CN111509133A - 显示装置 - Google Patents
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- 238000005452 bending Methods 0.000 claims abstract description 135
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 264
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 30
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 24
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 21
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 15
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 14
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 101001045744 Sus scrofa Hepatocyte nuclear factor 1-beta Proteins 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N aluminum neodymium Chemical compound [Al].[Nd] UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001151 AlNi Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SFASQLIGRADPEE-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[Ni].[La] Chemical compound [AlH3].[Ni].[La] SFASQLIGRADPEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K77/111—Flexible substrates
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- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- H10K59/8051—Anodes
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Abstract
本公开涉及一种显示装置,显示装置包括基板,所述基板包括平坦区域和与所述平坦区域相邻的第一弯折区域,所述第一弯折区域向远离所述平坦区域的方向依次包括第一上方弯折部、第一延伸部以及第一下方弯折部,在所述平坦区域布置晶体管,与所述晶体管电连接的发光元件位于所述平坦区域和所述第一上方弯折部,所述发光元件包括弯折发光层,从而在所述平坦区域和所述第一上方弯折部显示影像,位于所述第一弯折区域的无机连续膜的厚度比位于所述平坦区域的无机连续膜的厚度薄。
Description
技术领域
本公开涉及显示装置,更详细地涉及包括平坦区域和与其相邻的弯折区域的柔性(flexible)的显示装置。
背景技术
一般来说,显示装置包括通过形成在基板上的像素阵列(array)显示影像的显示面板。在这种显示装置中,通过至少弯折一部分,能够减少不显示影像的周边区域的面积。
但是,在制造柔性显示装置的工艺中,在弯折时,应力作用在弯折区域或与其连接的显示区域,因此可能产生发生不良或显示装置的寿命减少等问题。
发明内容
实施例的目的在于提供一种通过在显示装置的弯折区域减少无机膜的厚度而减少弯折区域所受的应力(stress),从而防止裂纹、布线损伤等不良并提高显示质量的柔性的显示装置。
根据一实施例的显示装置包括基板,所述基板包括平坦区域和与所述平坦区域相邻的第一弯折区域,所述第一弯折区域向远离所述平坦区域的方向依次包括第一上方弯折部、第一延伸部以及第一下方弯折部,在所述平坦区域布置晶体管,与所述晶体管电连接的发光元件位于所述平坦区域和所述第一上方弯折部,所述发光元件包括弯折发光层,从而在所述平坦区域和所述第一上方弯折部显示影像,位于所述第一弯折区域的无机连续膜的厚度比位于所述平坦区域的无机连续膜的厚度薄。
可以是,所述无机连续膜包括阻挡层、缓冲层、第一绝缘层、以及第二绝缘层中的至少一个。
可以是,在对应于所述平坦区域的部分,所述阻挡层和所述缓冲层依次位于所述基板上。
可以是,所述晶体管包括半导体层、位于所述半导体层上的栅电极、与所述栅电极电连接的源电极和漏电极。
可以是,所述半导体层位于所述缓冲层上,所述第一绝缘层位于所述半导体层上,包括所述栅电极的栅极导电体位于所述第一绝缘层上,所述第二绝缘层位于所述栅极导电体上,包括所述源电极和所述漏电极的数据导电体位于所述第二绝缘层上。
可以是,在对应于所述第一弯折区域的部分中,在所述阻挡层和所述缓冲层形成有第一开口。
可以是,在对应于所述第一下方弯折部的区域,在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层还形成有第二开口。
可以是,所述第一开口和所述第二开口由第一保护层填充,所述第一保护层包含有机物质。
可以是,所述弯折发光层位于与所述平坦区域的一部分和所述第一上方弯折部的一部分对应的部分。
可以是,所述第一弯折区域以相邻的所述平坦区域的边为基准向所述平坦区域的下方弯曲。
可以是,所述第一上方弯折部、所述第一延伸部以及所述第一下方弯折部以彼此相邻的边为基准弯折。
可以是,沿着所述平坦区域的边缘还包括第二弯折区域、第三弯折区域、以及第四弯折区域中的至少一个。
可以是,所述第二弯折区域、所述第三弯折区域、以及所述第四弯折区域以相邻的所述平坦区域的边为基准向所述平坦区域的下方弯曲。
可以是,弯折发光层位于所述第二弯折区域、所述第三弯折区域、以及所述第四弯折区域的一部分而显示影像。
可以是,第三绝缘层位于所述数据导电体上,第一电极位于所述第三绝缘层上,发光层位于所述第一电极上,第二电极位于所述发光层上,所述发光元件由所述第一电极、所述发光层以及所述第二电极构成,所述发光层包括第一发光层和所述弯折发光层。
可以是,第四绝缘层位于所述第一电极上,所述弯折发光层位于所述第四绝缘层之上且所述第二电极之下。
可以是,由与所述数据导电体相同的物质构成的连接布线位于与所述第一下方弯折部对应的区域,所述连接布线将位于所述第一下方弯折部的两侧的第一布线和第二布线电连接,从而向所述第一上方弯折部和所述平坦区域传递电信号。
可以是,所述连接布线在所述第一下方弯折部弯折时一起弯曲。
可以是,在所述发光元件上还包括封装层,以覆盖所述发光元件,所述封装层包括一个以上无机层和一个以上有机层。
(公开的效果)
根据实施例的显示装置,通过在显示装置的弯折区域去除一部分无机膜而减少整个无机膜的厚度,从而能够使弯折区域所受的应力最小化,由此改善因应力而产生的裂纹(crack)、布线损伤等不良,能够提高显示质量、稳定性等。
附图说明
图1是概要示出根据一实施例的显示装置的展开状态的俯视图。
图2是示出根据图1的显示装置为弯折状态时针对II-II'线的截面的截面图。
图3是示出针对图1的III-III'线的截面的截面图。
图4是简要示出针对图1的III-III'线的截面的截面图。
图5是简要示出针对图1的III-III'线的截面的另一例子的截面图。
图6是概要示出根据一实施例的显示装置的分解立体图。
图7是示出针对图6的VII-VII'线的截面的截面图。
附图标记说明
100、1000:显示装置 110:基板
FA:平坦区域 BA:弯折区域
BA1:第一弯折区域 BA1-1:第一上方弯折部
BA1-2:第一延伸部 BA1-3:第一下方弯折部
115:阻挡层 120:缓冲层
154:半导体层 124:栅极层
140:第一绝缘层 160:第二绝缘层
173:源电极 175:漏电极
180:第三绝缘层 360:第四绝缘层
400:弯折保护层
TR:晶体管 LD:发光元件
EL:发光层 ELb:弯折发光层
C1:第一开口 C2:第二开口
具体实施方式
以下,参考添附的附图,针对本公开的多个实施例详细地说明,以使在本公开所属的技术领域中具有通常知识的人能够容易实施。本公开可以以多种不同的形式实现,不限定于在此说明的实施例。
为了清楚地说明本公开,省略了与说明无关的部分,贯穿整个说明书,针对相同或相似的构成要件,标注相同的附图标记。
此外,附图中示出的各个结构的大小和厚度是为了方便说明而任意示出的,因此本公开并不是必须限定于图示那样的。在附图中,为了清楚表达多个层和区域,放大示出厚度。另外,在附图中,为了方便说明,将一部分层和区域的厚度夸张地示出。
此外,当表述为层、膜、区域、板等部分在另一部分“之上”或“上”时,其不仅包括“直接”在另一部分“之上”的情况,还包括其中间有又一部分的情况。相反,当表述为某一部分“直接”在另一部分“之上”时,意指中间没有另一部分的情况。此外,表述为“在”成为基准的部分“之上”或“上”的情况是位于成为基准的部分之上或之下的情况,并不意指必须以向重力相反方向侧位于“之上”或“上”。
此外,在整个说明书中,当表述为某一部分“包括”某一构成要件时,只要没有特别相反的记载,意指不是将其它构成要件除外而是还可以包括其它构成要件。
此外,在整个说明书中,当表述为“平面上”时,其意指从上方观看对象部分时的情况,当表述为“截面上”时,其意指在旁观看将对象部分垂直截取的截面的情况。
以下,使用图1和图2,对根据一实施例的显示装置进行说明。图1是概要示出根据一实施例的显示装置的展开状态的俯视图,图2是示出根据图1的显示装置为弯折状态时针对II-II'线的截面的截面图。
参考图1,根据一实施例的显示装置100包括平坦区域FA(Fla1t Area)和至少一个弯折区域BA(Bending Area)。如图2所示,平坦区域FA和弯折区域BA的一部分可以与显示影像的显示区域DA(Display Area)对应,弯折区域的另外一部分可以与不显示影像的周边区域PA(Peripheral Area)对应。
在平坦区域FA形成多个像素PX。形成于平坦区域FA的各个像素PX可以通过扫描线、数据线等信号线(未图示)连接于与位于周边区域PA中一部分的栅极驱动部、数据驱动部、印刷电路板PCB(参考图7)接通的端子等。通过此,各个像素PX可以接收扫描信号、数据信号、驱动电压以及公共电源等的电压而显示影像。平坦区域FA可以具有平坦的面的形状。在图1中示例性地示出了一个像素PX。在平坦区域FA中,多个像素PX可以排列成行、列、网格等各种图案。
弯折区域BA可以位于平坦区域FA周边,可以位于平坦区域FA的各个边缘。弯折区域BA可以包括第一弯折区域BA1、第二弯折区域BA2、第三弯折区域BA3以及第四弯折区域BA4。与各个弯折区域(BA1、BA2、BA3、BA4)相邻的平坦区域FA的各个棱角可以定义为倒角(chamfer)形状,该部分称为倒角部分CP(chamfered Portion)。
第一弯折区域BA1可以位于平坦区域FA的下侧边,第一弯折区域BA1可以包括第一上方弯折部BA1-1、第一延伸部BA1-2以及第一下方弯折部BA1-3。
第一下方弯折部BA1-3形成有焊盘或凸起等连接接口,该连接接口被布置为能够附着可以形成有数据驱动集成芯片(IC,Integrated Chip)之类电路部件的印刷电路板PCB(参考图7)。第一弯折区域BA1可以与所述连接接口一起弯折,而印刷电路板PCB(参考图7)位于根据一实施例的显示装置100的背面。
第二弯折区域BA2可以位于平坦区域FA的上侧边。第二弯折区域BA2可以包括第二上方弯折部BA2-1、第二延伸部BA2-2以及第二下方弯折部BA2-3。
第三弯折区域BA3可以位于平坦区域FA的左侧边。第三弯折区域BA3可以包括第三上方弯折部(未图示)、第三延伸部(未图示)以及第三下方弯折部(未图示)。
第四弯折区域BA4可以位于平坦区域FA的右侧边。第四弯折区域BA4可以包括第四上方弯折部(未图示)、第四延伸部(未图示)以及第四下方弯折部(未图示)。
此时,平坦区域FA可以对应于平坦显示区域DA0。另外,第一上方弯折部BA1-1和第二上方弯折部BA2-1可以分别对应于后述的第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。虽然未图示,第三上方弯折部和第四上方弯折部也可以分别对应于后述的第三显示区域和第四显示区域。如此,显示区域DA可以包括平坦区域FA、第一弯折区域BA1的第一上方弯折部BA1-1、第二弯折区域BA2的第二上方弯折部BA2-1、第三弯折区域BA3的第三上方弯折部、以及第四弯折区域BA4的第四上方弯折部。
第一弯折区域BA1、第二弯折区域BA2、第三弯折区域BA3、第四弯折区域BA4可以分别以相邻的平坦区域FA的边为基准而向显示装置100的下方弯折。即,可以实现基板110的所有边缘弯折的柔性(flexible)的显示装置。通过此,当使用者观看显示装置100的平坦区域FA时,可以识别为不显示影像的周边区域的面积变窄。
所述柔性显示装置意指赋予可挠性(flexibility)的显示装置,可以使用为与可弯折(bendable)的显示装置、可卷绕(rollabel)的显示装置、不碎(unbreakable)的显示装置、可折叠(foldable)的显示装置等相同的含义。
第一延伸部BA1-2和第一下方弯折部BA1-3可以对应于第一周边区域PA1。第二延伸部BA2-2和第二下方弯折部BA2-3可以对应于第二周边区域PA2。虽然未图示,第三弯折区域BA3的第三延伸部和第三下方弯折部可以对应于第三周边区域,第四弯折区域BA4的第四延伸部和第四下方弯折部可以对应于第四周边区域。
即,在第一延伸部BA1-2、第二延伸部BA2-2、第三延伸部(未图示)、第四延伸部(未图示)和第一下方弯折部BA1-3、第二下方弯折部BA2-3、第三下方弯折部(未图示)、第四下方弯折部(未图示),存在多种驱动电路或布线,从而可不显示影像。后述的坝部件DM(参考图3)可以位于第一延伸部BA1-2、第二延伸部BA2-2、第三延伸部(未图示)、第四延伸部(未图示)。
在图1中,将平坦区域FA图示为四边形形状,弯折区域BA图示为位于平坦区域FA的四个边,但是显示区域DA的形式和弯折区域BA的形式或布置不限定于图1中图示的例子。作为一个例子,显示装置100可以包括形成在平坦区域FA下侧边的第一弯折区域BA1,还可以仅包括第二弯折区域BA2、第三弯折区域BA3及第四弯折区域BA4中的至少任一个弯折区域。
以下,使用图3,针对根据一实施例的显示装置更详细地说明。图3是示出针对图1的III-III'线的截面的截面图。
在图3的截面图中示出平坦区域FA的一部分和与其相邻的第一弯折区域BA1,第一弯折区域BA1可以包括第一上方弯折部BA1-1、第一延伸部BA1-2以及第一下方弯折部BA1-3。平坦区域FA包括形成有晶体管TR的像素驱动部和与其连接的发光元件LD,与所述晶体管TR连接的发光元件LD的至少一部分位于第一上方弯折部BA1-1。在这里,发光元件LD可以是有机发光元件。
参考图3,显示装置100包括基板110和在其之上形成的多个层、布线、元件。在显示装置100的显示区域DA布置有多个像素PX,但是为了方便说明,仅使用两个像素PX简要地说明。此外,各个像素PX包括晶体管TR、电容器和发光元件LD,但是每个像素PX以一个晶体管TR和与其连接的一个发光元件LD为中心,针对显示装置100的层叠结构进行说明。
基板110可以是柔性基板(flexible substrate)。基板110可以由聚酰亚胺(polyimide)、聚酰胺(polyamide)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate)之类聚合物构成。
用于防止从外部渗透水分等的阻挡层115位于基板110上。阻挡层115可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)等无机绝缘物质。
缓冲层120位于阻挡层115上。缓冲层120可起到的作用是:在形成半导体层154的过程中,阻断可能从基板110向半导体层154扩散的杂质,并减少基板110所受的应力。缓冲层120可以包括硅氧化物、硅氮化物等无机绝缘物质。
在此,阻挡层115和缓冲层120的厚度之和可以是约至约作为一个例子,可以是约根据实施例,当阻挡层115和缓冲层120包含有机绝缘物质时,阻挡层115和缓冲层120的厚度之和可以是约6μm至约10μm,作为一个例子,可以是约7.8μm。
以下,以平坦区域FA和第一弯折区域BA1中的第一上方弯折部BA1-1为主进行说明。
在阻挡层115和缓冲层120可以形成有第一开口C1,以使基板110在对应于第一弯折区域BA1的部分暴露。即,在第一弯折区域BA1不存在阻挡层115和缓冲层120。如此,通过在第一弯折区域BA1去除一部分无机膜,弯折区域BA的厚度减少,从而能够减少第一弯折区域BA1所受的应力(stress)。通过此,不仅是第一弯折区域BA1,还防止通过其向平坦区域FA或其他周边部传递的裂纹(crack)等不良产生,从而能够改善显示装置100的质量。
晶体管TR的半导体层154位于缓冲层120上。半导体层154包括与栅电极124重叠的沟道区域和在其两侧掺杂的源极区域和漏极区域。半导体层154可以包含多晶硅、非晶硅或氧化物半导体。
包含硅氧化物、硅氮化物等无机绝缘物质的第一绝缘层140位于半导体层154上。第一绝缘层140可以称为栅极绝缘层。
扫描线、包括晶体管TR的栅电极124的栅极导电体位于第一绝缘层140上。栅极导电体可以包含钼(Mo)、铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、钽(Ta)、钛(Ti)等金属或金属合金。
第二绝缘层160位于第一绝缘层140和栅极导电体上。第二绝缘层160可以包含硅氧化物、硅氮化物等无机绝缘物质。第二绝缘层160可以称为层间绝缘层。
以下,可以将阻挡层115、缓冲层120、第一绝缘层140以及第二绝缘层160统称为无机连续膜。
在第一绝缘层140和第二绝缘层160,在第一弯折区域BA1中对应于第一下方弯折部BA1-3的部分形成有第二开口C2。即,在第一下方弯折部BA1-3形成第二开口C2,同时移除第一绝缘层140和第二绝缘层160,从而阻挡层115、缓冲层120、第一绝缘层140以及第二绝缘层160中的哪一个也可以不存在。如此,在第一下方弯折部BA1-3不存在无机连续膜,从而当第一弯折区域BA1向显示装置100的下方(图2基准)弯曲时,能够更柔性地弯折。
一起参考前述的第一开口C1的话,在根据一实施例的显示装置100中,比第二开口C2先形成面积比第二开口C2宽的第一开口C1,从而能够跨整个第一弯折区域BA1减少无机连续膜整体的厚度。这种工艺上的顺序作为一例可适用于制造显示装置100的11掩膜(mask)和13掩膜工艺的全部。
数据线、驱动电压线、电压传递线、包括晶体管TR的源电极173和漏电极175的数据导电体位于第二绝缘层160上。源电极173和漏电极175可以通过在第二绝缘层160和第一绝缘层140形成的接触孔分别与半导体层154的源极区域和漏极区域连接。电压传递线177可以传递公共电压(ELVSS)。数据导电体可以包含铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铂金(Pt)、钯(Pd)、镍(Ni)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、铬(Cr)、钽(Ta)等金属或金属合金。数据导电体可以是钛/铝/钛(Ti/Al/Ti)、钛/铜/钛(Ti/Cu/Ti)、钼/铝/钼(Mo/Al/Mo)之类的多重层。
栅电极124、源电极173以及漏电极175与半导体层154一起构成晶体管TR。图示的晶体管TR中,虽然栅电极124比半导体层154位于上方,但是晶体管TR的结构不限于此,可以多样地变更。
第三绝缘层180位于第二绝缘层160和数据导电体上。第三绝缘层180可以包含有机绝缘物质,例如可以包含聚酰亚胺、丙烯酸类聚合物、硅氧烷类聚合物等。
发光元件LD的第一电极E1位于第三绝缘层180上。第一电极E1可以通过形成于第三绝缘层180的接触孔连接于漏电极175。与电压传递线177连接的连接部件195位于第三绝缘层180上。为了连接部件195和电压传递线177的连接,与电压传递线177重叠的第三绝缘层180的部分被去除。作为导电层的连接部件195可以与第一电极E1在相同工艺中以相同材料形成。第一电极E1和连接部件195可以包含银(Ag)、镍(Ni)、金(Au)、铂(Pt)、铝(Al)、铜(Cu)、铝钕(AlNd)、铝镍镧(AlNiLa)等金属或金属合金。第一电极E1和连接部件195也可以包含铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)之类的透明导电物质。第一电极E1和连接部件195可以是ITO/银(Ag)/ITO、ITO/铝(Al)之类的多重层。
具有与第一电极E1重叠的开口的第四绝缘层360位于第三绝缘层180上。第四绝缘层360的开口可以定义各个像素区域,也可以称为隔壁。第四绝缘层360可以还包括在位于第一弯折区域BA1的第一延伸部BA1-2的至少一个坝部件DM中。第四绝缘层360可以包含有机绝缘物质。
发光层EL位于第一电极E1上,第二电极E2位于发光层EL上。第二电极E2与连接部件195连接。由于连接部件195与电压传递线177连接,因此第二电极E2通过连接部件195与电压传递线177电连接,第二电极E2能够被施加公共电压(ELVSS)。
发光层EL可以包括位于第四绝缘层360的开口内的第一发光层ELa。发光层EL可以还包括位于第一上方弯折部BA1-1并位于第四绝缘层360上的弯折发光层ELb。
第二电极E2由钙(Ca)、钡(Ba)、镁(Mg)、铝(Al)、银(Ag)等功函数低的金属薄地形成层,从而可以具有光透过性。第二电极E2也可以由ITO、IZO之类的透明导电物质形成。各个像素PX的第一电极E1、发光层EL以及第二电极E2构成有机发光二极管之类的发光元件LD。第一电极E1和第二电极E2中的一个成为阴极(cathode),另一个成为阳极(anode)。
此时,虽然包括半导体层154的晶体管TR位于平坦区域FA,但是与所述晶体管TR电连接的发光元件LD还位于平坦区域FA和从其延伸的第一上方弯折部BA1-1。根据前述,将位于第一上方弯折部BA1-1的一部分区域的发光层EL称为弯折发光层ELb。
弯折发光层ELb可以在第一上方弯折部BA1-1向显示装置100的下方面弯折时一起弯曲。由此,重新参考图2,在第一上方弯折部BA1-1也可以实现显示影像的第一显示区域DA1。
同样,重新参考图1,与位于平坦区域FA的晶体管TR电连接的弯折发光层ELb也可以位于可以从显示装置100的平坦区域FA的上侧、左侧以及右侧分别延伸的第二弯折区域BA2、第三弯折区域BA3以及第四弯折区域BA4。由此,根据一实施例的显示装置100不仅在平坦区域FA能够显示影像,在其各个侧面弯折的弯折区域也能够显示影像。当第一弯折区域BA1、第二弯折区域BA2、第三弯折区域BA3以及第四弯折区域BA4全部存在时,根据一实施例的显示装置100可以是四面发光显示装置。
封装层EN位于第二电极E2上。封装层EN密封发光元件LD而能够防止从外部渗透水分或氧气。封装层EN层叠有一个以上无机层和一个以上有机层。在图示的实施例中,封装层EN是包括第一无机层391、第二无机层393以及位于它们之间的有机层392的薄膜封装层。覆盖有机层392的侧面的第一无机层391和第二无机层393形成为比有机层392宽,第一无机层391和第二无机层393可以在封装层EN的边缘区域接触。有机层392可以包含丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯类树脂、乙烯类树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂、纤维素类树脂、二萘嵌苯类树脂等。
用于减少外光反射的偏光层可以位于封装层EN上,包括用于检测触摸的触摸电极的触摸传感器层可以位于封装层EN和偏光层之间。
针对第一延伸部BA1-2进行说明的话,坝部件DM位于第二绝缘层160上。坝部件DM可以存在成包围基板110的边缘,并可以包括第一坝DM1和第二坝DM2。第一坝DM1和第二坝DM2可以位于位于显示装置100的下方的第一弯折区域BA1。第一坝DM1的下方层可以为第三保护层365a,第一坝DM1的上方层可以为弯折保护层400a。第二坝DM2从下依次可以构成为第二保护层185b、第三保护层365b以及弯折保护层400b。构成坝部件DM的弯折保护层400a、400b也称为间隔器。
坝部件DM可以起到当形成封装层EN的有机层392时防止单聚物之类的有机物质流淌溢出的作用,由此封装层EN的有机层392的边缘可以大致比坝部件DM位于内侧,即位于坝部件DM和显示区域DA之间。
构成封装层EN的第一无机层391和第二无机层393可以形成为延伸至第一坝DM1和第二坝DM2上。在此情况下,由于第一无机层391和第二无机层393的接触面积增加,能够增加第一无机层391和第二无机层393之间的附着力。
针对第一下方弯折部BA1-3进行说明的话,将位于第一下方弯折部BA1-3的两侧的第一布线127和第二布线129电连接的连接布线179位于第一下方弯折部BA1-3。由此,从印刷电路板PCB(参考图7)输出的信号(例如,数据信号、控制信号、电压信号)、向焊盘部(未图示)的焊盘输入的信号(例如,驱动电压ELVDD、公共电压ELVSS)等可以通过第二布线129、连接布线179以及第一布线127向显示区域DA、驱动装置等传递。
连接布线179在第一下方弯折部BA1-3弯折时弯曲,因此可以由柔性好且杨氏模量(Young’s modulus)小的金属形成。连接布线179可以与源电极173和漏电极175在相同工艺中以相同材料形成。若连接布线179的柔性增加,则针对变形(strain)的应力变小,因此能够减少弯折时产生裂纹、或者劣化或断线的危险。
在第一下方弯折部BA1-3中,第一保护层(protection layer)165位于基板110和连接布线179之间。第一保护层165可以包含聚酰亚胺、丙烯酸类聚合物、硅氧烷类聚合物等有机绝缘物质。第一保护层165在对应于第一下方弯折部BA1-3的区域可以存在成填充在阻挡层115、缓冲层120形成的第一开口C1以及在第一绝缘层140、第二绝缘层160形成的第二开口C2。也就是说,被第一开口C1和第二开口C2暴露的基板110可以被第一保护层165覆盖。通过将第一开口C1和第二开口C2形成为通过第一保护层165的有机膜覆盖,第一下方弯折部BA1-3能够向显示装置100的下方面柔性地弯折,能够防止产生应力。
第二保护层185和第三保护层365位于连接布线179上。第二保护层185可以与第三绝缘层180在相同工艺中以相同材料形成。第三保护层365可以与第四绝缘层360在相同工艺中以相同材料形成。
用于缓解拉伸应力并保护连接布线179的弯折保护层(bending protectionlayer)400位于第三保护层365上。弯折保护层400可以称为应力中立化层(stressneutralization layer)。弯折保护层400可以包含丙烯酸类树脂之类的有机绝缘物质。
在柔性的显示装置中,无机绝缘层在弯折时对裂纹脆弱,可能会因裂纹对布线引起损伤。为此,根据本公开的一实施例,包含无机绝缘物质的无机连续膜即阻挡层115、缓冲层120、第一绝缘层140以及第二绝缘层160可以从第一下方弯折部BA1-3去除。进而,无机连续膜中的一部分即阻挡层115、缓冲层120不仅在第一下方弯折部BA1-3中去除,在与其相邻的第一延伸部BA1-2、第一上方弯折部BA1-1也去除。因此,当第一弯折区域BA1弯折时,跨整个第一弯折区域BA1所受的应力减少,能够使得更柔性地弯曲。此外,能够改善在显示装置100中产生的裂纹、劣化以及断线等不良,从而提高显示质量和稳定性。
另一方面,弯折发光层ELb位于第一弯折区域BA1的一部分区域(作为一个例子,第一上方弯折部BA1-1),从而也能够在显示装置100的平坦区域FA的各个侧面弯折的侧面弯折部显示影像。特别是,不仅是在平坦区域FA的左、右侧显示影像,还在位于下侧的第一弯折区域BA1显示影像,从而还具有能够进一步减少不显示影像的周边区域的面积的优点。
