CN111380830A - 一种单晶晶圆缺陷类型及分布区域的检测方法 - Google Patents
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- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims abstract description 116
- 238000009826 distribution Methods 0.000 title claims abstract description 59
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 37
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 106
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 106
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 106
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 93
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 39
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 37
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 37
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims abstract description 34
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 17
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 238000012876 topography Methods 0.000 claims description 29
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 7
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 17
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 191
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 5
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000009659 non-destructive testing Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012800 visualization Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 238000009279 wet oxidation reaction Methods 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
- G01N21/3563—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light for analysing solids; Preparation of samples therefor
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
- G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
- G01N1/32—Polishing; Etching
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
- G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
- G01N1/44—Sample treatment involving radiation, e.g. heat
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
- G01N21/9505—Wafer internal defects, e.g. microcracks
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
- G01N23/207—Diffractometry using detectors, e.g. using a probe in a central position and one or more displaceable detectors in circumferential positions
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- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
- G01N21/3563—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light for analysing solids; Preparation of samples therefor
- G01N2021/3568—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light for analysing solids; Preparation of samples therefor applied to semiconductors, e.g. Silicon
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
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- G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
- G01N21/3563—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light for analysing solids; Preparation of samples therefor
- G01N2021/3572—Preparation of samples, e.g. salt matrices
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
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- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
- G01N2021/3595—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light using FTIR
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Abstract
本发明提供一种单晶晶圆缺陷类型及分布区域的检测方法，所述方法包括：将单片晶圆分为四等份；获取第一份晶圆样品沿直径方向的多个测试位点的初始间隙氧浓度值；对第二份晶圆样品进行刻蚀处理，根据刻蚀处理后的第二份晶圆样品的腐蚀坑的形貌以及分布区域，确定晶圆是否存在空位型缺陷和/或间隙型缺陷及其分布区域；对第三份晶圆样品进行第一热处理，确定晶圆是否存在氧化诱生层错缺陷及其分布区域；对第四份晶圆样品进行第二热处理，确定晶圆的氧析出促进区域、氧析出抑制区域、自间隙硅团簇区域。根据本发明实施例的检测方法，可高效快速地检测出晶圆中可能存在的所有缺陷类型及分布区域，在确保检测准确性的前提下，极大节省了检测成本。
Description
技术领域
本发明涉及晶圆缺陷检测技术领域，具体涉及一种单晶晶圆缺陷类型及分布区域的检测方法。
背景技术
目前，对晶体缺陷的种类与分布的检测评价对于开发高质量的无缺陷的单晶硅锭有着非常重要的指导意义，具体是通过在规定的晶体生长条件下生长的单晶晶圆，之后对上述生长的单晶晶圆加工处理，通过晶体缺陷的评价技术方法来评价晶圆中所含的晶体缺陷，然后将上述晶体缺陷的评价结果反馈给上述规定的生长条件，以便控制和避免产品的不良。
目前的晶体评价技术包括很多种技术，这些评价技术对检测某种特定缺陷非常有效，但这些方法只能检测出硅片当中是否存在某类特定缺陷，但却不能够检测出硅片当中可能存在的所有缺陷，同时，这些检测技术都是对硅片有损害的，属于有损检测，也就是说目前的技术中还不能满足采用少量的晶圆来检测其所包含的缺陷种类与分布。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种单晶晶圆缺陷类型及分布区域的检测方法，以解决现有技术中无法采用少量的晶圆即可准确检测出晶圆可能存在的所有缺陷种类与分布。
为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：
本发明提供一种单晶晶圆缺陷类型及分布区域的检测方法，包括：
将单片晶圆分为至少四等份，得到至少四份晶圆样品；
获取第一份晶圆样品沿直径方向上的多个测试位点的初始间隙氧浓度值；
对第二份晶圆样品进行刻蚀处理，根据刻蚀处理后的第二份晶圆样品上的腐蚀坑的形貌以及分布区域，确定所述晶圆是否存在空位型缺陷和/或间隙型缺陷以及所述空位型缺陷和/或所述间隙型缺陷的分布区域；
对第三份晶圆样品进行第一热处理，根据所述初始间隙氧浓度和经第一热处理后的第三份晶圆样品，确定所述晶圆是否存在氧化诱生层错缺陷以及所述氧化诱生层错缺陷的分布区域；
对第四份晶圆样品进行第二热处理，根据所述初始间隙氧浓度和经第二热处理后的第四份晶圆样品，确定所述晶圆的氧析出促进区域、氧析出抑制区域和/或自间隙硅团簇区域。
可选的，所述对第三份晶圆样品进行第一热处理，根据所述初始间隙氧浓度和经第一热处理后的第三份晶圆样品，确定所述晶圆是否存在氧化诱生层错缺陷以及所述氧化诱生层错缺陷的分布区域，包括：
获取第一热处理后的第三份晶圆样品沿直径方向上的多个测试位点的第一间隙氧浓度值，计算得到每一所述测试位点的第一间隙氧浓度值与所述初始间隙氧浓度值的第一差值；
根据所述第一差值以及第一热处理后的第三份晶圆样品表面的形貌图，确定所述晶圆是否存在氧化诱生层错缺陷以及所述氧化诱生层错缺陷的分布区域。
可选的，所述对第四份晶圆样品进行第二热处理，根据所述初始间隙氧浓度和经第一热处理后的第三份晶圆样品，确定所述晶圆的氧析出促进区域、氧析出抑制区域和/或自间隙硅团簇区域，包括：
获取第二热处理后的第四份晶圆样品沿直径方向上的多个测试位点的第二间隙氧浓度值，计算得到每一所述测试位点的第二间隙氧浓度值与所述初始间隙氧浓度值的第二差值；
根据所述第二差值以及第二热处理后的第四份晶圆样品表面的形貌图，确定所述晶圆的氧析出促进区域、氧析出抑制区域以及自间隙硅团簇区域。
可选的，所述获取第一份晶圆样品沿直径方向上的多个测试位点的初始间隙氧浓度值包括：
采用傅里叶红外光谱仪沿所述第一份晶圆样品的直径方向进行扫描，获取第一份晶圆样品沿直径方向上的多个测试位点的初始间隙氧浓度值；
所述获取第一热处理后的第三份晶圆样品沿直径方向上的多个测试位点的第一间隙氧浓度值包括：
采用傅里叶红外光谱仪沿所述第三份晶圆样品的直径方向进行扫描，获取第三份晶圆样品沿直径方向上的多个测试位点的第一间隙氧浓度值；
所述获取第二热处理后的第四份晶圆样品沿直径方向上的多个测试位点的第二间隙氧浓度值包括：
采用傅里叶红外光谱仪沿所述第四份晶圆样品的直径方向进行扫描，获取第四份晶圆样品沿直径方向上的多个测试位点的第二间隙氧浓度值。
可选的，所述对第二份晶圆样品进行刻蚀处理包括：
采用赛科刻蚀剂对所述第二份晶圆样品进行刻蚀，刻蚀时间为5～20分钟。
可选的，所述对第三份晶圆样品进行第一热处理包括：
将所述第三份晶圆样品在1000℃～1200℃的温度条件下处理1～3个小时。
可选的，所述根据所述第一差值以及第一热处理后的第三份晶圆样品表面的形貌图，确定所述晶圆是否存在氧化诱生层错缺陷以及所述氧化诱生层错缺陷的分布区域之前，还包括：
利用X射线扫描经第一热处理后的第三份晶圆样品的表面，获取第一热处理后的第三份晶圆样品表面的形貌图。
可选的，所述对第四份晶圆样品进行第二热处理包括：
将所述第四份晶圆样品依次在750℃～870℃的温度条件下处理3～8个小时，在1000℃～1100℃的温度下处理10～18个小时。
可选的，所述根据所述第二差值以及第二热处理后的第四份晶圆样品表面的形貌图，确定所述晶圆的氧析出促进区域、氧析出抑制区域和/或自间隙硅团簇区域之前，还包括：
利用X射线扫描经第二热处理后的第四份晶圆样品的表面，获取第二热处理后的第四份晶圆样品表面的形貌图。
可选的，所述晶圆为抛光后的晶圆，所述将单片晶圆分为至少四等份，得到至少四份晶圆样品包括：
将单片晶圆沿V型槽方向均匀裂片，得到四份晶圆样品。
本发明上述技术方案的有益效果如下：
根据本发明实施例的检测方法，可高效快速地检测出晶圆中可能存在的所有缺陷类型及分布区域，在确保检测准确性的前提下，极大节省了检测成本。
附图说明
图1为晶体提速度V与晶体缺陷区域的关系示意图；
图2为图1中A处的晶圆缺陷示意图；
图3为图1中B处的晶圆缺陷示意图；
图4为图1中C处的晶圆缺陷示意图；
图5为图1中D处的晶圆缺陷示意图；
图6为图1中E处的晶圆缺陷示意图；
图7为本发明实施例提供的单晶晶圆缺陷类型及分布区域的检测方法的流程示意图；
图8为本发明实施例提供的经刻蚀处理后晶圆的空位型缺陷和间隙型缺陷的分布示意图；
图9为本发明实施提供的经第一热处理后晶圆的氧化诱生层错缺陷的分布示意图；
图10为本发明实施例提供的经第二热处理后晶圆的氧析出促进区域、氧析出抑制区域以及自间隙硅团簇区域的分布示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
相关技术中，采用CZ法制备单晶硅过程中，通过将籽晶浸渍在石英坩埚内的熔融硅中，一边旋转籽晶和坩埚，一边提拉籽晶，从而在籽晶的下方生长单晶硅。生长得到的单晶硅锭中会产生各种原生缺陷，这些原生缺陷会影响后续的加工工序。一般来说，单晶硅锭的晶体缺陷分布主要取决于晶体的生长速率或晶体的提拉速率V和固液界面处轴向温度梯度G。
如图1-6所示，其中，图1为晶体提速度V与晶体缺陷区域的关系图，图2-6为晶体缺陷的分布示意图。在高速的提拉条件下生长时是由空位占主导形成的空位簇或空隙区，也即空位型缺陷区域(v-rich区)；减小拉速V则形成晶体原生氧化颗粒区域(P band)，该区域可通过施行特定的氧化热处理时以环状的氧化诱生层错(OiSF)的形式显现化；若是进一步减小提拉速度V，则存在氧析出物且检测不到原生缺陷的晶体区域即是氧析出促进区域(Pv)，其次，形成不易引起氧析出且检测不到原生缺陷的晶体区域，即是氧析出抑制区域(Pi)；进一步降低拉速时，少量的间隙硅原子聚集形成小的自间隙硅团簇(B band)；在更低拉速下进而形成可检测到大位错团的晶体区域的位错团区域，也即间隙型缺陷区域(Irich区)。
一般的，对晶体缺陷的种类与分布的检测评价对于开发高质量的无缺陷的单晶硅锭有着非常重要的指导意义，其具体是通过在规定的晶体生长条件下生长的单晶晶圆，之后对上述生长的单晶晶圆加工处理，通过晶体缺陷的评价技术方法来评价晶圆中所含的晶体缺陷，将上述晶体缺陷的评价结果反馈给上述规定的生长条件，以便控制和避免产品的不良。
目前的晶体评价技术包括很多种技术，比如刻蚀+热处理等方法，这些评价技术对检测某种特定缺陷非常有效，但这些方法只能检测出硅片当中是否存在某类特定缺陷，但却不能够检测出硅片当中可能存在的所有缺陷，同时，这些检测技术都是对硅片有损害的，属于有损检测，也就是说目前的技术中还不能满足采用少量的晶圆来检测其所包含的缺陷种类与分布。
由此，本发明实施例提供一种单晶晶圆缺陷类型及分布区域的检测方法。如图7所示，所述方法可以包括以下步骤：
步骤701：将单片晶圆分为至少四等份，得到至少四份晶圆样品。
本发明实施例中，只需采用一片单晶晶圆，通过将单片的晶圆分为至少四等份，便可得到至少四份晶圆样品。该步骤中，具体可以将单片晶圆沿V型槽方向均匀裂片，继而得到至少四份晶圆样品，通过这样的方式得到的各晶圆样品的物理性质和化学性质几乎相同，便于后续将各份晶圆样品的处理结果进行比对；更具体的，所述单片晶圆可以抛光片，而晶圆样品的份数具体为4份，为方便后续区分，可以命名为第一至四份晶圆样品。
步骤702：获取第一份晶圆样品沿直径方向上的多个测试位点的初始间隙氧浓度值。
在该步骤中，需要采集第一份晶圆样品沿直径方向上的多个测试位点的初始间隙氧浓度值，可以记为[Oi]0；在具体实施该步骤时，获取第一份晶圆样品沿直径方向上的多个测试位点的初始间隙氧浓度值的步骤可以包括：采用傅里叶红外光谱仪(FourierTransform Infrared Spectrometer，简称FTIR)沿第一份晶圆样品的直径方向进行扫描，继而获取第一份晶圆样品沿直径方向上的多个测试位点的初始间隙氧浓度值[Oi]0，通过采用FTIR进行扫描测量，可以避免获取间隙氧浓度时对硅片造成损伤。
步骤703：对第二份晶圆样品进行刻蚀处理，根据刻蚀处理后的第二份晶圆样品上的腐蚀坑的形貌以及分布区域，确定所述晶圆是否存在空位型缺陷和/或间隙型缺陷以及所述空位型缺陷和/或所述间隙型缺陷的分布区域。
本发明实施例中，可以通过对第二份晶圆样品进行刻蚀处理，然后根据刻蚀处理后的第二份晶圆样品上的腐蚀坑的形貌与分布，便可判断出晶圆中是否存在空位型缺陷和/或间隙型缺陷，同时可以确定空位型缺陷的分布区域和/或间隙型缺陷的分布区域。更具体的说，在对第二份晶圆样品进行刻蚀处理后，可以采用光学显微镜观察刻蚀处理后的第二份晶圆样品上的腐蚀坑的形貌与分布，判断出是否存在空位型缺陷和/或间隙型缺陷，也就可以确定这两种缺陷各自的分布区域。
在本发明的一些实施例中，所述对第二份晶圆样品进行刻蚀处理包括：采用赛科刻蚀剂对所述第二份晶圆样品进行刻蚀，刻蚀时间为5～20分钟；也就是说，可以采用Secco刻蚀剂对第二份晶圆样品进行刻蚀处理，刻蚀条件可以为无搅拌或鼓动气泡，时间为5～20分钟。经过赛科刻蚀剂刻蚀后的第二份晶圆样品中，空位型缺陷区域的腐蚀坑的形貌为抛物线形式，且抛物线底部有小坑，称之为流动图案形貌(FPD)，而间隙型缺陷的腐蚀坑的形貌则与空位型缺陷的腐蚀坑的形貌完全不同，由此，可以检测出晶圆是否存在空位型缺陷以及间隙型缺陷以及各自的分布区域，如图8所示，图8为经上述刻蚀处理后晶圆的空位型缺陷和间隙型缺陷的分布示意图。
步骤704：对第三份晶圆样品进行第一热处理，根据所述初始间隙氧浓度和经第一热处理后的第三份晶圆样品，确定所述晶圆是否存在氧化诱生层错缺陷以及所述氧化诱生层错缺陷的分布区域。
本发明实施例中，通过对第三份晶圆样品进行第一热处理，便可根据所述初始间隙氧浓度和经第一热处理后的第三份晶圆样品，判断出所述晶圆是否存在氧化诱生层错缺陷以及在存在的情况下所述氧化诱生层错缺陷的分布区域。具体来说，所述对第三份晶圆样品进行第一热处理，根据所述初始间隙氧浓度和经第一热处理后的第三份晶圆样品，确定所述晶圆是否存在氧化诱生层错缺陷以及所述氧化诱生层错缺陷的分布区域，可以包括：
获取第一热处理后的第三份晶圆样品沿直径方向上的多个测试位点的第一间隙氧浓度值，计算得到每一所述测试位点的第一间隙氧浓度值与所述初始间隙氧浓度值的第一差值；
根据所述第一差值以及第一热处理后的第三份晶圆样品表面的形貌图，确定所述晶圆是否存在氧化诱生层错缺陷以及所述氧化诱生层错缺陷的分布区域。
也就是说，可以通过对第三份晶圆样品进行氧化诱生层错(OSF)显现化处理，使得晶圆中可能存在的氧化诱生层错缺陷显现出来；具体的，对第三份晶圆样品进行第一热处理，然后获取第一热处理后的第三份晶圆样品沿直径方向上的多个测试位点的第一间隙氧浓度值[Oi]1，接着将所述测试位点的第一间隙氧浓度值[Oi]1与所述初始间隙氧浓度值[Oi]0对应作差，得到第一差值Δ[Oi]1，根据所述第一差值Δ[Oi]1以及第一热处理后的第三份晶圆样品表面的形貌图，便可确定所述晶圆是否存在氧化诱生层错缺陷以及所述氧化诱生层错缺陷的分布区域。
在本发明的一些实施例中，所述获取第一热处理后的第三份晶圆样品沿直径方向上的多个测试位点的第一间隙氧浓度值可以包括：采用傅里叶红外光谱仪沿所述第三份晶圆样品的直径方向进行扫描，获取第三份晶圆样品沿直径方向上的多个测试位点的第一间隙氧浓度值[Oi]1；同样的，通过采用FTIR进行扫描测量，可以避免获取间隙氧浓度时对硅片造成损伤。
在本发明的一些实施例中，所述对第三份晶圆样品进行第一热处理可以包括：将所述第三份晶圆样品在1000℃～1200℃的温度条件下处理1～3个小时；也就是说，第一热处理采用湿氧化的热处理方式，以对第三份晶圆样品进行OSF显现化处理，由于上述步骤中已确定空位型缺陷的分布区域和间隙型缺陷的分布区域，则进一步根据Δ[Oi]1以及第一热处理后的第三份晶圆样品表面的形貌图，便可以确定晶圆中是否存在氧化诱生层错缺陷以及该类缺陷的分布区域，如图9所示，图9示出了经第一热处理后的晶圆上的氧化诱生层错缺陷。
而在本发明的另一些实施例中，所述根据所述第一差值以及第一热处理后的第三份晶圆样品表面的形貌图，确定所述晶圆是否存在氧化诱生层错缺陷以及所述氧化诱生层错缺陷的分布区域之前，还包括：
利用X射线扫描经第一热处理后的第三份晶圆样品的表面，获取第一热处理后的第三份晶圆样品表面的形貌图。
也就是说，可以通过X射线衍射形貌术(X ray topography，简称XRT)获取经第一热处理后的第三份晶圆样品表面的形貌图，具体来说，可以采用X射线扫描经第一热处理后的第三份晶圆样品的表面，便可得到第一热处理后的第三份晶圆样品表面的形貌图，XRT技术同样属于无损检测技术，不会对晶圆造成实际损坏。
步骤705：对第四份晶圆样品进行第二热处理，根据所述初始间隙氧浓度和经第二热处理后的第四份晶圆样品，确定所述晶圆的氧析出促进区域、氧析出抑制区域和/或自间隙硅团簇区域。
本发明实施例中，通过对第四份晶圆样品进行第二热处理，便可根据所述初始间隙氧浓度和经第二热处理后的第四份晶圆样品，判断出所述晶圆的氧析出促进区域、氧析出抑制区域和/或自间隙硅团簇区域。具体来说，所述对第四份晶圆样品进行第二热处理，根据所述初始间隙氧浓度和经第二热处理后的第四份晶圆样品，确定所述晶圆的氧析出促进区域、氧析出抑制区域和/或自间隙硅团簇区域，包括：
获取第二热处理后的第四份晶圆样品沿直径方向上的多个测试位点的第二间隙氧浓度值，计算得到每一所述测试位点的第二间隙氧浓度值与所述初始间隙氧浓度值的第二差值；
根据所述第二差值以及第二热处理后的第四份晶圆样品表面的形貌图，确定所述晶圆的氧析出促进区域、氧析出抑制区域以及自间隙硅团簇区域。
也就是说，可以对第四份晶圆样品进行第二热处理，然后获取第二热处理后的第四份晶圆样品沿直径方向上的多个测试位点的第二间隙氧浓度值[Oi]2，接着将所述测试位点的第二间隙氧浓度值[Oi]2与所述初始间隙氧浓度值[Oi]0对应作差，得到第二差值Δ[Oi]2，根据所述第二差值Δ[Oi]2以及第二热处理后的第四份晶圆样品表面的形貌图，便可确定所述晶圆的氧析出促进区域、氧析出抑制区域和/或自间隙硅团簇区域。
在本发明的一些实施例中，所述获取第二热处理后的第四份晶圆样品沿直径方向上的多个测试位点的第二间隙氧浓度值可以包括：采用傅里叶红外光谱仪沿所述第四份晶圆样品的直径方向进行扫描，获取第四份晶圆样品沿直径方向上的多个测试位点的第二间隙氧浓度值[Oi]2；同样的，通过采用FTIR进行扫描测量，可以避免获取间隙氧浓度时对硅片造成损伤。
在本发明的一些实施例中，所述对第四份晶圆样品进行第二热处理包括：将所述第四份晶圆样品依次在750℃～870℃的温度条件下处理3～8个小时，在1000℃～1100℃的温度下处理10～18个小时；也就是说，第二热处理包括两个步骤，第一步即先将第四份晶圆样品在750℃～870℃的温度条件下处理3～8个小时，第二部则是将经第一步处理后的第四份晶圆样品在1000℃～1100℃的温度下处理10～18个小时，由于上述步骤中已确定空位型缺陷的分布区域、间隙型缺陷的分布区域以及氧化诱生层错缺陷的分布区域，则进一步根据Δ[Oi]2以及第二热处理后的第四份晶圆样品表面的形貌图，便可以确定晶圆中的氧析出促进区域、氧析出抑制区域和/或自间隙硅团簇区域，具体的，氧析出促进区域的Δ[Oi]2变化很大，而自间隙硅团簇区域的Δ[Oi]2变化很小，至于形貌图不发生变化的区域则为氧析出抑制区域。如图10所示，图10示出了经第二热处理后的氧析出促进区域、氧析出抑制区域以及自间隙硅团簇区域的分布情况。
在本发明的一些实施例中，所述根据所述第二差值以及第二热处理后的第四份晶圆样品表面的形貌图，确定所述晶圆的氧析出促进区域、氧析出抑制区域和/或自间隙硅团簇区域之前，还包括：
利用X射线扫描经第二热处理后的第四份晶圆样品的表面，获取第二热处理后的第四份晶圆样品表面的形貌图。
也就是说，可以通过X射线衍射形貌术获取经第二热处理后的第四份晶圆样品表面的形貌图，具体来说，可以采用X射线扫描经第二热处理后的第四份晶圆样品的表面，便可得到第二热处理后的第四份晶圆样品表面的形貌图。同样的，采用X射线衍射形貌术不会对晶圆造成实际损坏。
由此，根据本发明实施例的检测方法，可高效快速地检测出晶圆中可能存在的所有缺陷类型及分布区域，在确保检测准确性的前提下，只需要一片晶圆即可完成检测，极大节省了检测成本和时间成本。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种单晶晶圆缺陷类型及分布区域的检测方法，其特征在于，包括：
将单片晶圆分为至少四等份，得到至少四份晶圆样品；
获取第一份晶圆样品沿直径方向上的多个测试位点的初始间隙氧浓度值；
对第二份晶圆样品进行刻蚀处理，根据刻蚀处理后的第二份晶圆样品上的腐蚀坑的形貌以及分布区域，确定所述晶圆是否存在空位型缺陷和/或间隙型缺陷以及所述空位型缺陷和/或所述间隙型缺陷的分布区域；
对第三份晶圆样品进行第一热处理，根据所述初始间隙氧浓度和经第一热处理后的第三份晶圆样品，确定所述晶圆是否存在氧化诱生层错缺陷以及所述氧化诱生层错缺陷的分布区域；
对第四份晶圆样品进行第二热处理，根据所述初始间隙氧浓度和经第二热处理后的第四份晶圆样品，确定所述晶圆的氧析出促进区域、氧析出抑制区域和/或自间隙硅团簇区域。
2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述对第三份晶圆样品进行第一热处理，根据所述初始间隙氧浓度和经第一热处理后的第三份晶圆样品，确定所述晶圆是否存在氧化诱生层错缺陷以及所述氧化诱生层错缺陷的分布区域，包括：
获取第一热处理后的第三份晶圆样品沿直径方向上的多个测试位点的第一间隙氧浓度值，计算得到每一所述测试位点的第一间隙氧浓度值与所述初始间隙氧浓度值的第一差值；
根据所述第一差值以及第一热处理后的第三份晶圆样品表面的形貌图，确定所述晶圆是否存在氧化诱生层错缺陷以及所述氧化诱生层错缺陷的分布区域。
3.根据权利要求2所述的检测方法，其特征在于，所述对第四份晶圆样品进行第二热处理，根据所述初始间隙氧浓度和经第二热处理后的第四份晶圆样品，确定所述晶圆的氧析出促进区域、氧析出抑制区域和/或自间隙硅团簇区域，包括：
获取第二热处理后的第四份晶圆样品沿直径方向上的多个测试位点的第二间隙氧浓度值，计算得到每一所述测试位点的第二间隙氧浓度值与所述初始间隙氧浓度值的第二差值；
根据所述第二差值以及第二热处理后的第四份晶圆样品表面的形貌图，确定所述晶圆的氧析出促进区域、氧析出抑制区域以及自间隙硅团簇区域。
4.根据权利要求3所述的检测方法，其特征在于，所述获取第一份晶圆样品沿直径方向上的多个测试位点的初始间隙氧浓度值包括：
采用傅里叶红外光谱仪沿所述第一份晶圆样品的直径方向进行扫描，获取第一份晶圆样品沿直径方向上的多个测试位点的初始间隙氧浓度值；
所述获取第一热处理后的第三份晶圆样品沿直径方向上的多个测试位点的第一间隙氧浓度值包括：
采用傅里叶红外光谱仪沿所述第三份晶圆样品的直径方向进行扫描，获取第三份晶圆样品沿直径方向上的多个测试位点的第一间隙氧浓度值；
所述获取第二热处理后的第四份晶圆样品沿直径方向上的多个测试位点的第二间隙氧浓度值包括：
采用傅里叶红外光谱仪沿所述第四份晶圆样品的直径方向进行扫描，获取第四份晶圆样品沿直径方向上的多个测试位点的第二间隙氧浓度值。
5.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述对第二份晶圆样品进行刻蚀处理包括：
采用赛科刻蚀剂对所述第二份晶圆样品进行刻蚀，刻蚀时间为5～20分钟。
6.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述对第三份晶圆样品进行第一热处理包括：
将所述第三份晶圆样品在1000℃～1200℃的温度条件下处理1～3个小时。
7.根据权利要求2所述的检测方法，其特征在于，所述根据所述第一差值以及第一热处理后的第三份晶圆样品表面的形貌图，确定所述晶圆是否存在氧化诱生层错缺陷以及所述氧化诱生层错缺陷的分布区域之前，还包括：
利用X射线扫描经第一热处理后的第三份晶圆样品的表面，获取第一热处理后的第三份晶圆样品表面的形貌图。
8.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述对第四份晶圆样品进行第二热处理包括：
将所述第四份晶圆样品依次在750℃～870℃的温度条件下处理3～8个小时，在1000℃～1100℃的温度下处理10～18个小时。
9.根据权利要求3所述的检测方法，其特征在于，所述根据所述第二差值以及第二热处理后的第四份晶圆样品表面的形貌图，确定所述晶圆的氧析出促进区域、氧析出抑制区域和/或自间隙硅团簇区域之前，还包括：
利用X射线扫描经第二热处理后的第四份晶圆样品的表面，获取第二热处理后的第四份晶圆样品表面的形貌图。
10.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述晶圆为抛光后的晶圆，所述将单片晶圆分为至少四等份，得到至少四份晶圆样品包括：
将单片晶圆沿V型槽方向均匀裂片，得到至少四份晶圆样品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010361862.2A CN111380830A (zh) | 2020-04-30 | 2020-04-30 | 一种单晶晶圆缺陷类型及分布区域的检测方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010361862.2A CN111380830A (zh) | 2020-04-30 | 2020-04-30 | 一种单晶晶圆缺陷类型及分布区域的检测方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111380830A true CN111380830A (zh) | 2020-07-07 |
Family
ID=71214417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010361862.2A Pending CN111380830A (zh) | 2020-04-30 | 2020-04-30 | 一种单晶晶圆缺陷类型及分布区域的检测方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111380830A (zh) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112670200A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-04-16 | 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 | 检测氧化堆垛层错的方法 |
| CN112986294A (zh) * | 2021-02-02 | 2021-06-18 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种晶圆缺陷检测方法及装置 |
| CN113138195A (zh) * | 2021-04-16 | 2021-07-20 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 晶体缺陷的监控方法及晶棒生长方法 |
| CN113702405A (zh) * | 2021-08-25 | 2021-11-26 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 一种用于检测硅片的缺陷的方法 |
| CN114264652A (zh) * | 2021-12-09 | 2022-04-01 | 浙江大学杭州国际科创中心 | 碳化硅中位错产生及演变的逆向分析方法 |
| CN114280069A (zh) * | 2021-12-21 | 2022-04-05 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 晶体缺陷的检测方法及晶棒生长方法 |
| CN116642914A (zh) * | 2023-05-29 | 2023-08-25 | 山东有研半导体材料有限公司 | 一种重掺砷低电阻率硅单晶微缺陷的检测方法 |
| TWI816513B (zh) * | 2021-12-27 | 2023-09-21 | 大陸商西安奕斯偉材料科技股份有限公司 | 一種晶圓表面損傷深度測量方法及系統 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4342616A (en) * | 1981-02-17 | 1982-08-03 | International Business Machines Corporation | Technique for predicting oxygen precipitation in semiconductor wafers |
| US20050183660A1 (en) * | 2004-02-23 | 2005-08-25 | Jun Furukawa | Method of identifying defect distribution in silicon single crystal ingot |
| JP2010132509A (ja) * | 2008-12-05 | 2010-06-17 | Sumco Corp | シリコン単結晶の育成方法及びシリコンウェーハの検査方法 |
| TW201239144A (en) * | 2011-01-19 | 2012-10-01 | Sumco Corp | Inspection method and fabricating method for silicon single crystal |
| CN102768134A (zh) * | 2012-07-20 | 2012-11-07 | 浙江大学 | 一种显示和检测直拉硅片中空洞型缺陷的方法 |
| CN107810545A (zh) * | 2015-07-01 | 2018-03-16 | 爱思开矽得荣株式会社 | 晶片以及晶片缺陷分析方法 |
| JP2018186195A (ja) * | 2017-04-26 | 2018-11-22 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶の欠陥領域特定方法 |
| CN110389108A (zh) * | 2019-08-16 | 2019-10-29 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种单晶硅缺陷区域的检测方法及装置 |
-
2020
- 2020-04-30 CN CN202010361862.2A patent/CN111380830A/zh active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4342616A (en) * | 1981-02-17 | 1982-08-03 | International Business Machines Corporation | Technique for predicting oxygen precipitation in semiconductor wafers |
| US20050183660A1 (en) * | 2004-02-23 | 2005-08-25 | Jun Furukawa | Method of identifying defect distribution in silicon single crystal ingot |
| JP2010132509A (ja) * | 2008-12-05 | 2010-06-17 | Sumco Corp | シリコン単結晶の育成方法及びシリコンウェーハの検査方法 |
| TW201239144A (en) * | 2011-01-19 | 2012-10-01 | Sumco Corp | Inspection method and fabricating method for silicon single crystal |
| CN102768134A (zh) * | 2012-07-20 | 2012-11-07 | 浙江大学 | 一种显示和检测直拉硅片中空洞型缺陷的方法 |
| CN107810545A (zh) * | 2015-07-01 | 2018-03-16 | 爱思开矽得荣株式会社 | 晶片以及晶片缺陷分析方法 |
| JP2018186195A (ja) * | 2017-04-26 | 2018-11-22 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶の欠陥領域特定方法 |
| CN110389108A (zh) * | 2019-08-16 | 2019-10-29 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种单晶硅缺陷区域的检测方法及装置 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 《电工材料应用手册》编委会: "《电工材料应用手册》", 31 March 1999, 机械工业出版社, pages: 375 - 376 * |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112670200A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-04-16 | 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 | 检测氧化堆垛层错的方法 |
| CN112986294A (zh) * | 2021-02-02 | 2021-06-18 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种晶圆缺陷检测方法及装置 |
| CN113138195A (zh) * | 2021-04-16 | 2021-07-20 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 晶体缺陷的监控方法及晶棒生长方法 |
| CN113702405A (zh) * | 2021-08-25 | 2021-11-26 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 一种用于检测硅片的缺陷的方法 |
| CN114264652A (zh) * | 2021-12-09 | 2022-04-01 | 浙江大学杭州国际科创中心 | 碳化硅中位错产生及演变的逆向分析方法 |
| CN114280069A (zh) * | 2021-12-21 | 2022-04-05 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 晶体缺陷的检测方法及晶棒生长方法 |
| TWI816513B (zh) * | 2021-12-27 | 2023-09-21 | 大陸商西安奕斯偉材料科技股份有限公司 | 一種晶圓表面損傷深度測量方法及系統 |
| CN116642914A (zh) * | 2023-05-29 | 2023-08-25 | 山东有研半导体材料有限公司 | 一种重掺砷低电阻率硅单晶微缺陷的检测方法 |
| CN116642914B (zh) * | 2023-05-29 | 2024-02-13 | 山东有研半导体材料有限公司 | 一种重掺砷低电阻率硅单晶微缺陷的检测方法 |
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