CN111370318B - 一种半导体消除内应力的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种半导体消除内应力的方法，所述方法包括以下步骤：(1)将半导体元件的一面固定在陶瓷板的内表面上，并在半导体元件的另一面覆盖保护膜；(2)对陶瓷板的外表面进行第一次热处理，使陶瓷板的外表面经过10～30分钟升温至130～160℃；然后，对陶瓷板的外表面进行第二次热处理，使陶瓷板的外表面经过5～10分钟升温至190～210℃；(3)对步骤(2)中的陶瓷板外表面进行降温，降温速度为3～7℃/min，至陶瓷板外表面的温度降至常温；(4)去除半导体元件表面覆盖的保护膜。本发明的方法在陶瓷板的背面进行热处理，正面的半导体的内应力得到了降低或者消除的效果，本发明的方法可以和制备半导体的工艺联用，在短时间内大批处理半导体元件，提高了生产效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制作领域，具体涉及一种半导体消除内应力的方法。
背景技术
在半导体领域中，随着科技的日新月异，半导体元器件的尺寸由大到小，从而对于其加工的精度要求也越来越高。在加工过程中，元器件经过切割、研磨的工艺，其中会产生各种形变。这种形变严重危害了元器件的精密程度。特别在胶水粘接到陶瓷板这个工序中，由于胶水的强度，造成了元器件的形变，从而使后面的曝光显影的图像位置发生偏移，从而造成了元器件形状的改变。通常，解决此类的办法是研磨。但在后续工序中，在粘接的状态下研磨已经无法进行，会给下一步的加工造成不便。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术存在的不足之处而提供一种半导体消除内应力的方法。
为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：一种半导体消除内应力的方法，所述方法包括以下步骤：
(1)将半导体元件的一面固定在陶瓷板的内表面上，并在半导体元件的另一面覆盖保护膜；
(2)对陶瓷板的外表面进行第一次热处理，使陶瓷板的外表面经过10～30分钟升温至130～160℃；然后，对陶瓷板的外表面进行第二次热处理，使陶瓷板的外表面经过5～10分钟升温至190～210℃；
(3)对步骤(2)中的陶瓷板外表面进行降温，降温速度为3～7℃/min，至陶瓷板外表面的温度降至常温；
(4)去除半导体元件表面覆盖的保护膜。
本发明的方法在陶瓷板的背面进行热处理，正面的半导体的内应力得到了降低或者消除的效果，本发明通过对热处理温度的控制，使得半导体的内应力的释放更均匀。
优选地，所述步骤(2)中，第一次热处理和第二次热处理均采用卤素灯照射陶瓷板的外表面。
优选地，所述步骤(2)中，第一次热处理使陶瓷板的外表面经过10～30分钟升温至150℃；第二次热处理使陶瓷板的外表面经过5～10分钟升温至200℃。
优选地，所述步骤(2)中，第一次热处理使陶瓷板的外表面经过15～20分钟升温至150℃；第二次热处理使陶瓷板的外表面经过6～8分钟升温至200℃。
优选地，所述步骤(3)中的降温速度为5℃/min。
本发明对热处理的温度变化的条件进行了选择，使得消除内应力的效果更好，且工艺流程时间更短，兼顾了时间效率和消除内应力的效果。
优选地，所述步骤(1)中半导体元件的一面通过粘接固定在陶瓷板上。
本发明的有益效果在于：本发明提供了一种半导体消除内应力的方法，本发明的方法在陶瓷板的背面进行热处理，正面的半导体的内应力得到了降低或者消除的效果，本发明的方法可以和制备半导体的工艺联用，可以在很短的时间大批处理半导体元件，提高了生产效率。
附图说明
图1为本发明半导体消除内应力的工艺流程示意图。
具体实施方式
为更好的说明本发明的目的、技术方案和优点，下面将结合具体实施例对本发明作进一步说明。
实施例1
作为本发明实施例的一种半导体消除内应力的方法，所述方法包括以下步骤：
(1)将半导体元件的一面固定在陶瓷板的内表面上，并在半导体元件的另一面覆盖保护膜；
(2)对陶瓷板的外表面进行第一次热处理，使陶瓷板的外表面经过20分钟升温至150℃；然后，对陶瓷板的外表面进行第二次热处理，使陶瓷板的外表面经过8分钟升温至200℃；
(3)对步骤(2)中的陶瓷板外表面进行降温，降温速度为3℃/min，至陶瓷板外表面的温度降至常温；
(4)去除半导体元件表面覆盖的保护膜。
实施例2
作为本发明实施例的一种半导体消除内应力的方法，本实施例与实施例1的区别为：步骤(3)中的降温速率为4℃/min。
实施例3
作为本发明实施例的一种半导体消除内应力的方法，本实施例与实施例1的区别为：步骤(3)中的降温速率为5℃/min。
实施例4
作为本发明实施例的一种半导体消除内应力的方法，本实施例与实施例1的区别为：步骤(3)中的降温速率为6℃/min。
实施例5
作为本发明实施例的一种半导体消除内应力的方法，本实施例与实施例1的区别为：步骤(3)中的降温速率为7℃/min。
实施例6
作为本发明实施例的一种半导体消除内应力的方法，所述方法包括以下步骤：
(1)将半导体元件的一面固定在陶瓷板的内表面上，并在半导体元件的另一面覆盖保护膜；
(2)对陶瓷板的外表面进行第一次热处理，使陶瓷板的外表面经过10分钟升温至150℃；然后，对陶瓷板的外表面进行第二次热处理，使陶瓷板的外表面经过5分钟升温至200℃；
(3)对步骤(2)中的陶瓷板外表面进行降温，降温速度为5℃/min，至陶瓷板外表面的温度降至常温；
(4)去除半导体元件表面覆盖的保护膜。
实施例7
作为本发明实施例的一种半导体消除内应力的方法，所述方法包括以下步骤：
(1)将半导体元件的一面固定在陶瓷板的内表面上，并在半导体元件的另一面覆盖保护膜；
(2)对陶瓷板的外表面进行第一次热处理，使陶瓷板的外表面经过15分钟升温至150℃；然后，对陶瓷板的外表面进行第二次热处理，使陶瓷板的外表面经过6分钟升温至200℃；
(3)对步骤(2)中的陶瓷板外表面进行降温，降温速度为5℃/min，至陶瓷板外表面的温度降至常温；
(4)去除半导体元件表面覆盖的保护膜。
实施例8
作为本发明实施例的一种半导体消除内应力的方法，所述方法包括以下步骤：
(1)将半导体元件的一面固定在陶瓷板的内表面上，并在半导体元件的另一面覆盖保护膜；
(2)对陶瓷板的外表面进行第一次热处理，使陶瓷板的外表面经过30分钟升温至150℃；然后，对陶瓷板的外表面进行第二次热处理，使陶瓷板的外表面经过10分钟升温至200℃；
(3)对步骤(2)中的陶瓷板外表面进行降温，降温速度为5℃/min，至陶瓷板外表面的温度降至常温；
(4)去除半导体元件表面覆盖的保护膜。
最后所应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。
Claims (5)
1.一种半导体消除内应力的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
(1)将半导体元件的一面固定在陶瓷板的内表面上，并在半导体元件的另一面覆盖保护膜；
(2)对陶瓷板的外表面进行第一次热处理，使陶瓷板的外表面经过10～30分钟升温至130～160℃；然后，对陶瓷板的外表面进行第二次热处理，使陶瓷板的外表面经过5～10分钟升温至190～210℃；
(3)对步骤(2)中的陶瓷板外表面进行降温，降温速度为3～7℃/min，至陶瓷板外表面的温度降至常温；
(4)去除半导体元件表面覆盖的保护膜，
其中，所述步骤(2)中，第一次热处理和第二次热处理均采用卤素灯照射陶瓷板的外表面。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(2)中，第一次热处理使陶瓷板的外表面经过10～30分钟升温至150℃；第二次热处理使陶瓷板的外表面经过5～10分钟升温至200℃。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤(2)中，第一次热处理使陶瓷板的外表面经过15～20分钟升温至150℃；第二次热处理使陶瓷板的外表面经过6～8分钟升温至200℃。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(3)中的降温速度为5℃/min。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(1)中半导体元件的一面通过粘接固定在陶瓷板上。
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Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0092041A2 (en) * | 1982-04-19 | 1983-10-26 | International Business Machines Corporation | Method for stress relieving in mounted circuit chips |
| JPH0963978A (ja) * | 1995-08-28 | 1997-03-07 | Sharp Corp | 化合物半導体基板の熱処理方法 |
| CA2250817A1 (en) * | 1996-04-08 | 1997-10-16 | Zakaryae Fathi | Curing liquid resin encapsulants of microelectronics components with microwave energy |
| CN102807190A (zh) * | 2012-09-07 | 2012-12-05 | 天津大学 | 一种纳米器件的内应力消除方法 |
| CN103456649A (zh) * | 2013-08-28 | 2013-12-18 | 南通富士通微电子股份有限公司 | 半导体封装方法 |
| CN108689724A (zh) * | 2017-04-11 | 2018-10-23 | 蓝思科技（长沙）有限公司 | 陶瓷板弯曲变形的矫正方法及陶瓷板 |
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0092041A2 (en) * | 1982-04-19 | 1983-10-26 | International Business Machines Corporation | Method for stress relieving in mounted circuit chips |
| JPH0963978A (ja) * | 1995-08-28 | 1997-03-07 | Sharp Corp | 化合物半導体基板の熱処理方法 |
| CA2250817A1 (en) * | 1996-04-08 | 1997-10-16 | Zakaryae Fathi | Curing liquid resin encapsulants of microelectronics components with microwave energy |
| CN102807190A (zh) * | 2012-09-07 | 2012-12-05 | 天津大学 | 一种纳米器件的内应力消除方法 |
| CN103456649A (zh) * | 2013-08-28 | 2013-12-18 | 南通富士通微电子股份有限公司 | 半导体封装方法 |
| CN108689724A (zh) * | 2017-04-11 | 2018-10-23 | 蓝思科技（长沙）有限公司 | 陶瓷板弯曲变形的矫正方法及陶瓷板 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 夏征农等.大辞海 信息科学卷.上海辞书出版社,2015,218. * |
| 孙志国等.半导体学报.2002,第23卷(第8期),第874-880页. * |
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|---|---|
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