CN107910273B - Ltcc基板烧结的方法 - Google Patents

Ltcc基板烧结的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107910273B
CN107910273B CN201711077020.9A CN201711077020A CN107910273B CN 107910273 B CN107910273 B CN 107910273B CN 201711077020 A CN201711077020 A CN 201711077020A CN 107910273 B CN107910273 B CN 107910273B
Authority
CN
China
Prior art keywords
preheating
sintering
ltcc substrate
assembly
flux
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201711077020.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107910273A (zh
Inventor
汪宁
费文军
陈兴盛
李金晶
孟庆贤
俞昌忠
方航
聂庆燕
汪伦源
张丽
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Anhui Huadong Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd
Original Assignee
Anhui Huadong Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Anhui Huadong Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd filed Critical Anhui Huadong Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd
Priority to CN201711077020.9A priority Critical patent/CN107910273B/zh
Publication of CN107910273A publication Critical patent/CN107910273A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107910273B publication Critical patent/CN107910273B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K31/00Processes relevant to this subclass, specially adapted for particular articles or purposes, but not covered by only one of the preceding main groups
    • B23K31/02Processes relevant to this subclass, specially adapted for particular articles or purposes, but not covered by only one of the preceding main groups relating to soldering or welding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • H01L21/603Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving the application of pressure, e.g. thermo-compression bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36Electric or electronic devices
    • B23K2101/40Semiconductor devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • H01L2021/60007Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

本发明公开了一种LTCC基板烧结的方法,所述方法包括:将焊片和LTCC基板放入工件的腔体内形成预装组件,之后对预装组件进行预热;其中,焊片的熔点为M,预热的条件包括:预热设为N个递增的温度梯度,分别为C1、C2…Cn,C1为45‑55℃,相邻的两个温度梯度的差值为45‑55℃,且Cn<M,n为正整数;对预装组件进行烧结,烧结的温度为205‑215℃。解决了在工艺操作过程中,LTCC基板烧结在腔体上时,LTCC基板会出现裂纹,影响产品质量以及可靠性的问题。

Description

LTCC基板烧结的方法
技术领域
本发明涉及LTCC基板加工方法,具体地,涉及一种LTCC基板烧结的方法。
背景技术
随着集成电路技术的发展,LTCC基板(低温共烧陶瓷基板)的出现使得产品模块向小型化、集成化趋势发展,LTCC基板应用在军事、航空航天、汽车、计算机和医疗等领域,有广泛的应用前景。在工艺操作过程中,LTCC基板烧结在腔体上时,LTCC基板会出现裂纹,影响产品质量以及可靠性。这是由于LTCC基板和腔体这两种材料热膨胀系数不同,高温加热,产生热引力,导致出现裂纹,并且烧结时受高温瞬间加热,加剧了裂纹的出现。
发明内容
本发明的目的是提供一种LTCC基板烧结的方法,解决了在工艺操作过程中,LTCC基板烧结在腔体上时,LTCC基板会出现裂纹,影响产品质量以及可靠性的问题。
为了实现上述目的,本发明提供了一种LTCC基板烧结的方法,所述方法包括:
(1)将焊片和LTCC基板放入工件的腔体内形成预装组件,之后对预装组件进行预热;其中,焊片的熔点为M,预热的条件包括:预热设为N个递增的温度梯度,分别为C1、C2…Cn,C1为45-55℃,相邻的两个温度梯度的差值为45-55℃,且Cn<M,n为正整数;
(2)对预装组件进行烧结,烧结的温度为205-215℃。
优选地,每个温度梯度对应的预热时间为T1、T2…Tn,且T1为4-6min;
当n为奇数时,在T1至T(n+1)/2区间内,预热时间依次递增,相邻的两个时间的差值为4-6min,在T(n+1)/2至Tn区间内,预热时间依次递减,相邻的两个时间的差值为4-6min;
当n为偶数时,在T1至Tn/2+1区间内,预热时间依次递增,相邻的两个时间的差值为4-6min,在Tn/2+1至Tn区间内,预热时间依次递减,相邻的两个时间的差值为4-6min。
优选地,步骤(1)还包括:在工件的腔体内涂覆助焊剂,之后将多个焊片放置在腔体内,在每个焊片表面涂覆助焊剂,将LTCC基板分别压紧在每个焊料片表面,形成预装组件。
优选地,助焊剂选自阿尔法助焊剂EF9301、阿尔法助焊剂EF8000和阿尔法助焊剂RF800PT中的一种或多种。
优选地,烧结在保护气体环境中进行。
优选地,保护气体选自氮气和/或氦气。
优选地,焊片的表面积大于LTCC基板的表面积。
根据上述技术方案,本发明提供了一种LTCC基板烧结的方法,所述方法包括:将焊片和LTCC基板放入工件的腔体内形成预装组件,之后对预装组件进行预热;其中,焊片的熔点为M,预热的条件包括:预热设为N个递增的温度梯度,分别为C1、C2…Cn,C1为45-55℃,相邻的两个温度梯度的差值为45-55℃,且Cn<M,n为正整数;对预装组件进行烧结,烧结的温度为205-215℃。通过设置合理的温度梯度,将待烧结的LTCC基板逐步放在温度由低到高烘箱中进行预热一定时间,给LTCC基板提供一个承受高温的缓冲时间,这样使得LTCC基板逐渐适应由低到高的温度环境,不至于LTCC基板烧结时瞬间升温,而加剧了LTCC基板的开裂。本发明有效地减少LTCC基板烧结时出现裂纹,提高产品的可靠性,保证产品的质量。
本发明的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
具体实施方式
以下对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明,并不用于限制本发明。
本发明提供了一种LTCC基板烧结的方法,所述方法包括:(1)将焊片和LTCC基板放入工件的腔体内形成预装组件,之后对预装组件进行预热;其中,焊片的熔点为M,预热的条件包括:预热设为N个递增的温度梯度,分别为C1、C2…Cn,C1为45-55℃,相邻的两个温度梯度的差值为45-55℃,且Cn<M,n为正整数;(2)对预装组件进行烧结,烧结的温度为205-215℃。例如,焊片选用183℃焊料片(Sn63Pb37),该焊料片的熔点为M=183℃,由于Cn<M,此时,预热设为3个递增的温度梯度,当C1为50℃时,C2为100℃,C3为150℃,当然也可以在本发明的范围内设置其他温度梯度,例如,当C1为50℃时,C2为105℃,C3为160℃;当C1为50℃时,C2为95℃,C3为150℃;当C1为55℃时,C2为100℃,C3为145℃。或者,当焊片选用215℃焊料片(Sn95In5),该焊料片的熔点为M=215℃,由于Cn<M,此时,预热设为4个递增的温度梯度,当C1为50℃时,C2为100℃,C3为150℃,C4为200℃,当然也可以在本发明的范围内设置其他温度梯度。
在本发明的一种优选的实施方式中,为了进一步减少烧结产生的裂纹,每个温度梯度对应的预热时间为T1、T2…Tn,且T1为4-6min;当n为奇数时,在T1至T(n+1)/2区间内,预热时间依次递增,相邻的两个时间的差值为4-6min,在T(n+1)/2至Tn区间内,预热时间依次递减,相邻的两个时间的差值为4-6min;当n为偶数时,在T1至Tn/2+1区间内,预热时间依次递增,相邻的两个时间的差值为4-6min,在Tn/2+1至Tn区间内,预热时间依次递减,相邻的两个时间的差值为4-6min。例如,焊片选用183℃焊料片(Sn63Pb37),该焊料片的熔点为M=183℃,由于Cn<M,此时,预热设为3个递增的温度梯度,当C1为50℃时,C2为100℃,C3为150℃,每个温度梯度对应的预热时间为T1、T2、T3,且T1为5min,T2为10min,T3为5min。或者,当焊片选用215℃焊料片(Sn95In5),该焊料片的熔点为M=215℃,由于Cn<M,此时,预热设为4个递增的温度梯度,当C1为50℃时,C2为100℃,C3为150℃,C4为200℃,每个温度梯度对应的预热时间为T1、T2、T3、T4,T1为5min,T2为10min,T3为10min、T4为5min。
在本发明的一种优选的实施方式中,为了进一步减少烧结产生的裂纹,步骤(1)还包括:在工件的腔体内涂覆助焊剂,之后将多个焊片放置在腔体内,在每个焊片表面涂覆助焊剂,将LTCC基板分别压紧在每个焊料片表面,形成预装组件。
在本发明的一种优选的实施方式中,为了进一步减少烧结产生的裂纹,助焊剂选自阿尔法助焊剂EF9301、阿尔法助焊剂EF8000和阿尔法助焊剂RF800PT中的一种或多种。
在本发明的一种优选的实施方式中,为了进一步减少烧结产生的裂纹,防止在烧结过程中出现氧化现象,烧结在保护气体环境中进行。
在本发明的一种优选的实施方式中,为了进一步减少烧结产生的裂纹,防止在烧结过程中出现氧化现象,保护气体选自氮气和/或氦气。
在本发明的一种优选的实施方式中,为了进一步减少烧结产生的裂纹,焊片的表面积大于LTCC基板的表面积。
以上详细描述了本发明的优选实施方式,但是,本发明并不限于上述实施方式中的具体细节,在本发明的技术构思范围内,可以对本发明的技术方案进行多种简单变型,这些简单变型均属于本发明的保护范围。
另外需要说明的是,在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征,在不矛盾的情况下,可以通过任何合适的方式进行组合,为了避免不必要的重复,本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外,本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合,只要其不违背本发明的思想,其同样应当视为本发明所公开的内容。

Claims (6)

1.一种LTCC基板烧结的方法,其特征在于,所述方法包括:
(1)将焊片和LTCC基板放入工件的腔体内形成预装组件,之后对预装组件进行预热;其中,焊片的熔点为M,预热的条件包括:预热设为N个递增的温度梯度,分别为C1、C2…Cn,C1为45-55℃,相邻的两个温度梯度的差值为45-55℃,且Cn<M,n为正整数;
(2)对预装组件进行烧结,烧结的温度为205-215℃;其中,每个温度梯度对应的预热时间为T1、T2…Tn,且T1为4-6min;
当n为奇数时,在T1至T(n+1)/2区间内,预热时间依次递增,相邻的两个时间的差值为4-6min,在T(n+1)/2至Tn区间内,预热时间依次递减,相邻的两个时间的差值为4-6min;
当n为偶数时,在T1至Tn/2+1区间内,预热时间依次递增,相邻的两个时间的差值为4-6min,在Tn/2+1至Tn区间内,预热时间依次递减,相邻的两个时间的差值为4-6min。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,步骤(1)还包括:在工件的腔体内涂覆助焊剂,之后将多个焊片放置在腔体内,在每个焊片表面涂覆助焊剂,将LTCC基板分别压紧在每个焊料片表面,形成预装组件。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,助焊剂选自阿尔法助焊剂EF9301、阿尔法助焊剂EF8000和阿尔法助焊剂RF800PT中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,烧结在保护气体环境中进行。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,保护气体选自氮气和/或氦气。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,焊片的表面积大于LTCC基板的表面积。
CN201711077020.9A 2017-11-06 2017-11-06 Ltcc基板烧结的方法 Active CN107910273B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711077020.9A CN107910273B (zh) 2017-11-06 2017-11-06 Ltcc基板烧结的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711077020.9A CN107910273B (zh) 2017-11-06 2017-11-06 Ltcc基板烧结的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107910273A CN107910273A (zh) 2018-04-13
CN107910273B true CN107910273B (zh) 2019-12-27

Family

ID=61842529

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711077020.9A Active CN107910273B (zh) 2017-11-06 2017-11-06 Ltcc基板烧结的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107910273B (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102201396A (zh) * 2011-05-31 2011-09-28 常州瑞华电力电子器件有限公司 一种大规格igbt模块及其封装方法
CN102863223A (zh) * 2012-09-11 2013-01-09 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 大尺寸ltcc基板烧结工艺
CN104942394A (zh) * 2015-06-03 2015-09-30 常熟市林芝电子有限责任公司 具有高可靠性的引线陶瓷热敏电阻器焊接方法
CN105118790A (zh) * 2015-07-23 2015-12-02 淄博美林电子有限公司 一种碳化硅二极管的耐高温封装框架制备方法
CN106876267A (zh) * 2015-12-11 2017-06-20 中国航空工业集团公司雷华电子技术研究所 一种ltcc基板组件及其共晶烧结工艺方法
CN107214427A (zh) * 2017-05-16 2017-09-29 合肥市瀚坤机械有限公司 一种携门架焊接工艺

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102201396A (zh) * 2011-05-31 2011-09-28 常州瑞华电力电子器件有限公司 一种大规格igbt模块及其封装方法
CN102863223A (zh) * 2012-09-11 2013-01-09 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 大尺寸ltcc基板烧结工艺
CN104942394A (zh) * 2015-06-03 2015-09-30 常熟市林芝电子有限责任公司 具有高可靠性的引线陶瓷热敏电阻器焊接方法
CN105118790A (zh) * 2015-07-23 2015-12-02 淄博美林电子有限公司 一种碳化硅二极管的耐高温封装框架制备方法
CN106876267A (zh) * 2015-12-11 2017-06-20 中国航空工业集团公司雷华电子技术研究所 一种ltcc基板组件及其共晶烧结工艺方法
CN107214427A (zh) * 2017-05-16 2017-09-29 合肥市瀚坤机械有限公司 一种携门架焊接工艺

Also Published As

Publication number Publication date
CN107910273A (zh) 2018-04-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20170303404A1 (en) Manufacturing method for circuit board based on copper ceramic substrate
CN100404196C (zh) 一种具有特殊层厚比例的铜/钼/铜电子封装复合材料的制备方法
CN101531474A (zh) 一种玻璃金属多针接插件封接工艺
CN101543935B (zh) 靶材组件的制作方法
JPH04238875A (ja) メタライズされた構成要素をセラミツク基板にろう付けする方法
CN104213004A (zh) 一种可激光焊接的铝基复合材料及其制备方法
CN101279526B (zh) 高耐热覆铜板的制造方法
CN107910273B (zh) Ltcc基板烧结的方法
CN103715101A (zh) 直接覆铜陶瓷基板的热压方法
CN105420579B (zh) 一种耐高温钨钼合金及其制备方法
CN106269965A (zh) 一种钼铜合金丝材的制备方法
JP2017150084A (ja) アルミニウムからなる金属化基板の製造方法
US3180756A (en) Copper metallizing of alumina ceramics
KR20170003287A (ko) 세라믹 회로 기판의 제조방법
US6013357A (en) Power module circuit board and a process for the manufacture thereof
US20080230591A1 (en) Device and method for pretreating electronic components prior to soldering
CN103441036B (zh) 一种继电器座板与引出端玻璃烧结工艺
JPH09315876A (ja) 金属−セラミックス複合基板及びその製造法
CN109734481B (zh) 一种金属陶瓷厚膜电路的生产工艺
TW201206607A (en) Method for abrasion processing of glass substrate for semiconductor chip mounting
CN104805267A (zh) 一种齿轮的热处理工艺
CN102593073A (zh) 电源模块用基板的制造方法、电源模块用基板和电源模块
CN101859715A (zh) 一种硅片叠层合金的加热工艺
CN112897884B (zh) 一种预成型低温玻璃焊片及其丝网印刷制造方法
CN110711970B (zh) 一种抗氧化金锡焊料的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: 241000 Emshan Road, Wuhu High-tech Industrial Development Zone, Anhui Province, 01

Applicant after: Anhui Huadong Photoelectric Technology Research Institute Co., Ltd.

Address before: 241000 Wuhu hi tech Industrial Development Zone, China Science and Technology Park, Anhui

Applicant before: Huadong Photoelectric Technique Institute of Anhui Province

CB02 Change of applicant information
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant