CN111446357B - 一种制备Cu2Se热电材料的方法 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 claims abstract description 63
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 24
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 77
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 70
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 33
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 24
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 claims description 22
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 20
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 18
- 239000006004 Quartz sand Substances 0.000 claims description 11
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 7
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 abstract description 3
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000011112 process operation Methods 0.000 abstract description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 11
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 10
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 10
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 9
- 239000010431 corundum Substances 0.000 description 7
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 6
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 5
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 4
- 238000003723 Smelting Methods 0.000 description 3
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 2
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical group [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910001291 heusler alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000009461 vacuum packaging Methods 0.000 description 1
- 239000002918 waste heat Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/01—Manufacture or treatment
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
- C01B19/007—Tellurides or selenides of metals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/852—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising tellurium, selenium or sulfur
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Abstract
本发明公开了一种制备Cu2Se热电材料的方法,该方法利用湿法球磨—微波合成—湿法球磨—急速热压的工艺流程,快速制得Cu2Se块体材料,该方法原料混合均匀、升温速率快、合成时间短、工艺操作简单、耗能低、生产成低、生产周期短、设备要求简单,可得到高纯无杂相的Cu2Se块体材料,极大的提高了该热电材料的制备效率,适用于大规模生产制备。
Description
技术领域
本发明涉及到一种Cu2Se热电材料的制备方法,具体涉及到一种工艺简单、耗时少的Cu2Se热电半导体材料的制备方法,属于新能源材料技术领域。
背景技术
热电材料是一种可以实现热能和电能相互转化的能源材料,其塞贝克效应能够将热能转化为电能,其热电转化效率取决于材料本身的ZT值与冷热两端的温差,其中ZT为热电优值,是衡量热电材料最重要的无量纲参数,ZT=σS2T/κ,其中σ为电导率,S为塞贝克系数,T为绝对温度,κ为总热导率。热电材料的优点在于,无机械运动、高可靠性、高寿命,是余热回收、空间电池、空间制冷领域的重要材料。目前,世界广泛研究的热电材料主要为:Bi2Te3,SnSe,PbTe,方钴矿,SiGe,Cu基类金刚石类热电材料,Cu2Se类液态热电材料,Half-Heusler合金热电材料等等。
Cu、Se元素可构成CuSe、Cu2Se、Cu3Se2以及CuSe2等化合物,其中,具有良好热电性能性质的化合物有CuSe、Cu2Se。
Cu2Se作为“声子液体—电子晶体”特征的热电材料,因其具有良好的电性能与极低的热导率从而引起广泛的关注,数据表明,Cu2Se在400K左右会有明显的相变点,由α-Cu2Se转变为β-Cu2Se,并在相变点具有极高的塞贝克系数;在高温下,β-Cu2Se为反萤石结构相,具有良好的电输运通道,并且Cu离子都在晶格间隙位置可以进行自由迁移,从而对声子产生强烈散射,降低了声子的平均自由程;通过工艺优化、能带工程优化后,Cu2Se的ZT值能够在1000K温度下达到1.5~2.1。李雨在CN109439939A中采用微波熔融、热压烧结制备了CuSe块状化合物,并表征其热电性能在700K下达到0.35。与Cu2Se相比,CuSe化合物的熔点仅387℃,无法在400℃以上的温区使用,高温下热电材料稳定性较低,且ZT值在700K下仅为Cu2Se的50%。单一的微波熔炼法可以顺利制备CuSe化合物,但是难以制备Cu2Se化合物,原因是:1、混料不均会导致合成过程中产生其它Cu、Se化合物;2、传统的吸波材料难以使微波温度迅速的达到熔点,无法实现微波熔炼。
Cu2Se的制备难点在于:其熔点温度为1113℃,熔点高,且Cu、Se元素的熔点相差较大,在制备过程中Se元素容易挥发。其制备方法主要包括水热合成法,自蔓延高温合成法,高温熔融法、SPS一步高温合成法。这些制备方法中,水热合成法、自蔓延高温合成法、高温熔融法所需的制备时间较长,而SPS一步高温合成法具有反应快,制备周期短的优点,但是设备造价高昂。
因此,目前还缺少更便于工业化推广的Cu2Se热电材料的制备方法。
发明内容
针对现有Cu2Se热电材料的制备方法存在的生产成本高、生产周期长等不足,本发明提供了一种制备Cu2Se热电材料的方法,该方法通过湿法球磨—微波合成—湿法球磨—急速热压的工艺流程,具有混料均匀、升温速率快、生产周期短、工艺简单、生产成本和能耗低、操作方便、所得产品致密度高、具有可批量生产的优点。
本发明具体技术方案如下:
一种制备Cu2Se热电材料的方法,该方法包括以下步骤:
(1)将铜粉、硒粉球磨混合均匀,然后冷压得块体;
(2)将冷压得到的块体装入石英管中抽真空密封,然后将密封好的石英管埋入吸波材料中进行微波合成,所用微波材料为石墨粉和石英砂的混合物;
(3)将微波合成后的块体破碎、球磨;
(4)将球磨所得粉料进行急速热压烧结,得Cu2Se热电材料。
进一步的,步骤(1)中, Cu粉和Se粉为原料,Cu粉和Se粉的纯度在99.99%或以上,原料粒度一般在200目以下。Cu粉和Se粉的摩尔比为2∶1。
进一步的,步骤(1)中,将铜粉、硒粉采用湿法球磨的方式混合均匀。球磨在无水乙醇存在下进行,球磨转速为100-300转/分,球磨时间为20-30分钟,球料比为40-60:1。球磨的研磨介质可以是本领域常用的、不会对原料产生影响的研磨介质,例如无水乙醇。球磨混料与添加乙醇球磨是本发明实现的关键,球磨可以实现原料的均匀混合;加入乙醇可以防止球磨过程中产生高温、防止原料氧化、防止产生其他杂质相(如Cu3Se2)、防止原料的摩尔比发生变化。
进一步的,步骤(1)中,冷压为室温下冷压,将混合均匀的原料在40-50MPa下恒压5-10分钟,即可得到压块。冷压所得压块的形状可以随意控制,在本发明一个具体实施方式中,压块为圆柱型,将所有原料压成一个圆柱型压块,压块的底面半径为10-15mm。
进一步的,步骤(2)中,冷压得到的块体装入石英管中抽真空密封,石英管优选为内壁镀碳的石英管。真空密封可以采用本领域常规方法。例如,将冷压得到的块体装入石英管中,利用真空封装机与真空泵对石英管内部进行真空化,抽真空至10-2Pa以下,火焰熔封形成真空密闭的环境。
进一步的,步骤(2)中,密封好的石英管放入刚玉坩埚中,刚玉坩埚的内壁四周和底部均匀铺设一层耐火棉,刚玉坩埚中再加入吸波材料,使石英管埋入吸波材料中,从而保证微波合成的温度能够达到形成Cu2Se的温度。所述吸波材料是本发明实现的关键,是发明人经过大量的实验筛选得到的,其为石墨粉和石英砂的混合物。只有采用该吸波材料,才能保证铜粉和硒粉能够通过微波的方式合成纯的Cu2Se。
进一步的,步骤(2)中,上述吸波材料中,石墨粉的纯度在99.9%或以上,粒度小于等于100目。石英砂加入少量即可,石英砂的用量为吸波材料总质量的20%-35%,粒度为20目-40目即可。
进一步的,步骤(2)中,微波合成采用实验室常用的微波实验装置即可。微波功率为700-900W,微波合成时间为5-10分钟。本发明微波合成Cu2Se的过程仅需5-10min,极大的缩减了合成制备时间,大大缩短了制备周期。
进一步的,步骤(3)中,将微波合成后的块体破碎后进行球磨。为了使球磨更好的进行,可以将破碎的块体先进行手工研磨,研磨至200μm左右再进行球磨。球磨在无水乙醇存在下进行,球磨转速为150-200转/分,球磨时间为1-2h,球料比为40-60:1。湿法球磨可以进一步降低杂质相的产生。
进一步的,步骤(4)中,急速热压烧结再急速热压炉中进行,热压在真空下进行。在本发明的一个具体实施方式中,提供了一种急速热压烧结的方法,其烧结压力为50-60MPa,真空度为1-10Pa,温度为400-420oC,升温速率为90-110oC /min,保温时间30-40min。
本发明提供了一种快速制备Cu2Se热电材料的方法,该方法利用湿法球磨—微波合成—湿法球磨—急速热压的工艺流程,快速制得Cu2Se块体材料,该方法原料混合均匀、升温速率快、合成时间短、工艺操作简单、耗能低、生产成低、生产周期短、设备要求简单,可得到高纯无杂相的Cu2Se块体材料,极大的提高了该热电材料的制备效率,适用于大规模生产制备。
附图说明
图1实施例1制备的Cu2Se热电材料的XRD图。
图2实施例1制备的Cu2Se热电材料的元素面分布图和EDS能谱图。
图3实施例1制备的Cu2Se热电材料的断面电子扫描图。
图4实施例1制备的Cu2Se热电材料的电导率随温度的变化图。
图5实施例1制备的Cu2Se热电材料的塞贝克系数随温度的变化图。
图6实施例1制备的Cu2Se热电材料的功率因子随温度的变化图。
图7实施例1制备的Cu2Se热电材料的热导率随温度的变化图。
图8实施例1制备的Cu2Se热电材料的ZT值随温度的变化图。
图9对比例1制备的热电材料的XRD图。
具体实施方式
下面通过附图和具体实施例对本发明进一步作详细说明。应该明白的是,下述说明仅是示例性的,并不对其内容进行限制。
下述实施例中,各实施例产品的热电性能检测方法如下:
电导率采用范德堡法测量,塞贝克系数由热电动势在0 - 5k范围内对温差的斜率得出。所有测量的结果都是用25k的温度步长来收集的。热导率根据κ=λCpd计算,κ是热导率;d是由阿基米德法测量的固体密度;λ是热扩散系数,λ采用激光闪射法测量(NetzschLFA467);Cp为热容。电导率、塞贝克系数、热导率的测试不确定性约5%。
功率因子根据PF=σS2计算,PF是功率因子;σ是电导率;S是塞贝克系数。
ZT值根据ZT=σS2T/κ计算,其中T为绝对温度。
下述实施例中,各产品的致密度检测方法为:采用阿基米德排水法进行密度测试。以Cu2Se的理论密度为参照,计算各产品的相对密度,即为致密度。
实施例1
1、称量纯度为99.99%的铜粉、硒粉。其中铜粉称量2.467g,硒粉称量1.533g,总质量共4g。将铜粉和硒粉置入球磨罐中,加入无水乙醇,设置球料比为50∶1、转速为300r/min、球磨时间为20-30分钟。球磨后烘干,将粉料装入φ12mm的冷压模具中,在室温、40MPa下冷压5分钟,得块体。
2、将获得的压块置于内壁镀碳的石英管中,抽真空后熔封,真空度保持在0.01Pa以下。在刚玉坩埚内壁的四周和底部均匀铺设一层耐火棉,然后加入10g纯度为99.9%、粒度为100目的石墨粉与3g粒度为20目-40目的石英砂作为吸波材料将密封好的真空石英管埋入吸波材料中。将坩埚整体置于微波装置中进行样品合成,微波装置功率为900W,合成时间为5分钟。
3、待冷却至室温后,破碎石英管,取出铸锭,破碎铸锭后放入玛瑙研钵中进行研磨,研磨30min,至粉体粒径为200μm左右。将研磨后的粉体放置于球磨罐中,加入无水乙醇,设置球料比为50∶1、转速为200r/min、球磨时间为2h。球磨结束后,烘干粉体。
4、取1.1g粉体,放置于石墨模具中,在急速热压炉中进行真空热压,设置压力为60MPa,升温速率为100oC/min,烧结温度为400℃,保温时间为30min。热压烧结结束后,在模具中取出Cu2Se块体材料,进行性能测量。
图1是制得的Cu2Se热电材料的XRD图,图中衍射峰与PDF29-0575卡片相符,无其他杂峰相,表明成功制备了Cu2Se热电材料,且纯度高,无其他杂相。图2是制得的Cu2Se热电材料的块体EDS图像,从图中可以看出, Cu、Se两种元素分布均匀,测定结果表明Cu与Se的原子比在2∶1,进一步证实了合成了均匀的Cu2Se热电材料。图3为制得的Cu2Se热电材料的块体断面SEM图像,从图中可以看出,材料晶粒大小均匀、块体致密度高、无明显杂质相。
对产品进行致密度检测,其致密度为96%。
图4-图8是实施例1制备的Cu2Se热电材料的热电性能图,包括电导率、塞贝克系数、功率因子、热导率、ZT值,测试数据表明,制备的Cu2Se热电材料具有良好的热电性能,与传统熔融法制备的Cu2Se热电材料接近,在700K温度下ZT值达到0.67。
实施例2
1、称量纯度为99.99%的铜粉、硒粉。其中铜粉称量2.467g,硒粉称量1.533g,总质量共4g。将铜粉和硒粉置入球磨罐中,加入无水乙醇,设置球料比为40∶1、转速为200r/min、混料时间为20-30分钟。球磨后烘干,将粉料装入φ12mm的冷压模具中,在室温、50MPa下冷压5分钟,得块体。
2、将获得的压块置于内壁镀碳的石英管中,抽真空后熔封,真空度保持在0.01Pa以下。在刚玉坩埚内壁的四周和底部均匀铺设一层耐火棉,然后加入10g纯度为99.9%、粒度为200目的石墨粉与3g粒度为20目-40目的石英砂作为吸波材料。将密封好的真空石英管埋入吸波材料中。将坩埚整体置于微波装置中进行样品合成,微波装置功率为800W,合成时间为8分钟。
3、待冷却至室温后,破碎石英管,取出铸锭,破碎铸锭后放入玛瑙研钵中进行研磨,研磨30min,至粉体粒径为200μm左右。将研磨后的粉体放置于球磨罐中,加入无水乙醇,设置球料比为40∶1、转速为200r/min、球磨时间为2h。球磨结束后,烘干粉体。
4、取1.1g粉体,放置于石墨模具中,在急速热压炉中进行真空热压,设置压力为50MPa,升温速率为100oC/min,烧结温度为420℃,保温时间为30min。热压烧结结束后,在模具中取出Cu2Se块体材料,进行热电性能测量。测试数据表明,制备的Cu2Se热电材料具有良好的热电性能,ZT值在700K温度下达到0.65。对产品进行致密度检测,其致密度为96%。
实施例3
1、称量纯度为99.99%的铜粉、硒粉。其中铜粉称量2.467g,硒粉称量1.533g,总质量共4g。将铜粉和硒粉置入球磨罐中,加入无水乙醇,设置球料比为60∶1、转速为100r/min、混料时间为20-30分钟。球磨后烘干,将粉料装入φ12mm的冷压模具中,在室温、50MPa下冷压5分钟,得块体。
2、将获得的压块置于内壁镀碳的石英管中,抽真空后熔封,真空度保持在0.01Pa以下。在刚玉坩埚内壁的四周和底部均匀铺设一层耐火棉,然后加入10g纯度为99.9%、粒度为200目的石墨粉与3g粒度为20目-40目的石英砂作为吸波材料。将密封好的真空石英管埋入吸波材料中。将坩埚整体置于微波装置中进行样品合成,微波装置功率为700W,合成时间为10分钟。
3、待冷却至室温后,破碎石英管,取出铸锭,破碎铸锭后放入玛瑙研钵中进行研磨,研磨30min,至粉体粒径为200μm左右。将研磨后的粉体放置于球磨罐中,加入无水乙醇,设置球料比为60∶1、转速为150r/min、球磨时间为2h。球磨结束后,烘干粉体。
4、取1.1g粉体,放置于石墨模具中,在急速热压炉中进行真空热压,设置压力为50MPa,升温速率为100oC/min,烧结温度为420℃,保温时间为30min。热压烧结结束后,在模具中取出Cu2Se块体材料,进行热电性能测量。测试数据表明,制备的Cu2Se热电材料具有良好的热电性能,ZT值在700K温度下达到0.65。对产品进行致密度检测,其致密度为95%。
实施例4
1、称量纯度为99.99%的铜粉、硒粉。其中铜粉称量2.467g,硒粉称量1.533g,总质量共4g。将铜粉和硒粉置入球磨罐中,加入无水乙醇,设置球料比为60∶1、转速为300r/min、混料时间为20-30分钟。球磨后烘干,将粉料装入冷压模具中,在室温、50MPa下冷压5分钟,得块体。
2、将获得的压块置于内壁镀碳的石英管中,抽真空后熔封,真空度保持在0.01Pa以下。在刚玉坩埚内壁的四周和底部均匀铺设一层耐火棉,然后加入10g纯度为99.9%、粒度为200目的石墨粉与5g粒度为20目-40目的石英砂作为吸波材料。将密封好的真空石英管埋入吸波材料中。将坩埚整体置于微波装置中进行样品合成,微波装置功率为800W,合成时间为5分钟。
3、待冷却至室温后,破碎石英管,取出铸锭,破碎铸锭后放入玛瑙研钵中进行研磨,研磨30min,至粉体粒径为200μm左右。将研磨后的粉体放置于球磨罐中,加入无水乙醇,设置球料比为60∶1、转速为150r/min、球磨时间为1h。球磨结束后,烘干粉体。
4、取1.1g粉体,放置于石墨模具中,在急速热压炉中进行真空热压,设置压力为50MPa,升温速率为100oC/min,烧结温度为420℃,保温时间为30min。热压烧结结束后,在模具中取出Cu2Se块体材料,进行热电性能测量。测试数据表明,制备的Cu2Se热电材料具有良好的热电性能,ZT值在700K温度下达到0.65。对产品进行致密度检测,其致密度为95%。
对比例1
1、称量纯度为99.99%的铜粉、硒粉。其中铜粉称量2.467g,硒粉称量1.533g,总质量共4g。将铜粉和硒粉置入玛瑙研钵中,加入无水乙醇,手动研磨时间为30分钟。混料完毕后烘干,将烘干后的粉料装入冷压模具中,在室温、50MPa下冷压5分钟,得块体。
2、同实施例1。
3、同实施例1。
4、同实施例1。
图9为所得产品的XRD图,分析得知,由于手工研磨混合不均匀,熔炼过程发生Se元素的大量挥发,因此产生的主要产物为Cu3Se2与Cu2-xSe的混合相,并未稳定的生成Cu2Se化合物。因此采用湿法球磨混料工艺,保证Cu粉、Se粉混合均匀,是必要的。
对所得产品进行热电性能测量,其ZT值在700K温度下为0.3。
对比例2
1、称量纯度为99.99%的铜粉、硒粉。其中铜粉称量2.467g,硒粉称量1.533g,总质量共4g。将铜粉和硒粉置入球磨罐中,采用干法球磨,设置球料比为50∶1、转速为300r/min、球磨时间为20-30分钟。将粉料装入φ12mm的冷压模具中,在室温、40MPa下冷压5分钟,得块体。
2、同实施例1。
3、同实施例1。
4、同实施例1。
由于球磨未加入研磨介质,导致球磨过程中温度过热、部分Se元素挥发,原料粘壁、粘球严重,所得产品经XRD分析与图9一致,主要产物为Cu3Se2与Cu2-xSe的混合相,并未稳定的生成Cu2Se化合物,因此采用湿法球磨工艺混料,是必要的。
对所得产品进行热电性能测量,其ZT值在700K温度下为0.3。
对比例3
1、同实施例1。
2、同实施例1。不同的是:吸波材料为13g、纯度为99.9%、粒度为200目的SiC粉末。
采用传统SiC吸波材料,未能达到反应温度,无法合成Cu2Se,无法进一步加工。
对比例4
1、同实施例1。
2、同实施例1。不同的是:吸波材料为13g、纯度为99.9%、粒度为200目的石墨粉。
3、同实施例1。
4、同实施例1。
由于采用纯石墨粉作为吸波材料,熔炼温度难以达到1100℃以上,所得产品XRD与图9一致,主要产物为Cu3Se2与Cu2-xSe,并未稳定的生成Cu2Se化合物。
对所得产品进行热电性能测量,其ZT值在700K温度下为0.28。
对比例5
1、同实施例1。
2、同实施例1。
3、同实施例1。与实施例1不同的是:球磨转速设置为100r/min、球磨时间为30min。
4、同实施例1。与实施例1不同的是:在急速热压炉中进行真空热压,设置压力为40MPa,升温速率为100℃/min,烧结温度为300℃,保温时间为20min。降低烧结压力、烧结温度、保温时间后,所得产品的致密度仅为70%。
对所得产品进行热电性能测量,其ZT值在700K温度下为0.4。
Claims (6)
1.一种制备Cu2Se热电材料的方法,其特征是包括以下步骤:
(1)将铜粉、硒粉通过湿法球磨混合均匀,然后冷压得块体;
(2)将冷压得到的块体装入石英管中抽真空密封,然后将密封好的石英管埋入吸波材料中进行微波合成,所用微波材料为石墨粉和石英砂的混合物;
(3)将微波合成后的块体破碎、湿法球磨;
(4)将球磨所得粉料进行急速热压烧结,得Cu2Se热电材料;
步骤(1)中,球磨在无水乙醇存在下进行,球磨转速为100-300转/分,球磨时间为20-30分钟,球料比为40-60:1;
步骤(2)中,石英砂的质量为吸波材料总质量的20-35wt%,微波功率为700-900W,微波合成时间为5-10分钟;
步骤(4)中,急速热压烧结的压力为50-60MPa,温度为400-420oC,升温速率为90-110oC/min,时间为30-40min。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征是:步骤(1)中,铜粉与硒粉的摩尔比为2∶1。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征是:步骤(1)中,将混合均匀的原料在室温下、40-50MPa的条件下恒压5-10分钟,得到块体。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征是:步骤(2)中,石墨粉的粒度在100目以下;石英砂的粒度为20目-40目。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征是:步骤(3)中,球磨在无水乙醇存在下进行,球磨转速为150-200转/分,球磨时间为1-2h,球料比为40-60:1。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征是:步骤(4)中,将球磨后的粉料放入急速热压炉中进行真空热压。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010259320.4A CN111446357B (zh) | 2020-04-03 | 2020-04-03 | 一种制备Cu2Se热电材料的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111446357A CN111446357A (zh) | 2020-07-24 |
CN111446357B true CN111446357B (zh) | 2023-05-19 |
Family
ID=71655921
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010259320.4A Active CN111446357B (zh) | 2020-04-03 | 2020-04-03 | 一种制备Cu2Se热电材料的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111446357B (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112700967B (zh) * | 2020-11-30 | 2021-12-03 | 电子科技大学 | 一种高比容量的Cu2-xSe超级电容器负极材料 |
CN115401212A (zh) * | 2022-08-05 | 2022-11-29 | 西安交通大学 | p型Cu2Se基热电材料的增材制造方法 |
CN115285948B (zh) * | 2022-08-18 | 2024-07-16 | 曲阜师范大学 | 一种铜硒化合物热电材料及其制备方法 |
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CN109439939A (zh) * | 2018-11-15 | 2019-03-08 | 安徽工业大学 | 一种CuSe块体热电材料的快速制备方法 |
-
2020
- 2020-04-03 CN CN202010259320.4A patent/CN111446357B/zh active Active
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CN111446357A (zh) | 2020-07-24 |
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