CN108689724A - 陶瓷板弯曲变形的矫正方法及陶瓷板 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种陶瓷板弯曲变形的矫正方法及陶瓷板，涉及陶瓷精加工技术领域。该矫正方法包括以下步骤：将变形陶瓷板的平面部分朝下自然放置于平面基片上，经复火和冷却后，得到矫正陶瓷板；其中，复火时，将温度在5～8h内由环境温度缓慢升至1000～1100℃。本发明方法缓解了对陶瓷板进行抛光时由于陶瓷板上下表面粗糙度不同导致两面应力不等，造成陶瓷板弯曲变形的技术问题，通过采用本发明的复火矫正工艺在升温过程中消除变形陶瓷板的内部应力，变形陶瓷板的内部应力释放后，弯曲变形的陶瓷板可以恢复原有状态，实现对陶瓷板变形后的矫正，矫正后的陶瓷板平整度好，在0.01～0.025mm以内。

Description

陶瓷板弯曲变形的矫正方法及陶瓷板

技术领域

本发明涉及陶瓷精加工技术领域，具体而言，涉及一种陶瓷板弯曲变形的矫正方法及陶瓷板。

背景技术

陶瓷具有很好的耐磨性，硬度仅次于金刚石达到莫氏9级，同时陶瓷致密性使其具有比钢化玻璃更强的强度，陶瓷的上述两个特性十分适用于用来制作高端手表、手机及其他电子原件的外壳等配件。同时陶瓷的生产制作过程比传统的塑料和玻璃等的生产制造过程更加环保和节能，因此陶瓷材料取代传统的塑料、不锈钢材料等作为电子产品的外壳，是技术发展的必然趋势。

在传统的陶瓷3D盖板抛光加工中，凸面与凹面因加工形状不一致，故抛光方法无法一致，导致凹面与凸面粗糙度不一致，而陶瓷是在抛光后增加应力的，产品在抛光后因凹面与凸面粗糙度不一致导致两面应力不等而变形，通常凸面在外面很容易抛光，而凹面因结构局限抛不到凸面的效果，产品就朝凸面弯曲变形，变形后的陶瓷盖板平整度在1～3mm左右，这样的平整度不能满足需要。

有鉴于此，特提出本发明。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种陶瓷板弯曲变形的矫正方法，该方法通过将变形陶瓷板的平面部分朝下自然放置于平面基片上进行复火，以消除变形陶瓷板的内部应力，变形陶瓷板的内部应力释放后，弯曲变形的陶瓷板可以恢复原有状态，实现对陶瓷板变形后的矫正。

本发明的目的之二在于提供一种所述方法矫正后的陶瓷板，矫正后的陶瓷板的平整度为0.01～0.025mm，低平整度能够满足陶瓷板的需求。

为了实现本发明的上述目的，特采用以下技术方案：

一种陶瓷板弯曲变形的矫正方法，包括以下步骤：

将变形陶瓷板的平面部分朝下自然放置于平面基片上，经复火和冷却后，得到矫正陶瓷板；其中，复火时，将温度在5～8h内由环境温度缓慢升至1100℃。

优选地，在本发明提供的技术方案的基础上，所述平面基片为氧化铝平面基片；平面基片的粗糙度为20～30nm，平面基片的平整度为0～0.25mm。

进一步，在本发明提供的技术方案的基础上，复火和冷却过程在窑炉中进行，窑炉包括待温区、第一升温区、第二升温区、第三升温区、第四升温区、第五升温区和降温区；

待温区的温度为环境温度，停留时间为2～3h；

第一升温区的温度为320±20℃，停留时间为1～2h；

第二升温区的温度为650±20℃，停留时间为1～2h；

第三升温区的温度为910±20℃，停留时间为1～2h；

第四升温区的温度为1075±20℃，停留时间为1～2h；

第五升温区的温度为1040±20℃，停留时间为1～2h；

降温区的温度为环境温度，冷却时间为5～7h。

进一步，在本发明提供的技术方案的基础上，所述平面基片下方还设置有承烧板；所述承烧板的尺寸大于所述平面基片的尺寸。

优选地，在本发明提供的技术方案的基础上，所述承烧板的材质为刚玉莫来石或氧化铝。

优选地，在本发明提供的技术方案的基础上，所述承烧板设置为多层，每层所述承烧板之间设有支撑垫块；

优选地，所述支撑垫块为氧化铝支撑垫块。

进一步，在本发明提供的技术方案的基础上，所述方法还包括先将变形陶瓷板清洗干净，用薄膜包覆后再置于平面基片上进行复火和冷却的步骤。

优选地，在本发明提供的技术方案的基础上，所述陶瓷板为2D陶瓷板、2.5D陶瓷板或3D陶瓷板。

优选地，在本发明提供的技术方案的基础上，陶瓷板弯曲变形的矫正方法，包括以下步骤：

(a)将变形陶瓷板用无尘布蘸取无水酒精或高纯度异丙醇擦拭干净后用薄膜包覆；

(b)将多个刚玉莫来石承烧板平行设置，每个承烧板之间设有氧化铝支撑垫块，形成多层承烧板；在每层承烧板上由下至上依次放置平面基片和包覆好的变形陶瓷板，放置变形陶瓷板时，将包覆好的变形陶瓷板的平面部分朝下自然放置于平面基片上；

(c)将放有平面基片和变形陶瓷板的多层承烧板置于窑炉的传送机构上，在窑炉中进行复火和冷却，得到矫正陶瓷板；

窑炉包括待温区、第一升温区、第二升温区、第三升温区、第四升温区、第五升温区和降温区；

待温区的温度为环境温度，停留时间为2.46h；

第一升温区的温度为320℃，停留时间为1.23h；

第二升温区的温度为650℃，停留时间为1.23h；

第三升温区的温度为910℃，停留时间为1.23h；

第四升温区的温度为1075℃，停留时间为1.23h；

第五升温区的温度为1040℃，停留时间为1.23h；

降温区的温度为环境温度，冷却时间为6.1h。

一种上述的陶瓷板弯曲变形的矫正方法矫正的陶瓷板，所述陶瓷板的平整度为0.01～0.025mm。

与已有技术相比，本发明具有如下有益效果：

(1)本发明的矫正方法将变形陶瓷板的平面部分朝下自然放置于平面基片上，变形陶瓷板与平面基片两者平面间的接触有助于矫正平整度，进行复火升温，升温过程可以消除变形陶瓷板的内部应力，使变形陶瓷板的内部应力得以释放，释放后弯曲变形的陶瓷板恢复原有状态，实现了对弯曲变形陶瓷板的矫正。

(2)本发明的矫正方法简单、易于控制操作。

(3)弯曲变形陶瓷板的平整度在1～3mm，采用此矫正方法矫正出来的陶瓷板平整度为0.01～0.025mm，矫正效果好，一次合格率为99％，满足使用需要。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为现有陶瓷板的纵向截面示意图，其中(a)为2D陶瓷板纵向截面示意图，(b)为2.5D陶瓷板纵向截面示意图，(c)为一种3D陶瓷板纵向截面示意图，(d)为另一种3D陶瓷板纵向截面示意图；

图2为本发明提供的放有平面基片和变形陶瓷板的承烧板的结构示意图；

图3为实施例一提供的放有平面基片和变形陶瓷板的承烧板的纵向剖面图；

图4为实施例二提供的放有平面基片和变形陶瓷板的承烧板的纵向剖面图；

图5为实施例三提供的放有平面基片和变形陶瓷板的承烧板的纵向剖面图；

图6为实施例四提供的放有平面基片和变形陶瓷板的承烧板的纵向剖面图。

图标：100-陶瓷板；200-平面基片；300-承烧板；400-支撑垫块；500-垫块。

具体实施方式

下面将结合实施例对本发明的实施方案进行详细描述，但是本领域技术人员将会理解，下列实施例仅用于说明本发明，而不应视为限制本发明的范围。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。

根据本发明的一个方面，提供了一种陶瓷板弯曲变形的矫正方法，包括以下步骤：将变形陶瓷板的平面部分朝下自然放置于平面基片上，经复火和冷却后，得到矫正陶瓷板；其中，复火时，将温度在5～8h内由环境温度缓慢升至1000～1100℃。

在升温过程中复火，将温度在5～8h内由环境温度缓慢升至1000～1100℃，例如1000℃、1040℃或1075℃，升温时间典型但非限制性的例如为5h、6h、7h或8h；

环境温度指未复火时陶瓷板周围的自然环境温度。

冷却指使热物体的温度降低而不发生相变化的过程，为了防止冷热交替太大而造成陶瓷板开裂，本发明的冷却采取自然冷却的方式，即通过周围的气流来带走热量，而不采用快速冷却的方式。

复火和冷却过程可在窑炉内进行。

升温时，可以在上述时间内进行均匀升温，也可以分阶段进行升温，例如在前两小时内温度由环境温度升至320℃，在第三小时内温度由320℃升至650℃，在第四小时内温度由650℃升至910℃，在第五小时内温度由910℃升至1075℃。升温完成后，进行冷却，得到矫正陶瓷板。

在该方法中，将陶瓷板的平面部分朝下自然放置于平面基片上，这样的接触方式有利于对变形陶瓷板进行平整度矫正。

自然放置指陶瓷板放置后除自身重力及平面基片的支撑力外，没有其他外力作用。

平面基片为表面为平面的基片板，基片的材质选用耐火、耐高温2000℃以上，且耐腐蚀材料，例如刚玉莫来石板、铝板或镁板。

平面基片的长宽尺寸分别大于变形陶瓷板的长宽尺寸，使陶瓷板能够完全放置于平面基片上。

平面基片表面经过抛光后使用，抛光后的平面基片表面是光滑的，如果表面不平整可以先复火复直后再使用。

优选地，平面基片的长度比变形陶瓷板的长度大10mm，平面基片的宽度比变形陶瓷板的宽度大10mm。

陶瓷板之所以会发生弯曲变形是当对陶瓷板进行抛光时，由于陶瓷板上下表面(例如凸凹面)粗糙度不同导致两面应力不等，容易造成陶瓷板弯曲变形，弯曲变形后的陶瓷板平整度不能满足需求。本发明方法将变形陶瓷板的平面部分朝下自然放置于平面基片上进行复火，在升温过程中消除变形陶瓷板的内部应力，变形陶瓷板的内部应力释放后，弯曲变形的陶瓷板可以恢复原有状态，实现对陶瓷板变形后的矫正。

下面结合图1对平面放置方式进行说明：

图1为现有陶瓷板的纵向截面示意图，其中(a)为2D陶瓷板纵向截面示意图，(b)为2.5D陶瓷板纵向截面示意图，(c)为一种3D陶瓷板纵向截面示意图，(d)为另一种3D陶瓷板纵向截面示意图。如图1所示，2D、2.5D和3D陶瓷板的概念与2D、2.5D和3D玻璃概念相似，即2D就是一块纯平面，没有任何弧形设计；2.5D弧面是指中间是平面的，但边缘采用弧形设计；而3D曲面是无论是中间还是边缘都采用弧形设计。图1中(c)和图1中(d)列举了两种3D陶瓷板，两者的区别在于图1中(c)上表面为一3D曲面，下表面为一平面，图1中(d)上表面为一3D曲面，下表面两侧部分为平面，其余部分仍为一3D曲面，构成凸面与凹面。

对于图1中(a)，2D陶瓷板上下均为平面，既可以将2D陶瓷板上表面放置于平面基片上，也可以将2D陶瓷板下表面放置于平面基片上；对于图1中(b)，2.5D陶瓷板只有边缘为弧形，既可以将2.5D陶瓷板上表面放置于平面基片上，也可以将2.5D陶瓷板下表面放置于平面基片上；对于图1中(c)，该类3D陶瓷板下表面为平面，因此将此类3D陶瓷板下表面放置于平面基片上；对于图1中(d)，该类3D陶瓷板下表面有曲面部分，两侧有平面部分，因此将此类3D陶瓷板下表面放置于平面基片上。

优选地，对于图1中(d)类的3D陶瓷板，为了使矫正效果更好，可以在下表面的曲面部分下方垫一个能够与曲面部分相配合的垫块。

在一种优选的实施方式中，平面基片为氧化铝平面基片；平面基片的粗糙度为20～30nm，平面基片的平整度为0～0.25mm。

氧化铝是一种高硬度化合物，熔点为2054℃，能够耐高温、耐腐蚀。

粗糙度又称表面粗糙度，是指加工表面具有的较小间距和微小峰谷的不平度。其两波峰或两波谷之间的距离(波距)很小(在1mm以下)，它属于微观几何形状误差。表面粗糙度越小，则表面越光滑。

典型但非限制性的粗糙度例如为20nm、25nm或30nm。

平整度为纵向凹凸量的偏差值，数值越小越好。

典型但非限制性的平整度例如为0mm、0.1mm、0.2mm或0.25mm。

平面基片表面为平面，平整度小，合适的平整度和粗糙度可以保证变形陶瓷板在该平面基片上容易矫正平整度。

在一种优选的实施方式中，复火和冷却过程在窑炉中进行，窑炉包括待温区、第一升温区、第二升温区、第三升温区、第四升温区、第五升温区和降温区；待温区的温度为环境温度，停留时间为2～3h；第一升温区的温度为320±20℃，停留时间为1～2h；第二升温区的温度为650±20℃，停留时间为1～2h；第三升温区的温度为910±20℃，停留时间为1～2h；第四升温区的温度为1075±20℃，停留时间为1～2h；第五升温区的温度为1040±20℃，停留时间为1～2h；降温区的温度为环境温度，冷却时间为5～7h。

窑炉为用于烧结陶瓷坯料的窑炉。

窑炉包括一个待温区、五个升温区和一个降温区。待加工产品(放置有变形陶瓷板的平面基片)放于窑炉的传送机构上，以一定的速度匀速移动，依次经过各温区。待温区处于待加温状态，方便放待加工产品，待温区不设定温度，温度为环境温度，待加工产品在待温区的停留时间为2～3h，例如2h或3h；待温区后是第一升温区，第一升温区的温度设定为320±20℃，例如为300℃、320℃或340℃，待加工产品在第一升温区的停留时间为1～2h，例如1h或2h；第一升温区后是第二升温区，第二升温区的温度设定为650±20℃，例如为630℃、650℃或670℃，待加工产品在第二升温区的停留时间为1～2h，例如1h或2h；第二升温区后是第三升温区，第三升温区的温度设定为910±20℃，例如为890℃、910℃或930℃，待加工产品在第三升温区的停留时间为1～2h，例如1h或2h；第三升温区后是第四升温区，第四升温区的温度设定为1075±20℃，例如为1055℃、1075℃或1095℃，待加工产品在第四升温区的停留时间为1～2h，例如1h或2h；第四升温区后是第五升温区，第五升温区的温度设定为1040±20℃，例如为1020℃、1040℃或1060℃，待加工产品在第五升温区的停留时间为1～2h，例如1h或2h；第五升温区后自动流至降温区，降温区温度为常温，进行常温自然冷却，冷却时间为5～7h，例如5h、6h或7h。

在一种优选的实施方式中，平面基片下方还设置有承烧板；承烧板的尺寸大于平面基片的尺寸。

承烧板是用于陶瓷窑炉内作为承载、输送被烧陶瓷坯体的载体，是陶瓷件在窑内烧制的时候把一件或多件瓷器的底下垫上一块规整的垫板。

承烧板的材质选用耐火、耐高温2000℃以上，且耐腐蚀材料，例如刚玉莫来石板、铝板或镁板。

承烧板的长宽尺寸分别大于平面基片的长宽尺寸，使平面基片能够完全放置于承烧板上。

优选地，承烧板的材质为刚玉莫来石或氧化铝。

进一步优选地，承烧板的材质为刚玉莫来石。

刚玉莫来石是将莫来石和刚玉按一定的配比，构成刚玉莫来石复合材料，两者的配比可以任意，莫来石热膨胀系数低、熔点高、抗蠕变、抗热震能力优越，刚玉弹性模量高、熔点高、耐磨性好、抗化学侵蚀能力强。刚玉莫来石材料比单一刚玉或单一莫来石性能更好，具有致密性好、耐压强度高、耐各种腐蚀性气体侵蚀、热震稳定性佳、导热性能优良、耐磨损的优点，熔点在2650度。

在一种优选的实施方式中，承烧板设置为多层，每层承烧板之间设有支撑垫块。

支撑垫块是呈块状的小方块，底层的承烧板水平置于平面上，四角放上支撑垫块，再在上面放一层承烧板，承烧板之间是平行的，可按照这种方式形成多层承烧板，再在每层承烧板上依次放置平面基片和变形陶瓷板，这样每次可以对多个陶瓷板同时进行复火矫正，提高效率。

相邻两层承烧板之间具有一定距离，该距离只要能够保证不影响平面基片和变形陶瓷板的放置即可。

承烧板每个角所使用的支撑垫块的个数可以根据实际需要的相邻两层承烧板之间的距离以及支撑垫块的高度来决定。

承烧板的层数可以根据窑炉的高度来决定放几层产品，以便提高效率。

优选地，所述支撑垫块为氧化铝支撑垫块。

通过设置多层承烧板，可以同时对多个陶瓷板进行复火矫正，提高效率。

在一种优选的实施方式中，所述方法还包括先将变形陶瓷板清洗干净，用薄膜包覆后再置于平面基片上进行复火和冷却的步骤。

清洗时，使用无尘布蘸取无水酒精或高纯度异丙醇(Isopropyl Alcohol)对变形陶瓷板进行擦拭干净，确保其是无尘埃、洁净的，然后用薄膜包覆变形陶瓷板，操作员要带防尘手指套，避免带入灰尘到变形陶瓷板上。

薄膜为PE(Polyethylene，聚乙烯)膜、PET(Polyethylene terephthalate，聚对苯二甲酸乙二醇酯)膜或OPP(Oriented Polypropylene，定向聚丙烯)膜等。

在一种优选的实施方式中，所述陶瓷板为2D陶瓷板、2.5D陶瓷板或3D陶瓷板。

本方法适用于2D、2.5D或3D等各种弯曲变形的陶瓷板的矫正，常见的2D、2.5D或3D陶瓷板结构如图1所示。

在一种优选的实施方式中，一种典型的陶瓷板弯曲变形的矫正方法，包括以下步骤：

(a)将变形陶瓷板用无尘布蘸取无水酒精或高纯度异丙醇擦拭干净后用薄膜包覆；

(b)将多个刚玉莫来石承烧板平行设置，每个承烧板之间设有氧化铝支撑垫块，形成多层承烧板；在每层承烧板上依次放置平面基片和包覆好的变形陶瓷板，放置变形陶瓷板时，将包覆好的变形陶瓷板的平面部分朝下自然放置于平面基片上；

(c)将放有平面基片和变形陶瓷板的多层承烧板置于窑炉的传送机构上，在窑炉中进行复火和冷却，得到矫正陶瓷板；

窑炉包括待温区、第一升温区、第二升温区、第三升温区、第四升温区、第五升温区和降温区；待温区的温度为环境温度，停留时间为2.46h；第一升温区的温度为320℃，停留时间为1.23h；第二升温区的温度为650℃，停留时间为1.23h；第三升温区的温度为910℃，停留时间为1.23h；第四升温区的温度为1075℃，停留时间为1.23h；第五升温区的温度为1040℃，停留时间为1.23h；降温区的温度为环境温度，冷却时间为6.1h。

图2为本发明提供的放有平面基片和变形陶瓷板的承烧板的结构示意图。

如图2所示，本发明提供的放有平面基片200和变形陶瓷板100的承烧板300为两层(也可为多层)，上一层承烧板300下方用八块氧化铝材质的小方块作为支撑垫块400，支撑垫块400下放下一层的承烧板300，按这种摆放规律逐层加高，可根据窑炉的高度来决定放几层以提高效率，每层承烧板300上由下至上依次放置平面基片200和变形陶瓷板100，放好后放入窑炉中缓慢升温进行复火烧制，以实现对弯曲变形陶瓷板100的矫正。

根据本发明的另一个方面，提供了一种上述的陶瓷板弯曲变形的矫正方法矫正的陶瓷板，所述陶瓷板的平整度为0.01～0.025mm。

平整度反映的是陶瓷板纵断面剖面曲线的平整性，当纵断面剖面曲线相对平滑时，则表示相对平整，或平整度相对好，反之则表示平整度相对差，通过平整度来评价矫正后陶瓷板的平整性变化。

为了进一步了解本发明，下面结合具体实施例对本发明方法和效果做进一步详细的说明。

实施例1

一种3D陶瓷板弯曲变形的矫正方法，包括以下步骤：

(1)将变形3D陶瓷板用无尘布蘸取无水酒精擦拭干净，确保3D陶瓷板是无尘埃、洁净的，然后用薄膜包覆；

(2)如图3所示，在刚玉莫来石承烧板300上由下至上依次放置平面基片200和包覆好的变形3D陶瓷板100，放置变形3D陶瓷板100时，将3D陶瓷板100的平面部分朝下自然放置于平面基片200上；

(3)将放好平面基片和变形3D陶瓷板的承烧板置于窑炉的传送机构上，在窑炉中进行复火和冷却，得到矫正陶瓷板：

所使用的窑炉总长13米，依次包括待温区2米、第一升温区1米、第二升温区1米、第三升温区1米、第四升温区1米、第五升温区1米和降温区5米，承烧板从待温到加工完毕是以每小时0.81米向前匀速移动，待温区处于待加温状态，待温区到第一升温区需2.47小时，这个区域的作用是方便放待加工产品，以免高温度伤到操作员，待温区后自动流至第一升温区，第一升温区的温度设定是320度，停留时间1.23小时，第一升温区后自动流至第二升温区，第二升温区温度设定650度，停留时间1.23小时，第二升温区后自动流至第三升温区，第三升温区温度设定910度，停留时间1.23小时，第三升温区后自动流至第四升温区，第四升温区温度设定1075度，停留时间1.23小时，第四升温区后自动流至第五升温区，第五升温区温度设定1040度，停留时间1.23小时，第五升温区后自动流至降温区，降温区温度为常温，进行自然冷却，冷却时间6.1小时，自然冷却后3D陶瓷板冷却到常温，自动流出炉口，操作员即可将3D陶瓷板取出。

实施例2

一种3D陶瓷板弯曲变形的矫正方法，包括以下步骤：

(1)将变形3D陶瓷板用无尘布蘸取高纯度异丙醇擦拭干净，确保3D陶瓷板是无尘埃、洁净的，然后用薄膜包覆；

(2)如图4所示，在刚玉莫来石承烧板300上由下至上依次放置平面基片200和包覆好的变形3D陶瓷板100，放置变形3D陶瓷板100时，将3D陶瓷板100的平面部分朝下自然放置于平面基片200上；由于本实施例中3D陶瓷板100下表面中间部分也为曲面，因此需要在3D陶瓷板100下表面曲面部分处垫一块与变形前3D陶瓷板100下表面曲面部分相配合的垫块500；

(3)将放好平面基片和变形3D陶瓷板的承烧板置于窑炉的传送机构上，在窑炉中进行复火和冷却，得到矫正陶瓷板：

所使用的窑炉总长13米，依次包括待温区2米、第一升温区1米、第二升温区1米、第三升温区1米、第四升温区1米、第五升温区1米和降温区5米，承烧板从待温到加工完毕是以每小时1米向前匀速移动，待温区处于待加温状态，待温区到第一升温区需2小时，这个区域的作用是方便放待加工产品，以免高温度伤到操作员，待温区后自动流至第一升温区，第一升温区的温度设定是300度，停留时间1小时，第一升温区后自动流至第二升温区，第二升温区温度设定670度，停留时间1小时，第二升温区后自动流至第三升温区，第三升温区温度设定900度，停留时间1小时，第三升温区后自动流至第四升温区，第四升温区温度设定1085度，停留时间1小时，第四升温区后自动流至第五升温区，第五升温区温度设定1040度，停留时间1小时，第五升温区后自动流至降温区，降温区温度为常温，进行自然冷却，冷却时间5小时，自然冷却后3D陶瓷板冷却到常温，自动流出炉口，操作员即可将3D陶瓷板取出。

