CN111383956A - 衬底处理装置及衬底搬送方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种衬底处理装置及衬底搬送方法。本发明的衬底处理装置依序配置着ID块(2)、涂布块(3)、显影块(4)及IF块(6)。在ID块(2)上设有载置台(13)，在IF块(6)上设有载置台(47)。以往，仅在ID块上设有载具载置台。因此，在去路及返路这两个路径中，在ID块与IF块之间搬送衬底。根据本发明，在返路中，将衬底(W)从IF块(6)搬送到显影块(4)之后，不搬送到涂布块(3)，而将衬底(W)从显影块(4)移回到IF块(6)。因此，由于在返路中，削减了利用涂布块(3)进行的搬送工序，结果，能够提高衬底处理装置(1)整体的处理量。

Description

衬底处理装置及衬底搬送方法
技术领域
本发明涉及一种对衬底进行处理的衬底处理装置及该衬底的搬送方法。衬底例如可以列举半导体衬底、FPD(Flat Panel Display，平板显示器)用衬底、光掩模用衬底、光盘用衬底、磁盘用衬底、陶瓷衬底及太阳电池用衬底等。FPD例如可以列举液晶显示装置、有机EL(electroluminescence，电致发光)显示装置等。
背景技术
以往的衬底处理装置依序具备装载块(以下适当称为“ID块”)、涂布块、显影块、接口块(以下适当称为“IF块”)(例如参照日本专利特开2010-219434号公报)。
在ID块上设有载具载置台。ID块从载置在载具载置台上的载具取出衬底，并将所取出的衬底搬送到涂布块。涂布块进行例如抗蚀剂等的涂布处理。显影块对进行了曝光处理的衬底进行显影处理。IF块对曝光装置进行衬底的搬出及搬入。
另外，衬底处理装置具备存放装置(载具缓冲装置)(例如参照日本专利特开2011-187796号公报)。存放装置具备用于保管载具的保管架及载具搬送机构。
发明内容
[发明要解决的问题]
然而，所述衬底处理装置存在如下问题。衬底处理装置按照ID块、涂布块、显影块、IF块的顺序(去路)搬送衬底。此时，涂布块对衬底进行涂布处理，但显影块不对衬底进行显影处理。另外，衬底处理装置按照IF块、显影块、涂布块、ID块的顺序(返路)搬送经曝光处理的衬底。此时，涂布块不对衬底进行涂布处理，但显影块对衬底进行显影处理。这种在ID块与IF块之间往复进行的衬底搬送伴有不进行处理而单纯地使衬底通过块的过程。因此，有使去路与返路各自的处理量降低的担忧。
本发明是鉴于这种情况完成的，目的在于提供一种能够提高处理量的衬底处理装置及衬底搬送方法。
[解决问题的技术手段]
本发明为了达成这种目的，采用如下构成。即，本发明的对衬底进行处理的衬底处理装置包含以下要素：多个处理块，配置成一列，且具有至少1个一端侧的处理块及至少1个另一端侧的处理块；装载块，与所述多个处理块中的一端的处理块连结，且设有用于载置能够收纳多个衬底的载具的第1载具载置台；及接口块，与所述多个处理块中的另一端的处理块连结，针对外部装置进行衬底的搬入及搬出，且设有用于载置所述载具的第2载具载置台；所述装载块从载置在所述第1载具载置台上的所述载具取出衬底，并将所取出的衬底输送到所述一端侧的处理块，所述一端侧的处理块对输送来的衬底进行预先设定的处理，所述另一端侧的处理块将由所述一端侧的处理块处理后的衬底输送到所述接口块，所述接口块将由所述一端侧的处理块处理后的衬底搬出到所述外部装置，所述接口块从所述外部装置搬入衬底，且将由所述外部装置处理后的衬底输送到所述另一端侧的处理块，所述另一端侧的处理块对从所述接口块输送来的衬底进行预先设定的处理，所述接口块将由所述另一端侧的处理块处理后的衬底移回到载置在所述第2载具载置台上的所述载具。
根据本发明的衬底处理装置，在装载块上设有第1载具载置台，在接口块上设有第2载具载置台。以往，仅在装载块上设有载具载置台。因此，在去路及返路这两个路径中，在装载块与接口块之间搬送衬底。根据本发明，在返路中，在将衬底从接口块搬送到另一端侧的处理块之后，不将衬底搬送到一端侧的处理块，而将衬底从另一端侧的处理块移回到接口块。因此，由于在返路中，削减了利用一端侧处理块进行的搬送工序，结果，能够提高衬底处理装置整体的处理量。
另外，在所述衬底处理装置中，优选所述多个处理块具备进行第1处理的第1处理块及进行第2处理的第2处理块，所述装载块与所述第1处理块连结，所述接口块与所述第2处理块连结，所述第2处理块与所述第1处理块连结，所述装载块从载置在所述第1载具载置台上的所述载具取出衬底，并将所取出的衬底输送到所述第1处理块，所述第1处理块对输送来的衬底进行所述第1处理，且将进行了所述第1处理的衬底输送到所述第2处理块，所述第2处理块将进行了所述第1处理的衬底输送到所述接口块，所述接口块将进行了所述第1处理的衬底搬出到所述外部装置，所述接口块从所述外部装置搬入衬底，且将由所述外部装置进行了第3处理的衬底输送到所述第2处理块，所述第2处理块对从所述接口输送来的衬底进行所述第2处理，且将进行了所述第2处理的衬底输送到所述接口块，所述接口块将由所述第2处理块处理后的衬底移回到载置在所述第2载具载置台上的所述载具。
根据本发明，在返路中，在将衬底从接口块搬送到第2处理块之后，不将衬底搬送到第1处理块，而将衬底从第2处理块移回到接口块。因此，由于在返路中，削减了利用第1处理块进行的搬送工序，结果，能够提高衬底处理装置整体的处理量。
另外，本发明的对衬底进行处理的衬底处理装置包含以下要素：多个处理块，配置成一列，且具有至少1个一端侧的处理块及至少1个另一端侧的处理块；装载块，与所述多个处理块中的一端的处理块连结，且设有用于载置能够收纳多个衬底的载具的第1载具载置台；及接口块，与所述多个处理块中的另一端的处理块连结，针对外部装置进行衬底的搬入及搬出，且设有用于载置所述载具的第2载具载置台；所述接口块从载置在所述第2载具载置台上的所述载具取出衬底，并将所取出的衬底输送到所述另一端侧的处理块，所述另一端侧的处理块对从所述接口块输送来的衬底进行预先设定的处理，所述接口块将由所述另一端侧的处理块处理后的衬底搬出到所述外部装置，所述接口块从所述外部装置搬入衬底，且将由所述外部装置处理后的衬底输送到所述另一端侧的处理块，所述另一端侧的处理块将由所述外部装置处理后的衬底输送到所述一端侧的处理块，所述一端侧的处理块对从所述另一端侧的处理块输送来的衬底进行预先设定的处理，所述装载块将由所述一端侧的处理块处理后的衬底移回到载置在所述第1载具载置台上的所述载具。
根据本发明的衬底处理装置，在装载块上设有第1载具载置台，在接口块上设有第2载具载置台。以往，仅在装载块上设有载具载置台。因此，在去路及返路这两个路径中，在装载块与接口块之间搬送衬底。根据本发明，在将衬底从接口块搬送到另一端侧的处理块之后，不将衬底搬送到一端侧的处理块，而将衬底从另一端侧的处理块移回到接口块。因此，由于削减了利用一端侧的处理块进行的搬送工序，结果，能够提高衬底处理装置整体的处理量。
另外，在所述衬底处理装置中，优选所述多个处理块具备进行第1处理的第1处理块及进行第2处理的第2处理块，所述装载块与所述第1处理块连结，所述接口块与所述第2处理块连结，所述第2处理块与所述第1处理块连结，所述接口块从载置在所述第2载具载置台上的所述载具取出衬底，并将所取出的衬底输送到所述第2处理块，所述第2处理块对从所述接口块输送来的衬底进行所述第2处理，所述接口块将进行了所述第2处理的衬底搬出到所述外部装置，所述接口块从所述外部装置搬入衬底，且将由所述外部装置进行了第3处理的衬底输送到所述第2处理块，所述第2处理块将进行了所述第3处理的衬底输送到所述第1处理块，所述第1处理块对从所述第2处理块输送来的衬底进行所述第1处理，所述装载块将进行了所述第1处理的衬底移回到载置在所述第1载具载置台上的所述载具。
根据本发明，在将衬底从接口块搬送到第2处理块之后，不将衬底搬送到第1处理块，而将衬底从第2处理块移回到接口块。因此，由于削减了利用第1处理块进行的搬送工序，结果，能够提高衬底处理装置整体的处理量。
另外，在所述衬底处理装置中，优选所述接口块具备进行第4处理的处理单元及衬底搬送机构，所述衬底搬送机构至少在所述第2处理块、载置在所述第2载具载置台上的所述载具及所述处理单元之间输送衬底。
即，衬底搬送机构不仅将衬底搬送到第2处理块及处理单元，还将衬底搬送到载置在设于接口块的第2载具载置台上的载具。因此，也可以不在配置着第2处理块与接口块的方向上追加其它衬底搬送机构，所以能够紧凑地构成接口块。因此，能够削减衬底处理装置的占据面积。
另外，在所述衬底处理装置中，优选所述接口块具备：第2装载块，与所述第2处理块连结，且设有所述第2载具载置台；及IF主体块，与所述第2装载块连结，针对所述外部装置进行衬底的搬入及搬出；所述第2装载块具备第1衬底搬送机构，该第1衬底搬送机构在所述第2处理块、载置在所述第2载具载置台上的所述载具及所述IF主体块之间输送衬底，所述IF主体块具备进行第4处理的处理单元及第2衬底搬送机构，所述第2衬底搬送机构至少在所述第2装载块及所述处理单元之间输送衬底。
接口块具备设有第2载具载置部的第2装载块及IF主体块。第2装载块的第1衬底搬送机构能够针对第2载具载置部的载具进行衬底的取出及收纳。因此，IF主体块的第2衬底搬送机构也可以不对第2载具载置部的载具进行衬底的取出及收纳。即，由于能够使多个衬底搬送机构分担搬送动作，所以能够防止衬底处理装置的处理量降低。
另外，优选所述衬底处理装置还具备载具搬送机构，该载具搬送机构在所述第1载具载置台与所述第2载具载置台之间搬送所述载具。例如，在从载置在第1载具载置台上的载具取出了所有衬底的情况下，载具搬送机构将衬底移回到该载具，所以能够将载置在第1载具载置台上的载具搬送到第2载具载置台。
另外，在所述衬底处理装置中，优选所述载具搬送机构搭载在所述第1处理块及所述第2处理块之上。以往，载具搬送机构相对于装载块配置在水平方向。根据本发明，载具搬送机构搭载在第1处理块及第2处理块之上。因此，能够削减相对于装载块配置在水平方向的以往的载具搬送机构的设置面积。即，能够削减衬底处理装置的占据面积。
另外，在所述衬底处理装置中，优选还具备载具保管架，该载具保管架载置在所述第1处理块及所述第2处理块中的至少一个之上，所述载具搬送机构在所述第1载具载置台、所述第2载具载置台及所述载具保管架之间搬送所述载具。以往，载具保管架相对于装载块设于水平方向。根据本发明，载具保管架搭载在所述第1处理块及所述第2处理块中的至少一个之上。因此，能够削减相对于装载块设于水平方向的以往的载具保管架的设置面积。即，能够削减衬底处理装置的占据面积。
另外，本发明的衬底处理装置的衬底搬送方法包含以下工序：衬底处理装置具备：多个处理块，配置成一列，且具有至少1个一端侧的处理块及至少1个另一端侧的处理块；装载块，与所述多个处理块中的一端的处理块连结，且设有用于载置能够收纳多个衬底的载具的第1载具载置台；及接口块，与所述多个处理块中的另一端的处理块连结，且针对外部装置进行衬底的搬入及搬出。所述工序是指：利用所述装载块从载置在所述第1载具载置台上的所述载具取出衬底，并将所取出的衬底输送到所述一端侧的处理块；利用所述一端侧的处理块对输送来的衬底进行预先设定的处理；利用所述另一端侧的处理块将由所述一端侧的处理块处理后的衬底输送到所述接口块；利用所述接口块将由所述一端侧的处理块处理后的衬底搬出到所述外部装置；利用所述接口块从所述外部装置搬入衬底，且将由所述外部装置处理后的衬底输送到所述另一端侧的处理块；利用所述另一端侧的处理块，对从所述接口块输送来的衬底进行预先设定的处理；及利用所述接口块将由所述另一端侧的处理块处理后的衬底移回到载置在设于所述接口块的第2载具载置台上的所述载具。
根据本发明的衬底搬送方法，在装载块上设有第1载具载置台，在接口块上设有第2载具载置台。以往，仅在装载块上设有载具载置台。因此，在去路及返路这两个路径中，在装载块与接口块之间搬送衬底。根据本发明，在返路中，在将衬底从接口块搬送到另一端侧的处理块之后，不将衬底搬送到一端侧的处理块，而将衬底从另一端侧的处理块移回到接口块。因此，由于在返路中，削减了利用一端侧处理块进行的搬送工序，结果，能够提高衬底处理装置整体的处理量。
另外，本发明的衬底处理装置的衬底搬送方法包含以下工序：衬底处理装置具备：多个处理块，配置成一列，且具有至少1个一端侧的处理块及至少1个另一端侧的处理块；装载块，与所述多个处理块中的一端的处理块连结，且设有用于载置能够收纳多个衬底的载具的第1载具载置台；及接口块，与所述多个处理块中的另一端的处理块连结，针对外部装置进行衬底的搬入及搬出，且设有用于载置所述载具的第2载具载置台。所述工序是指：利用所述接口块，从载置在设于所述接口块的第2载具载置台上的所述载具取出衬底，并将所取出的衬底输送到所述另一端侧的处理块；利用所述另一端侧的处理块，对从所述接口块输送来的衬底进行预先设定的处理；利用所述接口块，将由所述另一端侧的处理块处理后的衬底搬出到所述外部装置；利用所述接口块从所述外部装置搬入衬底，且将由所述外部装置处理后的衬底输送到所述另一端侧的处理块；利用所述另一端侧的处理块，将由所述外部装置处理后的衬底输送到所述一端侧的处理块；利用所述一端侧的处理块，对从所述另一端侧的处理块输送来的衬底进行预先设定的处理；及利用所述装载块，将由所述一端侧的处理块处理后的衬底移回到载置在所述第1载具载置台上的所述载具。
根据本发明的衬底搬送方法，在装载块上设有第1载具载置台，在接口块上设有第2载具载置台。以往，仅在装载块上设有载具载置台。因此，在去路及返路这两个路径中，在装载块与接口块之间搬送衬底。根据本发明，在将衬底从接口块搬送到另一端侧的处理块之后，不将衬底搬送到一端侧的处理块，而将衬底从另一端侧的处理块移回到接口块。因此，由于削减了利用一端侧的处理块进行的搬送工序，结果，能够提高衬底处理装置整体的处理量。
[发明的效果]
根据本发明的衬底处理装置及衬底搬送方法，能够提高处理量。
附图说明
为了说明发明而图示了目前认为优选的几个方式，但要理解发明并不限定于图示那样的构成及方案。
图1是实施例1的衬底处理装置的纵剖视图。
图2是实施例1的衬底处理装置的横剖视图。
图3是实施例1的衬底处理装置的右侧视图。
图4是实施例1的衬底处理装置的左侧视图。
图5是表示载具搬送机构的图。
图6是表示载具缓冲装置的图。
图7是用于说明实施例1的衬底处理装置的动作的流程图。
图8是用于说明以往的衬底处理装置的动作的图。
图9是用于说明衬底处理装置的动作的图。
图10是将实施例2的衬底处理装置局部示出的纵剖视图。
图11是将实施例2的衬底处理装置局部示出的横剖视图。
图12是表示设于实施例2的接口块上的开启机构配置的俯视图。
图13是用于说明实施例2的衬底处理装置的动作的流程图。
图14是将实施例3的衬底处理装置局部示出的纵剖视图。
图15是将实施例3的衬底处理装置局部示出的横剖视图。
图16是将实施例3的衬底处理装置局部示出的右侧视图。
图17是用于说明实施例3的衬底处理装置的动作的流程图。
图18是将实施例4的衬底处理装置局部示出的纵剖视图。
图19是将实施例4的衬底处理装置局部示出的横剖视图。
图20是将实施例4的衬底处理装置局部示出的右侧视图。
图21是用于说明实施例4的衬底处理装置的动作的流程图。
图22是用于说明衬底处理装置的动作的图。
图23是将变化例的衬底处理装置局部示出的横剖视图。
图24是用于说明另一变化例的衬底处理装置的构成及动作的图。
图25是用于说明另一变化例的衬底处理装置的构成及动作的图。
具体实施方式
[实施例1]
以下，参照附图来说明本发明的实施例1。图1是实施例1的衬底处理装置的纵剖视图。图2是衬底处理装置的横剖视图。图3是衬底处理装置的右侧视图。图4是衬底处理装置的左侧视图。
＜衬底处理装置1的构成＞
参照图1或图2。衬底处理装置1具备装载块(ID块)2、涂布块3、显影块4、接口块(IF块)6及载具缓冲装置8。ID块2、涂布块3、显影块4、IF块6及曝光装置EXP呈直线状配置在水平方向(X方向)。
此外，在本实施例中，涂布块3相当于本发明的第1处理块，显影块4相当于本发明的第2处理块。另外，曝光装置EXP相当于本发明的外部装置。
(装载块2的构成)
ID块2具备2个开启机构9、10(参照图2、图6)及2个衬底搬送机构TM1、TM2。设于ID块2的2个开启机构9、10(载具载置部)分别供载置能够收纳多个衬底W的载具C。
载具C能够收纳水平姿势的多片(例如25片)衬底W。载具C例如使用了FOUP(FOUP：Front Open Unified Pod，前开式晶圆盒)，但也可以为除FOUP以外的容器(例如SMIF(Standard Mechanical Inter Face，标准机械接口)盒)。载具C例如具备载具主体及盖部，该载具主体形成着用于供放入取出衬底W的开口部，该盖部用于盖住载具主体的开口部。
各开启机构9、10具备：载置台13，供载置载具C；开口部14，用于供衬底W通过；挡板部件(未图示)，进行开口部14的开闭，并且对载具主体进行盖部的装卸；及挡板部件驱动机构(未图示)，驱动挡板部件。挡板部件驱动机构具备电动马达。此外，挡板部件在从载具主体卸除盖部后，例如朝下方向移动或者沿着开口部14在水平方向(Y方向)上移动。
2个开启机构9、10的载置台13设于涂布块3的顶部平台上。在图1中，载置台13设于比涂布块3高的位置、即涂布块3的上方。载置台13也可以设于涂布块3上、即与涂布块3相接地设置。此外，载置台13相当于本发明的第1载具载置台。
各衬底搬送机构TM1、TM2具备2个手部15、进退驱动部16及升降旋转驱动部18。2个手部15分别保持衬底W。另外，2个手部15分别能够移动地安装在进退驱动部16上。进退驱动部16能够使2个手部15两者同时进入载具C内。另外，进退驱动部16能够使2个手部15分别进退。因此，进退驱动部16能够使2个手部15中的一个进入载具C内。
升降旋转驱动部18通过使进退驱动部16升降及旋转，而使2个手部15升降及旋转。即，升降旋转驱动部18能够使进退驱动部16在上下方向(Z方向)上移动，并且能够使进退驱动部16绕垂直轴AX1旋转。进退驱动部16及升降旋转驱动部18分别具备例如电动马达。此外，2个衬底搬送机构TM1、TM2分别以无法在水平方向(特别是Y方向)上移动的方式固定在ID块2的底部。
在ID块2与涂布块3的下述上侧涂布处理层3A之间，设有输送衬底缓冲部SBF1。在ID块2与涂布块3的下述下侧涂布处理层3B之间，设有输送衬底缓冲部SBF2。2个输送衬底缓冲部SBF1、SBF2分别构成为能够供载置多个衬底W。
第1衬底搬送机构TM1将衬底W从载置在开启机构9的载置台13上的载具C搬送到2个输送衬底缓冲部SBF1、SBF2中的任一个。另外，第2衬底搬送机构TM2将衬底W从载置在开启机构10的载置台13上的载具C搬送到2个输送衬底缓冲部SBF1、SBF2中的任一个。此外，第1衬底搬送机构TM1能够从开启机构9的载具C取出衬底W，但无法从开启机构10的载具C取出衬底W。另外，第2衬底搬送机构TM2能够从开启机构10的载具C取出衬底W，但无法从开启机构9的载具C取出衬底W。
(涂布块3及显影块4的构成)
涂布块3与ID块2连结。涂布块3进行作为第1处理的涂布处理。另外，显影块4与涂布块3连结。显影块4进行作为第2处理的显影处理。
涂布块3具备上侧涂布处理层3A及下侧涂布处理层3B。另外，显影块4具备上侧显影处理层4A及下侧显影处理层4B。4个处理层3A、3B、4A、4B分别具备第3衬底搬送机构TM3、搬送空间20(参照图2)、液体处理部22及热处理部23。
第3衬底搬送机构TM3用于在4个处理层3A、3B、4A、4B的每一个中搬送衬底W。第3衬底搬送机构TM3具备2个手部24、进退驱动部25、旋转驱动部26、第1移动机构27及第2移动机构28。
2个手部24分别保持衬底W。2个手部24分别能够移动地安装在进退驱动部25上。进退驱动部25使2个手部24个分别进退。旋转驱动部26使进退驱动部25绕垂直轴AX2旋转。由此，能够改变2个手部24的朝向。第1移动机构27使旋转驱动部26在图1的前后方向(X方向)上移动。由此，能够使进退驱动部25在X方向上移动。第2移动机构28使第1移动机构27在上下方向(Z方向)上移动。由此，能够使进退驱动部25在Z方向上移动。
此外，进退驱动部25、旋转驱动部26、第1移动机构27及第2移动机构28分别具备电动马达。
第3衬底搬送机构TM3设于搬送空间20中。搬送空间20构成为在水平方向(X方向)上呈直线状延伸。当从衬底处理装置1的上方观察时，搬送空间20为长方形的空间。液体处理部22与热处理部23以隔着搬送空间20的方式配置。
在上侧涂布处理层3A与上侧显影处理层4A之间设有衬底载置部PS1。在下侧涂布处理层3B与下侧显影处理层4B之间设有衬底载置部PS2。
另外，在上侧显影处理层4A与IF块6之间设有输送衬底缓冲部SBF3及衬底载置部PS3。在下侧显影处理层4B与IF块6之间，设有输送衬底缓冲部SBF4及衬底载置部PS4。4个衬底载置部PS1～PS4可以分别构成为能够供载置1片衬底W，也可以构成为能够供载置多片衬底W。2个输送衬底缓冲部SBF3、SBF4分别构成为能够供载置多片衬底W。
图3是表示涂布块3及显影块4的液体处理部22的配置的右侧视图。2个涂布处理层3A、3B分别具备4个液体处理部22。这4个液体处理部22以水平方向上为2列且上下方向上为2层的2列×2层的方式配置。4个液体处理部22中的下层的2个液体处理部22为涂布单元BARC。另外，上层的2个液体处理部22为涂布单元RESIST。涂布单元BARC在衬底W上形成抗反射膜。涂布单元RESIST在衬底W上形成光致抗蚀剂等抗蚀剂膜。
另外，2个显影处理层4A、4B分别具备3个液体处理部22。这3个液体处理部22以3列×1层的方式配置。另外，3个液体处理部22为显影单元DEV。显影单元DEV将曝光后的衬底W进行显影。
如图2所示，液体处理部22具备保持旋转部31、喷嘴32及喷嘴移动机构33。保持旋转部31例如通过真空吸附来保持衬底W，使所保持的衬底W绕垂直轴(Z方向)旋转。旋转是利用例如电动马达进行的。喷嘴32向衬底W供给涂布液(例如抗反射膜形成用的液体或光致抗蚀剂液)或显影液。喷嘴移动机构33使喷嘴32移动到任意位置。喷嘴移动机构33具备例如电动马达。
图4是表示涂布块3及显影块4的热处理部23的配置的图。4个处理层3A、3B、4A、4B分别具备多个热处理部23。热处理部23进行热处理，且具备供载置衬底W的平板35(参照图2)。平板35的加热是利用例如加热器进行的，平板35的冷却是利用例如水冷式的机构进行的。
在2个涂布处理层3A、3B中，热处理部23构成为能够以3列×5层的方式配置。在图4中，2个涂布处理层3A、3B分别具备14个热处理部23。即，2个涂布处理层3A、3B分别具备3个密接强化处理部PAHP、2个冷却部CP及9个加热冷却部PHP。
另外，在2个显影处理层4A、4B中，热处理部23构成为能够以4列×5层的方式配置。2个显影处理层4A、4B分别具备1个冷却部CP、12个加热冷却部PHP及边缘曝光部EEW。此外，除液体处理部22及热处理部37以外的单元的个数及种类能适当变更。
密接强化处理部PAHP通过将六甲基二硅氮烷(HMDS)等密接强化剂涂布在衬底W上并加热，而提高衬底W与抗反射膜的密接性。密接强化处理部PAHP还具有在加热后将衬底W冷却的功能。冷却部CP将衬底W冷却。加热冷却部PHP依序相继进行加热处理与冷却处理。边缘曝光部EEW对衬底W的周缘部进行曝光处理。
(接口块(IF块)6)
IF块6与显影块4连结。IF块6针对进行作为第3处理的曝光处理的曝光装置EXP进行衬底W的搬入及搬出。IF块6具备3个衬底搬送机构TM4～TM6、多个曝光前清洗单元161、多个曝光后清洗单元162、3个载置兼冷却部P-CP及衬底载置部PS9(参照图1、图2)。另外，在IF块6上设有2个开启机构45、46(参照图2、图6)。
第4衬底搬送机构TM4及第5衬底搬送机构TM5以在与前后方向(X方向)正交的Y方向上排列的方式配置。第6衬底搬送机构TM6配置在2个衬底搬送机构TM4、TM5的后方(图1的右侧)。曝光前清洗单元161与曝光后清洗单元162以隔着2个衬底搬送机构TM4、TM5对向的方式设置。曝光前清洗单元161将曝光处理前的衬底W进行清洗并使其干燥。曝光后清洗单元162将曝光处理后的衬底W进行清洗并使其干燥。各清洗单元161、162具备：保持旋转部，保持衬底W；及喷嘴，向衬底W喷出例如清洗液及冲洗液。另外，各清洗单元161、162也可以使用毛刷等对衬底W的背面及端部(斜面部)进行抛光处理。此外，衬底W的背面是指例如形成着电路图案的面的相反侧的面。
在3个衬底搬送机构TM4～TM6之间，设有3个载置兼冷却部P-CP及衬底载置部PS9。3个装载兼冷却部P-CP及衬底装载部PS9配置在上下方向。3个载置兼冷却部P-CP及衬底载置部PS9分别构成为能够供载置1片或多片衬底W。
第4衬底搬送机构TM4能够在2个输送衬底缓冲部SBF3、SBF4、3个衬底载置部PS3、PS4、PS9、3个载置兼冷却部P-CP、曝光前清洗单元161及载置在开启机构45上的载具C之间搬送衬底W。
第5衬底搬送机构TM5能够在2个输送衬底缓冲部SBF3、SBF4、3个衬底载置部PS3、PS4、PS9、3个载置兼冷却部P-CP、曝光后清洗单元162及载置在开启机构46上的载具C之间搬送衬底W。另外，第5衬底搬送机构TM5能够针对沿上下方向配置在IF块6的旁侧的合计8个加热冷却部PHP(参照图2、图4)，不经由例如输送衬底缓冲部SBF3及衬底载置部PS3、即直接进行衬底W的交付及接收。
第6衬底搬送机构TM6能够在衬底载置部PS9、3个载置兼冷却部P-CP及外部的曝光装置EXP之间搬送衬底W。3个衬底搬送机构TM4～TM6分别构成为例如与第1衬底搬送机构TM1大致相同，所以省略其说明。
设于IF块6的2个开启机构45、46分别供载置载具C。2个开启机构45、46分别与开启机构9同样地具备：载置台47，供载置载具C；开口部48，用于使衬底W通过；挡板部件(未图示)，进行开口部48的开闭并且针对载具主体进行盖部的装卸；及挡板部件驱动机构(未图示)，驱动挡板部件。挡板部件驱动机构具备电动马达。
第4衬底搬送机构TM4能够从载置在开启机构45上的载具C取出衬底W，能够将衬底W收纳于该载具C。然而，第4衬底搬送机构TM4无法从载置在开启机构46上的载具C取出衬底W，无法将衬底W收纳于该载具C。另外，第5衬底搬送机构TM5能够从载置在开启机构46上的载具C取出衬底W，能够将衬底W收纳于该载具C。然而，第5衬底搬送机构TM5无法从载置在开启机构45上的载具C取出衬底W，无法将衬底W收纳于该载具C。
2个开启机构45、46的载置台47设于显影块4的顶部平台上。在图1中，载置台47设于比显影块4高的位置、即显影块4的上方。载置台47也可以设于显影块4上、即与显影块4相接地设置。此外，载置台47相当于本发明的第2载具载置台。
(载具缓冲装置8)
衬底处理装置1在涂布块3及显影块4上、或它们的上方具备载具缓冲装置8。载具缓冲装置8具备载具搬送机构51及载具保管架53(参照图6)。
参照图5。图5是表示载具搬送机构51的图。载具搬送机构51具备2个多关节臂61、62。在第1多关节臂61的一端设有固持部63，在第2多关节臂62的一端设有固持部64。另外，第1多关节臂61的另一端以能够在上下方向上移动的方式支撑在支柱状的升降驱动部65上，第2多关节臂62的另一端以能够在上下方向上移动的方式支撑在升降驱动部65上。
2个固持部63、64分别例如以固持设于载具C的上表面的突起部的方式构成。2个固持部63、64分别具备电动马达。
2个多关节臂61、62分别具备1个或2个以上的电动马达。第1多关节臂61构成为能够使第1固持部63绕垂直轴AX3旋转驱动360度。第2多关节臂62构成为与第1多关节臂61相同。例如，也可以是第1多关节臂61负责图6的上侧(开启机构10、46侧)的载具C的搬送，第2多关节臂62负责图6的下侧(开启机构9、45侧)的载具C的搬送。
升降驱动部65构成为能够使2个多关节臂61、62个别地升降。升降驱动部65具备电动马达。升降驱动部65也可以针对1个多关节臂具备例如皮带及多个带轮。
前后驱动部67具备支撑升降驱动部65的支撑部67A、在前后方向(X方向)上较长地延伸的纵向部67B、及电动马达(未图示)。例如，纵向部67B也可以是轨道(导轨)，支撑部67A也可以是台车。在该情况下，也可以构成为利用电动马达使台车(支撑部67A)沿着轨道(纵向部67B)移动。
另外，例如也可以将电动马达、多个带轮、皮带及导轨内置于纵向部67B，且将支撑部67A固定在皮带上。在该情况下，也可以通过利用电动马达使滑轮旋转，使挂在多个滑轮上的皮带移动，而使支撑部67A沿着导轨移动。
参照图6。载具保管架53具备输入口71、输出口72、未处理衬底载具架73、空载具架74及处理过的衬底载具架75。输入口71是用于从外部搬送机构OHT(Overhead HoistTransport，高架提升传输小车)接收收纳着未处理的衬底W的载具C的架。外部搬送机构OHT在工厂内搬送载具C。所谓未处理是指未进行利用涂布块3及显影块4的处理。如图1、图6所示，输入口71设于ID块2上、即ID块2的顶部平台上。在ID块2的上方，设有外部搬送机构OHT的轨道77。外部搬送机构OHT将载具C搬送到2个输入口71中的任一个。
另外，在图6中，未处理衬底载具架73、空载具架74及处理过的衬底载具架75以沿着纵向部67B的方式设于衬底处理装置1的长度方向上。未处理衬底载具架73供载置如下载具C，即，载置在输入口71，且收纳着无法向2个载置台13中的任一个搬送的未处理的衬底W。空载具架74供载置如下载具C，即，衬底W已被全部取出到载置台13上，且无法向2个载置台47中的任一个搬送。处理过的衬底载具架75供载置如下载具C，即，收纳着处理过的衬底W，且无法向2个输出口72中的任一个搬送。在本实施例中，所谓处理过是指利用涂布块3及显影块4进行了处理。
输出口72是用于将收纳着处理过的衬底W的载具C交付给外部搬送机构OHT的架。如图1、图6所示，输出口72设于ID块2上、即ID块2的顶部平台上。载具搬送机构51能够使载具C在各载置台13、47及各架71～75之间自由地移动。
另外，如图1、图6所示，载置台13及开口部14(开启机构9、10)设于涂布块3侧，载置台47及开口部48(开启机构45、46)设于显影块4侧。即，载置台13及载置台47以相向的方式设置。由此，载置台13及载置台47朝向载具搬送机构51设置，所以载具搬送机构51容易搬送载具C。另外，例如，在像以往那样，隔着ID块2在涂布块3的相反侧(参照图6的箭头AR1)设有载置台的情况下，载置台13突出。在本实施例中，由于载置台13及载置台47以相向的方式设置，所以能够抑制载置台13突出。因此，能够减小衬底处理装置1的占据面积。
此外，载具搬送机构51具备2组多关节臂61、62及固持部63、64，但也可以具备1组或3组以上的多关节臂及固持部。另外，升降驱动部65也可以构成为相对于支撑部67A绕垂直轴旋转驱动。另外，如图6的符号78所示，当外部搬送机构OHT通过IF块6的上方时，输入口71及输出口72也可以设于IF块6上、即IF块6的顶部平台上。
另外，如图2所示，衬底处理装置1具备1个或多个控制部79、及操作部80。控制部79具备例如中央运算处理装置(CPU)。控制部79控制衬底处理装置1的各构成。操作部80具备显示部(例如液晶显示器)、存储部及输入部。存储部例如具备ROM(Read-Only Memory，只读存储器)、RAM(Random-Access Memory，随机存取存储器)及硬盘中的至少1个。输入部具备键盘、鼠标、触摸板及各种按钮中的至少1个。存储部中存储着衬底处理的各种条件及衬底处理装置1的控制所需的动作程序等。
＜衬底处理装置1的动作＞
接下来，说明衬底处理装置1的动作。此外，在衬底处理装置1中进行的多个处理工序为一例，由操作者选择所需的工序。参照图1。外部搬送机构OHT将载具C搬送到设于ID块2上的输入口71。载具搬送机构51将载具C从输入口71输送到例如开启机构9的载置台13。开启机构9的挡板部一边将载具C的盖部卸除并保持盖部，一边使开口部14打开。
ID块2的第1衬底搬送机构TM1从载置在开启机构9的载置台13上的载具C取出衬底W，并将所取出的衬底W搬送到涂布块3。具体来说，第1衬底搬送机构TM1将从载具C取出的衬底W交替地搬送到2个输送衬底缓冲部SBF1、SBF2。
此外，在从载具C取出了所有衬底W时，开启机构9一边将盖部安装在载具C，一边利用挡板部使开口部14关闭。之后，载具搬送机构51将收纳着未处理的衬底W的载具C与变空的载具C置换。之后，载具搬送机构51将变空的载具C搬送到例如开启机构45的载置台47。当无法将变空的载具C搬送到开启机构45、46中的任一个时，载具搬送机构51将变空的载具C搬送到空载具架74。
涂布块3对从ID块2输送来的衬底W进行涂布处理，将进行了涂布处理的衬底W搬送到显影块4。具体地进行说明。
在涂布块3的例如涂布处理层3A中，第3衬底搬送机构TM3从输送衬底缓冲部SBF1接收衬底W。第3衬底搬送机构TM3将所接收到的衬底W按照图3、图4所示的密接强化处理部PAHP、冷却部CP、涂布单元BARC的顺序搬送。之后，第3衬底搬送机构TM3将利用涂布单元BARC形成了抗反射膜的衬底W按照加热冷却部PHP、冷却部CP、涂布单元RESIST、加热冷却部PHP的顺序搬送。第3衬底搬送机构TM3将利用涂布单元RESIST形成了抗蚀剂膜的衬底W搬送到衬底载置部PS1。此外，也可以省略利用密接强化处理部PAHP的工序。
显影块4不对进行了涂布处理的衬底W进行显影处理，而将进行了涂布处理的衬底W搬送到IF块6。即，在显影处理层4A中，第3衬底搬送机构TM3将衬底W从衬底载置部PS1搬送到输送衬底缓冲部SBF3(参照图7的步骤S01)。
IF块6将从显影块4输送来且进行了涂布处理的衬底W搬出到曝光装置EXP。之后，IF块6将进行了曝光处理的衬底W从曝光装置EXP搬入。之后，IF块6将进行了曝光处理的衬底W搬送到显影块4。具体地进行说明。
在IF块6中，第4衬底搬送机构TM4从输送衬底缓冲部SBF3接收衬底W，并将所接收到的衬底W按照曝光前清洗单元161、载置兼冷却部P-CP的顺序搬送(步骤S02、S03)。第6衬底搬送机构TM6从载置兼冷却部P-CP向曝光装置EXP搬送衬底W(步骤S04)。曝光装置EXP将搬送来的衬底W进行曝光。
第6衬底搬送机构TM6将由曝光装置EXP曝光后的衬底W从曝光装置EXP搬送到衬底载置部PS9(步骤S05)。第5衬底搬送机构TM5从衬底载置部PS9接收衬底W，并将所接收到的衬底W搬送到曝光后清洗单元162(步骤S06)。之后，第5衬底搬送机构TM5将衬底W直接搬送到显影块4的例如显影处理层4A的加热冷却部PHP(步骤S07)。在显影处理层4A的加热冷却部PHP中，进行曝光后烘烤(PEB)处理。另外，第5衬底搬送机构TM5从曝光后清洗单元162向第1显影处理层4A或第2显影处理层4B交替地搬送衬底W。
显影块4对进行了曝光处理的衬底W进行显影处理，并将该衬底W移回到IF块6。即，在显影处理层4A中，第3衬底搬送机构TM3从加热冷却部PHP接收衬底W，并将所接收到的衬底W按照冷却部CP、显影单元DEV、加热冷却部PHP、衬底载置部PS3的顺序搬送(步骤S08～S11)。衬底载置部PS3设于显影处理层4A与IF块6之间。因此，显影后的衬底W被移回到IF块6。此外，也可以省略由显影单元DEV处理之后的利用加热冷却部PHP进行的工序(步骤S10)。
IF块6将进行了显影处理的衬底W移回到例如载置在开启机构45的载置台47上的载具C(步骤S12)。即，载置台47的载具C通过开启机构45成为开口部48打开的状态。第4衬底搬送机构TM4将载置在衬底载置部PS3的衬底W移回到载置在开启机构45上的载具C。即，处理过的衬底W移回到在进行涂布及显影处理之前所被收纳的载具C。即，衬底W移回到原本的载具C。此外，在将衬底W移回到载置在开启机构46的载置台47上的载具C的情况下，使用第5衬底搬送机构TM5。
在处理过的衬底W全部被收纳到载具C之后，开启机构45一边将盖部安装在载具C，一边关闭开口部48。载具搬送机构51将收纳着处理过的衬底W的载具C从载置台47搬送到输出口72。之后，外部搬送机构OHT从输出口72向下一目的地搬送载具C。
此外，第5衬底搬送机构TM5将衬底W直接搬送到显影块4的加热冷却部PHP。在这一点上，也可以是第5衬底搬送机构TM5将衬底W搬送到例如输送衬底缓冲部SBF3等载置部，第3衬底搬送机构TM3将衬底W从载置部搬送到加热冷却部PHP。
图8是用于说明以往的衬底处理装置101的动作的图。以往的衬底处理装置101是按照ID块102、涂布块103、显影块104、IF块106的顺序(去路FW)搬送衬底W。此时，涂布块103对衬底W进行涂布处理，但显影块104不对衬底W进行显影处理。另外，衬底处理装置101按照IF块106、显影块104、涂布块103、ID块102的顺序(返路RT)搬送经曝光处理的衬底W。此时，涂布块103不对衬底W进行涂布处理，但显影块104对衬底W进行显影处理。
根据本实施例，如图9所示，依序配置着ID块2、涂布块3、显影块4及IF块6。在ID块2上设有载置台13，在IF块6上设有载置台47。以往，如图8所示，仅在ID块102上设有载具载置台113。因此，在去路FW及返路RT这两个路径中，在ID块102与IF块106之间搬送衬底W。根据本发明，在返路中，将衬底W从IF块6搬送到显影块4之后，不将衬底W搬送到涂布块3，而将衬底W从显影块4移回到IF块6。因此，在返路中，如图9的箭头A2所示，削减了涂布块3的搬送工序。即，搬送工序削减了1工序。通过减少1工序，能够进行其它搬送工序。因此，涂布块3的搬送速度提升。结果，能够提高衬底处理装置1整体的处理量。
另外，IF块6具备进行作为第4处理的一例的清洗处理的清洗单元161、162、第4衬底搬送机构TM4及第5衬底搬送机构TM5。第4衬底搬送机构TM4至少在显影块4、载置在开启机构45的载置台47上的载具C、及曝光前清洗单元161之间输送衬底W。第5衬底搬送机构TM5至少在显影块4、载置在开启机构46的载置台47上的载具C、及曝光后清洗单元162之间输送衬底W。
例如，第4衬底搬送机构TM4不仅将衬底W搬送到显影块4及曝光前清洗单元161，还将衬底W搬送到载置在设于IF块6的开启机构45的载置台47上的载具C。因此，也可以不在配置着第2处理块3与IF块6的方向上追加其它衬底搬送机构，所以与例如下述图10、图11的构成相比，能够紧凑地构成IF块6。因此，能够削减衬底处理装置1的占据面积。
另外，如图1所示，衬底处理装置1具备在载置台13与载置台47之间搬送载具C的载具搬送机构51。例如，在从载置在载置台13上的载具C取出了所有衬底W的情况下，载具搬送机构51为了将衬底W移回到该载具C，能够将载置在载置台13上的载具C搬送到载置台47。
另外，载具搬送机构51搭载在涂布块3及显影块4之上。以往，载具搬送机构相对于ID块102配置在水平方向(即，图8所示的载具C侧)。根据本发明，载具搬送机构51搭载在2个处理块3、4之上。因此，能够削减相对于ID块2配置在水平方向的以往的载具搬送机构的设置面积。即，能够削减衬底处理装置1的占据面积。
另外，衬底处理装置1具备载置在涂布块3及显影块4中的至少一个之上的载具保管架53。载具搬送机构51在载置台13、载置台47及载具保管架53之间搬送载具C。以往，载具保管架相对于ID块102设于水平方向。根据本发明，载具保管架53搭载在涂布块3及显影块4中的至少一个之上。因此，能够削减相对于ID块102设于水平方向的以往的载具保管架的设置面积。即，能够削减衬底处理装置1的占据面积。
[实施例2]
接下来，参照附图来说明本发明的实施例2。此外，省略与实施例1重复的说明。
在实施例1中，衬底搬送机构TM4(TM5)将衬底W搬送到清洗单元161(162)，另外，将衬底W移回到载置在载置台47上的载具C。在本实施例中，衬底搬送机构TM4(TM5)将衬底W搬送到清洗单元161(162)。然后，第7衬底搬送机构TM7将衬底W移回到载置在载置台47上的载具C。即，分担实施例1的衬底搬送机构TM4(TM5)所进行的衬底搬送。
图10是将实施例2的衬底处理装置1局部示出的纵剖视图。图11是将衬底处理装置1局部示出的横剖视图。IF块81具备第2ID块83及IF主体块84。此外，第2ID块83相当于本发明的第2装载块。
在显影块4的上侧显影处理层4A与第2ID块83之间，设有输送衬底缓冲部SBF3及衬底载置部PS3。在显影块4的下侧显影处理层4B与第2ID块83之间，设有输送衬底缓冲部SBF4及衬底载置部PS4。
在第2ID块83与IF主体块84之间，设有输送衬底缓冲部SBF5及移回衬底缓冲部RBF5。输送衬底缓冲部SBF5与移回衬底缓冲部RBF5配置在上下方向。输送衬底缓冲部SBF5与移回衬底缓冲部RBF5分别构成为能够供载置多个衬底W。
如图12所示，在第2ID块83上设有2个开启机构85、86。2个开启机构85、86分别具备载置台47。各开启机构85、86的除载置台47以外的构成与开启机构9(10)相同，所以省略其说明。第2ID块83具备第7衬底搬送机构TM7。2个开启机构85、86在俯视下配置在第7衬底搬送机构TM7的周围。第7衬底搬送机构TM7能够在结束向开启机构85的载具C搬送衬底W之后，向另一开启机构86的载具C搬送衬底W。因此，第7衬底搬送机构TM7能够不待机地继续搬送衬底W。
参照图10、图11。第7衬底搬送机构TM7在3个输送衬底缓冲部SBF3～SBF5、移回衬底缓冲部RBF5、2个衬底载置部PS3、PS4、沿上下方向配置在第2ID块83的旁侧的合计8个加热冷却部PHP、及载置在开启机构85、86的载置台47上的载具C之间搬送衬底W。
IF主体块84具备第4衬底搬送机构TM4及第5衬底搬送机构TM5。第4衬底搬送机构TM4能够在输送衬底缓冲部SBF5、移回衬底缓冲部RBF5、衬底载置部PS9、3个载置兼冷却部P-CP及曝光前清洗单元161之间搬送衬底W。
第5衬底搬送机构TM5能够在输送衬底缓冲部SBF5、移回衬底缓冲部RBF5、衬底载置部PS9、3个载置兼冷却部P-CP及曝光后清洗单元162之间搬送衬底W。第4衬底搬送机构TM4及第5衬底搬送机构TM5无法直接对显影块4的加热冷却部PHP及2个开启机构85、86的载具C进行衬底W的交付及接收。
此外，在IF主体块84未设有开启机构。除IF主体块84以外的构成与实施例1的IF块6的结构相同，所以省略其它构成的说明。
＜衬底处理装置1的动作＞
接下来，说明本实施例的衬底处理装置1的动作。在该说明中，对与实施例1不同的部分进行说明。图13是用于说明实施例2的衬底处理装置1的动作的流程图。
显影块4的第3衬底搬送机构TM3将进行了涂布处理的衬底W搬送到例如输送衬底缓冲部SBF3(步骤S21)。由此，显影块4能够将衬底W搬送到IF块81。
IF块81的第2ID块83将进行了涂布处理的衬底W搬送到IF主体块84。即，第7衬底搬送机构TM7从输送衬底缓冲部SBF3(SBF4)接收衬底W，并将所接收到的衬底W搬送到输送衬底缓冲部SBF5(步骤S22)。
IF主体块84将进行了涂布处理的衬底W搬出到曝光装置EXP。即，第4衬底搬送机构TM4从输送衬底缓冲部SBF5接收衬底W，并将所接收到的衬底W按照曝光前清洗单元161、载置兼冷却部P-CP的顺序搬送(步骤S23、S24)。第6衬底搬送机构TM6从载置兼冷却部P-CP向曝光装置EXP搬送衬底W。曝光装置EXP将搬送来的衬底W进行曝光(步骤S25)。
IF主体块84将进行了曝光处理的衬底W从曝光装置EXP搬入。之后，IF主体块84例如利用曝光后清洗单元162进行清洗处理，且将进行了清洗处理的衬底W搬送到第2ID块83。即，第6衬底搬送机构TM6从曝光装置EXP向衬底载置部PS9搬送由曝光装置EXP曝光后的衬底W(步骤S26)。第5衬底搬送机构TM5从衬底载置部PS9接收衬底W，并将所接收到的衬底W搬送到曝光后清洗单元162(步骤S27)。之后，第5衬底搬送机构TM5将由曝光后清洗单元162进行了清洗处理的衬底W移回并搬送到衬底缓冲部RBF5(步骤S28)。
第2ID块83将进行了曝光处理及清洗处理的衬底W搬送到显影块4。即，第7衬底搬送机构TM7从移回衬底缓冲部RBF5接收衬底W。之后，第7衬底搬送机构TM7将所接收到的衬底W直接搬送到显影块4的显影处理层4A(4B)的加热冷却部PHP(步骤S29)。
显影块4对进行了曝光处理及清洗处理的衬底W进行显影处理，且将该衬底W移回到IF块81。即，在显影处理层4A(4B)中，第3衬底搬送机构TM3从加热冷却部PHP接收衬底W，并将所接收到的衬底W按照冷却部CP、显影单元DEV、加热冷却部PHP、衬底载置部PS3(PS4)的顺序搬送(步骤S30～S33)。衬底载置部PS3(PS4)设于显影块4与第2ID块83之间。因此，显影后的衬底W被移回到第2ID块83。
第2ID块83将进行了显影处理的衬底W移回到载置在开启机构85(86)的载置台47上的载具C。即，载置台47的载具C通过开启机构45成为开口部48打开的状态。第7衬底搬送机构TM7将载置在衬底载置部PS3(PS4)上的衬底W移回到载置在开启机构85(86)上的载具C(步骤S34)。
根据本实施例，IF块81具备设有载置台47的第2ID块83及IF主体块84。第2ID块83的第7衬底搬送机构TM7能够针对载置台47的载具C进行衬底W的取出及收纳。因此，IF主体块84的例如第4衬底搬送机构TM4也可以不针对载置台47的载具C进行衬底W的取出及收纳。即，由于能够使3个衬底搬送机构TM4、TM5、TM7分担搬送动作，所以能够防止衬底处理装置1的处理量降低。
此外，在图11中，第2ID块83具备1个衬底搬送机构TM7。在这一点上，第2ID块83也可以具备2个衬底搬送机构TM7、TM8。在该情况下，2个衬底搬送机构TM7、TM8也可以均将衬底W收纳到载置在开启机构的载置台47上的载具C，并且在显影块4与IF主体块84之间搬送衬底W。另外，也可以是第7衬底搬送机构TM7被用于将衬底W收纳到载置在开启机构的载置台47上的载具C，第8衬底搬送机构TM8被用于在显影块4与IF主体块84之间搬送衬底W。此外，这2个衬底搬送机构TM7、TM8的作用也可以是相反的。
[实施例3]
接下来，参照附图来说明本发明的实施例3。此外，省略与实施例1、2重复的说明。
在实施例1中，IF块6具备清洗单元161、162作为处理单元。在本实施例中，IF块6除具备清洗单元161、162以外，还具备加热冷却部PHP(PEB)。
图14是将实施例3的衬底处理装置1局部示出的纵剖视图。图15是将衬底处理装置1局部示出的横剖视图。图16是将衬底处理装置1局部示出的右侧视图。
在图14中，在显影处理层4A与IF块6之间，除设有输送衬底缓冲部SBF3及衬底载置部PS3以外，还设有载置兼冷却部P-CP2。同样，在显影处理层4B与IF块6之间，除设有输送衬底缓冲部SBF4及衬底载置部PS4以外，还设有载置兼冷却部P-CP2。
如图15、图16所示，IF块6除具备清洗单元161、162以外，还具备加热冷却部PHP(PEB)。IF块6的加热冷却部PHP以隔着第6衬底搬送机构TM6对向的方式设置。如图16所示，在第4衬底搬送机构TM4(参照图15)侧，6个加热冷却部PHP配置在上下方向。此外，在第5衬底搬送机构TM5(参照图15)侧，6个加热冷却部PHP也配置在上下方向。
在图15所示的IF块6中，以在Y方向上对称的方式配置着清洗单元161、162及加热冷却部PHP。因此，第4衬底搬送机构TM4能够在2个输送衬底缓冲部SBF3、SBF4、3个衬底载置部PS3、PS4、PS9、5个载置兼冷却部P-CP、P-CP2、清洗单元161、162、IF块6的加热冷却部PHP、及载置在开启机构45上的载具C之间搬送衬底W。
第5衬底搬送机构TM5能够在2个输送衬底缓冲部SBF3、SBF4、3个衬底载置部PS3、PS4、PS9、5个载置兼冷却部P-CP、P-CP2、清洗单元161、162、IF块6的加热冷却部PHP、及载置在开启机构46上的载具C之间搬送衬底W。
＜衬底处理装置1的动作＞
接下来，说明本实施例的衬底处理装置1的动作。图17是用于说明实施例3的衬底处理装置1的动作的流程图。在该说明中，对与实施例1的图7所示的动作不同的部分进行说明。
在步骤S06中，衬底搬送机构TM4(TM5)向曝光后清洗单元162搬送衬底W。衬底搬送机构TM4(TM5)将由曝光后清洗单元162进行了清洗处理的衬底W搬送到IF块6的加热冷却部PHP(步骤S07)。另外，衬底搬送机构TM4(TM5)将由加热冷却部PHP进行了曝光后烘烤处理的衬底W搬送到载置兼冷却部P-CP2(步骤S08A)。由此，IF块6能够将进行了曝光处理的衬底W从曝光装置EXP搬入，IF块6能够将进行了曝光处理的衬底W搬送到显影块4。
在显影块4中，例如显影处理层4B的第3衬底搬送机构TM3从图14所示的载置兼冷却部P-CP2接收衬底W，并将所接收到的衬底W按照显影单元DEV、加热冷却部PHP、例如衬底载置部PS4的顺序搬送(步骤S09～S11)。衬底载置部PS4设于显影处理层4B与IF块6之间。因此，显影后的衬底W被移回到IF块6。
在IF块6中，第4衬底搬送机构TM4将载置在衬底载置部PS4上的衬底W移回到载置在开启机构45的载具C(步骤S12)。此外，在将衬底W移回到载置在开启机构46的载置台47上的载具C的情况下，使用第5衬底搬送机构TM5。
本实施例具有与实施例1相同的效果。即，根据本实施例，能够提高衬底处理装置1的处理量。另外，由于能够紧凑地构成IF块6，所以能够削减衬底处理装置1的占据面积。
[实施例4]
接下来，参照附图来说明本发明的实施例4。此外，省略与实施例1～3重复的说明。
在实施例2中，IF块81具备清洗单元161、162作为处理单元。在本实施例中，IF块6除具备清洗单元161、162以外，还具备加热冷却部PHP(PEB)。
图18是将衬底处理装置1局部示出的纵剖视图。图19是将衬底处理装置1局部示出的横剖视图。图20是将衬底处理装置1局部示出的右侧视图。
在图18中，取代图10所示的移回衬底缓冲部RBF5，设有载置兼冷却部P-CP3。另外，在2个显影处理层4A、4B与第2ID块83之间设有载置兼冷却部P-CP2。
如图19所示，IF主体块84除具备清洗单元161、162以外，还具备加热冷却部PHP(PEB)。IF主体块84的加热冷却部PHP为与实施例3的IF块6的加热冷却部PHP相同的构成，所以省略其说明。
第4衬底搬送机构TM4及第5衬底搬送机构TM5分别能够在输送衬底缓冲部SBF5、衬底载置部PS9、4个载置兼冷却部P-CP、P-CP3、清洗单元161、162及IF主体块84的加热冷却部PHP之间搬送衬底W。
另外，第4衬底搬送机构TM4及第5衬底搬送机构TM5无法对设于第2ID块83的2个开启机构45、46的载具C进行衬底W的交付及接收。
第2ID块83除具备第7衬底搬送机构TM7以外，还具备第8衬底搬送机构TM8。第8衬底搬送机构TM8例如构成为与第1衬底搬送机构TM1相同。
第7衬底搬送机构TM7在3个输送衬底缓冲部SBF3～SBF5、3个装载兼冷却部P-CP2、P-CP3、2个衬底装载部PS3、PS4、及开启机构46的载具C之间搬送衬底W。
第8衬底搬送机构TM8在3个输送衬底缓冲部SBF3～SBF5、3个载置兼冷却部P-CP2、P-CP3、2个衬底载置部PS3、PS4、及开启机构45的载具C之间搬送衬底W。
＜衬底处理装置1的动作＞
接下来，说明本实施例的衬底处理装置1的动作。图21是用于说明实施例4的衬底处理装置1的动作的流程图。在该说明中，对与实施例2的图13所示的动作不同的部分进行说明。
在步骤S27中，衬底搬送机构TM4(TM5)向曝光后清洗单元162搬送衬底W。之后，衬底搬送机构TM4(TM5)将由曝光后清洗单元162进行了清洗处理的衬底W搬送到IF块6的加热冷却部PHP(步骤S28A)。衬底搬送机构TM4(TM5)将由加热冷却部PHP进行了曝光后烘烤处理的衬底W搬送到载置兼冷却部P-CP3(参照图18)(步骤S29A)。
如图18所示，衬底搬送机构TM7(TM8)将衬底W从装载兼冷却部P-CP3搬送到装载兼冷却部P-CP2(步骤S30A)。因此，IF块81能够将进行了曝光处理的衬底W从曝光装置EXP搬入，IF块81能够将进行了曝光处理的衬底W搬送到显影块4。
在显影块4中，例如显影处理层4A的第3衬底搬送机构TM3从图18所示的载置兼冷却部P-CP2接收衬底W，并将所接收到的衬底W按照显影单元DEV、加热冷却部PHP、衬底载置部PS3的顺序搬送(步骤S31～S33)。衬底载置部PS3设于显影处理层4A与IF块81之间。因此，显影后的衬底W被移回到IF块81。
在第2ID块83中，第8衬底搬送机构TM8将载置在衬底载置部PS4上的衬底W移回到载置在开启机构45的载置台47上的载具C(步骤S34)。此外，在将衬底W移回到载置在开启机构46的载置台47上的载具C的情况下，使用第7衬底搬送机构TM7。
本实施例具有与实施例1相同的效果。即，根据本实施例，能够提高衬底处理装置1的处理量。另外，能够使其它衬底搬送机构TM7、TM8分担针对载置在载置部47上的载具C进行衬底W的取出及收纳。
此外，在图19中，第2ID块83具备2个衬底搬送机构TM7、TM8。在这一点上，第2ID块83也可以具备1个衬底搬送机构TM7。
另外，在第2ID块83具备2个衬底搬送机构TM7、TM8的情况下，也能以如下方式构成。即，2个衬底搬送机构TM7、TM8也可以分别将衬底W收纳到载置在开启机构的载置台47上的载具C，并且在显影块4与IF主体块84之间搬送衬底W。另外，也可以是第7衬底搬送机构TM7被用于将衬底W收纳到载置在开启机构的载置台47上的载具C，第8衬底搬送机构TM8被用于在显影块4与IF主体块84之间搬送衬底W。该作用也可以是相反的。
[实施例5]
接下来，参照附图来说明本发明的实施例5。此外，省略与实施例1～4重复的说明。
在实施例1～4中，装置1从载置在图1的左侧所示的ID块2的载置台13上的载具C取出衬底W，将衬底W收纳到载置在图1的右侧所示的IF块6的载置台47上的载具C。在这一点上也可以是相反的。即，装置1也可以从载置在图1的右侧所示的IF块6的载置台47上的载具C取出衬底W，将衬底W收纳到载置在图1的左侧所示的ID块2的载置台13上的载具C。
图22是用于说明衬底处理装置1的动作的图。本实施例的衬底处理装置1与图1所示的衬底处理装置1相比，涂布块3与显影块4的配置相反。另外，涂布块3与显影块4分别包含例如相当于图1中的涂布处理层3A及显影处理层4A的1个处理层。本实施例的衬底处理装置1的其它构成与实施例1～4中的任一个衬底处理装置1的构成大致相同。
此外，在本实施例中，显影块4相当于本发明的第1处理块。显影处理相当于本发明的第1处理。涂布块3相当于本发明的第2处理块。涂布处理相当于本发明的第2处理。
＜衬底处理装置1的动作＞
接下来，说明本实施例的衬底处理装置1的动作。参照图22。IF块6从载置在2个开启机构45、46中任一个的载置台47上的载具C取出衬底W，并将所取出的衬底W搬送到涂布块3。
之后，涂布块3对从IF块6输送来的衬底W进行涂布处理。之后，涂布块3将进行了涂布处理的衬底W移回到IF块6。之后，IF块6将进行了涂布处理的衬底搬出到曝光装置EXP。
之后，IF块6将由曝光装置EXP进行了曝光处理的衬底W从曝光装置EXP搬入，且将进行了曝光处理的衬底W搬送到涂布块3。涂布块3将从IF块6输送来且进行了曝光处理的衬底W搬送到显影块4。显影块4对进行了曝光处理的衬底W进行显影处理，且将进行了显影处理的衬底W搬送到ID块2。ID块2针对进行了显影处理的衬底W，将其移回到载置在2个开启机构9、10中任一个的载置台13上的载具C。
根据本实施例，在ID块2上设有载置台13，在IF块6上设有载置台47。以往，仅在ID块上设有载具载置台。因此，在去路及返路这两个路径中，在ID块与IF块之间搬送衬底。根据本发明，在将衬底W从IF块6搬送到涂布块3之后，将衬底W从涂布块3移回到IF块6。因此，削减了显影块4的搬送工序，所以显影块4的搬送速度提升。结果，能够提高衬底处理装置1整体的处理量。
本发明并不限于所述实施方式，能以如下方式变化实施。
(1)在所述实施例1、2中，第5衬底搬送机构TM5或第7衬底搬送机构TM7将衬底W直接搬送到显影块4的显影处理层4A(4B)的加热冷却部PHP。在这一点上，衬底搬送机构TM5、TM7也可以分别经由例如输送衬底缓冲部SBF3及衬底载置部PS3等载置部，将衬底W搬送到加热冷却部PHP。
(2)在所述各实施例及变化例(1)中，IF块6、81具备曝光前清洗单元161及曝光后清洗单元162。在这一点上，如图23所示，IF块6、81也可以不具备曝光前清洗单元161及曝光后清洗单元162。在该情况下，如图23所示，也可以不设置第6衬底搬送机构TM6。另外，第4衬底搬送机构TM4也可以向曝光装置EXP搬送衬底W。
(3)在所述各实施例及各变化例中，从喷嘴供给抗蚀剂液而在衬底W上形成抗蚀膜之后，在该状态下，将衬底W搬送到曝光装置EXP。在这一点上，也可以在形成于衬底W上的抗蚀剂膜上形成抗蚀剂保护膜。在图1中，显影块4的2个显影处理层4A、4B也可以分别具备2个涂布单元91。
涂布单元91具备：保持旋转部31，保持衬底W并使所保持的衬底W旋转；及喷嘴32，喷出抗蚀剂保护膜用的处理液。显影块4的涂布单元91通过从喷嘴32向进行了抗蚀剂涂布处理的衬底W喷出处理液，而在衬底W的抗蚀剂膜上形成抗蚀剂保护膜。显影块4也可以将进行了抗蚀剂保护膜形成处理的衬底W输送到IF块6。抗蚀剂保护膜由显影单元DEV去除。
(4)在所述各实施例及各变化例中，涂布块3及显影块4分别由2层(例如2个涂布处理层3A、3B)构成。在这一点上，涂布块3及显影块4可以分别由1层构成，也可以由3层以上构成。
(5)在所述各实施例及各变化例中，ID块2具备2个衬底搬送机构TM1、TM2。在这一点上，ID块2也可以具备1个衬底搬送机构。在该情况下，像图12所示的开启机构85、86那样，1个衬底搬送机构也可以针对载置在多个开启机构上的载具C进行衬底W的取出及收纳。1个衬底搬送机构也可以针对载置在1个开启机构上的载具C进行衬底W的取出及收纳。另外，1个衬底搬送机构也可以通过驱动机构在Y方向上移动。在Y方向上移动的衬底搬送机构也可以针对分别载置在沿Y方向配置的多个(例如4个)开启机构上的载具C进行衬底W的取出及收纳。
(6)在所述各实施例及各变化例中，IF块6、81也能以如下方式构成。例如，在图2～图4中，在第4衬底搬送机构TM4侧设有曝光前清洗单元161，在第5衬底搬送机构TM5侧设有曝光后清洗单元162。即，两种清洗单元161、162在Y方向上非对称地配置。在这一点上，如图19、图20所示，也可以在第4衬底搬送机构TM4侧及第5衬底搬送机构TM5侧均设有3个曝光前清洗单元161及2个曝光后清洗单元162。
另外，例如在图19、图20中，在第4衬底搬送机构TM4侧及第5衬底搬送机构TM5侧均设有3个曝光前清洗单元161及2个曝光后清洗单元162。即，两种清洗单元161、162在Y方向上对称地配置。在这一点上，如图2～图4所示，也可以在第4衬底搬送机构TM4侧设有曝光前清洗单元161，在第5衬底搬送机构TM5侧设有曝光后清洗单元162。
(7)在所述各实施例及各变化例中，衬底处理装置1具备2个处理块(涂布块3与显影块4)。在这一点上，衬底处理装置1也可以具备3个以上的处理块。
首先，对图24所示的衬底处理装置1进行说明。如图24所示，例如衬底处理装置1具备分别进行预先设定的处理的3个(多个)处理块201～203。3个处理块201～203配置成一列。3个处理块201～203具备至少1个一端侧的处理块(例如2个涂布块201、202)及至少1个另一端侧的处理块(例如显影块203)。3个处理块201～203具备第1涂布块201、第2涂布块202及显影块203。
第1涂布块201进行用于在衬底W上形成抗反射膜的第1涂布处理。第1涂布块201例如具备密接强化处理部PAHP、冷却部CP、涂布单元BARC及第3衬底搬送机构TM3。
第2涂布块202进行用于在衬底W上形成抗蚀剂膜的第2涂布处理。第2涂布块202例如具备加热冷却部PHP、冷却部CP、涂布单元RESIST及第3衬底搬送机构TM3。显影块203进行显影处理。显影块203例如具备冷却部CP、显影单元DEV、加热冷却部PHP及第3衬底搬送机构TM3。
第1ID块2与3个处理块201～203的一端的第1涂布块201连结。IF块6与3个处理块201～203的另一端的显影块203连结。此外，第1涂布处理也可以为形成抗反射膜的处理及形成抗蚀剂膜的处理。在该情况下，第2涂布处理也可以为例如形成具有拨水性的抗蚀剂保护膜的处理。
接下来，说明本变化例的衬底处理装置1的动作。此外，3个处理块201～203分别具备单一的处理层。
第1ID块2从载置在2个开启机构9、10中的一个的载置台13上的载具C取出衬底W，并将所取出的衬底W输送到一端侧的2个涂布块201、202。一端侧的2个涂布块201、202对输送来的衬底W进行预先设定的处理(第1涂布处理及第2涂布处理)。即，第1涂布块201对从ID块2输送来的衬底W进行第1涂布处理(形成抗反射膜)，将进行了第1涂布处理的衬底W输送到第2涂布块202。第2涂布块202对从第1涂布块201输送来的衬底W进行第2涂布处理(形成抗蚀剂膜)，将进行了第2涂布处理的衬底W输送到另一端侧的显影块203。
另一端侧的显影块203将由一端侧的处理块201、202处理后的衬底W输送到IF块6。IF块6将由一端侧的处理块201、202处理后的衬底W搬出到曝光装置EXP。IF块6从曝光装置EXP搬入衬底W，且将由曝光装置EXP处理后的衬底W输送到另一端侧的处理块(显影块)203。
另一端侧的显影块203对从IF块6输送来的衬底W进行预先设定的处理(显影处理)。IF块6将由另一端侧的显影块6处理后的衬底W移回到载置在2个开启机构45、46中的一个的载置台47上的载具C。
根据本变化例的发明，在返路中，将衬底W从IF块6搬送到另一端侧的显影块203之后，不将衬底W搬送到一端侧的涂布块201、202，而将衬底W从另一端侧的显影块203移回到IF块6。因此，由于在返路中，削减了利用一端侧的涂布块201、202进行的搬送工序，结果，能够提高衬底处理装置整体1的处理量。
(8)接下来，说明图25所示的衬底处理装置1。在图25所示的衬底处理装置1中，依序配置着ID块2、显影块203、第2涂布块202、第1涂布块201及IF块6。
说明本变化例的衬底处理装置1的动作。此外，3个处理块201～203分别由1个处理层构成。
IF块6从载置在载置台47上的载具C取出衬底W，并将所取出的衬底W输送到另一端侧的涂布块201、202。另一端侧的涂布块201、202对从IF块6输送来的衬底W进行第1涂布处理及第2涂布处理。IF块6将由另一端侧的涂布块201、202处理后的衬底W搬出到曝光装置EXP。IF块6从曝光装置EXP搬入衬底W，且将由曝光装置EXP处理后的衬底W输送到另一端侧的涂布块201、202。
另一端侧的涂布块201、202将由曝光装置EXP处理后的衬底W输送到一端侧的显影块203。一端侧的显影块203对从另一端侧的涂布块201、202输送来的衬底W进行预先设定的处理(显影处理)。ID块2将由一端侧的显影块203处理后的衬底W移回到载置在载置台13上的载具C。
根据本变化例的发明，在将衬底W从IF块6搬送到另一端侧的涂布块201、202之后，不将衬底W搬送到一端侧的显影块203，而将衬底W从另一端侧的涂布块201、202移回到IF块6。因此，由于在从ID块2到IF块6为止的去路中，削减了利用一端侧的显影块201进行的搬送工序，结果，能够提高衬底处理装置整体1的处理量。
本发明能够不脱离其思想或本质而以其它具体的方式实施，因此，作为表示发明范围的内容，应当参照所附加的权利要求书而非以上说明。
[符号的说明]
1 衬底处理装置
2 装载块(ID块)
3 涂布块
4 显影块
6、81 接口块(IF块)
8 载具搬送机构
13、47 载置台
51 载具搬送机构
53 载具保管架
83 第2装载块(ID块)
84 IF主体块
C 载具
TM1～TM8 衬底搬送机构
EXP 曝光装置
W 衬底

Claims (14)

1.一种衬底处理装置，对衬底进行处理，且包含以下要素：
多个处理块，配置成一列，且具有至少1个一端侧的处理块及至少1个另一端侧的处理块；
装载块，与所述多个处理块中的一端的处理块连结，且设有用于载置能够收纳多个衬底的载具的第1载具载置台；及
接口块，与所述多个处理块中的另一端的处理块连结，针对外部装置进行衬底的搬入及搬出，且设有用于载置所述载具的第2载具载置台；
所述装载块从载置在所述第1载具载置台上的所述载具取出衬底，并将所取出的衬底输送到所述一端侧的处理块，
所述一端侧的处理块对输送来的衬底进行预先设定的处理，
所述另一端侧的处理块将由所述一端侧的处理块处理后的衬底输送到所述接口块，
所述接口块将由所述一端侧的处理块处理后的衬底搬出到所述外部装置，
所述接口块从所述外部装置搬入衬底，且将由所述外部装置处理后的衬底输送到所述另一端侧的处理块，
所述另一端侧的处理块对从所述接口块输送来的衬底进行预先设定的处理，
所述接口块将由所述另一端侧的处理块处理后的衬底移回到载置在所述第2载具载置台上的所述载具。
2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中
所述多个处理块具备进行第1处理的第1处理块及进行第2处理的第2处理块，
所述装载块与所述第1处理块连结，
所述接口块与所述第2处理块连结，
所述第2处理块与所述第1处理块连结，
所述装载块从载置在所述第1载具载置台上的所述载具取出衬底，并将所取出的衬底输送到所述第1处理块，
所述第1处理块对输送来的衬底进行所述第1处理，且将进行了所述第1处理的衬底输送到所述第2处理块，
所述第2处理块将进行了所述第1处理的衬底输送到所述接口块，
所述接口块将进行了所述第1处理的衬底搬出到所述外部装置，
所述接口块从所述外部装置搬入衬底，且将由所述外部装置进行了第3处理的衬底输送到所述第2处理块，
所述第2处理块对从所述接口输送来的衬底进行所述第2处理，且将进行了所述第2处理的衬底输送到所述接口块，
所述接口块将由所述第2处理块处理后的衬底移回到载置在所述第2载具载置台上的所述载具。
3.根据权利要求1或2所述的衬底处理装置，其还具备载具搬送机构，
该载具搬送机构在所述第1载具载置台与所述第2载具载置台之间搬送所述载具。
4.根据权利要求3所述的衬底处理装置，其中
所述载具搬送机构搭载在所述第1处理块及所述第2处理块之上。
5.根据权利要求3所述的衬底处理装置，其还具备载具保管架，
该载具保管架搭载在所述第1处理块及所述第2处理块中的至少一个之上，
所述载具搬送机构在所述第1载具载置台、所述第2载具载置台及所述载具保管架之间搬送所述载具。
6.一种衬底处理装置，对衬底进行处理，且包含以下要素：
多个处理块，配置成一列，且具有至少1个一端侧的处理块及至少1个另一端侧的处理块；
装载块，与所述多个处理块中的一端的处理块连结，且设有用于载置能够收纳多个衬底的载具的第1载具载置台；及
接口块，与所述多个处理块中的另一端的处理块连结，针对外部装置进行衬底的搬入及搬出，且设有用于载置所述载具的第2载具载置台；
所述接口块从载置在所述第2载具载置台上的所述载具取出衬底，并将所取出的衬底输送到所述另一端侧的处理块，
所述另一端侧的处理块对从所述接口块输送来的衬底进行预先设定的处理，
所述接口块将由所述另一端侧的处理块处理后的衬底搬出到所述外部装置，
所述接口块从所述外部装置搬入衬底，且将由所述外部装置处理后的衬底输送到所述另一端侧的处理块，
所述另一端侧的处理块将由所述外部装置处理后的衬底输送到所述一端侧的处理块，
所述一端侧的处理块对从所述另一端侧的处理块输送来的衬底进行预先设定的处理，
所述装载块将由所述一端侧的处理块处理后的衬底移回到载置在所述第1载具载置台上的所述载具。
7.根据权利要求6所述的衬底处理装置，其中
所述多个处理块具备进行第1处理的第1处理块及进行第2处理的第2处理块，所述装载块与所述第1处理块连结，
所述接口块与所述第2处理块连结，
所述第2处理块与所述第1处理块连结，
所述接口块从载置在所述第2载具载置台上的所述载具取出衬底，并将所取出的衬底输送到所述第2处理块，
所述第2处理块对从所述接口块输送来的衬底进行所述第2处理，
所述接口块将进行了所述第2处理的衬底搬出到所述外部装置，
所述接口块从所述外部装置搬入衬底，且将由所述外部装置进行了第3处理的衬底输送到所述第2处理块，
所述第2处理块将进行了所述第3处理的衬底输送到所述第1处理块，
所述第1处理块对从所述第2处理块输送来的衬底进行所述第1处理，
所述装载块将进行了所述第1处理的衬底移回到载置在所述第1载具载置台上的所述载具。
8.根据权利要求7所述的衬底处理装置，其中
所述接口块具备进行第4处理的处理单元及衬底搬送机构，
所述衬底搬送机构至少在所述第2处理块、载置在所述第2载具载置台上的所述载具及所述处理单元之间输送衬底。
9.根据权利要求7所述的衬底处理装置，其中
所述接口块具备：第2装载块，与所述第2处理块连结，且设有所述第2载具载置台；及IF主体块，与所述第2装载块连结，针对所述外部装置进行衬底的搬入及搬出；
所述第2装载块具备第1衬底搬送机构，该第1衬底搬送机构在所述第2处理块、载置在所述第2载具载置台上的所述载具及所述IF主体块之间输送衬底，
所述IF主体块具备进行第4处理的处理单元及第2衬底搬送机构，所述第2衬底搬送机构至少在所述第2装载块及所述处理单元之间输送衬底。
10.根据权利要求6至9中任一项所述的衬底处理装置，其还具备载具搬送机构，
该载具搬送机构在所述第1载具载置台与所述第2载具载置台之间搬送所述载具。
11.根据权利要求10所述的衬底处理装置，其中
所述载具搬送机构搭载在所述第1处理块及所述第2处理块之上。
12.根据权利要求10所述的衬底处理装置，其还具备载具保管架，
该载具保管架搭载在所述第1处理块及所述第2处理块中的至少一个之上，
所述载具搬送机构在所述第1载具载置台、所述第2载具载置台及所述载具保管架之间搬送所述载具。
13.一种衬底搬送方法，其是具备如下部件的衬底处理装置的衬底搬送方法，所述部件是指：多个处理块，配置成一列，且具有至少1个一端侧的处理块及至少1个另一端侧的处理块；
装载块，与所述多个处理块中的一端的处理块连结，且设有用于载置能够收纳多个衬底的载具的第1载具载置台；及
接口块，与所述多个处理块中的另一端的处理块连结，且针对外部装置进行衬底的搬入及搬出；且该衬底搬送方法包含以下工序：
利用所述装载块从载置在所述第1载具载置台上的所述载具取出衬底，并将所取出的衬底输送到所述一端侧的处理块；
利用所述一端侧的处理块对输送来的衬底进行预先设定的处理；
利用所述另一端侧的处理块将由所述一端侧的处理块处理后的衬底输送到所述接口块；
利用所述接口块将由所述一端侧的处理块处理后的衬底搬出到所述外部装置；
利用所述接口块从所述外部装置搬入衬底，且将由所述外部装置处理后的衬底输送到所述另一端侧的处理块；
利用所述另一端侧的处理块，对从所述接口块输送来的衬底进行预先设定的处理；及
利用所述接口块将由所述另一端侧的处理块处理后的衬底移回到载置在设于所述接口块的第2载具载置台上的所述载具。
14.一种衬底搬送方法，其是具备如下部件的衬底处理装置的衬底搬送方法，所述部件是指：多个处理块，配置成一列，且具有至少1个一端侧的处理块及至少1个另一端侧的处理块；
装载块，与所述多个处理块中的一端的处理块连结，且设有用于载置能够收纳多个衬底的载具的第1载具载置台；及
接口块，与所述多个处理块中的另一端的处理块连结，且针对外部装置进行衬底的搬入及搬出；且该衬底搬送方法包含以下工序：
利用所述接口块，从载置在设于所述接口块的第2载具载置台上的所述载具取出衬底，并将所取出的衬底输送到所述另一端侧的处理块；
利用所述另一端侧的处理块，对从所述接口块输送来的衬底进行预先设定的处理；
利用所述接口块，将由所述另一端侧的处理块处理后的衬底搬出到所述外部装置；
利用所述接口块从所述外部装置搬入衬底，且将由所述外部装置处理后的衬底输送到所述另一端侧的处理块；
利用所述另一端侧的处理块，将由所述外部装置处理后的衬底输送到所述一端侧的处理块；
利用所述一端侧的处理块，对从所述另一端侧的处理块输送来的衬底进行预先设定的处理；及
利用所述装载块，将由所述一端侧的处理块处理后的衬底移回到载置在所述第1载具载置台上的所述载具。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7195841B2 (ja) * 2018-09-21 2022-12-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP7114456B2 (ja) * 2018-12-28 2022-08-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板搬送方法
JP7181081B2 (ja) * 2018-12-28 2022-11-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板搬送方法
JP7190900B2 (ja) * 2018-12-28 2022-12-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、キャリア搬送方法およびキャリアバッファ装置
TW202236486A (zh) * 2020-11-25 2022-09-16 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
KR20230037990A (ko) * 2021-09-10 2023-03-17 삼성전자주식회사 Efem을 포함하는 웨이퍼 처리 장치 및 웨이퍼 처리 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000306795A (ja) * 1999-04-21 2000-11-02 Nec Corp 半導体装置の製造方法
CN1737995A (zh) * 2000-07-12 2006-02-22 东京毅力科创株式会社 基板处理装置
US20100191362A1 (en) * 2009-01-23 2010-07-29 Tokyo Electron Limited Coating and developing apparatus
US20120034062A1 (en) * 2009-01-26 2012-02-09 Yoshiteru Fukutomi Stocker apparatus and substrate treating apparatus

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3552178B2 (ja) * 1995-09-27 2004-08-11 大日本スクリーン製造株式会社 基板収納カセット、インターフェイス機構および基板処理装置
JP3693783B2 (ja) * 1997-03-21 2005-09-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
KR20020063664A (ko) 2001-01-30 2002-08-05 삼성전자 주식회사 반도체 소자 제조용 설비의 멀티챔버 시스템
US6832863B2 (en) 2002-06-11 2004-12-21 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating apparatus and method
KR100542630B1 (ko) 2004-04-28 2006-01-11 세메스 주식회사 반도체 제조 설비
JP4459831B2 (ja) 2005-02-01 2010-04-28 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置
KR20070023191A (ko) 2005-08-23 2007-02-28 삼성전자주식회사 멀티챔버시스템 및 이를 사용한 공정제어방법
JP5025231B2 (ja) * 2006-11-17 2012-09-12 東京エレクトロン株式会社 基板搬送処理装置
JP5148944B2 (ja) 2007-08-14 2013-02-20 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理システム
JP4473343B2 (ja) 2007-11-09 2010-06-02 キヤノンアネルバ株式会社 インライン型ウェハ搬送装置
KR100921638B1 (ko) 2007-12-26 2009-10-14 주식회사 케이씨텍 습식 세정 장치
JP5462506B2 (ja) * 2009-03-18 2014-04-02 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5318005B2 (ja) 2010-03-10 2013-10-16 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置、ストッカー装置および基板収納容器の搬送方法
JP6243784B2 (ja) * 2014-03-31 2017-12-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板処理装置
JP7175191B2 (ja) * 2018-12-28 2022-11-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板搬送方法
JP7181081B2 (ja) * 2018-12-28 2022-11-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板搬送方法
JP7190900B2 (ja) * 2018-12-28 2022-12-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、キャリア搬送方法およびキャリアバッファ装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000306795A (ja) * 1999-04-21 2000-11-02 Nec Corp 半導体装置の製造方法
CN1737995A (zh) * 2000-07-12 2006-02-22 东京毅力科创株式会社 基板处理装置
US20100191362A1 (en) * 2009-01-23 2010-07-29 Tokyo Electron Limited Coating and developing apparatus
US20120034062A1 (en) * 2009-01-26 2012-02-09 Yoshiteru Fukutomi Stocker apparatus and substrate treating apparatus

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