JPH07201780A - ダイシング装置 - Google Patents
ダイシング装置Info
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- JPH07201780A JPH07201780A JP33559193A JP33559193A JPH07201780A JP H07201780 A JPH07201780 A JP H07201780A JP 33559193 A JP33559193 A JP 33559193A JP 33559193 A JP33559193 A JP 33559193A JP H07201780 A JPH07201780 A JP H07201780A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ダイシング処理における切り込み深さの安定
性を確保したまま、ダイシング処理効率を向上させる。 【構成】 半導体ウエハの所定領域にブレード４ｂを接
触させることにより半導体ウエハを半導体チップに分割
するダイシング装置１に、所定数のラインを切断した場
合におけるブレード４ｂの摩耗量の情報に基づいて作成
されたブレード４ｂの高さ補正量の情報を記憶する記憶
部４ｇと、その情報に従って所定数のラインを切断する
度にブレード４ｂの高さを自動的に補正するための制御
を行う制御部４ｆとを設けた。
性を確保したまま、ダイシング処理効率を向上させる。 【構成】 半導体ウエハの所定領域にブレード４ｂを接
触させることにより半導体ウエハを半導体チップに分割
するダイシング装置１に、所定数のラインを切断した場
合におけるブレード４ｂの摩耗量の情報に基づいて作成
されたブレード４ｂの高さ補正量の情報を記憶する記憶
部４ｇと、その情報に従って所定数のラインを切断する
度にブレード４ｂの高さを自動的に補正するための制御
を行う制御部４ｆとを設けた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ダイシング装置技術に
関し、特に、半導体集積回路装置の製造に用いられるダ
イシング装置に適用して有効な技術に関するものであ
る。
関し、特に、半導体集積回路装置の製造に用いられるダ
イシング装置に適用して有効な技術に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】この種のダイシング装置は、半導体ウエ
ハを複数個の半導体チップに分割するための装置であ
り、その分割の方法としては、例えば円形状のブレード
を高速回転させた状態で半導体ウエハのチップ境界領域
に接触させて、そのチップ境界領域に切溝を形成した
り、そのチップ境界領域に沿って半導体ウエハを切断し
たりすることによって行われている。
ハを複数個の半導体チップに分割するための装置であ
り、その分割の方法としては、例えば円形状のブレード
を高速回転させた状態で半導体ウエハのチップ境界領域
に接触させて、そのチップ境界領域に切溝を形成した
り、そのチップ境界領域に沿って半導体ウエハを切断し
たりすることによって行われている。
【０００３】ダイシング処理に際しては、まず、ブレー
ド原点セットと称するセットアップ作業を行う。これ
は、ブレードの外周をダイシング装置におけるウエハ載
置台の所定の面に接触させることにより、ブレードの高
さ基準を設定するための作業である。
ド原点セットと称するセットアップ作業を行う。これ
は、ブレードの外周をダイシング装置におけるウエハ載
置台の所定の面に接触させることにより、ブレードの高
さ基準を設定するための作業である。
【０００４】ところで、従来は、ダイシング処理をある
程度行うと、ブレードの外周が摩耗することにより、半
導体ウエハへの切り込み深さが浅くなる結果、半導体ウ
エハを個々の半導体チップに分割する際に半導体チップ
に割れや欠けが生じる問題があった。そこで、従来は、
複数枚の半導体ウエハに対してダイシング処理を施す度
に、一旦、ダイシング装置を停止して作業者がセットア
ップ作業を行うようにしていた。
程度行うと、ブレードの外周が摩耗することにより、半
導体ウエハへの切り込み深さが浅くなる結果、半導体ウ
エハを個々の半導体チップに分割する際に半導体チップ
に割れや欠けが生じる問題があった。そこで、従来は、
複数枚の半導体ウエハに対してダイシング処理を施す度
に、一旦、ダイシング装置を停止して作業者がセットア
ップ作業を行うようにしていた。
【０００５】なお、ダイシング装置について記載されて
いる文献としては、例えばディスコ（Ｄｉｓｃｏ）社、
昭和６０年７月作成、全自動ダイシングソー「ＤＦＤ−
２ＨＳＴＩ」の取扱説明書がある。
いる文献としては、例えばディスコ（Ｄｉｓｃｏ）社、
昭和６０年７月作成、全自動ダイシングソー「ＤＦＤ−
２ＨＳＴＩ」の取扱説明書がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
技術においては、例えば複数枚の半導体ウエハに対して
ダイシング処理を施す度に、作業者が面倒で時間の掛か
るセットアップ作業を行わなければならなかったので、
半導体集積回路装置の生産効率の向上が著しく阻害され
るという問題があることを本発明者は見い出した。
技術においては、例えば複数枚の半導体ウエハに対して
ダイシング処理を施す度に、作業者が面倒で時間の掛か
るセットアップ作業を行わなければならなかったので、
半導体集積回路装置の生産効率の向上が著しく阻害され
るという問題があることを本発明者は見い出した。
【０００７】本発明は上記課題に着目してなされたもの
であり、その目的は、ダイシング処理における切り込み
深さの安定性を確保したまま、ダイシング処理効率を向
上させることのできる技術を提供することにある。
であり、その目的は、ダイシング処理における切り込み
深さの安定性を確保したまま、ダイシング処理効率を向
上させることのできる技術を提供することにある。
【０００８】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、明細書の記述および添付図面から明らかにな
るであろう。
な特徴は、明細書の記述および添付図面から明らかにな
るであろう。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１０】すなわち、第１の発明は、半導体ウエハの
所定領域にダイシング刃を接触させることにより半導体
ウエハを半導体チップに分割するダイシング装置であっ
て、前記ダイシング刃の所定の切り込み回数に対するダ
イシング刃の摩耗量に基づいて作成されたダイシング刃
の高さ補正量の情報を記憶する記憶部と、前記ダイシン
グ刃の高さを前記情報に従って自動的に補正するための
制御を行う制御部とを有するダイシング装置構造とする
ものである。
所定領域にダイシング刃を接触させることにより半導体
ウエハを半導体チップに分割するダイシング装置であっ
て、前記ダイシング刃の所定の切り込み回数に対するダ
イシング刃の摩耗量に基づいて作成されたダイシング刃
の高さ補正量の情報を記憶する記憶部と、前記ダイシン
グ刃の高さを前記情報に従って自動的に補正するための
制御を行う制御部とを有するダイシング装置構造とする
ものである。
【００１１】第２の発明は、半導体ウエハの所定領域に
ダイシング刃を接触させることにより半導体ウエハを半
導体チップに分割するダイシング装置であって、所定の
ダイシング処理の開始から終了までの一連のダイシング
刃の摩耗量の変化量に基づいて作成された一連のダイシ
ング刃の高さ補正量の情報を記憶する記憶部と、前記ダ
イシング刃の高さを前記情報に従って自動的に補正する
ための制御を行う制御部とを有するダイシング装置構造
とするものである。
ダイシング刃を接触させることにより半導体ウエハを半
導体チップに分割するダイシング装置であって、所定の
ダイシング処理の開始から終了までの一連のダイシング
刃の摩耗量の変化量に基づいて作成された一連のダイシ
ング刃の高さ補正量の情報を記憶する記憶部と、前記ダ
イシング刃の高さを前記情報に従って自動的に補正する
ための制御を行う制御部とを有するダイシング装置構造
とするものである。
【００１２】第３の発明は、半導体ウエハの所定領域に
ダイシング刃を接触させることにより半導体ウエハを半
導体チップに分割するダイシング装置であって、前記ダ
イシング刃を挟むようにダイシング刃の側方に設置さ
れ、前記ダイシング刃の高さを測定する発光部および受
光部と、前記受光部によって検出された情報に基づいて
前記ダイシング刃の高さの補正量を算出する高さ補正量
算出部と、前記ダイシング刃の高さを前記高さ補正量算
出部で算出されたダイシング刃の高さの補正量の情報に
従って自動的に補正するための制御を行う制御部とを有
するダイシング装置構造とするものである。
ダイシング刃を接触させることにより半導体ウエハを半
導体チップに分割するダイシング装置であって、前記ダ
イシング刃を挟むようにダイシング刃の側方に設置さ
れ、前記ダイシング刃の高さを測定する発光部および受
光部と、前記受光部によって検出された情報に基づいて
前記ダイシング刃の高さの補正量を算出する高さ補正量
算出部と、前記ダイシング刃の高さを前記高さ補正量算
出部で算出されたダイシング刃の高さの補正量の情報に
従って自動的に補正するための制御を行う制御部とを有
するダイシング装置構造とするものである。
【００１３】
【作用】上記した第１の発明によれば、例えばダイシン
グ刃によって半導体ウエハに数ラインの切り込みを入れ
る度に、あるいは複数枚の半導体ウエハに対してダイシ
ング処理を施す度に、すなわち、ダイシング刃の切り込
み回数がある回数になる度に、ダイシング刃の高さを、
その回数分切り込みを行った場合に必要なダイシング刃
の高さ補正量を記した情報に従って自動的に補正するこ
とができる。このため、ダイシング処理が開始されてか
ら終了するまでの間、ダイシング装置を停止することな
く、ダイシング刃を適切な高さに設定した状態でダイシ
ング処理を行うことが可能となる。
グ刃によって半導体ウエハに数ラインの切り込みを入れ
る度に、あるいは複数枚の半導体ウエハに対してダイシ
ング処理を施す度に、すなわち、ダイシング刃の切り込
み回数がある回数になる度に、ダイシング刃の高さを、
その回数分切り込みを行った場合に必要なダイシング刃
の高さ補正量を記した情報に従って自動的に補正するこ
とができる。このため、ダイシング処理が開始されてか
ら終了するまでの間、ダイシング装置を停止することな
く、ダイシング刃を適切な高さに設定した状態でダイシ
ング処理を行うことが可能となる。
【００１４】上記した第２載の発明によれば、所定のダ
イシング処理中に変化するダイシング刃の摩耗量に基づ
いて作成したダイシング刃の高さ補正量の情報に従って
ダイシング刃の高さを自動的に補正することができるの
で、所定のダイシング処理が開始されてから終了するま
での間におけるダイシング刃の高さの設定精度を向上さ
せることが可能となる。
イシング処理中に変化するダイシング刃の摩耗量に基づ
いて作成したダイシング刃の高さ補正量の情報に従って
ダイシング刃の高さを自動的に補正することができるの
で、所定のダイシング処理が開始されてから終了するま
での間におけるダイシング刃の高さの設定精度を向上さ
せることが可能となる。
【００１５】上記した第３の発明によれば、実際のダイ
シング処理工程において得られたダイシング刃の高さの
情報に基づいてダイシング刃の高さを自動的に補正する
ことができるので、ダイシング処理が開始されてから終
了するまでの間におけるダイシング刃の高さの設定精度
をさらに向上させることが可能となる。
シング処理工程において得られたダイシング刃の高さの
情報に基づいてダイシング刃の高さを自動的に補正する
ことができるので、ダイシング処理が開始されてから終
了するまでの間におけるダイシング刃の高さの設定精度
をさらに向上させることが可能となる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例を詳細に説明する。
【００１７】（実施例１）図１は本発明の一実施例であ
るダイシング装置の要部の説明図、図２は図１のダイシ
ング装置の全体を平面的に示す説明図である。
るダイシング装置の要部の説明図、図２は図１のダイシ
ング装置の全体を平面的に示す説明図である。
【００１８】図２に示すように、本実施例１のダイシン
グ装置１は、ローダ部２ａと、ダイシングステージ３
と、ダイシング処理部４と、洗浄処理部５と、アンロー
ダ部２ｂとを有している。なお、半導体ウエハ６は、各
構成部間に配置された搬送ベルト７によって搬送される
ようになっている。
グ装置１は、ローダ部２ａと、ダイシングステージ３
と、ダイシング処理部４と、洗浄処理部５と、アンロー
ダ部２ｂとを有している。なお、半導体ウエハ６は、各
構成部間に配置された搬送ベルト７によって搬送される
ようになっている。
【００１９】ローダ部２ａは、半導体ウエハ６をダイシ
ング装置１内に搬入するための機構部である。アンロー
ダ部２ｂは、ダイシング処理の終了した半導体ウエハ６
をダイシング装置１から搬出するための機構部である。
ング装置１内に搬入するための機構部である。アンロー
ダ部２ｂは、ダイシング処理の終了した半導体ウエハ６
をダイシング装置１から搬出するための機構部である。
【００２０】半導体ウエハ６は、例えばシリコン（Ｓ
ｉ）単結晶からなり、その主面には、所定の半導体集積
回路装置が形成されている。半導体ウエハ６は、キャリ
ヤリング８ａの中空領域から露出する粘着テープ８ｂに
張り付けられた状態でダイシング装置１内を移動するよ
うになっている。
ｉ）単結晶からなり、その主面には、所定の半導体集積
回路装置が形成されている。半導体ウエハ６は、キャリ
ヤリング８ａの中空領域から露出する粘着テープ８ｂに
張り付けられた状態でダイシング装置１内を移動するよ
うになっている。
【００２１】ダイシングステージ３は、ダイシング処理
をする際に、半導体ウエハ６を載置するためのステージ
であり、図２の上下方向に移動可能に設置されている。
ダイシングステージ３は、ダイシング処理に際して、半
導体ウエハ６が載置された後、ダイシング処理部４に移
動され所定の位置に配置されるようになっている。
をする際に、半導体ウエハ６を載置するためのステージ
であり、図２の上下方向に移動可能に設置されている。
ダイシングステージ３は、ダイシング処理に際して、半
導体ウエハ６が載置された後、ダイシング処理部４に移
動され所定の位置に配置されるようになっている。
【００２２】ダイシング処理部４は、ダイシング処理を
行うための構成部であり、その真空処理室４ａ内には、
ブレード（ダイシング刃）４ｂが設置されている。ブレ
ード４ｂは、半導体ウエハ６を半導体チップ（図示せ
ず）に分割するための刃であり、図２の左右横方向に移
動可能なように設置されている。
行うための構成部であり、その真空処理室４ａ内には、
ブレード（ダイシング刃）４ｂが設置されている。ブレ
ード４ｂは、半導体ウエハ６を半導体チップ（図示せ
ず）に分割するための刃であり、図２の左右横方向に移
動可能なように設置されている。
【００２３】洗浄処理部５は、ダイシング処理後の半導
体ウエハ６を洗浄するための処理部である。洗浄処理部
５には、例えば真空吸着アーム５ａが設置されている。
真空吸着アーム５ａは、半導体ウエハ６を洗浄処理部５
内に収容したり、洗浄処理の終了した半導体ウエハ６を
洗浄処理部５から取り出したりするための手段である。
体ウエハ６を洗浄するための処理部である。洗浄処理部
５には、例えば真空吸着アーム５ａが設置されている。
真空吸着アーム５ａは、半導体ウエハ６を洗浄処理部５
内に収容したり、洗浄処理の終了した半導体ウエハ６を
洗浄処理部５から取り出したりするための手段である。
【００２４】次に、ダイシング処理部５を図１により詳
細に説明する。ダイシングステージ３には、真空吸引口
３ａが形成されており、ダイシングステージ３上に載置
された半導体ウエハ（図１には図示せず）を真空吸引す
ることが可能な構造となっている。
細に説明する。ダイシングステージ３には、真空吸引口
３ａが形成されており、ダイシングステージ３上に載置
された半導体ウエハ（図１には図示せず）を真空吸引す
ることが可能な構造となっている。
【００２５】ブレード４ｂは、円形状に形成されてな
り、ダイシング装置１に回転可能な状態で軸止されてい
る。また、ブレード４ｂは、レール４ｃに沿って図１の
左右横方向に移動可能なように設置されている。なお、
４ｄは、ブレードカバーを示している。
り、ダイシング装置１に回転可能な状態で軸止されてい
る。また、ブレード４ｂは、レール４ｃに沿って図１の
左右横方向に移動可能なように設置されている。なお、
４ｄは、ブレードカバーを示している。
【００２６】さらに、ブレード４ｂは、支点Ａを中心と
して回転可能なように設置されている。この回転動作
は、モータ４ｅによって行われるようになっており、こ
の回転動作によってブレード４ｂの高さが設定されるよ
うになっている。
して回転可能なように設置されている。この回転動作
は、モータ４ｅによって行われるようになっており、こ
の回転動作によってブレード４ｂの高さが設定されるよ
うになっている。
【００２７】ブレード４ｂの中心からダイシングステー
ジ３の主面までの高さｈ1 は、原点高さを示している。
これがブレード４ｂの高さの基準となる。
ジ３の主面までの高さｈ1 は、原点高さを示している。
これがブレード４ｂの高さの基準となる。
【００２８】また、ブレード４ｂの外周からダイシング
ステージ３の主面までの高さｈ2 は、セットアップ高さ
を示している。この高さｈ2 は、ブレード４ｂの外周の
摩耗によって変動するので、後述するように補正が必要
である。
ステージ３の主面までの高さｈ2 は、セットアップ高さ
を示している。この高さｈ2 は、ブレード４ｂの外周の
摩耗によって変動するので、後述するように補正が必要
である。
【００２９】モータ４ｅの動作は、制御部４ｆによって
制御されるようになっている。制御部４ｆは、ダイシン
グ装置１の動作を制御するための構成部であり、記憶部
４ｇおよびスピーカ４ｈと電気的に接続されている。
制御されるようになっている。制御部４ｆは、ダイシン
グ装置１の動作を制御するための構成部であり、記憶部
４ｇおよびスピーカ４ｈと電気的に接続されている。
【００３０】記憶部４ｇには、ブレード４ｂの高さ補正
量の情報が記憶されている。本実施例１においては、ブ
レード４ｂの外周が、ブレード４ｂの所定の切り込み回
数に対してどの程度摩耗するかについて測定した結果に
基づいて、ブレード４ｂの高さ補正量の情報が作成され
ている。
量の情報が記憶されている。本実施例１においては、ブ
レード４ｂの外周が、ブレード４ｂの所定の切り込み回
数に対してどの程度摩耗するかについて測定した結果に
基づいて、ブレード４ｂの高さ補正量の情報が作成され
ている。
【００３１】すなわち、本実施例１においては、ダイシ
ング処理中に、例えば数ラインのダイシング処理を施す
度に、記憶部４ｇに記憶されているブレード４ｂの高さ
の補正量の情報に基づいて、ブレード４ｂの高さを自動
的に補正するようになっている。
ング処理中に、例えば数ラインのダイシング処理を施す
度に、記憶部４ｇに記憶されているブレード４ｂの高さ
の補正量の情報に基づいて、ブレード４ｂの高さを自動
的に補正するようになっている。
【００３２】ただし、本実施例１の場合は、例えばブレ
ード４ｂの高さ補正量が一定になっている。すなわち、
所定数ラインのダイシング処理を施す度に、同じ高さだ
け補正するようになっている。なお、ここで、ラインと
は、半導体ウエハ６の所定の位置から所定の位置までの
切断線を意味する。
ード４ｂの高さ補正量が一定になっている。すなわち、
所定数ラインのダイシング処理を施す度に、同じ高さだ
け補正するようになっている。なお、ここで、ラインと
は、半導体ウエハ６の所定の位置から所定の位置までの
切断線を意味する。
【００３３】スピーカ４ｈは、ブレード４ｂの寿命を知
らせるアラームを鳴らすための構成部である。ブレード
４ｂの寿命は、所定数ラインのダイシング処理をした場
合のブレード４ｂの摩耗量に基づいて算出され、記憶部
４ｇに記憶されている。
らせるアラームを鳴らすための構成部である。ブレード
４ｂの寿命は、所定数ラインのダイシング処理をした場
合のブレード４ｂの摩耗量に基づいて算出され、記憶部
４ｇに記憶されている。
【００３４】すなわち、本実施例１においては、ダイシ
ング処理中に記憶される切断ライン数や摩耗量の値がブ
レード４ｂの寿命の値に近づくと、それを知らせるため
のアラームをスピーカ４ｈから鳴らすようになってい
る。
ング処理中に記憶される切断ライン数や摩耗量の値がブ
レード４ｂの寿命の値に近づくと、それを知らせるため
のアラームをスピーカ４ｈから鳴らすようになってい
る。
【００３５】次に、本実施例１のダイシング装置１のダ
イシング方法を説明する。
イシング方法を説明する。
【００３６】まず、作業者がダイシング装置１のセット
アップ作業を行う。ここでは、ブレード４ｂを下降して
ダイシングステージ３の主面の所定位置に接触させるこ
とにより、上記した原点の高さｈ1 と、セットアップの
高さｈ2 とを設定する。
アップ作業を行う。ここでは、ブレード４ｂを下降して
ダイシングステージ３の主面の所定位置に接触させるこ
とにより、上記した原点の高さｈ1 と、セットアップの
高さｈ2 とを設定する。
【００３７】続いて、半導体ウエハ６に対して数ライン
のダイシング処理を施した後、再度セットアップ作業を
行う。
のダイシング処理を施した後、再度セットアップ作業を
行う。
【００３８】この２回目のセットアップ作業により、１
ラインダイシング処理した場合のブレード摩耗量を測定
する。そこで、本実施例１においては、そこで測定した
ブレード摩耗量の情報に基づいて、所定数のラインを切
断した場合に必要なブレード高さ補正量の情報を作成
し、その情報を記憶部４ｇに記憶する。
ラインダイシング処理した場合のブレード摩耗量を測定
する。そこで、本実施例１においては、そこで測定した
ブレード摩耗量の情報に基づいて、所定数のラインを切
断した場合に必要なブレード高さ補正量の情報を作成
し、その情報を記憶部４ｇに記憶する。
【００３９】また、そこで測定したブレード摩耗量の情
報に基づいて、何ラインのダイシング処理をしたらブレ
ード４ｂが使用不可能となるかについての情報、すなわ
ち、ブレード４ｂの寿命に関する情報を作成し、その情
報を記憶部４ｇに記憶する。
報に基づいて、何ラインのダイシング処理をしたらブレ
ード４ｂが使用不可能となるかについての情報、すなわ
ち、ブレード４ｂの寿命に関する情報を作成し、その情
報を記憶部４ｇに記憶する。
【００４０】その後、ダイシング処理を再開するが、本
実施例１においては、所定数ラインの切断処理を行う度
に、記憶部４ｇに記憶されているブレード高さ補正量の
情報に従って、ブレード４ｂを所定量だけ下降し、ブレ
ード４ｂの高さを自動的に補正しながらダイシング処理
を進める。
実施例１においては、所定数ラインの切断処理を行う度
に、記憶部４ｇに記憶されているブレード高さ補正量の
情報に従って、ブレード４ｂを所定量だけ下降し、ブレ
ード４ｂの高さを自動的に補正しながらダイシング処理
を進める。
【００４１】これにより、ダイシング処理が開始されて
から終了するまでの間、ダイシング装置１を停止するこ
となく、ブレード４ｂを適切な高さに設定した状態でダ
イシング処理を行うことが可能となっている。
から終了するまでの間、ダイシング装置１を停止するこ
となく、ブレード４ｂを適切な高さに設定した状態でダ
イシング処理を行うことが可能となっている。
【００４２】また、本実施例１においては、ダイシング
処理中に、例えば切断ライン数等を数えておき、その値
がブレード４ｂの寿命の値に近づくと、それを知らせる
ためのアラームをスピーカ４ｈから鳴らす。これによ
り、ブレード４ｂの交換を適切な時期に行うことがで
き、信頼性の高いダイシング処理が行えるようになって
いる。
処理中に、例えば切断ライン数等を数えておき、その値
がブレード４ｂの寿命の値に近づくと、それを知らせる
ためのアラームをスピーカ４ｈから鳴らす。これによ
り、ブレード４ｂの交換を適切な時期に行うことがで
き、信頼性の高いダイシング処理が行えるようになって
いる。
【００４３】このように、本実施例１においては、以下
の効果を得ることが可能となる。
の効果を得ることが可能となる。
【００４４】(1).ダイシング処理に際して、所定ライン
数の切断処理を施す度に、ブレード４ｂの高さを、その
ライン数の切断処理を行った場合に必要なブレード４ｂ
の高さ補正量を記した情報に従って自動的に補正するこ
とができる。このため、ダイシング処理が開始されてか
ら終了するまでの間、ダイシング装置１を停止すること
なく、ブレード４ｂを適切な高さに設定した状態でダイ
シング処理を行うことが可能となる。この結果、ダイシ
ング処理における切り込み深さの安定性を確保したま
ま、ダイシング処理の効率を向上させることができ、半
導体集積回路装置の生産効率を向上させることが可能と
なる。
数の切断処理を施す度に、ブレード４ｂの高さを、その
ライン数の切断処理を行った場合に必要なブレード４ｂ
の高さ補正量を記した情報に従って自動的に補正するこ
とができる。このため、ダイシング処理が開始されてか
ら終了するまでの間、ダイシング装置１を停止すること
なく、ブレード４ｂを適切な高さに設定した状態でダイ
シング処理を行うことが可能となる。この結果、ダイシ
ング処理における切り込み深さの安定性を確保したま
ま、ダイシング処理の効率を向上させることができ、半
導体集積回路装置の生産効率を向上させることが可能と
なる。
【００４５】(2).ダイシング処理に際して、例えば切断
ライン数等を数えておき、その値がブレード４ｂの寿命
の値に近づいた場合に、それをスピーカ４ｈからアラー
ムを鳴らすことにより知らせることができる。このた
め、ブレード４ｂの交換を適切な時期に行うことがで
き、信頼性の高い自動ダイシング処理を行うことが可能
となる。
ライン数等を数えておき、その値がブレード４ｂの寿命
の値に近づいた場合に、それをスピーカ４ｈからアラー
ムを鳴らすことにより知らせることができる。このた
め、ブレード４ｂの交換を適切な時期に行うことがで
き、信頼性の高い自動ダイシング処理を行うことが可能
となる。
【００４６】（実施例２）図３は本発明の他の実施例で
あるダイシング装置で用いるダイシング刃の高さ補正量
の情報を説明するためのグラフ図である。なお、本実施
例２の説明においても、前記実施例１で用いた図１，２
を用いる。
あるダイシング装置で用いるダイシング刃の高さ補正量
の情報を説明するためのグラフ図である。なお、本実施
例２の説明においても、前記実施例１で用いた図１，２
を用いる。
【００４７】本実施例２においては、所定のダイシング
処理において、その開始から終了までのブレード４ｂ
（図１参照）の摩耗量の変化を測定し、その変化量に基
づいて一連のブレード高さ補正量の情報を作成する。ブ
レード４ｂの高さ補正量の情報は、前記実施例１と同
様、記憶部４ｆ（図１参照）に記憶されている。
処理において、その開始から終了までのブレード４ｂ
（図１参照）の摩耗量の変化を測定し、その変化量に基
づいて一連のブレード高さ補正量の情報を作成する。ブ
レード４ｂの高さ補正量の情報は、前記実施例１と同
様、記憶部４ｆ（図１参照）に記憶されている。
【００４８】ここで、切断ライン数とブレード高さ補正
量との関係を表すグラフを図３に示す。本図に示すよう
に、ブレード高さ補正量は、一定ではなく、次第に増大
するようになる。これは、例えば切断ラインの数が増え
ると、ブレード４ｂの径が小さくなり、ブレード４ｂの
摩耗量が増えるからである。
量との関係を表すグラフを図３に示す。本図に示すよう
に、ブレード高さ補正量は、一定ではなく、次第に増大
するようになる。これは、例えば切断ラインの数が増え
ると、ブレード４ｂの径が小さくなり、ブレード４ｂの
摩耗量が増えるからである。
【００４９】本実施例２においては、ダイシング処理に
際して、図３に示すブレード高さ補正量の情報に従っ
て、ブレード４ｂの高さを自動的に補正するようになっ
ている。
際して、図３に示すブレード高さ補正量の情報に従っ
て、ブレード４ｂの高さを自動的に補正するようになっ
ている。
【００５０】このように本実施例２によれば、所定のダ
イシング処理中に変化するブレード４ｂの摩耗量の情報
に基づいて作成したブレード４ｂの高さ補正量の情報に
従ってブレード４ｂの高さを自動的に補正することがで
きるので、所定のダイシング処理が開始されてから終了
するまでの間におけるブレード４ｂの高さの設定精度を
向上させることが可能となる。したがって、ダイシング
処理における切り込み深さの安定性を向上させることが
できるので、ダイシング不良を低減することが可能とな
る。この結果、ダイシング不良に起因する半導体チップ
の割れや欠け等を低減することができるので、半導体集
積回路装置の歩留りおよび信頼性を向上させることが可
能となる。
イシング処理中に変化するブレード４ｂの摩耗量の情報
に基づいて作成したブレード４ｂの高さ補正量の情報に
従ってブレード４ｂの高さを自動的に補正することがで
きるので、所定のダイシング処理が開始されてから終了
するまでの間におけるブレード４ｂの高さの設定精度を
向上させることが可能となる。したがって、ダイシング
処理における切り込み深さの安定性を向上させることが
できるので、ダイシング不良を低減することが可能とな
る。この結果、ダイシング不良に起因する半導体チップ
の割れや欠け等を低減することができるので、半導体集
積回路装置の歩留りおよび信頼性を向上させることが可
能となる。
【００５１】（実施例３）図４は本発明の他の実施例で
あるダイシング装置の要部を説明するための説明図であ
る。なお、本実施例３においても前記実施例１，２で用
いた図１，２を用いる。
あるダイシング装置の要部を説明するための説明図であ
る。なお、本実施例３においても前記実施例１，２で用
いた図１，２を用いる。
【００５２】本実施例３においては、図４に示すよう
に、発光部９ａと受光部９ｂとが、ブレード４ｂを挟む
ように、しかも発光部９ａで放射された光のうち一部が
ブレード４ｂに遮られ、一部が受光部９ｂに照射される
ように配置されている。
に、発光部９ａと受光部９ｂとが、ブレード４ｂを挟む
ように、しかも発光部９ａで放射された光のうち一部が
ブレード４ｂに遮られ、一部が受光部９ｂに照射される
ように配置されている。
【００５３】発光部９ａは、例えばレーザ光を放射する
ようになっている。受光部９ｂは、検出された検出情報
を制御部４ｆ（図１参照）に伝送するようになってい
る。制御部４ｆにおいては、受光部９ｂで検出された検
出情報に基づいてブレード４ｂの高さを算出し、その補
正量を算出するようになっている。そして、制御部４ｆ
は、その補正量に基づいてブレード４ｂの高さを自動的
に補正するための信号をモータ４ｅに伝送するようにな
っている。
ようになっている。受光部９ｂは、検出された検出情報
を制御部４ｆ（図１参照）に伝送するようになってい
る。制御部４ｆにおいては、受光部９ｂで検出された検
出情報に基づいてブレード４ｂの高さを算出し、その補
正量を算出するようになっている。そして、制御部４ｆ
は、その補正量に基づいてブレード４ｂの高さを自動的
に補正するための信号をモータ４ｅに伝送するようにな
っている。
【００５４】ただし、ブレード４ｂの高さを算出する際
の光検出の方法は、上記したものに限定されるものでは
なく、例えば発光部９ａと受光部９ｂとを図４の上下に
移動可能にしておき、それらを上下動させた時に受光部
９ｂで検出される検出光の情報に基づいてブレード４ｂ
の高さを測定するようにしても良い。
の光検出の方法は、上記したものに限定されるものでは
なく、例えば発光部９ａと受光部９ｂとを図４の上下に
移動可能にしておき、それらを上下動させた時に受光部
９ｂで検出される検出光の情報に基づいてブレード４ｂ
の高さを測定するようにしても良い。
【００５５】このように、本実施例３によれば、以下の
効果を得ることが可能となる。
効果を得ることが可能となる。
【００５６】すなわち、実際のダイシング処理工程にお
いて得られたブレード４ｂの高さの情報に基づいてブレ
ード４ｂの高さを補正することができるので、ダイシン
グ処理が開始されてから終了するまでの間におけるブレ
ード４ｂの高さの設定精度をさらに向上させることが可
能となる。したがって、ダイシング処理における切り込
み深さの安定性をさらに向上させることができるので、
ダイシング不良をさらに低減することが可能となる。こ
の結果、ダイシング不良に起因する半導体チップの割れ
や欠け等をさらに低減することができるので、半導体集
積回路装置の歩留りおよび信頼性をさらに向上させるこ
とが可能となる。
いて得られたブレード４ｂの高さの情報に基づいてブレ
ード４ｂの高さを補正することができるので、ダイシン
グ処理が開始されてから終了するまでの間におけるブレ
ード４ｂの高さの設定精度をさらに向上させることが可
能となる。したがって、ダイシング処理における切り込
み深さの安定性をさらに向上させることができるので、
ダイシング不良をさらに低減することが可能となる。こ
の結果、ダイシング不良に起因する半導体チップの割れ
や欠け等をさらに低減することができるので、半導体集
積回路装置の歩留りおよび信頼性をさらに向上させるこ
とが可能となる。
【００５７】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
１〜３に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
１〜３に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００５８】例えば前記実施例１〜３においては、ブレ
ードの原点高さを測定する際に、ブレードの外周をダイ
シングステージに接触させることによって行っていた
が、これに限定されるものではなく種々変更可能であ
り、例えば図５に示すように、ブレード４ｂの側面のフ
ランジ部４ｂ1 に高さ測定用の検出センサ１０を設けて
おくことにより、ブレード４ｂの原点高さを測定するよ
うにしても良い。
ードの原点高さを測定する際に、ブレードの外周をダイ
シングステージに接触させることによって行っていた
が、これに限定されるものではなく種々変更可能であ
り、例えば図５に示すように、ブレード４ｂの側面のフ
ランジ部４ｂ1 に高さ測定用の検出センサ１０を設けて
おくことにより、ブレード４ｂの原点高さを測定するよ
うにしても良い。
【００５９】また、前記実施例１においては、ブレード
の寿命をスピーカ等を通じて知らせる場合について説明
したが、これに限定されるものではなく、例えばその寿
命を発光ダイオードの発光によって知らせたり、ＣＲＴ
ディスプレイに表示することによって知らせたりするこ
とも可能である。
の寿命をスピーカ等を通じて知らせる場合について説明
したが、これに限定されるものではなく、例えばその寿
命を発光ダイオードの発光によって知らせたり、ＣＲＴ
ディスプレイに表示することによって知らせたりするこ
とも可能である。
【００６０】また、前記実施例１〜３においては、半導
体ウエハがＳｉの場合について説明したが、これに限定
されるものではなく種々変更可能であり、半導体ウエハ
がガリウムヒ素等のような化合物半導体でも良い。
体ウエハがＳｉの場合について説明したが、これに限定
されるものではなく種々変更可能であり、半導体ウエハ
がガリウムヒ素等のような化合物半導体でも良い。
【００６１】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【００６２】(1).第１の発明によれば、ダイシング刃の
切り込み回数がある回数になる度に、ダイシング刃の高
さを、その回数分切り込みを行った場合に必要なダイシ
ング刃の高さ補正量を記した情報に従って自動的に補正
することができる。このため、ダイシング処理が開始さ
れてから終了するまでの間、ダイシング装置を停止する
ことなく、ダイシング刃を適切な高さに設定した状態で
ダイシング処理を行うことが可能となる。この結果、ダ
イシング処理における切り込み深さの安定性を確保した
まま、ダイシング処理の効率を向上させることができ、
半導体集積回路装置の生産効率を向上させることが可能
となる。
切り込み回数がある回数になる度に、ダイシング刃の高
さを、その回数分切り込みを行った場合に必要なダイシ
ング刃の高さ補正量を記した情報に従って自動的に補正
することができる。このため、ダイシング処理が開始さ
れてから終了するまでの間、ダイシング装置を停止する
ことなく、ダイシング刃を適切な高さに設定した状態で
ダイシング処理を行うことが可能となる。この結果、ダ
イシング処理における切り込み深さの安定性を確保した
まま、ダイシング処理の効率を向上させることができ、
半導体集積回路装置の生産効率を向上させることが可能
となる。
【００６３】(2).第２の発明によれば、所定のダイシン
グ処理中に変化するダイシング刃の摩耗量に基づいて作
成したダイシング刃の高さ補正量の情報に従ってダイシ
ング刃の高さを自動的に補正することができるので、所
定のダイシング処理が開始されてから終了するまでの間
におけるダイシング刃の高さの設定精度を向上させるこ
とが可能となる。したがって、ダイシング処理における
切り込み深さの安定性を向上させることができるので、
ダイシング不良を低減することが可能となる。この結
果、ダイシング不良に起因する半導体チップの割れや欠
け等を低減することができるので、半導体集積回路装置
の歩留りおよび信頼性を向上させることが可能となる。
グ処理中に変化するダイシング刃の摩耗量に基づいて作
成したダイシング刃の高さ補正量の情報に従ってダイシ
ング刃の高さを自動的に補正することができるので、所
定のダイシング処理が開始されてから終了するまでの間
におけるダイシング刃の高さの設定精度を向上させるこ
とが可能となる。したがって、ダイシング処理における
切り込み深さの安定性を向上させることができるので、
ダイシング不良を低減することが可能となる。この結
果、ダイシング不良に起因する半導体チップの割れや欠
け等を低減することができるので、半導体集積回路装置
の歩留りおよび信頼性を向上させることが可能となる。
【００６４】(3).第３の発明によれば、実際のダイシン
グ処理工程において得られたダイシング刃の高さの情報
に基づいてダイシング刃の高さを自動的に補正すること
ができるので、ダイシング処理が開始されてから終了す
るまでの間におけるダイシング刃の高さの設定精度をさ
らに向上させることが可能となる。したがって、ダイシ
ング処理における切り込み深さの安定性をさらに向上さ
せることができるので、ダイシング不良をさらに低減す
ることが可能となる。この結果、ダイシング不良に起因
する半導体チップの割れや欠け等をさらに低減すること
ができるので、半導体集積回路装置の歩留りおよび信頼
性をさらに向上させることが可能となる。
グ処理工程において得られたダイシング刃の高さの情報
に基づいてダイシング刃の高さを自動的に補正すること
ができるので、ダイシング処理が開始されてから終了す
るまでの間におけるダイシング刃の高さの設定精度をさ
らに向上させることが可能となる。したがって、ダイシ
ング処理における切り込み深さの安定性をさらに向上さ
せることができるので、ダイシング不良をさらに低減す
ることが可能となる。この結果、ダイシング不良に起因
する半導体チップの割れや欠け等をさらに低減すること
ができるので、半導体集積回路装置の歩留りおよび信頼
性をさらに向上させることが可能となる。
【図１】本発明の一実施例であるダイシング装置の要部
の説明図である。
の説明図である。
【図２】図１のダイシング装置の全体を平面的に示す説
明図である。
明図である。
【図３】本発明の他の実施例であるダイシング装置で用
いるダイシング刃の高さ補正量の情報を説明するための
グラフ図である。
いるダイシング刃の高さ補正量の情報を説明するための
グラフ図である。
【図４】本発明の他の実施例であるダイシング装置の要
部の説明図である。
部の説明図である。
【図５】本発明の他の実施例であるダイシング装置の要
部の説明図である。
部の説明図である。
１ ダイシング装置 ２ａ ローダ部 ２ｂ アンローダ部 ３ ダイシングステージ ３ａ 真空吸引口 ４ ダイシング処理部 ４ａ 真空処理室 ４ｂ ブレード（ダイシング刃） ４ｂ1 フランジ部 ４ｃ レール ４ｄ ブレードカバー ４ｅ モータ ４ｆ 制御部 ４ｇ 記憶部 ４ｈ スピーカ ５ 洗浄処理部 ５ａ 真空吸着アーム ６ 半導体ウエハ ７ 搬送ベルト ８ａ キャリヤリング ８ｂ 粘着テープ ９ａ 発光部 ９ｂ 受光部 １０ 検出センサ
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体ウエハの所定領域にダイシング刃
を接触させることにより半導体ウエハを半導体チップに
分割するダイシング装置であって、前記ダイシング刃の
所定の切り込み回数に対するダイシング刃の摩耗量に基
づいて作成されたダイシング刃の高さ補正量の情報を記
憶する記憶部と、前記ダイシング刃の高さを前記情報に
従って自動的に補正するための制御を行う制御部とを有
することを特徴とするダイシング装置。 - 【請求項２】 半導体ウエハの所定領域にダイシング刃
を接触させることにより半導体ウエハを半導体チップに
分割するダイシング装置であって、所定のダイシング処
理の開始から終了までの一連のダイシング刃の摩耗量の
変化量に基づいて作成された一連のダイシング刃の高さ
補正量の情報を記憶する記憶部と、前記ダイシング刃の
高さを前記情報に従って自動的に補正するための制御を
行う制御部とを有することを特徴とするダイシング装
置。 - 【請求項３】 半導体ウエハの所定領域にダイシング刃
を接触させることにより半導体ウエハを半導体チップに
分割するダイシング装置であって、前記ダイシング刃を
挟むようにダイシング刃の側方に設置され、前記ダイシ
ング刃の高さを測定する発光部および受光部と、前記受
光部によって検出された情報に基づいて前記ダイシング
刃の高さの補正量を算出する高さ補正量算出部と、前記
ダイシング刃の高さを前記高さ補正量算出部で算出され
たダイシング刃の高さの補正量の情報に従って自動的に
補正するための制御を行う制御部とを有することを特徴
とするダイシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33559193A JPH07201780A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | ダイシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33559193A JPH07201780A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | ダイシング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07201780A true JPH07201780A (ja) | 1995-08-04 |
Family
ID=18290304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33559193A Pending JPH07201780A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | ダイシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07201780A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006293065A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Seiko Instruments Inc | 金属膜パターニング用レチクルおよびそれを用いた露光法と半導体ウエハ |
| JP2014172150A (ja) * | 2013-03-12 | 2014-09-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削方法 |
| JP2014210295A (ja) * | 2013-04-17 | 2014-11-13 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
| JP2015029066A (ja) * | 2013-07-01 | 2015-02-12 | 富士ゼロックス株式会社 | 半導体片の製造方法 |
| CN113369712A (zh) * | 2021-06-23 | 2021-09-10 | 业成科技（成都）有限公司 | 镭射切割方法、装置及计算机可读存储介质 |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP33559193A patent/JPH07201780A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006293065A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Seiko Instruments Inc | 金属膜パターニング用レチクルおよびそれを用いた露光法と半導体ウエハ |
| JP4648745B2 (ja) * | 2005-04-12 | 2011-03-09 | セイコーインスツル株式会社 | 金属膜パターニング用レチクルおよびそれを用いた露光法と半導体ウエハ |
| JP2014172150A (ja) * | 2013-03-12 | 2014-09-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削方法 |
| JP2014210295A (ja) * | 2013-04-17 | 2014-11-13 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
| JP2015029066A (ja) * | 2013-07-01 | 2015-02-12 | 富士ゼロックス株式会社 | 半導体片の製造方法 |
| CN113369712A (zh) * | 2021-06-23 | 2021-09-10 | 业成科技（成都）有限公司 | 镭射切割方法、装置及计算机可读存储介质 |
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