JP2014220417A - レーザー加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ダイシフトによるチップの位置ずれ量に関わらず、接着フィルムを適切に分断できるレーザー加工方法を提供する。【解決手段】レーザービーム照射予定領域１０ａに沿って第一の間隔でウェーハ２を撮像して複数の撮像画像を形成する撮像画像形成ステップと、隣接する撮像画像間におけるレーザービーム照射予定領域のシフト量を検出するシフト量検出ステップと、シフト量検出ステップで検出されたシフト量が許容値を超えた場合に、第一の間隔より狭い第二の間隔Ｉ２でウェーハを撮像して複数の撮像画像２０ｂ，２０ｃ，２０ｅ，２０ｆを形成し、隣接する撮像画像間におけるレーザービーム照射予定領域のシフト量を検出する再撮像ステップと、レーザービーム照射予定ラインを形成するレーザービーム照射予定ライン形成ステップを備える構成とした。【選択図】図４

Description

本発明は、分割後のウェーハに貼着された接着フィルムをレーザービームで分断するレーザー加工方法に関する。

ＩＣ等のデバイスが形成されたチップを基板等に接着（ダイボンディング）するために、チップの裏面側にＤＡＦ（Ｄｉｅ Ａｔｔａｃｈ Ｆｉｌｍ）等の接着フィルムを貼着することがある。この接着フィルムは、例えば、切削ブレードを備えるダイサーを用いて各チップのサイズに分断される。

ところが、ダイサーで接着フィルムを切削すると、切削ブレードの目詰まりによってダイサーの切削性能は低下し易くなる。そこで、レーザービームの照射によるアブレーションを利用して接着フィルムを分断する加工方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

この加工方法では、複数のチップに分割されたウェーハの裏面側に接着フィルムを貼着した後、隣接するチップの間で露出する接着フィルムにレーザービームを照射して、接着フィルムをアブレーションさせ接着フィルムを分断する。

しかしながら、この加工方法では、複数のチップに分割されたウェーハに接着フィルムを貼着するので、接着フィルムの貼着時にチップの配置が僅かにずれるダイシフトと呼ばれる現象が発生してしまう。

ダイシフトが発生し、レーザービームの照射予定ラインがチップに重なると、チップにレーザービームが照射され、デバイスを破損させる恐れがある。そこで、ダイシフトが発生しても、デバイスを破損させないようにレーザービームの照射予定ラインを設定する方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。

特開２００９−１２３８３５号公報 特開２０１２−１７４７３２号公報

しかしながら、ダイシフトによるチップの位置ずれ量（シフト量）が大きくなると、上述の方法でもレーザービームの照射予定ラインを適切に設定できなくなる。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ダイシフトによるチップのシフト量に関わらず、レーザービームの照射予定ラインを適切に設定できるレーザー加工方法を提供することである。

本発明によれば、交差する複数の分割予定ラインに沿って個々のチップへと分割され裏面に接着フィルムが貼着されたウェーハに対して隣接する該チップ間に露出した該接着フィルムにレーザービームを照射するレーザー加工方法であって、隣接する該チップ間に該接着フィルムが露出した領域をレーザービーム照射予定領域とし、レーザービーム照射予定領域の伸長方向をＸ方向とするとともに該Ｘ方向に直交する方向をＹ方向とし、該レーザービーム照射予定領域に沿って第一の間隔でウェーハを撮像して複数の撮像画像を形成する撮像画像形成ステップと、該撮像画像形成ステップで形成した各該撮像画像において、該レーザービーム照射予定領域のＹ方向における中間位置を検出し、隣接する該撮像画像間における該レーザービーム照射予定領域のＹ方向におけるシフト量を検出するシフト量検出ステップと、該シフト量検出ステップで検出されたシフト量が許容値を超えた場合に、シフト量が該許容値を超えた該撮像画像間を含む領域において該第一の間隔より狭い第二の間隔でウェーハを撮像して複数の撮像画像を形成し、各該撮像画像において該レーザービーム照射予定領域のＹ方向における中間位置を検出して、隣接する該撮像画像間における該レーザービーム照射予定領域のＹ方向におけるシフト量を検出する再撮像ステップと、隣接する該撮像画像における該中間位置を結んでレーザービーム照射予定ラインを形成するレーザービーム照射予定ライン形成ステップと、該レーザービーム照射予定ライン形成ステップで形成された該レーザービーム照射予定ラインに沿って該接着フィルムにレーザービームを照射するレーザービーム照射ステップと、を備えることを特徴とするレーザー加工方法が提供される。

また、上記レーザー加工方法においては、該レーザービーム照射ステップは、該シフト量検出ステップまたは該再撮像ステップで検出されたシフト量に応じて設定された加工条件に基づいて実施されることが好ましい。

本発明によれば、第一の間隔で撮像された複数の撮像画像を用いてシフト量検出ステップで検出されたレーザービーム照射予定領域のシフト量が許容値以上の場合に、第一の間隔より狭い第二の間隔でウェーハを撮像する再撮像ステップを実施するので、シフト量検出ステップにおいて許容値を超えるシフト量が検出されても、レーザービーム照射予定ラインを適切に設定できる。よって、ダイシフトによるチップのシフト量が大きくなっても、デバイスを破損させることなく接着フィルムを分断できる。

図１（Ａ）は、加工対象を示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、加工対象の断面を模式的に示す一部断面側面図である。 図２（Ａ）は、撮像画像形成ステップを模式的に示す平面図であり、図２（Ｂ）は、撮像画像形成ステップで形成された撮像画像を示す図である。 図３（Ａ）は、シフト量検出ステップを模式的に示す図であり、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）に示すシフト量が存在する場合に形成されるレーザービーム照射予定ラインを模式的に示す平面図である。 図４（Ａ）は、再撮像ステップにおいて撮像画像が形成される様子を模式的に示す平面図であり、図４（Ｂ）は、再撮像ステップにおいて中間位置及びシフト量が検出される様子を模式的に示す図である。 レーザービーム照射予定ライン形成ステップを模式的に示す平面図である。 図６（Ａ）は、レーザービーム照射ステップを示す斜視図であり、図６（Ｂ）は、レーザービーム照射ステップを模式的に示す平面図である。 レーザービーム照射ステップの各条件の例を示す表である。

以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。なお、本実施の形態では、分割後のウェーハの裏面側に貼着された状態の接着フィルムを加工するレーザー加工方法について説明するが、本発明の加工対象はこれに限定されない。

本実施の形態のレーザー加工方法では、複数のチップ６に分割されたウェーハ２の裏面２ｂ側に貼着され、隣接するチップ６間で露出された接着フィルム１０に、レーザービーム３４を照射させて接着フィルム１０をアブレーション加工する（図１，６等参照）。

具体的には、本実施の形態のレーザー加工方法は、撮像画像形成ステップ（図２参照）と、シフト量検出ステップ（図３参照）と、再撮像ステップ（図４参照）と、レーザービーム照射予定ライン形成ステップ（図５参照）と、レーザービーム照射ステップ（図６参照）と、を含む。なお、本実施の形態のレーザー加工方法は、カメラ等の撮像手段及びレーザー加工ヘッドを備えるレーザー加工装置において実施される。

撮像画像形成ステップでは、隣接するチップ６間において接着フィルム１０が露出されたレーザービーム照射予定領域１０ａに沿って、ウェーハ２の表面２ａ側を第一の間隔Ｉ１で撮像する（図１，２（Ａ）参照）。これにより、レーザービーム照射予定領域１０ａ及びその周辺領域を撮像した複数の撮像画像２０（２０ａ〜２０ｄ）が形成される（２（Ｂ）参照）。

シフト量検出ステップでは、撮像画像形成ステップで形成された隣接する撮像画像２０間において、レーザービーム照射予定領域１０ａのシフト量（位置ずれ量）Ｓ１（Ｓ１ａ〜Ｓ１ｃ）を検出する（図３（Ａ）参照）。シフト量Ｓ１が許容値を超えている場合には、次の再撮像ステップを実施する。

再撮像ステップでは、少なくとも、許容値を超えるシフト量Ｓ１が検出された撮像画像２０間に相当する領域を、第一の間隔Ｉ１より狭い第二の間隔Ｉ２で撮像する（図４（Ａ）参照）。そして、新たに形成された撮像画像２０に基づいて、レーザービーム照射予定領域１０ａのシフト量Ｓ２（Ｓ２ａ〜Ｓ２ｃ）を検出する（図４（Ｂ）参照）。

レーザービーム照射予定ライン形成ステップでは、再撮像ステップで検出されたシフト量Ｓ２が許容値を超えていない場合に、撮像画像２０に基づいてレーザービーム照射予定ライン３０を形成する（図５参照）。

レーザービーム照射ステップでは、レーザービーム照射予定ライン形成ステップで形成されたレーザービーム照射予定ライン３０に沿って、接着フィルム１０にレーザービームを照射する（図６参照）。以下、本実施の形態に係るレーザー加工方法の各ステップ等について詳述する。

図１（Ａ）は、本実施の形態の加工対象を示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、加工対象の断面を模式的に示す一部断面側面図である。図１（Ａ）に示すように、ウェーハ２は、円盤状の外形を有する半導体ウェーハであり、交差する複数の分割予定ライン（ストリート）４に沿って複数のチップ６に分割されている。

ウェーハ２の表面２ａ側には、各チップ６に対応するＩＣ等のデバイス８が形成されている。ウェーハ２の裏面２ｂ側には、各チップ６を基板（不図示）等に接着するための接着フィルム１０が貼着されている。また、ウェーハ２は、接着フィルム１０を介して、円環状のフレーム１２に張られたテープ１４に貼着されている。

図１（Ｂ）に示すように、隣接するチップ６間には、接着フィルム１０が露出されており、この露出された領域は、レーザービーム照射ステップにおいてレーザービーム３４（図６参照）が照射されるレーザービーム照射予定領域１０ａとなっている。

テープ１４は、フィルム状の基材１４ａと、基材１４ａ上の糊層１４ｂとで構成されている。糊層１４ｂの粘着力により、接着フィルム１０とテープ１４とが貼り合わせられている。

本実施の形態のレーザー加工方法では、まず、レーザービーム照射予定領域１０ａに沿ってウェーハ２を撮像する撮像画像形成ステップを実施する。図２（Ａ）は、撮像画像形成ステップを模式的に示す平面図であり、図２（Ｂ）は、撮像画像形成ステップで形成された撮像画像を示す図である。

撮像画像形成ステップでは、まず、対象のレーザービーム照射予定領域１０ａをカメラ等の撮像手段１６（図２において不図示、図６参照）で撮像できるように、ウェーハ２と撮像手段１６とを位置合わせする。

次に、図２（Ａ）に示すように、レーザービーム照射予定領域１０ａの伸びる方向（Ｘ方向）に沿ってウェーハ２と撮像手段１６とを相対移動させながら、第一の間隔Ｉ１毎にウェーハ２の表面２ａ側を撮像手段１６で撮像する。つまり、Ｘ方向に第一の間隔Ｉ１で並ぶウェーハ２の撮像領域１８（１８ａ〜１８ｄ）を撮像する。

これにより、各撮像領域１８に対応して、図２（Ｂ）に示すように、レーザービーム照射予定領域１０ａ及びその周辺領域を撮像した撮像画像２０（２０ａ〜２０ｄ）が形成される。形成された複数の撮像画像２０は、記憶部（不図示）に記憶される。

撮像画像形成ステップの後には、隣接する撮像画像２０間において、レーザービーム照射予定領域１０ａのシフト量Ｓ１（Ｓ１ａ〜Ｓ１ｃ）を検出するシフト量検出ステップを実施する。なお、シフト量検出ステップの各処理は、演算部（不図示）で実施される。

図３（Ａ）は、シフト量検出ステップを模式的に示す図であり、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）に示すシフト量が存在する場合に形成されるレーザービーム照射予定ラインを模式的に示す平面図である。

シフト量検出ステップでは、図３（Ａ）に示すように、まず、各撮像画像２０について、Ｘ方向に垂直なＹ方向において隣接する２個のチップ６の外周位置２２を検出する。この外周位置２２は、例えば、Ｙ方向の座標値で表現される。

次に、２個の外周位置２２のＹ方向の中間位置２４を検出する。この中間位置２４は、例えば、各撮像画像２０においてＸ方向の中央の位置で検出される。２個の外周位置２２は、レーザービーム照射予定領域１０ａとチップ６とのＹ方向における境界に相当するので、中間位置２４は、Ｙ方向におけるレーザービーム照射予定領域１０ａの幅を２等分する位置となる。また、中間位置２４も外周位置２２と同様、Ｙ方向の座標値で表現される。

中間位置２４を、すべての撮像画像２０において検出した後、隣接する２個の撮像画像２０の中間位置２４を比較して、レーザービーム照射予定領域１０ａのシフト量Ｓ１を検出する。シフト量Ｓ１は、２個の中間位置２４の座標値（Ｙ方向の座標値）の差で表現される。

このシフト量Ｓ１が所定の許容値より大きくなると、適切なレーザー加工は困難になる。例えば、図３（Ａ）では、シフト量Ｓ１ｂが許容値より大きくなっており、図３（Ｂ）に示すように、撮像領域１８ｂと撮像領域１８ｃとの間の重畳領域２６において、レーザービーム照射予定ライン２８とチップ６とが重なっている。

そこで、本実施の形態のレーザー加工方法では、シフト量検出ステップにおいて、チップ６と重なるレーザービーム照射予定ライン２８が形成されるような許容値を超えたシフト量Ｓ１（ここでは、シフト量Ｓ１ｂ）が検出された場合に、再撮像ステップを実施する。なお、許容値を超えたシフト量Ｓ１が検出されない場合には、再撮像ステップを実施せずに、レーザービーム照射予定ライン形成ステップ及びレーザービーム照射ステップを実施すれば良い。

図４（Ａ）は、再撮像ステップにおいて撮像画像が形成される様子を模式的に示す平面図であり、図４（Ｂ）は、再撮像ステップにおいて中間位置及びシフト量が検出される様子を模式的に示す図である。

再撮像ステップでは、まず、Ｘ方向に沿ってウェーハ２と撮像手段１６とを相対移動させて、少なくとも、許容値を超えるシフト量Ｓ１（ここでは、シフト量Ｓ１ｂ）が検出された撮像画像２０（撮像画像２０ｂ，２０ｃ）間に相当する領域を、第二の間隔Ｉ２で撮像する。

すなわち、撮像領域１８ｂと撮像領域１８ｃとの間の領域であって、Ｘ方向に第二の間隔Ｉ２で並ぶウェーハ２の撮像領域１８（１８ｂ，１８ｃ，１８ｅ，１８ｆ）を撮像する。第二の間隔Ｉ２は、第一の間隔Ｉ１（図２参照）より狭くなるように設定される。

これにより、各撮像領域１８に対応して、図４（Ｂ）に示すような複数の撮像画像２０（２０ｂ，２０ｃ，２０ｅ，２０ｆ）が形成される。形成された撮像画像２０は、記憶部に記憶される。

その後、隣接する撮像画像２０間において、レーザービーム照射予定領域１０ａのシフト量Ｓ２（Ｓ２ａ〜Ｓ２ｃ）を検出する。具体的な処理は、上述のシフト量算出ステップと同様である、

つまり、各撮像画像２０でチップ６の外周位置２２を検出し、続いて、Ｙ方向の中間位置２４を検出する。すべての撮像画像２０において中間位置２４を検出した後には、隣接する２個の撮像画像２０の中間位置２４を比較して、レーザービーム照射予定領域１０ａのシフト量Ｓ２（Ｓ２ａ〜Ｓ２ｃ）を検出する。なお、当該処理は、演算部で実施される。

上述した再撮像ステップで検出されたシフト量Ｓ２が許容値を超えていない場合、レーザービーム照射予定ライン形成ステップを実施する。図５は、レーザービーム照射予定ライン形成ステップを模式的に示す平面図である。なお、許容値を超えたシフト量Ｓ２が検出された場合には、エラーを報知して、レーザービーム照射予定ライン形成ステップを実施しないようにする。

レーザービーム照射予定ライン形成ステップでは、図５に示すように、隣接する撮像画像２０において、レーザービーム照射予定領域１０ａの中心位置１０ｂを結ぶようにレーザービーム照射予定ライン３０を形成する。なお、この中心位置１０ｂは、上述した中間位置２４に対応している。

レーザービーム照射予定ライン３０の形成には、撮像画像形成ステップで形成された撮像画像２０、または再撮像ステップで形成された撮像画像２０を選択的に用いる。具体的には、再撮像ステップの対象領域外では、撮像画像形成ステップで形成された撮像画像２０を用いてレーザービーム照射予定ライン３０を形成する。一方、再撮像ステップの対象領域内では、再撮像ステップで形成された撮像画像２０を用いてレーザービーム照射予定ライン３０を形成する。

例えば、撮像画像２０ａ，２０ｂに基づいて検出されるシフト量Ｓ１ａは許容値を超えておらず、撮像領域１８ａと撮像領域１８ｂとの間の領域は、再撮像ステップの対象領域（再撮像ステップにおいて撮像される領域）ではない。よって、当該領域では、撮像画像形成ステップで形成された撮像画像２０ａ，２０ｂを用いてレーザービーム照射予定ライン３０を形成する。

一方、撮像画像２０ｂ，２０ｃに基づいて検出されるシフト量Ｓ１ｂは許容値を超えており、撮像領域１８ｂと撮像領域１８ｃとの間の領域は、再撮像ステップの対象領域である。よって、当該領域では、再撮像ステップで形成された撮像画像２０ｂ，２０ｃ，２０ｅ，２０ｆを用いてレーザービーム照射予定ライン３０を形成する。

その結果、図５に示すような、チップ６と重ならないレーザービーム照射予定ライン３０が形成される。なお、再撮像ステップを実施していない場合には、撮像画像形成ステップで形成された撮像画像２０のみを用いてレーザービーム照射予定ライン３０を形成すれば良い。

レーザービーム照射予定ライン形成ステップの後には、レーザービーム照射ステップが実施される。図６（Ａ）は、レーザービーム照射ステップを示す斜視図であり、図６（Ｂ）は、レーザービーム照射ステップを模式的に示す平面図である。なお、図６（Ｂ）は、レーザービーム照射ステップを模式的に示すに過ぎず、レーザービーム３４の照射点３６の間隔と、チップ６及び撮像画像２０の大きさとの比は、必ずしも図６（Ｂ）に示す通りではない。

図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示すように、レーザービーム照射ステップでは、まず、レーザービーム照射予定ライン３０の上方にレーザー加工ヘッド３２を位置付ける。そして、ウェーハ２とレーザー加工ヘッド３２とを相対移動させながら、接着フィルム１０に向けてレーザービーム３４を照射する。

レーザービーム３４は、ウェーハ２の表面２ａ側に配置されたレーザー加工ヘッド３２から、レーザービーム照射予定ライン３０に沿って照射される。このレーザービーム３４は、ＹＡＧ、ＹＶＯ４等をレーザー媒質として所定の繰り返し周波数で発振され、接着フィルム１０をアブレーションさせる程度の出力（光強度）を有する。そのため、レーザービーム３４を照射すると、図６（Ｂ）に示すように、レーザービーム３４の照射点３６において接着フィルム１０はアブレーションされる。

加工送り速度（ウェーハ２とレーザー加工ヘッド３２とのＸ方向の相対移動速度）は特に限定されないが、再撮像ステップが実施された領域においては、他の領域より下げておくことが好ましい。

例えば、再撮像ステップが実施された領域の加工送り速度を、再撮像ステップが実施されていない領域より下げる。または、再撮像ステップが実施された領域を含むレーザービーム照射予定ライン３０の加工送り速度を、再撮像ステップが実施された領域を含まないラインより下げる。

これにより、レーザービーム照射予定ライン３０に対するレーザービーム３４の追従性（Ｙ方向の追従性）を高め、照射点３６とレーザービーム照射予定ライン３０とのずれを小さくできる。

なお、加工送り速度の調整は、シフト量検出ステップで検出されたシフト量Ｓ１、または再撮像ステップで検出されたシフト量Ｓ２に応じて行うことが好ましい。また、加工送り速度の調整と共に、レーザービーム３４の出力や繰り返し周波数等の他の条件も調整することが好ましい。

図７は、レーザービーム照射ステップの各条件の例を示す表である。本実施の形態に係るレーザー加工方法を行う加工装置の記憶部に、図７に示すような条件を記憶させておくことで、接着フィルム１０の種類、シフト量Ｓ１，Ｓ２等に応じた適切な条件（加工送り速度、出力、繰り返し周波数等）で加工できる。

例えば、図７では、シフト量Ｓ１，Ｓ２が大きくなると、加工送り速度が低くなるように設定されている。これにより、シフトＳ１，Ｓ２が大きくなっても、レーザービーム照射予定ライン３０に対するレーザービーム３４の追従性が高められ、照射点３６とレーザービーム照射予定ライン３０とのずれを十分に小さくできる。

また、図７では、加工送り速度が低くなると、レーザービームの出力や繰り返し周波数も低くなるように設定されている。これにより、加工送り速度を低下させた領域においても、レーザービーム３４の照射量が大きくなり過ぎずに済むので、他の領域と同等の加工品質を実現できる。

レーザービーム照射ステップで接着フィルム１０を完全に切断せずにレーザー加工溝を形成する場合には、上述したレーザービーム照射ステップの後にテープ１４を拡張させるエキスパンドステップ等を実施することで、レーザービーム照射予定ライン３０に沿って接着フィルム１０を分断できる。なお、レーザービーム照射ステップの後のステップは、任意に実施すれば良い。

このように、本実施の形態のレーザー加工方法によれば、第一の間隔Ｉ１で撮像された複数の撮像画像２０（２０ａ〜２０ｄ）を用いて検出されたレーザービーム照射予定領域１０ａのシフト量Ｓ１が許容値以上の場合に、第一の間隔Ｉ１より狭い第二の間隔Ｉ２でウェーハ２を撮像するので、レーザービーム照射予定ライン３０を適切に設定できる。そのため、ダイシフトによるチップ６のシフト量が大きくなっても、デバイス８を破損させることなく接着フィルム１０を分断できる。

また、本実施の形態のレーザー加工方法では、シフト量Ｓ１，Ｓ２に応じた加工条件を設定することで良好な加工を実現できる。具体的には、例えば、シフト量Ｓ１，Ｓ２が大きい場合に加工送り速度を下げれば、レーザービーム照射予定ライン３０に対するレーザービーム３４の追従性を上げて、照射点３６とレーザービーム照射予定ライン３０とのずれを十分に小さくできる。また、加工送り速度を下げると共に、出力や繰り返し周波数を下げれば、他の領域と同等の加工品質を実現できる。

なお、本発明は上記実施の形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施の形態の再撮像ステップでは、許容値を超えるシフト量Ｓ１が検出された領域を第二の間隔Ｉ２で撮像するようにしているが、再撮像ステップの撮像範囲はこれに限定されない。例えば、許容値を超えるシフト量Ｓ１が検出されたライン全体を、第二の間隔Ｉ２で撮像し直すようにしても良い。

また、上記実施の形態では、第一の間隔Ｉ１及び第二の間隔Ｉ２の一例を示しているが、第一の間隔Ｉ１及び第二の間隔Ｉ２は適宜設定できる。少なくとも、第二の間隔Ｉ２が第一の間隔Ｉ１より狭くなっていれば良い。これにより、シフト量Ｓ１が大きい領域のみにおいて狭い第二の間隔Ｉ２で撮像画像２０を形成できるので、特に、シフト量Ｓ１がそれほど大きくないウェーハ２や、チップ６が小さいウェーハ２等において、加工に係るスループットを高めることができる。

また、第二の間隔Ｉ２の間隔よりも狭い第三の間隔を設定し、例えば、再撮像ステップにおいて許容値を超えたシフト量Ｓ２が検出された場合に、第二の間隔Ｉ２の間隔よりも狭い第三の間隔で再撮像ステップを実施するようにしても良い。すなわち、上記実施の形態では、再撮像ステップにおいて許容値を超えたシフト量Ｓ２が検出された場合に、レーザー加工に適さないと判定してエラーを報知する構成を示しているが、本発明のレーザー加工方法はこれに限定されない。

また、第二の間隔Ｉ２は、隣接するチップ６間の間隔（Ｘ方向の間隔）より狭くても良い。第二の間隔Ｉ２を隣接するチップ６間の間隔より狭くすれば、一組のチップ６の間に位置するレーザービーム照射予定領域１０ａのそれぞれに対して、複数の撮像画像２０を形成し、Ｘ方向の座標が異なる複数の中間位置２４（すなわち、中心位置１０ｂ）を検出できる。この場合、シフト量Ｓ１が著しく大きくなっても、中心位置１０ｂの間隔を十分に狭くできるので、チップ６と重ならない適切なレーザービーム照射予定ライン３０を形成できる。

同様の理由で、第二の間隔Ｉ２以外の撮像画像２０の形成に係る間隔を、隣接するチップ６間の間隔（Ｘ方向の間隔）より狭くしても良い。ただし、第一の間隔Ｉ１を狭くし過ぎると、加工に係るスループットが低下してしまうので、第一の間隔Ｉ１は、第二の間隔Ｉ２等との関係において十分なスループットを確保できるように設定されることが好ましい。

その他、上記実施の形態に係る構成、方法などは、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。

２ ウェーハ
２ａ 表面
２ｂ 裏面
４ 分割予定ライン（ストリート）
６ チップ
８ デバイス
１０ 接着フィルム
１０ａ レーザービーム照射予定領域
１０ｂ 中心位置
１２ フレーム
１４ テープ
１４ａ 基材
１４ｂ 糊層
１６ 撮像手段
１８，１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄ，１８ｅ，１８ｆ 撮像領域
２０，２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ，２０ｅ，２０ｆ 撮像画像
２２ 外周位置
２４ 中間位置
２６ 重畳領域
２８ レーザービーム照射予定ライン
３０ レーザービーム照射予定ライン
３２ レーザー加工ヘッド
３４ レーザービーム
３６ 照射点
Ｉ１ 第一の間隔
Ｉ２ 第二の間隔
Ｓ１，Ｓ１ａ，Ｓ１ｂ，Ｓ１ｃ，Ｓ２，Ｓ２ａ，Ｓ２ｂ，Ｓ２ｃ シフト量

Claims (2)

1. 交差する複数の分割予定ラインに沿って個々のチップへと分割され裏面に接着フィルムが貼着されたウェーハに対して隣接する該チップ間に露出した該接着フィルムにレーザービームを照射するレーザー加工方法であって、
   隣接する該チップ間に該接着フィルムが露出した領域をレーザービーム照射予定領域とし、レーザービーム照射予定領域の伸長方向をＸ方向とするとともに該Ｘ方向に直交する方向をＹ方向とし、
   該レーザービーム照射予定領域に沿って第一の間隔でウェーハを撮像して複数の撮像画像を形成する撮像画像形成ステップと、
   該撮像画像形成ステップで形成した各該撮像画像において、該レーザービーム照射予定領域のＹ方向における中間位置を検出し、隣接する該撮像画像間における該レーザービーム照射予定領域のＹ方向におけるシフト量を検出するシフト量検出ステップと、
   該シフト量検出ステップで検出されたシフト量が許容値を超えた場合に、シフト量が該許容値を超えた該撮像画像間を含む領域において該第一の間隔より狭い第二の間隔でウェーハを撮像して複数の撮像画像を形成し、各該撮像画像において該レーザービーム照射予定領域のＹ方向における中間位置を検出して、隣接する該撮像画像間における該レーザービーム照射予定領域のＹ方向におけるシフト量を検出する再撮像ステップと、
   隣接する該撮像画像における該中間位置を結んでレーザービーム照射予定ラインを形成するレーザービーム照射予定ライン形成ステップと、
   該レーザービーム照射予定ライン形成ステップで形成された該レーザービーム照射予定ラインに沿って該接着フィルムにレーザービームを照射するレーザービーム照射ステップと、を備えることを特徴とするレーザー加工方法。
2. 該レーザービーム照射ステップは、該シフト量検出ステップまたは該再撮像ステップで検出されたシフト量に応じて設定された加工条件に基づいて実施されることを特徴とする請求項１に記載のレーザー加工方法。

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