CN111352270A - 液晶显示面板及其制作方法、液晶显示装置 - Google Patents
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Abstract
本公开涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种液晶显示面板、液晶显示面板的制作方法及液晶显示装置。液晶显示面板具有显示区及环绕显示区的非显示区,且液晶显示面板包括:对盒设置的彩膜基板和阵列基板以及位于彩膜基板和阵列基板之间的封框胶,封框胶位于非显示区;其中,阵列基板包括:第一基底,第一基底具有基板断面;引出电极;形成在第一基底上,引出电极位于非显示区内并位于封框胶远离显示区的一侧,引出电极具有远离显示区的绑定断面;保护膜层,形成在引出电极远离第一基底的一侧,保护膜层具有远离显示区的膜层断面;其中,绑定断面与基板断面及膜层断面位于同一平面内。该液晶显示面板在实现窄边框的同时,还可提高产品良率。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种液晶显示面板、液晶显示面板的制作方法及液晶显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展,薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film TransistorLiquid Crystal Display,简称:TFT-LCD)已在平板显示领域中占据了主导地位。
目前,TFT-LCD朝着窄边框的方向发展,但受实际工艺条件限制,COF(Chip OnFilm,覆晶薄膜)与阵列基板之间的连接存在一定缺陷,导致产品良率降低。
需要说明的是,在上述背景技术部分发明的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于提供一种液晶显示面板、液晶显示面板的制作方法及液晶显示装置,在实现窄边框的同时,还可提高阵列基板与COF之间的连接稳定性,提高产品良率。
根据本公开的一个方面,提供了一种液晶显示面板,所述液晶显示面板具有显示区及环绕所述显示区的非显示区,且所述液晶显示面板包括:对盒设置的彩膜基板和阵列基板以及位于所述彩膜基板和所述阵列基板之间的封框胶,所述封框胶位于所述非显示区;其中,所述阵列基板包括:
第一基底,所述第一基底具有基板断面;
引出电极;形成在所述第一基底上,所述引出电极位于所述非显示区内并位于所述封框胶远离所述显示区的一侧,所述引出电极具有远离所述显示区的绑定断面;
保护膜层,形成在所述引出电极远离所述第一基底的一侧,所述保护膜层具有远离所述显示区的膜层断面;
其中,所述绑定断面与所述基板断面及所述膜层断面位于同一平面内。
在本公开的一种示例性实施例中,所述保护膜层为有机材料膜层。
在本公开的一种示例性实施例中,所述保护膜层的厚度为1.5μm至3μm。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第一基底具有位于所述非显示区的封框胶设置区,所述封框胶在所述第一基底上的正投影位于所述封框胶设置区内或与所述封框胶设置区完全重叠;
其中,所述保护膜层与所述封框胶设置区之间的间距不小于100μm。
在本公开的一种示例性实施例中,所述阵列基板还包括形成在所述第一基底上并位于所述显示区的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅极和源漏电极;
所述引出电极包括第一电极和第二电极,所述第一电极与所述栅极同层设置,所述第二电极与所述源漏电极同层设置,且所述第二电极与所述第一电极通过过孔电连接;其中,所述第一电极和所述第二电极中远离所述显示区的面位于所述绑定断面内。
在本公开的一种示例性实施例中,所述液晶显示面板还包括覆晶薄膜,所述覆晶薄膜上设置有连接电极,所述连接电极位于所述绑定断面远离所述显示区的一侧,且所述连接电极与所述引出电极的绑定断面电连接。
在本公开的一种示例性实施例中,所述连接电极通过导电胶与所述绑定断面电连接。
在本公开的一种示例性实施例中,所述导电胶至少覆盖所述绑定断面和所述基板断面。
在本公开的一种示例性实施例中,所述导电胶为导电银胶。
根据本公开的一个方面,提供了一种液晶显示面板的制作方法,其中,所述制作方法包括:
形成阵列大板,所述阵列大板具有多个阵列基板和位于相邻阵列基板之间的第一虚设基板;所述阵列基板具有显示区和环绕所述显示区设置的非显示区,所述阵列基板包括第一基底、形成在所述第一基底并位于所述非显示区的引出电极以及形成在所述引出电极远离所述第一基底一侧的保护膜层,其中,所述引出电极和所述保护膜层的部分延伸至所述第一虚设基板中;
形成彩膜大板,所述彩膜大板具有与所述阵列基板对位设置的彩膜基板和与所述第一虚设基板对位设置的第二虚设基板;
在所述阵列基板的所述非显示区上涂覆封框胶,所述封框胶位于所述引出电极靠近所述显示区的一侧;
将所述彩膜大板与所述阵列大板进行对盒工艺,所述彩膜大板通过所述封框胶与所述阵列大板粘合以形成显示模组大板;
沿着所述阵列基板和所述第一虚设基板的交界处对所述显示模组大板进行切割,以形成包括所述阵列基板和所述彩膜基板的液晶显示面板。
在本公开的一种示例性实施例中,所述阵列基板上具有位于所述显示区的第一支撑区;所述第一虚设基板具有第二支撑区,所述第二支撑区位于所述保护膜层远离所述显示区的一侧,且所述第二支撑区与所述保护膜层之间的间距不小于200μm;
所述彩膜基板上设置有主隔垫物,所述第二虚设基板上设置有虚设隔垫物;
其中,所述主隔垫物和所述虚设隔垫物在所述彩膜大板与所述阵列基板进行对盒工艺的过程中分别支撑在所述第一支撑区和所述第二支撑区。
在本公开的一种示例性实施例中,形成阵列大板,包括:
提供第一基底;
利用一次构图工艺在所述第一基底上形成位于所述显示区的栅极和位于所述非显示区的第一电极;
在所述第一基底上形成栅绝缘层,该栅绝缘层覆盖栅极和第一电极;
利用一次构图工艺在所述栅绝缘层上形成位于所述显示区的源漏电极和位于所述非显示区的第二电极;所述第二电极与所述第一电极通过过孔电连接以形成所述引出电极;
其中,在沿着所述阵列基板和所述第一虚设基板的交界处对所述显示模组大板进行切割之后,所述第一电极和所述第二电极中远离所述显示区的面位于所述引出电极的绑定断面内。
在本公开的一种示例性实施例中,在沿着所述阵列基板和所述第一虚设基板的交界处对所述显示模组大板进行切割之后,所述制作方法还包括:
形成至少覆盖所述第一基底的基板断面和所述引出电极的绑定断面的导电胶;
将覆晶薄膜上的连接电极与所述导电胶粘合,以使所述连接电极与所述绑定断面电连接。
根据本公开的一个方面,提供了一种液晶显示装置,其包括上述任一项所述的液晶显示面板及位于所述阵列基板远离所述彩膜基板一侧的背光模组。
本公开提供的技术方案可以达到以下有益效果:
本公开所提供的液晶显示面板、液晶显示面板的制作方法及液晶显示装置,阵列基板中引出电极上远离显示区的侧面为绑定断面,此绑定断面用于与驱动结构(例如:覆晶薄膜)进行绑定,也就是说,阵列基板与覆晶薄膜等驱动结构可在阵列基板的侧面进行绑定,这样相比于阵列基板与覆晶薄膜等驱动结构在阵列基板的顶面进行绑定的方案,可实现液晶显示面板的窄边框化。
此外,在本公开的方案中,通过在引出电极上形成保护膜层,在对组装后的显示模组进行切割研磨的过程中,此保护膜层可起到缓冲和保护引出电极的作用,以避免引出电极出现长短不一、边缘毛刺过多、断片或剥离等问题,有效改善切割研磨后引出电极断面外观,提高覆晶薄膜与阵列基板之间的导通良率,从而提高产品良率。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本公开的实施例,并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出了本公开一实施例所描述的液晶显示面板的俯视示意图;
图2示出了图1中一实施例所描述的液晶显示面板在A-A方向上的剖视示意图;
图3示出了图1中另一实施例所描述的液晶显示面板在A-A方向上的剖视示意图;
图4示出了图1中一实施例所描述的液晶显示面板在B-B方向上的剖视示意图;
图5示出了图1中另一实施例所描述的液晶显示面板在B-B方向上的剖视示意图;
图6示出了本公开实施例所描述的显示模组大板的俯视示意图;
图7示出了本公开另一实施例所描述的液晶显示面板的剖视示意图;
图8示出了相关技术中液晶显示面板的结构简图;
图9示出了相关技术中液晶显示面板中引出电极的示意图;
图10示出了相关技术中液晶显示面板在显示状态下的效果图;
图11示出了相关技术中液晶显示面板中部分结构的剖视图;
图12示出了本公开实施例所描述的液晶显示面板中引出电极的示意图;
图13示出了本公开实施例所描述的液晶显示面板在显示状态下的效果图;
图14示出了图6中一实施例所描述的显示模组大板在C-C方向上的剖视示意图。
附图说明:
1、显示模组大板;10、液晶显示面板;10a、显示区;10b、非显示区;11、彩膜基板;110、第二基底;111、黑矩阵;112、树脂层;113、主隔垫物;12、阵列基板;120、第一基底;120a、基板断面;121、薄膜晶体管;121a、栅极;121b、有源层;121c、源电极;121d、漏电极;122、栅绝缘层;123、公共电极;124、像素电极;125a、第一钝化层;125b、第二钝化层;126、栅线;127、公共引线;128、引出电极;128a、第一电极;128b、第二电极;1280、绑定断面;129、走线;13、封框胶;14、覆晶薄膜;140、连接电极;15、保护膜层;150、膜层断面;16、导电胶;17、虚设面板;18、第一虚设基板;19、第二虚设基板;190、虚设隔垫物。
具体实施方式
下面通过实施例,并结合附图,对本公开的技术方案作进一步具体的说明。在说明书中,相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本公开实施方式的说明旨在对本公开的总体发明构思进行解释,而不应当理解为对本公开的一种限制。
另外,在下面的详细描述中,为便于解释,阐述了许多具体的细节以提供对本披露实施例的全面理解。然而明显地,一个或多个实施例在没有这些具体细节的情况下也可以被实施。
需要说明的是,本文中所述的“在……上”、“在……上形成”和“设置在……上”可以表示一层直接形成或设置在另一层上,也可以表示一层间接形成或设置在另一层上,即两层之间还存在其它的层。
用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等;用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。
需要说明的是,虽然术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等可以在此用于描述各种部件、构件、元件、区域、层和/或部分,但是这些部件、构件、元件、区域、层和/或部分不应受到这些术语限制。而是,这些术语用于将一个部件、构件、元件、区域、层和/或部分与另一个相区分。
在本公开中,除非另有说明,所采用的术语“同层设置”指的是两个层、部件、构件、元件或部分可以通过同一构图工艺形成,并且,这两个层、部件、构件、元件或部分一般由相同的材料形成。
在本公开中,除非另有说明,表述“构图工艺”一般包括光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、光刻胶的剥离等步骤。表述“一次构图工艺”意指使用一块掩模板形成图案化的层、部件、构件等的工艺。
如图1所示,本公开一实施例提供了一种液晶显示面板10,该液晶显示面板10具有显示区10a及环绕显示区10a的非显示区10b;其中,如图2至图5所示,液晶显示面板10可包括:对盒设置的彩膜基板11和阵列基板12以及位于彩膜基板11和阵列基板12之间的封框胶13,此封框胶13位于非显示区10b。需要说明的是,如图6所示,此液晶显示面板10的至少部分为从一张显示模组大板1中切割出来,即:一张显示模组大板1可形成有多块液晶显示面板10,在完成一张显示模组大板1的制作后,若想获得单独的液晶显示面板10,需要对这一张显示模组大板1进行切割,这就使得液晶显示面板10的阵列基板12和彩膜基板11形成有断面,阵列基板12的断面和彩膜基板11的断面位于图2和图3中虚线a所在的平面,其中,阵列基板12和彩膜基板11中的断面需要进行研磨。
下面结合附图对本公开实施例的液晶显示面板10进行详细说明。
在一些实施例中,如图2至图5所示,阵列基板12可包括第一基底120,此第一基底120具有基板断面120a,该基板断面120a位于图2和图3中虚线a所在的平面。此第一基底120可为玻璃基板,但不限于此。应当理解的是,为了方便在第一基底120的各个区域加工所需部件,可在第一基底120上先定义各区域,举例而言,可先在第一基底120上划分出显示区10a和非显示区10b。
在一些实施例中,如图4和图5所示,阵列基板12还可包括形成在第一基底120上的薄膜晶体管121,此薄膜晶体管121可设置有多个,薄膜晶体管121可设置在显示区10a,也可设置在非显示区10b。其中,薄膜晶体管121可包括栅极121a、有源层121b及源漏电极,此源漏电极包括同层设置的源电极121c和漏电极121d,该源电极121c和漏电极121d分别与有源层121b两侧的掺杂区连接;需要说明的是,栅极121a与有源层121b之间还可设置栅绝缘层122,以使栅极121a与有源层121b之间相互绝缘,其中,栅绝缘层122整层形成,其位于显示区10a和非显示区10b。
在本公开的实施例中,如图4和图5所示,薄膜晶体管121可为底栅型,该底栅型薄膜晶体管的栅极121a形成在第一基底120上;此栅极121a可包括金属材料或者合金材料,以保证其良好的导电性能;栅绝缘层122形成在第一基底120上并覆盖栅极121a,此栅绝缘层122可采用无机材料制作而成,例如:氧化硅、氮化硅等无机材料;有源层121b形成在栅绝缘层122背离第一基底120的一侧,有源层121b具有位于两侧的掺杂区;源电极121c和漏电极121d分别与有源层121b两侧的掺杂区连接;该源电极121c和漏电极121d可包括金属材料或者合金材料,以保证良好的导电性。但不限于此,该薄膜晶体管121也可为顶栅型,即:栅极121a位于有源层121b远离第一基底120的一侧。
在一些实施例中,如图4和图5所示,阵列基板12还可包括形成在第一基底120上并位于显示区10a的公共电极123和像素电极124;为了保证显示区10a的透光率,公共电极123、像素电极124可采用ITO(氧化铟锡)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)等透明材料制作而成。
在一些实施例中,如图4所示,阵列基板12可为高级超维场开关(Adwanced DimensIn Switch,ADS)型;具体地,公共电极123可为板状电极,此公共电极123可在形成栅极121a之前形成在第一基底120的显示区10a;像素电极124为狭缝电极,该像素电极124可在形成源漏电极之后形成,也就是说,像素电极124可位于公共电极123的上方,此像素电极124与公共电极123相互绝缘;应当理解的是,在形成源漏电极之后及形成像素电极124之前,需先形成一层第一钝化层125a,此像素电极124可通过过孔(此过孔为具有导电材料的过孔)与薄膜晶体管121中的漏电极121d电连接。其中,第一钝化层125a整层形成,其位于显示区10a和非显示区10b;此第一钝化层125a的厚度较薄,通常在0.5μm左右。
在一些实施例中,如图5所示,阵列基板12可为高开口率且高级超维场开关(High-Adwanced Dimens In Switch,HADS)型;具体地,像素电极124可为板状电极,此像素电极124在形成源漏电极之后形成,应当理解的是,在形成源漏电极之后及形成像素电极124之前,需先形成一层第一钝化层125a,此像素电极124可通过过孔与薄膜晶体管121中的漏电极121d连接;公共电极123可为狭缝电极,此公共电极123可在形成像素电极124之后形成,也就是说,公共电极123位于像素电极124的上方,应当理解的是,在形成像素电极124之后及形成公共电极123之前,需先形成一层第二钝化层125b,使得像素电极124与公共电极123之间相互绝缘。其中,第一钝化层125a和第二钝化层125b整层形成,其位于显示区10a和非显示区10b;此第一钝化层125a和第二钝化层125b的厚度较薄,通常在0.5μm左右。
需要说明的是,阵列基板12的非显示区10b也可设置有与公共电极123、像素电极124同层设置的结构,图中未示出,由于这些结构并不是本公开实施例的主要改进点,因此,在此不作详细说明,这些结构具体作用可根据实际情况而定。
在一些实施例中,阵列基板12还可包括形成在第一基底120上并位于显示区10a的存储电容(图中未示出)。
在一些实施例中,位于显示区10a的像素电极124、公共电极123、薄膜晶体管121、存储电容可组成一个子像素单元,该显示区10a可具有阵列排布的多个子像素单元。
在一些实施例中,如图2和图4所示,阵列基板12还可包括形成在第一基底120上并位于显示区10a的栅线126、数据线(图中未示出)、公共引线127,此栅线126可与薄膜晶体管121的栅极121a同层设置,并与栅极121a电连接;数据线可与薄膜晶体管121的源漏电极同层设置,且数据线可与薄膜晶体管121的源电极121c电连接;公共引线127可与栅线126同层设置,但不限于此,此公共引线127可与公共电极123之间的电连接。
在一些实施例中,如图2和图3所示,阵列基板12还可包括形成在第一基底120上并位于非显示区10b的引出电极128,其中,第一基底120具有位于非显示区10b的封框胶设置区(此封框胶设置区为第一基底上与封框胶13对应的区域)和引出电极设置区(此引出电极设置区为第一基底上与引出电极128对应的区域);此封框胶设置区为预留区域,为后续对盒制程中封框胶13的涂覆留足空间,也就是说,此封框胶设置区在后续对盒制程过程中可形成有封框胶13,此封框胶13在第一基底120上的正投影位于封框胶设置区内或与封框胶设置区完全重叠(如图2和图3所示);引出电极设置区位于封框胶设置区远离显示区10a的一侧,引出电极设置区上形成有引出电极128,也就是说,引出电极128可位于封框胶13远离显示区10a的一侧。
需要说明的是,此引出电极128可通过走线129与显示区10a的子像素单元的电连接,此走线129可设置有多条,部分走线129可与栅线126同层设置,如图2和图3所示,但不限于此,部分走线也可与源漏电极等同层设置。引出电极128可与覆晶薄膜等驱动结构进行绑定,该引出电极128可将驱动结构的信号传导至显示区10a的子像素单元。
在一些实施例中,如图7所示,引出电极128与覆晶薄膜14等驱动结构可为侧向绑定,即:引出电极128中远离显示区10a的断面可为绑定断面1280,此绑定断面1280与覆晶薄膜14等驱动结构进行绑定,这样相比于如图8所示的相关技术中引出电极128与覆晶薄膜14等驱动结构在引出电极128的顶面进行绑定的方案,在实现信号传导的同时,利于实现液晶显示面板10的窄边框化,此外,还可为液晶显示面板10的边框处(即:非显示区10b)设计争取了更大的有效空间。需要说明的是,此处提到的顶面指的是引出电极128远离第一基底120的表面。此液晶显示面板10可用作极窄拼接屏产品中,其边框处尺寸可为0.5mm左右。
应当理解的是,为了使得引出电极128与覆晶薄膜14等驱动结构便于绑定及保证两者之间的绑定稳定性,可使第一基底120的基板断面120a与引出电极128的绑定断面1280位于同一平面(如图2和图3中虚线a所在的平面)内,即:第一基底120的基板断面120a与引出电极128的绑定断面1280可位于同一切割研磨平面内。
在一些实施例中,如图2、图3及图7所示,引出电极128可包括第一电极128a和第二电极128b,此第一电极128a可与薄膜晶体管121的栅极121a同层设置,第二电极128b可与薄膜晶体管121的源漏电极同层设置,且第二电极128b与第一电极128a通过过孔电连接。其中,第一电极128a和第二电极128b中远离显示区10a的面位于前述提到的绑定断面1280内,也就是说,在将液晶显示面板10从一张显示模组大板1中切割下来之后,引出电极128中的第一电极128a和第二电极128b均具有露出的断面,此断面位于图2和图3中虚线a所在的平面,且第一电极128a和第二电极128b的断面位于同一切割研磨平面内。
在本公开的实施例中,通过将引出电极128设置为两层电极结构,这样可增大引出电极128中绑定断面1280的面积,从而可提高引出电极128与覆晶薄膜14等驱动结构之间的连接稳定性,提高产品良率。
需要说明的是,引出电极128不限于两层电极结构,也可设置为单层电极结构,例如:引出电极128仅包括与栅极121a同层设置的电极结构,或仅包括与源漏电极同层设置的电极结构等等;且引出电极128还可设置三层及以上电极结构等等,视具体情况而定。
前述提到液晶显示面板10的至少部分结构为从一张显示模组大板1中切割研磨后得到,但切割研磨后的液晶显示面板10中引出电极128容易出现长短不一、边缘毛刺等问题,如图9所示;从而导致在与覆晶薄膜14等驱动结构绑定过程中容易划伤覆晶薄膜14等驱动结构,使得容易出现无法有效导通等问题,继而导致显示产品在显示过程中容易不良,如图10所示;为了避免这一情况的发生,在一些实施例中,如图2、图3及图7所示,可在引出电极128远离第一基底120的一侧形成保护膜层15,此保护膜层15远离显示区10a的侧面为膜层断面,此膜层断面位于图2和图3中虚线a所在的平面。
在本公开的实施例中,通过在引出电极128上形成保护膜层15,可增加引出电极128上膜层的厚度,这样在对组装后的显示模组进行切割研磨的过程中,此保护膜层15可起到缓冲和保护引出电极128的作用,相比于如图11所示的相关技术中在侧面进行绑定但未在引出电极128上设置保护膜层15的方案,可避免引出电极128出现长短不一、边缘毛刺过多、断片或剥离等问题,有效改善切割研磨后引出电极128断面外观,改善后的引出电极128外观如图12所示,从而可提高覆晶薄膜14等驱动结构与阵列基板12之间的导通良率,继而可提高显示产品良率及显示效果,具体如图13所示。
其中,引出电极128的绑定断面1280与第一基底120的基板断面120a及保护膜层15的膜层断面150可位于同一平面内,以保证覆晶薄膜14等驱动结构与阵列基板12的绑定稳定性。
在一些实施例中,在阵列基板12为ADS型时,保护膜层15可在形成像素电极124之后形成在引出电极128上方;在阵列基板12为HADS型时,保护膜层15可在形成第一钝化层125a之后及形成像素电极124之前形成在引出电极128上方。
在一些实施例中,此保护膜层15为有机材料膜层,也就是说,保护膜层15的材料为有机材料,这样可增加保护膜层15的缓冲性能,以进一步有效改善切割研磨后引出电极128断面外观,提高覆晶薄膜14等驱动结构与阵列基板12之间的导通良率,从而提高产品良率。举例而言,此有机材料可为高分子聚合物材料,例如:有纤维素衍生物类、聚酰亚胺类、含硅聚合等等。
在一些实施例中,保护膜层15的厚度可为1.5μm至3μm,比如:1.5μm、2μm、2.5μm、3μm等等,这样设计可避免保护膜层15过薄而起不到缓冲、保护作用的情况,以及还可避免保护膜层15过厚而导致产品过厚的情况,利于实现产品的轻薄化。
在一些实施例中,如图2、图3及图7所示,保护膜层15与封框胶设置区之间的间距H1不小于100μm,这样设计可避免在后续制作封框胶13时,封框胶13与保护膜层15发生交叠的情况,从而保证液晶显示面板10的PCT及Peel off特性。
需要说明的是,PCT及Peel off指的是液晶显示面板10的一种信赖性测试手段,PCT是指高温高压高湿测试(高温蒸煮);Peel off是指给液晶显示面板10施加一定的拉拔力,检测彩膜基板11和阵列基板12是否容易分离,越不容易分离越好。
应当理解的是,本公开实施例中的引出电极128和保护膜层15不限于设置在显示区10a的一侧,也可设置在显示区10a的多侧,视具体情况而定。
在一些实施例中,阵列基板12上还可设置配向层(图中未示出),此配向层至少位于显示区10a的液晶分子将来能够沿着配向层的摩擦方向排列,保证液晶分子排列的一致性。
在一些实施例中,在形成完配向层之后,在封框胶设置区进行密封胶涂布,以形成封框胶13,此封框胶13的目的是为了使阵列基板12与彩膜基板11粘合固定,同时也能防止显示区10a内液晶外流。
在一些实施例中,如图2至图5和图7所示,彩膜基板11可包括第二基底110、形成在第二基底110上的黑矩阵111和在黑矩阵111之后形成的树脂层112及隔垫物。
其中,此树脂层112可包括彩色滤光层及OC保护层,此彩色滤光层可包括多个间隔设置的彩色滤光片,多个彩色滤光片可包括R(红)、G(绿)、B(蓝)滤光片等,每个彩色滤光片对应一子像素单元;且相邻彩色滤光片之间通过黑矩阵111间隔开,应当理解的是,本公开的实施例中,彩色滤光片在黑矩阵111之后形成,彩色滤光片的部分可搭接在黑矩阵111上,以避免彩色滤光片与黑矩阵111之间出现漏光的情况;而OC保护层可覆盖彩色滤光片和黑矩阵111,以对彩色滤光片和黑矩阵111进行保护。其中,彩色滤光片主要位于显示区10a;而黑矩阵111用于遮挡阵列基板12中设置金属结构、例如:薄膜晶体管121、栅线126、公共引线127等等。隔垫物设置有多个,此隔垫物用于支撑阵列基板12和彩膜基板11,液晶位于显示区10a且位于隔垫物支撑起来的空间内,多个隔垫物可包括主隔垫物113,如图2、图3及图7所示;且还可包括辅隔垫物(图中未示出),主隔垫物113与辅隔垫物之间存在段差(高度差),通过调节主隔垫物113与辅隔垫物之间的段差可以对显示装置的厚度进行微调。
示例地,主隔垫物113的高度大于辅隔垫物的高度,当液晶显示面板10受到外界压力时,主隔垫物113先承受所有压力并压缩,当主隔垫物113压缩至主隔垫物113与辅隔垫物之间的段差降为0时,主隔垫物113和辅隔垫物共同承受外界压力。其中,主隔垫物113和辅隔垫物可位于显示区10a,但不限于此,也可位于非显示区10b等等,视具体情况而定。
需要说明的是,显示区10a中的隔垫物,例如图2、图3及图7中所示的主隔垫物113在第一基底120上的正投影可位于栅线126在第一基底120上的正投影内,该隔垫物可利用遮挡栅线126的黑矩阵111对其进行遮挡,这样可缓解隔垫物对开口率的影响。
在一些实施例中,液晶显示面板10还可包括位于封框胶13内的液晶(图中未示出)。
在一些实施例中,如图2和图7所示,液晶显示面板10还包括覆晶薄膜14,覆晶薄膜14上设置有连接电极140,连接电极140位于引出电极128的绑定断面1280远离显示区10a的一侧,且连接电极140与引出电极128的绑定断面1280电连接。
可选地,如图2和图7所示,覆晶薄膜14中的连接电极140通过导电胶16与引出电极128的绑定断面1280电连接,在实现连接电极140与引出电极128电性导通的同时,还可降低绑定难度。
进一步地,如图2和图7所示,此导电胶16至少覆盖引出电极128的绑定断面1280和第一基底120的基板断面120a,以保证连接电极140与阵列基板12的粘接面积,从而保证覆晶薄膜14与阵列基板12的电性连接稳定性。举例而言,该导电胶16可覆盖整个阵列基板12的断面,但不限于此,导电胶16在覆盖整个阵列基板12的断面的同时,还可覆盖整个彩膜基板11的断面,视具体情况而定。
其中,该导电胶16可为导电银胶,导电银胶是通过基体树脂的粘接作用把导电粒子结合在一起,形成导电通路,实现被粘材料的导电连接。
本公开一实施例提供了一种液晶显示面板10的制作方法,该液晶显示面板10可为前述实施例所描述的液晶显示面板10。其中,该液晶显示面板10的制作方法可包括:
步骤S100,形成阵列大板;结合图6和图14所示,阵列大板具有多个阵列基板12和位于相邻阵列基板12之间的第一虚设基板18,应当理解的是,图14中虚线a左侧为阵列基板12,右侧为第一虚设基板18;阵列基板12具有显示区10a和环绕显示区10a设置的非显示区10b,阵列基板12包括第一基底120、形成在第一基底120并位于非显示区10b的引出电极128以及形成在引出电极128远离第一基底120一侧的保护膜层15,其中,引出电极128和保护膜层15的部分延伸至第一虚设基板18中;
步骤S102,形成彩膜大板;结合图6和图14所示,彩膜大板具有与阵列基板12对位设置的彩膜基板11和与第一虚设基板18对位设置的第二虚设基板19,应当理解的是,图14中虚线a左侧为彩膜基板11,右侧为第二虚设基板19;
步骤S104,在阵列基板12的非显示区10b上涂覆封框胶13;如图14所示,封框胶13位于引出电极128靠近显示区10a的一侧;
步骤S106,将彩膜大板与阵列大板进行对盒工艺,彩膜大板通过封框胶13与阵列大板粘合以形成显示模组大板1,如图6所示;其中,第一虚设基板18和第二虚设基板19在对盒工艺完成之后,整体可定义为虚设面板17,如图6所示;
步骤S108,沿着阵列基板12和第一虚设基板18的交界处对显示模组大板1进行切割,以形成包括阵列基板12和彩膜基板11的液晶显示面板10;此,液晶显示面板10如图1所示;需要说明的是,阵列基板12和第一虚设基板18的交界处为图14中的虚线a。
应当理解的是,本公开实施例的提供的上述制作方法应该具备与本公开实施例提供的液晶显示面板10具有相同的特点和优点,所以,本公开实施例的提供的上述制作方法的特点和优点可以参照上文描述的液晶显示面板10的特点和优点,在此不再赘述。
其中,步骤S100具体可包括:
步骤S1001,提供第一基底120;
步骤S1002,利用一次构图工艺在第一基底120上形成位于显示区10a的栅极121a和位于非显示区10b的第一电极128a;
步骤S1003,在第一基底120上形成栅绝缘层122,该栅绝缘层122覆盖栅极121a和第一电极128a;
步骤S1004,利用一次构图工艺在栅绝缘层122上形成位于显示区10a的源漏电极和位于非显示区10b的第二电极128b;第二电极128b与第一电极128a通过过孔电连接以形成引出电极128;
其中,在沿着阵列基板12和第一虚设基板18的交界处对显示模组大板1进行切割之后,第一电极128a和第二电极128b中远离显示区10a的面位于引出电极128的绑定断面1280内,如图2所示。
需要说明的是,在利用一次构图工艺形成栅极121a和第一电极128a的同时,还可形成位于显示区10a的栅线126、公共引线127等,如图4所示。在利用一次构图工艺形成源漏电极和第二电极128b的同时,还可形成位于显示区10a的数据线等。此外,在利用一次构图工艺形成源漏电极和第二电极128b之前,还可在显示区10a形成有源层121b。
在一些实施例中,如图14所示,阵列基板12上具有位于显示区10a的第一支撑区Q;第一虚设基板18具有第二支撑区P,第二支撑区P位于保护膜层15远离显示区10a的一侧,且第二支撑区P与保护膜层15之间的间距H2不小于200μm,此第一支撑区Q和第二支撑区P可为预留区,为后续对盒制程中的隔垫物留足空间;其中,彩膜大板可包括多个隔垫物,多个隔垫物可包括设置在彩膜基板11上的主隔垫物113和设置在第二虚设基板19上的虚设隔垫物190;其中,主隔垫物113和虚设隔垫物190在彩膜大板与阵列基板12进行对盒工艺的过程中分别支撑在第一支撑区Q和第二支撑区P。
在本公开的实施例中,通过使预留的第二支撑区P与保护膜层15之间的间距H2不小于200μm,以避免后续在对盒制程中虚设隔垫物190支撑在保护膜层15所在的区域,从而导致支撑过强,产生不良的问题。
需要说明的是,在彩膜大板与阵列大板对盒之后,还可向封框胶13所围成的区域内注入液晶(图中未示出)。
其中,在沿着阵列基板12和第一虚设基板18的交界处对显示模组大板1进行切割之后,液晶显示面板10的制作方法还包括:步骤S110,将覆晶薄膜14上的连接电极140与引出电极128的绑定断面1280电连接。
具体地,该步骤S110可包括:
步骤S1101,形成至少覆盖第一基底120的基板断面120a和引出电极128的绑定断面1280的导电胶16;
步骤S1102,将覆晶薄膜14上的连接电极140与导电胶16粘合,以使连接电极140与绑定断面1280电连接;如图7所示。
应当注意,尽管在附图中以特定顺序描述了本公开中方法的各个步骤,但是,这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤,或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的,可以省略某些步骤,将多个步骤合并为一个步骤执行,以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。此外,上面的一些步骤可以并行执行或顺序执行等等,并不局限于上文描述的具体操作顺序。
本公开的实施例还提供了一种液晶显示装置,其包括上述任一实施例所描述的液晶显示面板10即位于阵列基板12远离彩膜基板11一侧的背光模组(图中未示出)。
根据本公开的实施例,该显示装置的具体类型不受特别的限制,本领域常用的显示装置类型均可,具体例如液晶显示屏、手机、笔记本电脑等移动装置、手表等可穿戴设备、VR装置等等,本领域技术人员可根据该显示设备的具体用途进行相应地选择,在此不再赘述。
需要说明的是,该显示装置除了液晶显示面板10、背光模组以外,还包括其他必要的部件和组成,以显示器为例,还可包括外壳、主电路板、电源线,等等,本领域善解人意可根据该显示装置的具体使用要求进行相应地补充,在此不再赘述。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的内容后,将容易想到本公开的其他实施例。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化,这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的,本公开的真正范围和精神由权利要求指出。
Claims (14)
1.一种液晶显示面板,所述液晶显示面板具有显示区及环绕所述显示区的非显示区,且所述液晶显示面板包括:对盒设置的彩膜基板和阵列基板以及位于所述彩膜基板和所述阵列基板之间的封框胶,所述封框胶位于所述非显示区;其特征在于,所述阵列基板包括:
第一基底,所述第一基底具有基板断面;
引出电极;形成在所述第一基底上,所述引出电极位于所述非显示区内并位于所述封框胶远离所述显示区的一侧,所述引出电极具有远离所述显示区的绑定断面;
保护膜层,形成在所述引出电极远离所述第一基底的一侧,所述保护膜层具有远离所述显示区的膜层断面;
其中,所述绑定断面与所述基板断面及所述膜层断面位于同一平面内。
2.根据权利要求1所述液晶显示面板,其特征在于,所述保护膜层为有机材料膜层。
3.根据权利要求1所述液晶显示面板,其特征在于,所述保护膜层的厚度为1.5μm至3μm。
4.根据权利要求1所述液晶显示面板,其特征在于,
所述第一基底具有位于所述非显示区的封框胶设置区,所述封框胶在所述第一基底上的正投影位于所述封框胶设置区内或与所述封框胶设置区完全重叠;
其中,所述保护膜层与所述封框胶设置区之间的间距不小于100μm。
5.根据权利要求1所述液晶显示面板,其特征在于,
所述阵列基板还包括形成在所述第一基底上并位于所述显示区的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅极和源漏电极;
所述引出电极包括第一电极和第二电极,所述第一电极与所述栅极同层设置,所述第二电极与所述源漏电极同层设置,且所述第二电极与所述第一电极通过过孔电连接;其中,所述第一电极和所述第二电极中远离所述显示区的面位于所述绑定断面内。
6.根据权利要求1至5中任一项所述液晶显示面板,其特征在于,所述液晶显示面板还包括覆晶薄膜,所述覆晶薄膜上设置有连接电极,所述连接电极位于所述绑定断面远离所述显示区的一侧,且所述连接电极与所述引出电极的绑定断面电连接。
7.根据权利要求6所述液晶显示面板,其特征在于,所述连接电极通过导电胶与所述绑定断面电连接。
8.根据权利要求7所述液晶显示面板,其特征在于,所述导电胶至少覆盖所述绑定断面和所述基板断面。
9.根据权利要求7所述液晶显示面板,其特征在于,所述导电胶为导电银胶。
10.一种液晶显示面板的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
形成阵列大板,所述阵列大板具有多个阵列基板和位于相邻阵列基板之间的第一虚设基板;所述阵列基板具有显示区和环绕所述显示区设置的非显示区,所述阵列基板包括第一基底、形成在所述第一基底并位于所述非显示区的引出电极以及形成在所述引出电极远离所述第一基底一侧的保护膜层,其中,所述引出电极和所述保护膜层的部分延伸至所述第一虚设基板中;
形成彩膜大板,所述彩膜大板具有与所述阵列基板对位设置的彩膜基板和与所述第一虚设基板对位设置的第二虚设基板;
在所述阵列基板的所述非显示区上涂覆封框胶,所述封框胶位于所述引出电极靠近所述显示区的一侧;
将所述彩膜大板与所述阵列大板进行对盒工艺,所述彩膜大板通过所述封框胶与所述阵列大板粘合以形成显示模组大板;
沿着所述阵列基板和所述第一虚设基板的交界处对所述显示模组大板进行切割,以形成包括所述阵列基板和所述彩膜基板的液晶显示面板。
11.根据权利要求10所述的制作方法,其特征在于,
所述阵列基板上具有位于所述显示区的第一支撑区;所述第一虚设基板具有第二支撑区,所述第二支撑区位于所述保护膜层远离所述显示区的一侧,且所述第二支撑区与所述保护膜层之间的间距不小于200μm;
所述彩膜基板上设置有主隔垫物,所述第二虚设基板上设置有虚设隔垫物;
其中,所述主隔垫物和所述虚设隔垫物在所述彩膜大板与所述阵列基板进行对盒工艺的过程中分别支撑在所述第一支撑区和所述第二支撑区。
12.根据权利要求10所述的制作方法,其特征在于,形成阵列大板,包括:
提供第一基底;
利用一次构图工艺在所述第一基底上形成位于所述显示区的栅极和位于所述非显示区的第一电极;
在所述第一基底上形成栅绝缘层,该栅绝缘层覆盖栅极和第一电极;
利用一次构图工艺在所述栅绝缘层上形成位于所述显示区的源漏电极和位于所述非显示区的第二电极;所述第二电极与所述第一电极通过过孔电连接以形成所述引出电极;
其中,在沿着所述阵列基板和所述第一虚设基板的交界处对所述显示模组大板进行切割之后,所述第一电极和所述第二电极中远离所述显示区的面位于所述引出电极的绑定断面内。
13.根据权利要求10所述的制作方法,其特征在于,在沿着所述阵列基板和所述第一虚设基板的交界处对所述显示模组大板进行切割之后,所述制作方法还包括:
形成至少覆盖所述第一基底的基板断面和所述引出电极的绑定断面的导电胶;
将覆晶薄膜上的连接电极与所述导电胶粘合,以使所述连接电极与所述绑定断面电连接。
14.一种液晶显示装置,其特征在于,包括权利要求1至9中任一项所述的液晶显示面板及位于所述阵列基板远离所述彩膜基板一侧的背光模组。
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