CN111369935B - 像素驱动电路及其驱动方法 - Google Patents
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Abstract
一种像素驱动电路包括发光二极管、第二晶体管、脉冲幅度调制晶体管、控制晶体管、扫描晶体管与脉冲宽度调制晶体管。发光二极管包括阳极与阴极。第二晶体管的输入端连接阴极。脉冲幅度调制晶体管的输出端连接第二晶体管的控制端。控制晶体管的输入端连接第二晶体管的控制端与脉冲幅度调制晶体管的输出端。扫描晶体管的输出端连接控制晶体管的控制端,扫描晶体管配置为接收控制扫描信号,控制扫描信号达到等于扫描晶体管的阈值电压的时间是发光二极管的发光时间。脉冲宽度调制晶体管的输出端连接扫描晶体管的输入端。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种像素驱动电路及其驱动方法。
背景技术
发光二极管(Light-Emitting Diode,LED)作为高效、节能、环保的照明灯具,越来越多的取代白炽灯等传统照明灯具。LED的节能体现在发光效率高,且可调光。LED在不同的电流下,发光波谱会发生偏移,进而导致色偏问题。现有常规脉冲宽度调制(Pulse WidthModulation,PWM)驱动技术虽然可以解决色偏问题,但因其采用子场的概念,使其充电时间短且数据传输带宽要求高,无法支持高分辨率,进而PWM驱动技术所能应用的范围有限。
发明内容
本申请实施例提供一种像素驱动电路及其驱动方法,以控制扫描信号达到扫描晶体管的阈值电压的时间作为发光二极管发光时间的方式去控制发光二极管发光的亮度灰阶,解决了波长偏移问题,同时还使像素驱动电路具有较长的充电时间,可以灵活运用数据传输带宽。
本申请实施例提供一种像素驱动电路,包括发光二极管,包括阳极与阴极;第二晶体管,第二晶体管的输入端连接阴极;脉冲幅度调制晶体管,脉冲幅度调制晶体管的输出端连接第二晶体管的控制端;控制晶体管,控制晶体管的输入端连接第二晶体管的控制端与脉冲幅度调制晶体管的输出端;扫描晶体管,扫描晶体管的输出端连接控制晶体管的控制端,扫描晶体管配置为接收控制扫描信号,其中控制扫描信号达到等于扫描晶体管的阈值电压的时间是发光二极管的发光时间;以及脉冲宽度调制晶体管,脉冲宽度调制晶体管的输出端连接扫描晶体管的输入端。
在一些实施例中,像素驱动电路还包括重置晶体管,重置晶体管的输出端连接扫描晶体管的输出端;以及控制电容,连接重置晶体管的输出端。
在一些实施例中,像素驱动电路还包括第一晶体管,第一晶体管的输出端连接阳极;以及存储电容,连接脉冲幅度调制晶体管的输出端与第二晶体管的控制端。
在一些实施例中,像素驱动电路还包括脉冲宽度调制电容,连接脉冲宽度调制晶体管的输出端。
本申请实施例提供一种像素驱动电路的驱动方法包括提供像素驱动电路,其中像素驱动电路包括发光二极管、第一晶体管、第二晶体管、脉冲幅度调制晶体管、控制晶体管、扫描晶体管和脉冲宽度调制晶体管,发光二极管包括阳极与阴极,第一晶体管的输出端连接阳极,第二晶体管的输入端连接阴极,脉冲幅度调制晶体管的输出端连接第二晶体管的控制端,控制晶体管的输入端连接第二晶体管的控制端与脉冲幅度调制晶体管的输出端,扫描晶体管的控制端接收控制扫描信号,扫描晶体管的输出端连接控制晶体管的控制端;以及脉冲宽度调制晶体管的输出端连接扫描晶体管的输入端;开启脉冲幅度调制晶体管以接收脉冲幅度调制数据信号与开启第二晶体管;开启脉冲宽度调制晶体管以接收脉冲宽度调制数据信号;以及开启第一晶体管以点亮发光二极管,扫描晶体管接收控制扫描信号,以及抬升控制扫描信号,其中抬升控制扫描信号达到等于扫描晶体管的阈值电压的时间是发光二极管的点亮时间。
在一些实施例中,控制扫描信号小于扫描晶体管的阈值电压。
在一些实施例中,以控制扫描信号达到等于扫描晶体管的阈值电压的时间控制发光二极管发光的亮度灰阶。
在一些实施例中,开启扫描晶体管以接收脉冲宽度调制数据信号与开启控制晶体管,拉低第二晶体管的控制端的电位,关闭第二晶体管,以及熄灭所述发光二极管。
