CN111373550A - 一种自动扩膜的方法、存储介质及装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种自动扩膜的方法、存储介质及装置，其中，所述方法包括步骤：对扩张膜进行整膜拉伸，并实时监测所述扩张膜上的相邻LED晶元间距；当监测到所述扩张膜上的相邻LED晶元间距大于等于预设目标间距时，则停止整膜拉伸并在所述扩张膜上搜索是否存在使相邻LED晶元间距与预设目标间距的绝对差值大于所述预设误差阈值的局部区域；当所述扩张膜上存在所述局部区域时，则对所述局部区域进行局部拉伸，直至所述局部区域内的所有相邻LED晶元间距与所述预设目标间距的绝对差值均小于等于所述预设误差阈值，则停止局部拉伸。本发明可实现使扩张膜上所有相邻LED晶元间距均达到预设目标间距，使得扩张膜上的LED晶元间距均匀分布。
Description
技术领域
本发明涉及扩膜领域，尤其涉及一种自动扩膜的方法、存储介质及装置。
背景技术
为了适应现代半导体芯片工艺的高速发展，尤其是倒装芯片的逐渐成熟与荧光粉涂覆科技的多样化，芯片封装技术也在不断改进，其中CSP封装(Chip ScalePackage)作为最新一代的芯片封装技术，使得半导体芯片技术性能又有了新的提升。
CSP封装的工艺流程包括固晶、压膜、切割、测试等步骤，其中压膜后通过精密划片机将产品划切成若干矩阵晶片；晶元划切后需测试分bin，若晶元之间间距过小，测试时容易产生串扰(crosstalk)现象，影响测试灯珠的参数。为了消除影响，一般需要先将带有晶元的蓝膜或者白膜先通过拉膜机拉伸，使膜上的LED晶元间距扩大后再进行测试。
现有的扩张技术可通过固定LED晶元扩张膜的外围，由扩张机向外拉伸改变LED晶元原本的间距，然而，这种单一由外拉伸的变化方式无法有效的使所有LED晶元间距达到所需的目标间距，使得部分LED晶元间距与目标间距有较大误差，从而无法达到CSP生产使用要求。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种自动扩膜的方法、存储介质及装置，旨在解决现有扩膜技术无法实现使所有相邻LED晶元间距达到所需的目标间距，使得扩张膜上的LED晶元间距不均匀的问题。
本发明为解决上述技术问题所采用的技术方案如下：
一种自动扩膜的方法，其中，包括步骤：
对表面设置有等间距LED晶元的扩张膜进行整膜拉伸，并实时监测所述扩张膜上的相邻LED晶元间距；
当监测到所述扩张膜上的相邻LED晶元间距大于等于预设目标间距时，则停止整膜拉伸并在所述扩张膜上搜索是否存在使相邻LED晶元间距与预设目标间距的绝对差值大于所述预设误差阈值的局部区域；
当所述扩张膜上存在所述局部区域时，则对所述局部区域进行局部拉伸，直至所述局部区域内的所有相邻LED晶元间距与所述预设目标间距的绝对差值均小于等于所述预设误差阈值，则停止局部拉伸。
所述自动扩膜的方法，其中，所述对表面设置有等间距LED晶元的扩张膜进行整膜拉伸，并实时监测所述扩张膜上相邻LED晶元间距的步骤包括：
将固定拉伸治具固定在扩张膜的相对两侧边上对所述扩张膜进行整膜拉伸；
通过CCD摄像头实时监测所述扩张膜上的相邻LED晶元间距，并将监测到的相邻LED晶元间距与所述预设目标间距进行实时比较。
所述自动扩膜的方法，其中，所述在所述扩张膜上搜索是否存在使相邻LED晶元间距与预设目标间距的绝对差值大于预设误差阈值的局部区域的步骤包括：
计算所述扩张膜上剩下的所有相邻LED晶元间距与所述预设目标间距的绝对差值；
将所述扩张膜上满足绝对差值大于所述预设误差阈值的区域记录为局部区域。
所述自动扩膜的方法，其中，还包括步骤：
当所述扩张膜上不存在所述局部区域时，则结束扩膜。
所述自动扩膜的方法，其中，所述当所述扩张膜上存在所述局部区域时，则对所述局部区域进行局部拉伸，直至所述局部区域内的所有相邻LED晶元间距与预设目标间距的绝对差值均小于等于所述预设误差阈值，则停止局部拉伸的步骤包括：
当所述扩张膜上存在所述局部区域时，则对所述局部区域进行第一次局部拉伸，并实时监测所述局部区域中的相邻LED晶元间距；
当监测到所述局部区域中的相邻LED晶元间距大于等于预设目标间距时，则停止第一次局部拉伸，并在所述局部区域上搜索是否存在使相邻LED晶元间距与预设目标间距的绝对差值大于所述预设误差阈值的目标子区域；
当所述局部区域存在所述目标子区域时，则依次类推对所述目标子区域进行第n次局部拉伸，n为大于等于2的整数，直至所述目标子区域内的所有相邻LED晶元间距与预设目标间距的绝对差值均小于等于所述预设误差阈值，则停止局部拉伸。
所述自动扩膜的方法，其中，所述对局部区域进行局部拉伸的步骤包括：
将局部拉伸治具固定在所述局部区域的相对两侧边，控制所述固定拉伸治具与所述局部拉伸治具以相同速率同方向拉伸。
所述自动扩膜的方法，其中，所述整膜拉伸和局部拉伸均包括X轴方向拉伸和Y轴方向拉伸中的一种或两种。
所述自动扩膜的方法，其中，所述预设误差阈值为所述预设目标间距的1-5％。
一种存储介质，其中，包括存储有多条指令，所述指令适于由处理器加载并具体执行本发明一种自动扩膜的方法的步骤。
一种自动扩膜的装置，其中，包括固定拉伸治具、局部拉伸治具、CCD摄像头、驱动机构以及控制器，所述固定拉伸治具与局部拉伸治具与所述驱动机构电连接，所述CCD摄像头与所述驱动机构与所述控制器电连接，所述控制器包括包括处理器，适于实现各指令；以及存储介质，适于存储多条指令，所述指令适于由处理器加载并执行本发明一种所述自动扩膜的方法的步骤。
有益效果：本发明通过对扩张膜上满足相邻LED晶元间距与预设目标间距的绝对差值大于所述预设误差阈值条件的局部区域进行局部拉伸，实现所述扩张膜上的所有相邻LED晶元间距与所述预设目标间距的绝对差值均小于等于所述预设误差阈值，避免了由于相邻LED晶元间距与预设目标间距的绝对差值过大而导致无法达到CSP生产使用要求的问题。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种自动扩膜的方法流程图。
图2为本发明实施例提供的整膜拉伸示意图。
图3为本发明实施例提供的局部拉伸示意图。
图4为本发明实施例提供的一种自动给扩膜的装置结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请参阅图1，图1为本发明提供的一种改变晶元间距的方法较佳实施例的流程图，如图所示，其包括以下步骤：
S100、对表面设置有等间距LED晶元的扩张膜进行整膜拉伸，并实时监测所述扩张膜上的相邻LED晶元间距；
S200、当监测到所述扩张膜上的相邻LED晶元间距大于等于预设目标间距时，则停止整膜拉伸并在所述扩张膜上搜索是否存在使相邻LED晶元间距与预设目标间距的绝对差值大于所述预设误差阈值的局部区域；
S300、当所述扩张膜上存在所述局部区域时，则对所述局部区域进行局部拉伸，直至所述局部区域内的所有相邻LED晶元间距与所述预设目标间距的绝对差值均小于等于所述预设误差阈值，则停止局部拉伸。
本实施例中，所述扩张膜上预先设置有等间距排列的LED晶元，在对所述扩张膜进行整膜拉伸的过程中，由于所在扩张膜的位置不同，拉伸产生的LED晶元间距变化速率不同，因此当停止整膜拉伸时，所述扩张膜上的LED晶元间距由于变化速率不同使得只有部分达到预设目标间距，而剩余的LED晶元间距与所述预设目标间距会产生一定的差值。
当整膜拉伸停止后，通过对扩张膜上满足相邻LED晶元间距与预设目标间距的绝对差值大于所述预设误差阈值条件的局部区域进行局部拉伸，可实现使得所述扩张膜上的所有相邻LED晶元间距与所述预设目标间距的绝对差值均小于等于所述预设误差阈值，避免了由于相邻LED晶元间距与预设目标间距的绝对差值过大而导致无法达到CSP生产使用要求的问题。本实施例中，所述相邻LED晶元间距与预设目标间距的绝对差值是指相邻LED晶元间距与预设目标间距的差值的绝对值。
在一些实施方式中，将固定拉伸治具固定在扩张膜的相对两侧边上对所述扩张膜进行整膜拉伸；通过CCD摄像头实时监测所述扩张膜上的相邻LED晶元间距，并将监测到的相邻LED晶元间距与所述预设目标间距进行实时比较。
本实施例中，所述整膜拉伸包括X轴方向拉伸和Y轴方向拉伸中的一种或两种，如图2所示，可以对扩张膜先进行X方向上的扩张，再进行Y方向上的扩张，使扩张膜上的相邻LED晶元间距在X轴方向和Y轴方向均达到预设目标间距，从而满足CSP生产使用要求。
如图2所示，当需要对所述扩张膜进行沿X轴方向的整膜拉伸时，则预先将两块固定拉伸治具10固定在所述扩张膜20的左右两侧边，然后通过驱动机构驱动所述两块固定拉伸治具10沿左右相反方向匀速拉伸，以实现扩张膜上的相邻LED晶元在X轴方向的间距发生变化；当需要对所述扩张膜进行沿Y轴方向的整膜拉伸时，则预先将两块固定拉伸治具10固定在所述扩张膜20的上下两侧边，然后通过驱动电极驱动给所述两块固定拉伸治具10沿上下相反方向匀速拉伸，以实现扩张膜上的相邻LED晶元在Y轴方向的间距发生变化。
本实施例中，通过所述固定拉伸治具对所述晶元扩张膜进行整膜拉伸，随着拉伸时间的推移，所述扩张膜上的相邻LED晶元间距也随之增大，通过CCD摄像头实时监测所述扩张膜上的相邻LED晶元间距，并将监测到的相邻LED晶元间距与所述预设目标间距进行实时比较，根据比较结果判断是否停止整膜拉伸。
在一些实施方式中，当监测到所述扩张膜上的相邻LED晶元间距大于等于预设目标间距时，则停止整膜拉伸；计算所述扩张膜上剩下的所有相邻LED晶元间距与所述预设目标间距的绝对差值；将所述扩张膜上满足绝对差值大于所述预设误差阈值的区域记录为局部区域。
本实施例中，当监测到所述扩张膜上存在某一相邻LED晶元间距大于等于预设目标间距的情况时，停止整膜拉伸，由于位于扩张膜不同位置的LED晶元在整膜拉伸过程中产生间距变化速率不同，此时扩张膜上只有部分相邻LED晶元间与预设目标间距大小一致，而剩下的部分相邻LED晶元由于所在扩张膜的位置不同，无法达到预设目标间距，从而导致扩张膜上的相邻LED晶元间距在经过整膜拉伸后无法实现等间距排列，使得扩张膜上的相邻LED晶元间距不均匀。因此本实施例继续计算所述扩张膜上剩下的所有相邻LED晶元间距与所述预设目标间距的绝对差值，将所述扩张膜上满足绝对差值大于所述预设误差阈值的区域记录为局部区域，便于后期对局部区域进行局部拉伸，以实现所述扩张膜上所有相邻LED晶元间距均达到所需的预设目标间距，使得扩张膜上的LED晶元间距均匀分布。
在一些实施方式中，当所述扩张膜上存在所述局部区域时，则对所述局部区域进行局部拉伸，直至所述局部区域内的所有相邻LED晶元间距与预设目标间距的绝对差值均小于等于所述预设误差阈值，则停止局部拉伸；当所述扩张膜上不存在所述局部区域时，则结束扩膜。
本实施例中，所述局部拉伸同样包括X轴方向拉伸和Y轴方向拉伸中的一种或两种。如图3所示，当需要对扩张膜上的局部区域进行X轴方向的局部拉伸时，将所述两块固定拉伸治具10固定在扩张膜进行整膜拉伸时的左右两侧边位置不变，将两块局部拉伸治具30固定在所述局部区域40的左右两侧边，控制位于所述局部区域左侧的所述固定拉伸治具10与所述局部拉伸治具30向左以相同的速度匀速拉伸，控制位于所述局部区域右侧的固定拉伸治具10与所述局部拉伸治具30向右以相同的速度匀速拉伸，所述局部拉伸治具30向左的拉伸速度与向右的拉伸速度相同。本实施例提供的局部拉伸方法可实现将位于局部区域的相邻LED晶元间距变大，而不改变扩张膜上其它区域的相邻LED晶元间距；且本实施例提供的方法还可以避免位于局部区域的LED晶元与扩张膜上其它区域的LED晶元发生碰触。
在一些实施方式中，所述当所述扩张膜上存在所述局部区域时，则对所述局部区域进行局部拉伸，直至所述局部区域内的所有相邻LED晶元间距与预设目标间距的绝对差值均小于等于所述预设误差阈值，则停止局部拉伸的步骤包括：当所述扩张膜上存在所述局部区域时，则对所述局部区域进行第一次局部拉伸，并实时监测所述局部区域中的相邻LED晶元间距；当监测到所述局部区域中的相邻LED晶元间距大于等于预设目标间距时，则停止第一次局部拉伸，并在所述局部区域上搜索是否存在使相邻LED晶元间距与预设目标间距的绝对差值大于所述预设误差阈值的目标子区域；当所述局部区域存在所述目标子区域时，则依次类推对所述目标子区域进行第n次局部拉伸，n为大于等于2的整数，直至所述目标子区域内的所有相邻LED晶元间距与预设目标间距的绝对差值均小于等于所述预设误差阈值，则停止局部拉伸。
在一些实施方式中，所述预设误差阈值为所述预设目标间距的1-5％。以所述预设误差阈值为所述预设目标间距的5％为例，当所述预设目标间距为100微米时，则所述预设误差阈值为5微米。本实施例中，当所述扩张膜经过整膜拉伸后，若仍然存在相邻LED晶元间距小于95微米的区域，则将所述扩张膜中所有存在相邻LED晶元间距小于95微米的区域记录为局部区域，接着对所述局部区域进行至少一次局部拉伸，使得所述局部区域中的所有相邻LED晶元间距均大于95微米，则结束局部拉伸。
本实施例中，对新划分的第二区域进行局部拉伸。局部拉伸过程与整膜拉伸过程都是由CCD摄像头实时检测拉伸过程中的晶元间距。但在局部拉伸过程中，只需要对当前进行局部拉伸的第二区域的晶元间距进行检测，而不需对整张膜上的晶元间距进行检测。局部拉伸过程中，当所检测到第二区域内有晶元间距达到目标间距时，停止局部拉伸。检测停止拉伸的第二区域内所有晶元间距的大小，并计算得到与目标间距的新的误差值。将新的误差值重新与误差阈值进行对比，若所有新的误差值均小于误差阈值，代表晶元间距调整完成，结束拉伸；若依然有新的误差值大于误差阈值，代表晶元间距还需要进一步调整，将晶元间距误差值大于误差阈值的区域划分为新的第二区域，再对新的第二区域进行局部拉伸。
在一些实施方式中，还提供一种存储介质，存储有多条指令，所述指令适于由处理器加载并具体执行本发明一种自动扩膜的方法的步骤。
在一些实施方式中，还提供一种自动扩膜的装置，如图4所示，其包括固定拉伸治具10、局部拉伸治具30、CCD摄像头50、驱动机构60以及控制器70，所述固定拉伸治具10和局部拉伸治具30均与所述驱动机构60电连接，所述CCD摄像头50和所述驱动机构60均与所述控制器70电连接，所述控制器70包括包括处理器71，适于实现各指令；以及存储介质72，适于存储多条指令，所述指令适于由处理器71加载并执行本发明一种所述自动扩膜的方法的步骤。
本实施例中，通过所述控制器70向所述CCD摄像头发送监测指令，控制所述CCD摄像头实时监测所述扩张膜上的相邻LED晶元间距；通过所述控制器70向所述驱动机构60发送驱动指令，控制所述驱动机构60启动，从而带动所述固定拉伸治具10对所述扩张膜进行整膜拉伸，带动所述局部拉伸治具30对所述扩张膜进行局部拉伸。
综上所述，本发明通过对扩张膜上满足相邻LED晶元间距与预设目标间距的绝对差值大于所述预设误差阈值条件的局部区域进行局部拉伸，实现所述扩张膜上的所有相邻LED晶元间距与所述预设目标间距的绝对差值均小于等于所述预设误差阈值，避免了由于相邻LED晶元间距与预设目标间距的绝对差值过大而导致无法达到CSP生产使用要求的问题。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种自动扩膜的方法，其特征在于，包括步骤：
对表面设置有等间距LED晶元的扩张膜进行整膜拉伸，并实时监测所述扩张膜上的相邻LED晶元间距；
当监测到所述扩张膜上的相邻LED晶元间距大于等于预设目标间距时，则停止整膜拉伸并在所述扩张膜上搜索是否存在使相邻LED晶元间距与预设目标间距的绝对差值大于所述预设误差阈值的局部区域；
当所述扩张膜上存在所述局部区域时，则对所述局部区域进行局部拉伸，直至所述局部区域内的所有相邻LED晶元间距与所述预设目标间距的绝对差值均小于等于所述预设误差阈值，则停止局部拉伸。
2.根据权利要求1所述自动扩膜的方法，其特征在于，所述对表面设置有等间距LED晶元的扩张膜进行整膜拉伸，并实时监测所述扩张膜上相邻LED晶元间距的步骤包括：
将固定拉伸治具固定在扩张膜的相对两侧边上对所述扩张膜进行整膜拉伸；
通过CCD摄像头实时监测所述扩张膜上的相邻LED晶元间距，并将监测到的相邻LED晶元间距与所述预设目标间距进行实时比较。
3.根据权利要求2所述自动扩膜的方法，其特征在于，所述在所述扩张膜上搜索是否存在使相邻LED晶元间距与预设目标间距的绝对差值大于预设误差阈值的局部区域的步骤包括：
计算所述扩张膜上剩下的所有相邻LED晶元间距与所述预设目标间距的绝对差值；
将所述扩张膜上满足绝对差值大于所述预设误差阈值的区域记录为局部区域。
4.根据权利要求1所述自动扩膜的方法，其特征在于，还包括步骤：
当所述扩张膜上不存在所述局部区域时，则结束扩膜。
5.根据权利要求3所述自动扩膜的方法，其特征在于，所述当所述扩张膜上存在所述局部区域时，则对所述局部区域进行局部拉伸，直至所述局部区域内的所有相邻LED晶元间距与预设目标间距的绝对差值均小于等于所述预设误差阈值，则停止局部拉伸的步骤包括：
当所述扩张膜上存在所述局部区域时，则对所述局部区域进行第一次局部拉伸，并实时监测所述局部区域中的相邻LED晶元间距；
当监测到所述局部区域中的相邻LED晶元间距大于等于预设目标间距时，则停止第一次局部拉伸，并在所述局部区域上搜索是否存在使相邻LED晶元间距与预设目标间距的绝对差值大于所述预设误差阈值的目标子区域；
当所述局部区域存在所述目标子区域时，则依次类推对所述目标子区域进行第n次局部拉伸，n为大于等于2的整数，直至所述目标子区域内的所有相邻LED晶元间距与预设目标间距的绝对差值均小于等于所述预设误差阈值，则停止局部拉伸。
6.根据权利要求1所述自动扩膜的方法，其特征在于，所述对局部区域进行局部拉伸的步骤包括：
将局部拉伸治具固定在所述局部区域的相对两侧边，控制所述固定拉伸治具与所述局部拉伸治具以相同速率同方向拉伸。
7.根据权利要求1所述自动扩膜的方法，其特征在于，所述整膜拉伸和局部拉伸均包括X轴方向拉伸和Y轴方向拉伸中的一种或两种。
8.根据权利要求1所述自动扩膜的方法，其特征在于，所述预设误差阈值为所述预设目标间距的1-5％。
9.一种存储介质，其特征在于，包括存储有多条指令，所述指令适于由处理器加载并具体执行权利要求1-8任意一种自动扩膜的方法的步骤。
10.一种自动扩膜的装置，其特征在于，包括固定拉伸治具、局部拉伸治具、CCD摄像头、驱动机构以及控制器，所述固定拉伸治具与局部拉伸治具与所述驱动机构电连接，所述CCD摄像头与所述驱动机构与所述控制器电连接，所述控制器包括包括处理器，适于实现各指令；以及存储介质，适于存储多条指令，所述指令适于由处理器加载并执行权利要求1-8任意一种所述自动扩膜的方法的步骤。
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Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103872213A (zh) * | 2014-02-14 | 2014-06-18 | 严敏 | 一种自动针击式贴片led制造方法 |
| CN204946921U (zh) * | 2015-09-18 | 2016-01-06 | 安徽三安光电有限公司 | 一种具有倒膜、扩膜功能的一体机 |
| CN108807236A (zh) * | 2018-06-23 | 2018-11-13 | 江苏罗化新材料有限公司 | 一种半自动扩膜机及扩膜工艺 |
| CN109256350A (zh) * | 2018-08-29 | 2019-01-22 | 华中科技大学 | 一种基于逐级均匀扩展的微器件巨量转移装置及方法 |
| CN109285802A (zh) * | 2018-08-29 | 2019-01-29 | 华中科技大学 | 一种基于双向扩晶法的微器件巨量转移装置及方法 |
| CN208986018U (zh) * | 2018-11-28 | 2019-06-14 | 深圳市沐耐特光电科技有限公司 | 一种led生产用扩晶装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013026544A (ja) | 2011-07-25 | 2013-02-04 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハ拡張装置 |
| CN104112691A (zh) * | 2014-07-26 | 2014-10-22 | 佛山市南海区联合广东新光源产业创新中心 | 均匀扩张的扩晶机 |
| TWI546934B (zh) * | 2014-10-20 | 2016-08-21 | Playnitride Inc | Led陣列擴張方法及led陣列單元 |
| US10566254B2 (en) * | 2016-03-30 | 2020-02-18 | Mitsui Chemicals Tohcello, Inc. | Method for manufacturing semiconductor device |
| CN110429051B (zh) * | 2019-08-12 | 2022-03-15 | 深圳市思坦科技有限公司 | 芯片转移方法 |
-
2019
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- 2019-12-02 CN CN201980002908.7A patent/CN111373550B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103872213A (zh) * | 2014-02-14 | 2014-06-18 | 严敏 | 一种自动针击式贴片led制造方法 |
| CN204946921U (zh) * | 2015-09-18 | 2016-01-06 | 安徽三安光电有限公司 | 一种具有倒膜、扩膜功能的一体机 |
| CN108807236A (zh) * | 2018-06-23 | 2018-11-13 | 江苏罗化新材料有限公司 | 一种半自动扩膜机及扩膜工艺 |
| CN109256350A (zh) * | 2018-08-29 | 2019-01-22 | 华中科技大学 | 一种基于逐级均匀扩展的微器件巨量转移装置及方法 |
| CN109285802A (zh) * | 2018-08-29 | 2019-01-29 | 华中科技大学 | 一种基于双向扩晶法的微器件巨量转移装置及方法 |
| CN208986018U (zh) * | 2018-11-28 | 2019-06-14 | 深圳市沐耐特光电科技有限公司 | 一种led生产用扩晶装置 |
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