实施例3

一种2.5D陶瓷板弯曲变形的矫正方法，包括以下步骤：

(1)将变形2.5D陶瓷板用无尘布蘸取无水酒精擦拭干净，确保2.5D陶瓷板是无尘埃、洁净的，然后用薄膜包覆；

(2)如图5所示，在刚玉莫来石承烧板300上由下至上依次放置平面基片200和包覆好的变形2.5D陶瓷板100，放置变形2.5D陶瓷板100时，将2.5D陶瓷板100的平面部分朝下自然放置于平面基片200上；

(3)将放好平面基片和变形2.5D陶瓷板的承烧板置于窑炉的传送机构上，在窑炉中进行复火和冷却，得到矫正陶瓷板：

所使用的窑炉总长13米，依次包括待温区2米、第一升温区1米、第二升温区1米、第三升温区1米、第四升温区1米、第五升温区1米和降温区5米，承烧板从待温到加工完毕是以每小时0.9米向前匀速移动，待温区处于待加温状态，待温区到第一升温区需2.22小时，这个区域的作用是方便放待加工产品，以免高温度伤到操作员，待温区后自动流至第一升温区，第一升温区的温度设定是340度，停留时间1.11小时，第一升温区后自动流至第二升温区，第二升温区温度设定630度，停留时间1.11小时，第二升温区后自动流至第三升温区，第三升温区温度设定920度，停留时间1.11小时，第三升温区后自动流至第四升温区，第四升温区温度设定1065度，停留时间1.11小时，第四升温区后自动流至第五升温区，第五升温区温度设定1050度，停留时间1.11小时，第五升温区后自动流至降温区，降温区温度为常温，进行自然冷却，冷却时间5.56小时，自然冷却后2.5D陶瓷板冷却到常温，自动流出炉口，操作员即可将2.5D陶瓷板取出。

实施例4

一种2D陶瓷板弯曲变形的矫正方法，包括以下步骤：

(1)将变形2D陶瓷板用无尘布蘸取高纯度异丙醇擦拭干净，确保2D陶瓷板是无尘埃、洁净的，然后用薄膜包覆；

(2)如图6所示，在刚玉莫来石承烧板300上由下至上依次放置平面基片200和包覆好的变形2D陶瓷板100，放置变形2D陶瓷板100时，将2D陶瓷板100的平面部分朝下自然放置于平面基片200上；

(3)将放好平面基片和变形2D陶瓷板的承烧板置于窑炉的传送机构上，在窑炉中进行复火和冷却，得到矫正陶瓷板：

所使用的窑炉总长13米，依次包括待温区2米、第一升温区1米、第二升温区1米、第三升温区1米、第四升温区1米、第五升温区1米和降温区5米，承烧板从待温到加工完毕是以每小时0.85米向前匀速移动，待温区处于待加温状态，待温区到第一升温区需2.35小时，这个区域的作用是方便放待加工产品，以免高温度伤到操作员，待温区后自动流至第一升温区，第一升温区的温度设定是320度，停留时间1.18小时，第一升温区后自动流至第二升温区，第二升温区温度设定650度，停留时间1.18小时，第二升温区后自动流至第三升温区，第三升温区温度设定930度，停留时间1.18小时，第三升温区后自动流至第四升温区，第四升温区温度设定1070度，停留时间1.18小时，第四升温区后自动流至第五升温区，第五升温区温度设定1020度，停留时间1.18小时，第五升温区后自动流至降温区，降温区温度为常温，进行自然冷却，冷却时间5.88小时，自然冷却后2D陶瓷板冷却到常温，自动流出炉口，操作员即可将2D陶瓷板取出。

将上述实施例矫正前弯曲变形样品和按上述实施例方法得到的矫正样品进行平整度检测，测试方法如下：

检测平整度时用刀口尺垂直放在产品平面上，然后用塞规检测刀口尺在产品平面之间产生的缝隙，根据塞规的规格能够通过缝隙的就是它的平整度。

实施例矫正前后样品的平整度测试结果如表1所示。

表1实施例矫正前后样品的平整度测试结果

样品	矫正前陶瓷板平整度	矫正后陶瓷板平整度
			实施例一	2.5mm	0.015mm
实施例二	3mm	0.025mm
			实施例三	1.5mm	0.012mm
实施例四	1mm	0.01mm

从表1中可以看出，通过采用本发明的矫正方法矫正后的陶瓷板的平整度在0.01～0.025mm之间，与原来的平整度1～3mm相比，降低了100倍以上，可见采用此矫正方法矫正出来的陶瓷板平整度好，一次合格率为99％，可以满足使用需要。

尽管已用具体实施例来说明和描述了本发明，然而应意识到，在不背离本发明的精神和范围的情况下可以作出许多其它的更改和修改。因此，这意味着在所附权利要求中包括属于本发明范围内的所有这些变化和修改。

Claims (10)

1.一种陶瓷板弯曲变形的矫正方法，其特征在于，包括以下步骤：

将变形陶瓷板的平面部分朝下自然放置于平面基片上，经复火和冷却后，得到矫正陶瓷板；其中，复火时，将温度在5～8h内由环境温度缓慢升至1000～1100℃。

2.按照权利要求1所述的陶瓷板弯曲变形的矫正方法，其特征在于，所述平面基片为氧化铝平面基片；

平面基片的粗糙度为20～30nm，平面基片的平整度为0～0.25mm。

3.按照权利要求1或2所述的陶瓷板弯曲变形的矫正方法，其特征在于，复火和冷却过程在窑炉中进行，窑炉包括待温区、第一升温区、第二升温区、第三升温区、第四升温区、第五升温区和降温区；

待温区的温度为环境温度，停留时间为2～3h；

第一升温区的温度为320±20℃，停留时间为1～2h；

第二升温区的温度为650±20℃，停留时间为1～2h；

第三升温区的温度为910±20℃，停留时间为1～2h；

第四升温区的温度为1075±20℃，停留时间为1～2h；

第五升温区的温度为1040±20℃，停留时间为1～2h；

降温区的温度为环境温度，冷却时间为5～7h。

4.按照权利要求1或2所述的陶瓷板弯曲变形的矫正方法，其特征在于，所述平面基片下方还设置有承烧板；

所述承烧板的尺寸大于所述平面基片的尺寸。

5.按照权利要求4所述的陶瓷板弯曲变形的矫正方法，其特征在于，所述承烧板的材质为刚玉莫来石或氧化铝。

6.按照权利要求5所述的陶瓷板弯曲变形的矫正方法，其特征在于，所述承烧板设置为多层，每层所述承烧板之间设有支撑垫块；

优选地，所述支撑垫块为氧化铝支撑垫块。

7.按照权利要求1或2所述的陶瓷板弯曲变形的矫正方法，其特征在于，所述方法还包括先将变形陶瓷板清洗干净，用薄膜包覆后再置于平面基片上进行复火和冷却的步骤。

8.按照权利要求1或2所述的陶瓷板弯曲变形的矫正方法，其特征在于，所述陶瓷板为2D陶瓷板、2.5D陶瓷板或3D陶瓷板。

9.按照权利要求1所述的陶瓷板弯曲变形的矫正方法，其特征在于，包括以下步骤：

(a)将变形陶瓷板用无尘布蘸取无水酒精或高纯度异丙醇擦拭干净后用薄膜包覆；

(b)将多个刚玉莫来石承烧板平行设置，每个承烧板之间设有氧化铝支撑垫块，形成多层承烧板；在每层承烧板上由下至上依次放置平面基片和包覆好的变形陶瓷板，放置变形陶瓷板时，将包覆好的变形陶瓷板的平面部分朝下自然放置于平面基片上；

(c)将放有平面基片和变形陶瓷板的多层承烧板置于窑炉的传送机构上，在窑炉中进行复火和冷却，得到矫正陶瓷板；

窑炉包括待温区、第一升温区、第二升温区、第三升温区、第四升温区、第五升温区和降温区；

待温区的温度为环境温度，停留时间为2.46h；

第一升温区的温度为320℃，停留时间为1.23h；

第二升温区的温度为650℃，停留时间为1.23h；

第三升温区的温度为910℃，停留时间为1.23h；

第四升温区的温度为1075℃，停留时间为1.23h；

第五升温区的温度为1040℃，停留时间为1.23h；

降温区的温度为环境温度，冷却时间为6.1h。

10.一种按照权利要求1-9任一项所述的陶瓷板弯曲变形的矫正方法矫正的陶瓷板，其特征在于，所述陶瓷板的平整度为0.01～0.025mm。