以下,使用图4,简要说明根据一实施例的显示装置的特性。图4是简要示出针对图1的III-III'线的截面的截面图。以下,针对与图3中说明的部分相同或者相似的部分的说明可能省略,以特征部分为主进行说明。
参考图4,根据一实施例的显示装置100可以包括基板110、形成在基板110上的多个层、多种布线等。显示装置100包括平坦区域FA、与其相邻的第一弯折区域BA1,第一弯折区域BA1可以包括第一上方弯折部BA1-1和第一下方弯折部BA1-3。为了便于说明,省略了前述的第一延伸部BA1-2。
阻挡层115和缓冲层120依次位于可以是柔性基板的基板110上。此时,在对应于第一弯折区域BA1的部分,在阻挡层115和缓冲层120形成有第一开口C1,以使基板110暴露。即,在对应于第一弯折区域BA1的部分,阻挡层115和缓冲层120不存在。阻挡层115和缓冲层120的厚度之和可以是约至约作为一个例子,可以是约
半导体层154位于缓冲层120上。半导体层154可以包括与栅电极124重叠的沟道区域和在其两侧掺杂的源极区域和漏极区域。
包含无机绝缘物质的第一绝缘层140位于半导体层154上。扫描线、包括晶体管TR(参考图3)的栅电极124(参考图3)的栅极导电体位于第一绝缘层140上。在本实施例中,栅极导电体在对应于第一上方弯折部BA1-1的部分可以还包括数据信号传递层121。数据信号传递层121能够起到将从位于第一弯折区域BA1的第一周边部的印刷电路板PCB(参考图7)输出的数据信号等传递至显示区域DA的作用。
第1-1绝缘层145还可以位于栅极导电体上。第1-1绝缘层145可以是用于保护栅极导电体的薄的无机绝缘膜。
第二绝缘层160位于第1-1绝缘层145上。第二绝缘层160可以包含无机绝缘物质,可以还称为层间绝缘层。
在对应于第一下方弯折部BA1-3的区域,在第一绝缘层140、第1-1绝缘层145以及第二绝缘层160形成有第二开口C2。在第一下方弯折部BA1-3形成第二开口C2时,能够去除第一绝缘层140、第1-1绝缘层145以及第二绝缘层160。可以存在第一保护层165,以便填充在第一下方弯折部BA1-3形成的第一开口C1和第二开口C2。
数据线、驱动电压线、电压传递线、包括晶体管TR(参考图3)的源电极173(参考图3)和漏电极175(参考图3)的数据导电体170位于第二绝缘层160上。数据导电体170可以在与平坦区域FA和第一上方弯折部BA1-1对应的区域与位于其下方的栅极导电体电连接而构成晶体管TR(参考图3)的一部分。
第三绝缘层180位于第二绝缘层160和数据导电体170上。第三绝缘层180可以包含有机绝缘物质。
上方连接布线175a可以位于第三绝缘层180上。在第三绝缘层180可以形成开口,使上方连接布线175a与位于其下方的数据导电体170电连接。在此,位于平坦区域FA和第一上方弯折部BA1-1的上方连接布线175a可以对应于构成发光元件LD(参考图3)的第一电极E1(参考图3)。也就是说,虽然从方便说明角度未图示,但是还包括发光层EL(参考图3)和第二电极E2(参考图3)的发光元件LD可以位于上方连接布线175a上。由此,在第一弯折区域BA1向显示装置100下方面弯折的状态下,发光元件LD还可以位于弯折的下方侧面,而在弯折的下方侧面也能够显示影像。
根据前述,根据一实施例的显示装置100在第一弯折区域BA1去除无机连续膜,特别是在与显示装置100的平坦区域FA相邻的第一上方弯折部BA1-1也去除无机连续膜的一部分即阻挡层115和缓冲层120,从而能够显著减少第一弯折区域BA1中的无机连续膜的厚度。因此,在柔性的显示装置100中,通过缓解弯折区域被弯折时所受的应力、冲击,能够防止在显示装置100产生的裂纹、布线损伤、断线以及劣化等的不良。
以下,使用图5,简要地说明根据一实施例的显示装置的特性。图5是简要示出针对图1的III-III'线的截面的另一例子的截面图。以下,以与前述的图4的实施例不同的部分为主进行说明。
参考图5,根据一实施例的显示装置100可以包括基板110、阻挡层115、缓冲层120、半导体层154、第一绝缘层140、栅极导电体、第二绝缘层160、数据导电体170、第三绝缘层180以及上方连接布线175a等。
此时,在栅极导电体上没有第1-1绝缘层145(参考图4)而第二绝缘层160直接位于栅极导电体上。在对应于第一下方弯折部BA1-3的区域形成的第一开口C1和第二开口C2可以由第三保护层180填充而不是第一保护层165(参考图4)。据此,与根据图4的显示装置100相比,具有掩膜数量减少并能够减少工艺和费用的优点。
以下,使用图6和图7,针对根据一实施例的显示装置进行说明。图6是概要示出根据一实施例的显示装置的分解立体图,图7是示出针对图6的VII-VII'线的截面的截面图。
与图6一起参考图7,根据一实施例的显示装置1000还包括窗部件W、支承部件SM以及背面壳体500。
窗部件W布置于显示装置100’的上方,可以具有局部弯折的形状,以与显示装置100’的形状对应。窗部件W的上面可以对应于显示装置100’的平坦区域FA。窗部件W可以由玻璃、蓝宝石、塑料等透明的材质构成。
窗部件W可以包括窗的上面WF、第一窗弯折部W1、第二窗弯折部W2、第三窗弯折部W3、第四窗弯折部W4。窗的上面WF、第一窗弯折部W1、第二窗弯折部W2、第三窗弯折部W3、第四窗弯折部W4可以物理上不分离,但是在本实施例中从方便角度区分说明。
窗的上面WF可以与由第一方向和第二方向定义的平面平行,并具有平坦(flat)的形状。在本实施例中,从第三方向观看时,窗的上面WF可以定义为棱角被实施倒角(chamfer)而成为曲线的四边形形状,但是不限于此。
第一窗弯折部W1、第二窗弯折部W2、第三窗弯折部W3、第四窗弯折部W4可以从窗的上面WF的四个边分别延伸,具有以窗的上面WF的四个边的各个为基准弯曲的形状。第一窗弯折部W1、第二窗弯折部W2、第三窗弯折部W3、第四窗弯折部W4可以在窗部件W的上方向下方方向弯折。
第一窗弯折部W1可以包括第一窗上方弯折部W1-1和第一窗延伸部W1-2。第二窗弯折部W2可以包括第二窗上方弯折部W2-1和第二窗延伸部W2-2。同样,虽然未图示,但是第三窗弯折部W3可以包括第三窗上方弯折部和第三窗延伸部,第四窗弯折部W4可以包括第四窗上方弯折部W4-1和第四窗延伸部W4-2。
第一窗弯折部W1、第二窗弯折部W2、第三窗弯折部W3、第四窗弯折部W4可以分别是对应于显示装置100’的第一弯折区域BA1、第二弯折区域BA2、第三弯折区域BA3、第四弯折区域BA4的形状。
显示装置100’与图1和图2中说明的显示装置100的结构相同,因此省略详细的说明。根据图7的显示装置1000包括柔性印刷电路板(Flexible Printed Circuit Board)FPCB和印刷电路板(Printed Circuit Board)PCB。
柔性印刷电路板FPCB具有柔性的特性,可以将显示装置100’和印刷电路板PCB电连接。柔性印刷电路板FPCB和印刷电路板PCB可以布置在第一弯折区域BA1的第一下方弯折部BA1-3的一端部。印刷电路板PCB可以通过柔性印刷电路板FPCB向显示装置100’输出电信号或者从显示装置100’接收电信号。
显示装置100’可以位于窗部件W的下方。如前所述,在显示装置100’中形成像素PX,从而能够显示影像。显示装置100’可以是包括发光元件LD的有机发光显示装置(Organic Light Emitting Display)。
显示装置100’可以包括平坦区域FA、第一弯折区域BA1、第二弯折区域BA2、第三弯折区域BA3、第四弯折区域BA4。平坦区域FA可以与由第一方向和第二方向定义的平面平行,并具有平坦的形状。平坦区域FA可以与窗的上面WF重叠。
在弯折区域BA1、BA2、BA3、BA4之间可以存在倒角部分CP(Chamfered portion),以使得沿着平坦区域FA的四个边存在的第一弯折区域BA1、第二弯折区域BA2、第三弯折区域BA3、第四弯折区域BA4容易弯曲。
第一上部弯折部BA1-1、第二上部弯折部BA2-1、第三上部弯折部(未图示)、第四上部弯折部(未图示)(参考图2)从平坦区域FA的四个边分别延伸,可以具有以平坦区域FA的四个边的各个为基准向显示装置100’的下方面弯曲的形状。
虽然未图示,但是触摸屏面板还可以位于窗部件W和显示装置100’之间。触摸屏面板可以包括能够感测来自外部的触摸的区域即触摸区域和位于触摸区域的周边的触摸边框区域。在触摸区域可以形成多个触摸单元。触摸单元是能够感测外部触摸的单元,包括至少一个触摸电极,能够通过互电容式(mutual capacitive type)或自电容式(selfcapacitive type)等多种方式感测来自外部的触摸,输出触摸输出信号。
支承部件SM可以位于显示装置100’的背面。支承部件SM可以包括第一弯折区域BA1、第二弯折区域BA2、第三弯折区域BA3、第四弯折区域BA4。第一支承部件SM1、第二支承部件SM2、第三支承部件SM3、第四支承部件SM4可以位于与位于显示装置100’的四个边的第一支承部件SM1、第二支承部件SM2、第三支承部件SM3、第四支承部件SM4的各个对应的位置。
支承部件SM与显示装置100’的弯折区域BA对应地布置,从而支承显示装置100’的弯折区域BA,能够提高显示装置100’的结构强度。此外,通过支承部件SM将显示装置100’的周边区域PA布置于与窗部件W不重叠的位置,在与窗部件W重叠的位置布置显示影像的显示装置100’的弯折区域BA,能够在显示装置100’中减少不显示影像的区域即周边区域PA。
背面壳体500可以与窗部件W结合,以容纳显示装置100’和支承部件SM。背面壳体500可以包含塑料或金属。
根据一实施例的显示装置1000可以还包括电子部件600。电子部件600可以布置在显示装置100’的下方和支承部件SM之间的空间。电子部件600可以是用于使显示装置1000工作的部件、例如电池、各种传感器。
以上,针对本公开的实施例详细地进行了说明,但是本公开的权利范围不限于此,本领域人员利用权利要求书中所定义的本公开的基本概念进行多种变形和改良形式也属于本公开的权利范围。
Claims (20)
1.一种显示装置,其中,所述显示装置包括基板,所述基板包括平坦区域和与所述平坦区域相邻的第一弯折区域,
所述第一弯折区域向远离所述平坦区域的方向依次包括第一上方弯折部、第一延伸部、以及第一下方弯折部,
在所述平坦区域布置晶体管,
与所述晶体管电连接的发光元件位于所述平坦区域和所述第一上方弯折部,
所述发光元件包括弯折发光层,从而在所述平坦区域和所述第一上方弯折部显示影像,
位于所述第一弯折区域的无机连续膜的厚度比位于所述平坦区域的无机连续膜的厚度薄。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述无机连续膜包括阻挡层、缓冲层、第一绝缘层、以及第二绝缘层中的至少一个。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,
在对应于所述平坦区域的部分,所述阻挡层和所述缓冲层依次位于所述基板上。
4.根据权利要求2所述的显示装置,其中,
所述晶体管包括半导体层、位于所述半导体层上的栅电极、与所述栅电极电连接的源电极和漏电极。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,
所述半导体层位于所述缓冲层上,
所述第一绝缘层位于所述半导体层上,
包括所述栅电极的栅极导电体位于所述第一绝缘层上,
所述第二绝缘层位于所述栅极导电体上,
包括所述源电极和所述漏电极的数据导电体位于所述第二绝缘层上。
6.根据权利要求2所述的显示装置,其中,
在对应于所述第一弯折区域的部分,在所述阻挡层和所述缓冲层形成有第一开口。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,
在对应于所述第一下方弯折部的区域,在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层还形成有第二开口。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,
所述第一开口和所述第二开口由第一保护层填充,
所述第一保护层包含有机物质。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述弯折发光层位于与所述平坦区域的一部分和所述第一上方弯折部的一部分对应的部分。
11.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第一弯折区域以相邻的所述平坦区域的边为基准向所述平坦区域的下方弯曲。
12.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第一上方弯折部、所述第一延伸部以及所述第一下方弯折部以彼此相邻的边为基准弯折。
13.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
沿着所述平坦区域的边缘还包括第二弯折区域、第三弯折区域、以及第四弯折区域中的至少一个。
14.根据权利要求13所述的显示装置,其中,
所述第二弯折区域、所述第三弯折区域、以及所述第四弯折区域以相邻的所述平坦区域的边为基准向所述平坦区域的下方弯曲。
15.根据权利要求13所述的显示装置,其中,
弯折发光层位于所述第二弯折区域、所述第三弯折区域、以及所述第四弯折区域的一部分而显示影像。
16.根据权利要求5所述的显示装置,其中,
第三绝缘层位于所述数据导电体上,
第一电极位于所述第三绝缘层上,
发光层位于所述第一电极上,
第二电极位于所述发光层上,
所述发光元件由所述第一电极、所述发光层、以及所述第二电极构成,
所述发光层包括第一发光层和所述弯折发光层。
17.根据权利要求16所述的显示装置,其中,
第四绝缘层位于所述第一电极上,
所述弯折发光层位于所述第四绝缘层之上且所述第二电极之下。
18.根据权利要求5所述的显示装置,其中,
由与所述数据导电体相同的物质构成的连接布线位于与所述第一下方弯折部对应的区域,
所述连接布线将位于所述第一下方弯折部的两侧的第一布线和第二布线电连接,从而向所述第一上方弯折部和所述平坦区域传递电信号。
19.根据权利要求18所述的显示装置,其中,
所述连接布线在所述第一下方弯折部弯折时一起弯曲。
20.根据权利要求16所述的显示装置,其中,
在所述发光元件上还包括封装层,以覆盖所述发光元件,
所述封装层包括一个以上无机层和一个以上有机层。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2019-0011860 | 2019-01-30 | ||
KR1020190011860A KR20200094874A (ko) | 2019-01-30 | 2019-01-30 | 표시 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111509133A true CN111509133A (zh) | 2020-08-07 |
Family
ID=69326438
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010069502.5A Pending CN111509133A (zh) | 2019-01-30 | 2020-01-21 | 显示装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20200243781A1 (zh) |
EP (1) | EP3690951B1 (zh) |
KR (2) | KR20200094874A (zh) |
CN (1) | CN111509133A (zh) |
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2019
- 2019-01-30 KR KR1020190011860A patent/KR20200094874A/ko active Application Filing
- 2019-12-06 US US16/705,489 patent/US20200243781A1/en active Pending
-
2020
- 2020-01-21 CN CN202010069502.5A patent/CN111509133A/zh active Pending
- 2020-01-27 EP EP20153896.4A patent/EP3690951B1/en active Active
-
2024
- 2024-08-08 KR KR1020240106056A patent/KR20240123797A/ko active Application Filing
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |