CN111320629A - 一种螺环类有机电致发光材料及其应用 - Google Patents
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Abstract
Description
本发明涉及一种有机化合物,其可以用作有机电致发光器件发光材料;本发明还涉及该化合物在 有机电致发光器件中的应用。
背景技术
OLED中最早利用的染料是纯有机小分子发光材料。基于此类材料的器件,寿命长并且效率滚降 小。但是,材料只能利用25%的S1发光,而占75%的T1因为自旋禁阻的原因只能通过非辐射跃迁的 途径损失掉。1998年,美国普林斯顿大学的Forrest等首次报道了基于T1发光的PHOLEDs。利用重 金属Pt原子造成的旋轨耦合效应使得T1在室温下即可有效的发光,从而能够理论上实现100%的内 量子效率。目前,大部分的磷光染料是基于Ir的配合物。Ir配合物的六面体构型有利于材料高的发光 效率,同时减小材料堆叠造成的淬灭。高效的红绿蓝光Ir配合物均有报道,并且外量子效率都已超过 30%,是应用最为成功的OLED染料。但是,磷光材料也并不是完美的。首先,磷光材料T1的寿命 一般在1μs以上,远远高于荧光材料几十纳秒的寿命,因此,PHOLEDs在高电流密度下效率滚降严 重。其次,磷光材料需要重金属原子来促进T1发光,但是,同样也是因为重金属的存在,使得磷光 染料的价格昂贵,特别是稀有金属Ir配合物。再次,蓝色磷光材料宽的带隙导致蓝光PHOLEDs的寿命很短,这也是一直制约PHOLED进一步产业化的原因之一。
日本九州大学的Adachi教授发现的基于三线态-单线态跃迁的热激活延迟荧光(TADF)材料利用环境 热量可实现能量从三线态激发态向单线态激发态的逆向系间窜越,无需使用高成本的稀有金属即可实现高 发光效率。在专利文献1(CN102648268B)中,新日铁住金化学株式会社和九州大学揭示了一种基于吲哚 并咔唑的材料,并揭示了一种荧光及延迟荧光型的有机发光元件,其特征在于,在基板上具有至少一个发 光层含有发射荧光及延迟荧光的有机发光材料,所述发光材料的激发单重态能量和激发三重态能量的差为 0~0.2eV,代表化合物展示了较高的效率性能。清华大学段炼教授提出的热活化敏化延迟荧光(TASF)发光 机理的重点是利用具有TADF性质的材料作为敏化剂,将激发态三线态能量通过上转换至激发态单重态能 量,然后通过Foxter能量转移至染料激发态单重态,再实现发光,从而实现了能量采集和发光过程的分离。 在专利文献2(CN 102709485B)揭示了一种有机电致发光器件,包括彼此层叠的阳极、空穴传输层、发光 层、电子传输层及阴极,其特征在于,发光层的主体材料的三线态与单线态能级差小于0.15eV,且在所述 主体材料中掺杂荧光染料,并且所述荧光染料的单线态能级低于主体材料的单线态能级,实现了高的效率 和低的效率滚降以及更好的色纯度。
热活化延迟荧光过程主要可以分为几个部分:S1的辐射跃迁以及非辐射跃迁,T1的非辐射跃迁 过程,ISC过程以及RISC过程。在这些过程中,RISC过程是整个TADF过程的核心。RISC过程 的效率直接决定了T1的利用率。目前,TADF材料存在主要问题是采用掺杂器件在高电流密度下效 率滚降严重,因此,现有的有机电致发光材料在发光性能方面还有很大改进余地,业界亟需开发新的 有机电致发光材料。
发明内容
为了在有机电致发光器件中得到高的发光效率,降低器件的效率滚降,本发明提出了一系列具有 新型螺环母核的化合物。本发明的主要目的在于提供一种有机电致发光器件用化合物、其在有机电致 发光领域的应用及采用其作为发光材料的有机电致发光器件。
本发明提供了一种通式化合物,具有如式(1)所示的结构式:
式(1)中,Z1~Z16彼此相同或不同,各自独立地表示氮原子或CR1,R1独立地选自氢、C1~C12烷基、C1~C12烷氧基、卤素、氰基、硝基、羟基、硅烷基、氨基、取代或未取代的C6~C30芳基氨基、 取代或未取代的C3~C30杂芳基氨基、取代或未取代的C6~C30芳基、取代或未取代的C3~C30杂芳基 中的一种;R1的数量为2个以上时,多个R1彼此相同或不同,相邻的R1之间彼此可以连接成环,或 者R1与其相连接的苯环稠合形成C9~C30芳基或杂芳基;
进一步的,优选Z1~Z16为CR1,其中R1独立地选自氢、C1~C10烷基、C1~C12烷氧基、卤素、 取代或未取代的C6~C15芳基氨基、取代或未取代的C3~C15杂芳基氨基、取代或未取代的C6~C15芳基、取代或未取代的C3~C15杂芳基中的一种;更进一步的,优选R1为氢;
L1和L2各自独立地选自单键、取代或未取代的C6~C30亚芳基、取代或未取代的C3~C30亚杂芳 基中的一种;
Ar1和Ar2独立地选自C1~C12烷基、取代或未取代的C6~C30芳基、取代或未取代的C2~C30的 杂芳基中的一种;
Ar1优选自取代或未取代的C6~C30芳基、取代或未取代的C2~C30的杂芳基中的一种;
当上述基团存在取代基时,所述取代基团分别独立选自卤素、C1-C10的烷基或环烷基、C2-C10烯 基、C1-C6的烷氧基或硫代烷氧基基团、C6-C30的单环芳烃或稠环芳烃基团、C3-C30的单环杂芳烃或稠 环杂芳烃基团中的一种。
进一步的,L1和L2各自独立地选自单键或如下式(L-1)所示:
式(L-1)中:p和q分别独立选自0或1,且不同时为0;
A和B分别独立地选自取代或者未取代的以下S1-S8所示的结构:
具体说,Ar1优选自取代或未取代的C4~C20的给电子杂芳基;
进一步优选地,上述Ar1所优选的杂芳基选自取代或未取代的下述基团:芳氨基、呋喃基、噻吩 基、吡咯基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、吩噁嗪基、 吩噻嗪基、吖啶基及其衍生物。
或者Ar1优选自取代或未取代的C2~C20的缺电子杂芳基;
进一步优选地,上述Ar1所优选的杂芳基选自取代或未取代的下述基团:吡啶基、噁唑基、噻唑 基、喹啉基、嘧啶基、咪唑、苯基嘧啶、三嗪基、噁硼杂环基及其衍生物;
更进一步的,Ar1优选但不限于取代或未取代的下述结构式S9-S40:
X选自S或O;
R2和R2独立地选自取代或未取代的C6~C30芳基、取代或未取代的C3~C30杂芳基中的一种。
进一步的,Ar2优选取代或未取代的C6~C20芳基,更优选为苯基、萘基;
作为本发明的新型通式化合物的优选例子,可举出选用下述代表性化合物C1-C60:
作为本发明的另一个方面,本发明还提供了一种如上所述的化合物在有机电致发光器件中的应用。 本发明的化合物优选用于有机电致发光器件中作为发光层中的材料,具体说,可以作为发光主体材料、 发光染料或作为发光层中的具有敏化功能的材料。
作为本发明的又一个方面,本发明还提供了一种有机电致发光器件,包括第一电极、第二电极和 插入在所述第一电极和第二电极之间的若干有机层,所述有机层中含有如上所述通式(1)表示的化 合物。
上述本发明化合物作为主体材料性能优异的具体原因尚不明确,推测可能是以下的原因:
本发明化合物利用螺环基团作为母核键有三个优势:(1)螺环结构具有高的三线态能级,在母核 上引入取代基团对化合物的电荷分布进行调节,有利于电子的进一步离域分布,从而调节材料的单线 态-三线态能级;(2)当引入供电子基团时,化合物具备高的三线态能级,其由于母核基团的结构特点, 使得化合物具备良好的分子堆积性能,用作有机发光层材料可以改善其成膜性能,从而改善器件稳定 性;(3)当引入拉电子基团时,其由于母核基团的结构特点,使得电荷在分子内较好的离域,用作有 机发光层材料可以有效利用三线态激子能量,从而有利于器件效率的改善。
另外,本发明化合物的制备工艺简单易行,原料易得,适合于量产放大。
具体实施方式
为了使本领域技术人员更好地理解本发明,下面结合具体实施方式对本发明作进一步详细说明。
本发明中未提到的合成方法的化合物的都是通过商业途径获得的原料产品。实施例中所用的各种 化学药品如石油醚、乙酸乙酯、正己烷、甲苯、四氢呋喃、二氯甲烷、1,2-双(溴甲基)苯、CuI、 邻苯二甲酰氯、碳酸铯、磷酸钾、乙二胺、叔丁醇钠、1-溴-2-甲基萘、邻二溴苯、丁基锂、二溴乙烷、 邻二溴苯、N-溴代丁二酰亚胺、甲氧甲基三甲基氯化鏻、三(二亚苄基丙酮)二钯、四(三苯基膦)钯、1,3- 双二苯基膦丙烷氯化镍、咔唑、3,6-二叔丁基咔唑、N-苯基咔唑-3-溴、2-(4-溴苯)-4,6-二苯基三嗪 等基础化工原料均可在国内化工产品市场买到。
本发明中的中间体和化合物的分析检测使用ABSCIEX质谱仪(4000QTRAP)和布鲁克核磁共振 仪(400M Hz)。
下面对本发明化合物的合成方法进行简要的说明。
合成实施例1
化合物C1的合成:
中间体M1的合成:
在500mL反应瓶中加入2,3-二溴-1-苯基吲哚嗪(3.49g,10mmol),苯硼酸(1.22g,10mmol),二氧 六环(50mL),加入K3PO4(4.24g,20mmol),Pd(PPh3)4(2.31g,2mmol),氮气保护下加热到90℃,反 应4小时,TLC监测至反应完全,过滤掉固体,浓缩溶液,通过硅胶柱纯化,浓缩后用甲苯重结晶得 2.26g化合物中间体M1。产物MS(m/e):347.03.
中间体M2的合成:
室温弱氮气流下在一个装有磁力搅拌的100mL三口烧瓶中加入NaH(240mg,6mmol)DMF16mL, 搅拌下滴加吖啶酮(4.68mg,44mmol)的DMF溶液15mL,滴毕,继续室温搅拌反应1小时。搅拌下 滴加氟苯(1.8g,20mmol)的DMF溶液15mL,滴毕升温至80℃继续搅拌反应4小时。TLC跟踪反应完 全,停止反应。将反应液降至室温,加入50ml纯水,析出白色固体,过滤,乙醇淋洗。得到3.52g固体。 产物MS(m/e):271.1。
化合物C1的合成:
取一干燥的1000mL三口瓶,氮气条件下依次加入中间体M1(13.9g,40mmol)以及干燥的四氢呋 喃(150mL),反应体系降温至-78℃。持续搅拌30min后逐滴加入正丁基锂(20Ml,2M),滴加完毕后, 维持低温反应1.5h。最后将M2(10.8g,40mmol)以500mL干燥的THF溶解,逐滴滴加到反应体系中。滴 加完毕后升温至室温继续反应12h。反应结束后,加入蒸馏水(20ml)进行淬灭,通过减压蒸馏将反应体 系的溶剂除去。在粗产品中加入300mL冰醋酸以及30mL浓盐酸,升温至100℃反应12h。反应结束后, 将反应体系溶剂减压蒸馏除去。柱层析,得到大量固体,13.1g。产物MS(m/e):522.2。
合成实施例2
化合物C2的合成:
中间体M3的合成:
合成方法同中间体M2,不同之处在于,用3,6-二叔丁基-9-(3-氟苯基)-9H咔唑代替氟苯进行反应, 得到固体2.56g。产物MS(m/e):548.3.
化合物C2的合成:
合成方法同化合物C1,不同之处在于,用中间体M3代替中间体M2进行反应,得到固体16.7g。产 物MS(m/e):799.4.
合成实施例3
化合物C3的合成:
中间体M4的合成:合成方法同中间体M2,不同之处在于,用3,6-二异丙基-9-(3-氟苯基)-9H咔唑代替 氟苯进行反应,得到固体2.37g。产物MS(m/e):520.3.
化合物C3的合成:
合成方法同化合物C1,不同之处在于,用中间体M4代替中间体M2进行反应,得到固体13.7g。产 物MS(m/e):771.4.
合成实施例4
化合物C46的合成:
中间体M5的合成:
室温下在一个装有磁力搅拌的500mL单口烧瓶中加入甲苯200ml,Pd2(dba)3(1.25g,1.36mmol)、s-phos (1.12g,2.72mmol),置换氮气3次,常温搅拌1h,加入2-(3-溴苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(10.54 g,27.25mmol)、吖啶酮(6.38g,32.70mmol)、叔丁醇钠(5.24g,54.50mmol),置换氮气3次,升温至回 流,反应过夜。将反应液降至室温,旋干,溶于甲苯中,过硅胶柱,旋干,得到粗产品,甲苯/乙醇重 结晶两次,得到黄色产物9.77g。产物MS(m/e):502.2.
化合物C46的合成:
合成方法同化合物C1,不同之处在于,用中间体M5代替中间体M2进行反应,得到固体11.2g。 产物MS(m/e):753.3.
合成实施例5
化合物C47的合成:
中间体M6的合成:
合成方法同中间体M5,不同之处在于,用2-(3-溴苯基)-4,6-二苯基嘧啶代替2-(3-溴苯基)-4, 6-二苯基-1,3,5-三嗪进行反应,得到固体2.18g。产物MS(m/e):501.2.
化合物C47的合成:
合成方法同化合物C1,不同之处在于,用中间体M6代替中间体M2进行反应,得到固体10.5g。产 物MS(m/e):752.3.
合成实施例6
化合物C48的合成:
中间体M7的合成:
合成方法同中间体M5,不同之处在于,用4-溴-2,2’:6’,2”-三吡啶代替2-(3-溴苯基)-4,6-二苯基 -1,3,5-三嗪进行反应,得到固体2.71g。产物MS(m/e):426.2.
化合物C48的合成:
合成方法同化合物C1,不同之处在于,用中间体M7代替中间体M2进行反应,得到固体11.4g。产 物MS(m/e):677.3.
需要说明的是,本发明化合物可以由上述合成方法得到,但不限定于这些方法。本领域技术人员 也可以选取其他方法,例如Stille偶联法、格氏试剂法、Kumada-Tamao等已知的方法,任何等同的合 成方法使用能实现目标化合物制备的目的,都可以根据需要选择。
器件实施例
实施方式
OLED包括位于第一电极和第二电极,以及位于电极之间的有机材料层。该有机材料又可以分为 多个区域。比如,该有机材料层可以包括空穴传输区、发光层、电子传输区。
在具体实施例中,在第一电极下方或者第二电极上方可以使用基板。基板均为具有机械强度、热 稳定性、防水性、透明度优异的玻璃或聚合物材料。此外,作为显示器用的基板上也可以带有薄膜晶 体管(TFT)。
第一电极可以通过在基板上溅射或者沉积用作第一电极的材料的方式来形成。当第一电极作为阳 极时,可以采用铟锡氧(ITO)、铟锌氧(IZO)、二氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)等氧化物透明导电材料和 它们的任意组合。第一电极作为阴极时,可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、 镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)等金属或合金以及它们之间的任意组合。
有机材料层可以通过真空热蒸镀、旋转涂敷、打印等方法形成于电极之上。用作有机材料层的化 合物可以为有机小分子、有机大分子和聚合物,以及它们的组合。
空穴传输区位于阳极和发光层之间。空穴传输区可以为单层结构的空穴传输层(HTL),包括只含 有一种化合物的单层空穴传输层和含有多种化合物的单层空穴传输层。空穴传输区也可以为包括空穴 注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)中的至少一层的多层结构。
空穴传输区的材料可以选自、但不限于酞菁衍生物如CuPc、导电聚合物或含导电掺杂剂的聚合物 如聚苯撑乙烯、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐) (PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(Pani/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(Pani/PSS)、芳香胺衍生物如 下面HT-1至HT-34所示的化合物;或者其任意组合。
空穴注入层位于阳极和空穴传输层之间。空穴注入层可以是单一化合物材料,也可以是多种化合 物的组合。例如,空穴注入层可以采用上述HT-1至HT-34的一种或多种化合物,或者采用下述HI1-HI3 中的一种或多种化合物;也可以采用HT-1至HT-34的一种或多种化合物掺杂下述HI1-HI3中的一种 或多种化合物。
发光层包括可以发射不同波长光谱的的发光染料(即掺杂剂,dopant),还可以同时包括主体材料 (Host)。发光层可以是发射红、绿、蓝等单一颜色的单色发光层。多种不同颜色的单色发光层可以按 照像素图形进行平面排列,也可以堆叠在一起而形成彩色发光层。当不同颜色的发光层堆叠在一起时, 它们可以彼此隔开,也可以彼此相连。发光层也可以是能同时发射红、绿、蓝等不同颜色的单一彩色 发光层。
根据不同的技术,发光层材料可以采用荧光电致发光材料、磷光电致发光材料、热活化延迟荧光 发光材料等不同的材料。在一个OLED器件中,可以采用单一的发光技术,也可以采用多种不同的发 光技术的组合。这些按技术分类的不同发光材料可以发射同种颜色的光,也可以发射不同种颜色的光。
在本发明的一方面,发光层采用热活化延迟荧光发光的技术。其发光层主体材料选自、但不限于 TDH1—TDH24中的一种或多种的组合。
荧光染料可以但不限于以下所罗列的FD1-FD22的一种或多种的组合。
在本发明的一方面,发光层采用磷光电致发光的技术。其发光层磷光掺杂剂可以选自、但不限于以下 所罗列的GPD-1至GPD-47的一种或多种的组合。
OLED有机材料层还可以包括发光层与阴极之间的电子传输区。电子传输区可以为单层结构的电 子传输层(ETL),包括只含有一种化合物的单层电子传输层和含有多种化合物的单层电子传输层。电 子传输区也可以为包括电子注入层(EIL)、电子传输层(ETL)、空穴阻挡层(HBL)中的至少一层的多层结 构。
本发明的一方面,电子传输层材料可以选自、但不限于以下所罗列的ET-1至ET-57的一种或多 种的组合。
器件中还可以包括位于电子传输层与阴极之间的电子注入层,电子注入层材料包括但不限于以下 罗列的一种或多种的组合。
LiQ,LiF,NaCl,CsF,Li2O,Cs2CO3,BaO,Na,Li,Ca。
以下通过实施例1-6和比较例1-2详细说明本发明合成的化合物在器件中应用于发光层染料的效 果;实施例7-18和比较例3-7说明本发明合成的化合物在器件中应用于发光层敏化剂的效果;所述器 件的制作工艺相同,并且采用相同的基板材料和电极材料,电极材料的膜厚也保持一致,所不同的是 器件的发光层材料发生了变化。
本发明的发光层还应该包含以下化合物:
本实施例中有机电致发光器件制备过程如下:
将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理,在去离子水中冲洗,在丙酮:乙醇 混合溶剂中超声除油,在洁净环境下烘烤至完全除去水份,用紫外光和臭氧清洗,并用低能阳离子束 轰击表面;
把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内,抽真空至1×10-5~9×10-3Pa,在上述阳极层膜上真空 蒸镀HI-2作为空穴注入层,蒸镀速率为0.1nm/s,蒸镀膜厚为10nm;
在空穴注入层之上真空蒸镀HT-2作为器件的空穴传输层,蒸镀速率为0.1nm/s,蒸镀总膜厚为 40nm;
在空穴传输层之上真空蒸镀HT-28作为器件的第二空穴传输层,蒸镀速率为0.1nm/s,蒸镀总膜 厚为20nm;
在空穴传输层之上真空蒸镀器件的发光层,发光层包括主体材料和染料材料,利用多源共蒸的方 法,调节主体材料TDH14蒸镀速率为0.1nm/s,染料C46蒸镀速率5%比例设定,蒸镀总膜厚为30nm;
在发光层之上真空蒸镀器件的电子传输层材料ET-34,其蒸镀速率为0.1nm/s,蒸镀总膜厚为30 nm;
在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为0.5nm的LiF作为电子注入层,厚度为150nm的Al层 作为器件的阴极。
以下的实施例1-6、对比例1-2的器件按照上文所述的方法制备,不同之处在于替换了发光层中 的主体材料与染料的搭配方案,具体分别具有如下的器件结构:
实施例1:
按照上文所述的方法制备以下各器件,使其具有以下结构:
ITO(150nm)/HI-2(10nm)/HT-2(40nm)/HT-28(20nm)/TDH14:5%C46(20nm)/ET-34(20nm)/LiF(0.5nm)/Al(1 50nm)
其中5%表示C46相对于TDH-14的重量比为5%,以下实施例也按此方式表达。
实施例2:
ITO(150nm)/HI-2(10nm)/HT-2(40nm)/HT-28(20nm)/TDH14:5%C47(20nm)/ET-34(20nm)/LiF(0.5nm)/Al(1 50nm)
实施例3:
ITO(150nm)/HI-2(10nm)/HT-2(40nm)/HT-28(20nm)/TDH14:5%C48(20nm)/ET-34(20nm)/LiF(0.5nm)/Al(1 50nm)
实施例4:
ITO(150nm)/HI-2(10nm)/HT-2(40nm)/HT-28(20nm)/C1:5%C46(20nm)/ET-34(20nm)/LiF(0.5nm)/Al(150n m)
实施例5:
ITO(150nm)/HI-2(10nm)/HT-2(40nm)/HT-28(20nm)/C2:5%C46(20nm)/ET-34(20nm)/LiF(0.5nm)/Al(150n m)
实施例6:
ITO(150nm)/HI-2(10nm)/HT-2(40nm)/HT-28(20nm)/C3:5%C46(20nm)/ET-34(20nm)/LiF(0.5nm)/Al(150n m)
对比例1:
ITO(150nm)/HI-2(10nm)/HT-2(40nm)/HT-28(20nm)/TDH14:5%FD1(20nm)/ET-34(20nm)/LiF(0.5nm)/Al(1 50nm)
对比例2:
ITO(150nm)/HI-2(10nm)/HT-2(40nm)/HT-28(20nm)/CC-1:5%C46(20nm)/ET-34(20nm)/LiF(0.5nm)/Al(150 nm)
以下的实施例7-12、对比例3-4的器件按照上文所述的方法制备,不同之处在于器件的发光层中 包括主体材料、敏化剂材料和染料材料,利用多源共蒸的方法,调节主体材料TDH14蒸镀速率为0.1 nm/s,敏化剂C46的蒸镀速率为主体材料蒸镀速率的20%,染料FD14的蒸镀速率为主体材料蒸镀速 率的1%比例设定,蒸镀总膜厚为20nm;具体分别具有以下的器件结构:
实施例7:
ITO(150nm)/HI-2(10nm)/HT-2(40nm)/HT-28(20nm)/TDH14:20%C46:1%FD14(20nm)/ET-34(20nm)/LiF(0. 5nm)/Al(150nm)
实施例8:
ITO(150nm)/HI-2(10nm)/HT-2(40nm)/HT-28(20nm)/TDH14:20%C47:1%FD14(20nm)/ET-34(20nm)/LiF(0. 5nm)/Al(150nm)
实施例9:
ITO(150nm)/HI-2(10nm)/HT-2(40nm)/HT-28(20nm)/TDH14:20%C48:1%FD14(20nm)/ET-34(20nm)/LiF(0. 5nm)/Al(150nm)
实施例10:
ITO(150nm)/HI-2(10nm)/HT-2(40nm)/HT-28(20nm)/C1:20%C46:1%FD14(20nm)/ET-34(20nm)/LiF(0.5nm )/Al(150nm)
实施例11:
ITO(150nm)/HI-2(10nm)/HT-2(40nm)/HT-28(20nm)/C2:20%C46:1%FD14(20nm)/ET-34(20nm)/LiF(0.5nm )/Al(150nm)
实施例12:
ITO(150nm)/HI-2(10nm)/HT-2(40nm)/HT-28(20nm)/C3:20%C46:1%FD14(20nm)/ET-34(20nm)/LiF(0.5nm )/Al(150nm)
对比例3:
ITO(150nm)/HI-2(10nm)/HT-2(40nm)/HT-28(20nm)/CC-2:20%C46:1%FD14(20nm)/ET-34(20nm)/LiF(0.5n m)/Al(150nm)
对比例4:
ITO(150nm)/HI-2(10nm)/HT-2(40nm)/HT-28(20nm)/TDH14:20%CC-2:1%FD14(20nm)/ET-34(20nm)/LiF( 0.5nm)/Al(150nm)
以下的实施例13-18、对比例5-7的器件按照上文所述的方法制备器件,不同之处在于器件的发 光层中包括主体材料、敏化剂材料和染料材料,利用多源共蒸的方法,调节主体材料TDH14蒸镀速 率为0.1nm/s,敏化剂C46的蒸镀速率为主体材料蒸镀速率的20%,染料GPD-1的蒸镀速率为主体材 料蒸镀速率的8%比例设定,蒸镀总膜厚为30nm;具体分别具有以下的器件结构:
实施例13:
ITO(150nm)/HI-2(10nm)/HT-2(40nm)/HT-28(20nm)/TDH14:20%C46:8%GPD-1(30nm)/ET-34(20nm)/LiF( 0.5nm)/Al(150nm)
实施例14:
ITO(150nm)/HI-2(10nm)/HT-2(40nm)/HT-28(20nm)/TDH14:20%C47:8%GPD-1(30nm)/ET-34(20nm)/LiF( 0.5nm)/Al(150nm)
实施例15:
ITO(150nm)/HI-2(10nm)/HT-2(40nm)/HT-28(20nm)/TDH14:20%C48:8%GPD-1(30nm)/ET-34(20nm)/LiF( 0.5nm)/Al(150nm)
实施例16:
ITO(150nm)/HI-2(10nm)/HT-2(40nm)/HT-28(20nm)/C1:20%C46:8%GPD-1(30nm)/ET-34(20nm)/LiF(0.5n m)/Al(150nm)
实施例17:
ITO(150nm)/HI-2(10nm)/HT-2(40nm)/HT-28(20nm)/C2:20%C46:8%GPD-1(30nm)/ET-34(20nm)/LiF(0.5n m)/Al(150nm)
实施例18:
ITO(150nm)/HI-2(10nm)/HT-2(40nm)/HT-28(20nm)/C3:20%C46:8%GPD-1(30nm)/ET-34(20nm)/LiF(0.5n m)/Al(150nm)
对比例5:
ITO(150nm)/HI-2(10nm)/HT-2(40nm)/HT-28(20nm)/CC-2:20%C46:8%GPD-1(30nm)/ET-34(20nm)/LiF(0. 5nm)/Al(150nm)
对比例6:
ITO(150nm)/HI-2(10nm)/HT-2(40nm)/HT-28(20nm)/CC-3:8%GPD-1(30nm)/ET-34(20nm)/LiF(0.5nm)/Al( 150nm)
对比例7:
ITO(150nm)/HI-2(10nm)/HT-2(40nm)/HT-28(20nm)/TDH14:20%CC-3:8%GPD-1(30nm)/ET-34(20nm)/LiF (0.5nm)/Al(150nm)
对由上述过程制备的有机电致发光器件进行如下性能测定:
在同样亮度下,使用数字源表及亮度计测定实施例1~18以及对比例1~7中制备得到的有机电致 发光器件的驱动电压和电流效率以及器件的寿命。具体而言,以每秒0.1V的速率提升电压,测定当 有机电致发光器件的亮度达到要求亮度时的电压即驱动电压,同时测出此时的电流密度;亮度与电流 密度的比值即为电流效率;LT80的寿命测试如下:使用亮度计在要求亮度下,保持恒定的电流,测量 有机电致发光器件的亮度降为80%初始亮度的时间,单位为小时。各个实施例和对比例所制备的有机 电致发光器件性能结果见表1。
表1:
由上表1的数据可以看到:
通过实施例1-6和比较例1-2对比可见,本发明合成的化合物在器件中应用于发光层染料时无论 是效率还是寿命都比已知OLED材料获得较大改观,特别是效率提升明显,这是由于化合物中D-A构 型的原因,使得激子三线态能级得到有效的利用,从而获得了高的效率;同时由实施例4-6结果可见, 由于本发明化合物具有高的三线态能级,用作主体时,可以有效减少三线态激子的淬灭,从而器件效 率可得到进一步提升。
实施例7-12和比较例3-4对比说明本发明合成的化合物在器件中应用于荧光发光层的敏化剂时, 可以有效敏化染料,能实现有效的能量传递,从而获得优异的器件性能;
实施例13-18和比较例5-7对比说明本发明合成的化合物在器件中应用于磷光发光层的敏化剂时, 可以有效敏化磷光染料,激子复合区域的增加,从而获得优异的器件性能,同时对比例6结果显示, CC-3单独做主体时,较对比例7寿命有明显下降,是由于热活化敏化的器件结构更能有效降低激子浓 度,从而提升器件性能。
以上结果表明,本发明的新型有机材料用于有机电致发光器件,可以有效提高器件电流效率,且 具有良好的稳定性能,提升器件寿命,是性能良好的有机电致发光材料。
尽管结合实施例对本发明进行了说明,但本发明并不局限于上述实施例,应当理解,在本发明构 思的引导下,本领域技术人员可进行各种修改和改进,所附权利要求概括了本发明的范围。
显然,上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例,而并非对实施方式的限定。对于所属领域的 普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对 所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之 中。
Claims (10)
1.一种通式化合物,如下式(1)所示:
其中:
Z1~Z16各自独立地表示氮原子或CR1,其中R1独立地选自氢、C1~C12烷基、C1~C12烷氧基、卤素、氰基、硝基、羟基、硅烷基、氨基、取代或未取代的C6~C30芳基氨基、取代或未取代的C3~C30杂芳基氨基、取代或未取代的C6~C30芳基、取代或未取代的C3~C30杂芳基中的一种;R1的数量为2个以上时,多个R1彼此相同或不同,相邻的R1之间彼此可以连接成环,或者R1与其相连接的苯环稠合形成C9~C30芳基或杂芳基;
L1和L2各自独立地选自单键、取代或未取代的C6~C30亚芳基、取代或未取代的C3~C30亚杂芳基中的一种;
Ar1和Ar2独立的选自C1~C12烷基、取代或未取代的C6~C30芳基、取代或未取代的C2~C30的杂芳基中的一种;
当上述基团存在取代基时,所述取代基团分别独立选自卤素、C1~C10的烷基或环烷基、C2~C10烯基、C1~C6的烷氧基或硫代烷氧基基团、C6~C30的单环芳烃或稠环芳烃基团、C3~C30的单环杂芳烃或稠环杂芳烃基团中的一种。
2.根据权利要求1所述的通式化合物,其中,通式(1)中:
Ar1选自取代或未取代的C6~C30芳基、取代或未取代的C2~C30的杂芳基中的一种;
Z1~Z16为CR1,其中R1独立地选自氢、C1~C10烷基、C1~C12烷氧基、卤素、取代或未取代的C6~C15芳基氨基、取代或未取代的C3~C15杂芳基氨基、取代或未取代的C6~C15芳基、取代或未取代的C3~C15杂芳基中的一种;优选R1为氢。
4.根据权利要求1所述的通式化合物,其中,通式(1)中:
Ar1选自取代或未取代的C4~C20的给电子杂芳基;
优选Ar1所选的给电子杂芳基选自取代或未取代的下述基团:芳氨基、呋喃基、噻吩基、吡咯基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、吩噁嗪基、吩噻嗪基、吖啶基及其衍生物。
5.根据权利要求1所述的通式化合物,其中,通式(1)中:
Ar1选自取代或未取代的C2~C20的缺电子杂芳基;
优选Ar1所选的缺电子杂芳基选自取代或未取代的下述基团:吡啶基、噁唑基、噻唑基、喹啉基、嘧啶基、咪唑、苯基嘧啶、三嗪基、噁硼杂环基及其衍生物。
7.根据权利要求1所述的通式化合物,其中,通式(1)中:
Ar2选自取代或未取代的C6~C20芳基;优选为苯基、萘基。
9.权利要求1所述的通式化合物的应用,所述应用为在有机电致发光器件中作为发光层中的材料。
10.一种有机电致发光器件,该器件包括第一电极、第二电极和插入所述第一电极和第二电极之间的一层或多层有机层,其特征在于,所述有机层中包括至少一种由权利要求1中通式(1)所述的化合物。
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