抽真空处理30～60min，以除去溶剂中的空气和水分，使合成的CsPbCl3纳米晶质量更好。
将乙酸铅和乙酸铯溶解在十八烯、油酸和油铵中的温度优选为100～130℃。
溶解后，得到混合溶液，将所述混合溶液加热至200～210℃后，加入苯甲酰氯进行反应，所述反应的时间优选为20秒，并迅速用冰水浴淬灭。
向反应液中加入乙酸甲酯进行离心分离，得到CsPbCl3纳米晶。所述离心分离纳米晶的转速为10000转/分钟，时间为5min。
最后将所述CsPbCl3纳米晶分散于甲苯中。
本发明使用三丁基氧膦-钙为复合短链配体后处理CsPbCl3-xBrx纳米晶。其中，三丁基氧膦和氯化钙(或溴化钙)通过超声可以容易地溶解在非极性溶剂甲苯中，将其处理CsPbCl3纳米晶可以显著提高其分散性和发光效率。
其中，所述三丁基氧膦-氯化钙的溶液按照如下方法进行制备：
将三丁基氧膦和氯化钙粉末通过超声溶解在溶剂中，得到三丁基氧膦-氯化钙的溶液；
所述溶剂选自甲苯；
所述三丁基氧膦-氯化钙的溶液中三丁基氧膦的浓度为1～2M，氯化钙的浓度为0.1～0.2M；
所述三丁基氧膦-溴化钙的溶液按照如下方法进行制备：
将三丁基氧膦和溴化钙粉末通过超声溶解在溶剂中，得到三丁基氧膦-溴化钙的溶液；
所述溶剂选自甲苯；
所述三丁基氧膦-溴化钙的溶液中三丁基氧膦的浓度为1～2M，溴化钙的浓度为0.1～0.2M。
在本发明中，对CsPbCl3纳米晶进行处理以提高其发光效率的方法具体为：
将三丁基氧膦-氯化钙的溶液加入至CsPbCl3纳米晶溶液中，混合搅拌。所述混合搅拌的温度优选为室温条件，在本发明中，所述室温定义为25±5℃。
接着，加入沉降剂，得到沉降产物；所述沉降剂选自乙酸甲酯或乙酸乙酯。将沉降产物离心分离，再分散到甲苯溶液中，得到沉降产物的溶液。
其中，所述沉降剂与CsPbCl3纳米晶的质量比为90：1～45：1。
接着，将三丁基氧膦-溴化钙的溶液加入至所述沉降产物的溶液中，混合搅拌。所述混合搅拌的温度优选为室温条件，在本发明中，所述室温定义为25±5℃。
接着，加入沉降剂，得到经过处理的高效发光CsPbCl3-xBrx纳米晶，x＝0.2～2.8。所述沉降剂选自乙酸甲酯或乙酸乙酯。所述沉降剂与所述沉降产物的质量比为90：1～45：1。
将高效发光CsPbCl3-xBrx纳米晶离心分离，再分散到甲苯溶液中，得到高效发光CsPbCl3-xBrx纳米晶的溶液。
其中，所述CsPbCl3纳米晶、所述三丁基氧膦-氯化钙的溶液中的三丁基氧膦和所述三丁基氧膦-溴化钙的溶液中的三丁基氧膦的摩尔比为1：2：2～1：2：4。
本发明还提供了一种上述制备方法制备得到的高效发光的CsPbCl3-xBrx纳米晶。
所述高效发光的CsPbCl3-xBrx纳米晶具有良好的分散性和发光性能，经过离子交换后的光谱从紫光区域(408nm)移动到蓝光区域(462nm)。后处理和离子交换使得三丁基氧膦基本全部取代纳米晶表面的长链配体(油酸、油铵等)。并且，在空气中存在以及反溶剂清洗的过程中，高效发光的CsPbCl3-xBrx纳米晶均表现出了更高的稳定性。
本发明还提供了一种蓝光LED发光器件，包括上述制备方法制备得到的高效发光的CsPbCl3-xBrx纳米晶。
在本发明中，所述蓝光LED发光器件，包括依次复合的正极、空穴注入层、发光层、电子传输层和负极，
其中，述正极选自铟锡氧化物(ITO)，厚度为120～150nm；
所述空穴注入层选自PEDOT:PSS/TFB/PFI，厚度为50～60nm；
所述发光层包括上述制备方法制备得到的高效发光的CsPbCl3-xBrx纳米晶，厚度为18～25nm；
所述电子传输层选自TPBi/LiF，厚度为35～40nm；
所述阴极选自金属Al，厚度为90～110nm。
本发明对所述蓝光LED发光器件的制备方法并没有特殊限制，本领域技术人员共知的方法即可。
在本发明的一些具体实施方式中，所述蓝光LED发光器件按照如下方法进行制备：
将PEDOT:PSS旋涂在ITO玻璃基底上成膜，并退火处理；然后将TFB旋涂成膜，并退火；接着将PFI旋涂成膜，并退火；然后，CsPbCl3-xBrx纳米晶旋涂成膜作为发光层；最后，依次真空蒸镀TBPi、LiF和Al，得到蓝光LED发光器件。
本发明方法将三丁基氧膦-钙为复合短链配体后处理CsPbCl3纳米晶并制备出高效蓝光LED器件，具有简单、易操作等优点；同时相比于现有方法，本发明方法制备的纯蓝光LED器件效率是目前最高值。
为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明提供的高效发光的纳米晶及其制备方法以及LED发光器件进行说明，本发明的保护范围不受以下实施例的限制。
在以下实施例中，如无特殊说明，所使用方法均为本领域的常规方法，所使用的材料、试剂、检测装置等均可从商业途径获得。
制备和处理钙钛矿纳米晶的原料和溶剂包括乙酸铯(Aladdin,99.99％)，三水合乙酸铅(Aladdin,99.998％)和苯甲酰氯(Aladdin,99％)。三丁基氧膦(Aladdin，95％)，氯化钙(Aladdin，96％)和溴化钙(Aladdin，99.5％)溶剂包括十八烯(Aldrich,90％)，油酸(Afla Aesar,90％),油铵(Aldrich,70％)，甲苯(国药集团化学试剂有限公司,分析纯)，乙酸甲酯(Aladdin,99.5％)。
制备LED器件的原料包括PEDOT:PSS(AI4083 CLEVIOS),TFB(西安宝莱特光电科技有限公司),TPBi(Nichem),LiF(Nichem,99.99％)，均可购自备注的供货厂家。
对于LED器件制备过程：除了旋涂PEDOT:PSS在外界环境当中，其它的旋涂包括蒸镀均在在手套箱中进行，其中的氧气和水含量均＜0.1ppm，优选在干燥的惰性气氛中进行制备。
实施例1
(1)合成CsPbCl3纳米晶及后处理
将0.1mmol的乙酸铯、0.2mmol的乙酸铅、0.3mL的油酸、1.0mL的油铵和5.0mL的十八烯置于25mL的三口瓶中，密封瓶口，搅拌并升温至120℃，同时抽真空30分钟，后通入惰性气氛氮气或氩气，至加入的药品全部溶解至透明，然后升温至200℃，注入100μl苯甲酰氯，反应20秒后用冰水浴淬灭反应，将反应混合物加入5.0mL的乙酸甲酯，在10000rpm通过离心(VELOCITY 14/14R，Dynamica)5min分离后，将所得的沉淀加入5.0mL甲苯分散，得到CsPbCl3纳米晶甲苯分散液。
取100μl三丁基氧膦和氯化钙的甲苯溶液(其中三丁基氧膦浓度是1M；氯化钙是0.2M)，加入到1.0mL上述CsPbCl3纳米晶甲苯分散液，室温搅拌15min，然后加入5.0mL的乙酸甲酯，于10000rpm离心5min，沉淀分散到1.0mL甲苯中，即得到处理好的CsPbCl3纳米晶甲苯溶液。
图1为本发明实施例1提供的CsPbCl3纳米晶甲苯分散液，经三丁基氧膦和氯化钙处理前后的对比图(自然光和紫外光下)。从图1可以看出，表面处理显著提高了CsPbCl3纳米晶的分散性和发光性能。
图2为本发明实施例1提供的CsPbCl3纳米晶，经三丁基氧膦和氯化钙处理前后的形貌对比图。(a为处理前，b为处理后)从图1可以看出，表面处理并没有明显影响纳米晶的微观形貌，依然保持较为均匀的尺寸分布。
图3为本发明实施例1提供的CsPbCl3纳米晶，经三丁基氧膦和氯化钙处理后的EDS线扫图。从图3可以看出三丁基氧膦和钙协同作用在CsPbCl3纳米晶表面。
(2)卤素离子交换制备混合卤素CsPbCl3-xBrx(x＝0.2～2.8)纳米晶
将三丁基氧膦和溴化钙粉末通过超声溶解在甲苯中配成一定浓度(其中三丁基氧膦浓度是1M；溴化钙是0.2M)的前驱体溶液。取1.0mL上步中处理好的CsPbCl3纳米晶甲苯溶液，加入200-400μl上述配制好的三丁基氧膦和溴化钙的前驱体溶液，室温搅拌15min，然后加入5.0mL的乙酸甲酯，于10000rpm离心5min，沉淀分散到辛烷中并用孔径为0.22微米的有机滤头过滤得到混合卤素CsPbCl3-xBrx纳米晶(浓度为15mg/mL)。
图4为本发明实施例1提供的CsPbCl3纳米晶，经三丁基氧膦-溴化钙经离子交换处理后的光谱变化。从图4可以看出离子交换后的光谱从紫光区域(408nm)移动到蓝光区域(462nm)。
图5为本发明实施例1提供的卤素离子交换得到的混合卤素CsPbCl3-xBrx纳米晶(TBPO-NCs)与直接热注射合成制备的CsPbCl3-xBrx纳米晶(OAm-NCs)的红外光谱图。从图5可以看出，后处理和离子交换使得三丁基氧膦基本全部取代纳米晶表面的长链配体(油酸、油铵等)。
图6为本发明实施例1提供的卤素离子交换得到的混合卤素CsPbCl3-xBrx纳米晶(TBPO-NCs)与直接热注射合成制备的CsPbCl3-xBrx纳米晶(OAm-NCs)的稳定性对比图。从图6可以看出，在空气中存在以及反溶剂清洗的过程中，TBPO-NCs均表现出了更高的稳定性。
(3)LED器件制备及性能测试
制备蓝光LED器件流程是：PEDOT:PSS于4000转/分钟的转速，旋涂在ITO玻璃基底上成膜，并于140℃退火15分钟；接下来，将TFB(4mg/mL氯苯溶液)于3000转/分钟的转速，旋涂成膜，并于130℃退火15分钟；然后是PFI(0.05wt％)于4000转/分钟的转速，旋涂成膜，并于140℃退火10分钟；然后，纳米晶CsPbCl3-xBrx于2000转/分钟的转速，旋涂成膜作为发光层；最后，真空蒸镀TBPi(40nm)、LiF(1nm)和Al(100nm)，制备LED发光器件。
图7为本发明实施例1提供的卤素离子交换得到的混合卤素CsPbCl3-xBrx纳米晶(TBPO-NCs)与直接热注射合成制备的CsPbCl3-xBrx纳米晶(OAm-NCs)的器件(对比例1)性能对比图。从图7可以看出，处理得到的TBPO-NCs的外量子效率(EQE＝3.3％)和亮度(569cd/m2)都要明显高于直接热注射合成制备的纳米晶。
对比例1直接热注射合成制备的CsPbCl3-xBrx纳米晶
将0.1mmol的乙酸铯、0.2mmol的乙酸铅、0.3mL的油酸、1.0mL的油铵和5.0mL的十八烯置于25mL的三口瓶中，密封瓶口，搅拌并升温至120℃，同时抽真空30分钟，后通入惰性气氛氮气或氩气，至加入的药品全部溶解至透明，然后升温至170℃，注入0.9mmol苯甲酰氯和苯甲酰溴混合溶液(苯甲酰氯与苯甲酰溴摩尔比是1:1.3)，反应10秒后用冰水浴淬灭反应，将反应混合物加入5.0mL的乙酸甲酯，在10000rpm通过离心(VELOCITY 14/14R，Dynamica)5min分离后，将所得的沉淀加入5.0mL甲苯分散，然后加入5.0mL的乙酸甲酯，于10000rpm离心5min，沉淀分散到辛烷中并用孔径为0.22微米的有机滤头过滤得到混合卤素CsPbCl3-xBrx纳米晶(浓度为15mg/mL)。
实施例2
(1)合成CsPbBr3纳米晶及后处理
将0.1mmol的乙酸铯、0.2mmol的乙酸铅、0.3mL的油酸、1.0mL的油铵和5.0mL的十八烯置于25mL的三口瓶中，密封瓶口，搅拌并升温至120℃，同时抽真空30分钟，后通入惰性气氛氮气或氩气，至加入的药品全部溶解至透明，然后升温至170℃，注入90μl苯甲酰溴，反应5秒后用冰水浴淬灭反应，将反应混合物加入5.0mL的乙酸甲酯，在10000rpm通过离心(VELOCITY14/14R，Dynamica)5min分离后，将所得的沉淀加入5.0mL甲苯分散，得到CsPbBr3纳米晶甲苯分散液。
取50μl三丁基氧膦和溴化钙的甲苯溶液(其中三丁基氧膦浓度是1M；溴化钙是0.2M)，加入到1.0mL上述CsPbBr3纳米晶甲苯分散液，室温搅拌5min，然后加入5.0mL的乙酸甲酯，于10000rpm离心5min，沉淀分散到1.0mL甲苯中，即得到处理好的CsPbBr3纳米晶甲苯溶液。
图8为本发明实施例2提供的CsPbBr3纳米晶甲苯分散液，经三丁基氧膦和溴化钙处理前后的对比图(自然光和紫外光下)。从图8可以看出，表面处理显著提高了CsPbBr3纳米晶的分散性和发光性能。
(2)卤素离子交换制备混合卤素CsPbCl3-xBrx(x＝0.2～2.8)纳米晶
将三丁基氧膦和氯化钙粉末通过超声溶解在甲苯中配成一定浓度(其中三丁基氧膦浓度是1M；氯化钙是0.2M)的前驱体溶液。取1.0mL上步中处理好的CsPbBr3纳米晶甲苯溶液，加入50～150μl上述配制好的三丁基氧膦和氯化钙的前驱体溶液，室温搅拌15min，然后加入5.0mL的乙酸甲酯，于10000rpm离心5min，沉淀分散到辛烷中并用孔径为0.22微米的有机滤头过滤得到混合卤素CsPbCl3-xBrx纳米晶(浓度为15mg/mL)。
(3)LED器件制备及性能测试
制备蓝光LED器件流程是：PEDOT:PSS于4000转/分钟的转速，旋涂在ITO玻璃基底上成膜，并于140℃退火15分钟；接下来，将TFB(4mg/mL氯苯溶液)于3000转/分钟的转速，旋涂成膜，并于130℃退火15分钟；然后是PFI(0.05wt％)于4000转/分钟的转速，旋涂成膜，并于140℃退火10分钟；然后，纳米晶CsPbCl3-xBrx于2000转/分钟的转速，旋涂成膜作为发光层；最后，真空蒸镀TBPi(40nm)、LiF(1nm)和Al(100nm)，制备LED发光器件。
图9为本发明实施例2提供的卤素离子交换得到的混合卤素CsPbCl3-xBrx纳米晶的器件性能测试结果。从图9可以看出，处理得到的CsPbCl3-xBrx纳米晶制备器件的外量子效率(EQE＝3.1％)和亮度(714cd/m2)均达到较高的数值，优异于直接热注射合成制备的纳米晶制备的LED器件。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种高效发光的CsPbCl3-xBrx纳米晶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
A)将CsPbCl3纳米晶与三丁基氧膦-氯化钙的溶液混合，加入沉降剂，得到沉降产物；
B)将所述沉降产物与三丁基氧膦-溴化钙的溶液，加入沉降剂，得到经过处理的高效发光CsPbCl3-xBrx纳米晶，x＝0.2～2.8。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述CsPbCl3纳米晶为通过热注射的方法合成的单分散CsPbCl3纳米晶。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述CsPbCl3纳米晶的制备方法为：
在惰性气氛下，将乙酸铅和乙酸铯溶解在十八烯、油酸和油铵中，进行加热，再加入苯甲酰氯进行反应，得到CsPbCl3纳米晶。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述三丁基氧膦-氯化钙的溶液按照如下方法进行制备：
将三丁基氧膦和氯化钙粉末通过超声溶解在溶剂中，得到三丁基氧膦-氯化钙的溶液；
所述溶剂选自甲苯；
所述三丁基氧膦-氯化钙的溶液中三丁基氧膦的浓度为1～2M，氯化钙的浓度为0.1～0.2M；
所述三丁基氧膦-溴化钙的溶液按照如下方法进行制备：
将三丁基氧膦和溴化钙粉末通过超声溶解在溶剂中，得到三丁基氧膦-溴化钙的溶液；
所述溶剂选自甲苯；
所述三丁基氧膦-溴化钙的溶液中三丁基氧膦的浓度为1～2M，溴化钙的浓度为0.1～0.2M。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述CsPbCl3纳米晶、所述三丁基氧膦-氯化钙的溶液中的三丁基氧膦和所述三丁基氧膦-溴化钙的溶液中的三丁基氧膦的摩尔比为1：2：2～1：2：4。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤A)与步骤B)中的沉降剂独立的选自乙酸甲酯或乙酸乙酯。
7.一种如权利要求1～6任意一项所述的制备方法制备得到的高效发光的CsPbCl3-xBrx纳米晶。
8.一种蓝光LED发光器件，其特征在于，包括如权利要求1～6任意一项所述的制备方法制备得到的高效发光的CsPbCl3-xBrx纳米晶。
9.根据权利要求8所述的蓝光LED发光器件，其特征在于，包括依次复合的正极、空穴注入层、发光层、电子传输层和负极，所述发光层包括如权利要求1～6任意一项所述的制备方法制备得到的高效发光的CsPbCl3-xBrx纳米晶。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
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Application publication date: 20200814 |