CN111489974A - 一种集成电路局部缺陷修补工艺 - Google Patents

一种集成电路局部缺陷修补工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN111489974A
CN111489974A CN202010283598.5A CN202010283598A CN111489974A CN 111489974 A CN111489974 A CN 111489974A CN 202010283598 A CN202010283598 A CN 202010283598A CN 111489974 A CN111489974 A CN 111489974A
Authority
CN
China
Prior art keywords
circuit
carbon
carbon nano
printing
integrated circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010283598.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111489974B (zh
Inventor
梁学磊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Huatan Yuanxin Electronic Technology Co ltd
Beijing Yuanxin Carbon Based Integrated Circuit Research Institute
Peking University
Original Assignee
Beijing Huatan Yuanxin Electronic Technology Co ltd
Beijing Yuanxin Carbon Based Integrated Circuit Research Institute
Peking University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Huatan Yuanxin Electronic Technology Co ltd, Beijing Yuanxin Carbon Based Integrated Circuit Research Institute, Peking University filed Critical Beijing Huatan Yuanxin Electronic Technology Co ltd
Priority to CN202010283598.5A priority Critical patent/CN111489974B/zh
Publication of CN111489974A publication Critical patent/CN111489974A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111489974B publication Critical patent/CN111489974B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/12Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4821Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
    • H01L21/4825Connection or disconnection of other leads to or from flat leads, e.g. wires, bumps, other flat leads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76886Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76886Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances
    • H01L21/76892Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances modifying the pattern
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/20Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

本发明提供一种集成电路局部缺陷修补工艺,所述工艺包括在集成电路的局部缺陷处用印刷碳基墨水的方式重建电路,其中所述重建电路中包含以碳纳米材料为沟道层的碳基晶体管。本发明提供的工艺采用印刷电子加工技术结合高性能碳基晶体管可低温加工的特点,对电路中的缺陷或者失效的元件进行修补和替代,可提高良率,降低成本,提高经济效益。

Description

一种集成电路局部缺陷修补工艺
技术领域
本发明属于集成电路工艺领域,尤其涉及一种集成电路局部缺陷修补工艺。
背景技术
当代半导体制造工艺过程(如半导体芯片、显示面板等)都包括了多道工艺步骤(有的多达几十、上百步),由于无法做到所有工艺步骤的100%可控,不可避免的会在产品(芯片、面板)中出现缺陷和错误。比如,一颗灰尘颗粒有可能导致应该联通的金属布线中断,或者反之使得本应断开的导线产生短路。除了导线,电路元件(如晶体管、二极管、电容等)也可能会由于工艺控制不好而失效,由此可能导致整个芯片或者面板成为不合格产品,限制了产品生产的良率。低的良率会导致成本的上升和效益的下降甚至亏损。因此对不合格的芯片或面板进行补救,使之成为合格产品,是降低成本提高效益的重要手段。
尽管在制造过程中已经有一些对缺陷和错误的挽救措施,比如显示背板生产中对短路的部分可以用激光进行切断,切断后用绝缘层将该短路部分钝化(见美国专利US20020153539A1)。此外,由于集成电路中一个电路元件的制造与整个芯片或者面板的制作工艺步骤几乎是相同的,其中有些步骤工艺温度较高,如果在挽救一个失效的晶体管过程中重复这些高温步骤,则有可能破坏其他所有原本正常的元件。因此,对于有缺陷或者失效的电路元件很难挽救。
目前金属导电层和绝缘介质层都有成熟的低温印刷加工技术,如喷墨印刷Ag墨水,喷墨印刷氧化物的溶胶、聚合物或光刻胶等并,印刷后的墨水可以采用紫外固化或者较低的温度(200-300℃)加热固化。沟道层材料如果采用半导体碳纳米管墨水或者氧化物溶胶墨水并固化的话,由于涉及的温度较低,不会对原有电路产生破坏。目前现有技术中,虽有关于碳纳米管、碳纤维墨水用于印刷导电线路相关公开文献,但未见将碳基导电墨水用于集成电路局部缺陷修复的工艺。
发明内容
本发明针对以上现有技术中存在的缺乏低温修复集成电路局部缺陷工艺技术的问题,提出一种在较低温度下修复集成电路局部缺陷的工艺。
本发明采用印刷电子加工技术对集成电路中的缺陷或错误进行修补。比如,对于断裂的金属导线,在断裂处印刷(喷墨打印,气溶胶打印等方式)导电墨水,使断裂的导线重新实现电学连接。对于失效的电路元件,同样使用印刷电子加工技术,分别形成导电金属层,绝缘介质层,半导体沟道层等,重新构建一个功能正常的晶体管,从而使得整个芯片的功能恢复正常。特别需要指出的是,由于原来的集成电路加工步骤已经完成,在修补过程中不能再采用高温工艺。因此本发明中采用碳纳米材料为晶体管的沟道层,利用碳基晶体管可低温印刷加工的优势来对电路进行修补,能够避免高温过程对原有电路的破坏。
本发明的技术方案具体如下:
提供一种集成电路局部缺陷修补工艺,所述工艺包括在集成电路的局部缺陷处用印刷碳基墨水的方式重建电路,其中所述重建电路中包含以碳纳米材料为沟道层的碳基晶体管。
优选地,所述印刷碳基墨水或重建电路的操作温度低于450℃,进一步优选低于250℃。
优选地,所述集成电路的局部缺陷为断路、短路或元件失效。
优选地,所述印刷的方式为喷墨印刷或气溶胶印刷。
优选地,所述碳基墨水以碳纳米材料为导电材料。
优选地,所述碳纳米材料包括碳纳米管、碳纳米线、石墨烯、富勒烯、碳纳米纤维、碳纳米球等,其中碳纳米管包括单壁、多壁碳纳米管。
优选地,所述工艺还包含采用激光切割或激光熔断的方式将集成电路中的局部缺陷与其他部分断开。
优选地,所述工艺还包含在局部缺陷处印刷或沉积绝缘层,然后在绝缘层上印刷或沉积新的电路器件。
优选地,所述绝缘层为光刻胶、氧化物溶胶、氮化硅、二氧化硅、氧化铝或氧化铪。
优选地,所述新的电路器件包含以碳纳米材料为沟道层的碳基晶体管。
本发明采用印刷电子加工技术,结合高性能碳基晶体管可低温加工的特点,对电路中的缺陷或者失效的元件进行修补和替代,从而提高良率,降低成本,提高经济效益。
附图说明
通过以下参照附图对本发明的集成电路局部缺陷修补工艺进行描述,本发明的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚,在附图中:
图1为对失效电路进行修复的流程图;
图2为确定失效元件位置示意图;
图3为涂覆光刻胶对正常电路进行保护示意图;
图4为切断失效元件示意图;
图5为涂覆绝缘层并形成包含碳纳米材料为沟道层的重建电路示意图;
图6为将重建电路与原有正常电路进行互联示意图;
图7为去除光刻胶完成集成电路修复示意图;
具体实施方式
下面将参照附图详细说明本发明的实施方式。在各附图中,相同的元件采用相同的附图标记来表示,附图中的各个部分没有按比例绘制。此外,可能未示出某些公知的部分。为了简明起见,可以在一幅图中描述经过数个步骤后获得的半导体结构。
应当理解,在描述器件的结构时,当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时,可以指直接位于另一层、另一个区域上面,或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且,如果将器件翻转,该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。
如果为了描述直接位于另一层、另一个区域上面的情形,本文将采用“A直接在B上面”或“A在B上面并与之邻接”的表述方式。在本申请中,“A直接位于B中”表示A位于B中,并且A与B直接邻接,而非A位于B中形成的掺杂区中。
以下结合实施例进一步说明本发明。
实施例1
本实施例提供一种集成电路局部断路缺陷的修补工艺,所述集成电路上存在一处局部断路缺陷,导致该集成电路失效。按照本发明提供的工艺,在确认断路缺陷位置后,采用喷墨印刷的方式将含有单壁碳纳米管的导电墨水印刷至该断路缺陷位置,使该断路恢复通路。所述印刷含有单壁碳纳米管的导电墨水的操作温度为450℃以下。在另一实施例中,上述操作为度可以为250℃以下。
实施例2
本实施例提供一种集成电路局部短路缺陷的修补工艺,所述集成电路上存在一处局部短路缺陷,导致该集成电路失效。按照本发明提供的工艺,在确认短路缺陷位置后,采用激光切割的方式将短路部分与其他部分断开,然后在切断处用印刷电子加工技术涂覆绝缘层覆盖住被隔离出来的短路部分以便进行下一步修补。然后再用印刷电子加工技术印刷碳纳米管墨水建立正确的电路连接。所述印刷含有单壁碳纳米管的导电墨水的操作温度为450℃以下。在另一实施例中,上述操作温度可以为250℃以下。
实施例3
本实施例提供一种集成电路局部电路元件失效缺陷的修补工艺,具体流程如图1所示,图2-图7展示了具体的工艺步骤。所述集成电路上存在一处局部电路失效元件101(如:晶体管、电容、电阻等),导致该集成电路失效。按照本发明提供的工艺,在确认失效元件101位置后,先用印刷电子加工的技术在该处周围涂覆一定图案化光刻胶103(如图3所示),用于保护周围正常电路102在后续的修补过程中不受影响,然后先用激光熔断的方式将该元件与其他正常电路102断开(如图4所示),然后在该处用印刷电子加工技术涂覆绝缘层104将该失效元件覆盖住并干燥,确保失效元件与整个电路完全隔离,在本实施例中,绝缘层104为氧化物墨水,而在其他的实施例中,绝缘层104可以为氧化物溶胶、氮化硅、二氧化硅、氧化铝或氧化铪。然后在该绝缘层上进一步制作含有晶体管、电容、电阻等器件的新建电路,其中上述新建电路中包含以石墨烯为沟道层的碳基晶体管105(如图5所示),最后连通新建电路与原有电路(如图6所示),后续可去除开始涂覆的用于保护正常电路的光刻胶,获得修复好的集成电路(如图7所示)。在本实施例中,新建电路的操作温度为450℃。在其他的一些实施例中,新建电路的操作温度采用低于450℃的温度。
实施例4
本实施例提供另一种集成电路局部电路元件失效缺陷的修补工艺,具体流程如图1所示,图2-图7展示了具体的工艺步骤,其中具体工艺与实施例1中实现上有所不同。上述集成电路上存在一处局部失效元件101,导致该集成电路失效。按照本实施例提供的工艺,在确认失效元件101位置后(如图2所示),先用印刷电子加工的技术在失效元件101周围涂覆一图案化的光刻胶103(如图3所示),用于保护周围正常电路102在后续的修补过程中不受影响。再用激光熔断切割方式将失效元件101与其他正常电路102断开(如图4所示),然后在采用印刷加工的方式涂覆绝缘层104覆盖住失效元件101,确保失效元件101与整个电路的彻底隔离。在本实施例中,绝缘层104为氧化物溶胶,而在其他的实施例中,绝缘层104可以为光刻胶、氮化硅、二氧化硅、氧化铝或氧化铪。之后在绝缘层104上进一步制作含有晶体管、电容、电阻等器件的新建电路(如图5所示),并连通新建电路与原有电路,其中上述新建电路包含碳纳米纤维为沟道层的碳基晶体管105(如图6所示)。后续可去除开始涂覆的用于保护正常电路的光刻胶,获得修复好的集成电路(如图7所示)。在本实施例中,新建电路的操作温度为250℃。在其他的一些实施例中,新建电路的操作温度采用低于250℃的温度。
应当注意,上述实施例中仅仅描述了新建电路包含以石墨烯或碳纳米纤维为沟道层的碳基晶体管,但碳纳米材料可以包括碳纳米管、碳纳米线、石墨烯、富勒烯、碳纳米纤维、碳纳米球等,其中碳纳米管还包括单壁、多壁碳纳米管,本领域技术人员可以根据新建电路所需的器件或工艺条件选择合适的沟道层材料。
虽然,上文中已经用一般性说明、具体实施方式,对本发明作了详尽的描述,但在本发明基础上,可以对之作一些修改或改进,这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此,在不偏离本发明精神的基础上所做的这些修改或改进,均属于本发明要求保护的范围。

Claims (10)

1.一种集成电路局部缺陷修补工艺,其特征在于:所述工艺包括在集成电路的局部缺陷处用印刷碳基墨水的方式重建电路,其中所述重建电路中包含以碳纳米材料为沟道层的碳基晶体管。
2.如权利要求1所述的集成电路局部缺陷修补工艺,其特征在于:所述印刷碳基墨水或重建电路的操作温度低于450℃,进一步优选低于250℃。
3.如权利要求1所述的集成电路局部缺陷修补工艺,其特征在于:所述集成电路的局部缺陷为断路、短路或电路元件失效。
4.如权利要求1所述的集成电路局部缺陷修补工艺,其特征在于:所述印刷的方式为喷墨印刷或气溶胶印刷。
5.如权利要求1所述的集成电路局部缺陷修补工艺,其特征在于:所述碳基墨水以碳纳米材料为导电材料。
6.如权利要求1或5所述的集成电路局部缺陷修补工艺,其特征在于:所述碳纳米材料包括碳纳米管、碳纳米线、石墨烯、富勒烯、碳纳米纤维、碳纳米球等,其中碳纳米管包括单壁、多壁碳纳米管。
7.如权利要求1所述的集成电路局部缺陷修补工艺,其特征在于:所述工艺进一步包含采用激光切割或激光熔断的方式将集成电路中的局部缺陷与其他部分断开。
8.如权利要求1所述的集成电路局部缺陷修补工艺,其特征在于:所述工艺进一步包含在局部缺陷处印刷或沉积绝缘层,然后在绝缘层上印刷或沉积新的电路器件。
9.如权利要求8所述的集成电路局部缺陷修补工艺,其特征在于:所述绝缘层为光刻胶、氧化物溶胶、氮化硅、二氧化硅、氧化铝或氧化铪。
10.如权利要求8所述的集成电路局部缺陷修补工艺,其特征在于:所述新的电路器件包含以碳纳米材料为沟道层的碳基晶体管。
CN202010283598.5A 2020-04-13 2020-04-13 一种集成电路局部缺陷修补工艺 Active CN111489974B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010283598.5A CN111489974B (zh) 2020-04-13 2020-04-13 一种集成电路局部缺陷修补工艺

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010283598.5A CN111489974B (zh) 2020-04-13 2020-04-13 一种集成电路局部缺陷修补工艺

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111489974A true CN111489974A (zh) 2020-08-04
CN111489974B CN111489974B (zh) 2021-12-31

Family

ID=71811806

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010283598.5A Active CN111489974B (zh) 2020-04-13 2020-04-13 一种集成电路局部缺陷修补工艺

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111489974B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114068683A (zh) * 2022-01-17 2022-02-18 深圳市威兆半导体有限公司 屏蔽栅极金氧半场效晶体管元胞结构、晶体管及制造方法
WO2023029219A1 (zh) * 2021-09-01 2023-03-09 长鑫存储技术有限公司 集成电路修补方法、装置、电子设备和存储介质

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040148765A1 (en) * 2003-02-04 2004-08-05 International Business Machines Corporation Electronic package repair process
US20070224824A1 (en) * 2006-03-23 2007-09-27 International Business Machines Corporation Method of repairing process induced dielectric damage by the use of gcib surface treatment using gas clusters of organic molecular species
US20130113071A1 (en) * 2011-11-04 2013-05-09 Min-Yung LEE Semiconductor device with fuse
CN103744201A (zh) * 2013-12-31 2014-04-23 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板的修复方法及修复系统
CN207587689U (zh) * 2017-12-14 2018-07-06 南京仁厚科技有限公司 一种可修复碳纤维载板
CN110964353A (zh) * 2018-12-19 2020-04-07 拓普纳诺斯株式会社 损伤的载物台修复用溶液组合物、损伤的载物台修复方法及损伤的载物台的抗静电涂布方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040148765A1 (en) * 2003-02-04 2004-08-05 International Business Machines Corporation Electronic package repair process
US20070224824A1 (en) * 2006-03-23 2007-09-27 International Business Machines Corporation Method of repairing process induced dielectric damage by the use of gcib surface treatment using gas clusters of organic molecular species
US20130113071A1 (en) * 2011-11-04 2013-05-09 Min-Yung LEE Semiconductor device with fuse
CN103744201A (zh) * 2013-12-31 2014-04-23 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板的修复方法及修复系统
CN207587689U (zh) * 2017-12-14 2018-07-06 南京仁厚科技有限公司 一种可修复碳纤维载板
CN110964353A (zh) * 2018-12-19 2020-04-07 拓普纳诺斯株式会社 损伤的载物台修复用溶液组合物、损伤的载物台修复方法及损伤的载物台的抗静电涂布方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023029219A1 (zh) * 2021-09-01 2023-03-09 长鑫存储技术有限公司 集成电路修补方法、装置、电子设备和存储介质
CN114068683A (zh) * 2022-01-17 2022-02-18 深圳市威兆半导体有限公司 屏蔽栅极金氧半场效晶体管元胞结构、晶体管及制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN111489974B (zh) 2021-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111489974B (zh) 一种集成电路局部缺陷修补工艺
CN102870508B (zh) 用于制造透明印刷电路的方法和用于制造透明触摸板的方法
US9773990B1 (en) Semiconductor device
US8094428B2 (en) Wafer grounding methodology
JPWO2008075642A1 (ja) 半導体装置及びその製造方法
CN102368478A (zh) 导线的修补方法以及显示面板的修补方法
JP2008299313A (ja) 薄膜トランジスタアレイパネル
CN104051455B (zh) 阵列基板及其制备方法、显示装置
TW202111971A (zh) 發電元件、發電裝置、電子機器及發電元件之製造方法
US10020190B2 (en) Nano-heterostructure
JP4855757B2 (ja) カーボンナノチューブパッド及び電子デバイス
WO2016009767A1 (ja) 電子デバイスおよびその製造方法、並びに電子機器
WO2020077742A1 (zh) 一种tft阵列基板的断线修复方法
TWI313763B (en) Electrostatic discharge guiding structure and liquid crystal display having the same
JP6887696B2 (ja) ヒューズ素子、フレキシブル配線基板及びバッテリーパック
CN105308668B (zh) 薄膜晶体管阵列及其制造方法、图像显示装置及显示方法
JP6739198B2 (ja) 表示装置用アレイ基板、表示装置、表示装置用アレイ基板の製造方法、および、表示装置の製造方法
JP2812346B2 (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
JP2018073860A (ja) 薄膜トランジスタアレイ基板、薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法及び画像表示装置
JP2020063040A (ja) 抵抗加熱回路、加熱または防氷航空機構造、および抵抗加熱回路の作成方法
CN101814491A (zh) 具有熔丝的集成电路与其系统
TWI639550B (zh) 奈米異質結構的製備方法
JP6226262B2 (ja) フレキシブル配線基板の実装構造及びその製造方法
CN112888185A (zh) 一种柔性电路的制备方法及产品和应用
TWI394708B (zh) 一維奈米材料之轉印方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant