CN111218276A - 一种Si4+、Ge4+和Sn4+离子掺杂的LiGa5O8:Cr3+的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种Si4+、Ge4+和Sn4+离子掺杂的LiGa5O8:Cr3+的制备方法，步骤如下：将Li2CO3Ga2O3、Cr2O3、SiO2、GeO2和SnO2置入玛瑙研钵中，混合并充分研磨1.5‑2.5h，对研磨后的粉末混合物进行压片，然后放入高温马弗炉，在空气气氛中升温至1320‑1340℃煅烧11‑13h，随炉冷却至室温后取出即得。该方法简便、快捷、易操作，制备的Si4+、Ge4+和Sn4+离子掺杂的LiGa5O8:Cr3+长余辉材料具有优异的发光强度和余辉性能，在安全指示、信息显示和生物医学成像等领域具有潜在的应用价值。
Description
技术领域
本发明涉及一种Si4+、Ge4+和Sn4+离子掺杂的LiGa5O8:Cr3+的制备方法。
背景技术
长余辉材料是一种特殊的发光材料，它能够吸收可见光或紫外光等激发的能量并存储，当激发停止后，在一定条件下将储存的能量以发光的形式缓慢释放。对长余辉发光材料的应用，已经从信息显示、安全指示等日常生活领域逐步扩展到生物检测、光学成像等领域。近红外长余辉发光材料具有高的信号收集率、信噪比和优良的深组织透过性能，其在医疗成像检测领域的潜在应用价值引起了科研人员的重点关注，利用生物透过窗口波长范围的近红外长余辉材料作为生物标记物对癌细胞有针对性地进行追踪诊断成为研究的热点。
镓酸盐具有良好的化学稳定性和热稳定性，常用于制备长余辉发光材料。LiGa5O8具有反尖晶石结构，结构中有四面体空隙和八面体空隙，这些空隙有利于离子掺杂，可作为长余辉发光的基质材料。
发明内容
本发明的目的在于提供一种Si4+、Ge4+和Sn4+离子掺杂的LiGa5O8:Cr3+的制备方法。
本发明通过下面技术方案实现：
一种Si4+、Ge4+和Sn4+离子掺杂的LiGa5O8:Cr3+的制备方法，包括如下步骤：将15-25份Li2CO3Ga2O3、10-20份Cr2O3、7-9份SiO2、2-4份GeO2和1-2份SnO2置入玛瑙研钵中，混合并充分研磨1.5-2.5h，对研磨后的粉末混合物进行压片，然后放入高温马弗炉，在空气气氛中升温至1320-1340℃煅烧11-13h，随炉冷却至室温后取出即得；各原料均为重量份。
优选地，所述的制备方法中，混合并充分研磨2h。
优选地，所述的制备方法中，在空气气氛中升温至1330℃煅烧12h。
本发明技术效果：
该方法简便、快捷、易操作，制备的Si4+、Ge4+和Sn4+离子掺杂的LiGa5O8:Cr3+长余辉材料具有优异的发光强度和余辉性能，在安全指示、信息显示和生物医学成像等领域具有潜在的应用价值。
具体实施方式
下面结合实施例具体介绍本发明的实质性内容。
实施例1
一种Si4+、Ge4+和Sn4+离子掺杂的LiGa5O8:Cr3+的制备方法，包括如下步骤：将20份Li2CO3Ga2O3、15份Cr2O3、8份SiO2、3份GeO2和1.5份SnO2置入玛瑙研钵中，混合并充分研磨2h，对研磨后的粉末混合物进行压片，然后放入高温马弗炉，在空气气氛中升温至1330℃煅烧12h，随炉冷却至室温后取出即得；各原料均为重量份。
实施例2
一种Si4+、Ge4+和Sn4+离子掺杂的LiGa5O8:Cr3+的制备方法，包括如下步骤：将15份Li2CO3Ga2O3、10份Cr2O3、7份SiO2、2份GeO2和1份SnO2置入玛瑙研钵中，混合并充分研磨1.5h，对研磨后的粉末混合物进行压片，然后放入高温马弗炉，在空气气氛中升温至1320℃煅烧11h，随炉冷却至室温后取出即得；各原料均为重量份。
实施例3
一种Si4+、Ge4+和Sn4+离子掺杂的LiGa5O8:Cr3+的制备方法，包括如下步骤：将25份Li2CO3Ga2O3、20份Cr2O3、9份SiO2、4份GeO2和2份SnO2置入玛瑙研钵中，混合并充分研磨2.5h，对研磨后的粉末混合物进行压片，然后放入高温马弗炉，在空气气氛中升温至1340℃煅烧13h，随炉冷却至室温后取出即得；各原料均为重量份。
该方法简便、快捷、易操作，制备的Si4+、Ge4+和Sn4+离子掺杂的LiGa5O8:Cr3+长余辉材料具有优异的发光强度和余辉性能，在安全指示、信息显示和生物医学成像等领域具有潜在的应用价值。
Claims (3)
1.一种Si4+、Ge4+和Sn4+离子掺杂的LiGa5O8:Cr3+的制备方法，其特征在于包括如下步骤：将15-25份Li2CO3Ga2O3、10-20份Cr2O3、7-9份SiO2、2-4份GeO2和1-2份SnO2置入玛瑙研钵中，混合并充分研磨1.5-2.5h，对研磨后的粉末混合物进行压片，然后放入高温马弗炉，在空气气氛中升温至1320-1340℃煅烧11-13h，随炉冷却至室温后取出即得；各原料均为重量份。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：混合并充分研磨2h。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：在空气气氛中升温至1330℃煅烧12h。
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| CN201811412927.0A CN111218276A (zh) | 2018-11-26 | 2018-11-26 | 一种Si4+、Ge4+和Sn4+离子掺杂的LiGa5O8:Cr3+的制备方法 |
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| CN201811412927.0A CN111218276A (zh) | 2018-11-26 | 2018-11-26 | 一种Si4+、Ge4+和Sn4+离子掺杂的LiGa5O8:Cr3+的制备方法 |
Publications (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN111218276A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112063382A (zh) * | 2020-08-06 | 2020-12-11 | 华南理工大学 | 一种不需预辐照及发光即时自恢复的力致发光材料及其制备方法 |
-
2018
- 2018-11-26 CN CN201811412927.0A patent/CN111218276A/zh active Pending
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| CN112063382A (zh) * | 2020-08-06 | 2020-12-11 | 华南理工大学 | 一种不需预辐照及发光即时自恢复的力致发光材料及其制备方法 |
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Legal Events
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| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20200602 |
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| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |