JP2018190856A - レーザ加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】接着フィルムをチップ毎に分断してフィルムが装着されたチップを製造する場合に、チップを損傷することなく効率よくフィルムを分断する。【解決手段】チップに分割され裏面に接着フィルムＴ２が貼着された被加工物ＷのフィルムＴ２側を保持するステップと、被加工物Ｗの溝Ｍ１において所定のチップ間隔で溝幅と溝幅の中心座標とを検出するステップと、検出した溝幅と溝幅の中心座標とをもとにレーザビーム照射ラインを算出するステップと、レーザビーム照射ラインに沿って溝Ｍ１底部のフィルムＴ２にレーザビームを照射しフィルムＴ２を分断するレーザ加工ステップと、を備え、レーザビーム照射ライン算出ステップで算出されたレーザビーム照射ラインの溝Ｍ１の幅方向のずれ量に応じてずれレベルを決定するステップを備え、レーザ加工ステップではずれレベルに対応した加工条件でレーザ加工を実施するレーザ加工方法である。【選択図】図１３

Description

本発明は、表面の交差する複数のストリートに沿って個々のチップへと分割され裏面に接着フィルムが貼着された被加工物に対して、接着フィルムにレーザビームを照射して接着フィルムを個々のチップ毎に分断するレーザ加工方法に関する。

各チップに分割された状態の半導体ウェーハ等の被加工物の裏面にダイボンディング用の接着フィルムを貼着し、接着フィルムのチップ間の間隙に露出した部分に、被加工物の表面側から間隙を通してレーザビームを照射し、接着フィルムを個々のチップ毎に分断して接着フィルムが装着されたチップを製造する方法がある（例えば、特許文献１参照。）

特開２０１２−１７４７３２号公報

しかし、上記特許文献１に記載されているようなチップの製造方法においては、チップに分割された被加工物に接着フィルムを貼着する際に、チップの配置が僅かにずれる現象（ダイシフト）が発生し得る。ダイシフトが発生した場合には、レーザビーム照射時にレーザビームがチップに照射されデバイスを破損させる恐れがある。

そこで、接着フィルム分断時においては、ダイシフトが発生していてもデバイスを破損させないようにするために、チップの位置のずれ量（シフト量）に対応するようにレーザビームの照射ラインを設定して、保持テーブルに保持された被加工物とレーザビームを照射する集光器とを加工送り方向（Ｘ軸方向）に相対移動させつつ、さらに、例えば被加工物を保持する保持テーブルをレーザビームの照射ラインに合わせて割り出し送り方向（Ｙ軸方向）に僅かずつ移動させながら加工を行っていく。

しかし、レーザビームの照射ラインを適切に設定したとしても、チップのずれ量が大きいラインと小さいラインとを同一の加工条件で加工した場合、被加工物ＷのＹ軸方向における移動によるレーザビーム照射ラインに対するレーザビームの照射が追従しきれずに、レーザビームがチップに照射されチップが損傷してしまったり、逆に、過度に被加工物の加工送り速度を低速とすることで生産性が低下してしまったりするおそれがある。

よって、接着フィルムを個々のチップ毎に分断して裏面に接着フィルムが装着されたチップを製造する場合には、チップを損傷することなく効率よく接着フィルムを分断するという課題がある。

上記課題を解決するための本発明は、表面の交差する複数のストリートに沿って個々のチップへと分割され、裏面に接着フィルムが貼着されることで該ストリートに対応した溝が形成された被加工物に対して該溝の底部となる該接着フィルムにレーザビームを照射するレーザ加工方法であって、保持テーブルで被加工物の該接着フィルム側を保持する保持ステップと、該保持ステップで保持した被加工物の該溝において所定のチップ間隔で該溝幅と該溝幅の中心座標とを検出する溝幅検出ステップと、該溝幅検出ステップで検出した該溝幅と該溝幅の中心座標とをもとに該レーザビームの照射ラインを算出するレーザビーム照射ライン算出ステップと、該レーザビーム照射ライン算出ステップで算出した該レーザビーム照射ラインに沿って該溝の底部の該接着フィルムに該レーザビームを照射して該接着フィルムを分断するレーザ加工ステップと、を備え、該レーザビーム照射ライン算出ステップで算出された該レーザビーム照射ラインの該溝の幅方向のずれ量に応じてずれレベルを決定するレベル決定ステップを更に備え、該レーザ加工ステップでは、該レベル決定ステップで決定した該ずれレベルにそれぞれ対応した加工条件でレーザ加工を実施する、レーザ加工方法である。

前記レーザ加工ステップでは、前記レベル決定ステップで決定した前記ずれレベルにそれぞれ対応した加工送り速度でレーザ加工を実施するものとすると好ましい。

被加工物の裏面の前記接着フィルムの下面にはテープが貼着されており、前記レーザ加工ステップでは、被加工物の外周縁を越えて前記溝に沿って該テープに前記レーザビームを照射して加工痕を形成し、該加工痕の長さは前記ずれレベルに対応するものとすると好ましい。

本発明に係るレーザ加工方法は、レーザビーム照射ライン算出ステップで算出されたレーザビーム照射ラインの溝の幅方向のずれ量に応じてずれレベルを決定するレベル決定ステップを備え、レーザ加工ステップでは、レベル決定ステップで決定したずれレベルにそれぞれ対応した加工条件でレーザ加工を実施するものとすることで、算出したずれ量に応じて、例えば一本のレーザビーム照射ライン毎にレベルを設定し、設定したレベルに対応する加工条件でこの一本のレーザビーム照射ラインに沿って接着フィルムに対してレーザ加工を施す。そのため、チップを損傷することなく効率よく接着フィルムを分断できる。

レーザ加工ステップでは、レベル決定ステップで決定したずれレベルにそれぞれ対応した加工送り速度でレーザ加工を実施するものとすることで、被加工物の割り出し送り方向（Ｙ軸方向）における移動によるレーザビーム照射ラインに対するレーザビームの追従性を向上させて、チップをより損傷することなく効率よく接着フィルムを分断できる。

被加工物の裏面の接着フィルムの下面にはテープが貼着されており、レーザ加工ステップでは、被加工物の外周縁を越えて溝に沿ってテープにレーザビームを照射して加工痕を形成し、加工痕の長さはずれレベルに対応するものとすることで、オペレータにとって視認しやすいテープ上の加工痕の長さを基準として、各レーザビーム照射ラインのずれレベルをレーザ加工後にオペレータが容易に把握することが可能となる。
レーザ加工後においては、レーザ加工によってチップが損傷していないかをオペレータが顕微鏡等で確認する。しかし、全てのレーザビーム照射ラインを一本ずつオペレータが確認していくことは、作業効率の低下等を招く。ずれレベルが小さいレーザビーム照射ラインはチップ上がレーザ加工されている可能性は非常に低いが、ずれレベルが大きいレーザビーム照射ラインは誤ってチップ上がレーザ加工されている可能性がある。したがって、オペレータが、レーザ加工後に各レーザビーム照射ラインのずれレベルを加工痕の長さに基づき容易に把握できるようになることで、例えば、ずれレベルが大きいレーザビーム照射ラインは毎ラインその全長を検査するが、ずれレベルが小さいレーザビーム照射ラインは数ライン毎にそのライン中の数箇所を検査するだけにする等、検査の度合いを適宜変化させることができるようになる。このように、ライン毎のずれレベルに応じた適切な検査が取捨選択され実施されることで、作業効率を向上させることが可能となる。

切削手段により被加工物に仕上げ厚みに至るハーフカット溝を形成している状態を示す斜視図である。 被加工物の表面に保護部材を配設している状態を示す斜視図である。 被加工物をその裏面を研削して仕上げ厚みへと薄化するとともに複数のチップへと分割している状態を示す斜視図である。 裏面に接着フィルムが貼着されテープを介して環状フレームによって支持された被加工物の表面から保護部材を除去する状態を示す斜視図である。 レーザ加工装置の一例を示す斜視図である。 保持テーブルで被加工物の接着フィルム側を保持した状態を示す断面図である。 溝幅検出ステップにおいて撮像手段によって所定のチップ間隔で被加工物の溝及びその周辺領域を撮像している状態を示す断面図である。 溝幅検出ステップにおける被加工物の表面の撮像領域とレーザビーム照射予定ラインとを模式的に示す平面図である。 溝幅検出ステップにおいて形成された撮像画像を模式的に示す平面図である。 再度の溝幅検出ステップにおける被加工物の表面の撮像領域とレーザビーム照射予定ラインとを模式的に示す平面図である。 再度の溝幅検出ステップにおいて形成された撮像画像を模式的に示す平面図である。 被加工物の表面の撮像領域とレーザビーム照射ラインとを模式的に示す平面図である。 各ずれレベルにそれぞれ対応する加工条件及び加工痕の長さの一例を示すデータ表である。 レーザビーム照射ラインに沿って溝の底部の接着フィルムにレーザビームを照射して接着フィルムを分断している状態を示す断面図である。 縦横に接着フィルムが分断された後の被加工物及び加工痕が形成されたテープを示す平面図である。

チップに分割される図１に示す被加工物Ｗは、例えば、シリコン基板からなる円形状の半導体ウェーハであり、被加工物Ｗの表面Ｗａには、直交差するストリートＳによって区画された格子状の各領域にそれぞれデバイスＤが形成されている。
以下に、被加工物ＷをデバイスＤを備えるチップに分割する場合の各工程について説明していく。

例えば、最初に、図１に示す切削手段１１によって、被加工物Ｗの表面ＷａからストリートＳに沿って被加工物Ｗの仕上げ厚みに至るハーフカット溝を形成する。切削手段１１は、軸方向が被加工物Ｗの移動方向（Ｘ軸方向）に対し水平方向に直交する方向（Ｙ軸方向）であるスピンドル１１１を備えており、スピンドル１１１の先端には円環状の切削ブレード１１０が固定されている。

被加工物Ｗは図示しないチャックテーブルによって表面Ｗａが上側を向いた状態で吸引保持されている。被加工物Ｗを吸引保持するチャックテーブルは、鉛直方向（Ｚ軸方向）の軸心周りに回転可能であるとともに、Ｘ軸方向に往復移動可能となっている。
被加工物Ｗを保持するチャックテーブルが−Ｘ方向側に送り出され、被加工物Ｗの切削ブレード１１０を切り込ませるべきストリートＳのＹ軸方向の座標位置が検出される。ストリートＳが検出されるのに伴って、切削手段１１がＹ軸方向に割り出し送りされ、切削すべきストリートＳと切削ブレード１１０とのＹ軸方向における位置合わせが行われる。

スピンドル１１１が回転し、切削ブレード１１０が−Ｙ方向側から見て時計回り方向に回転する。また、切削手段１１が−Ｚ方向に向かって切り込み送りされ、切削ブレード１１０の最下端が被加工物Ｗを完全に切断しない所定の高さ位置に切削手段１１が位置付けられる。この所定の高さ位置は、被加工物Ｗの表面Ｗａから形成されるハーフカット溝の底面までの距離が被加工物Ｗの仕上げ厚みとなる位置である。

被加工物Ｗが所定の切削送り速度で−Ｘ方向側にさらに送り出されることで、切削ブレード１１０がストリートＳに沿って被加工物Ｗの表面Ｗａ側から切り込んでいき、仕上げ厚みに至るハーフカット溝Ｍが形成される。切削ブレード１１０が一本のストリートＳを切削し終えるＸ軸方向の所定の位置まで被加工物Ｗが送られると、切削ブレード１１０が被加工物Ｗから離間し、被加工物Ｗが＋Ｘ方向に移動し原点位置に戻る。隣り合うストリートＳの間隔ずつ切削ブレード１１０を＋Ｙ方向に割り出し送りしながら順次同様の切削を行うことで、Ｘ軸方向の全てのストリートＳに沿ってハーフカット溝Ｍを被加工物Ｗに形成する。さらに、被加工物Ｗを９０度回転させてから同様の切削加工を行うことで、全てのストリートＳに沿ってハーフカット溝Ｍを形成することができる。

ハーフカット溝Ｍが形成された被加工物Ｗは、図２に示すように、表面Ｗａに保護部材Ｔ１が配設される。保護部材Ｔ１は、被加工物Ｗと同程度の直径を備える円盤状のシートである。例えば、図示しない貼り付けテーブル上でプレスローラー等により被加工物Ｗの表面Ｗａに保護部材Ｔ１が押し付けられて貼着される。

保護部材Ｔ１が貼着された被加工物Ｗは、図３に示す研削装置７に搬送される。研削装置７は保持テーブル７０を備えており、保持テーブル７０は、その外形が円形状であり、ポーラス部材等からなる保持面７００で被加工物Ｗを吸引保持する。保持テーブル７０は、Ｚ軸方向の軸心回りに回転可能であるとともに、Ｙ軸方向に移動可能となっている。
図３に示すように、保護部材Ｔ１側を下側に向けて保持面７００上に被加工物Ｗが載置される。そして、図示しない吸引源により生み出された吸引力が保持面７００に伝達されることで、保持テーブル７０は保持面７００上で被加工物Ｗを吸引保持する。

保持テーブル７０に保持された被加工物Ｗの裏面Ｗｂを研削手段７１によって研削する。研削手段７１は、例えば、Ｚ軸方向の軸心周りに回転可能な回転軸７１０と、回転軸７１０の下端に接続された円板状のマウント７１３と、マウント７１３の下面に着脱可能に接続された研削ホイール７１４とを備える。研削ホイール７１４は、ホイール基台７１４ｂと、ホイール基台７１４ｂの底面に環状に配設された略直方体形状の複数の研削砥石７１４ａとを備える。研削砥石７１４ａは、例えばレジンボンドやメタルボンド等でダイヤモンド砥粒等が固着されて成形されている。

まず、保持テーブル７０が＋Ｙ方向へ移動して、研削ホイール７１４の回転中心が被加工物Ｗの回転中心に対して所定の距離だけ＋Ｙ方向にずれ、研削砥石７１４ａの回転軌跡が被加工物Ｗの回転中心を通るように、保持テーブル７０が研削手段７１に対して位置付けられる。次いで、回転軸７１０が回転するのに伴って、図３に示すように、研削ホイール７１４が、＋Ｚ方向側からみて反時計周り方向に回転する。また、研削手段７１が−Ｚ方向へと送られ、研削砥石７１４ａが被加工物Ｗの裏面Ｗｂに当接することで研削加工が行われる。研削中は、保持テーブル７０が＋Ｚ方向側からみて反時計周り方向に回転するのに伴って被加工物Ｗも回転するので、研削砥石７１４ａが被加工物Ｗの裏面Ｗｂの全面の研削加工を行う。また、研削砥石７１４ａと被加工物Ｗの裏面Ｗｂとの接触箇所に対して研削水が供給され、研削水による接触箇所の冷却及び研削屑の洗浄除去が行われる。

研削手段７１を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りして、ハーフカット溝Ｍの底が被加工物Ｗの裏面Ｗｂ側に露出するまで裏面Ｗｂを研削する。ハーフカット溝Ｍの底が被加工物Ｗの裏面Ｗｂに露出することで、図４に示すように、仕上げ厚みへと薄化された被加工物Ｗは、デバイスＤを備える複数のチップＣに分割される。

チップＣに分割された被加工物Ｗは、図４に示すように、裏面ＷｂにＤＡＦ（Ｄｉｅ Ａｔｔａｃｈ Ｆｉｌｍ）等のダイボンディング用の接着フィルムＴ２が貼着される。円形状の接着フィルムＴ２は、例えば、被加工物Ｗの外径よりも大きい外径を有する。そして、被加工物Ｗは、裏面Ｗｂに接着フィルムＴ２が貼着されることでストリートＳに対応した溝Ｍ１が形成された状態になる。また、接着フィルムＴ２は、被加工物Ｗの溝Ｍ１（チップＣ間の間隙）の底部となる。
また、接着フィルムＴ２の下面（基材面）Ｔ２ｂには、テープＴ３が貼着される。テープＴ３は、接着フィルムＴ２の外径よりも大きい外径を有する円盤状のシートである。また、テープＴ３の粘着面Ｔ３ａの外周部を円形の開口を備える環状フレームＦに貼着することで、被加工物Ｗは、テープＴ３を介して環状フレームＦに支持された状態となり、環状フレームＦを介したハンドリングが可能な状態になる。接着フィルムＴ２の被加工物Ｗに対する貼着等は、図示しないテープマウンタにおいて貼着ローラを転動させて接着フィルムＴ２を被加工物Ｗに押し付けてなされるものとしてもよいし、オペレータによる手作業でなされてもよい。さらに、被加工物Ｗの表面Ｗａから保護部材Ｔ１が剥離される。

環状フレームＦによって支持された被加工物Ｗは、図５に示すレーザ加工装置２に搬送される。レーザ加工装置２は、被加工物Ｗを吸引保持する保持テーブル３０と、保持テーブル３０に保持された被加工物Ｗの接着フィルムＴ２に対して所定波長のレーザビームを照射するレーザビーム照射手段６と、装置制御を行う制御手段９とを備えている。

レーザ加工装置２の基台２０の前方（−Ｙ方向側）には、加工送り方向であるＸ軸方向に保持テーブル３０を往復移動させる加工送り手段２１が備えられている。加工送り手段２１は、Ｘ軸方向の軸心を有するボールネジ２１０と、ボールネジ２１０と平行に配設された一対のガイドレール２１１と、ボールネジ２１０を回動させるパルスモータ２１２と、内部のナットがボールネジ２１０に螺合し底部がガイドレール２１１に摺接する可動板２１３とから構成される。そして、パルスモータ２１２がボールネジ２１０を回動させると、これに伴い可動板２１３がガイドレール２１１にガイドされてＸ軸方向に移動し、可動板２１３上に配設された保持テーブル３０が可動板２１３の移動に伴いＸ軸方向に移動する。

レーザ加工装置２は、保持テーブル３０のＸ軸方向における位置を測定するＸ軸方向位置測定手段２３を備えている。Ｘ軸方向位置測定手段２３は、ガイドレール２１１に沿ってＸ軸方向に延在するスケール２３０と、可動板２１３に固定されスケール２３０に沿って可動板２１３と共に移動しスケール２３０の目盛りを読み取る読み取り部２３１とを備えている。読み取り部２３１は、例えば、スケール２３０に形成された目盛りの反射光を読み取る光学式のものであり、スケール２３０の目盛りを検出して制御手段９にパルス信号を出力する。

制御手段９は、Ｘ軸方向位置測定手段２３から送出されたパルス信号をカウントすることにより、保持テーブル３０のＸ軸方向における位置を検出する。
本実施形態においては、加工送り手段２１のモータ２１２は、制御手段９に備える図示しないパルス発振器から供給される駆動パルスによって動作するパルスモータである。よって、制御手段９は、加工送り手段２１に供給する駆動パルス数をカウントすることにより、保持テーブル３０のＸ軸方向における位置を検出することも可能である。
例えば、加工送り手段２１のモータ２１２をパルスモータではなくサーボモータとし、サーボモータにロータリエンコーダが接続された構成としてもよい。この場合には、ロータリエンコーダは、サーボアンプとしての機能も有する制御手段９に接続されており、制御手段９からサーボモータに対して動作信号が供給された後、エンコーダ信号（サーボモータの回転数）を制御手段９に対して出力する。制御手段９は、ロータリエンコーダから送出されたエンコーダ信号によって、保持テーブル３０のＸ軸方向における移動量を算出し、保持テーブル３０のＸ軸方向における位置を検出する。

被加工物Ｗを保持する保持テーブル３０は、その外形が円形状であり、ポーラス部材等で構成され被加工物Ｗを吸着する吸着部３００と、吸着部３００を支持する枠体３０１とを備える。吸着部３００は図示しない吸引源に連通し、吸着部３００の露出面である保持面３００ａ上で被加工物Ｗを吸引保持する。保持テーブル３０は、カバー３１により周囲から囲まれ、保持テーブル３０の底面側に配設された回転手段３２により鉛直方向（Ｚ軸方向）の軸心周りに回転可能である。保持テーブル３０の周囲には、被加工物Ｗを支持する環状フレームＦを固定する固定クランプ３３が、周方向に均等に４つ配設されている。

保持テーブル３０は、加工送り手段２１によりＸ軸方向に往復移動が可能であるとともに、回転手段３２を介して保持テーブル３０の下方に配設されたＹ軸方向移動手段２２により、Ｙ軸方向にも移動が可能となっている。Ｙ軸方向移動手段２２は、Ｙ軸方向の軸心を有するボールネジ２２０と、ボールネジ２２０と平行に配設された一対のガイドレール２２１と、ボールネジ２２０を回動させるパルスモータ２２２と、内部のナットがボールネジ２２０に螺合し底部がガイドレール２２１に摺接する可動板２２３とから構成される。そして、パルスモータ２２２がボールネジ２２０を回動させると、これに伴い可動板２２３がガイドレール２２１にガイドされてＹ軸方向に移動し、可動板２２３上に配設された保持テーブル３０が可動板２２３の移動に伴いＹ軸方向に移動する。

レーザ加工装置２は、保持テーブル３０のＹ軸方向における位置を検出するＹ軸方向位置測定手段２４を備えている。Ｙ軸方向位置測定手段２４は、ガイドレール２２１に沿ってＹ軸方向に延在するスケール２４０と、可動板２２３に固定されスケール２４０に沿って可動板２２３と共に移動しスケール２４０の目盛りを読み取る読み取り部２４１とを備えている。読み取り部２４１は、例えば、スケール２４０に形成された目盛りの反射光を読み取る光学式のものであり、スケール２４０の目盛りを検出して制御手段９にパルス信号を出力する。

制御手段９は、Ｙ軸方向位置測定手段２４から送出されたパルス信号をカウントすることにより、保持テーブル３０のＹ軸方向における位置を検出する。
本実施形態においては、Ｙ軸方向移動手段２２のモータ２２２は、制御手段９に備える図示しないパルス発振器から供給される駆動パルスによって動作するパルスモータである。よって、制御手段９は、Ｙ軸方向移動手段２２に供給する駆動パルス数をカウントすることにより、保持テーブル３０のＹ軸方向における位置を検出することも可能である。
例えば、Ｙ軸方向移動手段２２のモータ２２２をパルスモータではなくサーボモータとし、サーボモータにロータリエンコーダが接続された構成としてもよい。この場合には、このロータリエンコーダは、サーボアンプとしての機能も有する制御手段９に接続されており、制御手段９からサーボモータに対して動作信号が供給された後、エンコーダ信号（サーボモータの回転数）を制御手段９に対して出力する。制御手段９は、ロータリエンコーダから送出されたエンコーダ信号によって、保持テーブル３０のＹ軸方向における移動量を算出し、保持テーブル３０のＹ軸方向における位置を検出する。

基台２０の後方（＋Ｙ方向側）には、コラム２０Ａが立設されており、コラム２０Ａの＋Ｘ方向側の側面にはレーザビーム照射手段６が配設されている。レーザビーム照射手段６は、例えば、基台２０に対して水平に配置された直方体状のハウジング６０を備えており、ハウジング６０内にはレーザビーム発振器６１が配設されている。レーザビーム発振器６１は、例えばＹＡＧレーザ或いはＹＶＯ４レーザ等であり、所定波長のレーザビームを発振することができる。また、レーザビーム照射手段６は、レーザビーム発振器６１から発振されたレーザビームの出力を調整する出力調整部６９を備えている。

ハウジング６０の先端部には、内部に集光レンズ６２ａを備える集光器６２が配設されている。レーザビーム照射手段６は、レーザビーム発振器６１から−Ｙ軸方向に向かって発振され出力調整部６９によって出力が調整されたレーザビームを、ハウジング６０及び集光器６２の内部に備えた図示しないミラーで反射させ、集光レンズ６２ａに入光させることで、レーザビームを保持テーブル３０で保持された被加工物Ｗの接着フィルムＴ２の所定の高さ位置に正確に集光して照射できる。なお、集光器６２によって集光されるレーザビームの集光点位置は、図示しない集光点位置調整手段によって保持テーブル３０の保持面３００ａに対して垂直な方向（Ｚ軸方向）に調整可能である。レーザビーム発振器６１から集光器６２へのレーザビームの伝送は、光ファイバーを介してなされてもよい。

集光器６２の近傍には、被加工物Ｗに光を照射する光照射部と、被加工物Ｗからの反射光を捕らえる光学系および反射光に対応した電気信号を出力する撮像素子（ＣＣＤ）等で構成されたカメラとを備えた撮像手段２５が配設されている。撮像手段２５は、撮像した撮像画像の信号を制御手段９に送信することができる。

ＣＰＵ及びメモリ等の記憶素子等からなる制御手段９は、図示しない配線によって、加工送り手段２１、Ｘ軸方向位置測定手段２３、Ｙ軸方向移動手段２２、Ｙ軸方向位置測定手段２４、レーザビーム照射手段６、及び撮像手段２５等に接続されている。制御手段９の入力インターフェースには、Ｘ軸方向位置測定手段２３からのパルス信号、Ｙ軸方向位置測定手段２４からのパルス信号、及び撮像手段２５等からの撮像信号が入力される。そして、制御手段９の出力インターフェースからは、加工送り手段２１、Ｙ軸方向移動手段２２、及びレーザビーム照射手段６等に制御信号が出力される。

以下に、本発明に係るレーザ加工方法を実施する場合の、レーザ加工方法の各ステップについて説明していく。

（１）保持ステップ
図６に示すように、環状フレームＦによって支持された被加工物Ｗが、接着フィルムＴ２側を下方に向けた状態で保持テーブル３０の保持面３００ａ上に載置される。保持面３００ａに連通する図示しない吸引源により生み出された吸引力が保持面３００ａに伝達されることで、保持テーブル３０は、保持面３００ａ上で表面Ｗａを露出させた状態の被加工物Ｗを吸引保持する。また、各固定クランプ３３によって環状フレームＦが固定される。

（２）溝幅検出ステップ
次いで、図７に示すように、保持テーブル３０に保持された被加工物Ｗが−Ｘ方向（往方向）に送られるとともに、被加工物ＷのＸ軸方向に延びる一本の溝Ｍ１に凡そ沿ったレーザビーム照射予定ラインを撮像手段２５で撮像できるように、被加工物Ｗと撮像手段２５とが位置合わせされる。次に、レーザビーム照射予定ラインの伸びる方向（Ｘ軸方向）において被加工物Ｗと撮像手段２５とが相対的に移動することで、撮像手段２５により被加工物Ｗの表面Ｗａが所定のチップ間隔で撮像されていく。即ち、図８に示すように、レーザビーム照射予定ラインに沿って、被加工物Ｗの表面Ｗａが第一の間隔Ｌ１を空けて撮像されていく。第一の間隔Ｌ１は、本実施形態においては、Ｘ軸方向に並ぶ各チップＣを２個飛ばした３個おきの間隔であるが、これに限定されるものではない。そして、例えば、図８において二点鎖線で示す計４つの撮像領域Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４についての各々の撮像画像が撮像手段２５（図８においては不図示）により形成される。撮像領域Ｇ１〜Ｇ４は、レーザビーム照射予定ライン及びその周辺のチップＣを含む領域が収まった領域である。なお、図８においては、チップＣのデバイスＤを省略して示している。
図８において、チップＣのＹ軸方向における位置がずれているのは、先に複数のチップＣに分割された被加工物Ｗに接着フィルムＴ２を貼着した際に、チップＣのダイシフトが起きたことによる。

図５に示すように、制御手段９は、撮像手段２５により形成された撮像画像から被加工物Ｗの溝Ｍ１の幅と溝Ｍ１の幅の中心座標とを検出する溝幅検出部９０を備えている。
撮像手段２５は、形成した４つの撮像画像についてのデータを制御手段９の溝幅検出部９０に対して送出する。溝幅検出部９０は、送られてきた撮像画像に対して、例えば、撮像画像に写ったチップＣの外周を強調する鮮鋭化フィルタを用いたフィルタ処理を行う。図９に示すように、フィルタ処理後の撮像画像Ｇ１１、Ｇ２１、Ｇ３１、Ｇ４１は、例えば所定の解像度の仮想的な出力画面Ｂ（Ｘ軸Ｙ軸直交座標系）上に表示される。なお、図９に示す撮像画像Ｇ１１は図８に示す撮像領域Ｇ１に、撮像画像Ｇ２１は撮像領域Ｇ２に、撮像画像Ｇ３１は撮像領域Ｇ３に、撮像画像Ｇ４１は撮像領域Ｇ４に対応するものである。

溝幅検出部９０は、図９に示す撮像画像Ｇ１１から、Ｘ軸方向に垂直なＹ軸方向において隣接する２個のチップＣの各外周Ｃｄ１を検出する。この各外周Ｃｄ１は、例えば、Ｙ軸方向における座標値としてそれぞれ認識される。溝幅検出部９０は、２個のチップＣの外周Ｃｄ１間の画素のＹ軸方向の総和を算出し、この総和を撮像画像Ｇ１１中の溝Ｍ１の溝幅Ｂ１として検出する。
また、チップＣの外周Ｃｄ１は、溝Ｍ１とチップＣとのＹ軸方向における境界に相当するので、溝幅検出部９０は、２個のチップＣの外周Ｃｄ１間のＹ軸方向の中間位置を溝Ｍ１の幅Ｂ１のＹ軸方向における中心座標ｙ１として検出する。なお、溝Ｍ１の幅Ｂ１の中心座標ｙ１は、例えば、撮像画像Ｇ１１中のＸ軸方向の中央の位置で検出される。

同様に、溝幅検出部９０は、図９に示す撮像画像Ｇ２１〜Ｇ４１からも、それぞれの撮像画像中の溝Ｍ１の溝幅Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、及び溝Ｍ１の幅Ｂ２〜Ｂ４の中心座標ｙ２、中心座標ｙ３、中心座標ｙ４を検出する。

（３）レーザビーム照射ライン算出ステップ
図５に示すように、制御手段９は、溝幅検出部９０が検出した溝幅Ｂ１〜Ｂ４、及び溝幅Ｂ１〜Ｂ４の各中心座標ｙ１〜ｙ４をもとにレーザビームの照射ラインを算出するレーザビーム照射ライン算出部９１を備えている。
溝幅検出部９０は、検出した溝幅Ｂ１〜Ｂ４及び溝幅Ｂ１〜Ｂ４の中心座標ｙ１〜ｙ４についてのデータをレーザビーム照射ライン算出部９１に転送する。レーザビーム照射ライン算出部９１は、図９に示す撮像画像Ｇ１１における溝幅Ｂ１の中心座標ｙ１と撮像画像Ｇ１１に隣接する撮像画像Ｇ２１における溝幅Ｂ２の中心座標ｙ２とを比較して、撮像画像Ｇ１１〜撮像画像Ｇ２１間の溝Ｍ１のずれ量（シフト量）Ｎ１を算出する。ずれ量Ｎ１は、溝幅Ｂ１の中心座標ｙ１と溝幅Ｂ２の中心座標ｙ２との座標値の差（Ｙ軸方向における離間距離）で表現される。
同様に、レーザビーム照射ライン算出部９１が、撮像画像Ｇ２１における溝幅Ｂ２の中心座標ｙ２と撮像画像Ｇ２１に隣接する撮像画像Ｇ３１における溝幅Ｂ３の中心座標ｙ３とを比較して、撮像画像Ｇ２１〜撮像画像Ｇ３１間の溝Ｍ１のずれ量Ｎ２を算出し、撮像画像Ｇ３１における溝幅Ｂ３の中心座標ｙ３と撮像画像Ｇ３１に隣接する撮像画像Ｇ４１における溝幅Ｂ４の中心座標ｙ４とを比較して、撮像画像Ｇ３１〜撮像画像Ｇ４１間の溝Ｍ１のずれ量Ｎ３を算出する。

例えば、レーザビーム照射ライン算出部９１には、ずれ量についての許容値が予め記憶されている。レーザビーム照射ライン算出部９１は、算出したずれ量Ｎ１〜Ｎ３が許容値範囲内にあるか否かを判定し、ずれ量Ｎ１〜Ｎ３が許容値範囲内であれば、各撮像画像Ｇ１１〜Ｇ４１における溝幅Ｂ１〜Ｂ４の隣接する中心座標ｙ１〜ｙ４を結んだ線をレーザビーム照射ラインとして決定する。

その一方で、算出したずれ量に許容値範囲外のものがあれば、レーザビーム照射ライン算出部９１はエラー判定を行い、レーザビーム照射ラインを決定しない。本実施形態においては、例えば、図９に示すずれ量Ｎ２が許容値より大きくなっている。もしも、ずれ量Ｎ２のように許容値より大きくなっているずれ量があるにもかかわらず、溝幅Ｂ１〜Ｂ４の隣接する中心座標ｙ１〜ｙ４を結んだ線（図８におけるレーザビーム照射予定ライン）
所定のチップ間隔で撮像されていく。即ち、図８に示すように、レーザビーム照射予定ラインに沿って、被加工物Ｗの表面Ｗａが第一の間隔Ｌ１を空けて撮像されていく。第一の間隔Ｌ１は、本実施形態においては、Ｘ軸方向に並ぶ各チップＣを２個飛ばした３個おきの間隔をレーザビーム照射ラインとして決定してしまうと、図８に示すように、撮像領域Ｇ２と撮像領域Ｇ３との間のチップＣ（図８における−Ｘ方向側から６番目のチップ）にレーザビーム照射ラインが重なってしまい、レーザ加工ステップを実施した際に、チップＣにレーザビームが照射されることでデバイスが損傷してしまうおそれがある。

そこで、許容値を超えるずれ量Ｎ２を算出したレーザビーム照射ライン算出部９１は、先に実施した溝幅検出ステップとは条件を一部変えて、即ち、撮像するチップ間隔をより狭めて、レーザ加工装置２に溝幅検出ステップ（以下、再度の溝幅検出ステップとする。）を再び実施させる。
なお、レーザビーム照射ライン算出部９１は、再度の溝幅検出ステップを実施後に、レーザビーム照射ラインを最終的に算出するためのデータとして撮像画像Ｇ１１〜Ｇ４１、溝幅Ｂ１〜Ｂ４の各値、及び溝幅Ｂ１〜Ｂ４の各中心座標ｙ１〜ｙ４を記憶する。

（４）再度の溝幅検出ステップ
本実施形態において、図９に示す撮像画像Ｇ１１及び撮像画像Ｇ２１に基づいて算出されるずれ量Ｎ１、並びに撮像画像Ｇ３１及び撮像画像Ｇ４１に基づいて算出されるずれ量Ｎ３は許容値を超えておらず、そのため、図８に示す撮像領域Ｇ１と撮像領域Ｇ２との間の領域及び撮像領域Ｇ３と撮像領域Ｇ４との間の領域は、再度の溝幅検出ステップにおける撮像領域としなくてもよい。
その一方で、図９に示す撮像画像Ｇ２１及び撮像画像Ｇ３１に基づいて検出されるずれ量Ｎ２は許容値を超えているので、図８に示す撮像領域Ｇ２と撮像領域Ｇ３との間の領域は、再度の溝幅検出ステップにおける撮像領域になる。

図１０に示すようにレーザビーム照射予定ラインの伸びる方向に沿って被加工物Ｗと撮像手段２５（図１０においては不図示）とを相対移動させながら、撮像手段２５により被加工物Ｗの表面Ｗａが所定のチップ間隔で撮像されていく。即ち、レーザビーム照射予定ラインに沿って、被加工物Ｗの表面Ｗａが図８に示す第一の間隔Ｌ１よりも短い第二の間隔Ｌ２を空けて撮像されていく。第二の間隔Ｌ２は、本実施形態においては、Ｘ軸方向に並ぶ各チップＣ１つずつの間隔であるが、これに限定されるものではなく、少なくとも、第一の間隔Ｌ１より短くなっていればよい。そして、例えば、図１０において二点鎖線で示す計４つの撮像領域Ｇ２、撮像領域Ｇ２ａ、撮像領域Ｇ２ｂ、及び撮像領域Ｇ３についての各々の撮像画像が撮像手段２５により形成される。撮像領域Ｇ２、撮像領域Ｇ２ａ、撮像領域Ｇ２ｂ、及び撮像領域Ｇ３は、レーザビーム照射予定ライン及びその周辺のチップＣを含む領域が収まった領域である。
なお、例えば、許容値を超えるずれ量Ｎ２が検出されたライン全体を、第二の間隔Ｌ２で撮像し直すようにしても良い。この場合においては、図１０においてチップＣの個数分の１０箇所の撮像領域で各撮像画像が形成されることになる。

撮像手段２５は、形成した４つの撮像画像についてのデータを制御手段９の溝幅検出部９０に対して送出する。溝幅検出部９０は、図１１に示すように、写り込んだチップＣの外周を強調するフィルタ処理を行った後の撮像画像Ｇ２１、撮像画像Ｇ２２、撮像画像Ｇ２３、及び撮像画像Ｇ３１を、所定の解像度の仮想的な出力画面Ｂ上に表示する。なお、図１１に示す撮像画像Ｇ２１は図１０に示す撮像領域Ｇ２に、撮像画像Ｇ２２は撮像領域Ｇ２ａに、撮像画像Ｇ２３は撮像領域Ｇ２ｂに、撮像画像Ｇ３１は撮像領域Ｇ３に対応するものである。なお、図１１に示す各撮像画像及び溝幅等は、説明上、図９に示す撮像画像及び溝幅等に比べて拡大して示している。

溝幅検出部９０は、先に実施した溝幅検出ステップと同様に、図１１に示す撮像画像Ｇ２１、撮像画像Ｇ２２、撮像画像Ｇ２３、及び撮像画像Ｇ３１から、それぞれの撮像画像中の溝Ｍ１の溝幅Ｂ２、溝幅Ｂ２２、溝幅Ｂ２３、及び溝幅Ｂ３を算出し、また、溝Ｍ１の溝幅Ｂ２、溝幅Ｂ２２、溝幅Ｂ２３、及び溝幅Ｂ３の各中心座標ｙ２、中心座標ｙ２２、中心座標ｙ２３、及び中心座標ｙ３を算出する。

（５）再度の溝幅検出ステップ後のレーザビーム照射ライン算出ステップ
次いで、レーザビーム照射ライン算出部９１は、撮像画像Ｇ２１における溝幅Ｂ２の中心座標ｙ２と撮像画像Ｇ２１に隣接する撮像画像Ｇ２２における溝幅Ｂ２２の中心座標ｙ２２とを比較して、撮像画像Ｇ２１〜撮像画像Ｇ２２間の溝Ｍ１のずれ量Ｎ２１を算出する。ずれ量Ｎ２１は、溝幅Ｂ２の中心座標ｙ２と溝幅Ｂ２２の中心座標ｙ２２との座標値の差（Ｙ軸方向における離間距離）で表現される。同様に、レーザビーム照射ライン算出部９１は、図１１に示すずれ量Ｎ２２及びずれ量Ｎ２３を算出する。

レーザビーム照射ライン算出部９１は、算出したレーザビーム照射予定ラインのずれ量Ｎ２１〜Ｎ２３が許容値範囲内にあるか否かを判定する。本実施形態においては、ずれ量Ｎ２１〜Ｎ２３は許容値内となるため、レーザビーム照射ライン算出部９１が、レーザビーム照射ラインを決定する。即ち、図１２に示すように、隣接する各撮像画像における各溝幅の中心座標を結んだ線をレーザビーム照射ラインとして決定する。図１２に示す撮像領域Ｇ１と撮像領域Ｇ２との間の領域は、図９に示す撮像画像Ｇ１１における中心座標ｙ１と撮像画像Ｇ２１における中心座標ｙ２とを結んだ線がレーザビーム照射ラインとなり、図１２に示す撮像領域Ｇ２〜撮像領域Ｇ３の間の領域は、図１１に示す各撮像画像Ｇ２１〜撮像画像Ｇ３１の隣接する各中心座標ｙ２、中心座標ｙ２２、中心座標２３、及び中心座標ｙ３を結んだ線がレーザビーム照射ラインとなり、図１２に示す撮像領域Ｇ３と撮像領域Ｇ４との間の領域は、図９に示す撮像画像Ｇ３１における中心座標ｙ３と撮像画像Ｇ４１における中心座標ｙ４とを結んだ線がレーザビーム照射ラインとなる。結果、図１２に示すように、いずれのチップＣとも重ならないレーザビーム照射ラインＫが決定される。
なお、ずれ量Ｎ２１〜Ｎ２３のうち許容値外のものがあった場合には、レーザビーム照射ライン算出部９１は、例えば、本被加工物Ｗはレーザ加工に適さない被加工物であるとのエラーを出すようにしてもよい。または、第二の間隔Ｌ２の間隔よりも短い第三の間隔を設定し、第三の間隔で再再度の溝幅検出ステップを実施するものとしてもよい。

（６）レベル決定ステップ
例えば、図５に示すように、制御手段９は、算出されたレーザビーム照射ラインＫの溝Ｍ１の幅方向（Ｙ軸方向）の各ずれ量に応じて各ずれレベルを決定するレベル決定部９２を備えている。
レベル決定部９２は、例えば、図１３に示すずれレベルとそれに対応する加工条件とを示すデータ表９２Ａを備えている。レベル決定部９２による各ずれレベルの決定は、図１２に示すレーザビーム照射ラインＫの溝Ｍ１の幅方向（Ｙ軸方向）の各ずれ量、即ち、レーザビーム照射ラインＫのＹ軸方向における変位（曲がり具合）に応じて決定され、例えば、レーザビーム照射ライン１本毎にレベルが認定される。データ表９２Ａに示すずれレベルは、例えば、レベル１（ずれレベルが極小）、レベル２（ずれレベルが小）、レベル３（ずれレベルが中程度）、レベル４（ずれレベルが大）の４段階となっているが、これに限定されるものではなく、さらに多くの段階に区分けされていてもよい。ずれレベル４は、被加工物ＷのＹ軸方向における移動によるレーザビーム照射ラインに対するレーザビームの追従性を適切に保てる限度となるレベルである。
本実施形態における図１２に示すレーザビーム照射ラインＫのずれレベルは、例えば、ずれレベル３となる。

図１３のデータ表９２Ａに示す加工条件（被加工物Ｗの加工送り速度及びレーザビームの出力）は、実験用の複数の被加工物を用いて、予めレーザ加工装置２を稼働させて被加工物に貼着された接着フィルムＴ２を分断する実験を行った際の好適な加工結果を得ることができた場合の数値の一例であり、各ずれレベル毎の固有の数値である。なお、レーザビームの各ずれレベルにおける各出力（Ｗ）は、接着フィルムＴ２をアブレーションさせることができる出力である。
ずれレベルが大きくなるほど加工送り速度が小さく設定される理由は、被加工物Ｗの割り出し送り方向（Ｙ軸方向）における移動によるレーザビーム照射ラインに対するレーザビームの追従性が適切に担保されるようにするためである。また、ずれレベルが大きくなるほどレーザビームの出力が小さく設定される理由は、加工送り速度の低下に伴って接着フィルムＴ２上のレーザビーム照射位置の移動も遅くなるため、これに合わせて接着フィルムがレーザビームから吸収するエネルギーが低くなるようにして、各レーザビーム照射ライン毎に接着フィルムＴ２に均一的にエネルギーが吸収されるようにするためである。
また、図１３のデータ表９２Ａに示す加工痕の長さは、各ずれレベル毎の固有の数値が設定されている。本実施形態においては、レーザビーム照射ラインのずれレベルがレベル１である場合には、テープＴ３に形成される加工痕の長さは０ｍｍなり、すなわち、テープＴ３に加工痕は形成されない。そして、レーザビーム照射ラインのずれレベルが１ずつ上がっていくことに、テープＴ３に形成する加工痕の長さが１０ｍｍずつ長くなっている。なお、各ずれレベルにおける加工痕の長さは本数値に限定されるものではない。

（７）レーザ加工ステップ
次いで、図１２に示すレーザビーム照射ラインＫに沿って溝Ｍ１の底部の接着フィルムＴ２にレーザビームを照射して接着フィルムＴ２を分断するレーザ加工ステップを実施する。また、レーザ加工ステップでは、レベル決定ステップで決定したずれレベルにそれぞれ対応した図１３に示すデータ表９２Ａの加工条件でレーザ加工を実施する。

図１４に示すように、被加工物Ｗを保持する保持テーブル３０が−Ｘ方向（往方向）に送られると共に、保持テーブル３０がＹ軸方向に割り出し送りされ、レーザビーム照射手段６の集光器６２が図１２に示すレーザビーム照射ラインＫの上方を通過していくように位置付けられる。また、集光レンズ６２ａにより集光されるレーザビームの集光点位置が、溝Ｍ１の底に露出する接着フィルムＴ２の粘着面（上面）の高さ位置に位置付けられる。

レーザビーム照射ラインＫのずれレベルはレベル３であるため、例えば、図１３に示すデータ表９２Ａを用いた制御手段９による保持テーブル３０のＸ軸方向における位置制御の下で、レーザビームのＸ軸方向における照射開始位置が、接着フィルムＴ２の−Ｘ方向側の外周縁から２０ｍｍだけ−Ｘ方向に離れたテープＴ３上となる。よって、レーザビーム照射手段６から所定波長のレーザビームがまずテープＴ３に照射されつつ、保持テーブル３０がさらに−Ｘ方向に加工送りされることで、図１５に示すずれレベル３に対応する長さ（２０ｍｍ）の加工痕がテープＴ３上に形成される。

図１４に示すように、−Ｘ方向へ保持テーブル３０が加工送りされることによって、テープＴ３上から接着フィルムＴ２上へレーザビーム照射ラインＫに沿ってレーザビームの照射位置が移る。そして、レーザビーム発振器６１から所定波長のレーザビームが発振され、レーザビームが保持テーブル３０で保持された被加工物Ｗの接着フィルムＴ２に集光され照射される。このレーザビームは、所定の繰り返し周波数でパルス発振され、レーザビームの集光点において接着フィルムＴ２をアブレーションするため、接着フィルムＴ２が分断されていく。レーザビーム照射ラインＫのずれレベルは、ずれレベル３であるため、図１３に示すデータ表９２Ａを用いた制御手段９による制御の下で、保持テーブル３０の加工送り速度は５０ｍｍ／秒となり、レーザビーム発振器６１から発振されたレーザビームの出力は、出力調整部６９によって０．５Ｗに調整される。

レーザビームは、集光器６２からレーザビーム照射ラインＫに沿って照射される。即ち、本実施形態においては、保持テーブル３０が、加工送り速度５０ｍｍ／秒で−Ｘ方向に加工送りされつつ、制御手段９による制御の下でＹ軸方向に適宜移動することで、レーザビーム照射ラインＫに沿ってレーザビームが追従するようにして溝Ｍ１の底部の接着フィルムＴ２に照射される。

図１２に示す一本のレーザビーム照射ラインＫにレーザビームを照射し終えるＸ軸方向の所定の位置まで被加工物Ｗが−Ｘ方向に進行することで、一本のレーザビーム照射ラインＫに対応する位置の溝Ｍ１底部の接着フィルムＴ２が分断される。
レーザビーム照射ラインＫのずれレベルはレベル３であるため、図１３に示すデータ表９２Ａを用いた制御手段９による保持テーブル３０のＸ軸方向における位置制御の下で、さらに、−Ｘ方向へ保持テーブル３０が加工送りされることによって、接着フィルムＴ２上からテープＴ３上へレーザビームの照射位置が移る。そして、被加工物Ｗの外周縁を越えて溝Ｍ１に沿って、換言すれば、レーザビーム照射ラインＫに沿ってテープＴ３にレーザビームが照射されて、ずれレベル３に対応する長さ（２０ｍｍ）の加工痕が接着フィルムＴ２の＋Ｘ方向側の外周縁からテープＴ３上に＋Ｘ方向に向かって形成される。なお、図１５においては、レーザビームによる接着フィルムＴ２の分断ラインを便宜上直線で表している。
なお、本実施形態においては、図１５に示すように、被加工物Ｗの外周縁を越えた−Ｘ方向側及び＋Ｘ方向側のテープＴ３に加工痕が形成されているが、例えば、＋Ｘ方向側のテープＴ３のみに加工痕が形成されるものとしてもよい。

次いで、レーザビームの照射を停止するとともに被加工物Ｗの−Ｘ方向（往方向）での加工送りを一度停止させる。次いで、図１４に示す保持テーブル３０をＹ軸方向に割り出し送りし、往方向においてレーザビーム照射がなされた溝Ｍ１の隣に位置する溝Ｍ１と撮像手段２５と位置合わせを行う。この後、先と同様に溝幅検出ステップからレーザビーム照射ライン算出ステップを実施して２本目のレーザビーム照射ラインを算出する。

さらに、レベル決定ステップを実施して、算出した２本目のレーザビーム照射ラインのずれレベルを認定する。例えば、２本目のレーザビーム照射ラインは、ずれレベル４となる。次いで、レーザ加工ステップを実施して、図１３に示すデータ表９２Ａに示すずれレベル４の加工条件、即ち、加工送り速度２０ｍｍ／秒、レーザビーム出力０．０５Ｗで、２本目のレーザビーム照射ラインに沿って接着フィルムＴ２にレーザ加工を実施していく。また、被加工物Ｗの外周縁を越えて溝Ｍ１に沿ってテープＴ３にレーザビームを照射して、図１５に示すレベル４に対応する長さ（３０ｍｍ）の加工痕をテープＴ３上に形成する。
順次同様に上記各ステップを実施することで、Ｘ軸方向に延びる全ての各溝Ｍ１ににそれぞれ対応するレーザビーム照射ラインに沿って、溝Ｍ１の底部の接着フィルムＴ２にレーザビームを照射して接着フィルムを分断する

さらに、保持テーブル３０を９０度回転させてから同様のレーザビームの照射を溝Ｍ１の底部の接着フィルムＴ２に対して行うと、図１５に示すように、縦横全ての溝Ｍ１に沿って溝Ｍ１の底部の接着フィルムＴ２が分断される。

本発明に係るレーザ加工方法は、レーザビーム照射ライン算出ステップで算出されたレーザビーム照射ラインの溝Ｍ１の幅方向のずれ量に応じてずれレベルを決定するレベル決定ステップを備え、レーザ加工ステップでは、レベル決定ステップで決定したずれレベルにそれぞれ対応した加工条件でレーザ加工を実施するものとすることで、算出したずれ量に応じて、例えば一本のレーザビーム照射ライン毎にずれレベルを設定し、設定したずれレベルに対応する加工条件でこの一本のレーザビーム照射ラインに沿って接着フィルムＴ２に対してレーザ加工を施す。そのため、チップＣを損傷することなく効率よく接着フィルムを分断できる。

レーザ加工ステップでは、レベル決定ステップで決定したレーザビーム照射ラインのずれレベルにそれぞれ対応した加工送り速度でレーザ加工を実施するものとすることで、被加工物Ｗの割り出し送り方向（Ｙ軸方向）における移動によるレーザビーム照射ラインに対するレーザビームの追従性を向上させて、チップＣをより損傷することなく効率よく接着フィルムＴ２を分断できる。具体的には、例えば、ずれレベルが高いレーザビーム照射ラインに対しては、保持テーブル３０の加工送り速度を低く設定することで、レーザビーム照射ラインに対するレーザビームの追従性を高めて、レーザビーム照射ラインを外れてレーザビームがチップＣに照射されてしまうおそれを低減することができる。

レーザ加工ステップでは、被加工物Ｗの外周縁を越えて溝Ｍ１に沿ってテープＴ３にレーザビームを照射して、レーザビーム照射ラインのずれレベルに対応する長さの加工痕を形成することで、オペレータにとって視認しやすいテープＴ３上の加工痕の長さを基準として、各レーザビーム照射ラインのずれレベルをレーザ加工ステップ後にオペレータが容易に把握することが可能となる。レーザビーム照射ラインのずれレベルを容易に把握できることで、オペレータによるライン毎のずれレベルに応じた適切な検査の選択やその実行が容易となる。

なお、本発明に係るレーザ加工方法は上記実施形態に限定されるものではなく、また、添付図面に図示されているレーザ加工装置２等の構成についても、これに限定されず、本発明の効果を発揮できる範囲内で適宜変更可能である。

本発明に係るレーザ加工方法は、本実施形態のように、溝Ｍ１の１ライン毎に、溝幅検出ステップ、レーザビーム照射ライン算出ステップ、レベル決定ステップ、レーザ加工ステップを繰り返して実施するものとすると好ましい。これは、レーザ加工ステップ等を実施中に、被加工物Ｗやレーザ加工装置２の各構成等が加工熱によって熱膨張し寸法が僅かに変化する場合があるが、溝Ｍ１の１ライン毎に各ステップを繰り返して実施するものとすることで、熱膨張による寸法の変化を補正して正確な加工を実施していくことが可能となるためである。ただし、本発明に係るレーザ加工方法は、レーザ加工ステップを実施する前に、溝Ｍ１の全ラインについて溝幅検出ステップ、レーザビーム照射ライン算出ステップ、レベル決定ステップを予め実施するものとし、その後、レーザ加工ステップを一気に実施するものとしてもよい。

Ｗ：被加工物 Ｗａ：被加工物の表面 Ｗｂ：被加工物の裏面 Ｄ：デバイス： Ｓ：ストリート Ｍ：ハーフカット溝 Ｔ１：保護部材 Ｃ：チップ
１１：切削手段 １１０：切削ブレード １１１：スピンドル
７：研削装置 ７０：保持テーブル ７００：保持面
７１：研削手段 ７１０：回転軸 ７１３：マウント ７１４：研削ホイール ７１４ａ：研削砥石 ７１４ｂ：ホイール基台
Ｔ２：接着フィルム Ｍ１：溝 Ｔ３：テープ Ｆ：環状フレーム
２：レーザ加工装置 ２０：基台 ２０Ａ：コラム
３０：保持テーブル ３００：吸着部 ３００ａ：保持面 ３０１：枠体 ３１：カバー ３２：回転手段 ３３：固定クランプ
２１：加工送り手段
２１０：ボールネジ ２１１：ガイドレール ２１２：パルスモータ ２１３：可動板
２２：Ｙ軸方向移動手段 ２２０：ボールネジ ２２１：ガイドレール ２２２：パルスモータ ２２３：可動板
２３：Ｘ軸方向位置測定手段 ２３０：スケール ２３１：読み取り部
２４：Ｙ軸方向位置測定手段 ２４０：スケール ２４１：読み取り部
６：レーザビーム照射手段 ６０：ハウジング ６１：レーザビーム発振器 ６９：出力調整部 ６２：集光器 ６２ａ：集光レンズ ２５：撮像手段
９：制御手段 ９０：溝幅検出部 ９１：レーザビーム照射ライン算出部 ９２：レベル決定部 ９２Ａ：データ表

Claims (3)

1. 表面の交差する複数のストリートに沿って個々のチップへと分割され、裏面に接着フィルムが貼着されることで該ストリートに対応した溝が形成された被加工物に対して該溝の底部となる該接着フィルムにレーザビームを照射するレーザ加工方法であって、
   保持テーブルで被加工物の該接着フィルム側を保持する保持ステップと、
   該保持ステップで保持した被加工物の該溝において所定のチップ間隔で該溝幅と該溝幅の中心座標とを検出する溝幅検出ステップと、
   該溝幅検出ステップで検出した該溝幅と該溝幅の中心座標とをもとに該レーザビームの照射ラインを算出するレーザビーム照射ライン算出ステップと、
   該レーザビーム照射ライン算出ステップで算出した該レーザビーム照射ラインに沿って該溝の底部の該接着フィルムに該レーザビームを照射して該接着フィルムを分断するレーザ加工ステップと、を備え、
   該レーザビーム照射ライン算出ステップで算出された該レーザビーム照射ラインの該溝の幅方向のずれ量に応じてずれレベルを決定するレベル決定ステップを更に備え、
   該レーザ加工ステップでは、該レベル決定ステップで決定した該ずれレベルにそれぞれ対応した加工条件でレーザ加工を実施する、レーザ加工方法。
2. 前記レーザ加工ステップでは、前記レベル決定ステップで決定した前記ずれレベルにそれぞれ対応した加工送り速度でレーザ加工を実施する、請求項１に記載のレーザ加工方法。
3. 被加工物の裏面の前記接着フィルムの下面にはテープが貼着されており、
   前記レーザ加工ステップでは、被加工物の外周縁を越えて前記溝に沿って該テープに前記レーザビームを照射して加工痕を形成し、該加工痕の長さは前記ずれレベルに対応する、請求項１又は２に記載のレーザ加工方法。