在一些实施例中,控制扫描信号等于扫描晶体管的阈值电压。
在一些实施例中,控制扫描信号大于扫描晶体管的阈值电压。
本申请实施例提供一种像素驱动电路及其驱动方法,相较于常规脉冲幅度调制驱动,解决了发光二极管光谱偏移的问题且无需考虑薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)的阈值电压漂移及补偿问题;相较于常规脉冲宽度调制驱动,具有较长充电时间且对数据传输带宽的要求不高;相较于采用电压比较器作为发光二极管发光时间控制开关的驱动电路,减少了电压比较器的使用,因此精简了电路结构。
附图说明
下面结合附图,通过对本申请的具体实施方式详细描述,将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请一实施例提供的显示面板。
图2为本申请一实施例提供的像素驱动电路的示意图。
图3为图1中的像素驱动电路的电路图。
图4是施加于图3中的像素驱动电路的各信号的时序图。
图5为本申请一实施例提供的像素驱动方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或组件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个组件内部的连通或两个组件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本申请。此外,本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
请参阅图1,图1为本申请一实施例提供的显示面板1。显示面板1包括多条源极线S1-SN、多条栅极线G1-GM、至少一源极驱动单元10以及至少一栅极驱动单元12。
多条源极线S1-SN延伸至源极驱动单元10,多条栅极线G1-GM延伸至栅极驱动单元12。多条源极线S1-SN沿第一方向形成,多条栅极线G1-GM沿第二方向形成。其中,第一方向垂直于所述第二方向。多条源极线S1-SN及多条栅极线G1-GM定义出多个像素14。
源极驱动单元10电连接至多条源极线S1-SN并用于向多条源极线S1-SN提供数据信号,数据信号用于写入像素14。栅极驱动单元12电连接至多条栅极线G1-GM并用于向所述多条栅极线G1-GM提供扫描信号。
请参阅图1及图2,图2为本申请一实施例提供的像素驱动电路100的示意图。像素驱动电路100用于驱动图1的一个像素14。也就是说,显示面板1包括多个像素驱动电路100电性连接至多个像素14,而且与多个像素14具有一对一的对应的关系。像素驱动电路100包括脉冲幅度调制(Pulse Amplitude Modulation,PAM)控制模块20、脉冲宽度调制(PulseWidth Modulation,PWM)控制模块21、发光控制模块22、存储电容C1、发光二极管23、第一晶体管T1与第二晶体管T2。PWM模块21连接PAM控制模块20。发光控制模块22连接PAM控制模块20与PWM控制模块21,存储电容C1连接PAM控制模块20与发光控制模块22,发光二极管23包括阳极231与阴极232。第一晶体管T1的输出端连接发光二极管23的阳极231,第一晶体管T1的控制端接收发光信号EM与输入端接收直流高电位OVDD,配置为驱动发光二极管23。第二晶体管T2的输入端连接发光二极管23的阴极232与第二晶体管T2的控制端连接存储电容C1,配置为驱动发光二极管23。
请参阅图2与图3,PAM控制模块20配置为接收PAM扫描信号PAM_SCAN与PAM数据信号PAM_DATA,提供存储电容C1充电。PAM模块20包括PAM晶体管T3,PAM晶体管T3的输出端连接第二晶体管T2的控制端与存储电容C1,栅极驱动单元12提供的PAM扫描信号PAM_SCAN输入至PAM晶体管T3的控制端,源极驱动单元10提供的PAM数据信号PAM_DATA输入至PAM晶体管T3的输入端。
PWM控制模块21配置为接收PWM扫描信号PWM_SCAN与PWM数据信号PWM_DATA。PWM控制模块21包括PWM晶体管T4与PWM电容C2,PWM电容C2连接PWM晶体管T4的输出端。栅极驱动单元12提供的PWM扫描信号PWM_SCAN输入至PWM晶体管T4的控制端,源极驱动单元10提供的PWM数据信号PWM_DATA输入至PWM晶体管T4的输入端,提供PWM电容C2充电。
发光控制模块22配置为接收控制扫描信号SWEEP,重置数据信号RESET_DATA与重置信号RESET。发光控制模块22包括扫描晶体管T5、重置晶体管T6、控制晶体管T7与控制电容C3。扫描晶体管T5的输入端连接PWM晶体管T4的输出端,扫描晶体管T5的控制端接收控制扫描信号SWEEP。重置晶体管T6的输出端连接扫描晶体管T5的输出端,重置晶体管T6的控制端接收重置信号RESET与输入端接收重置数据信号RESET_DATA,提供控制电容C3充电。控制晶体管T7的输入端连接第二晶体管T2的控制端与PAM晶体管T3的输出端,以及扫描晶体管T5的输出端连接控制晶体管T7的控制端。控制电容C3连接重置晶体管T6的输出端、扫描晶体管T5的输出端与控制晶体管T7的控制端。
像素驱动电路100还包括第一结点N1、第二结点N2与第三结点N3。第一结点N1连接PAM晶体管T3的输出端、第二晶体管T2的控制端与控制晶体管T7的输入端,第二结点N2连接PWM晶体管T4的输出端、扫描晶体管T5的输入端与PWM电容C2,以及第三结点N3连接扫描晶体管T5的输出端、控制晶体管T7的控制端与重置晶体管T6的输出端。
提供直流高电位OVDD给发光二极管23,直流高电位OVDD是固定的电压,当发光二极管23开启导通后,流过发光二极管23的电流是恒定的。由于给发光二极管23的电流为恒定电流,并以此恒定电流驱动发光二极管23发出固定波长的光,因此可以解决发光二极管23发出的光存在波长漂移的问题。PAM数据信号PAM_DATA可以是PAM数据电压,当PAM数据电压足够大时,电流对第二晶体管T2的阈值电压不敏感,因此不需要考虑薄膜晶体管(ThinFilm Transistor,TFT)的阈值电压漂移及补偿问题。其中,PAM数据电压大于第二晶体管T2的阈值电压以保证第二晶体管T2导通,并且与第二晶体管T2阈值电压差距尽量小。扫描晶体管T5接收的控制扫描信号SWEEP是一个逐渐抬升的模拟电压,以控制扫描信号SWEEP达到等于扫描晶体管T5的阈值电压Vth的时间作为发光二极管23的发光时间,并以这样的方式去控制发光二极管23发光的亮度灰阶,解决了波长偏移问题,同时还使像素驱动电路100具有较长的充电时间,对数据传输带宽的要求不高,可以灵活运用数据传输带宽。
请参阅图3与图4,图4是施加于图3中的像素驱动电路的各信号的时序图。图1所示栅极驱动单元12依序传送图4所示的M个PAM扫描信号PAM_SCAN1~PAM_SCAN M和M个PWM扫描信号PWM_SCAN1~PWM_SCAN M,像素驱动电路100的工作过程如下:
在初始化阶段S1,所有信号进行初始化处理,使像素驱动电路100处于初始化状态。
在数据写入阶段S2,包括脉冲幅度调制设置状态与脉冲宽度调制设置状态。
在脉冲幅度调制设置状态期间,发光信号EM处于低电平使得第一晶体管T1关闭,因此发光二极管23没有电流通过而处于熄灭状态。重置信号RESET处于高电平使得重置晶体管T6导通重置数据信号RESET_DATA,以对控制电容C3充电,并使控制晶体管T7关闭。PAM晶体管T3的控制端接收PAM扫描信号PAM_SCAN后使得PAM晶体管T3导通,PAM晶体管T3的输入端接收PAM数据信号PAM_DATA,给存储电容C1充电,第二晶体管T2的控制端接收PAM扫描信号PAM_SCAN后使得第二晶体管T2导通。此时,PWM扫描信号PAM_SCAN处于低电平,因此PWM晶体管T4不导通。同时,控制扫描信号SWEEP处于低电平使得扫描晶体管T5不导通。
在脉冲宽度调制设置状态期间,PWM晶体管T4的控制端接收PWM扫描信号PWM_SCAN后使得PWM晶体管T4导通,PWM晶体管T4的输入端接收PWM数据信号PWM_DATA,给PWM电容C2充电。
在发光阶段S3,第一晶体管T1的控制端接收发光信号EM后使得第一晶体管T1导通,发光二极管23开始发光,重置信号RESET处于低电平使得重置晶体管T6不导通。这段期间控制扫描信号SWEEP输出的电平逐渐增加但扫描晶体管T5的控制端接收的控制扫描信号SWEEP还小于扫描晶体管T5的阈值电压Vth,所以扫描晶体管T5仍处于关闭状态,控制晶体管T7处于关闭状态。
在熄灭阶段S4,控制扫描信号SWEEP持续抬升达到等于或大于扫描晶体管T5的阈值电压Vth,导致扫描晶体管T5开启,使得存储于PWM电容C2的PWM数据信号PWM_DATA经过扫描晶体管T5传送至第三结点N3,以抬升第三结点N3的电位。此时控制晶体管T7因第三结点N3的电位符合PWM数据信号PWM_DATA而导通,导致第一结点N1的电位被拉低。此时存储电容C1放电,拉低第二晶体管T2的控制端的电位,导致第二晶体管T2关闭并让发光二极管23熄灭。
本实施例是通过调整控制扫描信号SWEEP上升的斜率,来控制发光二极管23发光时间的长度。也就是说,控制扫描信号SWEEP上升的斜率较大,那么扫描晶体管T5开启的时间较快,发光二极管23发光时间较短。相对地,控制扫描信号SWEEP上升的斜率较小,那么扫描晶体管T5开启的时间较慢,发光二极管23发光时间较长。
本申请一实施例提供一像素驱动方法。如图5所示,图5是本申请一实施例的像素驱动方法的流程示意图。像素驱动方法包括如下步骤:
步骤S50,提供像素驱动电路100。其中像素驱动电路100包括发光二极管23、第一晶体管T1、第二晶体管T2、PAM晶体管T3、PWM晶体管T4、扫描晶体管T5、重置晶体管T6、控制晶体管T7、存储电容C1、PWM电容C2、控制电容C3、第一结点N1、第二结点N2以及第三结点N3。发光二极管23包括阳极231与阴极232,第一晶体管T1的输出端连接阳极231,第二晶体管T2的输入端连接阴极232。PAM晶体管T3的输出端连接第二晶体管T2的控制端,控制晶体管T7的输入端连接第二晶体管T2的控制端与PAM晶体管T3的输出端。扫描晶体管T5的输出端连接控制晶体管T7的控制端,PWM晶体管T4的输出端连接扫描晶体管T5的输入端,重置晶体管T6的输出端连接扫描晶体管T5的输出端。控制电容C3连接重置晶体管T6的输出端,存储电容C1连接PAM晶体管T3的输出端,PWM电容C2连接PWM晶体管T4的输出端。第一结点N1连接PAM晶体管T3的输出端、第二晶体管T2的控制端与控制晶体管T7的输入端,第二结点N2连接PWM晶体管T4的输出端、扫描晶体管T5的输入端与PWM电容C2,以及第三结点N3连接扫描晶体管T5的输出端、控制晶体管T7的控制端与重置晶体管T6的输出端。
步骤S51,进入初始化阶段。其中初始化处理所有信号,使像素驱动电路100处于初始化状态。
步骤S52,进入数据写入阶段。请参阅图3与图4,图4是施加于图3中的像素驱动电路的各信号的时序图。图1所示栅极驱动单元12依序传送图4所示的M个PAM扫描信号PAM_SCAN1~PAM_SCAN M和M个PWM扫描信号PWM_SCAN1~PWM_SCAN M。数据写入阶段包括脉冲幅度调制设置状态与脉冲宽度调制设置状态。
在脉冲幅度调制设置状态期间,发光信号EM处于低电平使得第一晶体管T1关闭,因此发光二极管23没有电流通过而处于熄灭状态。重置信号RESET处于高电平使得重置晶体管T6导通重置数据信号RESET_DATA,以对控制电容C3充电,并使控制晶体管T7关闭。PAM晶体管T3的控制端接收PAM扫描信号PAM_SCAN后使得PAM晶体管T3导通,PAM晶体管T3的输入端接收PAM数据信号PAM_DATA,给存储电容C1充电,第二晶体管T2的控制端接收PAM扫描信号PAM_SCAN后使得第二晶体管T2导通。此时,PWM扫描信号PAM_SCAN处于低电平,因此PWM晶体管T4不导通。同时,控制扫描信号SWEEP处于低电平使得扫描晶体管T5不导通。
在脉冲宽度调制设置状态期间,PWM晶体管T4的控制端接收PWM扫描信号PAM_SCAN后使得PWM晶体管T4导通,PWM晶体管T4的输入端接收PWM数据信号PWM_DATA,给PWM电容C2充电。
步骤S53,进入发光阶段。请参阅图3与图4,第一晶体管T1的控制端接收发光信号EM后使得第一晶体管T1导通,发光二极管23开始发光,重置信号RESET处于低电平使得重置晶体管T6不导通。这段期间控制扫描信号SWEEP输出的电平逐渐增加但扫描晶体管T5的控制端接收的控制扫描信号SWEEP还小于扫描晶体管T5的阈值电压Vth,所以扫描晶体管T5仍处于关闭状态,控制晶体管T7处于关闭状态。
步骤S54,进入熄灭阶段。请参阅图3与图4,控制扫描信号SWEEP持续抬升达到等于或大于扫描晶体管T5的阈值电压Vth,导致扫描晶体管T5开启,使得存储于PWM电容C2的PWM数据信号PWM_DATA经过扫描晶体管T5传送至第三结点N3,以抬升第三结点N3的电位。此时控制晶体管T7因第三结点N3的电位符合PWM数据信号PWM_DATA而导通,导致第一结点N1的电位被拉低。此时存储电容C1放电,拉低第二晶体管T2的控制端的电位,导致第二晶体管T2关闭并让发光二极管23熄灭。
本实施例是通过调整控制扫描信号SWEEP上升的斜率,来控制发光二极管23发光时间的长度。也就是说,控制扫描信号SWEEP上升的斜率较大,那么扫描晶体管T5开启的时间较快,发光二极管23发光时间较短。相对地,控制扫描信号SWEEP上升的斜率较小,那么扫描晶体管T5开启的时间较慢,发光二极管23发光时间较长。
提供直流高电位OVDD给发光二极管23,直流高电位OVDD是固定的电压,当发光二极管23开启导通后,流过发光二极管23的电流是恒定的。由于给发光二极管23的电流为恒定电流,并以此恒定电流驱动发光二极管23发出固定波长的光,因此可以解决发光二极管23发出的光存在波长漂移的问题。PAM数据信号PAM_DATA可以是PAM数据电压,当PAM数据电压足够大时,电流对第二晶体管T2阈值电压不敏感,因此不需要考虑晶体管阈值电压漂移及补偿问题。其中,PAM数据电压大于第二晶体管T2阈值电压以保证第二晶体管T2导通,并且与第二晶体管T2阈值电压差距尽量小。扫描晶体管T5接收的控制扫描信号SWEEP是一个逐渐抬升的模拟电压,控制扫描信号SWEEP达到等于扫描晶体管T5的阈值电压Vth的时间作为发光二极管23点亮时间,并以这样的方式去控制发光二极管23发光的亮度灰阶,解决了波长偏移问题,同时还使像素驱动电路100具有较长的充电时间,对数据传输带宽的要求不高,可以灵活运用数据传输带宽。
相较于常规PAM驱动,解决了发光二极管光谱偏移的问题且无需考虑薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)的阈值电压漂移及补偿问题。相较于常规PWM驱动,具有较长充电时间且对数据传输带宽的要求不高。相较于采用电压比较器作为发光二极管发光时间控制开关的驱动电路,减少了电压比较器的使用,因此精简了电路结构。
上述的发光二极管23作为发光源,可以是发光二极管(Light-Emitting Diode,LED)或是微型发光二极管(Mirco LED)。
发光二极管可以包括一衬底;一N型半导体层、一发光层以及一P型半导体层形成于衬底之上;一阴极形成于衬底与N型半导体层之间或N型半导体层之上;以及一阳极形成于P型半导体层之上。P型半导体层用于空穴的注入和传输,P型半导体层包括P型束缚层和P型接触层,因此,P型半导体层可以称为空穴传输功能层。N型半导体层形成于P型半导体层与衬底之间,N型半导体层用于电子的注入和传输,N型半导体层包括N型束缚层和N型接触层,因此,N型半导体层可以称为电子传输功能层;发光层形成于N型半导体层和P型半导体层之间,发光层为无机物半导体,其具有特定的能带结构,可以在吸收阴极迁移过来的电子后,空穴与电子结合后产生一定波长的光子,作为光的形式发射出来。
本申请实施例可适用于多种类型的显示面板,例如发光二极管(LED)显示面板或微型发光二极管(Mirco LED)显示面板。
本申请实施例提供的一种像素驱动电路及其驱动方法,扫描晶体管接收的控制扫描信号是一个逐渐抬升的模拟电压,以控制扫描信号达到等于扫描晶体管的阈值电压的时间作为发光二极管发光时间的方式去控制发光二极管发光的亮度灰阶,解决了波长偏移问题,同时还使像素驱动电路具有较长的充电时间,对数据传输带宽的要求不高,可以灵活运用数据传输带宽。相较于常规脉冲幅度调制驱动,解决了发光二极管光谱偏移的问题且无需考虑薄膜晶体管的阈值电压漂移及补偿问题。相较于常规脉冲宽度调制驱动,具有较长充电时间且对数据传输带宽的要求不高。相较于采用电压比较器作为发光二极管发光时间控制开关的驱动电路,减少了电压比较器的使用,因此精简了电路结构。
以上对本申请实施例所提供的一种像素驱动电路及其驱动方法进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (9)
1.一种像素驱动电路,其特征在于,包括:
发光二极管,包括阳极与阴极;
第二晶体管,所述第二晶体管的输入端连接所述阴极;
脉冲幅度调制晶体管,所述脉冲幅度调制晶体管的输出端连接所述第二晶体管的控制端;
控制晶体管,所述控制晶体管的输入端连接所述第二晶体管的控制端与所述脉冲幅度调制晶体管的输出端;
扫描晶体管,所述扫描晶体管的输出端连接所述控制晶体管的控制端,所述扫描晶体管配置为接收控制扫描信号,其中所述控制扫描信号达到等于所述扫描晶体管的阈值电压的时间是所述发光二极管的发光时间;
脉冲宽度调制晶体管,所述脉冲宽度调制晶体管的输出端连接所述扫描晶体管的输入端;
存储电容,连接所述脉冲幅度调制晶体管的输出端与所述第二晶体管的控制端;以及
脉冲宽度调制电容,连接所述脉冲宽度调制晶体管的输出端。
2.如权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,更包括:
重置晶体管,所述重置晶体管的输出端连接所述扫描晶体管的输出端;以及
控制电容,连接所述重置晶体管的输出端。
3.如权利要求2所述的像素驱动电路,其特征在于,更包括:
第一晶体管,所述第一晶体管的输出端连接所述阳极。
4.一种像素驱动电路的驱动方法,其特征在于,包括:
提供像素驱动电路,其中所述像素驱动电路包括发光二极管、第一晶体管、第二晶体管、脉冲幅度调制晶体管、控制晶体管、扫描晶体管、脉冲宽度调制晶体管、存储电容和脉冲宽度调制电容,所述发光二极管包括阳极与阴极,所述第一晶体管的输出端连接所述阳极,所述第二晶体管的输入端连接所述阴极,所述脉冲幅度调制晶体管的输出端连接所述第二晶体管的控制端,所述控制晶体管的输入端连接所述第二晶体管的控制端与所述脉冲幅度调制晶体管的输出端,所述扫描晶体管的控制端接收控制扫描信号,所述扫描晶体管的输出端连接所述控制晶体管的控制端,所述脉冲宽度调制晶体管的输出端连接所述扫描晶体管的输入端,所述存储电容连接所述脉冲幅度调制晶体管的输出端与所述第二晶体管的控制端,以及所述脉冲宽度调制电容连接所述脉冲宽度调制晶体管的输出端;
开启所述脉冲幅度调制晶体管以接收脉冲幅度调制数据信号给所述存储电容充电,与开启所述第二晶体管;
开启所述脉冲宽度调制晶体管以接收脉冲宽度调制数据信号给所述脉冲宽度调制电容充电;以及
开启所述第一晶体管以点亮所述发光二极管,所述扫描晶体管接收所述控制扫描信号,以及抬升所述控制扫描信号,其中抬升所述控制扫描信号达到等于所述扫描晶体管的阈值电压的时间是所述发光二极管的点亮时间。
5.如权利要求4所述的驱动方法,其特征在于,所述控制扫描信号小于所述扫描晶体管的阈值电压。
6.如权利要求4所述的驱动方法,其特征在于,以所述控制扫描信号达到等于所述扫描晶体管的阈值电压的时间控制所述发光二极管发光的亮度灰阶。
7.如权利要求4所述的驱动方法,其特征在于,更包括开启所述扫描晶体管以接收脉冲宽度调制数据信号与开启所述控制晶体管,拉低所述第二晶体管的控制端的电位,关闭所述第二晶体管,以及熄灭所述发光二极管。
8.如权利要求7所述的驱动方法,其特征在于,所述控制扫描信号等于所述扫描晶体管的阈值电压。
9.如权利要求7所述的驱动方法,其特征在于,所述控制扫描信号大于所述扫描晶体管的阈值电压。
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